CN109378381A - 高温热电单元及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种高温热电单元，包括：包括：p型半导体材料的第一热电极、n型半导体材料的第二热电极、具有导电性的热端、导电端子、散热器与陶瓷绝缘基片；第一热电极与第二热电极之间通过热端相连接，剩余空间填充有陶瓷绝缘基片，第一热电极与第二热电极之间利用陶瓷绝缘基片分隔；第一热电极与第二热电极的外侧分别连接有导电端子，剩余空间覆盖有陶瓷绝缘基片，散热器与导电端子相连接。本发明还公开了一种高温热电单元的制造方法。本发明得到的高温热电单元用于极端高温环境下发电，能够实现高温环境下热电转换，同时能够提高热电单元的抗热震性能。
Description
技术领域
本发明涉及一种温差发电技术，具体是，涉及一种高温热电单元及其制造方法。
背景技术
热电转化技术基于塞贝克(Seebeck)效应，将两种不同的热电材料(P型和N型)的一端通过导体连接起来，另一端则分别与导体连接，构成一个PN结，得到一个简单的热电转化组件，也称为PN热电单元。在热电单元开路端接入负载电阻，此时若在热电单元一端热流流入，形成高温端(即热端)，从另一端散失掉，形成低温端(即冷端)，于是在热电单元的热端和冷端之间建立起温度梯度场。热电单元内部位于高温端的空穴和电子在温度场的驱动下，开始向低温端扩散，从而在PN电偶臂两端形成电势差，电路中便会有电流产生。
热电转化技术又称温差发电技术，是一种重要的绿色发电方式。基于温差发电技术的热电转化系统具有结构简单、无噪音、使用寿命长等优点。许多产业在制造过程中需消耗大量的能源及产生可观的热，由于不能有效利用工业废热造成大量能量的浪费。一般热电模块可以利用温差发电，其优点在于所占空间不大，以及维修成本低，因此适合用来回收产业废热以避免能源浪费。
碲化铋及其合金是被广为使用的热电材料，用碲化铋及其合金制造的热电器件其最佳运作温度<450℃，因此无法用于高温环境。
发明内容
本发明所解决的技术问题是提供一种高温热电单元及其制造方法，得到的高温热电单元用于极端高温环境下发电，能够实现高温环境下热电转换，同时能够提高热电单元的抗热震性能。
技术方案如下：
一种高温热电单元，包括：包括：p型半导体材料的第一热电极、n型半导体材料的第二热电极、具有导电性的热端、导电端子、散热器与陶瓷绝缘基片；第一热电极与第二热电极之间通过热端相连接，剩余空间填充有陶瓷绝缘基片，第一热电极与第二热电极之间利用陶瓷绝缘基片分隔；第一热电极与第二热电极的外侧分别连接有导电端子，剩余空间覆盖有陶瓷绝缘基片，散热器与导电端子相连接。
进一步，热端和导电端子分别布置在两侧，热端位于第一热电极和第二热电极的内侧。
进一步，第一热电极与第二热电极外侧的导电端子位于同一侧。
进一步，陶瓷绝缘基片的材质为氧化铝、莫来石或者镁基铝酸镧；散热器选用板式散热器或热管散热器中的一种。
一种高温热电单元的制造方法，包括：
选取第一热电极、第二热电极的粉末原料；选取模具，在模具底层垫石墨纸或钼片，之后在模具中放入第一片陶瓷绝缘基片，陶瓷绝缘基片的一侧边缘与模具的内壁紧贴，另一侧边缘与模具的内壁留有空隙；
将导电粉末填满到第一片陶瓷绝缘基片与模具内壁间的空隙，之后将第一热电极的粉末原料覆盖在导电粉末与第一陶瓷绝缘基片的上面；在第一热电极的粉末原料的上表面覆盖第二片陶瓷绝缘基片，第二片陶瓷绝缘基片的一侧边缘与模具的内壁紧贴，另一侧边缘与模具的内壁留有空隙；
将导电粉末填满到第二片陶瓷绝缘基片与模具内壁的空隙，之后将第二热电极的粉末原料覆盖在导电粉末与第二片陶瓷绝缘基片的上面；在第二热电极的粉末原料的上面覆盖第三片陶瓷绝缘基片，第三片陶瓷绝缘基片的一侧边缘与模具的内壁紧贴，另一侧边缘与模具的内壁留有空隙；
将导电粉末填满到第三片陶瓷绝缘基片与与模具内壁留有的空隙，之后在导电粉末、第三片陶瓷绝缘基片上部覆盖石墨纸或钼片，放上压头压住石墨纸或钼片；
将模具进行加压烧结，冷却脱模后在导电端子端上焊接散热器、接导线后制成高温热电单元。
优选的：第一热电极材的粉末原料选用掺杂LaCrO3粉末，第二热电极的粉末原料选用掺杂In2O3或掺杂ZnO，或者掺杂In2O3和ZnO的混合物粉末。
优选的：第一热电极材的掺杂LaCrO3粉末中的掺杂元素为Mg、Ca、Sr、Ba中的一种或几种，掺杂元素含量为0-10mol％。
优选的：第二电极材料的In2O3掺杂元素为Co、Zr、Mo、Ni中的一种或几种，ZnO中掺杂元素为Fe、Co、Ni、Al、Cu中的一种或几种，In2O3或ZnO中掺杂元素含量为0-10mol％。
优选的：导电粉末为铜粉、掺杂LaCrO3粉末、掺杂In2O3或者ZnO粉末中的一种或几种。
优选的：将模具放入热压炉或sps放电等离子烧结炉中进行加压烧结，热压或sps等离子放电烧结温度为900-1700℃，成型压力为30-60Mpa，烧结时间为1-24小时。
本发明技术效果包括：
本发明将p、n型半导体材料制成热电单元，可实现高温环境下(>450℃)的热电转换，同时提高热电单元的抗热震性能。
本发明制造的高温热电单元可在500-1500℃下稳定工作，实现极端高温条件下的热电转化。现有技术中第一热电极与第二热电极的连接是在二者的顶端连接，在高温下多次使用容易造成连接部位分离，而本发明中，二者的连接是在一端内侧，连接的接触面积增大，抗热震性增强，从而提高连接强度。另外，本发明的结构可使导电端子与两个热电极的接触面积增大，提高了导电效果，同时散热器与导电端子连接可提高散热效果。本发明的制造方法可实现一步法制造高稳定性的高温热电单元。
附图说明
图1是本发明中高温热电单元的结构示意图；
图2是本发明中制取高温热电单元的原料装模后的示意图。
具体实施方式
以下描述充分地示出本发明的具体实施方案，以使本领域的技术人员能够实践和再现。
如图1所示，是本发明中高温热电单元的结构示意图。
高温热电单元，包括：p型半导体材料的第一热电极1、n型半导体材料的第二热电极2、具有导电性的热端3、导电端子4、散热器5与陶瓷绝缘基片6；第一热电极1与第二热电极2之间通过热端3相连接，剩余空间填充有陶瓷绝缘基片6，第一热电极1与第二热电极2之间利用陶瓷绝缘基片6分隔；第一热电极1与第二热电极2的外侧分别连接有导电端子4，剩余空间覆盖有陶瓷绝缘基片6，散热器5与导电端子4相连接。
热端3和导电端子4分别布置在两侧。热端3位于第一热电极1和第二热电极2的内侧，提高了连接的稳定性。散热器5可以选用板式散热器或热管散热器中的一种。陶瓷绝缘基片6的材质为氧化铝、莫来石或者镁基铝酸镧。
LaCrO3是一种p型氧化物半导体，具有熔点高(2490℃)和较好的导电能力，且在氧化和还原气氛中物理化学性质稳定等特点。通过掺杂不同价态的元素能够提高LaCrO3导电能力和高温稳定性，现在已被广泛应用于固体氧化物燃料电池(SOFC)的阳极和连接体材料。掺杂改性的In2O3与ZnO为n型半导体，且具有高熔点和良好的导电性。
如图2所示，是本发明中制取高温热电单元的原料装模后的示意图。
高温热电单元的制造方法，具体步骤如下：
步骤1：选取第一热电极1、第二热电极2的粉末原料；
第一热电极材1的粉末原料选用掺杂LaCrO3粉末，第二热电极2选用掺杂In2O3或掺杂ZnO或二者一定比例的混合物粉末；
第一热电极材1的掺杂LaCrO3粉末中的掺杂元素为Mg、Ca、Sr、Ba中的一种或几种，掺杂元素含量为0-10mol％。第二电极材料2的In2O3掺杂元素为Co、Zr、Mo、Ni中的一种或几种，ZnO中掺杂元素为Fe、Co、Ni、Al、Cu中的一种或几种，In2O3或ZnO中掺杂元素含量为0-10mol％。
步骤2：选取一方形的模具7，在底层垫石墨纸或钼片，之后在模具7中放入第一片陶瓷绝缘基片6，陶瓷绝缘基片6的三条边与模具7的内壁紧贴，剩余一条边与模具7内壁留有空隙；
步骤3：将导电粉末8填满到第一片陶瓷绝缘基片6与模具7内壁间的空隙，之后将第一热电极1的粉末原料覆盖在导电粉末8与第一陶瓷绝缘基片6的上面；
导电粉末8为铜粉、掺杂LaCrO3粉末、掺杂In2O3或者ZnO粉末中的一种或几种。
步骤4：在第一热电极1的粉末原料的上表面覆盖第二片陶瓷绝缘基片6，第二片陶瓷绝缘基片6的三条边与模具7的内壁紧贴，剩余一条边与模具7内壁留有空隙；
第二片陶瓷绝缘基片6与模具7内壁的空隙位于第一片陶瓷绝缘基片6与模具7空隙的相对一侧。
步骤5：将导电粉末8填满到第二片陶瓷绝缘基片6与模具7内壁的空隙，之后将第二热电极2的粉末原料覆盖在导电粉末8与第二片陶瓷绝缘基片6的上面；
步骤6：在第二热电极2的粉末原料的上面覆盖第三片陶瓷绝缘基片6，第三片陶瓷绝缘基片6的三条边与模具7的内壁紧贴，剩余一条边与石墨模具7内壁留有空隙，空隙的位置在第一片陶瓷绝缘基片6的空隙同侧；
步骤7：将导电粉末8填满到第三片陶瓷绝缘基片6与与模具7内壁留有的空隙，之后在导电粉末8、第三片陶瓷绝缘基片6上部覆盖石墨纸或钼片，放上压头9压住石墨纸或钼片；
步骤8：将模具7进行加压烧结，冷却脱模后形成料坯，在脱模后在导电端子4端上焊接散热器5、接导线后制成高温热电单元。
将模具7放入热压炉或sps放电等离子烧结炉中进行加压烧结。热压或sps等离子放电烧结温度为900-1700℃，成型压力为30-60Mpa，烧结时间为1-24小时。
实施例1：
第一热电极1材料选用掺杂LaCrO3粉末，掺杂元素为Ca，掺杂量1mol％,第二热电极2选用掺杂In2O3，掺杂元素为Co，掺杂量为1mol％；导电粉末8为铜粉，绝缘陶瓷片6选为氧化铝陶瓷片。
模具7选取一矩形石墨模具，底层垫钼片，之后在模具7中放入第一片陶瓷绝缘基片6，该陶瓷绝缘基片6三边与模具7壁紧贴，一边与模具7壁留有空隙；将铜粉末填满到第一片陶瓷绝缘基片6与模具7内壁间的空隙，之后将第一热电极1的粉末材料覆盖在铜粉末与第一片陶瓷绝缘基片6的上面；在第一热电极1的粉末材料表面覆盖第二片陶瓷绝缘基片6，第二片陶瓷绝缘基片6与模具7壁紧贴，一边与模具7壁留有空隙，该空隙位置在第一片陶瓷绝缘基片6的空隙位置相对的一侧；将铜粉末填满到第二片陶瓷绝缘基片6与模具7的内壁间的空隙，之后将第二热电极2的粉末材料覆盖在铜粉末与第二片陶瓷绝缘基片6的上面；在第二热电极2粉末材料表面覆盖第三片陶瓷绝缘基片6，该第三片陶瓷绝缘基片6三边与模具7内壁紧贴，一边与模具7壁留有空隙，该空隙位置在第一片陶瓷绝缘基片6的空隙位置相同的一侧；将铜粉末填满到第三片陶瓷绝缘基片6与模具7的壁间空隙，之后覆盖钼片，再放上石墨压头，装模后将模具7放入热压炉，烧结温度900℃，成型压力30Mpa，烧结时间24小时；随炉冷却脱模；在第一片与第三片陶瓷绝缘基片6上的铜导电端子上焊接散热器5，最终得到高温热电单元。
实施例2：
第一热电极1的材料选用掺杂LaCrO3粉末，掺杂元素为Sr，掺杂量5mol％；第二热电极2选用掺杂ZnO，掺杂元素为Co，掺杂量为3mol％；导电粉末8为掺杂LaCrO3粉末，掺杂元素为Sr，掺杂量5mol％，绝缘陶瓷片6选为镁基铝酸镧陶瓷片。
选取一矩形石墨模具，底层垫石墨片，之后在模具7中放入第一片陶瓷绝缘基片6，陶瓷绝缘基片6三边与模具7内壁紧贴，一边与模具7壁留有空隙；将掺Sr的LaCrO3粉末填满到第一片陶瓷绝缘基片6与模具7壁间的空隙，之后将第一热电极1的粉末材料覆盖在掺Sr的LaCrO3粉末与第一片陶瓷绝缘基片6的上面；在第一热电极1的材料粉末表面覆盖第二片陶瓷绝缘基片6，陶瓷绝缘基片6三边与模具7内壁紧贴，一边与模具7内壁留有空隙，该空隙位置在第一片陶瓷绝缘基片6的空隙位置相对的一侧；将掺Sr的LaCrO3粉末填满到第二片陶瓷绝缘基片6与模具7壁间的空隙，之后将第二热电极2的材料粉末覆盖在掺Sr的LaCrO3粉末与第二片陶瓷绝缘基片6的上面；在第二热电极2的材料粉末表面覆盖第三片陶瓷绝缘基片6，陶瓷绝缘基片6三边与模具7内壁紧贴，一边与模具7内壁留有空隙，该空隙位置在第一片陶瓷绝缘基片6空隙位置相同的一侧；将掺Sr的LaCrO3粉末填满到第三片陶瓷绝缘基片6与模具7内壁间的空隙，之后覆盖石墨片，再放上石墨压头；将模具7放入热压炉，烧结温度1700℃，成型压力60Mpa，烧结时间1小时；随炉冷却脱模；在第一片与第三片陶瓷绝缘基片6上的掺Sr的LaCrO3导电端子4上焊接散热器5，最终得到高温热电单元。
实施例3
第一热电极1的材料选用掺杂LaCrO3粉末，掺杂元素为Ba，掺杂量10mol％；第二热电极2选用掺杂In2O3,掺杂元素为Ni，掺杂量为3mol％；导电粉末8为掺杂In2O3粉末，掺杂元素为Ni，掺杂量3mol％，绝缘陶瓷片6选为莫来石陶瓷片。
选取一矩形石墨模具，底层垫石墨片，之后在模具7中放入第一片陶瓷绝缘基片6，第一片陶瓷绝缘基片6三边与模具7内壁紧贴，一边与模具7内壁留有空隙；将掺Ni的In2O3粉末填满到第一片陶瓷绝缘基片6与模具7壁间的空隙，之后将第一热电极1的粉末材料覆盖在掺Ni的In2O3粉末与第一片陶瓷绝缘基片6的上面；在第一热电极1的粉末材料表面覆盖第二片陶瓷绝缘基片6，该第二片陶瓷绝缘基片6三边与模具7内壁紧贴，一边与模具7留有空隙，该空隙位置在第一片陶瓷绝缘基片6空隙位置相对的一侧；将掺Ni的In2O3粉末填满到第二片陶瓷绝缘基片6与模具7内壁间的空隙，之后将第二热电极2的粉末材料覆盖在掺Ni的In2O3粉末与第二片陶瓷绝缘基片6的上面；在第二热电极2的粉末材料表面覆盖第三片陶瓷绝缘基片6，该第三片陶瓷绝缘基片6三边与模具7内壁紧贴，一边与模具7内壁留有空隙，该空隙位置在第一片陶瓷绝缘基片6空隙位置相同的一侧；将掺Ni的In2O3粉末填满到第三片陶瓷绝缘基片6与模具7壁间的空隙，之后覆盖石墨片，再放上石墨压头；将模具7放入热压炉，烧结温度1200℃，成型压力40Mpa，烧结时间5小时；随炉冷却脱模；在第一片与第三片陶瓷绝缘基片6上的掺Ni的In2O3导电端子4上焊接散热器5，最终得到高温热电单元。
实施例4
第一热电极1的材料选用掺杂LaCrO3粉末，掺杂元素为Ba，掺杂量10mol％；第二热电极2选用掺杂In2O3,掺杂元素为Ni，掺杂量为3mol％，掺杂ZnO，掺杂元素为Co，掺杂量为1mol％，掺杂In2O3与掺杂ZnO的比例为2：1的混合粉末；导电粉末8选为掺杂In2O3粉末，掺杂元素为Ni，掺杂量3mol％，绝缘陶瓷片6选为莫来石陶瓷片。
选取一矩形石墨模具，底层垫石墨片，之后在模具7中放入第一片陶瓷绝缘基片6，该第一片陶瓷绝缘基片6三边与模具7内壁紧贴，一边与模具7内壁留有空隙；将掺Ni的In2O3粉末填满到第一片陶瓷绝缘基片6与模具7内壁间的空隙，之后将第一热电极1的粉末材料覆盖在掺Ni的In2O3粉末与第一片陶瓷绝缘基片6的上面；在第一热电极1的粉末材料表面覆盖第二片陶瓷绝缘基片6，该第二片陶瓷绝缘基片6三边与模具7内壁紧贴，一边与模具7内壁留有空隙，该空隙位置在第一片陶瓷绝缘基片6空隙位置相对的一侧；将掺Ni的In2O3粉末填满到第二片陶瓷绝缘基片6与模具7内壁间的空隙，之后将第二热电极2的粉末材料覆盖在掺Ni的In2O3粉末与第二片陶瓷绝缘基片6的上面；在第二热电极2的粉末材料表面覆盖第三片陶瓷绝缘基片6，该第三片陶瓷绝缘基片6三边与模具7内壁紧贴，一边与模具7内壁留有空隙，该空隙位置在第一片陶瓷绝缘基片6空隙位置相同的一侧；将掺Ni的In2O3粉末填满到第三片陶瓷绝缘基片6与模具7内壁间的空隙，之后覆盖石墨片，再放上石墨压头；将模具7放入热压炉，烧结温度1200℃，成型压力40Mpa，烧结时间5小时；随炉冷却脱模；在第一片与第三片陶瓷绝缘基片6上的掺Ni的In2O3导电端子4上焊接散热器5，最终得到高温热电单元。
实施例5
第一热电极1的材料选用掺杂LaCrO3粉末，掺杂元素为Sr，掺杂量5mol％；第二热电极2选用掺杂ZnO,掺杂元素为Co，掺杂量为3mol％，导电端子4处的导电粉末8为铜粉；热端3处的导电粉末8为掺杂LaCrO3粉末，掺杂元素为Sr，掺杂量5mol％，绝缘陶瓷片6为镁基铝酸镧陶瓷片。
选取一矩形石墨模具，底层垫石墨片，之后在模具7中放入第一片陶瓷绝缘基片6，该第一片陶瓷绝缘基片6三边与模具7内壁紧贴，一边与模具7内壁留有空隙；将铜粉填满到第一片陶瓷绝缘基片6与模具7间的空隙，之后将第一热电极1的粉末材料覆盖在掺Sr的LaCrO3粉末与第一片陶瓷绝缘基片6的上面；在第一热电极1的粉末材料表面覆盖第二片陶瓷绝缘基片6，该第二片陶瓷绝缘基片6三边与模具7内壁紧贴，一边与模具7内壁留有空隙，该空隙位置在第一片陶瓷绝缘基片6的空隙位置相对的一侧；将掺Sr的LaCrO3粉末填满到第二片陶瓷绝缘基片6与模具7壁间的空隙，之后将第二热电极2的粉末材料覆盖在掺Sr的LaCrO3粉末与第二片陶瓷绝缘基片6的上面；在第二热电极2的粉末材料表面覆盖第三片陶瓷绝缘基片6，该第三片陶瓷绝缘基片6三边与模具7内壁紧贴，一边与模具7内壁留有空隙，该空隙位置在第一片陶瓷绝缘基片6的空隙位置相同的一侧；将铜粉填满到第三片陶瓷绝缘基片与模具7壁间的空隙，之后覆盖石墨片，再放上石墨压头；将模具7放入热压炉，烧结温度950℃，成型压力60Mpa，烧结时间3小时；随炉冷却脱模；在第一片与第三片陶瓷绝缘基片6上的导电端子4上焊接散热器5，最终得到高温热电单元。
应当理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应该涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (10)
1.一种高温热电单元，其特征在于，包括：包括：p型半导体材料的第一热电极、n型半导体材料的第二热电极、具有导电性的热端、导电端子、散热器与陶瓷绝缘基片；第一热电极与第二热电极之间通过热端相连接，剩余空间填充有陶瓷绝缘基片，第一热电极与第二热电极之间利用陶瓷绝缘基片分隔；第一热电极与第二热电极的外侧分别连接有导电端子，剩余空间覆盖有陶瓷绝缘基片，散热器与导电端子相连接。
2.如权利要求1所述高温热电单元，其特征在于，热端和导电端子分别布置在两侧，热端位于第一热电极和第二热电极的内侧。
3.如权利要求1所述高温热电单元，其特征在于，第一热电极与第二热电极外侧的导电端子位于同一侧。
4.如权利要求1所述高温热电单元，其特征在于，陶瓷绝缘基片的材质为氧化铝、莫来石或者镁基铝酸镧；散热器选用板式散热器或热管散热器中的一种。
5.一种高温热电单元的制造方法，包括：
选取第一热电极、第二热电极的粉末原料；选取模具，在模具底层垫石墨纸或钼片，之后在模具中放入第一片陶瓷绝缘基片，陶瓷绝缘基片的一侧边缘与模具的内壁紧贴，另一侧边缘与模具的内壁留有空隙；
将导电粉末填满到第一片陶瓷绝缘基片与模具内壁间的空隙，之后将第一热电极的粉末原料覆盖在导电粉末与第一陶瓷绝缘基片的上面；在第一热电极的粉末原料的上表面覆盖第二片陶瓷绝缘基片，第二片陶瓷绝缘基片的一侧边缘与模具的内壁紧贴，另一侧边缘与模具的内壁留有空隙；
将导电粉末填满到第二片陶瓷绝缘基片与模具内壁的空隙，之后将第二热电极的粉末原料覆盖在导电粉末与第二片陶瓷绝缘基片的上面；在第二热电极的粉末原料的上面覆盖第三片陶瓷绝缘基片，第三片陶瓷绝缘基片的一侧边缘与模具的内壁紧贴，另一侧边缘与模具的内壁留有空隙；
将导电粉末填满到第三片陶瓷绝缘基片与与模具内壁留有的空隙，之后在导电粉末、第三片陶瓷绝缘基片上部覆盖石墨纸或钼片，放上压头压住石墨纸或钼片；
将模具进行加压烧结，冷却脱模后在导电端子端上焊接散热器、接导线后制成高温热电单元。
6.如权利要求5所述高温热电单元的制造方法，其特征在于：第一热电极材的粉末原料选用掺杂LaCrO3粉末，第二热电极的粉末原料选用掺杂In2O3或掺杂ZnO，或者掺杂In2O3和ZnO的混合物粉末。
7.如权利要求6所述高温热电单元的制造方法，其特征在于：第一热电极材的掺杂LaCrO3粉末中的掺杂元素为Mg、Ca、Sr、Ba中的一种或几种，掺杂元素含量为0-10mol％。
8.如权利要求6所述高温热电单元的制造方法，其特征在于：第二电极材料的In2O3掺杂元素为Co、Zr、Mo、Ni中的一种或几种，ZnO中掺杂元素为Fe、Co、Ni、Al、Cu中的一种或几种，In2O3或ZnO中掺杂元素含量为0-10mol％。
9.如权利要求6所述高温热电单元的制造方法，其特征在于：导电粉末为铜粉、掺杂LaCrO3粉末、掺杂In2O3或者ZnO粉末中的一种或几种。
10.如权利要求6所述高温热电单元的制造方法，其特征在于：将模具放入热压炉或sps放电等离子烧结炉中进行加压烧结，热压或sps等离子放电烧结温度为900-1700℃，成型压力为30-60Mpa，烧结时间为1-24小时。
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