CN109037401A - 一种氮化镓基水平纳米柱壳核结构阵列led的制备方法 - Google Patents
一种氮化镓基水平纳米柱壳核结构阵列led的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109037401A CN109037401A CN201810643246.9A CN201810643246A CN109037401A CN 109037401 A CN109037401 A CN 109037401A CN 201810643246 A CN201810643246 A CN 201810643246A CN 109037401 A CN109037401 A CN 109037401A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- gallium nitride
- nano
- array
- nano column
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 62
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 40
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 23
- 239000002061 nanopillar Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 15
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims abstract description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 7
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 7
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 7
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 6
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 4
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 4
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000004049 embossing Methods 0.000 claims description 3
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 claims description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 abstract description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 5
- 230000005622 photoelectricity Effects 0.000 abstract description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 241000209094 Oryza Species 0.000 description 3
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 3
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 2
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
- H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
- H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
本发明公开了一种氮化镓基水平纳米柱壳核结构阵列LED的制备方法，制备形成的一个LED结构单元中包含：在蓝宝石上外延出非掺与掺杂氮化镓薄膜的基片；纳米压印制备的光栅阵列图形的SiO2掩膜层；MOCVD选区外延出的氮化镓基多量子阱壳核结构水平纳米柱阵列，其中壳为InGaN/GaN有源层和p型GaN；纳米柱阵列间隙的透明介质填充层；刻蚀出的台面及电极。本发明具有以下优点：使用纳米压印能克服传统光刻技术衍射极限制备出百纳米以下的窗口区；通过光栅阵列图形掩膜衬底结合MOCVD二次外延，实现纳米柱阵列的尺寸、位置精确控制；纳米柱阵列LED中纳米柱数量可根据功率需求灵活改变；本发明制备得到的结构在可见光通讯、高分辨智能显示及光电互联方面都有潜在的应用价值。
Description
技术领域
本发明属于纳米材料科学与技术和低维光电器件领域，提供了一种氮化镓基水平纳米柱壳核结构阵列LED的制备方法。
背景技术
近年来，半导体纳米柱、纳米线、量子点等低维量子结构受到国内外学术界及产业界的重点关注。纳米结构拥有较高的几何限制、大表体比、零位错等特点，在微纳光电器件、微纳光电集成等方面具有重要的应用前景。氮化镓基半导体材料为直接带隙半导体，该材料体系较宽的能带覆盖了从红外到紫外波段，因此氮化镓基纳米发光器件是实现光通讯、光电互联、高分辨智能显示的理想选择。
基于纳米线/纳米柱等结构的纳米尺度InGaN/GaN多量子阱LED相较于传统平面LED而言，其光学性能有很大的提升，纳米结构能在镜像力的作用下弯曲位错甚至实现结构中的零位错；大的表面积体积比有助于应力释放，削减量子限制斯塔克斯效应；纳米柱侧壁的非极性面/半极性面同样有助于削减该效应；其微腔效应能产生偏振度很高的光。这些显著的优势使得纳米柱LED 极有望替代现有的平面LED 用于显示屏幕的背光源。
如何实现单根或者阵列纳米柱LED，各国学者们采用了很多方法，如电子束曝光刻蚀、自组装纳米柱阵列、图形化衬底上垂直生长纳米柱阵列。电子束曝光工艺复杂且成本过高。自组装纳米柱阵列成本较低，但通过该方法获得的纳米柱尺寸、分布是随机的，不均匀性为该方法的应用造成了限制。竖直方向纳米柱阵列，例如公开号为CN107424912A，公开日为2017年12月1日，发明名称为“一种氮化镓基纳米柱阵列的制备方法”的中国发明专利文献，该种技术方案中，需要解决二次外延中宽高比的控制形成均匀的纳米柱阵列，但其主要的发光部位在侧壁非极性面，即m面，该晶面的量子阱沉积均匀性还没有解决，另外电极制备和载流子在纳米柱中的输运是另外的难点。
发明内容
本发明的目的是在利用纳米压印技术制备出的光栅结构阵列图形基片上选区外延水平分布纳米柱阵列基础上，使用MOCVD设备生长InGaN/GaN多量子阱作为包裹层形成壳核结构，通过透明介质配合实现大面积纳米柱阵列LED的制备方法，该方法优势是纳米柱尺寸及分布的精确控制，克服了自组织纳米柱生长的无序性和垂直纳米柱生长包裹层量子阱的不均匀性，降低了电极制备等工艺难度，有利于纳米柱壳核结构阵列LED的制备与应用。
本发明提供的技术方案如下：
一种氮化镓基水平纳米柱壳核结构阵列LED的制备方法，包括如下步骤：
1.准备外延片基片
外延片基片衬底为蓝宝石衬底，利用MOCVD外延高质量非掺杂氮化镓层（u-GaN）与掺杂Si的n型氮化镓层（n-GaN）之后，制成n-GaN/u-GaN/sapphire结构基片备用；
2.纳米压印制备光栅阵列图形
在基片表面利用PECVD沉积SiO2作为掩膜，其厚度为100nm；旋涂压印胶（TU2），使用纳米压印技术将模板上的光栅阵列图形转移至压印胶表面；使用ICP刻蚀机刻蚀SiO2，SiO2刻蚀深度为100nm，即刻蚀直至露出基片表面，即形成光栅阵列窗口形貌，用作后续MOCVD选区外延；
3.MOCVD选区外延形成水平分布纳米柱阵列
将制备完成带SiO2掩膜的光栅阵列图形衬底清洗后入炉，使用MOCVD设备进行选取外延，即在光栅阵列图形的窗口区进行生长，形成水平分布氮化镓纳米柱，其掺杂特性为硅掺杂形成的n型氮化镓，生长高度为200nm，即掩膜之上100nm；
4.多量子阱壳核结构
在水平分布氮化镓纳米柱阵列上外延GaN/InGaN/GaN 多量子阱结构与p型氮化镓作为包裹层，量子阱周期数为3，形成氮化镓基多量子阱壳核结构，完成MOCVD外延；
5.透明介质填充
将上述完成制备的外延片旋涂PMMA等透明介质，并结合电镜与减薄技术控制透明介质的厚度，刻蚀或者化学机械磨抛透明介质层表面，直至纳米柱顶部完全露出；
6.电极制备
利用光刻和干法刻蚀工艺对基片进行向下刻蚀，在氮化镓基水平分布壳核LED 结构纳米柱阵列的一侧形成台面，该台面的表面高度与基片上表面齐平，即n-GaN表面；利用光刻、蒸发和带胶剥离工艺，在基片的表面制备p 电极；在台面上制备n 电极，完成制备。
本发明具有如下特点：
（1）使用纳米压印克服传统光刻技术衍射极限制备出百纳米以下的窗口区；
（2）通过光栅阵列图形掩膜衬底结合MOCVD二次外延，实现纳米柱阵列的尺寸、位置精确控制，且相比于由传统垂直纳米柱阵列材料由外延过程确定纳米柱长度，宽高比存在一定波动，本发明提供的方法由光刻确定水平分布纳米柱阵列长度，使得器件长宽比更加均匀；
（3）纳米柱阵列LED中纳米柱数量可根据功率需求灵活改变；
（4）电极制备简洁。
本发明的有益效果如下：
本发明能制备大面积、低缺陷、尺寸位置精确控制的纳米柱阵列，利用SiO2作为掩膜的选区外延形成的水平分布的纳米柱阵列，进而生长多量子阱结构作为包裹层，所形成的纳米柱量子阱有源区主要在c面，可以解决现有竖直纳米柱量子阱包裹层不均性的问题；通过图形化精确控制纳米柱壳核结构尺寸及分布的方法能最大化降低后续工艺难度，采用氮化镓基纳米柱c面量子阱的工艺与传统LED芯片外延优化的MOCVD生长条件兼容，无需更复杂优化，即水平分布纳米柱阵列有源区相比于竖直纳米柱阵列更简单、更均匀；水平分布纳米柱壳核结构阵列LED中n型载流子扩散层与有源区距离仅为纳米柱的半径，能提高载流子的注入效率。
附图说明
图1为本发明的基片结构的侧面示意图。
图2为本发明PECVD沉积SiO2掩膜层后基片示意图。
图3-1为本发明纳米压印制备光栅阵列图形化衬底的俯视结构示意图。
图3-2为本发明纳米压印制备光栅阵列图形化衬底的侧视结构示意图。
图4为本发明选区外延纳米柱阵列截面示意图。
图5为本发明外延壳核结构纳米柱阵列截面示意图。
图6为本发明旋涂透明介质填充层示意图。
图7为本发明制备形成的含电极结构的纳米柱阵列LED示意图。
图中：L1为蓝宝石衬底；L2为非掺杂氮化镓层；L3为硅掺杂n型氮化镓层；L4为SiO2掩膜层；G4为刻蚀至n型氮化镓表面的光栅窗口； C41为硅掺杂n型纳米柱；C42为InGaN/GaN多量子阱与P型氮化镓材料包裹层；L5为透明介质填充层；N、P分别代表N电极与P电极。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采用的技术手段及功效，以下结合图例阐述本发明的具体实施方式。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
如图1所示，利用MOCVD在蓝宝石衬底L1上沉积高质量氮化镓薄膜作为基片。其中缓冲层与非掺杂氮化镓薄膜L2厚度为2.5微米；生长过程中通入硅烷SiH4作为掺杂源完成n型氮化镓薄膜L3外延，厚度为1.5微米。
如图2所示，使用PECVD设备沉积SiO2掩膜层L4，厚度为100纳米。
如图3所示，使用纳米压印技术结合ICP刻蚀制备光栅结构图形化衬底，具体步骤如下：
步骤1. 通过纳米压印将模板上的光栅阵列图形转移至基片上纳米压印胶层
步骤2. 去除残胶，以纳米压印胶为掩膜刻蚀二氧化硅掩膜层，直至刚好露出基片上n型氮化镓材料表面，形成窗口G4用于图形化基片的外延。
如图4所示，将图形化基片清洗、烘干后放入MOCVD设备进行二次选区外延，即在制备出的光栅状窗口生长出纳米柱C41，其顶面为c面，长度与宽度由光栅窗口G4尺寸控制，高度为200纳米，即高出掩膜L4表面100纳米。
如图5所示，在上述氮化镓纳米柱生长完成改变生长条件外延处InGaN/GaN多量子阱结构，然后生长出P型GaN材料作为包裹层C42，形成壳核纳米柱结构。
如图6所示，在外延片上旋涂透明介质层L5，例如PMMA，利用刻蚀技术去除多余介质层材料，使得壳核纳米柱顶部完全露出。
如图7所示，利用光刻和干法刻蚀工艺对基片进行向下刻蚀，在纳米柱阵列外延片的一侧形成台面，在刻蚀过程中，在台面区域完全刻蚀掉包括填充层与掩膜层，并抵达基片的n 型层L3表面；利用光刻、蒸发和带胶剥离工艺，在GaN 基LED 结构纳米柱阵列的表面制备p电极P，在台面上制备n 电极N，完成制备。
Claims (5)
1.一种氮化镓基水平纳米柱壳核结构阵列LED的制备方法，包括如下步骤：
步骤1：制备基片，在蓝宝石衬底上利用MOCVD设备外延非掺杂氮化镓层和N型掺杂氮化镓层，制成n-GaN/u-GaN/sapphire结构的基片备用；
步骤2：纳米压印制备图形化衬底，步骤为：
a）在所述基片上用PECVD方法沉积SiO2；
b）利用纳米压印技术将光栅阵列模板的图形转移至所述基片上，形成图形化压印胶；
c）利用转移成功后的图形化压印胶作为掩膜刻蚀所述基片，刻蚀至露出基片的n-GaN层窗口，露出的窗口呈条形窗口均匀分布；
步骤3：MOCVD选区外延水平氮化镓纳米柱阵列：SiO2作为掩膜进行MOCVD选取外延，在窗口区域生长氮化镓材料，即n-GaN，形成水平分布的氮化镓纳米柱阵列，氮化镓纳米柱阵列的顶部为c面；
步骤4：在步骤3的氮化镓纳米柱阵列上继续生长GaN/InGaN/GaN多量子阱结构及p型氮化镓，形成壳核结构；
步骤5：在步骤4形成的纳米柱壳核结构上生长完成后旋涂透明介质，并利用干法刻蚀或化学抛光反刻蚀填充层的表面，直至完全露出水平纳米柱阵列的顶端；
步骤6：利用光刻和干法刻蚀工艺对基片进行向下刻蚀， 在GaN基纳米柱壳核结构LED阵列的一侧形成台面，该台面的表面高度位于n-GaN层表面；利用光刻、蒸发和带胶剥离工艺，在基片的上表面制备p电极；在台面上制备n电极，完成制备。
2.根据权利要求1所述的一种氮化镓基水平纳米柱壳核结构阵列LED的制备方法，其特征在于：步骤2中，沉积的SiO2的厚度为100nm。
3.根据权利要求1所述的一种氮化镓基水平纳米柱壳核结构阵列LED的制备方法，其特征在于：步骤3中，所述形成的氮化镓纳米柱阵列的生长高度为200nm。
4.根据权利要求1所述的一种氮化镓基水平纳米柱壳核结构阵列LED的制备方法，其特征在于：步骤4中，所述生长的GaN/InGaN/GaN 多量子阱结构与p型氮化镓作为包裹层，量子阱周期数为3。
5.根据权利要求1所述的一种氮化镓基水平纳米柱壳核结构阵列LED的制备方法，其特征在于：步骤5中，所述透明介质为PMMA。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810643246.9A CN109037401A (zh) | 2018-06-21 | 2018-06-21 | 一种氮化镓基水平纳米柱壳核结构阵列led的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810643246.9A CN109037401A (zh) | 2018-06-21 | 2018-06-21 | 一种氮化镓基水平纳米柱壳核结构阵列led的制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN109037401A true CN109037401A (zh) | 2018-12-18 |
Family
ID=64610523
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201810643246.9A Pending CN109037401A (zh) | 2018-06-21 | 2018-06-21 | 一种氮化镓基水平纳米柱壳核结构阵列led的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN109037401A (zh) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110190086A (zh) * | 2019-06-05 | 2019-08-30 | 广东省半导体产业技术研究院 | 高压直流led或交流led及其制造方法 |
| CN110311021A (zh) * | 2019-06-27 | 2019-10-08 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 量子点发光二极管器件及其制备方法 |
| CN112018199A (zh) * | 2019-05-30 | 2020-12-01 | 南京信息工程大学 | 一种高质量非极性AlGaN微纳复合结构及其加工方法 |
| CN112086348A (zh) * | 2020-08-31 | 2020-12-15 | 上海华力微电子有限公司 | 双重图形氧化硅芯轴制备方法 |
| CN113013299A (zh) * | 2021-01-27 | 2021-06-22 | 华灿光电(苏州）有限公司 | 发光二极管外延片及其生长方法 |
| CN116936705A (zh) * | 2023-07-27 | 2023-10-24 | 星钥(珠海)半导体有限公司 | 一种rgb器件及其制备方法 |
Citations (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101443887A (zh) * | 2006-03-10 | 2009-05-27 | Stc.Unm公司 | Gan纳米线的脉冲式生长及在族ⅲ氮化物半导体衬底材料中的应用和器件 |
| CN101593675A (zh) * | 2008-05-28 | 2009-12-02 | 中国科学院半导体研究所 | 一种生长纳米折叠结构有源区外延片的方法 |
| CN102099918A (zh) * | 2008-07-09 | 2011-06-15 | 昆南诺股份有限公司 | 光电子半导体器件 |
| CN102194939A (zh) * | 2010-03-16 | 2011-09-21 | 大连美明外延片科技有限公司 | 一种氮化镓基led外延片及其生长方法 |
| CN102544279A (zh) * | 2010-12-28 | 2012-07-04 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 发光二极管及其形成方法 |
| CN103390705A (zh) * | 2013-07-24 | 2013-11-13 | 广州金鉴检测科技有限公司 | 一种控制量子阱膜层厚度外延生长的方法 |
| CN103931004A (zh) * | 2011-09-26 | 2014-07-16 | Glo公司 | 具有间隙空位的聚结纳米线结构及其制造方法 |
| CN104157761A (zh) * | 2014-08-30 | 2014-11-19 | 太原理工大学 | 一种提高光取出率的氮化镓基发光二极管结构及制备方法 |
| CN104810442A (zh) * | 2015-04-29 | 2015-07-29 | 华灿光电(苏州）有限公司 | 一种发光二极管外延片及其生长方法 |
| CN106159052A (zh) * | 2016-07-25 | 2016-11-23 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 一种发光二极管外延片及其制造方法 |
| CN206401345U (zh) * | 2016-07-25 | 2017-08-11 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 一种发光二极管外延片 |
| CN107251239A (zh) * | 2014-08-12 | 2017-10-13 | Glo公司 | 具有应变改性表面有源区域的iii价氮化物纳米线和其制造方法 |
| CN107359224A (zh) * | 2017-08-10 | 2017-11-17 | 湘能华磊光电股份有限公司 | 一种提升内量子效率的led外延生长方法 |
-
2018
- 2018-06-21 CN CN201810643246.9A patent/CN109037401A/zh active Pending
Patent Citations (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101443887A (zh) * | 2006-03-10 | 2009-05-27 | Stc.Unm公司 | Gan纳米线的脉冲式生长及在族ⅲ氮化物半导体衬底材料中的应用和器件 |
| CN101593675A (zh) * | 2008-05-28 | 2009-12-02 | 中国科学院半导体研究所 | 一种生长纳米折叠结构有源区外延片的方法 |
| CN102099918A (zh) * | 2008-07-09 | 2011-06-15 | 昆南诺股份有限公司 | 光电子半导体器件 |
| CN102194939A (zh) * | 2010-03-16 | 2011-09-21 | 大连美明外延片科技有限公司 | 一种氮化镓基led外延片及其生长方法 |
| CN102544279A (zh) * | 2010-12-28 | 2012-07-04 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 发光二极管及其形成方法 |
| CN103931004A (zh) * | 2011-09-26 | 2014-07-16 | Glo公司 | 具有间隙空位的聚结纳米线结构及其制造方法 |
| CN103390705A (zh) * | 2013-07-24 | 2013-11-13 | 广州金鉴检测科技有限公司 | 一种控制量子阱膜层厚度外延生长的方法 |
| CN107251239A (zh) * | 2014-08-12 | 2017-10-13 | Glo公司 | 具有应变改性表面有源区域的iii价氮化物纳米线和其制造方法 |
| CN104157761A (zh) * | 2014-08-30 | 2014-11-19 | 太原理工大学 | 一种提高光取出率的氮化镓基发光二极管结构及制备方法 |
| CN104810442A (zh) * | 2015-04-29 | 2015-07-29 | 华灿光电(苏州）有限公司 | 一种发光二极管外延片及其生长方法 |
| CN106159052A (zh) * | 2016-07-25 | 2016-11-23 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 一种发光二极管外延片及其制造方法 |
| CN206401345U (zh) * | 2016-07-25 | 2017-08-11 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 一种发光二极管外延片 |
| CN107359224A (zh) * | 2017-08-10 | 2017-11-17 | 湘能华磊光电股份有限公司 | 一种提升内量子效率的led外延生长方法 |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112018199A (zh) * | 2019-05-30 | 2020-12-01 | 南京信息工程大学 | 一种高质量非极性AlGaN微纳复合结构及其加工方法 |
| CN110190086A (zh) * | 2019-06-05 | 2019-08-30 | 广东省半导体产业技术研究院 | 高压直流led或交流led及其制造方法 |
| CN110190086B (zh) * | 2019-06-05 | 2021-07-27 | 广东省半导体产业技术研究院 | 高压直流led或交流led及其制造方法 |
| CN110311021A (zh) * | 2019-06-27 | 2019-10-08 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 量子点发光二极管器件及其制备方法 |
| WO2020258659A1 (zh) * | 2019-06-27 | 2020-12-30 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 量子点发光二极管器件及其制备方法 |
| CN112086348A (zh) * | 2020-08-31 | 2020-12-15 | 上海华力微电子有限公司 | 双重图形氧化硅芯轴制备方法 |
| CN112086348B (zh) * | 2020-08-31 | 2022-11-29 | 上海华力微电子有限公司 | 双重图形氧化硅芯轴制备方法 |
| CN113013299A (zh) * | 2021-01-27 | 2021-06-22 | 华灿光电(苏州）有限公司 | 发光二极管外延片及其生长方法 |
| CN113013299B (zh) * | 2021-01-27 | 2022-04-12 | 华灿光电(苏州）有限公司 | 发光二极管外延片及其生长方法 |
| CN116936705A (zh) * | 2023-07-27 | 2023-10-24 | 星钥(珠海)半导体有限公司 | 一种rgb器件及其制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN109037401A (zh) | 一种氮化镓基水平纳米柱壳核结构阵列led的制备方法 | |
| CN103608897B (zh) | 半导体薄膜结构以及其形成方法 | |
| CN101910050B (zh) | 相异材料上的纳米线生长 | |
| US7122827B2 (en) | Monolithic light emitting devices based on wide bandgap semiconductor nanostructures and methods for making same | |
| CN101830430B (zh) | 一种大面积、高度均匀有序量子点阵列制造方法 | |
| JP5838090B2 (ja) | オプトエレクトロニクス半導体デバイス | |
| CN102420277B (zh) | 一种制备高密度氮化镓量子点有源层结构的方法 | |
| CN103430329B (zh) | 用于制造光电子半导体芯片的方法 | |
| CN208738290U (zh) | 一种图形化衬底、led外延片 | |
| CN102754188B (zh) | 用于制造氮化镓晶片的方法 | |
| CN106480498B (zh) | 一种纳米图形衬底侧向外延硅基量子点激光器材料及其制备方法 | |
| WO2023202331A1 (zh) | 一种基于氮化铝镓材料的发光二极管外延结构及其制造方法 | |
| CN103151436B (zh) | 一种孔状GaN基光子晶体LED的制备方法 | |
| KR101023135B1 (ko) | 이중요철구조의 기판을 갖는 반도체 발광소자 및 그 제조방법 | |
| CN105206727A (zh) | InGaN/GaN多量子阱单纳米柱LED器件及其制备方法 | |
| CN110416372A (zh) | 一种面向micro-LED应用的无损微纳结构的制备方法 | |
| JP2008034483A (ja) | 化合物半導体素子およびそれを用いる照明装置ならびに化合物半導体素子の製造方法 | |
| CN102214748A (zh) | 一种氮化镓基垂直结构led外延结构及制造方法 | |
| CN105304737B (zh) | 一种可控阵列纳米线太阳能电池及其制备方法 | |
| CN106785913A (zh) | GaN基金属‑超薄氧化物‑半导体的复合结构纳米激光器及其制备方法 | |
| CN208861987U (zh) | 表面粗化的纳米孔led阵列芯片 | |
| CN101872820B (zh) | 具有纳米结构插入层的GaN基LED | |
| CN110335924A (zh) | 具有非极性、半极性面的图形蓝宝石衬底、可见光通信光源及其制备方法 | |
| US9972750B2 (en) | Use of dielectric film to reduce resistivity of transparent conductive oxide in nanowire LEDs | |
| CN211605177U (zh) | 一种图形化复合衬底及led外延片 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20181218 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |