CN112652699B - 一种具有P/N型转变的LaF3掺杂CoSb3热电材料的制备方法 - Google Patents
一种具有P/N型转变的LaF3掺杂CoSb3热电材料的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112652699B CN112652699B CN202011280709.3A CN202011280709A CN112652699B CN 112652699 B CN112652699 B CN 112652699B CN 202011280709 A CN202011280709 A CN 202011280709A CN 112652699 B CN112652699 B CN 112652699B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- laf
- thermoelectric material
- cosb
- doped
- preparation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 63
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 229910018985 CoSb3 Inorganic materials 0.000 title abstract description 4
- 229910002319 LaF3 Inorganic materials 0.000 title description 2
- BYMUNNMMXKDFEZ-UHFFFAOYSA-K trifluorolanthanum Chemical compound F[La](F)F BYMUNNMMXKDFEZ-UHFFFAOYSA-K 0.000 title description 2
- 229910018989 CoSb Inorganic materials 0.000 claims abstract description 40
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 15
- 229910017768 LaF 3 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims abstract description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000003746 solid phase reaction Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000005303 weighing Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000004321 preservation Methods 0.000 claims abstract description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 14
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 238000000498 ball milling Methods 0.000 claims description 6
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 16
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 10
- NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N N-[2-oxo-2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 7
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 6
- 239000000047 product Substances 0.000 description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000004146 energy storage Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000010587 phase diagram Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000011232 storage material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/01—Manufacture or treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B1/00—Single-crystal growth directly from the solid state
- C30B1/10—Single-crystal growth directly from the solid state by solid state reactions or multi-phase diffusion
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/52—Alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/80—Constructional details
- H10N10/85—Thermoelectric active materials
- H10N10/851—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions
- H10N10/853—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions comprising arsenic, antimony or bismuth
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
Abstract
本发明涉及热电材料技术领域,具体公开了一种具有P/N型转变的LaF3掺杂CoSb3热电材料的制备方法,包括以下步骤:称取钴粉、锑粒和LaF3装入石英管;将石英管放入井式炉中进行固相反应,将铸锭进行破碎得到粉体;将粉体进行等离子放电烧结,得到致密块状LaF3掺杂CoSb3热电材料,其中烧结温度为600~650℃,压力为40~60MPa,保温时间5~8min。本发明中由于LaF3的引入,该热电材料的热电性能得到优化,最高功率因子从515μWm‑1K‑2提高到1668μWm‑ 1K‑2,最低热导率从5.05Wm‑1K‑1降低到3.75Wm‑ 1K‑1,最高ZT值从0.029提高到0.203。
Description
技术领域
本发明涉及热电材料技术领域,特别涉及一种具有P/N型转变的LaF3掺杂CoSb3热电材料的制备方法。
背景技术
近年来,科技进步在给人们带来巨大便利的同时也使社会对能源的消耗与需求不断增加,全球性的能源危机日渐显现。人们迫切地需要探索和开发新型能源材料以缓解局势,其中包括光电转换材料、催化材料、压电材料以及各种储能材料等,热电材料作为一种可以直接实现热能与电能相互转化的新型能源材料,同时具备结构简单、成本低、无噪音、绿色无污染等优点引起了科学家的广泛关注。
热电材料的转化效率主要通过无量纲热电优值ZT(=S2σT/κ)来评估,其中S、σ、κ、T分别为塞贝克系数、电导率、热导率和绝对温度,ZT值越高,表明该热电材料的性能越优异。因而,一种高性能的热电材料必须兼具较高的功率因子(S2σ)和较低的热导率以达到较大ZT。
CoSb3热电材料是典型的“电子晶体声子玻璃”候选材料之一,具有优异的电学性能,然而其自身晶格的热导率高,纯样随温度变化易发生载流子类型转变等问题严重限制了其热电性能的提升。因而如何优化这种材料的热电性能依旧是目前本技术领域研究的重点。
发明内容
本发明提供了一种具有P/N型转变的LaF3掺杂CoSb3热电材料的制备方法,有效降低了热导率,解决了其载流子类型自发随温度发生改变,同时实现了利用掺杂量的调整来改变 CoSb3的载流子浓度类型,优化了其热电性能。
为了达到上述目的,本发明的技术方案为:
一种具有P/N型转变的LaF3掺杂CoSb3热电材料的制备方法,包括以下步骤:
步骤1:按照化学式CoSb3称取钴粉、锑粒和质量百分比为0<x≤2.0wt%的LaF3装入石英管,并抽真空;
步骤2:将步骤1中的石英管放入井式炉中进行固相反应,
步骤3:将步骤2中的铸锭放入高能球磨机中进行破碎得到粉体;
步骤4:将步骤3中的粉体进行等离子放电烧结,得到致密块状LaF3掺杂CoSb3热电材料,其中烧结温度为600~650℃,压力为40~60MPa,保温时间5~8min。
本技术方案的技术原理和效果在于:
1、本方案中由于掺杂材料LaF3的引入,该热电材料的热电性能得到优化,相比于未掺杂的CoSb3热电材料而言,最高功率因子从515μWm-1K-2提高到1668μWm-1K-2,最高ZT值从0.029提高到0.203,使得该种材料的热电性能得到优化。
2、本方案中掺杂材料LaF3的引入量还会影响热电材料的半导体类型,当LaF3的掺入量为0<x≤1.0wt%时,得到的产物为N型热电材料;而当LaF3的掺入量为1.0wt%<x≤2.0 wt%时,得到的产物为P型热电材料;而PN转变的好处在于可以通过改变掺杂剂LaF3的含量,获得P、N型两种半导体,由于热电器件是由P型和N型半导体相互配合工作的,既需要P型半导体,又需要N型半导体,该方法可以通过只改变掺杂剂的含量得到两种类型的半导体。
3、本方案中掺杂材料LaF3的引入,还使得到的产物其半导体类型不会随温度的变化而改变,相比于未掺杂的CoSb3热电材料而言,其会随温度升高由N型逐渐过渡为P型,转变使得其热电性能恶化,且无法工业化应用。
4、本方案中烧结的温度限定在600~650℃,在该温度内烧结效果较好,可以达到较高的密度,而如果烧结温度过低,会使样品不够致密或出现开裂等问题;而烧结温度过高,则会使样品在烧结过程中过度软化而挤出,无法完成烧结,或者析出一些第二相杂质。
进一步,所述步骤1中0<x≤1.0wt%。
有益效果:根据实验可知,当LaF3的掺入量为0<x≤1.0wt%时,得到的产物为稳定的 N型热电材料。
进一步,所述步骤1中1.0wt%<x≤2.0wt%。
有益效果:根据实验可知,当LaF3的掺入量为1.0wt%<x≤2.0wt%时,得到的产物为稳定的P型热电材料。
进一步,所述步骤1中钴粉和锑粒的纯度不低于99.99%。
有益效果:该纯度下的原料能够减少最终产物中杂质的引入,减少杂质对热电材料性能的影响。
进一步,所述步骤1中石英管抽真空后,绝对真空度不超过10-4Pa。
有益效果:该真空度下能够保证固相反应时钴粉、锑粒和LaF3不会被氧化。
进一步,所述步骤2中固相反应的工艺参数为:从室温以1.2~1.4℃/min的速率升温至 1000℃,保温30h,然后以0.5~0.6℃/min的速率降温至800℃,保温72h,最后以2~2.2℃/min 的速率降温至20℃。
有益效果:本方案中固相反应的温度条件根据CoSb3相图进行设计,以保证获取纯相的 CoSb3,本申请中纯相的CoSb3是指,掺杂材料的元素全部进入到CoSb3的晶体结构中,不会以第二相杂质的形式出现在界面上。
进一步,所述步骤3中球磨转速为600~800r/min,球磨时间为10~15min。
有益效果:该球磨转速和球磨时间下能够保证铸锭被充分研磨成粉体。
进一步,所述步骤4中升温速率为100~105℃/min。
有益效果:升温速率会影响产物的生成,过快或过慢都有可能无法生成纯相,使得纯相的CoSb3晶体结构中出现第二相杂质。
附图说明
图1为本发明实施例1~4和对比例1制备得到的LaF3掺杂CoSb3热电材料的XRD图谱;
图2为本发明实施例1~4和对比例1制备得到的LaF3掺杂CoSb3热电材料的Seebeck系数随温度变化的关系图;
图3为本发明实施例1~4和对比例1制备得到的LaF3掺杂CoSb3热电材料的功率因子随温度变化的关系图;
图4为本发明实施例1~4和对比例1制备得到的LaF3掺杂CoSb3热电材料的热导率随温度变化的关系图。
图5为本发明实施例1~4和对比例1制备得到的LaF3掺杂CoSb3热电材料的ZT值随温度变化的关系图。
具体实施方式
下面通过具体实施方式进一步详细说明:
实施例1:
一种具有P/N型转变的LaF3掺杂CoSb3热电材料的制备方法,包括以下步骤:
步骤1:按照化学式CoSb3各元素的化学计量比称取高纯度钴粉(纯度为99.99%)、锑粒(纯度为99.99%)和质量百分比为0.5%的LaF3装入石英管中并利用真空封管机将石英管在10-4Pa以下封装。
步骤2:将步骤1中封好的石英管放入井式炉中进行固相反应,具体工艺参数为:从室温以1.35℃/min的速率升温至1000℃,保温30h,然后以0.6℃/min的速率降温至800℃,保温72h,最后以2.2℃/min的速率降温至20℃得到铸锭。
步骤3:将步骤2中获得的铸锭放入高能球磨机中进行破碎得到粉体,具体工艺参数:转速为800r/min,破碎时间为10min。
步骤4:将步骤3中得到的粉体进行等离子放电烧结(SPS),具体参数为:烧结温度650℃,压力50MPa,升温速率105℃/min,保温时间5min,去除表面碳纸后即得到致密块状0.5wt%LaF3掺杂CoSb3热电材料。
实施例2~4:
与实施例1的区别在于,实施例2~4中LaF3的加入量不同,其中实施例2中加入的LaF3的质量分数为1.0wt%;实施例3中加入的LaF3的质量分数为1.5wt%;实施例4中加入的LaF3的质量分数为2.0wt%。
对比例1:
与实施例1的区别在于,对比例1的步骤1中未加入LaF3,烧结得到未掺杂的CoSb3热电材料。
对比例2:
与实施例1的区别在于,对比例2中加入LaF3的质量分数为3.0wt%。
将实施例1~4和对比例1~2分别制备的热电材料进行实验检测:
通过检测对比例1制备的热电材料为N型半导体,且在测试温度范围内(50~500℃) 随温度的升高,逐渐由N型转变为P型;实施例1和2制备的热电材料均为N型半导体,且在测试温度范围内半导体类型未发生改变;实施例3和4制备的热电材料均为P型半导体,且在测试温度范围内半导体类型未发生改变。
图1为实施例1~4制备的LaF3掺杂CoSb3热电材料和对比例1制备的未掺杂CoSb3热电材料的XRD图谱,可以观察到所有的衍射峰都表明该方法制备得到的样品为纯相的CoSb3,且衍射峰随着掺杂量增大逐渐向低角度偏移,表明晶格常数逐渐增大,说明LaF3进入了晶格,而不是以第二相的形式存在;另外可以得出LaF3的固溶度极限为2%,当加入量达到2%后,会出现CoSb2第二相杂质,降低载流子迁移率,热电性能下降。
取实施例1~4和对比例1~2得到的块体样品切割成12×3×3mm的长条用于检测Seebeck 系数和功率因子随温度的变化趋势,测试结果如下图2和图3所示,另外取实施例1~4和对比例1~2得到的块体样品打磨至的圆薄片用于测试热导率,并根据公式ZT=σS2T/κ,其中σS2表示功率因子,T为绝对温度,而κ为热导率,测得热导率和热电优值随温度变化的曲线图如图4、5所示。
从图3~5可以得出,相比于对比例1而言,利用本申请的技术方案制备的LaF3掺杂CoSb3热电材料其最高功率因子从515μWm-1K-2提高到1668μWm-1K-2,最低热导率从5.05Wm-1K-1降低到3.75Wm-1K-1,最高ZT值从0.029提高到0.203。
另外从图3可以观察到,对比例1,即未掺杂的CoSb3热电材料,当温度升至560K左右时,功率因子为0,进一步说明了未掺杂的CoSb3热电材料其半导体类型在温度变化过程中的不稳定性。
以上所述的仅是本发明的实施例,方案中公知的具体材料及特性等常识在此未作过多描述。应当指出,对于本领域的技术人员来说,在不脱离本发明的前提下,还可以作出若干变形和改进,这些也应该视为本发明的保护范围,这些都不会影响本发明实施的效果和专利的实用性。本申请要求的保护范围应当以其权利要求的内容为准,说明书中的具体实施方式等记载可以用于解释权利要求的内容。
Claims (8)
1.一种具有P/N型转变的LaF3掺杂CoSb3热电材料的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:
步骤1:按照化学式CoSb3称取钴粉、锑粒和质量百分比为0<x≤2.0wt%的LaF3装入石英管,并抽真空;
步骤2:将步骤1中的石英管放入井式炉中进行固相反应,
步骤3:将步骤2中的铸锭放入高能球磨机中进行破碎得到粉体;
步骤4:将步骤3中的粉体进行等离子放电烧结,得到致密块状LaF3掺杂CoSb3热电材料,其中烧结温度为600~650℃,压力为40~60MPa,保温时间5~8min。
2.根据权利要求1所述的一种具有P/N型转变的LaF3掺杂CoSb3热电材料的制备方法,其特征在于:所述步骤1中0<x≤1.0wt%。
3.根据权利要求1所述的一种具有P/N型转变的LaF3掺杂CoSb3热电材料的制备方法,其特征在于:所述步骤1中1.0wt%<x≤2.0wt%。
4.根据权利要求1所述的一种具有P/N型转变的LaF3掺杂CoSb3热电材料的制备方法,其特征在于:所述步骤1中钴粉和锑粒的纯度不低于99.99%。
5.根据权利要求1所述的一种具有P/N型转变的LaF3掺杂CoSb3热电材料的制备方法,其特征在于:所述步骤1中石英管抽真空后,绝对真空度不超过10-4Pa。
6.根据权利要求1所述的一种具有P/N型转变的LaF3掺杂CoSb3热电材料的制备方法,其特征在于:所述步骤2中固相反应的工艺参数为:从室温以1.2~1.4℃/min的速率升温至1000℃,保温30h,然后以0.5~0.6℃/min的速率降温至800℃,保温72h,最后以2~2.2℃/min的速率降温至20℃。
7.根据权利要求1所述的一种具有P/N型转变的LaF3掺杂CoSb3热电材料的制备方法,其特征在于:所述步骤3中球磨转速为600~800r/min,球磨时间为10~15min。
8.根据权利要求1所述的一种具有P/N型转变的LaF3掺杂CoSb3热电材料的制备方法,其特征在于:所述步骤4中升温速率为100~105℃/min。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202011280709.3A CN112652699B (zh) | 2020-11-16 | 2020-11-16 | 一种具有P/N型转变的LaF3掺杂CoSb3热电材料的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202011280709.3A CN112652699B (zh) | 2020-11-16 | 2020-11-16 | 一种具有P/N型转变的LaF3掺杂CoSb3热电材料的制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN112652699A CN112652699A (zh) | 2021-04-13 |
CN112652699B true CN112652699B (zh) | 2024-01-02 |
Family
ID=75349741
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202011280709.3A Active CN112652699B (zh) | 2020-11-16 | 2020-11-16 | 一种具有P/N型转变的LaF3掺杂CoSb3热电材料的制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN112652699B (zh) |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5929351A (en) * | 1997-04-23 | 1999-07-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Co-Sb based thermoelectric material and a method of producing the same |
US7002071B1 (en) * | 1999-03-10 | 2006-02-21 | Sumitomo Special Metals Co. Ltd. | Thermoelectric conversion material and method of producing the same |
KR100663975B1 (ko) * | 2005-10-19 | 2007-01-02 | 충주대학교 산학협력단 | Fe가 도핑된 스커테루다이트계 고효율 열전소재 및 그제조방법 |
KR20090026665A (ko) * | 2007-09-10 | 2009-03-13 | 충주대학교 산학협력단 | CoSb3 스커테루다이트계 열전재료 및 그 제조방법 |
JP2010016132A (ja) * | 2008-07-02 | 2010-01-21 | Oki Denki Bosai Kk | 熱電変換モジュールおよびその製造方法 |
CN110078476A (zh) * | 2019-04-18 | 2019-08-02 | 广西大学 | 一种Al掺杂BiCuSeO基热电材料及其制备方法 |
CN111244255A (zh) * | 2020-01-20 | 2020-06-05 | 昆明理工大学 | 添加LaF3的InGaO3(ZnO)超晶格热电材料及其制备方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20140186209A1 (en) * | 2011-01-06 | 2014-07-03 | Trustees Of Boston College | Thermoelectric skutterudite compositions and methods for producing the same |
-
2020
- 2020-11-16 CN CN202011280709.3A patent/CN112652699B/zh active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5929351A (en) * | 1997-04-23 | 1999-07-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Co-Sb based thermoelectric material and a method of producing the same |
US7002071B1 (en) * | 1999-03-10 | 2006-02-21 | Sumitomo Special Metals Co. Ltd. | Thermoelectric conversion material and method of producing the same |
KR100663975B1 (ko) * | 2005-10-19 | 2007-01-02 | 충주대학교 산학협력단 | Fe가 도핑된 스커테루다이트계 고효율 열전소재 및 그제조방법 |
KR20090026665A (ko) * | 2007-09-10 | 2009-03-13 | 충주대학교 산학협력단 | CoSb3 스커테루다이트계 열전재료 및 그 제조방법 |
JP2010016132A (ja) * | 2008-07-02 | 2010-01-21 | Oki Denki Bosai Kk | 熱電変換モジュールおよびその製造方法 |
CN110078476A (zh) * | 2019-04-18 | 2019-08-02 | 广西大学 | 一种Al掺杂BiCuSeO基热电材料及其制备方法 |
CN111244255A (zh) * | 2020-01-20 | 2020-06-05 | 昆明理工大学 | 添加LaF3的InGaO3(ZnO)超晶格热电材料及其制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN112652699A (zh) | 2021-04-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
WO2019169970A1 (zh) | n-型Mg-Sb基室温热电材料及其制备方法 | |
Wu et al. | Highly enhanced thermoelectric properties of nanostructured Bi 2 S 3 bulk materials via carrier modification and multi-scale phonon scattering | |
JP2021515411A5 (zh) | ||
JP7217547B2 (ja) | 熱電性能が高いn型Mg3Sb2ベース材料を迅速に製造する方法 | |
CN108242500B (zh) | 一种铜硒基纳米复合热电材料及其制备方法 | |
KR101094458B1 (ko) | 열전효율이 향상된 나노복합체의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 나노복합체 | |
CN108807654B (zh) | 高性能低成本MnGeTe2基热电材料及其制备 | |
CN112397634B (zh) | 一种提升Bi-Sb-Te基热电材料性能的方法 | |
CN112652699B (zh) | 一种具有P/N型转变的LaF3掺杂CoSb3热电材料的制备方法 | |
JP2004134673A (ja) | n型熱電変換材料およびその製造方法 | |
Zhang et al. | Influence of Ag substitution on thermoelectric properties of the quaternary diamond-like compound Zn2Cu3In3Te8 | |
CN112397635B (zh) | 一种GeTe掺杂Co4Sb12热电材料的制备方法 | |
CN114573348B (zh) | 一种提高Bi2Te3基热电材料热电性能的方法 | |
CN109626446B (zh) | 一种立方结构CoSbS热电化合物的制备方法 | |
CN114804037A (zh) | 一种Pb/In共掺BiCuSeO热电材料及其制备方法 | |
CN111653662B (zh) | 伪立方相结构GeTe基热电材料及其制备方法 | |
KR101965055B1 (ko) | 그래핀-다결정 실리콘 복합체, 이의 제조 방법, 전도체 및 기판 | |
CN112661122A (zh) | 一种具有高热电性能的新型碲化锗基热电材料及其制备方法 | |
CN114940618B (zh) | 亚稳态立方相铜锡基硫属化物高熵热电材料及其制备方法 | |
CN112885948B (zh) | 一种具有高结构稳定性的铜硒基热电材料及其制备方法 | |
CN116283295B (zh) | 一种碲化铋基复合热电材料及其制备方法 | |
Wang et al. | Significantly improved thermoelectric performance of SnSe originating from collaborative adjustment between valence and conduction bands, mass fluctuations, and local strain | |
CN110407580B (zh) | 一种钾铜硫基热电材料及其制备方法 | |
CN113292342A (zh) | 一种铜银基硫属化物热电材料及其制备和应用 | |
KR20240136691A (ko) | 이중 도핑된 파마티나이트 열전재료 및 이의 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |