CN110190086A - 高压直流led或交流led及其制造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 60
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 114
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 claims abstract description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 84
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 77
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 claims description 50
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 27
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 claims description 20
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 18
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 14
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 7
- 230000003447 ipsilateral effect Effects 0.000 claims description 6
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 6
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 claims description 4
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 claims description 4
- 230000003760 hair shine Effects 0.000 claims description 2
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 abstract description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 7
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 abstract description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 6
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 abstract description 3
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 abstract description 3
- 230000006798 recombination Effects 0.000 abstract description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 12
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 210000004209 hair Anatomy 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000026267 regulation of growth Effects 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
- H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
- H01L33/382—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending partially in or entirely through the semiconductor body
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
- H01L33/385—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending at least partially onto a side surface of the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0016—Processes relating to electrodes
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
本申请提供了一种高压直流LED或交流LED及其制造方法，涉及LED技术领域。本申请实施例中的高压直流LED或交流LED及其制造方法，器件的发光部分是以成核中心层为生长得到的，通过选区外延技术形成独立的发光单元，发光单元之间是相互分隔。在制备过程中，不使用刻蚀或切割工艺分割发光单元，有效的简化了高压直流LED或交流LED的制作工艺，显著的抑制了刻蚀或切割表面形成的非辐射复合中心。同时，制作过程中，将第一衬底去除，使用第二衬底提供支撑，可以避免第一衬底的吸光，提高高压直流LED或交流LED的出光率。
Description
技术领域
本申请涉及LED技术领域，具体而言，涉及一种高压直流LED或交流LED及其制造方法。
背景技术
发光二极管LED(Light Emitting Diode)是一种常用的发光器件，常规的LED是低电压的直流器件，在使用市电或其他较高电压的电源来驱动LED的时候，需要复杂的驱动电路来把电源的电压转化为LED所需的低压、直流电源，这显著地增加了系统的成本，不利于LED的推广使用。很多厂家开发出了交流(AC)LED器件或高压(HV)LED芯片或模块来解决这个问题。这些交流LED可以直接被交流的市电驱动，如果使用高压LED也可以显著降低从市电到LED电压所需驱动电路的复杂度，极大的降低了LED的使用成本。
LED可以使用硅衬底进行制作，硅衬底制作LED有很多优点，包括但不限于：硅衬底成本低廉，硅衬底可以实现很大的尺寸，而传统的蓝宝石或碳化硅衬底尺寸相对较小；硅材料加工技术很丰富，可以实现复杂的结构；但是硅衬底材料制作LED也存在巨大的挑战，重要的缺陷包括：硅衬底不透明，会吸收位于其上的GaN LED外延层所发出的光，导致出光效率的极大降低。硅衬底与GaN基外延层存在很大的晶格与热失配，容易造成生长时和生长后的外延片中存在很大的内应力，这容易导致外延片的破裂、外延层的龟裂等问题。传统的LED制造方法是在硅衬底上生长均一完整的GaN基LED外延层，由于外延薄膜是完整覆盖于硅衬底表面的，上述内应力所造成的效果十分显著。同时，如果要实现AC/HV等电学结构LED，传统的办法是通过刻蚀等办法制作形成一个个包含P/N电极的LED小岛，再把每个小岛通过特定的互联方式形成AC/HV LED结构。但是对于硅衬底通常具有较好的导电能力，在形成每个小岛间的互联结构时，还需要注意与硅衬底实现电绝缘，增加了工艺成本和难度。
发明内容
有鉴于此，本申请提供了一种高压直流LED及其制造方法。
本申请提供的技术方案如下：
一种高压直流LED或交流LED的制造方法，该方法包括：
提供第一衬底；
在所述第一衬底一侧生长成核中心层102和第一隔离层103；
在所述第一隔离层远离所述成核中心层一侧，以所述成核中心层进行选区生长氮化物材料，形成多个相间隔的电子传输层；
在所述电子传输层表面制作辐射层和空穴层(106)；
在所述空穴层的表面以及所述第一隔离层(103)的表面，制作P-型电极层(107)，相邻的所述电子传输层对应的P-型电极层相互绝缘；
基于所述P-型电极层制作N-型电极层，并在制作连接材料层后，再键合连接第二衬底，或者，基于所述P-型电极层直接制作所述连接材料层后，键合连接所述第二衬底；
去除所述第一衬底；
形成所述高压直流LED或交流LED的P-电极和N-电极，形成所述高压直流LED或交流LED。
进一步地，在所述空穴层的表面以及所述第一隔离层的表面，制作P-型电极层的步骤包括：
在所述空穴层的表面以及所述第一隔离层的表面覆盖电极材料；
去除相邻的所述电子传输层之间的部分所述电极材料，形成第一隔离槽，保留下的电极材料形成所述P-型电极层。
进一步地，基于所述P-型电极层制作N-型电极层，并在制作连接材料层后，再键合连接第二衬底的步骤包括：
制作贯穿每个所述电子传输层表面覆盖的P-型电极层、空穴层和辐射层的第二隔离槽，将所述电子传输层暴露；
制作覆盖所述P-型电极层、所述第一隔离槽以及覆盖所述第二隔离槽侧壁的第二隔离层，使相邻的所述电子传输层对应的P-型电极层所述第二隔离槽内的第二隔离层相互绝缘；
去除部分所述第二隔离层，形成暴露所述P-型电极层的第三隔离槽；
制作电极材料连接所述第二隔离槽暴露的电子传输层以及所述第三隔离槽暴露的P-型电极层，形成所述N-型电极层；
制作覆盖所述N-型电极层、第二隔离层的第三隔离层；
在所述连接材料层和第二衬底采用导电材料时，去除部分所述第三隔离层，暴露至少一个电子传输层对应的N-型电极层后；制作与暴露出的N-型电极层相连接的连接材料层，并基于所述连接材料层键合连接所述第二衬底；
在所述连接材料层和第二衬底采用绝缘材料时，在所述第三隔离层的表面制作所述连接材料层，并基于所述连接材料层键合连接所述第二衬底。
进一步地，在所述连接材料层和第二衬底采用导电材料时，形成所述高压直流LED或交流LED的P-电极和N-电极的步骤包括：
去除所述成核中心层的一部分；
从所述第一隔离层远离所述P-型电极层一侧，开设暴露所述P-型电极层的第一电极槽；
在所述第一电极槽内填充电极材料，形成所述P-电极；
将所述第二衬底作为所述N-电极。
进一步地，在所述连接材料层和第二衬底采用绝缘材料时，形成所述高压直流LED或交流LED的P-电极和N-电极的步骤包括：
去除所述成核中心层的一部分；
从所述第一隔离层远离所述P-型电极层一侧，开设暴露所述P-型电极层的第二电极槽，并开设暴露所述N-型电极层的第三电极槽；
在所述第二电极槽内填充电极材料，形成所述P-电极；
在所述第三电极槽内填充电极材料，形成所述N-电极。
进一步地，基于所述P-型电极层直接制作所述连接材料层后，键合连接所述第二衬底的步骤包括：
制作覆盖所述P-型电极层的第四隔离层；
在所述连接材料层和第二衬底采用导电材料时，去除部分所述第四隔离层，暴露至少一个电子传输层对应的P-型电极层后；制作与暴露出的P-型电极层相连接的连接材料层，并基于所述连接材料层键合连接所述第二衬底。
进一步地，在所述连接材料层和第二衬底采用导电材料时，形成所述高压直流LED或交流LED的P-电极和N-电极的步骤包括：
去除所述成核中心层，暴露所述电子传输层；
从所述第一隔离层远离所述P-型电极层一侧，开设暴露所述P-型电极层的第四电极槽；
将暴露出的所述电子传输层和所述第四电极槽暴露的P-型电极层相连接，形成所述N-电极；
所述第二衬底作为所述P-电极。
本申请还提供了一种高压直流LED或交流LED，包括：至少一个发光单元、第一隔离层、连接材料层和第二衬底，所述发光单元包括电子传输层、辐射层、空穴层、P-型电极层和N-型电极层，其中：
所述辐射层覆盖所述电子传输层的表面；
所述空穴层覆盖所述辐射层的表面；
所述P-型电极层覆盖所述空穴层的表面，相邻的发光单元的P-型电极层相互绝缘；
所述电子传输层、辐射层、空穴层、P-型电极层位于所述第一隔离层一侧，所述N-型电极层与所述P-型电极层位于所述第一隔离层的同侧或两侧，所述N-型电极层与所述P-型电极层相绝缘，所述N-型电极层与所述电子传输层相连接；
所述连接材料层覆盖所述发光单元，所述第二衬底位于所述连接材料层远离所述发光单元的一侧。
进一步地，当所述N-型电极层与所述P-型电极层位于所述第一隔离层的同侧时，该高压直流LED或交流LED还包括：
与所述P-型电极层连接的P-电极和与所述N-型电极层连接的N-电极。
进一步地，所述第二衬底和连接材料层为导电材料时，所述第二衬底作为所述N-电极。
本申请实施例中的高压直流LED或交流LED及其制造方法，器件的发光部分是以成核中心层为生长得到的，通过选区外延技术形成独立的发光单元，发光单元之间是相互分隔。在制备过程中，不使用刻蚀或切割工艺分割发光单元，有效的简化了高压直流LED或交流LED的制作工艺，显著的抑制了刻蚀或切割表面形成的非辐射复合中心。同时，制作过程中，将第一衬底去除，使用第二衬底提供支撑，可以避免第一衬底的吸光，提高高压直流LED或交流LED的出光率。
为使本申请的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为本申请实施例提供的一种高压直流LED或交流LED的制造方法的流程示意图。
图2和图3为本申请实施例提供的一种高压直流LED或交流LED的制造方法中步骤S102对应的器件的剖面示意图。
图4和图5为本申请实施例提供的一种高压直流LED或交流LED的制造方法中步骤S103对应的器件的剖面示意图。
图6为本申请实施例提供的一种高压直流LED或交流LED的制造方法中步骤S106中制作第二隔离槽对应的器件的剖面示意图。
图7为本申请实施例提供的一种高压直流LED或交流LED的制造方法中步骤S106中制作第三隔离槽对应的器件的剖面示意图。
图8为本申请实施例提供的一种高压直流LED或交流LED的制造方法中制作N-型电极层的剖面示意图。
图9为本申请实施例提供的一种高压直流LED或交流LED的制造方法中制作第三隔离层的剖面示意图。
图10为本申请实施例提供的一种高压直流LED或交流LED的制造方法中去除部分第三隔离层的剖面示意图。
图11和图12为本申请实施例提供的一种高压直流LED或交流LED的制造方法中制作连接材料层和第二衬底的结构示意图。
图13为本申请实施例提供的一种高压直流LED或交流LED的制造方法中制作第四隔离层的示意图。
图14为本申请实施例提供的一种高压直流LED或交流LED的制造方法中去除图11中第一衬底的示意图。
图15为图14所示结构去除第一衬底后的示意图。
图16为本申请实施例提供的一种高压直流LED或交流LED的制造方法中去除图12中第一衬底的示意图。
图17为图16所示结构去除第一衬底后的示意图。
图18为本申请实施例提供的一种高压直流LED或交流LED的制造方法中去除图13中第一衬底的示意图。
图19为图18所示结构去除第一衬底后的示意图。
图20至图29为本申请实施例提供的一种高压直流LED或交流LED的制造方法中形成P-电极和N-电极的示意图。
图30为本申请实施例提供的一种交流LED的电路示意图。
图31为本申请实施例提供的一种高压直流LED的电路示意图。
图32至34为本申请实施例提供的一种高压直流LED或交流LED的示意图。
图标：101-第一衬底；102-成核中心层；103-第一隔离层；104-电子传输层；105-辐射层；106-空穴层；107-P-型电极层；109-第二隔离层；111-N-型电极层；201-连接材料层；202-第二衬底；211-第三隔离层；212-第四隔离层；203-P-电极；204-N-电极；171-第一隔离槽；172-第二隔离槽；173-第三隔离槽；241-第一电极槽；242-第二电极槽；243-第三电极槽；244-第四电极槽。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。同时，在本申请的描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
本申请实施例提供了一种高压直流LED或交流LED的制造方法，如图1所示，该方法包括以下步骤。
步骤S101，提供第一衬底101。
步骤S102，如图2和图3所示，在所述第一衬底101一侧生长成核中心层102和第一隔离层103。
第一衬底101可以选择蓝宝石衬底、硅衬底或其他材质的衬底。成核中心层102和第一隔离层103可以通过不同制备方法形成如图2或图3所示的结构。在图2中，先基于第一衬底101生长第一隔离层103，再在第一隔离层103上形成通孔，在通孔内生长氮化物材料，形成成核中心层102。在图3中，先基于第一衬底101生长成核中心层102，再生长第一隔离层103，然后去除部分第一个隔离层，将成核中心层102暴露。成核中心层102可以采用氮化镓或其他三族氮化物材料，本申请不做限制。第一隔离层103可以采用二氧化硅、氮化硅等绝缘材料，第一隔离层103通常为非晶或多晶结构。为示例方便，本申请后续制备过程以图3所示的结构为后续制备基础。
步骤S103，在所述第一隔离层103远离所述成核中心层102一侧，以所述成核中心层102进行选区生长氮化物材料，形成多个相间隔的电子传输层104。
步骤S104，在所述电子传输层104表面制作辐射层105和空穴层106)。
步骤S105，在所述空穴层106的表面以及所述第一隔离层103)的表面，制作P-型电极层107，相邻的所述电子传输层104对应的P-型电极层107相互绝缘。
电子传输层104、辐射层105和空穴层106都可以采用三族氮化物材料制作，电子传输层104以成核中心层102选取生长，可以生长得到高质量的氮化物材料。多个电子传输层104在第一隔离层103的表明形成岛状结构，且相邻的电子传输层104之间相互隔离、彼此绝缘，或者说，从一个电子传输层104到相邻的电子传输层104具有很高的电阻。每个岛状结构的电子传输层104、辐射层105和空穴层106可以作为一个发光单元，形成具有三维结构的发光结构。
在制作完成空穴层106后，可以先如图4所示，在所述空穴层106的表面以及所述第一隔离层103的表面覆盖电极材料。再如图5所示，去除相邻的所述电子传输层104之间的部分所述电极材料，形成第一隔离槽171，保留下的电极材料形成所述P-型电极层107，保留下的P-型电极层107相互独立。
步骤S106，基于所述P-型电极层107制作N-型电极层111，并在制作连接材料层201后，再键合连接第二衬底202，或者，基于所述P-型电极层107直接制作所述连接材料层201后，键合连接所述第二衬底202。
在键合连接第二衬底202的过程中，可以先形成两种不同的结构。
其中一种制造方法，先如图6所示，制作贯穿每个所述电子传输层104表面覆盖的P-型电极层107、空穴层106和辐射层105的第二隔离槽172，将所述电子传输层104暴露。然后再如图6所示，制作覆盖所述P-型电极层107、所述第一隔离槽171以及覆盖所述第二隔离槽172侧壁的第二隔离层109，使相邻的所述电子传输层104对应的P-型电极层107所述第二隔离槽172内的第二隔离层109相互绝缘。第二隔离层109可以采用绝缘材料。然后如图7所示，去除部分所述第二隔离层109，形成暴露所述P-型电极层107的第三隔离槽173。再如图8所示，制作电极材料连接所述第二隔离槽172暴露的电子传输层104以及所述第三隔离槽173暴露的P-型电极层107，形成所述N-型电极层111。P-型电极层107和N-型电极层111可以采用透明导电材料或其他高反射率材料制作，如银、铝等。再如图8所示，N-型电极层111将一个电子传输层104与相邻的P-型电极层107相连接，对于同一个电子传输层104对应的P-型电极层107和N-型电极层111是相互绝缘的，如此，形成了多个LED单元的电极相互串联的结构，从而为制备高压直流LED或交流LED形成基础。
在制备完成N-型电极层111后，可以再如图9所示，制作覆盖所述N-型电极层111和第二隔离层109的第三隔离层211。在制作连接材料层201和第二衬底202时，其制备流程会根据连接材料层201和第二衬底202采用的不同材料有所区别。
在一种实施方式中，在所述连接材料层201和第二衬底202采用导电材料时，可以先如图10所示，去除部分所述第三隔离层211，暴露至少一个电子传输层104对应的N-型电极层111后，在图10中，仅将右侧第一个发光单元的N-型电极层111表面的第三隔离层211去除，在实际制作过程中，可以根据实际需要去除不同位置的第三隔离层211。然后再如图11所示，制作与暴露出的N-型电极层111相连接的连接材料层201，并基于所述连接材料层201键合连接所述第二衬底202。
在另一种实施方式中，在所述连接材料层201和第二衬底202采用绝缘材料时，如图12所示，在所述第三隔离层211的表面直接制作所述连接材料层201，并基于所述连接材料层201键合连接所述第二衬底202。
在P-型电极层107上制备有N-型电极层111时，连接材料层201和第二衬底202采用不同材料时，可以分别得到如图11和图12的结构。还可以不在P-型电极层107上制备N-型电极层111，而是直接制备连接材料层201和第二衬底202。如图13所示，先制作覆盖所述P-型电极层107的第四隔离层212。当不在P-型电极层107上制作N-型电极层111时，且在所述连接材料层201和第二衬底202采用导电材料时，同样可以形成类似图11的结构，通过去除部分所述第四隔离层212，暴露至少一个电子传输层104对应的P-型电极层107后，再制作与暴露出的P-型电极层107相连接的连接材料层201，并基于所述连接材料层201键合连接所述第二衬底202。
步骤S107，去除所述第一衬底101。
在完成第二衬底202的制作后，就可以将第一衬底101去除，以第二衬底202作为后续制备过程中的支撑结构。
图14为去除图11所示结构中的第一衬底101，得到如图15所示的结构。图16为去除图12所示结构中的第一衬底101，得到如图17所示的结构。图18为去除图13所示结构中的第一衬底101，得到如图19所示的结构。
步骤S108，形成所述高压直流LED或交流LED的P-电极203和N-电极204，形成所述高压直流LED或交流LED。
形成P-电极203和N-电极204的过程与连接材料层201和第二衬底202的不同而不同。
详细的，在一种实施方式中，在所述连接材料层201和第二衬底202采用导电材料时，即基于图15所示的结构中，形成所述高压直流LED或交流LED的P-电极203和N-电极204的步骤包括：先如图20所示，去除所述成核中心层102的一部分。再如图21所示，从所述第一隔离层103远离所述P-型电极层107一侧，开设暴露所述P-型电极层107的第一电极槽241。然后如图22所示，在所述第一电极槽241内填充电极材料，形成所述P-电极203。在这样的结构中，由于第二衬底202和连接材料层201采用导电材料，且第二衬底202和连接材料层201与N-型电极层111连接，那么就可以将所述第二衬底202作为所述N-电极204。
在另一种实施方式中，在所述连接材料层201和第二衬底202采用绝缘材料时，即在图17所示的结构中，在形成P-电极203和N-电极204的方法可以包括：先如图23所示，去除所述成核中心层102的一部分。再如图24所述，从所述第一隔离层103远离所述P-型电极层107一侧，开设暴露所述P-型电极层107的第二电极槽242，并开设暴露所述N-型电极层111的第三电极槽243。然后如图25所示，在所述第二电极槽242内填充电极材料，形成所述P-电极203；在所述第三电极槽243内填充电极材料，形成所述N-电极204。
在另一种实施方式中，如图19所示的结构中，所述连接材料层201和第二衬底202也采用导电材料，形成所述高压直流LED或交流LED的P-电极203和N-电极204的步骤包括：如图26所示，先去除所述成核中心层102，暴露所述电子传输层104，得到如图27所示的结构。再如图28所示，从所述第一隔离层103远离所述P-型电极层107一侧，开设暴露所述P-型电极层107的第四电极槽244。然后如图29所示，将暴露出的所述电子传输层104和所述第四电极槽244暴露的P-型电极层107相连接，形成所述N-电极204。由于第二衬底202和连接材料层201采用导电材料，所述第二衬底202作为所述P-电极203。
通过上述制备过程，可以制备得到如图22、图25和图29所示的高压直流LED或交流LED器件。在高压LED或交流LED中，多个发光单元可以形成串联或并联的形式，例如，多个发光单元可以连接形成如图30所示的交流LED结构，也可以连接形成如图31所示的高压直流LED结构。在这样的结构中都至少包含一组相互串联的发光单元，即两个发光单元的中一个发光单元的P-型电极层107与另一个发光单元中的N-型电极层111连接，形成串联结构。
本申请实施例还提供了一种高压直流LED或交流LED，如图32至图34所示，包括：至少一个发光单元、第一隔离层103、连接材料层201和第二衬底202，所述发光单元包括电子传输层104、辐射层105、空穴层106、P-型电极层107和N-型电极层111，其中：
所述辐射层105覆盖所述电子传输层104的表面；
所述空穴层106覆盖所述辐射层105的表面；
所述P-型电极层107覆盖所述空穴层106的表面，相邻的发光单元的P-型电极层107相互绝缘；
所述电子传输层104、辐射层105、空穴层106、P-型电极层107位于所述第一隔离层103一侧，所述N-型电极层111与所述P-型电极层107位于所述第一隔离层103的同侧或两侧，所述N-型电极层111与所述P-型电极层107相绝缘，所述N-型电极层111与所述电子传输层104相连接；
所述连接材料层201覆盖所述发光单元，所述第二衬底202位于所述连接材料层201远离所述发光单元的一侧。
当所述N-型电极层111与所述P-型电极层107位于所述第一隔离层103的同侧时，该发光器件还包括：
与所述P-型电极层107连接的P-电极203和与所述N-型电极层111连接的N-电极204。
所述第二衬底202和连接材料层201为导电材料时，所述第二衬底202作为所述N-电极204。
综上所述，本申请实施例中的高压直流LED或交流LED及其制造方法，器件的发光部分是以成核中心层102为生长得到的，通过选区外延技术形成独立的发光单元，发光单元之间是相互分隔。在制备过程中，不使用刻蚀或切割工艺分割发光单元，有效的简化了高压直流LED或交流LED的制作工艺，显著的抑制了刻蚀或切割表面形成的非辐射复合中心。同时，制作过程中，将第一衬底101去除，使用第二衬底202提供支撑，可以避免第一衬底101的吸光，提高高压直流LED或交流LED的出光率。
以上所述仅为本申请的优选实施例而已，并不用于限制本申请，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
以上所述，仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (10)
1.一种高压直流LED或交流LED的制造方法，其特征在于，该方法包括：
提供第一衬底；
在所述第一衬底一侧生长成核中心层和第一隔离层；
在所述第一隔离层远离所述成核中心层一侧，以所述成核中心层进行选区生长氮化物材料，形成多个相间隔的电子传输层；
在所述电子传输层表面制作辐射层和空穴层；
在所述空穴层的表面以及所述第一隔离层的表面，制作P-型电极层，相邻的所述电子传输层对应的P-型电极层相互绝缘；
基于所述P-型电极层制作N-型电极层，并在制作连接材料层后，再键合连接第二衬底，或者，基于所述P-型电极层直接制作所述连接材料层后，键合连接所述第二衬底；
去除所述第一衬底；
形成所述高压直流LED或交流LED的P-电极和N-电极。
2.根据权利要求1所述的高压直流LED或交流LED的制造方法，其特征在于，在所述空穴层的表面以及所述第一隔离层的表面，制作P-型电极层的步骤包括：
在所述空穴层的表面以及所述第一隔离层的表面覆盖电极材料；
去除相邻的所述电子传输层之间的部分所述电极材料，形成第一隔离槽，保留下的电极材料形成所述P-型电极层。
3.根据权利要求2所述的高压直流LED或交流LED的制造方法，其特征在于，基于所述P-型电极层制作N-型电极层，并在制作连接材料层后，再键合连接第二衬底的步骤包括：
制作贯穿每个所述电子传输层表面覆盖的P-型电极层、空穴层和辐射层的第二隔离槽，将所述电子传输层暴露；
制作覆盖所述P-型电极层、所述第一隔离槽以及覆盖所述第二隔离槽侧壁的第二隔离层，使相邻的所述电子传输层对应的P-型电极层所述第二隔离槽内的第二隔离层相互绝缘；
去除部分所述第二隔离层，形成暴露所述P-型电极层的第三隔离槽；
制作电极材料连接所述第二隔离槽暴露的电子传输层以及所述第三隔离槽暴露的P-型电极层，形成所述N-型电极层；
在所述N-型电极层和第二隔离层的表面制作第三隔离层；
在所述连接材料层和第二衬底采用导电材料时，去除部分所述第三隔离层，暴露至少一个电子传输层对应的N-型电极层后；制作与暴露出的N-型电极层相连接的连接材料层，并基于所述连接材料层键合连接所述第二衬底；
在所述连接材料层和第二衬底采用绝缘材料时，在所述第三隔离层的表面制作所述连接材料层，并基于所述连接材料层键合连接所述第二衬底。
4.根据权利要求3所述的高压直流LED或交流LED的制造方法，其特征在于，在所述连接材料层和第二衬底采用导电材料时，形成所述高压直流LED或交流LED的P-电极和N-电极的步骤包括：
去除所述成核中心层的一部分；
从所述第一隔离层远离所述P-型电极层一侧，开设暴露所述P-型电极层的第一电极槽；
在所述第一电极槽内填充电极材料，形成所述P-电极；
将所述第二衬底作为所述N-电极。
5.根据权利要求3所述的高压直流LED或交流LED的制造方法，其特征在于，在所述连接材料层和第二衬底采用绝缘材料时，形成所述高压直流LED或交流LED的P-电极和N-电极的步骤包括：
去除所述成核中心层的一部分；
从所述第一隔离层远离所述P-型电极层一侧，开设暴露所述P-型电极层的第二电极槽，并开设暴露所述N-型电极层的第三电极槽；
在所述第二电极槽内填充电极材料，形成所述P-电极；
在所述第三电极槽内填充电极材料，形成所述N-电极。
6.根据权利要求2所述的高压直流LED或交流LED的制造方法，其特征在于，基于所述P-型电极层直接制作所述连接材料层后，键合连接所述第二衬底的步骤包括：
制作覆盖所述P-型电极层的第四隔离层；
在所述连接材料层和第二衬底采用导电材料时，去除部分所述第四隔离层，暴露至少一个电子传输层对应的P-型电极层后；制作与暴露出的P-型电极层相连接的连接材料层，并基于所述连接材料层键合连接所述第二衬底。
7.根据权利要求6所述的高压直流LED或交流LED的制造方法，其特征在于，在所述连接材料层和第二衬底采用导电材料时，形成所述高压直流LED或交流LED的P-电极和N-电极的步骤包括：
去除所述成核中心层，暴露所述电子传输层；
从所述第一隔离层远离所述P-型电极层一侧，开设暴露所述P-型电极层的第四电极槽；
将暴露出的所述电子传输层和所述第四电极槽暴露的P-型电极层相连接，形成所述N-电极；
所述第二衬底作为所述P-电极。
8.一种高压直流LED或交流LED，其特征在于，包括：至少一个发光单元、第一隔离层、连接材料层和第二衬底，所述发光单元包括电子传输层、辐射层、空穴层、P-型电极层和N-型电极层，其中：
所述辐射层覆盖所述电子传输层的表面；
所述空穴层覆盖所述辐射层的表面；
所述P-型电极层覆盖所述空穴层的表面，相邻的发光单元的P-型电极层相互绝缘；
所述电子传输层、辐射层、空穴层、P-型电极层位于所述第一隔离层一侧，所述N-型电极层与所述P-型电极层位于所述第一隔离层的同侧或两侧，所述N-型电极层与所述P-型电极层相绝缘，所述N-型电极层与所述电子传输层相连接；
所述连接材料层覆盖所述发光单元，所述第二衬底位于所述连接材料层远离所述发光单元的一侧。
9.根据权利要求8所述的高压直流LED或交流LED，其特征在于，当所述N-型电极层与所述P-型电极层位于所述第一隔离层的同侧时，该高压直流LED或交流LED还包括：
与所述P-型电极层连接的P-电极和与所述N-型电极层连接的N-电极。
10.根据权利要求9所述的高压直流LED或交流LED，其特征在于，所述第二衬底和连接材料层为导电材料，所述第二衬底作为所述N-电极。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910487621.XA CN110190086B (zh) | 2019-06-05 | 2019-06-05 | 高压直流led或交流led及其制造方法 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN201910487621.XA CN110190086B (zh) | 2019-06-05 | 2019-06-05 | 高压直流led或交流led及其制造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110190086A true CN110190086A (zh) | 2019-08-30 |
| CN110190086B CN110190086B (zh) | 2021-07-27 |
Family
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910487621.XA Active CN110190086B (zh) | 2019-06-05 | 2019-06-05 | 高压直流led或交流led及其制造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN110190086B (zh) |
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