CN109166981B - 有机发光装置及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
一种用于制造有机发光装置的方法包括:形成有机发光显示板,该有机发光显示板包括:衬底,设置在支承衬底上;有机发光元件,位于衬底上;以及薄膜封装膜,覆盖有机发光元件;将支承衬底从有机发光显示板分离;将底部保护膜附接至有机发光显示板的底部,底部保护膜包括配置成除去静电的第一除电层;将有机发光显示板切割成多个有机发光装置。
Description
分案申请声明
本申请是于2013年8月22日提交至国家知识产权局的第201310369989.9号且名称为“有机发光装置及其制造方法”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
所述技术基本上涉及有机发光装置及其制造方法。
背景技术
有机发光二极管(OLED)显示器包括多个OLED,其中OLED包括空穴注入电极、有机发射层、以及电子注入电极。通过当电子与空穴复合时所产生的激子从激发态落到基态时所产生的能量,每个OLED发出光。有机发光装置可用作照明装置、并且用作显示图像(例如,预定图像)的显示装置。
因为有机发光元件可由于诸如外界水分、氧气、或紫外线(UV)的外界因素或外力而退化,所以用于封装有发光元件的包封方法很重要。另外,有机发光二极管(OLED)显示器可制造成薄的或柔性的,以用于各种类型的应用。为封装有机发光元件和形成薄的和柔性有机发光二极管(OLED)显示器,已经开发出薄膜封装(TFE)方法。在薄膜封装中,显示区域通过在形成于衬底的显示区域中的有机发光元件之上交替堆叠无机层和有机层而覆盖有薄膜封装层。当包括薄膜封装层的有机发光二极管(OLED)显示器的衬底由柔性膜形成时,其可容易地弯曲并且可以是纤薄的。
当使用柔性膜衬底时,衬底安置在支承衬底上以在制造过程(包括平坦化过程)中支承有机发光装置。然而,当衬底从支承衬底处分离时,薄的、柔性的衬底可能会损坏。
此外,当操作具有柔性衬底的有机发光装置时,可能会遇到在使用刚性衬底的有机发光装置中不期望发生的电学问题。
背景部分中公开的以上信息仅用于增强对本发明背景的理解,因此其可以包括不形成在该国中对本领域的普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本发明的实施方式努力提供一种有机发光装置及其制造方法,该有机发光装置用于通过防止或减小物理损坏的可能性以及除去或释放衬底的静电而防止或减小驱动问题的可能性。
示例性实施方式提供了一种有机发光装置,其包括:衬底;有机发光元件,位于衬底上;薄膜封装膜,用于覆盖有机发光元件;以及底部保护膜,附接至衬底底部并包括配置成除去静电的第一除电层。
有机发光元件可包括:栅极线,位于衬底上并配置成传输扫描信号;数据线与驱动电压线,以绝缘方式与栅极线相交并配置成分别传输数据信号和驱动电压;开关薄膜晶体管,连接至栅极线和数据线;驱动薄膜晶体管,连接至开关薄膜晶体管和驱动电压线;像素电极,连接至驱动晶体管;有机发光构件,位于像素电极上;以及公共电极,位于有机发光构件上。
衬底可以为柔性衬底。
底部保护膜可包括:承载膜;以及粘合层,位于承载膜上,并且第一除电层可设于衬底与粘合层之间并与衬底相接触。
底部保护膜还可包括:承载膜;以及粘合层,位于承载膜上并与衬底相接触,并且承载膜和粘合层可设于衬底与第一除电层之间。
底部保护膜还可包括:第二除电层;承载膜,设于第二除电层上;以及粘合层,位于承载膜上,并且第一除电层可位于衬底与粘合层之间。
承载膜可包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚乙烯硫化物(PES)和聚乙烯(PE)之一。
承载膜可以为25μm到300μm厚。
粘合层可以为基于丙烯酰基的强粘合膜。
当待粘合物质为不锈钢(SUS)时,粘合层的粘合性可大于500gf/英寸。
有机发光装置还可包括位于承载膜与粘合层之间的光阻挡层与散热板中的至少一个。
另一实施方式提供了用于制造有机发光装置的方法,该方法包括:形成有机发光显示板,该有机发光显示板包括:衬底,设于支承衬底上、有机发光元件,位于衬底上、以及薄膜封装膜,覆盖有机发光元件;将支承衬底从有机发光显示板分离;将底部保护膜附接至有机发光显示板有机发光显示板的底部,该底部保护膜包括配置成除去静电的第一除电层;以及将有机发光显示板切割成多个有机发光装置。
衬底可以是柔性衬底。
底部保护膜可包括:承载膜;粘合层,位于承载膜上;以及第一除电层,位于粘合层上,以及附接底部保护膜可包括:提供具有附接至第一除电层的剥离膜的底部保护膜;以及将剥离膜从底部保护膜移除。
底部保护膜还可包括:第一除电层;承载膜,位于第一除电层上;以及粘合层,位于承载膜上,以及附接底部保护膜可包括:提供具有附接至粘合层的剥离膜的底部保护膜;以及将剥离膜从底部保护膜移除。
底部保护膜还可包括:第二除电层;承载膜,位于第二除电层上;粘合层,位于承载膜上;以及第一除电层,位于粘合层上,以及附接底部保护膜可包括:提供具有附接至第一除电层的剥离膜的底部保护膜;以及从底部保护膜分离剥离膜。
粘合层可以为基于丙烯酰基的强粘合膜。
当待粘合物质为不锈钢(SUS)时,粘合层的粘合性可大于500gf/英寸。
该方法还可包括:在承载膜与粘合层之间形成光阻挡层或散热板。
该方法还可包括:在将支承衬底从有机发光显示板分离之前,将顶部保护膜附接在有机发光显示板的薄膜封装膜上。
该方法还可包括:将有机发光显示板切割以将其分离成多个有机发光装置;以及移除顶部保护膜。
附图说明
图1示出了根据本发明的第一示例性实施方式的有机发光装置的剖视图。
图2示出了根据本发明的第一示例性实施方式的有机发光装置的像素的等效电路。
图3示出了根据第一示例性实施方式的有机发光装置的亮度相对于驱动电压的图,其中该有机发光装置包括用于显示装置的底部保护膜。
图4、图5、图6、图7、图8以及图9示出了用于制造根据第一示例性实施方式的有机发光装置的方法。
图10示出了附接至根据本发明的第二示例性实施方式的有机发光装置的底部保护膜的剖视图。
图11示出了根据第二示例性实施方式的有机发光装置的剖视图。
图12示出了附接至根据本发明的第三示例性实施方式的有机发光装置的底部保护膜的剖视图。
图13示出了根据第三示例性实施方式的有机发光装置的剖视图。
图14示出了附接至根据本发明的第四示例性实施方式的有机发光装置的底部保护膜的剖视图。
图15示出了根据第四示例性实施方式的有机发光装置的剖视图。
图16示出了根据本发明的第五示例性实施方式的有机发光装置的剖视图。
图17示出了根据本发明的第六示例性实施方式的有机发光装置的像素的等效电路图。
具体实施方式
在下文中将参照示出本发明的示例性实施方式的附图更加全面地描述本发明的各种实施方式。如本领域的技术人员可以理解的,本文中描述的实施方式可以以各种不同的方式进行修改,并且所有的这些实施方式都不背离本发明的精神或范围。
因此,附图和描述应认为实质上是说明性的而非限制性的,并且在整个说明书中相同附图标记表示相同元件。
另外,为了便于理解和描述方便起见,随意地示出了附图中的每一个组件的尺寸和厚度,但本发明的实施方式并不限于此。
在附图中,为了清晰起见,放大了层、膜、板、区域等的厚度。此外,在附图中,为了更好地理解和便于描述,放大了一些层和区域的厚度。应当理解当元件如层、膜、区域、或衬底被认为是“位于”另一元件上时,其可以直接位于另一元件上或者还可以存在插入的元件。
另外,除非明确地相反地说明,术语“包括(comprise)”及其变型如“包括(comprises)”或“包括(comprising)”应理解为是指包括所述元件但不排除任何其他元件。此外,应当理解当元件如层、膜、区域、或衬底被认为是“位于”另一元件上时,其可以直接位于另一元件上或者还可以存在插入的元件。
下面将参照图1、图2和图3描述根据本发明的第一示例性实施方式的有机发光装置。
图1示出了根据第一示例性实施方式的有机发光装置的剖视图,图2示出了根据第一示例性实施方式的有机发光装置的像素的等效电路,图3示出了根据第一示例性实施方式的有机发光装置的亮度相对于驱动电压的关系图,其中该有机发光装置包括用于显示装置的底部保护膜。
如图1和图2所示,有机发光装置包括用于显示图像的有机发光显示板100以及附接在有机发光显示板100之下的底部保护膜10。
有机发光显示板100包括:衬底20、有机发光元件30、薄膜封装膜40以及顶部保护膜50,其中有机发光元件30形成在衬底上,薄膜封装膜40用于覆盖有机发光元件,顶部保护膜50附接至薄膜封装膜40。
衬底20为透明衬底并可以为类似高分子膜的柔性衬底。
如图2中所示,有机发光元件30包括多个信号线121、171、和172,以及与它们相连的像素(PX)。像素(PX)可以是红色像素(R)、绿色像素(G)、以及蓝色像素(B)之一。信号线包括用于转输栅极信号(或扫描信号)的扫描信号线121、用于传输数据信号的数据线171、用于传输驱动电压的驱动电压线172。扫描信号线121基本上在行方向上延伸并且基本上彼此平行(例如,基本平行于联接至不同行中的其他像素PX的其他扫描信号线121),而数据线171基本上在列方向上延伸并且基本上彼此平行(例如,平行于联接至不同列中的其他像素PX的其他数据线171)。驱动电压线172被示出为基本上在列方向上延伸,但本发明的实施方式不限于此,其可以可替代地在行方向上或列方向上延伸或形成网格。
像素(PX)包括薄膜晶体管、存储电容器(Cst)以及有机发光元件(LD),其中薄膜晶体管包括开关晶体管(Qs)和驱动晶体管(Qd)。像素(PX)还可包括薄膜晶体管和电容器以补偿提供给有机发光元件的电流(例如,用于提供给有机发光元件的电流的变化)。
开关晶体管(Qs)包括控制端N1、输入端N2以及输出端N3,控制端N1连接至扫描信号线121,输入端N2连接至数据线171,而输入端N3连接至驱动晶体管(Qd)。开关晶体管(Qs)响应于由扫描信号线121提供的扫描信号将由数据线171提供的数据信号传输至驱动晶体管(Qd)。
驱动晶体管(Qd)包括控制端N3、输入端N4以及输出端N5,控制端N3连接至开关晶体管(Qs),输入端N4连接至驱动电压线172,并且输入端N5连接至有机发光元件(LD)。驱动晶体管(Qd)输出电流(ILD),其中该输出电流(ILD)通过在控制端N3与输出端N5之间的电压改变或控制。
电容器Cst连接在驱动晶体管(Qd)的输入端N4与控制端N3之间。电容器Cst为施加至驱动晶体管(Qd)的控制端N3的数据信号充电(或储存施加至驱动晶体管(Qd)的控制端N3的数据信号)并且当开关晶体管关闭时维持充电的或储存的数据信号。
有机发光元件(LD)为例如有机发光二极管(OLED),并且包括连接至驱动晶体管(Qd)的输出端N5的阳极和连接至电源电压(Vss)的阴极。有机发光元件(LD)通过发光来显示图像,光的强度取决于驱动晶体管(Qd)的输出电流(ILD)。有机发光元件(LD)可以包括用于发射原色(红、绿、以及蓝)中的至少一种的有机材料,并且有机发光装置通过相邻像素PX的颜色的空间总和显示期望的图像。
开关晶体管(Qs)和驱动晶体管(Qd)中的至少一个可以是p沟道场效应晶体管。并且,晶体管(Qs,Qd)之间的连接、电容器Cst以及有机发光元件(LD)在本发明的各种实施方式中可以有所不同。
薄膜封装膜40面朝衬底20并通过防止或阻挡氧气和水分从外部进入来保护有机发光元件30。
薄膜封装膜40由交替堆叠的至少一个有机层和至少一个无机层形成。
根据本发明的实施方式,有机层由聚合物形成,并且可以是由聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、环氧树脂、聚乙烯、以及聚丙烯酸酯中的一种形成的单层或堆叠层。在一个实施方式中,有机层可由聚丙烯酸酯形成,更详细地,有机层包括聚合的单体组合物,该聚合的单体组合物包括二丙烯酸盐单体和三丙烯酸盐单体。单丙烯酸盐单体可包括在单体组合物中。单体组合物中还可包括已知的光引发剂,诸如TPO(2,4,6-三甲基苯甲酰基-联苯-氧化膦(2,4,6-Trimethylbenzoyl-diphenyl-phosphineoxide)),但并不限于此。
无机层可以是包括金属氧化物或金属氮化物的单层或沉积层。更详细地,无机层可包括SiNx、Al2O3、SiO2、以及TiO2之一。薄膜封装膜40的外部暴露的最上层可由无机层形成,以防止或阻挡蒸汽渗透到有机发光元件30中。
在一个实施方式中,薄膜封装膜40可包括一个夹层配置,其中一个有机层插设在至少两个无机层之间。在另一实施方式中,薄膜封装膜40可包括至少一个夹层配置,其中至少一个无机层插设在至少两个有机层之间。
同样,薄膜封装膜40可循序地(按照从有机发光元件的顶部到底部的顺序)包括:第一无机层、第一有机层以及第二无机层。另外,薄膜封装膜40可循序地(按照从有机发光元件的顶部到底部的顺序)包括:第一有机层、第二无机层、第二有机层以及第三无机层。此外,薄膜封装膜40循序地(按照从有机发光元件的顶部到底部的顺序)包括:第一无机层、第一有机层、第二无机层、第二有机层、第三无机层、第三有机层以及第四无机层。
在一个实施方式中,有机发光元件与第一无机层之间包括金属卤化物层,该金属卤化物层包括LiF并且在根据溅射法或等离子沉积法形成第一无机层时防止或保护有机发光元件以防损坏。
第一有机层可比第二无机层窄(或薄),而第二有机层可比第三无机层窄(或薄)。此外,第一有机层可完全由第二无机层覆盖,而第二有机层可完全由第三无机层覆盖。
薄膜封装膜40在制造过程中可通过外来物质刺穿或刮擦而容易地损坏。该损坏可表现为缺陷,诸如显示器上的暗斑。为防止或减少薄膜封装膜40损坏的可能性,顶部保护膜50被附接至薄膜封装膜40。
顶部保护膜50可以与底部保护膜10类似的方式包括:承载膜、粘合层、以及剥离膜。因此,因为顶部保护膜50在制造过程中保护薄膜封装膜40,因此执行制造过程的一些条件可取消或放宽。
底部保护膜10包括:承载膜11、粘合层12、以及第一除电层13(或抗静电层),其中粘合层12形成在承载膜11上,第一除电层13附接至粘合层12并被配置为消除静电。承载膜11包括面对粘合层12的第一侧(11a)和暴露于外侧的第二侧(11b)。
承载膜11可包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚乙烯硫化物(PES)和聚乙烯(PE)之一。
承载膜11可以为25μm到300μm厚。当承载膜11的厚度小于25μm时,其非常薄并可能难以(不足以)起到用于保护有机发光装置底部的底部保护膜的作用,而当承载膜11的厚度大于300μm并且用于显示装置的底部保护膜被附接至有机发光装置时,有机发光装置难以为柔性的(例如,可减小有机发光装置的柔性)。
底部保护膜10永久地附接至衬底,因此粘合层12具有强粘合性。在制造过程中,不剥落或分离底部保护膜10,粘合层12可以为基于丙烯酰基的强粘合膜,并当待粘合材料为不锈钢(SUS)时,粘合层12的粘合性可大于500gf/英寸。
在粘合层12的排斥阻力提高(或较高)并且底部保护膜10被弯曲的情况下,有机发光显示板100的衬底20不与底部保护膜10分离。
第一除电层13由导电聚合物材料形成,例如,基于聚-(3,4)-乙烯-二羟基噻吩(PEDOT)的材料,并且通过凹版涂覆法其可形成20nm至100nm的厚度。当第一除电层13薄于20nm时,难以(不足以)执行用于防止静电的除电功能,并且当第一除电层13厚于100nm时,底部保护膜10变得比期望的更厚。第一除电层13消除在支承衬底(参照,例如图4中1)从衬底20处分离时所产生的静电(或防止静电放电),并防止或减小由于有机发光装置的薄膜晶体管的特性变化而发生在有机发光装置处的驱动问题的可能性,其中薄膜晶体管的特性变化由静电放电导致。
底部保护膜10附接至有机发光显示板100的衬底20的底部,其中剥离膜(参照图6中的14)从底部保护膜10处分离,更详细地,底部保护膜10的粘合层12和第一除电层13附接至衬底20。第一除电层13部分地覆盖粘合层12,使得粘合层12附接至衬底20。
因此,当底部保护膜10附接至衬底20的底部时,衬底20不直接接触外部(或外界环境),从而防止或避免衬底20的物理损坏并允许有机发光装置的容易操作。
同样,用于去除静电的第一除电层13形成在附接至衬底20的底部保护膜10上,从而防止或减少有机发光装置1000的不良驱动或显示缺陷(例如,叠纹或色差现象,即产生在屏幕中的类似于波纹、污迹或点图案的缺陷)的可能性,其中这些不良驱动或显示缺陷由当支承衬底从衬底20处分离时所产生的静电而导致。因此,防止了或减小了产生由于不良驱动或显示缺陷的视觉缺陷的色差现象产生的可能性。
图3示出了有机发光装置的亮度相对于驱动电压的比较示例图(A)以及有机发光装置的亮度相对于驱动电压的示例性实施方式图(B),在图(A)中没有形成第一除电层,而在图(B)中第一除电层根据本发明第一示例性实施方式形成。
如图3所示,不包括除电层13的传统有机发光装置(A)的饱和驱动电压为4.5V,而根据第一示例性实施方式的具有第一除电层13的有机发光装置(B)的饱和驱动电压为2.4V(低于4.5V),从而减小了在正常驱动操作过程中的驱动电压并减小了功耗。
另外,在饱和驱动电压下传统有机发光装置A的亮度为210cd/m2,而根据第一示例性实施方式的具有第一除电层13的有机发光装置(B)的亮度为305cd/m2,所以亮度增加了约31%。
因此,通过在底部保护膜10上形成第一除电层13,提高了有机发光装置的亮度并减小了功耗,所以增加了有机发光装置的效率。
下面将参照图4、图5、图6、图7、图8、以及图9描述用于制造根据第一示例性实施方式的有机发光装置的方法。
图4、图5、图6、图7、图8、以及图9循序地示出了用于制造根据第一示例性实施方式的有机发光装置的方法。
如图4所示,有机发光显示板100形成在支承衬底1上。支承衬底1用来允许容易地加工或处理有机发光显示板100。有机发光显示板100包括:衬底20、多个有机发光元件30、以及多个薄膜封装膜40,其中有机发光元件30形成在衬底20上并彼此分离(或间隔),薄膜封装膜40覆盖有机发光元件30。顶部保护膜50附接至薄膜封装膜40。如所描述的,多个有机发光元件30和多个薄膜封装膜40可以可分离地形成在有机发光显示板100中。有机发光显示板100在经过加工后被分成多个有机发光装置1000。
如图5所示,支承衬底1从有机发光显示板100处分离。在该情况下,由于有机发光显示板100与支承衬底1之间的摩擦,有机发光显示板100上可出现(或产生)静电。
如图6所示,提供了底部保护膜10。底部保护膜10包括承载膜11、形成在承载膜11上的粘合层12、附接至粘合层12并减小或防止粘合层12的固定的剥离膜14、以及形成在粘合层12与剥离膜14之间的第一除电层13,第一除电层13释放或除去静电。承载膜11包括第一侧11a和与第一侧11a相对的第二侧11b。
剥离膜14为用于防止或减少粘合层12的污染和外部接触的可能性的保护膜,并且其在底部保护膜10被附接至有机发光显示板100的衬底20的底部之前被移除,从而粘合层12可容易地附接至衬底20的底部。
当剥离膜14从粘合层12(强粘合膜)分离时,剥离膜14可能因粘合力而损坏,所以剥离膜14的内侧通过使用凹版涂覆法涂覆有0.1μm到2μm厚的硅树脂层,从而剥离膜14可容易地分离。
如图7所示,剥离膜14从底部保护膜10分离,并且底部保护膜10附接至有机发光显示板100的底部。底部保护膜10附接至有机发光显示板100的衬底20的底部,更详细地,底部保护膜10的粘合层12和第一除电层13附接至衬底20。第一除电层13部分地覆盖粘合层12,使得粘合层12可附接至衬底20。
在这种情况下,第一除电层13释放或除去产生在有机发光显示板100的衬底20之下的静电。因此,防止了或减小了由静电引起的有机发光装置薄膜晶体管的特性变化,并因此防止或减小了不良驱动或显示缺陷的可能性。
如图8所示,切割装置2用来将有机发光显示板100和底部保护膜10切割成多个有机发光装置1000。
如图9所示,顶部保护膜50被移除以完成有机发光装置1000。
在第一示例性实施方式中,第一除电层13形成在粘合层12与剥离膜14之间,并且还可能根据第二示例性实施方式在承载膜的外(或下)表面上形成第二除电层以及在剥离膜的外(或上)表面上形成第三除电层。
下面将参照图10和图11描述根据本发明的第二示例性实施方式的有机发光装置。
图10示出了附接至根据第二示例性实施方式的有机发光装置的底部保护膜的剖视图,图11示出了根据第二示例性实施方式的有机发光装置的剖视图。
第二示例性实施方式基本上与参照图1所示的第一示例性实施方式相似,除第二除电层之外,将不提供大体相似组件的重复描述。
如图10和图11所示,附接至根据第二示例性实施方式的有机发光装置的底部保护膜10包括:承载膜11;粘合层12,形成在承载膜11上;第一除电层13,附接至粘合层12;剥离膜14,形成在第一除电层13上;第二除电层16,形成在承载膜11的外(或下)表面上;以及第三除电层15,形成在剥离膜14的外(或上)表面上。第二除电层16和第三除电层15由导电聚合物材料形成,例如,基于聚-(3,4)-乙烯-二羟基噻吩(PEDOT)的材料,并且通过使用凹版涂覆法其可形成20nm至100nm的厚度。
当底部保护膜10附接至有机发光显示板100时,第一除电层13从衬底20除去或释放静电,以防止由静电引起的有机发光装置的显示缺陷或不良驱动,第二除电层16和第三除电层15防止或释放当底部保护膜10负载或传输时产生在底部保护膜10上的静电。
如图10所示,根据第二示例性实施方式的附接有底部保护膜10的有机发光装置包括:有机发光显示板100,用于显示图像;以及底部保护膜10,附接至有机发光显示板100的底部。剥离膜14从底部保护膜10处分离,底部保护膜10附接至有机发光显示板100的衬底20底部并包括:承载膜11;粘合层12,形成在承载膜11上;第一除电层13,形成在粘合层12上;以及第二除电层16,形成在承载膜11的外(或下)表面上。
当底部保护膜10附接至有机发光显示板100时,第一除电层13从衬底20除去或释放静电,以防止或减小由静电引起的有机发光装置的显示缺陷或不良驱动的可能性,第二除电层16防止或减小当底部保护膜10负载或移动时产生在底部保护膜10上的静电的可能性。
下面将参照图4、图5、图10、以及图11描述用于制造根据第二示例性实施方式的有机发光装置的方法。
如图4所示,有机发光显示板100形成在支承衬底1上。有机发光显示板100包括:衬底20、有机发光元件30、薄膜封装膜40以及顶部保护膜50,其中有机发光元件30形成在衬底上,薄膜封装膜40用于覆盖有机发光元件30,顶部保护膜50附接至薄膜封装膜40。
如图5所示,支承衬底1从有机发光显示板100处分离。在该情况下,由于有机发光显示板100与支承衬底1之间的摩擦,有机发光显示板100上可产生静电。
可制成或制造如图10所示的底部保护膜10。根据一实施方式,底部保护膜10这样制成:在承载膜11上形成粘合层12;在粘合层12上形成第一除电层13;将剥离膜14附接至第一除电层13;在承载膜11的外(或下)表面上形成第二除电层16;以及在剥离膜14上形成第三除电层15。
如图11所示,剥离膜14从底部保护膜10处分离,并且底部保护膜10附接至有机发光显示板100的底部。在这种情况下,第一除电层13除去或释放产生在有机发光显示板100的衬底20底部上的静电。因此,可防止由于静电的有机发光装置的不良驱动或显示缺陷(例如,叠纹现象,即产生在屏幕中的缺陷)或减小这种缺陷发生的可能性。
在第一示例性实施方式中,用于除去静电的第一除电层13形成在底部保护膜10上,以及根据第三示例性实施方式可在承载膜与粘合层之间形成光阻挡层。
下面将参照图12和图13描述根据本发明的第三示例性实施方式的有机发光装置。
图12示出了附接至根据第三示例性实施方式的有机发光装置的底部保护膜的剖视图,图13示出了根据第三示例性实施方式的有机发光装置的剖视图。
第三示例性实施方式基本上等同于参照图1所示的第一示例性实施方式,除增加了光阻挡层之外,所以将不提供大体相似组件的重复描述。
如图12所示,附接至根据第三示例性实施方式的有机发光装置的底部保护膜10包括:承载膜11;光阻挡层17,形成在承载膜11上;粘合层12,形成在光阻挡层上;第一除电层13,附接至粘合层12;以及剥离膜14,形成在第一除电层13上。
如图13所示,根据第三示例性实施方式的附接有底部保护膜10的有机发光装置包括:有机发光显示板100,用于显示图像;以及底部保护膜10,附接至有机发光显示板100的底部。底部保护膜10包括:承载膜11;光阻挡层17,形成在承载膜11上;粘合层12,形成在光阻挡层17上;以及第一除电层13,附接至粘合层12并除去或释放静电。剥离膜14从附接至有机发光显示板100的衬底20底部的底部保护膜10处分离,更详细地,底部保护膜10的粘合层12和第一除电层13附接至衬底20。第一除电层13部分地覆盖粘合层12,使得粘合层12可附接至衬底20。
这里,光阻挡层17防止或阻挡外部光从有机发光显示板100反射,以防止有机发光显示板100的底部反光或减少从有机发光显示板100的底部的反射。此外,光阻挡层17形成在底部保护膜10上并且没有附接附加的光阻挡膜,从而减小了有机发光显示板100的厚度(例如,当与传统有机发光显示板相比时)并且简化了制造过程。
在第三示例性实施方式中,光阻挡层17形成在承载膜11与粘合层12之间,并且在一些实施方式中,根据第四示例性实施方式,承载膜与粘合层之间形成有散热板。
下面将参照图14和图15描述根据本发明的第四示例性实施方式的有机发光装置。
图14示出了可附接至根据第四示例性实施方式的有机发光装置的底部保护膜10的剖视图,图15示出了根据第四示例性实施方式的有机发光装置的剖视图。
第四示例性实施方式基本上与参照图12和图13所示的第三示例性实施方式类似,除形成了散热板之外,所以将省略大体相似组件的重复描述。
如图14所示,附接至根据第四示例性实施方式的有机发光装置的底部保护膜10包括:承载膜11;散热板18,形成在承载膜11上;粘合层12,形成在散热板18上;第一除电层13,附接至粘合层12;以及剥离膜14,形成在第一除电层13上。此外,如图15所示,根据第四示例性实施方式的有机发光装置包括:有机发光显示板100,用于显示图像;以及底部保护膜10,附接至有机发光显示板100的底部。底部保护膜10包括:承载膜11;散热板18,形成在承载膜11上;粘合层12,形成在散热板18上;以及第一除电层13,附接至粘合层12并除去静电。剥离膜14从附接至有机发光显示板100的衬底20底部的底部保护膜10处分离,更详细地,底部保护膜10的粘合层12和第一除电层13附接至衬底20。第一除电层13部分地覆盖粘合层12,使得粘合层12可附接至衬底20。
这里,散热板18允许由有机发光显示板100产生的热能容易地释放或消散到外部,以提高有机发光装置的寿命以及减小由发热而引起的图像残留(image sticking)。另外,散热板18形成在底部保护膜10上并且没有附接附加的散热膜,从而减小了有机发光显示板100的厚度(例如,当与传统有机发光显示板相比时)并且简化了制造过程。
在第二示例性实施方式中,第二除电层形成在承载膜的外(或下)表面上,第三除电层形成在剥离膜的外(或上)表面上,并且还可以根据第五示例性实施方式在承载膜的外(或下)表面上形成第二除电层。
下面将参照图16描述根据第五示例性实施方式的有机发光装置。
图16示出了根据本发明第五示例性实施方式的有机发光装置的剖视图。
第五示例性实施方式基本上与参照图11所示的第二示例性实施方式类似,除形成了第二除电层之外,所以将省略大体相似组件的重复描述。
如图16所示,根据第五示例性实施方式的有机发光装置包括:有机发光显示板100,用于显示图像;以及底部保护膜10,附接至有机发光显示板100的底部。剥离膜14从附接至有机发光显示板100的衬底20底部的底部保护膜10处分离,并且其包括:第二除电层16;承载膜11,形成在第二除电层16上;以及粘合层12,形成在承载膜11上。
第二除电层16可防止或减少或释放当底部保护膜10被装载和移动时产生在底部保护膜10上的静电。
下面将参照图4、图5、以及图16描述用于制造根据第五示例性实施方式的有机发光装置的方法。
如图4所示,有机发光显示板100形成在支承衬底1上。有机发光显示板100包括:衬底20、有机发光元件30、薄膜封装膜40以及顶部保护膜50,其中有机发光元件30形成在衬底20上,薄膜封装膜40用于覆盖有机发光元件30,顶部保护膜50附接至薄膜封装膜40。
如图5所示,支承衬底1从有机发光显示板100处分离。在该情况下,由于有机发光显示板100与支承衬底1之间的摩擦,有机发光显示板100的衬底20上可出现静电。
如图16所示,提供了根据本发明一实施方式的底部保护膜10。底部保护膜10这样制造:在承载膜11上形成粘合层12;将剥离膜14附接至粘合层12;以及在承载膜11的外(或下)表面上形成第二除电层16。剥离膜14从底部保护膜10处分离,并且底部保护膜10附接至有机发光显示板100的底部。在这种情况下,第二除电层16防止当底部保护膜10被装载和移动时静电产生在底部保护膜10上(或释放静电)。
具有2晶体管1电容器结构(2tr-1cap-structured)的有机发光元件30包括在第一优选实施方式中,包括具有6晶体管1电容器结构(6tr-1cap-structured)的有机发光元件的第六优选实施方式在本发明的实施方式中也是可能的。
下面将参照图17更详细地描述根据第六实施方式的有机发光装置。
图17示出了根据本发明第六示例性实施方式的有机发光装置的像素的等效电路图。
第六实施方式基本上与参照图1和图2所示的第一示例性实施方式相似,除有机发光元件之外,并且将不提供大体相似组件的重复描述。
如图17所示,有机发光装置的有机发光元件30的像素1包括:多个信号线121、122、123、124、171以及172;连接至信号线的多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5以及T6;存储电容器Cst;以及有机发光二极管(OLED)。
晶体管包括:驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2、补偿薄膜晶体管T3、初始化薄膜晶体管T4、操作控制薄膜晶体管T5、以及发光控制薄膜晶体管T6。
信号线包括:扫描线121,用于传输扫描信号Sn;在先扫描线122,用于向初始化晶体管T4传输在先扫描信号Sn-1;发光控制线123,用于向操作控制晶体管T5和发光控制晶体管T6传输发光控制信号En;数据线171,与扫描线121相交并传输数据信号Dm;驱动电压线172,传输驱动电压ELVDD并沿基本上平行于数据线171的方向延伸;以及初始化电压线124,用于传输用于初始化驱动晶体管T1的初始化电压Vint。
驱动晶体管T1的栅极G1连接至存储电容器Cst的一端(或第一板)Cst1,驱动晶体管T1的源极S1通过操作控制晶体管T5连接至驱动电压线172,而驱动晶体管T1的漏极D1通过发光控制晶体管T6电连接至有机发光二极管(OLED)的阳极。驱动晶体管T1根据开关晶体管T2的开关操作接收数据信号Dm,以向有机发光二极管(OLED)供应驱动电流Id。
开关晶体管T2的栅极G2连接至扫描线121,开关晶体管T2的源极S2连接至数据线171,而开关晶体管T2的漏极D2在连接至驱动晶体管T1的源极S1的同时通过操作控制晶体管T5连接至驱动电压线172。开关晶体管T2根据通过扫描线121提供的扫描信号Sn导通,以执行用于将传输到数据线171的数据信号传输到驱动晶体管T1的源极的开关操作。
补偿晶体管T3的栅极G3连接至扫描线121,补偿晶体管T3的源极S3在连接至驱动晶体管T1的漏极D1的同时通过发光控制晶体管T6连接至有机发光二极管(OLED)的阳极,而补偿晶体管T3的漏极D3连接至存储电容器Cst的一端Cst1、初始化晶体管T4的漏极D4以及驱动晶体管T1的栅极G1。补偿晶体管T3根据通过扫描线121提供的扫描信号Sn导通,以将驱动晶体管T1的漏极D1与栅极G1连接并因此将驱动晶体管T1二极管连接(diode-connect)。
初始化晶体管T4的栅极G4连接至在先扫描线122,初始化晶体管T4的源极S4连接至初始化电压线124,而初始化晶体管T4的漏极D4连接至存储电容器Cst的一端Cst1、补偿晶体管T3的漏极D3以及驱动晶体管T1的栅极G1。初始化晶体管T4根据通过在先扫描线122提供的在先扫描信号Sn-1导通,以将初始化电压Vint传输至驱动晶体管T1的栅极G1,因此执行用于初始化驱动晶体管T1的栅极G1的电压的初始化操作。
操作控制晶体管T5的栅极G5连接至发光控制线123,操作控制晶体管T5的源极S5连接至驱动电压线172,而操作控制晶体管T5的漏极D5连接至驱动晶体管T1的源极S1及开关晶体管T2的漏极S2。
发光控制晶体管T6的栅极G6连接至发光控制线123,发光控制晶体管T6的源极S6连接至驱动晶体管T1的漏极D1及补偿晶体管T3的源极S3,发光控制晶体管T6的漏极D6电连接至有机发光二极管(OLED)的阳极。操作控制晶体管T5和发光控制晶体管T6根据通过发光控制线123提供的发光控制信号En导通,以将驱动电压ELVDD传输至有机发光二极管(OLED)并允许驱动电流Id流向有机发光二极管(OLED)。
存储电容器Cst的另一端部(或第二板)Cst2连接至驱动电压线172,有机发光二极管(OLED)的阴极连接至公共电压ELVSS。因此,有机发光二极管(OLED)从驱动晶体管T1接收驱动电流Id来发光,从而显示图像。
下面将更详细地描述根据第六示例性实施方式的有机发光装置的像素的具体操作过程。
首先,在初始化期间,处于低电平的在先扫描信号Sn-1通过在先扫描线122供应。然后,初始化晶体管T4根据处于低电平的在先扫描信号Sn-1导通,初始化电压Vint通过初始化晶体管T4从初始化电压线124提供给驱动晶体管T1的栅极,并且驱动晶体管T1通过初始化电压Vint而被初始化。
接着,在数据编程期间,处于低电平的扫描信号Sn通过扫描线121提供。然后,开关晶体管T2和补偿晶体管T3根据处于低电平的扫描信号Sn而导通。
在这种情况下,驱动晶体管T1通过导通的补偿晶体管T3而被二极管连接,并在向前方向上偏压。
然后,通过从自数据线171供应的数据信号Dm减去驱动晶体管T1的阈值电压Vth而获得的补偿电压Dm+Vth(Vth为负值)被施加至驱动晶体管T1的栅极。
驱动电压ELVDD和补偿电压Dm+Vth分别施加至存储电容器Cst的两端,并且对应于两端之间的电压差的电荷存储在存储电容器Cst中。然后,在发光期间从发光控制线123供应的发光控制信号En的电平从高电平变为低电平。然后,操作控制晶体管T5和发光控制晶体管T6通过在发光期间处于低电平的发光控制信号En而导通。
然后,根据驱动晶体管的栅极的电压与驱动电压ELVDD之间的差别而产生驱动电流Id,并且驱动电流Id通过发光控制晶体管T6提供给有机发光二极管(OLED)。驱动晶体管T1的栅极-源极电压Vgs在发光期间通过存储电容器Cst维持在(Dm+Vth)-ELVDD下,而根据驱动晶体管T1的伏安关系,驱动电流Id与通过从源极-栅极电压减去阈值电压而获得的值的平方(Dm-ELVDD)2成比例。因此,驱动电流Id以基本上独立于驱动晶体管T1的阈值电压Vth的方式而被确定(或可被控制)。
根据一示例性实施方式的有机发光装置将底部保护膜附接至衬底,以防止或减小衬底物理损坏的可能性。
另外,用于除去静电的第一除电层形成在底部保护膜上,以防止或减小由有机发光装置的薄膜晶体管的特性变化而引起的驱动问题的可能性,其中有机发光装置的薄膜晶体管的特性变化由当支承衬底从衬底处分离时所产生的静电引起。
虽然已经结合目前认为是可实施的示例性实施方式描述了本公开,但是应该理解本公开并不限于所公开的实施方式,而相反地旨在涵盖包括在所附权利要求的精神和范围内的各种修改和等同布置。
Claims (14)
1.有机发光装置,包括:
柔性衬底;
有机发光元件,位于所述柔性衬底上;
薄膜封装膜,覆盖所述有机发光元件;以及
底部保护膜,附接至所述柔性衬底的底部,所述底部保护膜包括用于阻挡外部光的光阻挡层和位于所述光阻挡层与所述柔性衬底之间的粘合层,
其中,所述底部保护膜还包括承载膜,所述光阻挡层位于所述承载膜与所述粘合层之间,以及
其中,所述底部保护膜还包括位于所述粘合层与所述承载膜之间的散热板。
2.如权利要求1所述的有机发光装置,其中,所述有机发光元件包括:
栅极线,位于所述柔性衬底上并配置成传输扫描信号;
数据线和驱动电压线,以绝缘方式与所述栅极线相交并配置成分别传输数据信号和驱动电压;
开关薄膜晶体管,连接至所述栅极线和所述数据线;
驱动薄膜晶体管,连接至所述开关薄膜晶体管和所述驱动电压线;
像素电极,连接至所述驱动薄膜晶体管;
有机发光构件,位于所述像素电极上;以及
公共电极,位于所述有机发光构件上。
3.如权利要求1所述的有机发光装置,其中,所述底部保护膜还包括第一除电层,所述第一除电层配置成除去静电,所述第一除电层位于所述柔性衬底与所述粘合层之间。
4.如权利要求1所述的有机发光装置,其中,所述承载膜包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚乙烯硫化物(PES)和聚乙烯(PE)之一。
5.如权利要求1所述的有机发光装置,其中,所述承载膜的厚度是25μm到300μm。
6.如权利要求1所述的有机发光装置,其中,所述粘合层是基于丙烯酰基的强粘合膜。
7.如权利要求6所述的有机发光装置,其中,当待粘合物质为不锈钢时,所述粘合层的粘性大于500gf/英寸。
8.用于制造有机发光装置的方法,包括:
形成有机发光显示面板,所述有机发光显示面板包括设置在支承衬底上的柔性衬底、位于所述柔性衬底上的有机发光元件和覆盖所述有机发光元件的薄膜封装膜;
将所述支承衬底与所述有机发光显示面板分离;
将底部保护膜附接至所述有机发光显示面板的底部,所述底部保护膜包括用于阻挡外部光的光阻挡层和位于所述光阻挡层与所述柔性衬底之间的粘合层;以及
将所述有机发光显示面板切割成多个有机发光装置,
其中,所述底部保护膜还包括承载膜,所述光阻挡层位于所述承载膜与所述粘合层之间,以及
其中,所述底部保护膜还包括位于所述粘合层与所述承载膜之间的散热板。
9.如权利要求8所述的方法,其中,所述底部保护膜的所述附接包括:
为所述底部保护膜提供附接至所述粘合层的剥离膜;以及
从所述底部保护膜去除所述剥离膜。
10.如权利要求9所述的方法,其中,所述底部保护膜还包括第一除电层,所述第一除电层配置为除去静电并且位于所述柔性衬底与所述粘合层之间。
11.如权利要求8所述的方法,其中,所述粘合层是基于丙烯酰基的强粘合膜。
12.如权利要求11所述的方法,其中,当待粘合物质为不锈钢时,所述粘合层的粘性大于500gf/英寸。
13.如权利要求8所述的方法,还包括在将所述支承衬底与所述有机发光显示面板分离之前将顶部保护膜附接到所述有机发光显示面板的薄膜封装膜上。
14.如权利要求13所述的方法,还包括切割所述有机发光显示面板以将所述有机发光显示面板分离成多个有机发光装置并且除去所述顶部保护膜。
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Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103384447B (zh) * | 2013-06-26 | 2016-06-29 | 友达光电股份有限公司 | 软性电子装置 |
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CN104167513A (zh) * | 2014-07-22 | 2014-11-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性显示面板的制作方法和柔性显示装置 |
KR102206027B1 (ko) * | 2014-10-06 | 2021-01-20 | 삼성전자주식회사 | 박막 형성 장치 및 이를 이용한 유기 발광 소자의 제조 방법 |
KR102388722B1 (ko) * | 2015-11-20 | 2022-04-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 |
KR101821782B1 (ko) * | 2016-03-11 | 2018-01-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 제조방법 및 디스플레이 장치 |
KR102550696B1 (ko) * | 2016-04-08 | 2023-07-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
CN105957869B (zh) * | 2016-06-22 | 2018-09-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 承载基板及其制作方法 |
KR20180018972A (ko) * | 2016-08-12 | 2018-02-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
CN107482041B (zh) | 2017-08-16 | 2020-04-24 | 武汉天马微电子有限公司 | 柔性显示面板与柔性显示装置 |
JP2019090879A (ja) * | 2017-11-13 | 2019-06-13 | 株式会社Joled | 表示装置および表示装置の製造方法 |
CN107978687B (zh) * | 2017-11-22 | 2020-06-05 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性oled显示面板的制备方法 |
KR102290629B1 (ko) * | 2018-07-27 | 2021-08-17 | 주식회사 엘지화학 | 점착제 조성물, 이를 포함하는 점착 필름, 점착 필름을 포함하는 백플레이트 필름 및 점착 필름을 포함하는 플라스틱 유기 발광 디스플레이 |
KR102293550B1 (ko) * | 2018-07-27 | 2021-08-24 | 주식회사 엘지화학 | 점착제 조성물, 이를 포함하는 점착 필름, 점착 필름을 포함하는 백플레이트 필름 및 점착 필름을 포함하는 플라스틱 유기 발광 디스플레이 |
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KR102290643B1 (ko) * | 2018-07-27 | 2021-08-17 | 주식회사 엘지화학 | 점착제 조성물, 이를 포함하는 점착 필름, 점착 필름을 포함하는 백플레이트 필름 및 점착 필름을 포함하는 플라스틱 유기 발광 디스플레이 |
KR102293935B1 (ko) * | 2018-07-27 | 2021-08-24 | 주식회사 엘지화학 | 점착제 조성물, 이를 포함하는 점착 필름, 점착 필름을 포함하는 백플레이트 필름 및 점착 필름을 포함하는 플라스틱 유기 발광 디스플레이 |
WO2020019312A1 (zh) * | 2018-07-27 | 2020-01-30 | 无锡艾克柏国际微电子科技有限公司 | 多层复合半导体基板结构及其制备方法 |
KR102290639B1 (ko) * | 2018-07-27 | 2021-08-17 | 주식회사 엘지화학 | 점착제 조성물, 이를 포함하는 점착 필름, 점착 필름을 포함하는 백플레이트 필름 및 점착 필름을 포함하는 플라스틱 유기 발광 디스플레이 |
KR20200094243A (ko) * | 2019-01-29 | 2020-08-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
CN110930880A (zh) * | 2019-11-27 | 2020-03-27 | 昆山国显光电有限公司 | 显示模组及显示模组制作方法 |
US11744107B2 (en) * | 2020-06-09 | 2023-08-29 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device including light-blocking layer directly attached to supporting member for improved visibility |
TWI757141B (zh) * | 2021-04-01 | 2022-03-01 | 友達光電股份有限公司 | 顯示裝置及其製造方法 |
CN113793860A (zh) * | 2021-07-13 | 2021-12-14 | 上海和辉光电股份有限公司 | 一种改善残影的柔性显示面板及其制备方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6265820B1 (en) * | 1998-01-29 | 2001-07-24 | Emagin Corporation | Heat removal system for use in organic light emitting diode displays having high brightness |
KR100714017B1 (ko) * | 2005-12-14 | 2007-05-04 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광표시장치 |
Family Cites Families (51)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS533274A (en) | 1976-06-28 | 1978-01-12 | Sanyo Electric Co Ltd | Charging device of electronic watch |
CN2101357U (zh) * | 1991-08-31 | 1992-04-08 | 符晓友 | 屏幕静电消除膜 |
JPH08137392A (ja) * | 1994-09-14 | 1996-05-31 | Petsutaa:Kk | ラベル連続体 |
JP3533274B2 (ja) | 1995-10-20 | 2004-05-31 | 藤森工業株式会社 | 偏光板または位相板の表面保護フィルム |
JPH09249866A (ja) * | 1996-03-19 | 1997-09-22 | Sekisui Chem Co Ltd | アクリル系粘着剤組成物 |
JP2001147441A (ja) * | 1999-11-19 | 2001-05-29 | Nec Corp | 横電界液晶表示装置 |
JP2001313164A (ja) * | 2000-04-28 | 2001-11-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子、それを用いた表示装置及び携帯端末 |
SG143946A1 (en) * | 2001-02-19 | 2008-07-29 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and method of manufacturing the same |
TW548860B (en) * | 2001-06-20 | 2003-08-21 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and method of manufacturing the same |
JP4712298B2 (ja) * | 2002-12-13 | 2011-06-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法 |
JP3902186B2 (ja) * | 2003-04-21 | 2007-04-04 | 日東電工株式会社 | 帯電防止型光学フィルム、その製造方法、及び画像表示装置 |
JP4131838B2 (ja) | 2003-05-16 | 2008-08-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP4241217B2 (ja) * | 2003-06-24 | 2009-03-18 | コニカミノルタエムジー株式会社 | 感光性分散乳剤、該感光性分散乳剤を含有する熱現像感光材料および該熱現像感光材料を用いる画像形成方法 |
KR100611226B1 (ko) * | 2003-11-25 | 2006-08-09 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 |
US20070222370A1 (en) * | 2003-12-30 | 2007-09-27 | Agency For Science, Technology And Research | Flexible Electroluminescent Devices |
JP2006004907A (ja) * | 2004-05-18 | 2006-01-05 | Seiko Epson Corp | エレクトロルミネッセンス装置及び電子機器 |
JP4741200B2 (ja) * | 2004-05-28 | 2011-08-03 | 共同印刷株式会社 | 有機elディスプレイ及びその製造方法 |
JP4744862B2 (ja) * | 2004-12-16 | 2011-08-10 | 東芝モバイルディスプレイ株式会社 | 表示装置の製造方法 |
KR100635501B1 (ko) | 2005-01-24 | 2006-10-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 |
US7541671B2 (en) * | 2005-03-31 | 2009-06-02 | General Electric Company | Organic electronic devices having external barrier layer |
CN101916763B (zh) * | 2005-09-30 | 2012-11-14 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件的制造方法 |
JP5063066B2 (ja) * | 2005-09-30 | 2012-10-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
KR100831562B1 (ko) | 2006-03-23 | 2008-05-21 | 주식회사 엘지화학 | 유연성 기판 반송용 점착제 조성물 |
KR20070121974A (ko) * | 2006-06-23 | 2007-12-28 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조방법 |
US7982380B2 (en) * | 2006-08-18 | 2011-07-19 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Front filter for plasma display and plasma display |
US7649666B2 (en) * | 2006-12-07 | 2010-01-19 | E Ink Corporation | Components and methods for use in electro-optic displays |
JP4971826B2 (ja) | 2007-02-23 | 2012-07-11 | 帝人デュポンフィルム株式会社 | 表面保護用粘着フィルム |
US7977877B2 (en) * | 2007-03-02 | 2011-07-12 | Global Oled Technology Llc | Flat panel OLED device having deformable substrate |
KR100824966B1 (ko) * | 2007-03-30 | 2008-04-28 | 한울정보기술(주) | 이엘 소자 |
US8182633B2 (en) * | 2008-04-29 | 2012-05-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of fabricating a flexible display device |
KR20090131460A (ko) | 2008-06-18 | 2009-12-29 | 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 캄파니 | 대전방지성 표면 보호 필름 |
KR100989114B1 (ko) | 2008-08-07 | 2010-10-20 | 도레이첨단소재 주식회사 | 대전방지 폴리에스테르 필름의 제조방법, 그로부터 제조된대전방지 폴리에스테르 필름 및 그 용도 |
EP2178133B1 (en) * | 2008-10-16 | 2019-09-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Flexible Light-Emitting Device, Electronic Device, and Method for Manufacturing Flexible-Light Emitting Device |
DE102008062130A1 (de) * | 2008-12-16 | 2010-06-17 | Tesa Se | Verfahren zur Kapselung einer elektronischen Anordnung |
KR20100072653A (ko) * | 2008-12-22 | 2010-07-01 | 엘지디스플레이 주식회사 | 상부 발광방식 유기전계발광소자 및 이의 제조방법 |
TWI607670B (zh) * | 2009-01-08 | 2017-12-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 發光裝置及電子裝置 |
KR101155907B1 (ko) | 2009-06-04 | 2012-06-20 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
US20110025196A1 (en) * | 2009-07-31 | 2011-02-03 | General Electric Company | Hermetic package with getter materials |
CN102013414A (zh) * | 2009-09-08 | 2011-04-13 | 群康科技(深圳)有限公司 | 软性显示器组件的制作方法 |
KR101084230B1 (ko) * | 2009-11-16 | 2011-11-16 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
JP5493791B2 (ja) * | 2009-12-09 | 2014-05-14 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置の製造方法 |
KR101108161B1 (ko) * | 2009-12-24 | 2012-01-31 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법 |
TWI504067B (zh) * | 2010-02-05 | 2015-10-11 | Chi Mei Comm Systems Inc | 多頻天線 |
KR101107176B1 (ko) * | 2010-02-08 | 2012-01-25 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR20110108697A (ko) * | 2010-03-29 | 2011-10-06 | 삼성전자주식회사 | 유기 발광 소자 및 이에 채용되는 편광 구조 장치 |
KR101003840B1 (ko) | 2010-03-29 | 2010-12-23 | 두성산업 주식회사 | 향상된 수직 열전도도, 수평 열전도도, 전자파 차폐능 및 전자파 흡수능을 가진 복합 기능 열확산 시트 |
KR20120057881A (ko) | 2010-11-29 | 2012-06-07 | 노바테크 (주) | 평판 디스플레이의 스크래치 방지를 위한 보호필름 부착 방법 및 필름 재활용방법 |
KR101174884B1 (ko) * | 2010-12-23 | 2012-08-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉시블 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법 |
KR101897743B1 (ko) * | 2011-06-01 | 2018-09-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
US8658444B2 (en) * | 2012-05-16 | 2014-02-25 | International Business Machines Corporation | Semiconductor active matrix on buried insulator |
KR102469186B1 (ko) * | 2015-04-30 | 2022-11-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉서블 유기 발광 표시 장치 및 플렉서블 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
-
2013
- 2013-07-12 US US13/941,448 patent/US20140061610A1/en not_active Abandoned
- 2013-08-05 JP JP2013162533A patent/JP6334864B2/ja active Active
- 2013-08-22 CN CN201810993930.XA patent/CN109166981B/zh active Active
- 2013-08-22 CN CN201310369989.9A patent/CN103682148B/zh active Active
- 2013-08-29 EP EP13182271.0A patent/EP2704198A1/en not_active Withdrawn
-
2017
- 2017-08-18 US US15/681,222 patent/US10658626B2/en active Active
-
2020
- 2020-04-09 US US16/844,978 patent/US11111347B2/en active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6265820B1 (en) * | 1998-01-29 | 2001-07-24 | Emagin Corporation | Heat removal system for use in organic light emitting diode displays having high brightness |
KR100714017B1 (ko) * | 2005-12-14 | 2007-05-04 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광표시장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10658626B2 (en) | 2020-05-19 |
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US20140061610A1 (en) | 2014-03-06 |
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