CN116096145A - 显示基板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种显示基板及其制备方法、显示装置。显示基板包括衬底、位于衬底上的多个子像素、位于衬底上的辅助电极及位于辅助电极背离衬底一侧的隔离结构。子像素包括第一电极、发光材料层及第二电极。隔离结构包括第一导电部、位于第一导电部背离衬底一侧的第二导电部、及位于第二导电部背离衬底一侧的第三导电部；第二导电部在衬底上的正投影落在第三导电部在衬底上的正投影内，且第二导电部在衬底上的正投影的面积小于第三导电部在衬底上的正投影的面积。隔离结构与辅助电极电连接。第三导电部超出第二导电部的部分的厚度小于第三导电部与第二导电部接触的部分的厚度，且大于第一导电部的厚度；隔离结构与第二电极接触。

Description

显示基板及其制备方法、显示装置

技术领域

本申请涉及显示技术领域，特别涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。

背景技术

对于顶发光的显示面板，为了提升子像素发射的光线的出射率，一般将子像素的阴极的厚度设置得较小。但是阴极厚度小会导致阴极的电阻较大，压降较大，从而导致显示面板中心区域及边缘区域子像素的电流差别较大，造成显示面板的显示亮度不均匀的问题，用户的使用体验较差。

发明内容

本申请提供了一种显示基板及其制备方法、显示装置。

根据本申请实施例的第一方面，提供了一种显示基板。所述显示基板包括：

衬底；

位于所述衬底一侧的多个子像素，所述多个子像素位于显示区；所述子像素包括第一电极、位于所述第一电极背离所述衬底一侧的发光材料层及位于所述发光材料层背离所述衬底一侧的第二电极；

位于所述衬底一侧的辅助电极；

位于所述辅助电极背离所述衬底一侧的隔离结构；所述隔离结构包括第一导电部、位于所述第一导电部背离所述衬底一侧的第二导电部、及位于所述第二导电部背离所述衬底一侧的第三导电部；所述第二导电部在所述衬底上的正投影落在所述第三导电部在所述衬底上的正投影内，且所述第二导电部在所述衬底上的正投影的面积小于所述第三导电部在所述衬底上的正投影的面积；所述隔离结构与所述辅助电极电连接；所述第三导电部超出所述第二导电部的部分的厚度小于所述第三导电部与所述第二导电部接触的部分的厚度；所述隔离结构与所述第二电极接触。

在一些实施例中，所述第三导电部与所述第二导电部接触的部分的厚度大于所述第一导电部的厚度。

在一些实施例中，所述第三导电部和所述第二导电部接触的部分的厚度与所述第一导电部的厚度的比值范围为2～5。

在一些实施例中，所述第三导电部在所述衬底上的正投影落在所述一导电部在所述衬底上的正投影内；所述显示基板包括电极层，所述电极层包括各所述子像素的第二电极；所述电极层包括多个电极块，每一所述电极块包括一个或多个所述子像素的第二电极；相邻所述电极块分别与同一所述隔离结构搭接。

在一些实施例中，所述第一电极包括第四导电部、位于所述第四导电部背离所述衬底一侧的第五导电部及位于所述第五导电部背离所述衬底一侧的第六导电部；所述第四导电部与所述第一导电部同层设置，所述第五导电部与所述第二导电部同层设置，所述第六导电部与所述第三导电部同层设置。

在一些实施例中，所述第一电极还包括位于所述第四导电部朝向所述衬底一侧的第七导电部，所述隔离结构还包括位于所述第一导电部朝向所述衬底一侧的第八导电部；所述第七导电部与所述第八导电部同层设置。

在一些实施例中，所述显示基板还包括位于所述衬底与所述子像素之间的像素电路层；所述像素电路层包括多个导电结构；所述辅助电极与至少一个所述导电结构同层设置。

在一些实施例中，所述显示区包括发光区及位于相邻发光区之间的透光区；所述子像素位于发光区；所述隔离结构位于所述透光区；所述显示基板还包括位于所述衬底与所述子像素之间的像素电路层，所述像素电路层包括至少一个有机层；

所述隔离结构在所述衬底上的正投影与所述至少一个有机层在所述衬底上的正投影无交叠。

在一些实施例中，所述显示区包括发光区及位于相邻发光区之间的透光区；所述子像素位于发光区；所述隔离结构位于所述透光区；所述显示基板还包括位于所述衬底与所述子像素之间的像素电路层，所述像素电路层包括至少一个有机层；

所述隔离结构包括第一类隔离结构和第二类隔离结构，所述第一类隔离结构到所述第一电极的距离小于所述第二类隔离结构到所述第一电极的距离；所述第一类隔离结构在所述衬底上的正投影与至少一个所述有机层在所述衬底上的正投影存在交叠，所述第二类隔离结构在所述衬底上的正投影与所述至少一个有机层在所述衬底上的正投影无交叠。

在一些实施例中，所述至少一个有机层包括有机材料层，所述第一类隔离结构与包括顺次相连的第一部分、第二部分和第三部分，所述第一部分位于所述有机材料层背离所述衬底的一侧，所述第二部分位于所述有机材料层的侧部，所述第三部分在所述衬底上的正投影与所述有机材料层在所述衬底上的正投影无交叠。

在一些实施例中，所述第一导电部与所述第三导电部的材料相同。

在一些实施例中，所述第三导电部和所述第二导电部接触的部分与所述第三导电部超出所述第二导电部的部分的厚度差为d1，所述第三导电部超出所述第二导电部的长度为d2，d2与d1的比值范围为10～40。

在一些实施例中，所述第二导电部的侧面为斜面，所述斜面与所述衬底的表面之间的夹角范围为30°～80°。

根据本申请实施例的第二方面，提供了一种显示基板的制备方法，所述显示基板包括位于显示区的多个子像素，所述子像素包括第一电极、第二电极及位于所述第一电极与所述第二电极之间的发光材料层；所述制备方法包括：

提供衬底；所述第二电极位于所述第一电极背离所述衬底的一侧；

形成位于所述衬底上的辅助电极；

形成位于所述辅助电极背离所述衬底一侧的导电膜层，所述导电膜层包括第一导电层、位于所述第一导电层背离所述衬底一侧的第二导电层、以及位于所述第二导电层背离所述衬底一侧的第三导电层；所述第一导电层的厚度小于所述第三导电层的厚度；

对所述第三导电层进行刻蚀，得到第三导电部；

对所述第二导电层进行刻蚀，得到第二导电部，所述第二导电部在所述衬底上的正投影落在所述第三导电部在所述衬底上的正投影内，且所述第二导电部在所述衬底上的正投影的面积小于所述第三导电部在所述衬底上的正投影的面积；

采用刻蚀液对所述第一导电层进行刻蚀，得到第一导电部；所述刻蚀液同时刻蚀所述第三导电部超出所述第二导电部的部分朝向所述衬底的表面，使所述第三导电部超出所述第二导电部的部分的厚度减小，得到包括所述第一导电部、所述第二导电部及所述第三导电部的隔离结构；所述隔离结构与所述辅助电极电连接；

形成所述第二电极，所述第二电极与所述隔离结构接触。

根据本申请实施例的第三方面，提供了一种显示装置，所述显示装置包括上述的显示基板。

本申请实施例提供的显示基板及其制备方法、显示装置，隔离结构的第三导电部超出第二导电部，可使得子像素的发光材料层在隔离结构的侧壁处断开，从而第二电极与隔离结构接触，第二电极通过隔离结构与辅助电极电连接，使第二电极的电阻减小，压降减小，减小显示面板中心区域及边缘区域子像素的电流差，提升显示面板的显示亮度的均匀性；第三导电部超出第二导电部的部分的厚度小于第三导电部与第二导电部接触的部分的厚度，且大于第一导电部的厚度，在刻蚀形成第一导电部的过程中第三导电部超出第二导电部的部分朝向衬底的表面被刻蚀，形成第一导电部后第三导电部仍超出第二导电部，则在刻蚀得到第一导电部后不需要对第二导电部进行刻蚀来使得第二导电部的边缘相对于第一导电部的边缘内缩，有助于简化显示基板的制备工艺；并且在刻蚀形成第一导电部之后不需要对第二导电部进行刻蚀，可避免刻蚀第二导电部的刻蚀液对位于子像素与衬底之间的像素电路的导电结构造成腐蚀，进而影响像素电路与第一电极的电连接，导致子像素不能被点亮的问题，提升显示基板的可靠性。

附图说明

图1是本申请一示例性实施例提供的显示基板的局部剖视图；

图2是本申请一示例性实施例提供的显示基板的局部剖视图；

图3是本申请一示例性实施例提供的显示基板的隔离结构的局部剖视图；

图4是本申请一示例性实施例提供的显示基板的局部结构示意图；

图5是图4所示的显示基板的局部结构的剖视图；

图6是本申请另一示例性实施例提供的显示基板的局部结构示意图；

图7是图6所示的显示基板的局部结构的剖视图；

图8是本申请一示例性实施例提供的显示基板的制备方法的流程图；

图9是本申请一示例性实施例提供的显示基板的第一中间结构的局部剖视图；

图10是本申请一示例性实施例提供的显示基板的第二中间结构的局部剖视图；

图11及图12是本申请一示例性实施例提供的显示基板的第三中间结构的局部剖视图；

图13是本申请一示例性实施例提供的显示基板的第四中间结构的局部剖视图；

图14是本申请一示例性实施例提供的显示基板的第五中间结构的局部剖视图；

图15是本申请一示例性实施例提供的显示基板的第六中间结构的局部剖视图。

具体实施方式

这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施例并不代表与本申请相一致的所有实施例。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本申请的一些方面相一致的装置和方法的例子。

在本申请使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本申请。在本申请和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。还应当理解，本文中使用的术语“和/或”是指并包含一个或多个相关联的列出项目的任何或所有可能组合。

应当理解，尽管在本申请可能采用术语第一、第二、第三等来描述各种信息，但这些信息不应限于这些术语。这些术语仅用来将同一类型的信息彼此区分开。例如，在不脱离本申请范围的情况下，第一信息也可以被称为第二信息，类似地，第二信息也可以被称为第一信息。取决于语境，如在此所使用的词语“如果”可以被解释成为“在……时”或“当……时”或“响应于确定”。

本申请实施例提供了一种显示基板及其制备方法、显示装置。下面结合附图，对本申请实施例中的显示基板及其制备方法、显示装置进行详细说明。在不冲突的情况下，下述的实施例中的特征可以相互补充或相互组合。

本申请实施例提供了一种显示基板。所示显示基板包括显示区。如图1所示，所述显示基板包括衬底10、位于所述衬底10上的多个子像素20、位于所述衬底10上的辅助电极30、以及位于所述辅助电极30背离所述衬底10一侧的隔离结构40。

所述多个子像素20位于显示区。所述子像素20包括第一电极21、位于所述第一电极21背离所述衬底10一侧的发光材料层22及位于所述发光材料层22背离所述衬底10一侧的第二电极23。

如图1至图3所示，所述隔离结构40包括第一导电部41、位于所述第一导电部41背离所述衬底10一侧的第二导电部42、及位于所述第二导电部42背离所述衬底10一侧的第三导电部43。所述第二导电部42在所述衬底10上的正投影落在所述第三导电部43在所述衬底10上的正投影内，且所述第二导电部42在所述衬底10上的正投影的面积小于所述第三导电部43在所述衬底10上的正投影的面积。所述隔离结构40与所述辅助电极30电连接。所述第三导电部43超出所述第二导电部42的部分的厚度小于所述第三导电部43与所述第二导电部42接触的部分的厚度。其中第三导电部43超出第二导电部42的部分指的是第三导电部43中在衬底上的正投影与第二导电部在衬底10上的正投影无交叠的部分；第三导电部43与第二导电部42接触的部分指的是第三导电部43中在衬底上的正投影与第二导电部在衬底10上的正投影重合的部分。所述隔离结构40与所述第二电极23接触。

本申请实施例提供的显示基板，由于隔离结构的第三导电部超出第二导电部，可使得子像素的发光材料层在隔离结构的侧壁处断开，从而第二电极与隔离结构接触，由于隔离结构与辅助电极电连接，可使得第二电极的电阻减小，压降减小，减小显示面板中心区域及边缘区域子像素的电流差，提升显示面板的显示亮度的均匀性。由于第三导电部超出第二导电部的部分的厚度小于第三导电部与第二导电部接触的部分的厚度，且大于第一导电部的厚度，则第三导电部与第一导电部可在一次湿刻工艺中刻蚀得到，在刻蚀得到第一导电部后不需要对第二导电部进行刻蚀来使得第二导电部的边缘相对于第一导电部的边缘内缩，有助于降低显示基板的制备工艺的复杂度；由于在刻蚀形成第一导电部之后不需要对第二导电部进行刻蚀，可避免刻蚀第二导电部的刻蚀液对位于子像素与衬底之间的像素电路的导电结构造成腐蚀，进而影响像素电路与第一电极的电连接，导致子像素不能被点亮的问题，提升显示基板的可靠性。

在一些实施例中，所述衬底10可以是柔性衬底，也可以是刚性衬底。柔性衬底的材料可以包括聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、有机树脂材料中的一种或多种，有机树脂材料可以包括环氧树脂、三嗪、硅树脂或聚酰亚胺等。刚性衬底包括诸如玻璃衬底、石英衬底、蓝宝石衬底等中的任一种。在一些实施例中，所述显示基板为透明显示基板，衬底10为透光率较高的衬底，例如为玻璃衬底。

在一些实施例中，如图1所示，所述显示基板还包括位于所述衬底10背离衬底一侧的缓冲层80。

在一些实施例中，所述显示基板为透明显示基板。如图1所示，所述显示基板的显示区包括发光区101及透光区102。透光区102位于相邻发光区101之间。所述子像素20位于发光区101。所述隔离结构40位于所述透光区102。

在一些实施例中，如图1所示，所述显示基板还包括位于衬底10与所述子像素20之间的像素电路层50；所述像素电路层50包括多个像素电路。像素电路层的像素电路与子像素20可一一对应，每一像素电路驱动对应的子像素。所述像素电路层包括多个导电结构。像素电路包括薄膜晶体管501。薄膜晶体管501包括有源层511、栅极512、第一极513和第二极514，第一极513与子像素20的第一电极21电连接。第一极513与第二极514中的一个为源电极，另一个为漏电极。第一极513和第二极514同层设置。所述多个导电结构至少包括栅极512、第一极513和第二极514。

在一些实施例中，如图1所示，所述像素电路层50还包括位于有源层511与栅极512之间的栅极绝缘层51、位于栅极512背离衬底10一侧的层间介质层52、位于层间介质层52背离衬底10一侧的钝化层53、以及位于钝化层53背离衬底10一侧的平坦化层54。第一极513和第二极514部分位于层间介质层52与钝化层53之间，部分位于贯穿层间介质层52的通孔内并与导体化的有源层511部分接触。第一极513和第二极514中的一个为源极，另一个为漏极。第一电极21通过贯穿钝化层53与平坦化层54的通孔与第一极513电连接。

在一些实施例中，如图1所示，所述显示基板位于衬底10与像素电路层50之间的遮光层70，所述有源层511在衬底10上的正投影落在遮光层70在衬底10上的正投影内。遮光层70可防止外部光线入射至有源层511，防止有源层511受到光照而引起薄膜晶体管501的特性发生漂移。遮光层70可位于衬底10与缓冲层80之间。

在一些实施例中，所述遮光层70的材料为导电材料，所述显示基板还包括连接部515，所述第一极513及连接部515分别通过贯穿缓冲层80及层间介质层52的通孔与遮光层70搭接。也即是第一极513通过遮光层70实现与连接部515电连接。第一电极21通过贯穿钝化层53和平坦化层54的通孔与连接部515电连接，从而第一电极21依次通过连接部515及遮光层70与第一极513电连接。连接部515与第一极513可同层设置。

在一些实施例中，所述显示基板为透明显示基板，所述遮光层70在衬底10上的正投影与所述第一电极21在衬底10上的正投影存在交叠区域，例如所述遮光层70在衬底10上的正投影落在第一电极21在衬底10上的正投影内。第一电极21包括反射电极层。如此，遮光层70的设置不会使显示基板的透光率进一步降低。

在一些实施例中，所述第一电极21与所述第二电极23中的一个为阳极，另一个为阴极。例如第一电极21为阳极，第二电极23为阴极。所述显示基板包括电极层，所述电极层包括各所述子像素的第二电极。所述电极层包括多个电极块24，每一所述电极块24包括一个或多个所述子像素的第二电极23。一个电极块24包括多个所述子像素的第二电极23时，该多个子像素20的第二电极23相连形成电极块24。发光材料层22可以是有机发光材料层。发光材料层22在隔离结构40的侧壁处断开。具体来说，发光材料层22可部分位于隔离结构40的顶部，部分位于隔离结构40的第一导电部41背离衬底的一侧，且位于隔离结构40的顶部的部分与位于第一导电部41背离衬底一侧的部分不连续。

在一些实施例中，如图1所示，所述显示基板还包括像素限定层60，像素限定层60设有多个像素开口，多个像素开口可与多个子像素20一一对应。像素限定层60覆盖第一电极21的边缘区域，像素开口暴露对应的子像素20的第一电极21。子像素20的发光材料层22部分位于对应的像素开口内，部分位于像素限定层背离衬底10的一侧。

在一些实施例中，所述第三导电部43和所述第二导电部42接触的部分的厚度大于所述第一导电部41的厚度。在形成显示基板的过程中，最初形成的第三导电部43的厚度各处相同；之后在采用湿刻工艺形成第一导电部41的过程中，刻蚀液同时对第三导电部43超出第二导电部42的部分朝向衬底10的表面进行刻蚀，从而导致第三导电部43和所述第二导电部42接触的部分的厚度大于第三导电部43超出第二导电部42的部分的厚度。由于第三导电部和第二导电部接触的部分的厚度大于第一导电部的厚度，可避免在采用湿刻工艺形成第一导电部41的过程中，第三导电部43超出第二导电部42的部分几乎全部被刻蚀掉。其中最初形成的第三导电部43的厚度各处相同，指的是最初形成的第三导电部的厚度各处基本相同，不同区域的厚度差在工艺误差允许的范围内也认为是厚度相同。

在一些实施例中，所述第三导电部43和所述第二导电部42接触的部分的厚度与所述第一导电部41的厚度的比值范围为2～5。通过设置第三导电部43和第二导电部42接触的部分的厚度与第一导电部41的厚度的比值范围为2～5，可避免二者的厚度比值太小，在采用湿刻工艺形成第一导电部41的过程中，第三导电部43超出第二导电部42的部分几乎全部被刻蚀掉，也可避免二者的厚度比值太小，导致形成第三导电部43的过程中沉积导电材料所需的工艺时间延长。在一些实施例中，所述第三导电部43和所述第二导电部42接触的部分的厚度与所述第一导电部41的厚度的比值可为2、3、4、5等。

在一些实施例中，所述第三导电部43的材料与第一导电部41的材料相同。如此，在采用湿刻工艺形成第一导电部41的过程中，刻蚀液对第一导电部41所在的膜层的刻蚀速度与对述第三导电部43所在的膜层的刻蚀速度相同，更有助于保证采用湿刻工艺形成第一导电部41后第三导电部43超出第二导电部42。

在一些实施例中，如图1所示，所述第一电极21包括第四导电部211、位于所述第四导电部211背离所述衬底10一侧的第五导电部212及位于所述第五导电部212背离所述衬底10一侧的第六导电部213；所述第四导电部211与所述第一导电部41同层设置，所述第五导电部212与所述第二导电部42同层设置，所述第六导电部213与所述第三导电部43同层设置。需要说明的是，术语“A与B同层设置”是指A与B位于同一膜层的表面之上且均与该表面直接接触。在一些实施例中，A与B由同一膜层通过一次构图工艺形成。在一些实施例中，A与B位于同一膜层的表面之上且均与该表面直接接触，并且A与B具有基本相同的高度或厚度。如此，第四导电部211与第一导电部41可由同一膜层通过一次构图工艺形成，第五导电部212与第二导电部42可由同一膜层通过一次构图工艺形成，第六导电部213与第三导电部43可由同一膜层通过一次构图工艺形成，有助于简化显示基板的制备工艺。

在一些实施例中，如图1所示，所述第一电极21还包括位于所述第四导电部211朝向所述衬底10一侧的第七导电部214，所述隔离结构40还包括位于所述第一导电部41朝向所述衬底10一侧的第八导电部44；所述第七导电部214与所述第八导电部44同层设置。如此，第七导电部214与第八导电部44可由同一膜层通过一次构图工艺形成，有助于简化显示基板的制备工艺。在显示基板的制备过程中，首先形成第八导电部，之后在第八导电部上依次形成第一导电层、第二导电层和第三导电层，第一导电层、第二导电层和第三导电层在衬底上的正投影均覆盖衬底；随后刻蚀第一导电层、第二导电层和第三导电层以形成第一导电部、第二导电部和第三导电部。由于第二导电层形成于第一导电层背离衬底的一侧，可避免第二导电层直接与平坦化层直接接触导致二者应力不匹配，进而使第二导电层出现鼓包，影响后续形成的第二导电部和第六导电部的质量的情况。

在一些实施例中，所述第四导电部211、所述第五导电部212、所述第六导电部213及所述第七导电部214中至少一个导电部的材料为反射导电材料。例如，所述第四导电部211、所述第五导电部212及所述第七导电部214的材料可为透明导电材料，所述第六导电部213的材料为反射导电材料。第四导电部211、第五导电部212及第七导电部214的材料可包括氧化铟锌、氧化铟锡等中的至少一种，第六导电部213的材料可包括铜、银、铝合金等。

在一些实施例中，如图2及图3所示，所述第三导电部43在所述衬底10上的正投影落在所述第一导电部41在所述衬底10上的正投影内。所述发光材料层22在所述隔离结构40的侧壁处断开，相邻所述电极块24分别与同一所述隔离结构40搭接。通过设置第三导电部43在衬底10上的正投影落在第一导电部41在衬底10上的正投影内，更有助于电极块24与第一导电部41搭接。由于相邻的电极块24通过隔离结构的第一导电部41搭接，则电极层的各个电极块24最终电连接在一起，各个电极块24可共用一根电源线，有助于简化显示基板的线路。其中，所述第三导电部43在所述衬底10上的正投影落在所述第一导电部41在所述衬底10上的正投影内，指的是第三导电部43在衬底10上的正投影的面积与第一导电部41在衬底10上的正投影的面积相等，或者第三导电部43在衬底10上的正投影的面积小于第一导电部41在衬底10上的正投影的面积。其中图3为制备过程中的中间结构的示意图，图3中第三导电部43顶部形成有掩膜层94。

在一些实施例中，所述第三导电部43和所述第二导电部42接触的部分的厚度为第一厚度，所述第三导电部43超出所述第二导电部42的部分的厚度为第二厚度。如图2所示，第一厚度与第二厚度的差值为d1，所述第三导电部43超出所述第二导电部42的长度为d2，d2与d1的比值范围为10～40。如此设置，可避免d2与d1的比值太小，导致第三导电部43超出第二导电部42的长度太小，不能有效将发光材料层22隔断；也可避免d2与d1的比值太大，导致第三导电部43超出第二导电部42的部分厚度太小，第三导电部43超出第二导电部42的部分容易发生坍塌。在一些实施例中，d2与d1的比值可为10、15、20、25、30、35、40等。例如d2的范围为0.2μm～2μm；d1的范围为200埃～500埃。

在一些实施例中，第二厚度与第一厚度的比值范围为1/3～1/2。

在示例性实施例中，所述第三导电部43超出所述第二导电部42的部分长度约0.4um，第八导电部44的厚度约为1400埃，第一导电部41的厚度约为300埃，第二导电部42的厚度约为6000埃，第三导电部43与第二导电部42接触的部分的厚度约为920埃，第三导电部43超出第二导电部42的部分的厚度约为500埃。

在一些实施例中，第一导电部41、第二导电部42、第三导电部43及第八导电部44均通过湿刻工艺刻蚀得到。如图3所示，第一导电部41、第三导电部43及第八导电部44的侧面与衬底的表面之间的夹角分别为α1、α2、α3，α1、α2、α3的范围均为70°～90°；所述第二导电部的侧面为斜面，所述斜面与所述衬底的表面之间的夹角为α4，α4的范围为30°～80°。

在一些实施例中，所述辅助电极30与所述像素电路层50的至少一个导电结构同层设置。如此设置，辅助电极30可与像素电路层50的导电结构由同一膜层通过一次构图工艺形成，有助于简化显示基板的制备工艺。图1所示的实施例中，辅助电极30与像素电路层50的第一极513及第二极514同层设置。在其他实施例中，所述辅助电极30可与像素电路层50的栅极512同层设置。

在一些实施例中，如图4所示，所述隔离结构40在所述衬底10上的正投影与所述至少一个有机层503在所述衬底10上的正投影无交叠。在一些实施例中，所述像素电路层50的有机层可包括平坦化层54。如图5所示，所述隔离结构40与钝化层53直接接触，隔离结构40在所述衬底10上的正投影与平坦化层在所述衬底10上的正投影无交叠。图5所示的实施例中，隔离结构40在衬底上的正投影与钝化层53在衬底上的正投影存在部分交叠，隔离结构40部分与钝化层53接触，部分与层间介质层52接触。在另一些实施例中，如图6所示，所述隔离结构40包括第一类隔离结构401和第二类隔离结构402，所述第一类隔离结构401到所述第一电极21的距离小于所述第二类隔离结构402到所述第一电极21的距离；所述第一类隔离结构401在所述衬底10上的正投影与至少一个所述有机层503在所述衬底10上的正投影存在交叠，所述第二类隔离结构402在所述衬底10上的正投影与所述至少一个有机层503在所述衬底10上的正投影无交叠。

进一步地，如图7所示，所述至少一个有机层包括有机材料层502，所述第一类隔离结构401与包括顺次相连的第一部分411、第二部分412和第三部分413。所述第一部分411位于所述有机材料层502背离所述衬底10的一侧，所述第二部分412位于所述有机材料层的侧部，所述第三部分413在所述衬底10上的正投影与所述有机材料层502在所述衬底10上的正投影无交叠。图7所示的实施例中，所述有机材料层502为平坦化层54，第一类隔离结构401的第三部分413与钝化层53直接接触。

在一些实施例中，所述第一类隔离结构401部位位于发光区，部分位于透光区，第一类隔离结构401位于发光区的部分中第三导电部43超出第二导电部42，第一类隔离结构401位于透光区的部分中第三导电部43可超出第二导电部42，也可不超出第二导电部42。图7所示的实施例中，第一类隔离结构401的第三部分413位于透光区，第三部分413中，第三导电部43超出第二导电部42。

在一些实施例中，所述显示基板还包括位于第二电极背离衬底一侧的封装层，封装层在衬底上的正投影可覆盖衬底。封装层可以是薄膜封装层，薄膜封装层包括交替排布的无机层及有机层，且与衬底距离最大的膜层为无机层。

本申请实施例还提供了一种显示基板的制备方法。如图1所示，所述显示基板包括位于显示区的多个子像素，所述子像素包括第一电极、第二电极及位于所述第一电极与所述第二电极之间的发光材料层。

如图8所示，所述制备方法包括如下步骤110至步骤170。下面将对各步骤进行具体介绍。

在步骤110中，提供衬底。

其中，所述子像素的所述第二电极位于所述第一电极背离所述衬底的一侧。

在步骤120中，形成位于所述衬底上的辅助电极。

在一些实施例中，所述显示基板的制备方法还包括：形成位于所述衬底上的像素电路层。

在一些实施例中，所述形成位于所述衬底上的像素电路层之前，所述显示基板的制备方法还包括：形成位于衬底上的遮光层。像素电路层形成于遮光层背离衬底的一侧。形成遮光层、辅助电极及像素电路层之后可得到如图9所示的第一中间结构。

在一些实施例中，像素电路层包括多个导电结构，辅助电极与至少一个导电结构同层设置。

在一些实施例中，如图9所示，像素电路层50包括薄膜晶体管501和连接部515，薄膜晶体管501包括第一极513和第二极514，辅助电极30、连接部515、第一极513和第二极514同层设置。所述形成位于所述衬底上的像素电路层的步骤，可包括如下过程。其中需要说明的是，下面所述的“薄膜”是指将某一种材料在基底上利用沉积或涂覆工艺制作出的一层薄膜，其在衬底上的正投影覆盖衬底。

首先，在衬底10上沉积有源层薄膜，通过构图工艺对有源层薄膜进行构图，形成有源层511。

随后，沉积栅极绝缘薄膜，通过构图工艺对栅极绝缘薄膜进行构图，形成栅极绝缘层51。

随后，沉积第一金属薄膜，通过构图工艺对第一金属薄膜进行构图，形成位于栅极512。

随后，沉积层间介质层52，并在层间介质层52上形成贯穿层间介质层52的多个第一通孔、以及贯穿层间介质层52和缓冲层80的第二通孔，一个有源层511对应两个第一通孔，第一通孔暴露对应的有源层511的一部分，第二通孔暴露遮光层70的一部分。

随后，沉积第二金属薄膜，通过构图工艺对第二金属薄膜进行构图，形成第一极513、第二极514、辅助电极30和连接部515，第一极513和第二极514分别通过一个第一通孔与有源层511接触，第一极513与连接部515分别通过第二通孔与遮光层70电连接。

随后，依次沉积钝化层53和平坦化层54，并形成贯穿钝化层53和平坦化层54的第三通孔504，连接部515的部分区域被一个第三通孔504暴露，辅助电极30的部分区域被另一第三通孔504暴露。

在步骤130中，形成位于所述辅助电极背离所述衬底一侧的导电膜层，所述导电膜层包括第一导电层、位于所述第一导电层背离所述衬底一侧的第二导电层、以及位于所述第二导电层背离所述衬底一侧的第三导电层；所述第一导电层的厚度小于所述第三导电层的厚度。

在一些实施例中，所述第一电极包括第七导电部，所述隔离结构包括第八导电部。在步骤130之前，所述显示基板的制备方法还包括如下步骤：

首先，形成第四导电层，所述第四导电层在所述衬底上的正投影覆盖所述衬底。

随后，对所述第四导电层进行图形化处理，得到所述第七导电部和所述第八导电部。

通过上述步骤可得到如图10所示的第二中间结构。如图10所示，第七导电部214和第八导电部44位于像素电路层50上，第七导电部214通过第三通孔与连接部515电连接，第八导电部44通过第三通孔与辅助电极30电连接。

在步骤130之后，在第三导电层背离衬底的一侧设置掩膜层。掩膜层可由光刻胶经过曝光显影工艺得到。形成掩膜层后可得到如图11及图12所示的第三中间结构。如图11及图12所示，第一导电层91、第二导电层92及第三导电层93在衬底10上的正投影均覆盖衬底10。掩膜层94设有开孔941，可通过开孔941对第一导电层91、第二导电层92及第三导电层93进行刻蚀。

第一导电层91在衬底10上的正投影均覆盖衬底10，也即是第一导电层91覆盖第七导电部214、第八导电部44以及露出的平坦化层54，第二导电层92形成于第一导电层91背离衬底10的一侧，可避免第二导电层92直接与平坦化层54直接接触导致二者应力不匹配，进而第二导电层92出现鼓包，影响后续形成的第二导电部和第六导电部的质量的情况。

在步骤140中，对所述第三导电层进行刻蚀，得到第三导电部。

在该步骤中，可采用湿刻工艺对第三导电层进行刻蚀。

在该步骤中，得到第一导电部的同时得到所述第一电极的第六导电部。

通过该步骤可得到如图13所示的第四中间结构。如图13所示，第三导电部43和第六导电部213可均相对于掩膜层94内缩；第三导电部43在衬底上的正投影落在第八导电部44在衬底上的正投影内。进一步地，第三导电部43在衬底上的正投影的面积小于第八导电部44在衬底上的正投影的面积。

在步骤150中，对所述第二导电层进行刻蚀，得到第二导电部，所述第二导电部在所述衬底上的正投影落在所述第三导电部在所述衬底上的正投影内。

在该步骤中，得到第二导电部的同时得到所述第一电极的第五导电部。

通过该步骤可得到如图14所示的第五中间结构。如图14所示，第二导电部42相对于第三导电部43内缩。

在步骤160中，采用刻蚀液对所述第一导电层进行刻蚀，得到第一导电部；所述刻蚀液同时刻蚀所述第三导电部超出所述第二导电部的部分朝向所述衬底的表面，使所述第三导电部超出所述第二导电部的部分的厚度减小，得到包括所述第一导电部、所述第二导电部及所述第三导电部的隔离结构；所述隔离结构与所述辅助电极电连接。

在该步骤中，得到第一导电部的同时得到所述第一电极的第四导电部。

通过该步骤可得到如图15所示的第六中间结构。如图15所示，第一电极21包括在背离像素电路层50的方向上依次层叠设置的第七导电部214、第四导电部211、第五导电部212和第六导电部213；第四导电部211在衬底上的正投影与第七导电部214在衬底上的正投影可基本重合。隔离结构40包括在背离像素电路层50的方向上依次层叠设置的第八导电部44、第一导电部41、第二导电部42和第三导电部43；第一导电部41在衬底上的正投影与第八导电部44在衬底上的正投影可基本重合。第三导电部43超出第二导电部42的部分的厚度小于第三导电部43与第二导电部42接触的部分。第三导电部43在衬底上的正投影落在第一导电部41在衬底上的正投影内。进一步地，第三导电部43在衬底上的正投影的面积小于第一导电部41在衬底上的正投影的面积。

在一些实施例中，所述第一导电层91的材料与所述第三导电层93的材料相同。如此设置，采用刻蚀液刻蚀第一导电层91时，刻蚀液对第一导电层91和对第三导电部43超出第二导电部42的部分朝向衬底的表面的刻蚀速度相同，由于第三导电部的厚度等于第三导电层93的厚度，则第一导电层91的厚度小于第三导电部43的厚度，在对第一导电层91刻蚀形成第一导电部41后，第三导电部43超出第二导电部42的部分仅有部分厚度被刻蚀掉，仍可保证第三导电部43超出第二导电部42。

在一些实施例中，所述第三导电层的厚度与所述第一导电层的厚度的比值范围为2～5。

在步骤170中，形成电极层，所述电极层包括各所述子像素的第二电极，所述第二电极与所述隔离结构接触。

在一些实施例中，在步骤170之前，所述显示基本的制备方法还包括：形成像素限定层，像素限定层设有多个像素开口。

在一些实施例中，在步骤170之前，且在形成像素限定层之后，所述显示基板的制备方法还包括：形成发光材料层。发光材料层部分位于像素开口内。

通过步骤170可得到如图1所示的显示基板。如图1所示，像素限定层60覆盖第一电极21的边缘区域；发光材料层22部分位于像素限定层60的像素开口内；发光材料层22及电极层在隔离结构40的侧壁处断开，电极层被隔离结构40分割为多个电极块24，相邻的电极块24分别与同一所述隔离结构40的第一导电部41搭接。

本申请实施例提供的显示基板的制备方法，在对第一导电层进行刻蚀形成第一导电部之前，第三导电部超出第二导电部；由于第一导电层的厚度大于第三导电部的厚度，在对第一导电层进行刻蚀形成第一导电部的过程中同时对第三导电部超出第二导电部的部分朝向衬底的表面进行刻蚀，形成第一导电部后第三导电部仍超出第二导电部，则在刻蚀形成第一导电部之后不需要对第二导电部进行刻蚀来使第二导电部相对于第一导电部内缩，可简化显示基板的制备工艺，且可避免刻蚀第二导电部的过程中刻蚀液对位于子像素与衬底之间的像素电路的导电结构造成腐蚀，进而影响像素电路与第一电极的电连接，导致子像素不能被点亮的问题，提升显示基板的可靠性。

在一些实施例中，所述显示基板为透明显示基板。如图1所示，所述显示区包括发光区101及位于相邻发光区101之间的透光区102；所述子像素20位于发光区；所述隔离结构40位于所述透光区102。所述像素电路层包括至少一个有机层。

在一些实施例中，所述隔离结构在所述衬底上的正投影与所述至少一个有机层在所述衬底上的正投影无交叠。

在另一个实施例中，所述隔离结构包括第一类隔离结构和第二类隔离结构，所述第一类隔离结构到所述第一电极的距离小于所述第二类隔离结构到所述第一电极的距离；所述第一类隔离结构在所述衬底上的正投影与至少一个所述有机层在所述衬底上的正投影存在交叠，所述第二类隔离结构在所述衬底上的正投影与所述至少一个有机层在所述衬底上的正投影无交叠。

本申请实施例提供的显示基板的实施例及显示基板的制备方法的实施例属于同一发明构思，相关细节及有益效果的描述可互相参见，在此不再进行赘述。

本申请实施例还提供了一种显示装置，所述显示装置包括上述任一实施例所述的显示基板。

在一些实施例中，所述显示装置还包括外壳，显示基板嵌设在壳体内。

本申请实施例提供的显示装置可以为任意适当的显示装置，包括但不限于手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪、电子书等任何具有显示功能的产品或部件。

需要指出的是，在附图中，为了图示的清晰可能夸大了层和区域的尺寸。而且可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上”时，它可以直接在其他元件上，或者可以存在中间的层。另外，可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“下”时，它可以直接在其他元件下，或者可以存在一个以上的中间的层或元件。另外，还可以理解，当层或元件被称为在两层或两个元件“之间”时，它可以为两层或两个元件之间唯一的层，或还可以存在一个以上的中间层或元件。通篇相似的参考标记指示相似的元件。

本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的内容后，将容易想到本申请的其它实施方案。本申请旨在涵盖本申请的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本申请的一般性原理并包括本申请未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本申请的真正范围和精神由下面的权利要求指出。

应当理解的是，本申请并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本申请的范围仅由所附的权利要求来限制。

Claims (15)

1.一种显示基板，其特征在于，所述显示基板包括：

衬底；

位于所述衬底一侧的多个子像素，所述多个子像素位于显示区；所述子像素包括第一电极、位于所述第一电极背离所述衬底一侧的发光材料层及位于所述发光材料层背离所述衬底一侧的第二电极；

位于所述衬底一侧的辅助电极；

位于所述辅助电极背离所述衬底一侧的隔离结构；所述隔离结构包括第一导电部、位于所述第一导电部背离所述衬底一侧的第二导电部、及位于所述第二导电部背离所述衬底一侧的第三导电部；所述第二导电部在所述衬底上的正投影落在所述第三导电部在所述衬底上的正投影内，且所述第二导电部在所述衬底上的正投影的面积小于所述第三导电部在所述衬底上的正投影的面积；所述隔离结构与所述辅助电极电连接；所述第三导电部超出所述第二导电部的部分的厚度小于所述第三导电部与所述第二导电部接触的部分的厚度；所述隔离结构与所述第二电极电连接。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第三导电部与所述第二导电部接触的部分的厚度大于所述第一导电部的厚度。

3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述第三导电部和所述第二导电部接触的部分的厚度与所述第一导电部的厚度的比值范围为2～5。

4.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第三导电部在所述衬底上的正投影落在所述第一导电部在所述衬底上的正投影内；所述显示基板包括电极层，所述电极层包括各所述子像素的第二电极；所述电极层包括多个电极块，每一所述电极块包括一个或多个所述子像素的第二电极；相邻所述电极块分别与同一所述隔离结构搭接。

5.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一电极包括第四导电部、位于所述第四导电部背离所述衬底一侧的第五导电部及位于所述第五导电部背离所述衬底一侧的第六导电部；所述第四导电部与所述第一导电部同层设置，所述第五导电部与所述第二导电部同层设置，所述第六导电部与所述第三导电部同层设置。

6.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，所述第一电极还包括位于所述第四导电部朝向所述衬底一侧的第七导电部，所述隔离结构还包括位于所述第一导电部朝向所述衬底一侧的第八导电部；所述第七导电部与所述第八导电部同层设置。

7.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括位于所述衬底与所述子像素之间的像素电路层；所述像素电路层包括多个导电结构；所述辅助电极与至少一个所述导电结构同层设置。

8.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示区包括发光区及位于相邻发光区之间的透光区；所述子像素位于发光区；所述隔离结构位于所述透光区；所述显示基板还包括位于所述衬底与所述子像素之间的像素电路层，所述像素电路层包括至少一个有机层；

所述隔离结构在所述衬底上的正投影与所述至少一个有机层在所述衬底上的正投影无交叠。

9.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示区包括发光区及位于相邻发光区之间的透光区；所述子像素位于发光区；所述隔离结构位于所述透光区；所述显示基板还包括位于所述衬底与所述子像素之间的像素电路层，所述像素电路层包括至少一个有机层；

所述隔离结构包括第一类隔离结构和第二类隔离结构，所述第一类隔离结构到所述第一电极的距离小于所述第二类隔离结构到所述第一电极的距离；所述第一类隔离结构在所述衬底上的正投影与至少一个所述有机层在所述衬底上的正投影存在交叠，所述第二类隔离结构在所述衬底上的正投影与所述至少一个有机层在所述衬底上的正投影无交叠。

10.根据权利要求9所述的显示基板，其特征在于，所述至少一个有机层包括有机材料层，所述第一类隔离结构与包括顺次相连的第一部分、第二部分和第三部分，所述第一部分位于所述有机材料层背离所述衬底的一侧，所述第二部分位于所述有机材料层的侧部，所述第三部分在所述衬底上的正投影与所述有机材料层在所述衬底上的正投影无交叠。

11.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一导电部与所述第三导电部的材料相同。

12.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第三导电部和所述第二导电部接触的部分与所述第三导电部超出所述第二导电部的部分的厚度差为d1，所述第三导电部超出所述第二导电部的长度为d2，d2与d1的比值范围为10～40。

13.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第二导电部的侧面为斜面，所述斜面与所述衬底的表面之间的夹角范围为30°～80°。

14.一种显示基板的制备方法，其特征在于，所述显示基板包括位于显示区的多个子像素，所述子像素包括第一电极、第二电极及位于所述第一电极与所述第二电极之间的发光材料层；所述制备方法包括：

提供衬底；所述第二电极位于所述第一电极背离所述衬底的一侧；

形成位于所述衬底上的辅助电极；

形成位于所述辅助电极背离所述衬底一侧的导电膜层，所述导电膜层包括第一导电层、位于所述第一导电层背离所述衬底一侧的第二导电层、以及位于所述第二导电层背离所述衬底一侧的第三导电层；所述第一导电层的厚度小于所述第三导电层的厚度；

对所述第三导电层进行刻蚀，得到第三导电部；

对所述第二导电层进行刻蚀，得到第二导电部，所述第二导电部在所述衬底上的正投影落在所述第三导电部在所述衬底上的正投影内，且所述第二导电部在所述衬底上的正投影的面积小于所述第三导电部在所述衬底上的正投影的面积；

采用刻蚀液对所述第一导电层进行刻蚀，得到第一导电部；所述刻蚀液同时刻蚀所述第三导电部超出所述第二导电部的部分朝向所述衬底的表面，使所述第三导电部超出所述第二导电部的部分的厚度减小，得到包括所述第一导电部、所述第二导电部及所述第三导电部的隔离结构；所述隔离结构与所述辅助电极电连接；

形成所述第二电极，所述第二电极与所述隔离结构接触。

15.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求1至13任一项所述的显示基板。

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