JP2010016132A - 熱電変換モジュールおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】少ない製造工数で、高い熱電変換特性が得られる熱電変換モジュールおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】焼結型3内に、FeSi2系のp型及びn型からなる各熱電変換半導体原料粉末21’、23’と、これらの間に所定の金属からなる板又は粉末22’を層状に投入し、これらを放電プラズマ焼結法により一段階で焼結・接合する。この焼結・接合の際には、金属層の存在により、p型からn型及びn型からp型への不純物原子の拡散が抑制され、p型及びn型半導体の間には不純物原子の拡散に関して明瞭な接合界面が得られる。また、各原料粉末を一段階で焼結・接合するため熱電変換モジュールの製造コストを大幅に低減できる。
【選択図】図2
【解決手段】焼結型3内に、FeSi2系のp型及びn型からなる各熱電変換半導体原料粉末21’、23’と、これらの間に所定の金属からなる板又は粉末22’を層状に投入し、これらを放電プラズマ焼結法により一段階で焼結・接合する。この焼結・接合の際には、金属層の存在により、p型からn型及びn型からp型への不純物原子の拡散が抑制され、p型及びn型半導体の間には不純物原子の拡散に関して明瞭な接合界面が得られる。また、各原料粉末を一段階で焼結・接合するため熱電変換モジュールの製造コストを大幅に低減できる。
【選択図】図2
Description
本発明は熱電変換モジュールおよびその製造方法に関し、更に詳しくは、鉄シリサイド(FeSi2)系熱電変換半導体を利用して熱と電気エネルギーとの間で変換を行う熱電変換モジュールおよびその製造方法に関する。
近年、小型で熱起電力が大きい材料としてFeSi2系熱電変換半導体を使用した熱電変換モジュールが開発されている。例えば、特許文献1には、所定量のクロム(Cr)又はコバルト(Co)を含むFeSi2系熱電変換材料であって、焼結温度、加圧力及び焼結時間を適切に制御して一段階焼結法により焼結した焼結体が、(220)面及び(311)面を有するβ相単相の結晶構造を有することで、有効な熱電変換特性を示すことが記載されている。この種の熱電変換半導体では温度差により熱起電力が発生するため、p型熱電変換半導体とn型熱電変換半導体とを直列に接続することで熱起電力(ゼーベツク係数)を上げる試みがなされている。
従来は、特許文献1のように、予め個別に焼結したp型熱電変換材料とn型熱電変換材料とを銀ペースト等の導電性接着材により接合して熱電変換モジュールを制作していた。または、別個に焼結したp型熱電変換材料とn型熱電変換材料とを、再度放電プラズマ焼結法により接合する(以下、これを直接・接合と称す)方法も試みられた。あるいは、p型熱電変換半導体原料粉末とn型熱電変換半導体原料粉末とを放電プラズマ焼結法により一段階で焼結・接合する(以下、これを焼結・接合と称す)方法も試みられた。
特開2007−324500
「FeSi2系熱電変換モジュールのゼーベツク係数の測定」田中勝之他、The 28th Japan Symposium on Thermophysical Properties. Oct.24−26. 2007, Sapporo.
しかし、上記特許文献1のようにp型熱電変換材料とn型熱電変換材料とを導電性接着材により接合する方法では、導電性接着材のインピーダンスや特性の経年変化が熱起電力の発生に悪影響を及ぼしていた。
また、上記p型熱電変換材料とn型熱電変換材料とを再度放電プラズマ焼結法により直接・接合する場合は、導電性接着材による影響を少なくできるが、焼結と接合とからなる複数回の製造工程が必要となり、製造コストが高くなる問題があった。
また、上記p型熱電変換材料粉末とn型熱電変換材料粉末とを一段階で焼結・接合する場合は、焼結と接合を一度で行なえるメリットはあるが、上記直接・接合した場合に比べて熱起電力の発生が少ないことが確認された。
本発明は上記従来技術の問題点に鑑みなされたものであり、その目的とするところは、少ない製造工数で、高い熱電変換特性が得られる熱電変換モジュールおよびその製造方法を提供することにある。
上記の課題を解決するため、本発明の第1の態様によ熱電変換モジュールの製造方法は、焼結型内に、FeSi2系のp型及びn型からなる各熱電変換半導体原料粉末と、これらの間に所定の金属からなる板又は粉末を層状に投入し、これらを放電プラズマ焼結法により一段階で焼結・接合するものである。
本発明では、FeSi2系のp型及びn型からなる各熱電変換半導体原料粉末の間に所定の金属層を介在させた状態で放電プラズマ焼結法により焼結・接合することにより、p型からn型及びn型からp型への不純物原子の拡散が抑制され、p型及びn型半導体の間には不純物原子の拡散に関して明瞭な接合界面が得られる。このため、p型及びn型の各熱電変換半導体領域で共に最大の熱起電力(ゼーベック係数)が得られると共に、これらがバインダ(接合)金属を介して電気的に重ね合わされることによりモジュール全体として高い熱電変換特性が得られる。また、本発明では各原料粉末を一段階で焼結・接合するため熱電変換モジュールの製造コストを大幅に低減できる。
本発明の第2の態様では、FeSi2系原料粉末に4.1質量%のクロム(Cr)を混入してp型熱電変換半導体原料粉末とする。
本発明の第3の態様では、FeSi2系原料粉末に2.4質量%のコバルト(Co)を混入してn型熱電変換半導体原料粉末とする。
本発明の第4の態様では、前記所定の金属は銀(Ag)又は銀系合金からなる。
本発明によれば、銀(Ag)は電気抵抗が小さく、かつ熱伝導率が高いため、熱と電気エネルギーを伝えるバインダ金属として最適であると共に、銀の融点(略962°C)は熱電変換モジュール(即ち、各FeSi2系半導体原料粉末)の焼結に最適な温度よりも幾分高いため、熱電変換モジュールの全体を適正に焼結・接合できる。
本発明の第5の態様では、前記所定の金属はニッケル(Ni)又はチタン(Ti)又はこれらを主とする合金からなる。ニッケル(Ni)、チタン(Ti)あるいはニッケル系又はチタン系の合金をバインダ金属とした場合でも、熱電変換モジュールを適正に焼結・接合できると共に、高い熱電変換特性が得られることが実験により確かめられた。
本発明の第6の態様では、前記焼結・接合を、圧力35MPa乃至70MPa、温度923K(650°C)乃至1073K(800°C)、時間300sec乃至3.6ksecで行うものである。
この焼結・接合条件は、基本的には、p型及びn型熱電変換半導体の各焼結体について高いゼーベック係数を示す結晶構造(即ち、β相単層)が得られる条件に左右されるが、本発明では、更にバインダ金属についても機械的かつ電気的に適正な接合特性が得られる範囲内で焼結条件が選択されている。
本発明の第7の態様による熱電変換モジュールは、焼結型内に、FeSi2系のp型及びn型からなる各熱電変換半導体原料粉末と、これらの間に所定の金属からなる板又は粉末を層状に投入し、これらを放電プラズマ焼結法により一段階で焼結・接合したものである。これにより、高いゼーベック係数を有する熱電変換モジュールを廉価に提供できる。
本発明の第8の態様では、前記所定の金属は銀(Ag)、ニッケル(Ni)、チタン(Ti)又はこれらの何れか一つを主とする合金からなる。このような金属をバインダ金属とすることにより簡単な製法で機械的にも電気的にも優れた特性の熱電変換モジュールを提供できる。
以上述べた如く本発明によれば、高いゼーベック係数の得られる熱電変換モジュールを容易かつ安価に製造できるため、FeSi2系熱電変換モジュールの性能向上及び普及拡大に寄与するところが極めて大きい。
以下、添付図面に従って本発明による実施の形態を詳細に説明する。図1は本実施の形態で使用した放電プラズマ焼結装置の概略構成図である。この放電プラズマ焼結装置1は、内部を略真空状態にまで減圧可能な水冷式の真空チャンバ2と、この真空チャンバ2の略中央部に収容される環状グラファイト製の焼結型3と、この焼結型3の貫通孔内に投入される各種原料粉末の積層体4と、この積層体4に加圧するための上下一対のグラファイト製からなるパンチ(押圧子)5a、5bと、これらのパンチ5a、5bに電流を流すための上下一対のパンチ電極6a、6bとを備える。
また真空チャンバ2の外部には、本実施の形態による熱電変換モジュールの焼結・接合制御を行う制御部9と、この制御部9の制御下でパンチ電極6a、6bに電流を流すことにより積層体4を焼結・接合する特殊焼結電源7と、同じく制御部9の制御下で焼結時のパンチ電極6a、6bに圧力を加える加圧機構部8と、真空チャンバ2内の気圧や、熱電対3aで検出した焼結型3の焼結温度等を制御部9にフィードバックする計測部10とを備える。
次に、このような放電プラズマ焼結装置1を使用した実施の形態による熱電変換モジュールの製造方法を詳細に説明する。図2は実施の形態による熱電変換モジュールの製法を説明する図で、図1の焼結型3に関する部分の拡大図を示している。予め、例えば平均粒径略8μmのFeSi2系原料粉末に例えば4.1質量%のクロム(Cr)を混入してp型熱電変換半導体原料粉末を作成し、またFeSi2系原料粉末に例えば2.4質量%のコバルト(Co)を混入してn型熱電変換半導体原料粉末を作成する。
焼結型3の下部にパンチ5bを挿入し、好ましくは、挿入図(a)に示す如く、その上に円盤状のカーボンペーパC1を敷く。更に焼結型3の内周面にカーボンペーパC2を筒状に配置し、その中に原料粉末を順に層状に投入する。例えば、上記作成したn型熱電変換半導体原料粉末23’、例えば銀(Ag)からなる接合金属粉末22’、p型熱電変換半導体原料粉末21’の順序で投入し、その上にカーボンペーパC5を乗せる。そして、その上からパンチ5aを挿入し、こうして焼結型3のセットを作成する。
この焼結型3のセットを放電プラズマ焼結装置1の上下一対のパンチ電極6a、6bの間にセットし、真空チャンバ2内の雰囲気圧力を略真空(例えば3Pa以下)に下げる。そして、上下パンチ電極6a、6bに圧力 を加えつつ両電極6a、6bの間に特殊焼結電流を流し、グラファイト(黒鉛)を発熱体とする放電プラズマ焼結法により、以下の条件下で原料粉末を一段階で焼結・接合する。
好ましくは、加圧力は35MPa〜70MPaの範囲内とする。焼結・接合の際には、原料粉末に大きな加圧力を加えることで物質が移動し易くなると共に、焼結による収縮初期に粉末粒子の再配列が促進され、急速に緻密化させることができる。加圧力がこの範囲より低いと焼結体が低密度になり機械的特性が低く、またこの範囲より高いと焼結体が高密度になり、脆くなることが確認された。例えば、75MPaでは良好な焼結・接合結果が得られなかった。
また好ましくは、焼結温度は923K(650°C)〜1073K(800°C)の範囲内とする。焼結温度がこの範囲より低くても、高くても焼結体の熱起電力(ゼーベック係数)が低下する結果となった。
また好ましくは、焼結時間は300sec〜3.6ksecの範囲内とする。焼結時間がこの範囲より短いと焼結体が低密度になり、機械的特性が低く、またこの範囲より長いと高密度で脆くなることが確かめられた。
焼結後は、真空チャンバ2内を例えば523K(250°C)程度まで冷却すると共に、内部を常圧(大気圧)に戻し、こうして得られた円柱状の焼結体を外部に取り出す。
なお、上記の焼結条件は、基本的には、p型及びn型の各熱電半導体原料粉末の焼結体について有効な熱電変換特性(ゼーベック係数)を示すβ相単相の結晶構造が得られる条件に左右されるが、本実施の形態では、更にAg等のバインダ金属の接合特性も考慮し、同時に機械的にも適正な焼結・接合が得られるような範囲を焼結条件としている。例えば、Agの融点は1235K(略962°C)であり、本実施の形態による焼結・接合はこれよりも低いプロセス温度で適正に行われている。また、上記銀(Ag)の他、ニッケル(Ni)、チタン(Ti)やこれらを主とする合金でも良好に焼結・接合できることが確認された。
なお、バインダ金属に銅(Cu)板や銅粉末を使用した場合には、焼結体の後加工時に接合部に割れや欠け等が発生し、良好な焼結・接合が得られなかった。また、間に金属層を介さないp−n直接・接合については、加圧力35MPaでは焼結・接合可能であったが、70MPaでは良好に焼結・接合できない結果となった。
次に、本発明による熱電変換モジュールの実施例を説明する。
<実施例1>
図3は実施例1の熱電変換モジュールを説明する斜視図で、p−Ag−n型熱電変換モジュールへの適用例を示している。例えば平均粒径略8μmのFeSi2原料粉末に4.1質量%のクロム(Cr)を混入してp型熱電変換半導体原料粉末を作成し、また2.4質量%のコバルト(Co)を混入してn型熱電変換半導体原料粉末を作成する。更に、焼結型3に、n型熱電変換半導体原料粉末、銀(Ag)粉末、p型熱電変換半導体原料粉末の順序で層状に投入し、これらを加圧力35MPa、焼結温度1023K(750°C)、焼結時間600secの焼結条件下で、放電プラズマ焼結法により一段階で焼結・接合した。なお、直径20mmm、p型層、n型層の厚み約7mmの材料は其々10g、直径20mmm、Ag層の厚み約2mmの材料は2gで作成した。Ag層は直径20mmで焼結する場合、0.2g〜2gの範囲とする。Ag材料は高価なため、少ない量が好ましいが、実験により直径20mm全般に均一に焼結できる量が0.2gである。また、Agの融点は962°Cと焼結温度に近いため、多量の場合にはAgがn型層、p型層に入りこんでしまい、実験により効果的Ag層ができるのは直径20mmmの場合2gであった。
図3は実施例1の熱電変換モジュールを説明する斜視図で、p−Ag−n型熱電変換モジュールへの適用例を示している。例えば平均粒径略8μmのFeSi2原料粉末に4.1質量%のクロム(Cr)を混入してp型熱電変換半導体原料粉末を作成し、また2.4質量%のコバルト(Co)を混入してn型熱電変換半導体原料粉末を作成する。更に、焼結型3に、n型熱電変換半導体原料粉末、銀(Ag)粉末、p型熱電変換半導体原料粉末の順序で層状に投入し、これらを加圧力35MPa、焼結温度1023K(750°C)、焼結時間600secの焼結条件下で、放電プラズマ焼結法により一段階で焼結・接合した。なお、直径20mmm、p型層、n型層の厚み約7mmの材料は其々10g、直径20mmm、Ag層の厚み約2mmの材料は2gで作成した。Ag層は直径20mmで焼結する場合、0.2g〜2gの範囲とする。Ag材料は高価なため、少ない量が好ましいが、実験により直径20mm全般に均一に焼結できる量が0.2gである。また、Agの融点は962°Cと焼結温度に近いため、多量の場合にはAgがn型層、p型層に入りこんでしまい、実験により効果的Ag層ができるのは直径20mmmの場合2gであった。
図3(A)にp−Ag−n型の円柱状焼結体20A’を横にした場合の斜視図を示す。この焼結体20A’では、p型熱電変換半導体21と、銀(Ag)層22と、n型熱電変換半導体23とが一体的に焼結・接合されている。更に、この焼結体20A’の一例の寸法は直径20mmであり、p型層の厚み10mm、Ag層の厚み2mm、n型層の厚み10mmである。
次に、このような焼結体20A’の周囲面をNCワイヤカッタ等により角形に切削加工し、図3(B)に示すようなp−Ag−n型角柱体を形成する。更に、このp−Ag−n型角柱体のAg層を含むp型及びn型の各焼結・接合部分をNCワイヤカッタで図3(C)に示す如くコの字状に切り欠く(スリットを設ける)ことで、実施例1の熱電変換モジュール20Aが得られた。
次に図4を参照して実施例1の熱電変換モジュールの動作原理を説明する。図4は熱電変換モジュール20Aの正面図であり、この熱電変換モジュール20Aを上から加熱すると共に、下から冷却した状態を示している。一般に、物質中の帯電したキャリア(金属中の電子 、半導体中の電子、正孔等)は、導体や半導体の一端が異なる温度にされたときそちらの方へ拡散する性質があることが知られている。即ち、熱い端にいる熱いキャリア(ホール、電子)は熱いキャリアの密度が薄い冷たい端のほうへ拡散する性質がある。
これを図4の例で具体的に言うと、p型熱電変換半導体21では、暖められて活発になったホールがエネルギーの低い冷温端側へ移動することにより、加熱側はホール不足で−極になり、冷温側はホールが集まって+極になる。また、n型熱電変換半導体23では、電子が熱を運んで冷温端側へ移動することにより、加熱側は電子不足で+極になり、冷温側は電子が集まって−極になる。そして、p−Ag−n接合の全体ではこれらの熱電変換作用が電気的に重なることにより、n側が−極になり、P側が+極になる。この場合にも、中間の銀(Ag)層22は電気抵抗が小さく、かつ熱伝導率が高いため、熱と電気エネルギーを伝えるバインダ金属として最適に作用する。
次にこの実施例1に対して従来の製法により比較例1、2を作成し、これらの熱電変換特性を比較することとする。図5は実施例1と比較例1、2の熱電変換モジュールを説明する図である。図5(A)は実施例1の熱電変換モジュール20Aの正面図であり、上記図2で示したp−Ag−n型原料粉末の層を放電プラズマ焼結法により一段階で焼結・接合して後、図3(C)の形状に加工した場合を示している。
<比較例1>
図5(B)は比較例1の熱電変換モジュール30Aの正面図であり、予め個別に焼結したp型熱電半導体の焼結体31とn型熱電半導体の焼結体33とを再度、放電プラズマ焼結法により直接・接合して後、図3(C)の形状に加工した場合を示している。
図5(B)は比較例1の熱電変換モジュール30Aの正面図であり、予め個別に焼結したp型熱電半導体の焼結体31とn型熱電半導体の焼結体33とを再度、放電プラズマ焼結法により直接・接合して後、図3(C)の形状に加工した場合を示している。
<比較例2>
図5(C)は比較例2の熱電変換モジュール40Aの正面図であり、p型熱電半導体原料粉末とn型熱電半導体原料粉末とを放電プラズマ焼結法により一段階で焼結・接合して後、図3(C)の形状に加工した場合を示している。なお、実施例1と比較例1、2におけるp型及びn型領域のサイズと焼結条件は特性比較のため同一にしている。
図5(C)は比較例2の熱電変換モジュール40Aの正面図であり、p型熱電半導体原料粉末とn型熱電半導体原料粉末とを放電プラズマ焼結法により一段階で焼結・接合して後、図3(C)の形状に加工した場合を示している。なお、実施例1と比較例1、2におけるp型及びn型領域のサイズと焼結条件は特性比較のため同一にしている。
図6は図5の各熱電変換モジュールの熱起電力測定結果を示す図で、図5の各熱電変換モジュール20A、30A、40Aにつき、それぞれ上部から加熱し、下部を冷却した場合の各温度差(K)に対する熱起電力(mV)を示している。測定は、一方(高温側)にヒータ、他方(低温側)にペルチェクーラを取り付け、各温度差が得られるように温度制御し、+極と−極間の電圧を測定した。これらの熱起電力は、図6に示す通り、p−Ag−n焼結・接合(35MPa)>p−n直接・接合(35MPa)>p−n焼結・接合(70MPa)>p−n焼結・接合(35MPa)の順で小さくなることが確認され、熱起電力特性に関してバインダ金属(Ag)の有効性が確認された。
なお、p−n焼結・接合(70MPa)の測定結果を参考のために記載した。p−n焼結・接合(35MPa)よりも高い熱起電力が得られているが、これは加圧力が大きい分、p型及びn型熱電変換半導体の結晶密度が高いからと考えられる。
図7に図5の各熱電変換モジュールのゼーベック係数測定結果を示す。図7に示す通り、p−Ag−n焼結・接合ではp−n直接・接合と略同等のゼーベック係数(略0.62)が得られており、この値は金属層を介さないp−n焼結・接合のゼーベック係数(略0.42)よりもかなり大きいことが確認された。この結果から、p−Ag−n焼結・接合によれば、一段階の少ない焼結・接合工程で、より大きな熱起電力を有する熱電変換モジュールを容易に製造できることになる。
このような比較結果が得られた理由については次のように考えられる。図8は実施例1と比較例2の電子顕微鏡による界面観察結果を示す図で、p型熱電変換半導体中の不純物クロム(Cr)が焼結・接合によってn型熱電変換半導体領域に拡散(固相拡散)した状態を示している。但し、図は両者の相違を分かり易く示すための模式図であり、電子顕微鏡写真の正確なスケッチでは無い。また、接合界面の存在目安となる位置を図の一点鎖線で示している。
図8(A)は実施例1のp−Ag−n焼結・接合により作成した熱電変換モジュール20Aの界面付近の状態を示しており、この場合は中間部にAg層22が存在するため、黒点で示すクロム(Cr)原子の焼結によるn型領域への拡散が少ないことが分かる。図8(B)は比較例2のp−n焼結・接合により作成した熱電変換モジュール40Aの界面付近の状態を示しており、この場合は中間部に金属層が存在しないため、黒点で示すクロム(Cr)原子の焼結によるn型領域への拡散が多いことが分かる。
このように、実施例1と比較例2について電子顕微鏡により界面付近の状態を観察した結果、n型領域へのクロム(Cr)の拡散およびp型領域へのコバルト(Co)の拡散が少ないほどp型及びn型熱電変換半導体のゼーベツク係数が高いことが確認された。これは、バインダ金属の存在により焼結・接合時のp型領域とn型領域との間に明瞭なp−n界面が形成されること、つまり、n型領域へのCr(クロム)の拡散とp型領域へのCo(コバルト)の拡散が少なくなるためであると考えられる。
なお、バインダとして挿入する金属の条件は、金属相を有し、インピーダンスが低いもので、かつFeSi2系熱電変換半導体についての高いゼーベツク係数が得られる温度750℃付近の焼結条件で接合可能な材料であり、上記の銀(Ag)の他、、ニッケル(Ni)、チタン(Ti)もバインダ金属として利用できることが実験により確認された。中でも銀(Ag)で最も高いゼーベック係数が得られた。
<実施例2>
図9は実施例2の熱電変換モジュールを説明する斜視図で、実施例1の熱電変換モジュールを2つ分直列に設けた場合に相当する。図示しないが、上記図2と同様にして焼結型3に原料粉末をセットする。但し、この場合は、n型熱電変換半導体原料粉末、Ag粉末、p型熱電変換半導体原料粉末、Ag粉末、n型熱電変換半導体原料粉末、Ag粉末、p型熱電変換半導体原料粉末の順序で層状に投入する。この焼結型3を放電プラズマ焼結装置1にセットし、上記図2で述べたと同様の焼結条件下で原料粉末を一段階で焼結・接合した。
図9は実施例2の熱電変換モジュールを説明する斜視図で、実施例1の熱電変換モジュールを2つ分直列に設けた場合に相当する。図示しないが、上記図2と同様にして焼結型3に原料粉末をセットする。但し、この場合は、n型熱電変換半導体原料粉末、Ag粉末、p型熱電変換半導体原料粉末、Ag粉末、n型熱電変換半導体原料粉末、Ag粉末、p型熱電変換半導体原料粉末の順序で層状に投入する。この焼結型3を放電プラズマ焼結装置1にセットし、上記図2で述べたと同様の焼結条件下で原料粉末を一段階で焼結・接合した。
図9(A)にこうして得られた円柱状焼結体20B’を横にした場合の斜視図を示す。この焼結体20B’では、p型熱電変換半導体21と、Ag22と、n型熱電変換半導体23と、Ag24と、p型熱電変換半導体25と、Ag26と、n型熱電変換半導体27とが一体的に焼結・接合されている。次に、この円柱状焼結体20B’の周囲面をNCワイヤカッタにより角形に切削加工し、図9(B)に示すような角柱体に成形する。更に、この角柱体の金属(Ag)層を含む、p型とn型の各接合部分をNCワイヤカッタ等で矩形波状に切り欠き、こうして図9(C)に示すような矩形波状の熱電変換モジュール20Bが得られる。
図10は実施例2の熱電変換モジュール20Bの動作を説明する図で、この熱電変換モジュール20Bを上部から加熱し、下部を冷却した場合におけるモジュール各部の温度分布とこれに伴う電位差分布を有限要素(FEM)解析法によりシミュレーションした結果を示している。
図10(A)に温度分布のシミュレーション結果を示す。この熱電変換モジュール20Bに加えた一例の温度差は299K(26°C)である。図に見られるように、このモジュール20Bの左右下端部と、上下のAg層を含む各接合部とにおける温度は冷、温、温、冷、冷、温、温、冷の温度分布となっている。
図10(B)に電位差分布のシミュレーション結果を示す。この熱電変換モジュール20Bでは各p、n、p、n熱電変換半導体21、23、15、27で発生した熱起電力が電気的に重なり合うことでp型領域21の下端部が+極になり、n型領域27の下端部が−極になる。こうして得られたモジュール全体の電位差は略40mVになっており、p型とn型を接合した対の数に比例して高い熱起電力が発生することが分かる。
図11は実施例2と比較例3、4の熱電変換モジュールを説明する図である。図11(A)は実施例2の熱電変換モジュール20Aの正面図であり、上記図9で述べたp−Ag−n−Ag−p−Ag−n型原料粉末の層を放電プラズマ焼結法により一段階で焼結・接合して後、図9(C)の形状に加工した場合を示している。この熱電変換モジュール20Bでは、p型熱電変換半導体21と、Ag22と、n型熱電変換半導体23と、Ag24と、p型熱電変換半導体25と、Ag26と、n型熱電変換半導体27とからなる各層が一体的に焼結・接合されている。
<比較例3>
図11(B)は比較例3の熱電変換モジュール30Bの正面図であり、予め個別に焼結したp型及びn型の各焼結体31、33、35、37を再度、放電プラズマ焼結法によりp−n−p−nの形で直接・接合して後、図9(C)の形状に加工した場合を示している。この熱電変換モジュール30Bでは、p型熱電変換半導体31と、n型熱電変換半導体33と、p型熱電変換半導体35と、n型熱電変換半導体37とが一体的に直接・接合されている。
図11(B)は比較例3の熱電変換モジュール30Bの正面図であり、予め個別に焼結したp型及びn型の各焼結体31、33、35、37を再度、放電プラズマ焼結法によりp−n−p−nの形で直接・接合して後、図9(C)の形状に加工した場合を示している。この熱電変換モジュール30Bでは、p型熱電変換半導体31と、n型熱電変換半導体33と、p型熱電変換半導体35と、n型熱電変換半導体37とが一体的に直接・接合されている。
<比較例4>
図11(C)は比較例4の熱電変換モジュール40Bの正面図であり、p型及びn型の各熱電半導体原料粉末を放電プラズマ焼結装置1によりp−n−p−nの形で一段階で焼結・接合して後、図9(C)の形状に加工した場合を示している。この熱電変換モジュール40Bでは、p型熱電変換半導体41と、n型熱電変換半導体43と、p型熱電変換半導体45と、n型熱電変換半導体47とが一体的に焼結・接合されている。なお、実施例2と比較例3、4におけるp型及びn型領域のサイズと焼結条件は特性比較のため同一にしている。
図11(C)は比較例4の熱電変換モジュール40Bの正面図であり、p型及びn型の各熱電半導体原料粉末を放電プラズマ焼結装置1によりp−n−p−nの形で一段階で焼結・接合して後、図9(C)の形状に加工した場合を示している。この熱電変換モジュール40Bでは、p型熱電変換半導体41と、n型熱電変換半導体43と、p型熱電変換半導体45と、n型熱電変換半導体47とが一体的に焼結・接合されている。なお、実施例2と比較例3、4におけるp型及びn型領域のサイズと焼結条件は特性比較のため同一にしている。
図12は図11の各熱電変換モジュールのゼーベック係数測定結果を示す図で、図11の各種熱電変換モジュール20B、30B、40Bにつき、それぞれ上部から加熱し、下部を冷却した場合のゼーベック係数を示している。測定は、一方(高温側)にヒータ、他方(低温側)にペルチェクーラを取り付け、所定の温度差が得られるように温度制御し、+極と−極間の電圧を測定した。
図12に示す通り、実施例2のp−Ag−n-Ag−p−Ag−n焼結・接合ではゼーベック係数α(略0.8)が得られており、p−n接合の対の数に比例して大きなゼーベック係数が得られることが確認された。また、ゼーベック係数はp−Ag−n-Ag−p−Ag−n焼結・接合>p−n−p−n直接・接合>p−n−p−n焼結・接合の順で小さくなっており、この場合も、接合金属Agの有効性が確認された。しかも、p−Ag−n型の対の数を増すことで一段階の焼結・接合による簡単な製法により大きな熱起電力が得られることが期待できる。
以上述べた如く、上記のような特徴を有する本発明の熱電変換モジュールは、熱から電気に変換するゼーベック効果を利用した温泉廃熱発電、バイオマス熱利用発電、発電所廃熱発電、自動車廃熱発電等における熱電変換モジュールとして、或いは空調機、プラント、火災報知設備等において温度変化を検出する熱電変換温度センサとして利用可能である。また本発明の熱電変換モジュールは、電気から熱に変換するペルチェ効果を利用したCPU冷却、電子機器冷却、道路の凍結防止、冬場の融雪対策、ノンフロン冷蔵庫等における熱電変換モジュールとしても利用可能である。
なお、上記各実施例では、一対のp−Ag−n型焼結・接合モジュールと、2対のp−Ag−n−Ag−p−Ag−n形焼結・接合モジュールとについて具体的に述べたが、本発明は3対以上の熱電変換モジュールにも適用でき、これによって、より高い熱起電力の熱電変換モジュールが簡単な製造工程により容易に得られる。
また、上記各実施例ではp型FeSi2−金属−n形FeSi2の順で熱電変換半導体を焼結・接合したが、n型FeSi2−金属−p型FeSi2の順で熱電変換半導体を焼結・接合しても良い。
また、上記各実施例では各原料粉末の層を円柱状に焼結・接合したが、これに限らない。焼結型3の形状を工夫することで角柱状に焼結・接合したり、他の比較的単純な様々な形状に焼結・接合できる。例えば、p型FeSi2及びn型FeSi2の原料粉末を円錐状に形成し、それぞれの底面を合わせるように配置してこれらの接合部にAg層等の円盤が形成されるよう一段階で焼結・接合しても良い。
1 放電プラズマ焼結装置
2 真空チャンバ
3 焼結型
3a 熱電対
4 原料粉末
5 パンチ(押圧子)
6 パンチ電極
7 特殊焼結電源
8 加圧機構部
9 制御部
10 計測部
20A、20B 熱電変換モジュール
21、25 p型熱電変換半導体
22、24、26 接合金属(Ag)
23、27 n型熱電変換半導体
C カーボンペーパ
2 真空チャンバ
3 焼結型
3a 熱電対
4 原料粉末
5 パンチ(押圧子)
6 パンチ電極
7 特殊焼結電源
8 加圧機構部
9 制御部
10 計測部
20A、20B 熱電変換モジュール
21、25 p型熱電変換半導体
22、24、26 接合金属(Ag)
23、27 n型熱電変換半導体
C カーボンペーパ
Claims (8)
- 焼結型内に、FeSi2系のp型及びn型からなる各熱電変換半導体原料粉末と、これらの間に所定の金属からなる板又は粉末を層状に投入し、これらを放電プラズマ焼結法により一段階で焼結・接合することを特徴とする熱電変換モジュールの製造方法。
- FeSi2系原料粉末に4.1質量%のクロム(Cr)を混入してp型熱電変換半導体原料粉末とすることを特徴とする請求項1記載の熱電変換モジュールの製造方法。
- FeSi2系原料粉末に2.4質量%のコバルト(Co)を混入してn型熱電変換半導体原料粉末とすることを特徴とする請求項1記載の熱電変換モジュールの製造方法。
- 前記所定の金属は銀(Ag)又は銀系合金からなることを特徴とする請求項1乃至3の何れか一つに記載の熱電変換モジュールの製造方法。
- 前記所定の金属はニッケル(Ni)又はチタン(Ti)又はこれらを主とする合金からなることを特徴とする請求項1乃至3の何れか一つに記載の熱電変換モジュールの製造方法。
- 前記焼結・接合を、圧力35MPa乃至70MPa、温度923K(650°C)乃至1073K(800°C)、時間300sec乃至3.6ksec
で行うことを特徴とする請求項1乃至5の何れか一つに記載の熱電変換モジュールの製造方法。 - 焼結型内に、FeSi2系のp型及びn型からなる各熱電変換半導体原料粉末と、これらの間に所定の金属からなる板又は粉末を層状に投入し、これらを放電プラズマ焼結法により一段階で焼結・接合したことを特徴とする熱電変換モジュール。
- 前記所定の金属は銀(Ag)、ニッケル(Ni)、チタン(Ti)又はこれらの何れか一つを主とする合金からなることを特徴とする請求項7記載の熱電変換モジュール。
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