CN108982600A - 基于氧化镓/镓酸锌异质结纳米阵列的柔性气敏传感器及其制备方法 - Google Patents

基于氧化镓/镓酸锌异质结纳米阵列的柔性气敏传感器及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN108982600A
CN108982600A CN201810535389.8A CN201810535389A CN108982600A CN 108982600 A CN108982600 A CN 108982600A CN 201810535389 A CN201810535389 A CN 201810535389A CN 108982600 A CN108982600 A CN 108982600A
Authority
CN
China
Prior art keywords
film
znga
nano
array
hetero
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201810535389.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108982600B (zh
Inventor
杨丽娜
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dongying Ruigang Investment Promotion Service Co.,Ltd.
Original Assignee
Individual
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Individual filed Critical Individual
Priority to CN201810535389.8A priority Critical patent/CN108982600B/zh
Publication of CN108982600A publication Critical patent/CN108982600A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108982600B publication Critical patent/CN108982600B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
    • G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
    • G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
    • G01N27/125—Composition of the body, e.g. the composition of its sensitive layer
    • G01N27/127—Composition of the body, e.g. the composition of its sensitive layer comprising nanoparticles

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)

Abstract

本发明涉及一种基于氧化镓/镓酸锌异质结纳米阵列的柔性气敏传感器及其制备方法，包括Ti/Au电极，柔性玻璃纤维布衬底，位于柔性玻璃纤维布衬底上的ZnGa2O4薄膜，位于ZnGa2O4薄膜上的β‑Ga2O3纳米柱阵列；所述Ti/Au电极为两个，分别位于ZnGa2O4薄膜上方和位于β‑Ga2O3纳米柱阵列上方；所述ZnGa2O4薄膜与β‑Ga2O3纳米柱阵列之间构成氧化镓/镓酸锌异质结纳米阵列。本发明的传感器是MSSM型Ti/Au/β‑Ga2O3/ZnGa2O4/Ti/Au结构的异质结柔性气敏传感器，具有三维空间异质结界面结构，气敏特性稳定，柔性可弯曲，工作温度和功耗低，可用于柔性可穿戴乙醇气体检测，在工业酒精生产监测和酒驾检测等领域具有很大的应用前景。

Description

基于氧化镓/镓酸锌异质结纳米阵列的柔性气敏传感器及其 制备方法
技术领域
本发明属于气敏传感领域，具体涉及一种基于氧化镓/镓酸锌异质结纳米阵列的柔性气敏传感器及其制备方法。
技术背景
β-Ga2O3是一种宽禁带半导体材料(Eg＝4.9eV)，在高温条件下(550-600℃) 对H2、CO、烷烃类还原性和乙醇气体敏感，其电阻率随着气体浓度的改变而改变，是一种良好的高温半导体气敏材料。由于β-Ga2O3薄膜需要在高温700-800℃下合成，其气敏传感器件都是在刚性衬底上生长，比如硅片、蓝宝石和石英衬底等，这些器件都无法弯曲，限制了器件的应用范围。而目前大部分的柔性衬底都是高分子类化合物，无法承受高温，因此，急需寻找一种耐高温的柔性衬底作为制作氧化镓柔性气敏传感器件的基底。
随着人们对电子设备需求的提升，可穿戴电子设备的应用越来越广泛，而这类电子产品需要可弯曲的柔性器件，提高电子设备的便捷性和设计的自由度。到目前为止，很少有关于柔性β-Ga2O3基柔性气敏传感器的报道，虽有已有实验报道(中国专利CN201710012296.2)基于柔性氧化镓纳米带的日盲紫外光电探测器，但是此类探测器是将事先合成的氧化镓纳米带转移到柔性基底上，具有电极制作难度大，稳定性差，与基底贴合不牢固等缺点。
发明内容
本发明的目的是提供一种性能稳定，柔性可弯曲，工作温度和功耗低，可用于柔性可穿戴乙醇气体检测的气敏传感器及其制备方法。
本发明的技术方案为：一种基于氧化镓/镓酸锌异质结纳米阵列的柔性气敏传感器，其特征在于，包括Ti/Au电极，柔性玻璃纤维布衬底，位于柔性玻璃纤维布衬底上的ZnGa2O4薄膜，位于ZnGa2O4薄膜上的β-Ga2O3纳米柱阵列；所述 Ti/Au电极为两个，分别位于ZnGa2O4薄膜上方和位于β-Ga2O3纳米柱阵列上方；所述ZnGa2O4薄膜与β-Ga2O3纳米柱阵列之间构成氧化镓/镓酸锌异质结纳米阵列。
优选地，所述ZnGa2O4薄膜的厚度为1.0-1.5μm；β-Ga2O3纳米柱的直径为50-100nm，长度为300～500nm。
更为优选地，所述β-Ga2O3纳米柱阵列的分布面积小于ZnGa2O4薄膜的面积，位于ZnGa2O4薄膜上方的Ti/Au电极与β-Ga2O3纳米柱阵列位于ZnGa2O4薄膜的同一侧。
具体地，所述Ti/Au电极由Ti薄膜和Au薄膜构成，Au薄膜位于Ti薄膜的上方，Ti薄膜的厚度为30-50nm，Au薄膜的厚度为60-80nm。
本发明还包括一种基于氧化镓/镓酸锌异质结纳米阵列的柔性气敏传感器，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一，对玻璃纤维布衬底进行清洗，清洗过程如下：将衬底依次浸泡到丙酮、乙醇、去离子水中各超声10分钟，取出后再用去离子水冲洗，最后用干燥的N2气吹干，待用；
步骤二，把ZnO和Ga2O3靶材分别放置在磁控溅射沉积系统的靶台位置，将步骤一处理后的玻璃纤维布衬底固定在样品托上，放进真空腔；
步骤三，ZnO薄膜的制备：将腔体抽真空，调整真空腔内的压强，通入氩气，加热玻璃纤维布衬底，利用磁控溅射法沉积一层ZnO薄膜，形成ZnO薄膜/玻璃纤维布衬底，取出待用，其中，ZnO靶材与玻璃纤维布衬底的距离设定为5厘米，抽真空后腔体压强为1×10-6Pa，加热玻璃纤维布衬底时腔体压强为1.0-1.5Pa；步骤四，在步骤三所得的ZnO薄膜/玻璃纤维布衬底放置于加热台，设置加热台的温度为100℃，将一粒Ga金属放置于ZnO薄膜上方，待镓金属融化，利用载玻片将液体Ga金属压印成片，形成Ga/ZnO/玻璃纤维布衬底，冷却后，放入磁控溅射沉积系统的样品托上；
步骤五，β-Ga2O3纳米柱阵列的制备：将腔体抽真空，通入氩气，调整真空腔内的压强，再通入氧气，加热Ga/ZnO/玻璃纤维布衬底，开启Ga2O3靶射频电源，利用磁控溅射法在镓金属片表面的镓液滴上原位生长β-Ga2O3纳米柱阵列，并进行原位高温退火，使ZnO/Ga薄膜氧化成ZnGa2O4薄膜，其中，Ga2O3靶材与玻璃纤维布衬底的距离设定为5厘米，抽真空后腔体压强为1×10-4Pa，通入氩气后，真空腔的压强为0.8-1.0Pa，通入氧气后，真空腔的压强调整为103Pa；
步骤六，利用掩膜版并通过射频磁控溅射技术在步骤五所得的β-Ga2O3纳米柱阵列和ZnGa2O4薄膜上面各沉积一层Ti/Au薄膜作为上下电极，其中，溅射工艺条件：抽真空后腔体压强为1×10-4Pa，衬底温度为室温，工作气氛为Ar气，工作气压为0.8-1.0Pa，溅射功率为60-80W，Ti和Au薄膜的溅射时间分别为2和5 min。
具体地，所述步骤三中加热玻璃纤维布衬底的温度为400-500℃，溅射功率为80-100W，沉积时间为0.5-1.0小时。
作为优选，所述步骤五中加热Ga/ZnO/玻璃纤维布衬底的温度为700-800℃，溅射功率为60-80W，沉积时间为1-1.5小时，高温退火温度为700-800℃，退火时间为1.0-1.5小时。
具体地，步骤五采用磁控溅射法制备β-Ga2O3纳米柱阵列。在700-800℃的高温加热下，镓金属薄膜表面形成镓金属液滴，通过磁控溅射在镓金属液滴上生长β-Ga2O3纳米柱阵列，同时，Ga/ZnO薄膜在氧气氛围下缓慢氧化形成ZnGa2O4薄膜。其中，镓作为自催化剂可以催化镓金属层在高温下形成氧化镓纳米材料，另一方面Ga/ZnO薄膜缓慢氧化形成ZnGa2O4薄膜，可以作为阵列生长基底，使得形成的氧化镓纳米柱有序、分布均匀。
本发明方法制备的一种基于氧化镓/镓酸锌异质结纳米阵列的柔性气敏传感器，是一种三维空间构造的异质结界面结构，还包含纳米柱阵列结构，可以最大限度的接触气体分子。该结构属于n-n同型半导体异质结，其中窄禁带(ZnGa2O4) 一侧的空间电荷区是电子积累层，宽禁带(β-Ga2O3)一侧是耗尽层，在界面处可以形成第二种能带结构，可以实现电子空穴对的快速分离，加快与吸附在异质结表面的有机气体分子反应，大大提高了材料的气敏特性；同时，该异质结可以使器件的工作温度从纯β-Ga2O3纳米棒的600℃降低至异质结结构的200℃以下，降低了工作温度和功耗。
本发明的基于氧化镓/镓酸锌异质结纳米阵列的柔性气敏传感器，性能稳定，可用于柔性可穿戴VOC气体检测，在室内甲醛气体、工业酒精生产监测以及酒驾的检测等领域具有很大的应用前景。
本发明的有益效果：
(1)本发明的基于氧化镓/镓酸锌异质结纳米阵列的柔性气敏传感器，将ZnGa2O4薄膜和β-Ga2O3纳米柱阵列进行三维空间的复合，形成两相异质界面，有助于β-Ga2O3中的电子向窄带隙半导体(ZnGa2O4)的导带转移，避免了电子- 空穴对的复合，从而提高β-Ga2O3/ZnGa2O4异质结的气敏特性。
(2)本发明的基于氧化镓/镓酸锌异质结纳米阵列的柔性气敏传感器，具有β-Ga2O3纳米柱阵列结构，提高了材料的比表面积，有助于吸附更多的有机气体分子，大大增加了气敏传感器的灵敏度。
(3)本发明的基于氧化镓/镓酸锌异质结纳米阵列的柔性气敏传感器，性能稳定，柔性可弯曲、与衬底的结合力强，可用于柔性可穿戴VOC气体检测，在室内甲醛气体、工业酒精生产监测以及酒驾的检测等领域具有很大的应用前景。
(4)本发明的基于氧化镓/镓酸锌异质结纳米阵列的柔性气敏传感器，可以准确检测浓度在0.5-150ppm的乙醇气体。
(5)本发明的基于氧化镓/镓酸锌异质结纳米阵列的柔性气敏传感器可以使器件的工作温度从纯β-Ga2O3纳米棒的600℃降低至异质结结构的200℃以下，降低了工作温度和功耗。
(6)本发明的基于氧化镓/镓酸锌异质结纳米阵列的柔性气敏传感器的制备方法，利用磁控溅射法和压涂法制备β-Ga2O3/ZnGa2O4异质结纳米柱阵列，方法简单，制备的β-Ga2O3/ZnGa2O4异质结尺寸可控。
(7)本发明的基于氧化镓/镓酸锌异质结纳米阵列的柔性气敏传感器的制备方法，采用可弯曲、可折叠、耐高温、绝缘性好的玻璃纤维布作为柔性衬底，并在此衬底上原位生长氧化镓/镓酸锌异质结纳米阵列，制作成便捷性的、可穿戴的柔性气敏传感器件；该方法工艺可控性强，易操作，柔性可弯曲、可大面积制备、重复性好、与衬底的结合力强。
附图说明
图1是基于β-Ga2O3/ZnGa2O4异质结纳米阵列的柔性气敏传感器的结构示意图；
图2是β-Ga2O3/ZnGa2O4异质结纳米阵列的XRD图谱；
图3是β-Ga2O3/ZnGa2O4异质结纳米阵列的SEM照片；
图4是基于β-Ga2O3/ZnGa2O4异质结纳米阵列的柔性气敏传感器在200℃工作温度下对不同浓度乙醇气体的气敏特性曲线。
其中，1-Ti/Au电极；2-柔性玻璃纤维布衬底；3-ZnGa2O4薄膜；4-β-Ga2O3纳米柱阵列。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的内容进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。居于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1
基于氧化镓/镓酸锌异质结纳米阵列的柔性气敏传感器的制备方法，包括以下步骤：
(1)对玻璃纤维布衬底进行清洗，清洗过程如下：将衬底依次浸泡到丙酮、乙醇、去离子水中各超声10分钟，取出后再用去离子水冲洗，最后用干燥的N2气吹干，待用；
(2)把ZnO和Ga2O3靶材分别放置在磁控溅射沉积系统的靶台位置，将步骤(1) 处理后的玻璃纤维布衬底固定在样品托上，放进真空腔；
(3)ZnO薄膜的制备：将腔体抽真空，调整真空腔内的压强，通入氩气，加热玻璃纤维布衬底，利用磁控溅射法沉积一层ZnO薄膜，取出待用，其中，ZnO 靶材与玻璃纤维布衬底的距离设定为5厘米，抽真空后腔体压强为1×10-6Pa，加热玻璃纤维布衬底时腔体压强为1.0Pa，加热玻璃纤维布衬底的温度为400℃，溅射功率为100W，沉积时间为1.0小时；
(4)在步骤(3)所得的ZnO薄膜/玻璃纤维布衬底放置于加热台，设置加热台的温度为100℃，将一粒Ga金属放置于ZnO薄膜上方，待镓金属融化，利用载玻片将液体Ga金属压印成片，冷却后，放入磁控溅射沉积系统的样品托上；
(5)β-Ga2O3纳米柱阵列的制备：将腔体抽真空，通入氩气，调整真空腔内的压强，再通入氧气，加热Ga/ZnO/玻璃纤维布衬底，开启Ga2O3靶射频电源，利用磁控溅射法在镓金属片表面的镓液滴上原位生长β-Ga2O3纳米柱阵列，并进行原位高温退火，使ZnO/Ga薄膜氧化成ZnGa2O4薄膜，其中，Ga2O3靶材与玻璃纤维布衬底的距离设定为5厘米，抽真空后腔体压强为1×10-4Pa，通入氩气后，真空腔的压强为0.8Pa，通入氧气后，真空腔的压强调整为103Pa，加热Ga/ZnO/ 玻璃纤维布衬底的温度为700℃，溅射功率为60W，沉积时间为1小时，高温退火温度为700℃，退火时间为1小时；
(6)利用掩膜版并通过射频磁控溅射技术在步骤(5)所得的β-Ga2O3纳米柱阵列和ZnGa2O4薄膜上面各沉积一层Ti/Au薄膜作为上下电极，其中，溅射工艺条件：抽真空后腔体压强为1×10-4Pa，衬底温度为室温，工作气氛为Ar气，工作气压为1.0Pa，溅射功率为80W，Ti和Au薄膜的溅射时间分别为2和5min。
即获得基于氧化镓/镓酸锌异质结纳米阵列的柔性气敏传感器，其结构如图1 所示，包括Ti/Au电极1，柔性玻璃纤维布衬底2，位于柔性玻璃纤维布衬底2 上的ZnGa2O4薄膜3，位于ZnGa2O4薄膜3上的β-Ga2O3纳米柱阵列4；所述Ti/Au 电极1为两个，分别位于ZnGa2O4薄膜3上方和位于β-Ga2O3纳米柱阵列4上方；所述ZnGa2O4薄膜3与β-Ga2O3纳米柱阵列4之间构成氧化镓/镓酸锌异质结纳米阵列。所述β-Ga2O3纳米柱阵列4的分布面积小于ZnGa2O4薄膜3的面积，位于 ZnGa2O4薄膜3上方的Ti/Au电极1与β-Ga2O3纳米柱阵列4位于ZnGa2O4薄膜3的同一侧。
将步骤(5)得到的样品进行XRD表征，如图2所示，由图可知，在玻璃纤维布上成功制备获得了β-Ga2O3/ZnGa2O4异质结材料，其中，衍射峰(100)、 (111)、(-311)、(420)等对应于单斜晶系β-Ga2O3的特征峰，(220)、(311)、(222)、 (400)、(422)、(511)、(440)等对应于尖晶石立方结构ZnGa2O4的特征峰。将步骤 (5)得到的样品在扫描电镜中观察，发现β-Ga2O3纳米柱生长均匀，形成纳米柱阵列结构，并与ZnGa2O4薄膜形成β-Ga2O3/ZnGa2O4异质结纳米柱阵列(如图3所示)，其中，ZnGa2O4薄膜的厚度为1.0-1.5μm，位于ZnGa2O4薄膜上方的β-Ga2O3纳米柱的直径为50-100nm，长度为300～500nm。
对制备的基于β-Ga2O3/ZnGa2O4异质结纳米阵列的柔性气敏传感器进行测试，选择乙醇为测试对象，工作温度为200℃，在不同气体浓度下气敏材料的电阻会发生变化，所有测试都是在标准测试条件下完成(如图4)。结果表明，在外界环境气体浓度不同的情况下，材料的电阻会发生显著的变化，这是因为n 型β-Ga2O3/ZnGa2O4半导体异质结纳米柱阵列在空气中会吸附氧气，并在其表面形成耗尽层，气敏元件的电阻增加，当接触还原性乙醇气体时，乙醇气体与Ga2O3材料表面吸附氧发生反应，吸附氧释放电子，电子返还到半导体中，耗尽层变薄，引起气敏元件电阻的减小。不同的气体浓度下，材料电阻变化的幅度也不同。由图4可知，由最高峰依次向下的浓度为150ppm、100ppm、60ppm、10ppm、0.5ppm，本发明的气敏传感器在150ppm浓度下电阻变化非常明显，随着浓度的降低，传感器电阻的变化越来越小，到浓度为0.5ppm时，电阻还是有明显的变化，说明本发明制备的基于β-Ga2O3/ZnGa2O4异质结纳米阵列的柔性气敏传感器可以准确检测浓度在0.5-150ppm的乙醇气体。
气敏特性的显著提高归因于本发明制备的β-Ga2O3/ZnGa2O4异质结纳米阵列的柔性气敏传感器，具有三维空间异质结界面结构，还包含纳米柱阵列结构，可以最大限度的接触气体分子。在加热下能够高效增加氧气的吸附量，使气敏元件的电阻变大，当接触还原性乙醇气体时，异质结表面的吸附氧与乙醇气体反应，使气敏元件的电阻快速减小，从而大大提高了材料的气敏特性。同时，本发明的基于β-Ga2O3/ZnGa2O4异质结纳米阵列的柔性气敏传感器，性能稳定，可用于柔性可穿戴VOC气体检测，在室内甲醛气体、工业酒精生产监测以及酒驾的检测等领域具有很大的应用前景。
实施例2
基于氧化镓/镓酸锌异质结纳米阵列的柔性气敏传感器的制备方法，包括以下步骤：
(1)对玻璃纤维布衬底进行清洗，清洗过程如下：将衬底依次浸泡到丙酮、乙醇、去离子水中各超声10分钟，取出后再用去离子水冲洗，最后用干燥的N2气吹干，待用；
(2)把ZnO和Ga2O3靶材分别放置在磁控溅射沉积系统的靶台位置，将步骤(1) 处理后的玻璃纤维布衬底固定在样品托上，放进真空腔；
(3)ZnO薄膜的制备：将腔体抽真空，调整真空腔内的压强，通入氩气，加热玻璃纤维布衬底，利用磁控溅射法沉积一层ZnO薄膜，取出待用，其中，ZnO 靶材与玻璃纤维布衬底的距离设定为5厘米，抽真空后腔体压强为1×10-6Pa，加热玻璃纤维布衬底时腔体压强为1.0Pa，加热玻璃纤维布衬底的温度为450℃，溅射功率为100W，沉积时间为1.0小时；
(4)在步骤(3)所得的ZnO薄膜/玻璃纤维布衬底放置于加热台，设置加热台的温度为100℃，将一粒Ga金属放置于ZnO薄膜上方，待镓金属融化，利用载玻片将液体Ga金属压印成片，冷却后，放入磁控溅射沉积系统的样品托上；
(5)β-Ga2O3纳米柱阵列的制备：将腔体抽真空，通入氩气，调整真空腔内的压强，再通入氧气，加热Ga/ZnO/玻璃纤维布衬底，开启Ga2O3靶射频电源，利用磁控溅射法在镓金属片表面的镓液滴上原位生长β-Ga2O3纳米柱阵列，并进行原位高温退火，使ZnO/Ga薄膜氧化成ZnGa2O4薄膜，其中，Ga2O3靶材与玻璃纤维布衬底的距离设定为5厘米，抽真空后腔体压强为1×10-4Pa，通入氩气后，真空腔的压强为0.8Pa，通入氧气后，真空腔的压强调整为103Pa，加热Ga/ZnO/ 玻璃纤维布衬底的温度为750℃，溅射功率为60W，沉积时间为1小时，高温退火温度为750℃，退火时间为1小时；
(6)利用掩膜版并通过射频磁控溅射技术在步骤(5)所得的β-Ga2O3纳米柱阵列和ZnGa2O4薄膜上面各沉积一层Ti/Au薄膜作为上下电极，其中，溅射工艺条件：抽真空后腔体压强为1×10-4Pa，衬底温度为室温，工作气氛为Ar气，工作气压为1.0Pa，溅射功率为80W，Ti和Au薄膜的溅射时间分别为2和5min。
即获得基于氧化镓/镓酸锌异质结纳米阵列的柔性气敏传感器，其结构如图1 所示。所得β-Ga2O3/ZnGa2O4异质结纳米阵列的晶体结构、化学成分以及气敏特性均与实例1类似。
实施例3
基于氧化镓/镓酸锌异质结纳米阵列的柔性气敏传感器的制备方法，包括以下步骤：
(1)对玻璃纤维布衬底进行清洗，清洗过程如下：将衬底依次浸泡到丙酮、乙醇、去离子水中各超声10分钟，取出后再用去离子水冲洗，最后用干燥的N2气吹干，待用；
(2)把ZnO和Ga2O3靶材分别放置在磁控溅射沉积系统的靶台位置，将步骤(1) 处理后的玻璃纤维布衬底固定在样品托上，放进真空腔；
(3)ZnO薄膜的制备：将腔体抽真空，调整真空腔内的压强，通入氩气，加热玻璃纤维布衬底，利用磁控溅射法沉积一层ZnO薄膜，取出待用，其中，ZnO 靶材与玻璃纤维布衬底的距离设定为5厘米，抽真空后腔体压强为1×10-6Pa，加热玻璃纤维布衬底时腔体压强为1.0Pa，加热玻璃纤维布衬底的温度为450℃，溅射功率为120W，沉积时间为1.5小时；
(4)在步骤(3)所得的ZnO薄膜/玻璃纤维布衬底放置于加热台，设置加热台的温度为100℃，将一粒Ga金属放置于ZnO薄膜上方，待镓金属融化，利用载玻片将液体Ga金属压印成片，冷却后，放入磁控溅射沉积系统的样品托上；
(5)β-Ga2O3纳米柱阵列的制备：将腔体抽真空，通入氩气，调整真空腔内的压强，再通入氧气，加热Ga/ZnO/玻璃纤维布衬底，开启Ga2O3靶射频电源，利用磁控溅射法在镓金属片表面的镓液滴上原位生长β-Ga2O3纳米柱阵列，并进行原位高温退火，使ZnO/Ga薄膜氧化成ZnGa2O4薄膜，其中，Ga2O3靶材与玻璃纤维布衬底的距离设定为5厘米，抽真空后腔体压强为1×10-4Pa，通入氩气后，真空腔的压强为0.8Pa，通入氧气后，真空腔的压强调整为103Pa，加热Ga/ZnO/ 玻璃纤维布衬底的温度为750℃，溅射功率为70W，沉积时间为1.5小时，高温退火温度为750℃，退火时间为1小时；
(6)利用掩膜版并通过射频磁控溅射技术在步骤(5)所得的β-Ga2O3纳米柱阵列和ZnGa2O4薄膜上面各沉积一层Ti/Au薄膜作为上下电极，其中，溅射工艺条件：抽真空后腔体压强为1×10-4Pa，衬底温度为室温，工作气氛为Ar气，工作气压为1.0Pa，溅射功率为80W，Ti和Au薄膜的溅射时间分别为2和5min。
即获得基于氧化镓/镓酸锌异质结纳米阵列的柔性气敏传感器，其结构如图1 所示。所得β-Ga2O3/ZnGa2O4异质结纳米阵列的晶体结构、化学成分以及气敏特性均与实例1类似
实施例4
基于氧化镓/镓酸锌异质结纳米阵列的柔性气敏传感器的制备方法，包括以下步骤：
(1)对玻璃纤维布衬底进行清洗，清洗过程如下：将衬底依次浸泡到丙酮、乙醇、去离子水中各超声10分钟，取出后再用去离子水冲洗，最后用干燥的N2气吹干，待用；
(2)把ZnO和Ga2O3靶材分别放置在磁控溅射沉积系统的靶台位置，将步骤(1) 处理后的玻璃纤维布衬底固定在样品托上，放进真空腔；
(3)ZnO薄膜的制备：将腔体抽真空，调整真空腔内的压强，通入氩气，加热玻璃纤维布衬底，利用磁控溅射法沉积一层ZnO薄膜，取出待用，其中，ZnO 靶材与玻璃纤维布衬底的距离设定为5厘米，抽真空后腔体压强为1×10-6Pa，加热玻璃纤维布衬底时腔体压强为1.0Pa，加热玻璃纤维布衬底的温度为500℃，溅射功率为150W，沉积时间为1.5小时；
(4)在步骤(3)所得的ZnO薄膜/玻璃纤维布衬底放置于加热台，设置加热台的温度为100℃，将一粒Ga金属放置于ZnO薄膜上方，待镓金属融化，利用载玻片将液体Ga金属压印成片，冷却后，放入磁控溅射沉积系统的样品托上；
(5)β-Ga2O3纳米柱阵列的制备：将腔体抽真空，通入氩气，调整真空腔内的压强，再通入氧气，加热Ga/ZnO/玻璃纤维布衬底，开启Ga2O3靶射频电源，利用磁控溅射法在镓金属片表面的镓液滴上原位生长β-Ga2O3纳米柱阵列，并进行原位高温退火，使ZnO/Ga薄膜氧化成ZnGa2O4薄膜，其中，Ga2O3靶材与玻璃纤维布衬底的距离设定为5厘米，抽真空后腔体压强为1×10-4Pa，通入氩气后，真空腔的压强为1.0Pa，通入氧气后，真空腔的压强调整为103Pa，加热Ga/ZnO/ 玻璃纤维布衬底的温度为750℃，溅射功率为70W，沉积时间为1.5小时，高温退火温度为750℃，退火时间为1小时；
(6)利用掩膜版并通过射频磁控溅射技术在步骤(5)所得的β-Ga2O3纳米柱阵列和ZnGa2O4薄膜上面各沉积一层Ti/Au薄膜作为上下电极，其中，溅射工艺条件：抽真空后腔体压强为1×10-4Pa，衬底温度为室温，工作气氛为Ar气，工作气压为1.0Pa，溅射功率为80W，Ti和Au薄膜的溅射时间分别为2和5min。
即获得基于氧化镓/镓酸锌异质结纳米阵列的柔性气敏传感器，其结构如图1 所示。所得β-Ga2O3/ZnGa2O4异质结纳米阵列的晶体结构、化学成分以及气敏特性均与实例1类似。
实施例5
基于氧化镓/镓酸锌异质结纳米阵列的柔性气敏传感器的制备方法，包括以下步骤：
(1)对玻璃纤维布衬底进行清洗，清洗过程如下：将衬底依次浸泡到丙酮、乙醇、去离子水中各超声10分钟，取出后再用去离子水冲洗，最后用干燥的N2气吹干，待用；
(2)把ZnO和Ga2O3靶材分别放置在磁控溅射沉积系统的靶台位置，将步骤(1) 处理后的玻璃纤维布衬底固定在样品托上，放进真空腔；
(3)ZnO薄膜的制备：将腔体抽真空，调整真空腔内的压强，通入氩气，加热玻璃纤维布衬底，利用磁控溅射法沉积一层ZnO薄膜，取出待用，其中，ZnO 靶材与玻璃纤维布衬底的距离设定为5厘米，抽真空后腔体压强为1×10-6Pa，加热玻璃纤维布衬底时腔体压强为1.0Pa，加热玻璃纤维布衬底的温度为500℃，溅射功率为150W，沉积时间为1.0小时；
(4)在步骤(3)所得的ZnO薄膜/玻璃纤维布衬底放置于加热台，设置加热台的温度为100℃，将一粒Ga金属放置于ZnO薄膜上方，待镓金属融化，利用载玻片将液体Ga金属压印成片，冷却后，放入磁控溅射沉积系统的样品托上；
(5)β-Ga2O3纳米柱阵列的制备：将腔体抽真空，通入氩气，调整真空腔内的压强，再通入氧气，加热Ga/ZnO/玻璃纤维布衬底，开启Ga2O3靶射频电源，利用磁控溅射法在镓金属片表面的镓液滴上原位生长β-Ga2O3纳米柱阵列，并进行原位高温退火，使ZnO/Ga薄膜氧化成ZnGa2O4薄膜，其中，Ga2O3靶材与玻璃纤维布衬底的距离设定为5厘米，抽真空后腔体压强为1×10-4Pa，通入氩气后，真空腔的压强为1.0Pa，通入氧气后，真空腔的压强调整为103Pa，加热Ga/ZnO/ 玻璃纤维布衬底的温度为800℃，溅射功率为80W，沉积时间为1.5小时，高温退火温度为800℃，退火时间为1小时；
(6)利用掩膜版并通过射频磁控溅射技术在步骤(5)所得的β-Ga2O3纳米柱阵列和ZnGa2O4薄膜上面各沉积一层Ti/Au薄膜作为上下电极，其中，溅射工艺条件：抽真空后腔体压强为1×10-4Pa，衬底温度为室温，工作气氛为Ar气，工作气压为1.0Pa，溅射功率为80W，Ti和Au薄膜的溅射时间分别为2和5min。
即获得基于氧化镓/镓酸锌异质结纳米阵列的柔性气敏传感器，其结构如图1 所示。所得β-Ga2O3/ZnGa2O4异质结纳米阵列的晶体结构、化学成分以及气敏特性均与实例1类似。
实施例6
一种基于氧化镓/镓酸锌异质结纳米阵列的柔性气敏传感器，结构如图1所示，其特征在于，包括Ti/Au电极1，柔性玻璃纤维布衬底2，位于柔性玻璃纤维布衬底2上的ZnGa2O4薄膜3，位于ZnGa2O4薄膜3上的β-Ga2O3纳米柱阵列 4；所述Ti/Au电极1为两个，分别位于ZnGa2O4薄膜3上方和位于β-Ga2O3纳米柱阵列4上方；所述ZnGa2O4薄膜3与β-Ga2O3纳米柱阵列4之间构成氧化镓/ 镓酸锌异质结纳米阵列。
优选地，所述β-Ga2O3纳米柱阵列4的分布面积小于ZnGa2O4薄膜3的面积，位于ZnGa2O4薄膜3上方的Ti/Au电极1与β-Ga2O3纳米柱阵列4位于ZnGa2O4薄膜3的同一侧。
更为优选地，所述ZnGa2O4薄膜3的厚度为1.0-1.5μm；β-Ga2O3纳米柱的直径为50-100nm，长度为300～500nm。使得气敏传感器的敏感度更强、性能更稳定。
具体地，所述Ti/Au电极1由Ti薄膜和Au薄膜构成，Au薄膜位于Ti薄膜的上方，Ti薄膜的厚度为30-50nm，Au薄膜的厚度为60-80nm。
本发明的一种基于氧化镓/镓酸锌异质结纳米阵列的柔性气敏传感器，为 MSSM型Ti/Au/β-Ga2O3/ZnGa2O4/Ti/Au结构的异质结柔性气敏传感器，是一种三维空间构造的异质结界面结构，还包含纳米柱阵列结构，可以最大限度的接触气体分子。该结构属于n-n同型半导体异质结，其中窄禁带(ZnGa2O4)一侧的空间电荷区是电子积累层，宽禁带(β-Ga2O3)一侧是耗尽层，在界面处可以形成第二种能带结构，可以实现电子空穴对的快速分离，加快与吸附在异质结表面的有机气体分子反应，大大提高了材料的气敏特性；同时，该异质结可以使器件的工作温度从纯β-Ga2O3纳米棒的600℃降低至异质结结构的200℃以下，降低了工作温度和功耗。
本发明的基于氧化镓/镓酸锌异质结纳米阵列的柔性气敏传感器，性能稳定，可用于柔性可穿戴VOC气体检测，在室内甲醛气体、工业酒精生产监测以及酒驾的检测等领域具有很大的应用前景。
显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上、在本发明的方法和原则之内，所作的任何修改等同替换、改进，均应包含在本发明的保护范围之内。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。

Claims (7)

1.一种基于氧化镓/镓酸锌异质结纳米阵列的柔性气敏传感器，其特征在于，包括Ti/Au电极，柔性玻璃纤维布衬底，位于柔性玻璃纤维布衬底上的ZnGa2O4薄膜，位于ZnGa2O4薄膜上的β-Ga2O3纳米柱阵列；所述Ti/Au电极为两个，分别位于ZnGa2O4薄膜上方和位于β-Ga2O3纳米柱阵列上方；所述ZnGa2O4薄膜与β-Ga2O3纳米柱阵列之间构成氧化镓/镓酸锌异质结纳米阵列。
2.根据权利要求1所述的基于氧化镓/镓酸锌异质结纳米阵列的柔性气敏传感器，其特征在于，所述ZnGa2O4薄膜的厚度为1.0-1.5μm；β-Ga2O3纳米柱的直径为50-100nm，长度为300～500nm。
3.根据权利要求1所述的基于氧化镓/镓酸锌异质结纳米阵列的柔性气敏传感器，其特征在于，所述β-Ga2O3纳米柱阵列的分布面积小于ZnGa2O4薄膜的面积，位于ZnGa2O4薄膜上方的Ti/Au电极与β-Ga2O3纳米柱阵列位于ZnGa2O4薄膜的同一侧。
4.根据权利要求1或2或3所述的基于氧化镓/镓酸锌异质结纳米阵列的柔性气敏传感器，其特征在于，所述Ti/Au电极由Ti薄膜和Au薄膜构成，Au薄膜位于Ti薄膜的上方，Ti薄膜的厚度为30-50nm，Au薄膜的厚度为60-80nm。
5.一种基于氧化镓/镓酸锌异质结纳米阵列的柔性气敏传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一，对玻璃纤维布衬底进行清洗，清洗过程如下：将衬底依次浸泡到丙酮、乙醇、去离子水中各超声10分钟，取出后再用去离子水冲洗，最后用干燥的N2气吹干，待用；
步骤二，把ZnO和Ga2O3靶材分别放置在磁控溅射沉积系统的靶台位置，将步骤一处理后的玻璃纤维布衬底固定在样品托上，放进真空腔；
步骤三，ZnO薄膜的制备：将腔体抽真空，调整真空腔内的压强，通入氩气，加热玻璃纤维布衬底，利用磁控溅射法沉积一层ZnO薄膜，形成ZnO薄膜/玻璃纤维布衬底，取出待用，其中，ZnO靶材与玻璃纤维布衬底的距离设定为5厘米，抽真空后腔体压强为1×10-6Pa，加热玻璃纤维布衬底时腔体压强为1.0-1.5Pa；
步骤四，在步骤三所得的ZnO薄膜/玻璃纤维布衬底放置于加热台，设置加热台的温度为100℃，将一粒Ga金属放置于ZnO薄膜上方，待镓金属融化，利用载玻片将液体Ga金属压印成片，形成Ga/ZnO/玻璃纤维布衬底，冷却后，放入磁控溅射沉积系统的样品托上；
步骤五，β-Ga2O3纳米柱阵列的制备：将腔体抽真空，通入氩气，调整真空腔内的压强，再通入氧气，加热Ga/ZnO/玻璃纤维布衬底，开启Ga2O3靶射频电源，利用磁控溅射法在镓金属片表面的镓液滴上原位生长β-Ga2O3纳米柱阵列，并进行原位高温退火，使ZnO/Ga薄膜氧化成ZnGa2O4薄膜，其中，Ga2O3靶材与玻璃纤维布衬底的距离设定为5厘米，抽真空后腔体压强为1×10-4Pa，通入氩气后，真空腔的压强为0.8-1.0Pa，通入氧气后，真空腔的压强调整为103Pa；
步骤六，利用掩膜版并通过射频磁控溅射技术在步骤五所得的β-Ga2O3纳米柱阵列和ZnGa2O4薄膜上面各沉积一层Ti/Au薄膜作为上下电极，其中，溅射工艺条件：抽真空后腔体压强为1×10-4Pa，衬底温度为室温，工作气氛为Ar气，工作气压为0.8-1.0Pa，溅射功率为60-80W，Ti和Au薄膜的溅射时间分别为2和5min。
6.根据权利要求3所述的基于氧化镓/镓酸锌异质结纳米阵列的柔性气敏传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤三中加热玻璃纤维布衬底的温度为400-500℃，溅射功率为80-100W，沉积时间为0.5-1.0小时。
7.根据权利要求3所述的基于氧化镓/镓酸锌异质结纳米阵列的柔性气敏传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤五中加热Ga/ZnO/玻璃纤维布衬底的温度为700-800℃，溅射功率为60-80W，沉积时间为1-1.5小时，高温退火温度为700-800℃，退火时间为1.0-1.5小时。
CN201810535389.8A 2018-05-30 2018-05-30 基于氧化镓/镓酸锌异质结纳米阵列的柔性气敏传感器及其制备方法 Active CN108982600B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810535389.8A CN108982600B (zh) 2018-05-30 2018-05-30 基于氧化镓/镓酸锌异质结纳米阵列的柔性气敏传感器及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810535389.8A CN108982600B (zh) 2018-05-30 2018-05-30 基于氧化镓/镓酸锌异质结纳米阵列的柔性气敏传感器及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108982600A true CN108982600A (zh) 2018-12-11
CN108982600B CN108982600B (zh) 2021-07-09

Family

ID=64542739

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810535389.8A Active CN108982600B (zh) 2018-05-30 2018-05-30 基于氧化镓/镓酸锌异质结纳米阵列的柔性气敏传感器及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN108982600B (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111463297A (zh) * 2020-04-16 2020-07-28 杭州紫芯光电有限公司 基于柔性钛金属丝/氧化镓纳米阵列的日盲紫外探测器及其制备方法
CN111816720A (zh) * 2020-08-11 2020-10-23 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 MgGa2O4紫外探测器及其制备方法
CN113740387A (zh) * 2020-05-29 2021-12-03 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 氧化镓气敏传感器及其制备方法和应用
CN114577863A (zh) * 2022-03-01 2022-06-03 国网电力科学研究院武汉南瑞有限责任公司 氧化镓薄膜氢气传感器制备方法及氧化镓薄膜氢气传感器

Citations (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1227139A1 (en) * 2001-01-24 2002-07-31 Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. Method of producing crystalline phosphor powders at low temperature
CN1798822A (zh) * 2003-04-07 2006-07-05 麦克马斯特大学 作为发红光的电致发光材料的铕掺杂的镓－铟氧化物
CN101049905A (zh) * 2006-04-07 2007-10-10 中国科学院物理研究所 一种单根纳米线或阵列式纳米线的生长制备方法
CN101213671A (zh) * 2005-06-27 2008-07-02 3M创新有限公司 利用金属氧化物纳米粒子制备电子器件的方法
US20080180209A1 (en) * 2007-01-29 2008-07-31 Anthony Yu-Chung Ku Porous gallium oxide films and methods for making and patterning the same
KR20100039782A (ko) * 2008-10-08 2010-04-16 서울대학교산학협력단 열증착법으로 성장시킨 도핑된 갈륨산화물 나노와이어의 제조방법 및 상온에서 작동 가능한 도핑된 갈륨산화물 나노와이어 가스센서 및 그 제조방법
US20100133528A1 (en) * 2008-12-03 2010-06-03 Electronics And Telecommunications Research Institute Capacitive gas sensor and method of fabricating the same
US20110006301A1 (en) * 2009-07-10 2011-01-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method the same
CN102313765A (zh) * 2011-07-17 2012-01-11 北京科技大学 基于氧化锌和高电子迁移率晶体管生物传感器及制备方法
CN102628185A (zh) * 2012-04-17 2012-08-08 陕西科技大学 一种八面体结构ZnGa2O4单晶的制备方法
US8443647B1 (en) * 2008-10-09 2013-05-21 Southern Illinois University Analyte multi-sensor for the detection and identification of analyte and a method of using the same
CN103258954A (zh) * 2012-02-17 2013-08-21 中国科学院微电子研究所 基于柔性衬底的气敏传感器及其制备方法
CN103894172A (zh) * 2012-12-28 2014-07-02 索尼公司 ZnGa2O4-Ga2O3异质结光催化材料及其制备方法和应用
EP3042986A1 (en) * 2015-01-09 2016-07-13 Forschungsverbund Berlin e.V. Method for growing beta phase of gallium oxide (ß-Ga2O3) single crystals from the melt contained within a metal crucible by controlling the partial pressure of oxygen.
CN106268745A (zh) * 2016-09-30 2017-01-04 陕西科技大学 一种溶剂热法制备半导体光催化剂ZnGa2O4及其方法
CN106816439A (zh) * 2015-01-29 2017-06-09 江西师范大学 气敏层的材料为Ga2O3的CMOS气体传感器
CN107055592A (zh) * 2017-05-05 2017-08-18 华中科技大学 一种铟镓锌氧化物粉体的制备方法
CN107344730A (zh) * 2017-08-14 2017-11-14 南京信息工程大学 一种氧化锌纳米柱阵列的制备方法
CN107785241A (zh) * 2017-10-09 2018-03-09 哈尔滨工业大学 一种在硅衬底上制备β‑氧化镓薄膜的方法
CN108007977A (zh) * 2017-11-17 2018-05-08 张香丽 基于β-Ga2O3/CuGa2O4/[HONH3]PbI3异质结的气敏传感器

Patent Citations (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1227139A1 (en) * 2001-01-24 2002-07-31 Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. Method of producing crystalline phosphor powders at low temperature
CN1798822A (zh) * 2003-04-07 2006-07-05 麦克马斯特大学 作为发红光的电致发光材料的铕掺杂的镓－铟氧化物
CN101213671A (zh) * 2005-06-27 2008-07-02 3M创新有限公司 利用金属氧化物纳米粒子制备电子器件的方法
CN101049905A (zh) * 2006-04-07 2007-10-10 中国科学院物理研究所 一种单根纳米线或阵列式纳米线的生长制备方法
US20080180209A1 (en) * 2007-01-29 2008-07-31 Anthony Yu-Chung Ku Porous gallium oxide films and methods for making and patterning the same
KR20100039782A (ko) * 2008-10-08 2010-04-16 서울대학교산학협력단 열증착법으로 성장시킨 도핑된 갈륨산화물 나노와이어의 제조방법 및 상온에서 작동 가능한 도핑된 갈륨산화물 나노와이어 가스센서 및 그 제조방법
US8443647B1 (en) * 2008-10-09 2013-05-21 Southern Illinois University Analyte multi-sensor for the detection and identification of analyte and a method of using the same
US20100133528A1 (en) * 2008-12-03 2010-06-03 Electronics And Telecommunications Research Institute Capacitive gas sensor and method of fabricating the same
US20110006301A1 (en) * 2009-07-10 2011-01-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method the same
CN102313765A (zh) * 2011-07-17 2012-01-11 北京科技大学 基于氧化锌和高电子迁移率晶体管生物传感器及制备方法
CN103258954A (zh) * 2012-02-17 2013-08-21 中国科学院微电子研究所 基于柔性衬底的气敏传感器及其制备方法
CN102628185A (zh) * 2012-04-17 2012-08-08 陕西科技大学 一种八面体结构ZnGa2O4单晶的制备方法
CN103894172A (zh) * 2012-12-28 2014-07-02 索尼公司 ZnGa2O4-Ga2O3异质结光催化材料及其制备方法和应用
EP3042986A1 (en) * 2015-01-09 2016-07-13 Forschungsverbund Berlin e.V. Method for growing beta phase of gallium oxide (ß-Ga2O3) single crystals from the melt contained within a metal crucible by controlling the partial pressure of oxygen.
CN106816439A (zh) * 2015-01-29 2017-06-09 江西师范大学 气敏层的材料为Ga2O3的CMOS气体传感器
CN106268745A (zh) * 2016-09-30 2017-01-04 陕西科技大学 一种溶剂热法制备半导体光催化剂ZnGa2O4及其方法
CN107055592A (zh) * 2017-05-05 2017-08-18 华中科技大学 一种铟镓锌氧化物粉体的制备方法
CN107344730A (zh) * 2017-08-14 2017-11-14 南京信息工程大学 一种氧化锌纳米柱阵列的制备方法
CN107785241A (zh) * 2017-10-09 2018-03-09 哈尔滨工业大学 一种在硅衬底上制备β‑氧化镓薄膜的方法
CN108007977A (zh) * 2017-11-17 2018-05-08 张香丽 基于β-Ga2O3/CuGa2O4/[HONH3]PbI3异质结的气敏传感器

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
I-CHERNG CHEN ET AL.: "The Assessment for Sensitivity of a NO Gas Sensor with ZnGa2O4/ZnO Core-Shell Nanowires-a Novel Approach", 《SENSORS》 *
钟维 等: "基于氧化镓纳米线阵列的气体探测器研究", 《电子显微学报》 *

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111463297A (zh) * 2020-04-16 2020-07-28 杭州紫芯光电有限公司 基于柔性钛金属丝/氧化镓纳米阵列的日盲紫外探测器及其制备方法
CN111463297B (zh) * 2020-04-16 2021-10-12 杭州紫芯光电有限公司 基于柔性钛金属丝/氧化镓纳米阵列的日盲紫外探测器及其制备方法
CN113740387A (zh) * 2020-05-29 2021-12-03 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 氧化镓气敏传感器及其制备方法和应用
CN111816720A (zh) * 2020-08-11 2020-10-23 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 MgGa2O4紫外探测器及其制备方法
CN111816720B (zh) * 2020-08-11 2024-04-19 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 MgGa2O4紫外探测器及其制备方法
CN114577863A (zh) * 2022-03-01 2022-06-03 国网电力科学研究院武汉南瑞有限责任公司 氧化镓薄膜氢气传感器制备方法及氧化镓薄膜氢气传感器

Also Published As

Publication number Publication date
CN108982600B (zh) 2021-07-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108982600A (zh) 基于氧化镓/镓酸锌异质结纳米阵列的柔性气敏传感器及其制备方法
CN109709192B (zh) 一种基于氧化钨/氧化锡核壳纳米片结构的气敏纳米材料、制备工艺及其应用
CN108535337B (zh) 基于氧化锡/氧化镓异质结纳米阵列的柔性气敏传感器及其制备方法
CN104250723B (zh) 一种基于铅单质薄膜原位大面积控制合成钙钛矿型CH3NH3PbI3薄膜材料的化学方法
CN104445047B (zh) 一种氧化钨/氧化钒异质结纳米线阵列及其制备方法
CN203519539U (zh) 基于三氧化钨薄膜的室温气体传感器元件
CN105826362B (zh) 一种氧化镓纳米线阵列及其制备方法
CN107819045B (zh) 基于氧化镓异质结结构的紫外光电探测器及其制备方法
CN107012439B (zh) 一种钪掺杂氮化铝薄膜及其制备方法
CN108767028B (zh) 基于氧化镓异质结结构的柔性日盲紫外探测器及其制备方法
CN109000790A (zh) 一种氧化镓基柔性日盲紫外火焰探测器及其制备方法
CN108767050A (zh) 基于氧化亚铜/氧化镓pn结的柔性紫外光电探测器及其制备方法
CN111020487B (zh) 一种取向可控的准一维结构材料的薄膜制备方法
CN109881176A (zh) 一种花瓣状的二硫化钼二维晶体材料及其制备方法和应用
CN109632906B (zh) 基于石墨烯-金属异质结的气体传感器阵列及其制备方法
CN104078164A (zh) 一种石墨烯碳膜包裹的铜纳米丝网络的制备方法
CN109360862B (zh) 基于ZnO纳米棒/Si异质结的自驱动光电探测器及制备方法
CN103833416B (zh) 一种镍酸镧导电薄膜的化学溶液沉积制备方法
CN107425090B (zh) 垂直型光电探测器及其制备方法
CN106770476A (zh) 氧化铜/氧化钨一维有序异质包覆结构基气敏元件及其在探测二氧化氮中的应用
CN104934490A (zh) 一种大面积合成氧化亚锡半导体光电薄膜材料的方法
CN104181206A (zh) 金掺杂多孔硅/氧化钒纳米棒气敏材料的制备方法
CN102925866B (zh) 一种单一相Mg2Si半导体薄膜的制备工艺
CN102509648B (zh) 一种Ga掺杂ZnO纳米材料的制备方法
CN102557110B (zh) 低温蒸汽中ZnO纳米棒阵列的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20221107

Address after: No. 99, Gangcheng Road, Administrative Committee of Dongying Port Economic Development Zone, Dongying City, Shandong Province 257237

Patentee after: Dongying Ruigang Investment Promotion Service Co.,Ltd.

Address before: 322207 No.63, jinguanyang District 1, Shiliting, Xianhua street, Pujiang County, Jinhua City, Zhejiang Province

Patentee before: Yang Lina

TR01 Transfer of patent right