CN109283758A - 阵列基板及其制作方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本公开提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置。该阵列基板包括:衬底基板;沿第一方向延伸的第一信号线,设置在衬底基板上;沿第二方向延伸的第二信号线,设置在第一信号线远离衬底基板的一侧且与第一信号线彼此绝缘,第一方向与第二方向彼此交叉,其中,第一信号线面向第二信号线的一侧设置有凹槽,凹槽位于第一信号线与第二信号线之间的交汇处,在交汇处,第二信号线在衬底基板上的正投影完全落入凹槽在衬底基板的正投影内。该阵列基板通过减薄第一信号线在其与第二信号线交汇处的厚度以增加第一信号线与第二信号线交汇处的绝缘层的厚度,从而有效降低了第一信号线与第二信号线之间发生短路的风险。

Description

阵列基板及其制作方法、显示装置
技术领域
本公开至少一个实施例涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。
背景技术
目前,平板显示器市场中的占据主导市场地位的薄膜晶体管液晶显示器是一种需要依靠背光来显示的显示器。其主要结构包括阵列基板、液晶以及彩膜基板,其中的阵列基板可以起到决定薄膜晶体管液晶显示器的分辨率,视角等的决定作用。
发明内容
本公开的至少一实施例提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置。该阵列基板通过减薄第一信号线在其与第二信号线交汇处的厚度,以在不增加阵列基板厚度的基础上,增加第一信号线与第二信号线交汇处的绝缘层的厚度,既有效降低了第一信号线与第二信号线之间发生短路的风险,提高了产品的良率,降低了成本,又不影响阵列基板的性能。
本公开的至少一实施例提供一种阵列基板,包括:衬底基板;沿第一方向延伸的第一信号线,设置在衬底基板上;沿第二方向延伸的第二信号线,设置在第一信号线远离衬底基板的一侧且与第一信号线彼此绝缘,第一方向与第二方向彼此交叉,其中,第一信号线面向第二信号线的一侧设置有凹槽,凹槽位于第一信号线与第二信号线之间的交汇处,在交汇处,第二信号线在衬底基板上的正投影完全落入凹槽在衬底基板的正投影内。
例如,在本公开一实施例提供的阵列基板中,第一信号线还包括位于凹槽两侧的第一部分与第二部分,第一部分包括与凹槽连接的第一连接部,第二部分包括与凹槽连接的第二连接部,沿第二方向,凹槽的最大尺寸大于第一连接部和/或第二连接部的尺寸。
例如,在本公开一实施例提供的阵列基板中,还包括:第一绝缘层,设置在第一信号线与第二信号线之间。
例如,在本公开一实施例提供的阵列基板中,还包括:第二绝缘层,设置在第一信号线与第二信号线之间,其中,第二绝缘层在衬底基板上的正投影与凹槽在衬底基板上的正投影完全重合,沿垂直于衬底基板的方向,第二绝缘层的厚度与凹槽的深度相同以补偿第一信号线或第一绝缘层远离衬底基板的表面由于凹槽产生的相对于衬底基板的高度差。
例如,在本公开一实施例提供的阵列基板中,第二绝缘层位于第一绝缘层与第一信号线之间或者第一绝缘层与第二信号线之间。
例如,在本公开一实施例提供的阵列基板中,沿垂直于衬底基板的方向,凹槽的深度与第一信号线不包括凹槽的部分的厚度之比不超过1:2。
例如,在本公开一实施例提供的阵列基板中,第一信号线和第二信号线之一为扫描线,另一条为数据线。
本公开的至少一实施例提供一种阵列基板的制作方法,包括:在衬底基板上形成沿第一方向延伸的第一信号线;在第一信号线远离衬底基板的一侧形成凹槽;在第一信号线上形成沿第二方向延伸的第二信号线,第二信号线与第一信号线彼此绝缘,第一方向与第二方向彼此交叉,其中,凹槽位于第一信号线与第二信号线之间的交汇处,在交汇处,第二信号线在衬底基板上的正投影完全落入凹槽在衬底基板的正投影内。
例如,在本公开一实施例提供的阵列基板的制作方法中,形成凹槽包括:在第一信号线上形成第一绝缘层;对位于交汇处的第一绝缘层进行刻蚀形成过孔以暴露出第一信号线;对暴露出的第一信号线进行刻蚀以形成凹槽。
例如,在本公开一实施例提供的阵列基板的制作方法中,形成第二信号线之前还包括:对凹槽以及过孔填充绝缘材料,其中,对凹槽填充绝缘材料以形成第二绝缘层,第二绝缘层的表面与第一信号线的表面平齐,对过孔填充绝缘材料以使第一绝缘层的厚度均匀。
例如,在本公开一实施例提供的阵列基板的制作方法中,形成凹槽包括:在第一信号线上形成光刻胶图案;以光刻胶图案为掩模,刻蚀第一信号线以形成凹槽。
例如,在本公开一实施例提供的阵列基板的制作方法中,第一信号线与凹槽采用同一个掩模板图案化,并采用半色调掩模工艺形成。
例如,在本公开一实施例提供的阵列基板的制作方法中,形成第二信号线之前还包括:对凹槽填充绝缘材料以形成第二绝缘层,第二绝缘层的表面与第一信号线的表面平齐;在第一信号线上形成第一绝缘层。
例如,在本公开一实施例提供的阵列基板的制作方法中,形成第二信号线之前还包括:在第一信号线上形成第一绝缘层,绝缘层位于凹槽的位置形成凹陷部;对凹陷部填充绝缘材料以形成第二绝缘层,第二绝缘层的表面与第一绝缘层的表面平齐。
例如,在本公开一实施例提供的阵列基板的制作方法中,第一信号线还包括位于凹槽两侧的第一部分与第二部分,第一部分包括与凹槽连接的第一连接部,第二部分包括与凹槽连接的第二连接部,其中,形成第一信号线包括:对第一信号线图案化以使沿第二方向,待形成凹槽所在位置的第一信号线的最大尺寸大于第一连接部和/或第二连接部的尺寸。
例如,在本公开一实施例提供的阵列基板的制作方法中,沿垂直于衬底基板的方向上,凹槽的深度与第一信号线不包括凹槽的部分的厚度之比不超过1:2。
本公开的至少一实施例提供一种显示装置,包括上述实施例提供的任一阵列基板。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案,下面将对实施例的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例,而非对本公开的限制。
图1为一种阵列基板的局部示意图;
图2为本公开一实施例提供的阵列基板的局部示意图;
图3A为本公开一实施例的一示例提供的凹槽及其附近第一信号线的局部平面示意图;
图3B为本公开一实施例的另一示例提供的凹槽及其附近第一信号线的局部平面示意图;
图4A为本公开一实施例的一示例提供的阵列基板的局部剖视图;
图4B为本公开一实施例的另一示例提供的阵列基板的局部剖视图;
图5为本公开一实施例提供的一种阵列基板的制作方法的示意性流程图。
具体实施方式
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本公开实施例的附图,对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例是本公开的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例,本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本公开保护的范围。
除非另外定义,本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同,而不排除其他元件或者物件。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系,当被描述对象的绝对位置改变后,则该相对位置关系也可能相应地改变。
图1为一种阵列基板的局部示意图,如图1所示,阵列基板包括设置在衬底基板10上的栅线11,设置在栅线11远离衬底基板10一侧的数据线12,数据线12与栅线11之间设置有绝缘层(图1中未示出)以使两者彼此绝缘。栅线11与数据线12彼此交叉以限定像素单元,像素单元中设置有像素电极13。阵列基板还包括薄膜晶体管,薄膜晶体管包括栅极、源极15以及漏极14,栅线11与栅极相连以控制薄膜晶体管的打开或者关闭,数据线12与源极15相连,像素电极13与漏极14相连,数据线12通过薄膜晶体管对像素电极13输入显示画面所需的电压信号以实现包括该阵列基板的显示面板的显示。
在研究中,本申请的发明人发现:在制作阵列基板的过程中,由于设备的不稳定以及环境的影响,阵列基板很容易出现瑕疵,从而影响着薄膜晶体管液晶显示器的品质。一种常见的不良是数据线与栅线之间的交汇处发生短路(即Data Gate Short,DGS)。到目前为止,降低DGS发生几率的方法主要是依靠环境的改善,但是却不能从源头阻止DGS的产生。
本公开的实施例提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置。该阵列基板包括:衬底基板;沿第一方向延伸的第一信号线,设置在衬底基板上;沿第二方向延伸的第二信号线,设置在第一信号线远离衬底基板的一侧且与第一信号线彼此绝缘,第一方向与第二方向彼此交叉,其中,第一信号线面向第二信号线的一侧设置有凹槽,凹槽位于第一信号线与第二信号线之间的交汇处,在交汇处,第二信号线在衬底基板上的正投影完全落入凹槽在衬底基板的正投影内。本公开的实施例提供的阵列基板通过减薄第一信号线在其与第二信号线交汇处的厚度,即在第一信号线与第二信号线交汇处的第一信号线上设置凹槽,以增加位于交汇处的第一信号线与第二信号线之间的距离,从而在不增加阵列基板厚度的基础上,增加第一信号线与第二信号线交汇处的绝缘层的厚度,既有效降低了第一信号线与第二信号线之间发生短路的风险,提高了产品的良率,降低了成本,又不影响阵列基板的性能。
下面结合附图对本公开实施例提供的阵列基板及其制作方法、显示装置进行描述。
实施例一
本实施例提供一种阵列基板,图2为本公开一实施例提供的阵列基板的局部示意图,如图2所示,该阵列基板包括:衬底基板100;设置在衬底基板100上的沿第一方向,即X方向延伸的第一信号线110以及沿第二方向,即Y方向延伸的第二信号线120,第二信号线120设置在第一信号线110远离衬底基板100的一侧且与第一信号线110彼此绝缘,这里的第一方向与第二方向彼此交叉,本实施例以X方向与Y方向彼此垂直为例进行描述,但不限于此。本实施例中第一信号线110面向第二信号线120的一侧设置有凹槽111,如图2所示,凹槽111位于第一信号线110与第二信号线120之间的交汇处,在交汇处,第二信号线120在衬底基板100上的正投影完全落入凹槽111在衬底基板100的正投影内。本实施例提供的阵列基板通过减薄第一信号线在其与第二信号线交汇处的厚度,即在第一信号线与第二信号线交汇处的第一信号线上设置凹槽,以增加位于交汇处的第一信号线与第二信号线之间的距离,从而在不增加阵列基板厚度的基础上,增加第一信号线与第二信号线交汇处的绝缘层的厚度,既有效降低了第一信号线与第二信号线之间发生短路的风险,提高了产品的良率,降低了成本,又不影响阵列基板的性能。
需要说明的是,在交汇处,第二信号线120在衬底基板100上的正投影完全落入凹槽111在衬底基板100的正投影内包括:第二信号线120在衬底基板100上的正投影与凹槽111在衬底基板100的正投影完全重合,或者第二信号线120在衬底基板100上的正投影仅为凹槽111在衬底基板100的正投影中的一部分。另外,第一方向与第二方向可以互换,本实施例对此不作限制。
例如,可以在第一信号线110与第二信号线120之间的至少一个交汇处的第一信号线110上设置凹槽111,本实施例以在第一信号线110与第二信号线120之间的全部交汇处的第一信号线110上设置凹槽111为例进行描述,但不限于此。
例如,第一信号线110和第二信号线120之一为扫描线,另一条为数据线,即,第一信号线110为扫描线,第二信号线120为数据线;或者第一信号线110为数据线,第二信号线120为扫描线,本实施例对此不作限制。
例如,如图2所示,阵列基板中的第一信号线110与第二信号线120彼此交叉以限定像素单元,像素单元中设置有像素电极160。阵列基板还包括薄膜晶体管,薄膜晶体管包括栅极、源极151以及漏极152,第一信号线110与栅极相连以控制薄膜晶体管的打开或者关闭,第二信号线120与源极151相连,像素电极160与漏极152相连,第二信号线120通过薄膜晶体管对像素电极160输入显示画面所需的电压信号以实现包括该阵列基板的显示面板的显示。这里以第一信号线110为扫描线,第二信号线120为数据线为例进行描述。
例如,衬底基板100的材料可以由玻璃、聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚醚砜中的一种或多种材料制成,本实施例包括但不限于此。
例如,第一信号线110和第二信号线120的材料可以包括铜、银、铝、钼、钛、铂、金、铬等材料中的一种或几种,本实施例对此不作限制,例如,第一信号线110和第二信号线120的材料还可以包括由氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌、氧化铟和氧化铟镓构成的组中的一种或多种组合。
例如,图3A为本公开一实施例的一示例提供的凹槽及其附近第一信号线的局部平面示意图,如图2和图3A所示,第一信号线110还包括位于凹槽111的两侧的第一部分112与第二部分115,第一部分112包括与凹槽111连接的第一连接部113,第二部分115包括与凹槽111连接的第二连接部114。沿第二方向,即Y方向,凹槽111的最大尺寸大于第一连接部113和/或第二连接部114的尺寸。例如,沿Y方向,第一连接部113和第二连接部114的尺寸相同时,凹槽111的最大尺寸大于第一连接部113和第二连接部114的尺寸;沿Y方向,第一连接部113和第二连接部114的尺寸不相同时,凹槽111的最大尺寸大于第一连接部113和第二连接部114的至少之一的尺寸。
需要说明的是,图2为本实施例的示意性视图,其中的第一连接部和第二连接部为与凹槽直接连接的部分,并且沿第二方向,第一连接部(的尺寸可以小于第一部分除第一连接部的尺寸,第二连接部的尺寸可以小于第二部分除第二连接部的尺寸。本实施例不限于此,例如,沿第二方向,第一连接部的尺寸也可以等于第一部分除第一连接部的尺寸,第二连接部的尺寸可以小于第二部分除第二连接部的尺寸,即沿第二方向,整条第一信号线除凹槽部以外的其他部分的尺寸相同,且均小于凹槽部的尺寸。
例如,如图3A所示,假设位于凹槽111所在位置的第一信号线110沿垂直于衬底基板100的厚度为d,电阻率为ρ,沿X方向的长度为L2,沿Y方向的长度为L1,则凹槽111所在位置的第一信号线110的电阻为R=(ρ*L2)/(d*L1)。凹槽111两侧与其直接相连的第一连接部113与第二连接部114沿Y方向的尺寸为L0,并且L1>L0。虽然位于凹槽111所在位置的第一信号线110的厚度d减小了,但是L1增大了,因此通过调节d*L1的数值可以使图2中第一信号线110与第二信号线120交汇处的第一信号线110的电阻相对于图1示出的阵列基板基本保持不变。需要说明是的,本示例以凹槽的平面图形(即在衬底基板上的正投影)为规则的矩形为例进行描述,但不限于此。
例如,图3B为本公开一实施例的另一示例提供的凹槽及其附近第一信号线的局部平面示意图,如图3B所示,与图3A不同的是,本示例中的凹槽的平面图形(即在衬底基板上的正投影)不是规则的矩形,即本示例中凹槽111沿X方向延伸的边可以不是直线型,可以是如图3B所示的曲线型,也可以是折线型等,本示例对此不作限制,只要沿第二方向,凹槽111的最大尺寸大于第一连接部113和/或第二连接部114的尺寸以保证第一信号线110与第二信号线120交汇处的第一信号线110的电阻相对于图1示出的阵列基板基本保持不变即可。
例如,图4A为本公开一实施例的一示例提供的阵列基板的局部剖视图,如图4A所示,阵列基板还包括设置在第一信号线110与第二信号线120之间的第一绝缘层130以使第一信号线110与第二信号线120彼此绝缘,防止发生短路(即Data Gate Short,DGS)。
例如,第一绝缘层130的材料可以包括金属氧化物、金属硫化物或金属氮化物等无机材料,本实施对此不作限制,例如,第一绝缘层130的材料还可以包括聚酰亚胺、聚酰胺、聚碳酸酯、环氧树脂等中的一种或几种的组合等。
例如,如图4A所示,本示例提供的阵列基板还包括设置在第一信号线110与第二信号线120之间的第二绝缘层140,且本示例中的第二绝缘层140位于第一绝缘层130与第一信号线110之间。第二绝缘层140在衬底基板100上的正投影与凹槽111在衬底基板100上的正投影完全重合,沿垂直于衬底基板100的方向,即Z方向,第二绝缘层140的厚度与凹槽111的深度相同以补偿第一信号线110中由凹槽111产生的厚度差,即本示例中的第二绝缘层140用于填充凹槽111以补偿第一信号线110远离衬底基板100的表面由于凹槽111产生的相对于衬底基板100的高度差。相对于图1提供的阵列基板,本示例提供的阵列基板中的第二绝缘层的厚度即为第一信号线与第二信号线的交汇处增加的绝缘层的厚度,因此在不增加阵列基板厚度的基础上,本示例中的第二绝缘层起到了有效降低第一信号线与第二信号线之间发生短路风险的作用,因而提高了产品的良率,降低了成本。
例如,第二绝缘层140可以选用与第一绝缘层130相同的材料,也可以选用与第一绝缘层130不同的材料,本实施例对此不作限制。
例如,图4B为本公开一实施例的另一示例提供的阵列基板的局部剖视图,如图4B所示,与图4A不同的是,本示例中的第二绝缘层140位于第一绝缘层130与第二信号线120之间以补偿第一绝缘层130远离衬底基板100的表面由于凹槽111产生的相对于衬底基板100的高度差。即,当第一绝缘层130直接设置在第一信号线110远离衬底基板100的一侧时,由于第一信号线110上设置有凹槽111,因此,位于凹槽111上的第一绝缘层130也会产生与凹槽111形状及尺寸完全相同的凹陷部,而设置在第一绝缘层130远离衬底基板100一侧的第二绝缘层140可以用于填充第一绝缘层130中的凹陷部,以消除第一绝缘层130远离衬底基板100的表面相对于衬底基板100的高度差。因此,本示例中的第二绝缘层的厚度即为第一信号线与第二信号线的交汇处增加的绝缘层的厚度,在不增加阵列基板厚度的基础上,第二绝缘层起到了有效降低第一信号线与第二信号线之间发生短路风险的作用,因而提高了产品的良率,降低了成本。
例如,如图4A和4B所示,沿垂直于衬底基板100的方向,凹槽111的深度与第一信号线110不包括凹槽111的部分的厚度之比不超过1:2,即,位于凹槽111所在位置的第一信号线110的厚度与第一信号线110不包括凹槽111的部分的厚度之比大于1:2以防止位于凹槽111所在位置的第一信号线110发生断裂。
实施例二
本实施例提供一种阵列基板的制作方法,图5为本公开一实施例提供的一种阵列基板的制作方法的示意性流程图,如图5所示,制作方法包括:
S201:在衬底基板上形成沿第一方向延伸的第一信号线。
S202:在第一信号线远离衬底基板的一侧形成凹槽。
S203:在第一信号线上形成沿第二方向延伸的第二信号线,第二信号线与第一信号线彼此绝缘,第一方向与第二方向彼此交叉,凹槽位于第一信号线与第二信号线之间的交汇处,在交汇处,第二信号线在衬底基板上的正投影完全落入凹槽在衬底基板的正投影内。
需要说明的是,在交汇处,第二信号线在衬底基板上的正投影完全落入凹槽在衬底基板的正投影内包括:第二信号线在衬底基板上的正投影与凹槽在衬底基板的正投影完全重合,或者第二信号线在衬底基板上的正投影仅为凹槽在衬底基板的正投影中的一部分。
例如,在衬底基板上形成金属层,在金属层上形成光刻胶图案,以光刻胶图案为掩模对金属层进行图案化以形成第一信号线,例如,可以采用湿法刻蚀金属层以形成第一信号线。
例如,第一信号线与凹槽可以采用不同的掩模板图案化,即,以光刻胶图案为掩模对金属层进行图案化形成第一信号线后,剥离光刻胶,然后再进行后续形成凹槽的步骤。
例如,可以在第一信号线与第二信号线之间的至少一个交汇处的第一信号线上形成凹槽,本实施例以在第一信号线与第二信号线之间的全部交汇处的第一信号线上形成凹槽为例进行描述,但不限于此。
例如,第一信号线和第二信号线之一为扫描线,另一条为数据线,即,第一信号线为扫描线,第二信号线为数据线;或者第一信号线为数据线,第二信号线为扫描线,本实施例对此不作限制。
例如,本实施例提供阵列基板的制作方法的一示例中形成凹槽包括:在第一信号线上形成第一绝缘层,即在第一信号线远离衬底基板的一侧形成第一绝缘层;对位于交汇处的第一绝缘层进行定位刻蚀形成过孔以暴露出第一信号线,例如,可以对位于交汇处的第一绝缘层采用干法刻蚀以暴露出位于交汇处的第一信号线;对暴露出的第一信号线进行刻蚀以形成凹槽,例如,可以以被刻蚀后的第一绝缘层为掩模对第一信号线进行湿刻以使位于交汇处的第一信号线形成凹槽。这里对第一绝缘层采用干法刻蚀后,对第一信号线采用湿法刻蚀可以防止对第一绝缘层的二次刻蚀。
例如,本示例中形成第二信号线之前还包括:对凹槽以及过孔填充绝缘材料。这里对凹槽填充绝缘材料以形成第二绝缘层,第二绝缘层的表面与第一信号线的表面平齐,即,沿垂直于衬底基板的方向上,第二绝缘层的厚度与凹槽的深度相同以补偿第一信号线远离衬底基板的表面由于凹槽产生的相对于衬底基板的高度差。并且对第一绝缘层的过孔填充绝缘材料以使第一绝缘层的厚度均匀,即,使过孔中填充的绝缘材料的表面与第一绝缘层的表面平齐,且本示例中过孔填充绝缘材料后该绝缘材料可以看作第一绝缘层的一部分,该部分与上一步骤刻蚀后的第一绝缘层构成完整的第一绝缘层。本示例中的第二绝缘层形成于第一信号线与第一绝缘层之间,即如图4A所示。
例如,对凹槽以及过孔进行定点填充绝缘材料可以包括:在第一绝缘层上形成绝缘材料层,绝缘材料层填充了凹槽以及过孔,然后对绝缘材料层进行图案化后刻蚀并剥离掉填充部分以外的绝缘材料层以使过孔中填充的绝缘材料的表面与第一绝缘层的表面平齐,本实施例包括但不限于此。
本实施例提供的阵列基板的制作方法通过减薄第一信号线在其与第二信号线交汇处的厚度,即在第一信号线与第二信号线交汇处的第一信号线上形成凹槽,以增加位于交汇处的第一信号线与第二信号线之间的距离,从而在不增加阵列基板厚度的基础上,增加第一信号线与第二信号线交汇处的绝缘层的厚度,既有效降低了第一信号线与第二信号线之间发生短路的风险,提高了产品的良率,降低了成本,又不影响阵列基板的性能。
上述示例提供的阵列基板的制作方法中形成的第二绝缘层的厚度即为第一信号线与第二信号线的交汇处增加的绝缘层的厚度,因此在不增加阵列基板厚度的基础上,本示例中的第二绝缘层起到了有效降低第一信号线与第二信号线之间发生短路风险的作用。
例如,第一绝缘层的材料可以包括金属氧化物、金属硫化物或金属氮化物等无机材料,本实施对此不作限制,例如,第一绝缘层的材料还可以包括聚酰亚胺、聚酰胺、聚碳酸酯、环氧树脂等中的一种或几种的组合等。
例如,本示例中的第二绝缘层可以选用与第一绝缘层相同的材料;或者第二绝缘层还可以选用与第一绝缘层不相同的材料,此时的第一绝缘层由两种材料构成。
例如,本实施例提供阵列基板的制作方法的另一示例中形成凹槽包括:在第一信号线上形成光刻胶图案,例如,在第一信号线上涂敷光刻胶,对光刻胶进行曝光、显影等图案化工艺以形成光刻胶图案,该光刻胶图案与上一示例中的定位刻蚀后的第一绝缘层的图案相同;以光刻胶图案为掩模,刻蚀第一信号线以形成凹槽,例如,光刻胶图案暴露出位于交汇处的第一信号线,对暴露的第一信号线进行湿法刻蚀以形成所需的凹槽。
例如,本示例中形成第二信号线之前还包括:对凹槽填充绝缘材料以形成第二绝缘层,第二绝缘层的表面与第一信号线的表面平齐,即,沿垂直于衬底基板的方向上,第二绝缘层的厚度与凹槽的深度相同以补偿第一信号线远离衬底基板的表面由于凹槽产生的相对于衬底基板的高度差;在第一信号线上形成第一绝缘层,本示例中的第二绝缘层形成于第一信号线与第一绝缘层之间,即如图4A所示。
例如,本示例中的第二绝缘层可以选用与第一绝缘层相同的材料,也可以选用与第一绝缘层不同的材料。
例如,本示例的另一示例中形成第二信号线之前还包括:在第一信号线上形成第一绝缘层,第一绝缘层位于凹槽的位置形成凹陷部,即,直接在第一信号线上形成第一绝缘层,在位于凹槽的位置上的第一绝缘层会出现凹陷部;对凹陷部填充绝缘材料以形成第二绝缘层,第二绝缘层的表面与第一绝缘层的表面平齐,即第二绝缘层位于第一绝缘层远离衬底基板的一侧以补偿第一绝缘层远离衬底基板的表面由于凹槽产生的相对于衬底基板的高度差,本示例中的第二绝缘层形成于第一绝缘层与第二信号线之间,即如图4B所示。
无论采用上述哪种方法步骤形成的第二绝缘层,都可以在不增加阵列基板厚度的基础上,起到有效降低第一信号线与第二信号线之间发生短路风险的作用,因而提高了产品的良率,降低了成本。
例如,第一信号线与凹槽还可以采用同一个掩模板图案化,并采用半色调掩模工艺形成。例如,在衬底基板上形成金属层,在金属层上形成光刻胶层,然后利用半色调掩模工艺对光刻胶层图案化以形成具有不同厚度的光刻胶层。例如,位于待形成第一信号线(不包括凹槽)的位置的正上方的光刻胶层的厚度H1大于待形成凹槽的位置的正上方的光刻胶层的厚度H2,厚度H2大于不形成第一信号线的位置的正上方的光刻胶层的厚度H3。利用灰化工艺处理具有不同厚度的光刻胶层并图案化形成具有凹槽的第一信号线以减少一步掩模板工艺,本实施例包括但不限于此。在此之后形成第一绝缘层以及第二信号线的步骤与上述示例提供的步骤相同,在此不再赘述。
例如,本实施例提供的阵列基板的制作方法中在形成第一信号线时,对第一信号线进行定位图案化,以使后续待刻蚀凹槽的位置的第一信号线的最大尺寸沿第二方向的尺寸略大于凹槽两侧与其相连的部分第一信号线的尺寸,即第一信号线还包括位于凹槽的两侧的第一部分与第二部分,第一部分包括与凹槽连接的第一连接部,第二部分包括与凹槽连接的第二连接部,沿第二方向,后续待形成凹槽的位置的第一信号线的最大尺寸大于第一连接部和/或第二连接部的尺寸。因此,虽然位于凹槽所在位置的第一信号线沿垂直于衬底基板方向的厚度减小了,但是沿第二方向的尺寸增大了,因此通过调节凹槽所在位置的第一信号线的厚度与沿第二方向的尺寸的数值可以使本实施中的第一信号线与第二信号线交汇处的第一信号线的电阻相对于图1示出的阵列基板基本保持不变。
例如,凹槽在衬底基板上的正投影的形状可以是矩形等规则形状,也可是非规则的形状,本实施例对此不作限制。
例如,沿垂直于衬底基板的方向,凹槽的深度与第一信号线不包括凹槽的部分的厚度之比不超过1:2,即,位于凹槽所在位置的第一信号线的厚度与第一信号线不包括凹槽的部分的厚度之比大于1:2以防止位于凹槽所在位置的第一信号线发生断裂。
实施例三
本实施例提供一种显示装置,包括上述实施例一提供的任一种阵列基板,采用该阵列基板的显示装置通过减薄第一信号线在其与第二信号线交汇处的厚度,即在第一信号线与第二信号线交汇处的第一信号线上设置凹槽,以增加位于交汇处的第一信号线与第二信号线之间的距离,从而在不增加阵列基板厚度的基础上,增加第一信号线与第二信号线交汇处的绝缘层的厚度,既有效降低了第一信号线与第二信号线之间发生短路的风险,提高了产品的良率,降低了成本,又不影响阵列基板的性能。
例如,该显示装置可以为液晶显示装置、有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示装置等显示器件以及包括该显示装置的电视、数码相机、手机、手表、平板电脑、笔记本电脑、导航仪等任何具有显示功能的产品或者部件,本实施例不限于此。
有以下几点需要说明:
(1)除非另作定义,本公开实施例以及附图中,同一标号代表同一含义。
(2)本公开实施例附图中,只涉及到与本公开实施例涉及到的结构,其他结构可参考通常设计。
(3)为了清晰起见,在用于描述本公开的实施例的附图中,层或区域被放大。可以理解,当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时,该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”,或者可以存在中间元件。
以上所述,仅为本公开的具体实施方式,但本公开的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此,本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (17)

1.一种阵列基板,包括:
衬底基板;
沿第一方向延伸的第一信号线,设置在所述衬底基板上;
沿第二方向延伸的第二信号线,设置在所述第一信号线远离所述衬底基板的一侧且与所述第一信号线彼此绝缘,所述第一方向与所述第二方向彼此交叉,
其中,所述第一信号线面向所述第二信号线的一侧设置有凹槽,所述凹槽位于所述第一信号线与所述第二信号线之间的交汇处,在所述交汇处,所述第二信号线在所述衬底基板上的正投影完全落入所述凹槽在所述衬底基板的正投影内。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其中,所述第一信号线还包括位于所述凹槽两侧的第一部分与第二部分,所述第一部分包括与所述凹槽连接的第一连接部,所述第二部分包括与所述凹槽连接的第二连接部,沿所述第二方向,所述凹槽的最大尺寸大于所述第一连接部和/或所述第二连接部的尺寸。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,还包括:
第一绝缘层,设置在所述第一信号线与所述第二信号线之间。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,还包括:
第二绝缘层,设置在所述第一信号线与所述第二信号线之间,
其中,所述第二绝缘层在所述衬底基板上的正投影与所述凹槽在所述衬底基板上的正投影完全重合,沿垂直于所述衬底基板的方向,所述第二绝缘层的厚度与所述凹槽的深度相同以补偿所述第一信号线或所述第一绝缘层远离所述衬底基板的表面由于所述凹槽产生的相对于所述衬底基板的高度差。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其中,所述第二绝缘层位于所述第一绝缘层与所述第一信号线之间或者所述第一绝缘层与所述第二信号线之间。
6.根据权利要求1-5任一项所述的阵列基板,其中,沿垂直于所述衬底基板的方向,所述凹槽的深度与所述第一信号线不包括所述凹槽的部分的厚度之比不超过1:2。
7.根据权利要求1-5任一项所述的阵列基板,其中,所述第一信号线和所述第二信号线之一为扫描线,另一条为数据线。
8.一种显示装置,包括权利要求1-7任一项所述的阵列基板。
9.一种阵列基板的制作方法,包括:
在衬底基板上形成沿第一方向延伸的第一信号线;
在所述第一信号线远离所述衬底基板的一侧形成凹槽;
在所述第一信号线上形成沿第二方向延伸的第二信号线,所述第二信号线与所述第一信号线彼此绝缘,所述第一方向与所述第二方向彼此交叉,
其中,所述凹槽位于所述第一信号线与所述第二信号线之间的交汇处,在所述交汇处,所述第二信号线在所述衬底基板上的正投影完全落入所述凹槽在所述衬底基板的正投影内。
10.根据权利要求9所述的阵列基板的制作方法,其中,形成所述凹槽包括:
在所述第一信号线上形成第一绝缘层;
对位于所述交汇处的所述第一绝缘层进行刻蚀形成过孔以暴露出所述第一信号线;
对暴露出的所述第一信号线进行刻蚀以形成所述凹槽。
11.根据权利要求10所述的阵列基板的制作方法,其中,形成所述第二信号线之前还包括:
对所述凹槽以及所述过孔填充绝缘材料,其中,对所述凹槽填充所述绝缘材料以形成第二绝缘层,所述第二绝缘层的表面与所述第一信号线的表面平齐,对所述过孔填充所述绝缘材料以使所述第一绝缘层的厚度均匀。
12.根据权利要求9所述的阵列基板的制作方法,其中,形成所述凹槽包括:
在所述第一信号线上形成光刻胶图案;
以所述光刻胶图案为掩模,刻蚀所述第一信号线以形成所述凹槽。
13.根据权利要求9所述的阵列基板的制作方法,其中,所述第一信号线与所述凹槽采用同一个掩模板图案化,并采用半色调掩模工艺形成。
14.根据权利要求12或13所述的阵列基板的制作方法,其中,形成所述第二信号线之前还包括:
对所述凹槽填充绝缘材料以形成第二绝缘层,所述第二绝缘层的表面与所述第一信号线的表面平齐;
在所述第一信号线上形成第一绝缘层。
15.根据权利要求12或13所述的阵列基板的制作方法,其中,形成所述第二信号线之前还包括:
在所述第一信号线上形成第一绝缘层,所述绝缘层位于所述凹槽的位置形成凹陷部;
对所述凹陷部填充绝缘材料以形成第二绝缘层,所述第二绝缘层的表面与所述第一绝缘层的表面平齐。
16.根据权利要求10或12或13所述的阵列基板的制作方法,其中,所述第一信号线还包括位于所述凹槽两侧的第一部分与第二部分,所述第一部分包括与所述凹槽连接的第一连接部,所述第二部分包括与所述凹槽连接的第二连接部,其中,形成所述第一信号线包括:
对所述第一信号线图案化以使沿所述第二方向,待形成所述凹槽所在位置的第一信号线的最大尺寸大于所述第一连接部和/或所述第二连接部的尺寸。
17.根据权利要求9所述的阵列基板的制作方法,其中,沿垂直于所述衬底基板的方向上,所述凹槽的深度与所述第一信号线不包括所述凹槽的部分的厚度之比不超过1:2。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109884830A (zh) * 2019-02-28 2019-06-14 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置、掩模板
CN110707109A (zh) * 2019-11-28 2020-01-17 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、驱动背板及其制造方法
CN113066806A (zh) * 2021-03-24 2021-07-02 上海天马有机发光显示技术有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置
CN113495387A (zh) * 2020-03-18 2021-10-12 株式会社日本显示器 半导体基板及显示装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101539697A (zh) * 2008-03-21 2009-09-23 北京京东方光电科技有限公司 一种薄膜晶体管液晶显示器像素结构及其制造方法
CN106328715A (zh) * 2016-08-17 2017-01-11 深圳市华星光电技术有限公司 薄膜晶体管及其制作方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100520376B1 (ko) * 1998-06-25 2006-01-12 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 액정 표시 장치
WO2009116177A1 (ja) * 2008-03-21 2009-09-24 株式会社島津製作所 光マトリックスデバイス
KR101720524B1 (ko) * 2010-06-07 2017-03-28 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
CN103969865B (zh) 2013-10-10 2017-10-27 上海中航光电子有限公司 Tft阵列基板及其制造方法、显示面板和显示装置
CN103676374B (zh) * 2013-12-06 2015-12-30 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置
CN104765195B (zh) 2015-05-07 2018-09-11 京东方科技集团股份有限公司 一种液晶显示面板及其制作方法、显示装置
CN105572996B (zh) * 2016-02-02 2019-01-25 京东方科技集团股份有限公司 一种双栅极阵列基板及显示装置
CN205881903U (zh) 2016-07-21 2017-01-11 京东方科技集团股份有限公司 一种走线结构、阵列基板及显示装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101539697A (zh) * 2008-03-21 2009-09-23 北京京东方光电科技有限公司 一种薄膜晶体管液晶显示器像素结构及其制造方法
CN106328715A (zh) * 2016-08-17 2017-01-11 深圳市华星光电技术有限公司 薄膜晶体管及其制作方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109884830A (zh) * 2019-02-28 2019-06-14 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置、掩模板
CN110707109A (zh) * 2019-11-28 2020-01-17 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、驱动背板及其制造方法
CN110707109B (zh) * 2019-11-28 2022-12-02 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、驱动背板及其制造方法
CN113495387A (zh) * 2020-03-18 2021-10-12 株式会社日本显示器 半导体基板及显示装置
CN113495387B (zh) * 2020-03-18 2024-03-22 株式会社日本显示器 半导体基板及显示装置
CN113066806A (zh) * 2021-03-24 2021-07-02 上海天马有机发光显示技术有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置
CN113066806B (zh) * 2021-03-24 2024-03-22 武汉天马微电子有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置

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