CN108966515B - 一种印制线路板蚀刻因子6.0工艺 - Google Patents

一种印制线路板蚀刻因子6.0工艺 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种印制线路板蚀刻因子6.0工艺,本工艺通过在工程制作外层线路菲林资料,将线宽补偿加大,在外层线路工序使用薄干膜进行贴膜曝光,在酸性蚀刻时使用比正常蚀刻慢的速度进行过蚀操作,使边缘干膜在下方铜被药水反应蚀刻掉后弯曲包裹下方铜箔,而底部铜箔仍能与蚀刻药水进行反应,从而达到蚀刻因子增大的效果。本工艺实施步骤简洁,无需新设备、新物料的使用,可满足客户印制线路板蚀刻因子6.0的工艺要求。

Description

一种印制线路板蚀刻因子6.0工艺
技术领域
本发明涉及印制线路板技术领域,特别是涉及一种印制线路板蚀刻因子6.0工艺。
背景技术
各国的5G竞争在如火如荼的进行中,各国的5G竞争在如火如荼的进行中,物联网的广泛应用会有更多的新的频段增加进入,这些新的频段的不断增加就会产生无源互调值,把PIM降到最低是5G通讯中的攻关方向之一。
无源互调(PIM)与电子系统中的某些微波无源元件有关,也能以PCB开始,特别是PCB用于微波通信重要元件时,例如基于PCB的天线和滤波器等。
蚀刻因子在蚀刻型金属引线框架的生产过程中蚀刻深度与横向蚀刻之比。在高频传输中由于趋肤效应的影响导致电流信号在导体表面传输,再加上尖端放电效应的影响,因此保证信号的完整性对于导体表面的平整度等有很高的要求,蚀刻因子≥6.0就是其中一项控制工艺(正常生产蚀刻因子为2.0-3.0)。
发明内容
为克服现有技术的不足,本发明的目的在于提供一种印制线路板蚀刻因子6.0工艺。
本发明为解决其问题所采用的技术方案是:
一种印制线路板蚀刻因子6.0工艺,包括工程制作工序、外层干膜工序和外层酸性蚀刻工序,
在工程制作工序中,对于有PIM测试要求1oz底铜的板,外层线路菲林资料需将线宽过补偿7mil;
在外层干膜工序中,包括中粗化处理步骤、贴膜步骤和曝光步骤,所述贴膜步骤中干膜厚度为29um,贴膜速度为2.5-3.0m/min,贴膜温度为90-120℃,贴膜压力为0.35-0.45MPa,贴膜到曝光时间控制在0.25-24H;所述曝光步骤中曝光能量均匀性≥85%,曝光到显影时间控制在0.25-24H;
在外层酸性蚀刻工序中,包括显影步骤、酸性蚀刻步骤和退膜步骤,所述显影步骤中显影温度为30±2℃;所述酸性蚀刻步骤中蚀刻速度为1.3m/min,蚀刻温度为50±2℃,蚀刻压力为2.5±0.3kg/cm2;所述退膜步骤中退膜速度为3.5m/min。
进一步地,所述中粗化处理步骤中速度控制为3.0-3.5m/min,微蚀速率为0.5-1.0um,水破测试≥15s。
进一步地,所述贴膜步骤中入板温度为30-60℃,出板温度为50-60℃。
进一步地,所述曝光步骤中菲林真空度控制范围为-(650-750)mmHg,台面真空度控制范围为-(180-400)mmHg。
进一步地,所述显影步骤中显影A液K2CO3的控制范围为10±2g/l,pH值为10.7-12.5,显影B液K2CO3的控制范围为10±2g/l,pH值为12-13。
进一步地,所述酸性蚀刻步骤中NaClO3的当量浓度为18-40N,HCl的当量浓度为2.1±0.2N,Cu2+含量为140±20g/L。
进一步地,所述退膜步骤中流程依次为膨松、退膜、酸洗、溢流水洗、加压水洗、摇摆高压水洗、干板组合。
本发明的有益效果是:本发明采用的一种印制线路板蚀刻因子6.0工艺,本工艺通过在工程制作外层线路菲林资料,将线宽补偿加大,在外层线路工序使用薄干膜进行贴膜曝光,在酸性蚀刻时使用比正常蚀刻慢的速度进行过蚀操作,使边缘干膜在下方铜被药水反应蚀刻掉后弯曲包裹下方铜箔,而底部铜箔仍能与蚀刻药水进行反应,从而达到蚀刻因子增大的效果。本工艺实施步骤简洁,无需新设备、新物料的使用,可满足客户印制线路板蚀刻因子6.0的工艺要求。
附图说明
图1是使用现有技术工艺方法的蚀刻前后对比示意图;
图2是使用本发明工艺方法的蚀刻前后对比示意图;
图中标号:1-厚干膜;2-薄干膜;3-铜箔;4-基材。
具体实施方式
下面结合附图和实例对本发明作进一步说明。
如图1-2所示,本发明提供一种印制线路板蚀刻因子6.0工艺,包括工程制作工序、外层干膜工序和外层酸性蚀刻工序,在工程制作工序中,对于有PIM测试要求1oz底铜的板,外层线路菲林资料需将线宽过补偿7mil;
在外层干膜工序中,包括中粗化处理步骤、贴膜步骤和曝光步骤,贴膜步骤中干膜厚度为29um,贴膜速度为2.5-3.0m/min,贴膜温度为90-120℃,贴膜压力为0.35-0.45MPa,贴膜到曝光时间控制在0.25-24H;曝光步骤中曝光能量均匀性≥85%,曝光到显影时间控制在0.25-24H;
在外层酸性蚀刻工序中,包括显影步骤、酸性蚀刻步骤和退膜步骤,显影步骤中显影温度为30±2℃;酸性蚀刻步骤中蚀刻速度为1.3m/min,蚀刻温度为50±2℃,蚀刻压力为2.5±0.3kg/cm2;退膜步骤中退膜速度为3.5m/min。
中粗化处理步骤中速度控制为3.0-3.5m/min,微蚀速率为0.5-1.0um,水破测试≥15s。
贴膜步骤中入板温度为30-60℃,出板温度为50-60℃。
曝光步骤中菲林真空度控制范围为-(650-750)mmHg,台面真空度控制范围为-(180-400)mmHg。
显影步骤中显影A液K2CO3的控制范围为10±2g/l,pH值为10.7-12.5,显影B液K2CO3的控制范围为10±2g/l,pH值为12-13。
酸性蚀刻步骤中NaClO3的当量浓度为18-40N,HCl的当量浓度为2.1±0.2N,Cu2+含量为140±20g/L。
退膜步骤中流程依次为膨松、退膜、酸洗、溢流水洗、加压水洗、摇摆高压水洗、干板组合。
本实施例具体实施时过程如下:
1、工程制作:对于有PIM测试要求1Oz底铜的板,外层线路菲林资料需将线宽过补偿7mil(177.8um)。
2、外层干膜:
(1)前处理:中粗化处理
速度控制 3.0-3.5m/min
微蚀速率 0.5-1.0um
水破测试 ≥15s
(2)贴膜:思沃自动贴膜机
干膜厚度 29um
贴膜速度 2.5-3.0m/min
压轮设定温度 115℃±10℃
入板温度 30-60℃
出板温度 50-60℃
贴膜温度 90-120℃
贴膜压力 0.35-0.45MPa
贴膜到曝光时间控制 0.25-24H
(3)曝光:CCD半自动平行光曝光机
Figure GDA0002651050990000051
Figure GDA0002651050990000061
3、外层酸性蚀刻:使用比正常蚀刻慢的速度进行过蚀操作,使边缘干膜在下方铜被药水反应蚀刻掉后弯曲包裹下方铜箔,而底部铜箔仍能与蚀刻药水进行反应,从而达到蚀刻因子增大的效果。
(1)显影:宇宙显影线
Figure GDA0002651050990000062
(2)酸性蚀刻:宇宙蚀刻线
控制项目 控制范围
蚀刻速度 1.3m/min
S·G 1.3±0.03
温度 50±2℃
NaClO<sub>3</sub> 18-40N
HCl 2.1±0.2N
蚀刻压力 2.5±0.3kg/cm<sup>2</sup>
Cu<sup>2+</sup>含量 140±20g/L
吸刀射流泵压力 1.0-1.5kg/cm<sup>2</sup>
线路面朝向 朝下
(3)退膜:宇宙退膜线
Figure GDA0002651050990000071
Figure GDA0002651050990000081
本工艺通过在工程制作外层线路菲林资料,将线宽补偿加大,在外层线路工序使用薄干膜进行贴膜曝光,在酸性蚀刻时使用比正常蚀刻慢的速度进行过蚀操作,使边缘干膜在下方铜被药水反应蚀刻掉后弯曲包裹下方铜箔,而底部铜箔仍能与蚀刻药水进行反应,从而达到蚀刻因子增大的效果。
以上所述,只是本发明的较佳实施例而已,本发明并不局限于上述实施方式,只要其以相同的手段达到本发明的技术效果,都应属于本发明的保护范围。

Claims (7)

1.一种印制线路板蚀刻因子6.0工艺,包括工程制作工序、外层干膜工序和外层酸性蚀刻工序,其特征在于:
在工程制作工序中,对于有PIM测试要求1oz底铜的板,外层线路菲林资料需将线宽过补偿7mil;
在外层干膜工序中,包括中粗化处理步骤、贴膜步骤和曝光步骤,所述贴膜步骤中干膜厚度为29um,贴膜速度为2.5-3.0m/min,贴膜温度为90-120℃,贴膜压力为0.35-0.45MPa,贴膜到曝光时间控制在0.25-24H;所述曝光步骤中曝光能量均匀性≥85%,曝光到显影时间控制在0.25-24H;
在外层酸性蚀刻工序中,包括显影步骤、酸性蚀刻步骤和退膜步骤,所述显影步骤中显影温度为30±2℃;所述酸性蚀刻步骤中蚀刻速度为1.3m/min,蚀刻温度为50±2℃,蚀刻压力为2.5±0.3kg/cm2;所述退膜步骤中退膜速度为3.5m/min。
2.根据权利要求1所述的一种印制线路板蚀刻因子6.0工艺,其特征在于:所述中粗化处理步骤中速度控制为3.0-3.5m/min,微蚀速率为0.5-1.0um,水破测试≥15s。
3.根据权利要求1所述的一种印制线路板蚀刻因子6.0工艺,其特征在于:所述贴膜步骤中入板温度为30-60℃,出板温度为50-60℃。
4.根据权利要求1所述的一种印制线路板蚀刻因子6.0工艺,其特征在于:所述曝光步骤中菲林真空度控制范围为-(650-750)mmHg,台面真空度控制范围为-(180-400)mmHg。
5.根据权利要求1所述的一种印制线路板蚀刻因子6.0工艺,其特征在于:所述显影步骤中显影A液K2CO3的控制范围为10±2g/l,pH值为10.7-12.5,显影B液K2CO3的控制范围为10±2g/l,pH值为12-13。
6.根据权利要求1所述的一种印制线路板蚀刻因子6.0工艺,其特征在于:所述酸性蚀刻步骤中NaClO3的当量浓度为18-40N,HCl的当量浓度为2.1±0.2N,Cu2+含量为140±20g/L。
7.根据权利要求1所述的一种印制线路板蚀刻因子6.0工艺,其特征在于:所述退膜步骤中流程依次为膨松、退膜、酸洗、溢流水洗、加压水洗、摇摆高压水洗、干板组合。
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