CN108958213B - 控制器调整系统以及调整方法 - Google Patents

控制器调整系统以及调整方法 Download PDF

Info

Publication number
CN108958213B
CN108958213B CN201810500843.6A CN201810500843A CN108958213B CN 108958213 B CN108958213 B CN 108958213B CN 201810500843 A CN201810500843 A CN 201810500843A CN 108958213 B CN108958213 B CN 108958213B
Authority
CN
China
Prior art keywords
compensation
zone
value
controller
adjustment
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201810500843.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108958213A (zh
Inventor
本桥勇人
高木亨
菅原文仁
谷口直俊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Azbil Corp
Original Assignee
Azbil Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Azbil Corp filed Critical Azbil Corp
Publication of CN108958213A publication Critical patent/CN108958213A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108958213B publication Critical patent/CN108958213B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05BCONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B11/00Automatic controllers
    • G05B11/01Automatic controllers electric
    • G05B11/14Automatic controllers electric in which the output signal represents a discontinuous function of the deviation from the desired value, i.e. discontinuous controllers
    • G05B11/18Multi-step controllers
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05BCONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B23/00Testing or monitoring of control systems or parts thereof
    • G05B23/02Electric testing or monitoring
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05BCONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B13/00Adaptive control systems, i.e. systems automatically adjusting themselves to have a performance which is optimum according to some preassigned criterion
    • G05B13/02Adaptive control systems, i.e. systems automatically adjusting themselves to have a performance which is optimum according to some preassigned criterion electric

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Artificial Intelligence (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Evolutionary Computation (AREA)
  • Medical Informatics (AREA)
  • Software Systems (AREA)
  • Feedback Control In General (AREA)
  • Control Of Temperature (AREA)

Abstract

本发明涉及控制器调整系统以及调整方法,求出区之间的干扰强度,在加热装置的实际工作时使工件的表面温度均匀。调整装置(7)具备:目标值设定部(75),其将全部的区的目标值设定为相同值;补偿设定部(70)和干扰强度计算部(71),其在第1区的控制量中增加临时补偿,基于在施加临时补偿之后针对第2区从控制器(3)输出的操作量以及在施加临时补偿之前针对第2区从控制器(3)输出的操作量,计算第1区对第2区造成的干扰的强度;以及补偿计算部(72)和补偿设定部(73),其从干扰的强度大的区起依次进行基于位于与对象区相对应的位置的工件传感器(4)的温度传感器的测定值和目标值而计算对象区的补偿并设定到控制器(3)的处理。

Description

控制器调整系统以及调整方法
技术领域
本发明涉及一种在控制回路间发生干扰的多输入输出控制系统中的控制器的调整系统以及调整方法。
背景技术
一直以来,在用加热装置处理工件的情况下,将加热装置的内部分成多个加热区,针对每个加热区进行温度控制。例如在将如层压涂膜那样的平面状的工件设为对象的情况下,根据工件的大小,需要设置多个加热区,但在邻接的加热区发生温度干扰那样的状态量干扰,所以,难以使工件的表面温度均匀。但是,在层压涂膜的情况下,如果存在温度不均,则存在膜的品质降低这样的问题。
作为使工件的表面温度均匀的方法,考虑如下这样的方法(参照专利文献1):如图15所示,在具备由对工件进行加热的多个电热体(加热器、珀尔帖元件等)100-1~100-9构成的电热单元101以及控制电热单元101的控制器102的加热装置中,使用在与由电热体100-1~100-9分别加热的区Z1~Z9对应的工件表面的各区域设置有高精度的温度传感器104-1~104-9的带温度传感器的工件(下面称为工件传感器)103来进行加热试验,测定各区Z1~Z9的工件表面温度,基于该测定结果,对控制器102的控制量提供补偿,从而使工件的表面温度均匀。
在控制器的补偿调整的过程中,需要将区之间的干扰度导出。然而,在专利文献1所公开的温度控制装置中,未公开区之间的干扰度的导出方法,存在无法实现用于使工件的表面温度均匀的控制器的调整方法这样的问题点。
此外,以上的问题点不限于加热装置,在冷却装置中也同样产生。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开平4-59371号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明是为了解决上述技术问题而完成的,其目的在于,提供一种能够求出区之间的干扰强度、并且在加热装置的实际工作时或者冷却装置的实际工作时能够使工件的表面温度均匀的控制器调整系统以及调整方法。
解决技术问题的技术手段
本发明的控制器调整系统的特征在于,具备:目标值设定部,其构成为:加热装置由在对工件进行加热的多个区中的各区具备加热部的电热单元以及针对每个区对该电热单元进行控制的控制器构成,冷却装置由在对工件进行冷却的多个区中的各区具备冷却部的电热单元以及针对每个区对该电热单元进行控制的控制器构成,所述目标值设定部对于所述加热装置或所述冷却装置,在调整所述控制器的补偿时,在所述工件的表面针对每个区固定有温度传感器的状态下,指示所述控制器将全部的区的目标值设为相同值;临时补偿设定部,其构成为:对于在各区中的1个的第1区的控制量中增加预先指定的临时补偿的处理,一边改变所述第1区一边对全部的区进行该处理;干扰强度测定部,其构成为:基于在施加所述临时补偿之后针对所述第1区以外的第2区在温度控制的整定时从所述控制器输出的操作量以及在施加所述临时补偿之前针对所述第2区在温度控制的整定时从所述控制器输出的操作量,针对每个第1区以及每个第2区而计算所述第1区对所述第2区造成的干扰的强度;补偿计算部,其构成为:从所述干扰的强度大的区起依次对全部的区进行基于所述温度传感器的整定时的测定值以及所述目标值来计算所述对象区的补偿的处理,该温度传感器是指位于与补偿调整的对象区对应的位置的温度传感器;补偿设定部,其构成为:指示所述控制器在所述对象区的控制量中增加由所述补偿计算部计算出的补偿;以及判定部,其构成为:使所述补偿计算部和所述补偿设定部的处理重复执行,直至规定的补偿调整结束条件成立为止。
另外,本发明的控制器调整系统的特征在于,具备:目标值设定部,其构成为:加热装置由在对工件进行加热的多个区中的各区具备加热部的电热单元以及针对每个区对该电热单元进行控制的控制器构成,冷却装置由在对工件进行冷却的多个区中的各区具备冷却部的电热单元以及针对每个区对该电热单元进行控制的控制器构成,所述目标值设定部对于所述加热装置或所述冷却装置,在调整所述控制器的补偿时,在所述工件的表面针对每个区固定有温度传感器的状态下,指示所述控制器将全部的区的目标值设为相同值;操作量设定部,其构成为:设定所述控制器输出的操作量;干扰强度测定部,其构成为:基于在将各区的操作量设定为第1值的状态下将1个第1区的操作量变更为大于所述第1值的第2值之后变更为小于所述第2值的第3值时、或者在将各区的操作量设定为第1值的状态下将1个第1区的操作量变更为小于所述第1值的第4值之后变更为大于所述第4值的第5值时的所述第1区以外的第2区的控制量的峰值的幅度以及所述第1区的控制量的峰值的幅度,一边改变所述第1区,一边针对每个第1区以及每个第2区而计算所述第1区对所述第2区造成的干扰的强度;补偿计算部,其构成为:从所述干扰的强度大的区起依次对全部的区进行基于所述温度传感器的整定时的测定值以及所述目标值来计算所述对象区的补偿的处理,该温度传感器是指位于与补偿调整的对象区对应的位置的温度传感器;补偿设定部,其构成为:指示所述控制器在所述对象区的控制量中增加由所述补偿计算部计算出的补偿;以及判定部,其构成为:使所述补偿计算部和所述补偿设定部的处理重复执行,直至规定的补偿调整结束条件成立为止,所述操作量设定部在指示所述控制器将全部的区的操作量设为所述第1值之后,一边改变所述第1区,一边针对全部的区而指示所述控制器将所述第1区的操作量设为所述第2值之后设为所述第3值、或者将所述第1区的操作量设为所述第4值之后设为所述第5值,并对于所述干扰的强度的计算结束后的第1区,解除操作量的设定。
另外,本发明的控制器调整系统的特征在于,具备:目标值设定部,其构成为:加热装置由在对工件进行加热的多个区中的各区具备加热部的电热单元以及针对每个区对该电热单元进行控制的控制器构成,冷却装置由在对工件进行冷却的多个区中的各区具备冷却部的电热单元以及针对每个区对该电热单元进行控制的控制器构成,所述目标值设定部对于所述加热装置或所述冷却装置,在调整所述控制器的补偿时,在所述工件的表面针对每个区固定有温度传感器的状态下,指示所述控制器将全部的区的目标值设为相同值;操作量设定部,其构成为设定所述控制器输出的操作量;干扰强度测定部,其构成为:基于在将各区的操作量设定为第1值的状态下将1个第1区的操作量变更为大于所述第1值的第2值之后变更为小于所述第2值的第3值时、或者在将各区的操作量设定为第1值的状态下将1个第1区的操作量变更为小于所述第1值的第4值之后变更为大于所述第4值的第5值时的位于与所述第1区以外的第2区对应的位置的所述温度传感器的测定值的峰值的幅度以及位于与所述第1区对应的位置的所述温度传感器的测定值的峰值的幅度,一边改变所述第1区,一边针对每个第1区以及每个第2区而计算所述第1区对所述第2区造成的干扰的强度;补偿计算部,其构成为:从所述干扰的强度大的区起依次对全部的区进行基于所述温度传感器的整定时的测定值以及所述目标值来计算所述对象区的补偿的处理,该温度传感器是指位于与补偿调整的对象区对应的位置的温度传感器;补偿设定部,其构成为:指示所述控制器在所述对象区的控制量中增加由所述补偿计算部计算出的补偿;以及判定部,其构成:为使所述补偿计算部和所述补偿设定部的处理重复执行,直至规定的补偿调整结束条件成立为止,所述操作量设定部在指示所述控制器将全部的区的操作量设为所述第1值之后,一边改变所述第1区,一边针对全部的区而指示所述控制器将所述第1区的操作量设为所述第2值之后设为所述第3值、或者将所述第1区的操作量设为所述第4值之后设为所述第5值,并对于所述干扰的强度的计算结束后的第1区,解除操作量的设定。
另外,在本发明的控制器调整系统的1个构成例中,其特征在于,所述干扰强度测定部在将在施加所述临时补偿之后针对所述第2区在温度控制的整定时从所述控制器输出的操作量设为Aij、将在施加所述临时补偿之前针对所述第2区在温度控制的整定时从所述控制器输出的操作量设为Bij、并将所述临时补偿设为S时,通过|(Aij-Bij)/S|来计算所述第1区对所述第2区造成的干扰的强度。
另外,在本发明的控制器调整系统的1个构成例中,其特征在于,所述干扰强度测定部在将各区的操作量设定为所述第1值的状态下将所述第1区的操作量变更为所述第2值之后变更为所述第3值时、或者在将各区的操作量设定为所述第1值的状态下将所述第1区的操作量变更为所述第4值之后变更为所述第5值时的所述第2区的控制量的峰值的幅度设为Pij、将所述第1区的控制量的峰值的幅度设为Pii时,通过Pij/Pii来计算所述第1区对所述第2区造成的干扰的强度。
另外,在本发明的控制器调整系统的1个构成例中,其特征在于,所述干扰强度测定部在将各区的操作量设定为所述第1值的状态下将所述第1区的操作量变更为所述第2值之后变更为所述第3值时、或者在将各区的操作量设定为所述第1值的状态下将所述第1区的操作量变更为所述第4值之后变更为所述第5值时的位于与所述第2区对应的位置的所述温度传感器的测定值的峰值的幅度设为Pij、将位于与所述第1区对应的位置的所述温度传感器的测定值的峰值的幅度设为Pii的时候,通过Pij/Pii来计算所述第1区对所述第2区造成的干扰的强度。
另外,在本发明的控制器调整系统的1个构成例中,其特征在于,所述补偿计算部在对各区分别多次进行所述补偿的调整的情况下,计算在将直至刚才的调整为止的所述补偿全部维持的状态下在所述对象区的控制量中进一步增加的补偿。
另外,在本发明的控制器调整系统的1个构成例中,其特征在于,在对于各区执行所述补偿的调整之后的所述温度传感器的整定时的测定值彼此的差在规定范围内的情况下,所述判定部判定为所述补偿调整结束条件成立。
另外,在本发明的控制器调整系统的1个构成例中,其特征在于,在各区的所述补偿的调整的执行次数达到规定次数的情况下,所述判定部判定为所述补偿调整结束条件成立。
另外,在本发明的控制器调整系统的1个构成例中,其特征在于,所述临时补偿设定部在对全部的区依次进行所述临时补偿的施加时,将预先登记的多个区同时设为所述第1区,所述补偿计算部在从所述干扰的强度大的区起依次进行所述补偿的计算时,将所登记的所述多个区同时设为所述对象区,分别对于这些对象区而计算所述补偿,所述补偿设定部指示所述控制器在所登记的所述多个区的控制量中分别同时增加由所述补偿计算部计算出的对应的补偿。
另外,在本发明的控制器调整系统的1个构成例中,其特征在于,所述操作量设定部在对于全部的区依次进行所述操作量的设定时,将预先登记的多个区同时设为所述第1区,所述补偿计算部在从所述干扰的强度大的区起依次进行所述补偿的计算时,将所登记的所述多个区同时设为所述对象区,分别对于这些对象区而计算所述补偿,所述补偿设定部指示所述控制器在所登记的所述多个区的控制量中分别同时增加由所述补偿计算部计算出的对应的补偿。
另外,在本发明的控制器调整系统的1个构成例中,其特征在于,所述目标值设定部、所述临时补偿设定部、所述干扰强度测定部、所述补偿计算部、所述补偿设定部和所述判定部对于预先登记的多个所述目标值中的各个所述目标值进行处理,所述控制器调整系统还具备:存储部,其构成为针对每个区以及每个目标值而存储所述补偿;以及插值部,其构成为基于存储于该存储部的补偿,对于未进行补偿调整的目标值,针对每个区通过线性插值来计算补偿,并存储到所述存储部,所述补偿设定部在所述加热装置的实际工作时或者所述冷却装置的实际工作时,针对每个区,从所述存储部取得与和各区的控制量相同的值的目标值相对应的补偿并设定到所述控制器。
另外,在本发明的控制器调整系统的1个构成例中,其特征在于,所述目标值设定部、所述操作量设定部、所述干扰强度测定部、所述补偿计算部、所述补偿设定部和所述判定部对于预先登记的多个所述目标值中的各个所述目标值进行处理,所述控制器调整系统还具备:存储部,其构成为针对每个区以及每个目标值而存储所述补偿;以及插值部,其构成为:基于存储于该存储部的补偿,对于未进行补偿调整的目标值,针对每个区通过线性插值来计算补偿,并存储到所述存储部,所述补偿设定部在所述加热装置的实际工作时或者所述冷却装置的实际工作时,针对每个区,从所述存储部取得与和各区的控制量相同的值的目标值相对应的补偿并设定到所述控制器。
另外,本发明的控制器调整方法的特征在于,包括:第1步骤,加热装置由在对工件进行加热的多个区中的各区具备加热部的电热单元以及针对每个区对该电热单元进行控制的控制器构成,冷却装置由在对工件进行冷却的多个区中的各区具备冷却部的电热单元以及针对每个区对该电热单元进行控制的控制器构成,在第1步骤中,对于所述加热装置或所述冷却装置,在调整所述控制器的补偿时,在所述工件的表面针对每个区固定有温度传感器的状态下,指示所述控制器将全部的区的目标值设为相同值;第2步骤,对于在各区中的1个的第1区的控制量中增加预先指定的临时补偿的处理,一边改变所述第1区一边对全部的区进行该处理;第3步骤,基于在施加所述临时补偿之后针对所述第1区以外的第2区在温度控制的整定时从所述控制器输出的操作量以及在施加所述临时补偿之前针对所述第2区在温度控制的整定时从所述控制器输出的操作量,针对每个第1区以及每个第2区而计算所述第1区对所述第2区造成的干扰的强度;第4步骤,从所述干扰的强度大的区起依次对全部的区进行基于所述温度传感器的整定时的测定值以及所述目标值来计算所述对象区的补偿的处理,该温度传感器是指位于与补偿调整的对象区相对应的位置的温度传感器;第5步骤,指示所述控制器在所述对象区的控制量中增加由所述第4步骤计算出的补偿;以及第6步骤,使所述第4步骤和所述第5步骤的处理重复执行,直至规定的补偿调整结束条件成立为止。
另外,本发明的控制器调整方法的特征在于,包括:第1步骤,加热装置由在对工件进行加热的多个区中的各区具备加热部的电热单元以及针对每个区对该电热单元进行控制的控制器构成,冷却装置由在对工件进行冷却的多个区中的各区具备冷却部的电热单元以及针对每个区对该电热单元进行控制的控制器构成,在第1步骤中,对于所述加热装置或所述冷却装置,在调整所述控制器的补偿时,在所述工件的表面针对每个区固定有温度传感器的状态下,指示所述控制器将全部的区的目标值设为相同值;第2步骤,设定所述控制器输出的操作量;第3步骤,基于在将各区的操作量设定为第1值的状态下将1个第1区的操作量变更为大于所述第1值的第2值之后变更为小于所述第2值的第3值时、或者在将各区的操作量设定为第1值的状态下将1个第1区的操作量变更为小于所述第1值的第4值之后变更为大于所述第4值的第5值时的所述第1区以外的第2区的控制量的峰值的幅度以及所述第1区的控制量的峰值的幅度,一边改变所述第1区,一边针对每个第1区以及每个第2区而计算所述第1区对所述第2区造成的干扰的强度;第4步骤,从所述干扰的强度大的区起依次对全部的区进行基于所述温度传感器的整定时的测定值以及所述目标值来计算所述对象区的补偿的处理,该温度传感器是指位于与补偿调整的对象区相对应的位置的温度传感器;第5步骤,指示所述控制器在所述对象区的控制量中增加由所述第4步骤计算出的补偿;以及第6步骤,使所述第4步骤和所述第5步骤的处理重复执行,直至规定的补偿调整结束条件成立为止,所述第2步骤包括:指示所述控制器将全部的区的操作量设为所述第1值的步骤;一边改变所述第1区,一边针对全部的区而所述控制器将所述第1区的操作量设为所述第2值之后设为所述第3值、或者将所述第1区的操作量设为所述第4值之后设为所述第5值的步骤;以及对于所述干扰的强度的计算结束后的第1区,解除操作量的设定的步骤。
另外,本发明的控制器调整方法的特征在于,包括:第1步骤,加热装置由在对工件进行加热的多个区中的各区具备加热部的电热单元以及针对每个区对该电热单元进行控制的控制器构成,冷却装置由在对工件进行冷却的多个区中的各区具备冷却部的电热单元以及针对每个区对该电热单元进行控制的控制器构成,在第1步骤中,对于所述加热装置或所述冷却装置,在调整所述控制器的补偿时,在所述工件的表面针对每个区固定有温度传感器的状态下,指示所述控制器将全部的区的目标值设为相同值;第2步骤,设定所述控制器输出的操作量;第3步骤,基于在将各区的操作量设定为第1值的状态下将1个第1区的操作量变更为大于所述第1值的第2值之后变更为小于所述第2值的第3值时、或者在将各区的操作量设定为第1值的状态下将1个第1区的操作量变更为小于所述第1值的第4值之后变更为大于所述第4值的第5值时的位于与所述第1区以外的第2区对应的位置的所述温度传感器的测定值的峰值的幅度以及位于与所述第1区对应的位置的所述温度传感器的测定值的峰值的幅度,一边改变所述第1区,一边针对每个第1区以及每个第2区而计算所述第1区对所述第2区造成的干扰的强度;第4步骤,从所述干扰的强度大的区起依次对全部的区进行基于所述温度传感器的整定时的测定值以及所述目标值来计算所述对象区的补偿的处理,该温度传感器是指位于与补偿调整的对象区相对应的位置的温度传感器;第5步骤,指示所述控制器在所述对象区的控制量中增加由所述第4步骤计算出的补偿;以及第6步骤,使所述第4步骤和所述第5步骤的处理重复执行,直至规定的补偿调整结束条件成立为止,所述第2步骤包括:指示所述控制器将全部的区的操作量设为所述第1值的步骤;一边改变所述第1区,一边针对全部的区而指示所述控制器将所述第1区的操作量设为所述第2值之后设为所述第3值、或者将所述第1区的操作量设为所述第4值之后设为所述第5值的步骤;以及对于所述干扰的强度的计算结束的第1区,解除操作量的设定的步骤。
发明效果
根据本发明,在将全部的区的目标值设为相同值的状态下,对第1区的控制量增加临时补偿,基于在施加临时补偿之后针对第2区从控制器输出的操作量以及在施加临时补偿之前针对第2区从控制器输出的操作量,针对每个第1区以及每个第2区而计算第1区对第2区造成的干扰的强度,从干扰的强度大的区起依次对全部的区进行基于位于与对象区对应的位置的温度传感器的整定时的测定值和目标值而计算对象区的补偿并设定到控制器的处理,从而能够求出区之间的干扰强度,并且在加热装置的实际工作时或者冷却装置的实际工作时能够使工件的表面温度均匀。另外,在本发明中,在进行了控制的状态下增加控制量的临时补偿,所以,能够缩短直至取得干扰强度为止的期间。
另外,在本发明中,基于在将各区的操作量设定为第1值的状态下将第1区的操作量变更为大于第1值的第2值之后变更为小于第2值的第3值时、或者在将各区的操作量设定为第1值的状态下将第1区的操作量变更为小于第1值的第4值之后变更为大于第4值的第5值时的第2区的控制量的峰值的幅度以及第1区的控制量的峰值的幅度,一边改变第1区,一边针对每个第1区以及每个第2区而计算第1区对第2区造成的干扰的强度,将全部的区的目标值设定为相同值,从干扰的强度大的区起依次对全部的区进行基于位于与对象区对应的位置的温度传感器的稳定时的测定值和目标值而计算对象区的补偿并设定到控制器的处理,从而能够求出区之间的干扰强度,并且在加热装置的实际工作时或者冷却装置的实际工作时能够使工件的表面温度均匀。另外,在本发明中,用第2值/第3值来切换第1区的操作量,不等待至第1、第2区的控制量整定为止,根据控制量的偏差量来计算干扰强度,所以,能够缩短直至取得干扰强度为止的期间。
另外,在本发明中,基于在将各区的操作量设定为第1值的状态下将第1区的操作量变更为大于第1值的第2值之后变更为小于第2值的第3值时、或者在将各区的操作量设定为第1值的状态下将第1区的操作量变更为小于第1值的第4值之后变更为大于第4值的第5值时的位于与第2区对应的位置的温度传感器的测定值的峰值的幅度以及位于与第1区对应的位置的温度传感器的测定值的峰值的幅度,一边改变第1区,一边针对每个第1区以及每个第2区而计算第1区对第2区造成的干扰的强度,将全部的区的目标值设定为相同值,从干扰的强度大的区起依次对全部的区进行基于位于与对象区对应的位置的温度传感器的整定时的测定值和目标值而计算对象区的补偿并设定到控制器的处理,从而能够求出区之间的干扰强度,并且在加热装置的实际工作时或者冷却装置的实际工作时能够使工件的表面温度均匀。另外,在本发明中,用第2值/第3值来切换第1区的操作量,不等待至处于与第1、第2区对应的位置的温度传感器的测定值整定为止,根据测定值的偏差量来计算干扰强度,所以,能够缩短直至取得干扰强度为止的期间。
附图说明
图1是示出本发明的第1实施例的加热装置的控制器调整系统的构成的框图。
图2是示出本发明的第1实施例的加热装置的电热单元的加热部的构成的框图。
图3是示出本发明的第1实施例的控制器调整系统的调整装置的构成的框图。
图4是说明本发明的第1实施例的控制器调整系统的动作的流程图。
图5是示出本发明的第2实施例的加热装置的控制器调整系统的构成的框图。
图6是示出本发明的第2实施例的控制器调整系统的调整装置的构成的框图。
图7是说明本发明的第2实施例的控制器调整系统的动作的流程图。
图8是说明本发明的第2实施例中的干扰强度的测定处理的图。
图9是示出加热装置的区的其他配置例的俯视图。
图10是示出本发明的第3实施例的加热装置的控制器调整系统的构成的框图。
图11是示出本发明的第3实施例的控制器调整系统的调整装置的构成的框图。
图12是说明本发明的第3实施例的控制器调整系统的动作的流程图。
图13是说明本发明的第3实施例的调整装置的插值部的插值处理的图。
图14是说明本发明的第3实施例的加热装置的实际工作时的控制器调整系统的动作的流程图。
图15是说明控制器的补偿调整方法的图。
具体实施方式
[第1实施例]
下面,参照附图,说明本发明的实施例。图1是示出本发明的第1实施例的加热装置的控制器调整系统的构成的框图。在n个(n是自然数,在本实施例中n=9)区Z1~Z9中的各区具备对工件14进行加热的加热部1-1~1-9的电热单元2以及针对每个加热部1-1~1-9(针对每个区)控制电热单元2的控制器3构成加热装置。
控制器调整系统由在与区Z1~Z9对应的工件表面的各区域分别设置有温度传感器5-1~5-9的工件传感器4、从温度传感器5-1~5-9取得测定值(工件表面温度测定值[℃])的测定器6以及基于测定器6的测定结果而进行控制器3的补偿调整的调整装置7构成。
图2是示出电热单元2的加热部1-1的构成的框图。加热部1-1由加热器、珀尔帖元件等电热体10、根据来自控制器3的操作量而将电力供给到电热体10的电力调整器、控制用继电器等电力控制器11以及检测电热体10的温度[℃]的温度传感器12构成。在图2的例子中,仅示出加热部1-1的构成,但其他加热部1-2~1-9的构成也与加热部1-1相同。
控制器3以使电热单元2的加热部1-1~1-9的各温度传感器12计测出的控制量(温度)PV1~PV9分别与目标值(温度设定值)SP1~SP9一致的方式,计算操作量MV1~MV9。电热单元2的加热部1-1~1-9的各电力控制器11分别将与操作量MV1~MV9相应的电力供给到加热部1-1~1-9的电热体10。在本实施例的加热装置中,对控制量PV1~PV9进行控制的控制回路形成有n=9个。作为控制器3的控制运算算法,例如存在PID。这样的控制器3的温度控制动作是公知的技术,所以,省略详细说明。
此外,也可以将各加热部1-1~1-9的电力控制器11设置于控制器3的内部。
工件传感器4在工件14的表面针对每个区Z1~Z9设置有温度传感器5-1~5-9。在工件14例如是层压涂膜的情况下,作为向工件14固定温度传感器5-1~5-9的固定方法,例如存在利用胶带的粘附。此外,工件传感器4在控制器3的调整时使用,在加热装置的实际工作时的工件14处不设置温度传感器5-1~5-9,这自不待言。
图3是示出调整装置7的构成的框图。调整装置7由临时补偿设定部70、干扰强度测定部71、补偿计算部72、补偿设定部73、判定部74、目标值设定部75和存储部76构成。
此外,如果控制器3的处理能力有余裕,则也可以将调整装置7设置于控制器3的内部。
图4是说明本实施例的控制器调整系统的动作的流程图。最先,调整装置7的目标值设定部75将全部的区Z1~Z9的目标值SP[℃]设为相同值,指示控制器3按一定的目标值SP进行温度控制(图4步骤S100)。此时,对控制器3设定的目标值SP期望是在加热装置的实际工作时对工件14进行加热处理时的目标值。
接下来,调整装置7的临时补偿设定部70和干扰强度测定部71测定加热装置的各区Z1~Z9对其他区造成的温度干扰的强度C(图4步骤S101~S105)。具体来说,临时补偿设定部70在各区Z1~Z9的控制量(温度)PV1~PV9整定的状况下,指示控制器3对作为区Z1~Z9中的1个的第1区Zi(i=1~n)的控制量PVi增加预先指定的量的临时补偿S[℃](图4步骤S102)。
在该情况下,控制器3对于第1区Zi,以使对加热部1-i的温度传感器12计测出的控制量PVi增加临时补偿S而得到的值与目标值SP一致的方式,计算操作量MVi。另外,控制器3对于第1区Zi以外的第2区Zj(j=1~n且i≠j),以使加热部1-j的温度传感器12计测出的控制量PVj与目标值SP一致的方式,计算操作量MVj。
干扰强度测定部71基于通过施加临时补偿S后的温度控制而第1区Zi以外的第2区Zj的控制量PVj整定时的第2区Zj的操作量MVj=Aij以及在施加临时补偿S前控制量PVj整定时的第2区Zj的操作量MVj=Bij,按下式计算第1区Zi对第2区Zj造成的干扰强度Cij(图4步骤S103)。
Cij=|(Aij-Bij)/S|…(1)
临时补偿设定部70和干扰强度测定部71设定i=1、即将区Z1设为第1区Zi而进行这样的干扰强度Cij的测定处理(图4步骤S101~S103)。然后,临时补偿设定部70在该测定结束后,判定将各区Z1~Z9设为第1区Zi的干扰强度Cij的测定处理是否结束(图4步骤S104)。
当在步骤S104中i<n、即将各区Z1~Z9设为第1区Zi的干扰强度Cij的测定处理未结束的情况下,临时补偿设定部70设定i=i+1(图4步骤S105),返回到步骤S102,对于接下来的第1区Zi,进行干扰强度Cij的测定处理。
此时,临时补偿设定部70对于干扰强度Cij的测定处理结束的区,使在该区的控制量PVi中增加的临时补偿S返回到0。
通过这样,直至在步骤S104中i=n、将各区Z1~Z9设为第1区Zi的干扰强度Cij的测定处理结束为止,一边改变第1区Zi,一边重复执行步骤S102~S105的处理。例如在将区Z1设为第1区Zi的测定中,得到C12、C13、C14、C15、C16、C17、C18、C19这8个干扰强度。另外,在将区Z2设为第1区Zi的测定中,得到C21、C23、C24、C25、C26、C27、C28、C29这8个干扰强度。
当在步骤S103中i=n、将各区Z1~Z9设为第1区Zi的干扰强度C的测定处理结束时,调整装置7的补偿计算部72将干扰强度测定部71测定出的干扰强度C最大的区设为补偿调整的对象区Zk(k=1~n),按下式计算增加于该对象区Zk的控制量PVk的补偿Gk[℃](图4步骤S106)。
Gk=a×(Wk-SP)…(2)
式(2)的a是用于使渐近收敛加快的规定的系数(a>0),Wk是处于与对象区Zk对应的位置的工件传感器4的温度传感器5-k的整定时的测定值。调整装置7的存储部76针对每个区以及在每次实施补偿调整时存储补偿计算部72计算出的补偿G。
调整装置7的补偿设定部73指示控制器3将补偿计算部72计算出的补偿Gk增加到对象区Zk的控制量PVk(图4步骤S107)。
此外,在本实施例的由补偿计算部72和补偿设定部73实施的补偿调整中,如后面所述,在进行多次补偿调整的情况下,在将直至刚才的调整为止的补偿G全部维持的状态下,进行进一步的补偿调整。例如在第1次补偿调整的情况下,补偿设定部73如上所述指示控制器3将补偿计算部72计算出的补偿Gk增加到区Zk的控制量PVk(步骤S107)。
由此,控制器3对于区Zk,以使在加热部1-k的温度传感器12计测出的控制量PVk增加从补偿设定部73指示的补偿Gk而得到的值与目标值SP一致的方式,计算操作量MVk。另外,控制器3对于第1次补偿调整尚未完成的区Zm(m=1~n),以使加热部1-m的温度传感器12计测出的控制量PVm与目标值SP一致的方式,计算操作量MVm。
在第2次之后的补偿调整的情况下,补偿设定部73对于补偿调整的对象区Zk,指示控制器3从存储部76全部取得通过直至刚才为止的补偿调整而得到的该区Zk的补偿的值,将在通过直至刚才为止的补偿调整而得到的该区Zk的总计的补偿中增加补偿计算部72本次计算出的最新的补偿Gk而得到的值增加到区Zk的控制量PVk(步骤S107)。
由此,控制器3对于区Zk,以使在加热部1-k的温度传感器12计测出的控制量PVk中增加从补偿设定部73指示的补偿而得到的值与目标值SP一致的方式,计算操作量MVk。另外,控制器3对于本次的补偿调整尚未完成的区Zm(m=1~n),以使在加热部1-m的温度传感器12计测出的控制量PVm中增加通过刚才的补偿调整而从补偿设定部73指示的补偿而得到的值与目标值SP一致的方式,计算操作量MVm。
补偿计算部72对于全部的区Z1~Z9而判定补偿的调整处理是否结束(图4步骤S108)。补偿计算部72在剩下有未处理的区的情况下,返回到步骤S106,将接下来的干扰强度C较大的区设为对象区Zk而调整补偿。
通过这样,补偿计算部72和补偿设定部73从干扰强度C大的区起依次进行控制器3的补偿调整。此外,当针对1个区而调整补偿时,其他区的温度传感器5的测定值发生变化,所以,为了针对接下来的干扰强度C大的区而调整补偿,需要等待直至温度传感器5的测定值整定为止。
在对于全部的区Z1~Z9执行控制器3的补偿调整之后(步骤S108中的“是”),调整装置7的判定部74判定补偿调整结束条件是否成立(图4步骤S109)。
作为补偿调整结束条件,存在工件传感器温度的要求精度和补偿调整的次数。
具体来说,判定部74在执行补偿调整之后的各温度传感器5-1~5-9的整定时的测定值彼此的差在规定范围(例如,±0.1℃)内的情况下,实现要求精度,判定为补偿调整结束条件成立,在各温度传感器5-1~5-9的测定值彼此的差中的至少1个在规定范围外的情况下,判定为补偿调整结束条件未成立即可。或者,判定部74也可以在补偿调整的执行次数达到规定次数的情况下,判定为补偿调整结束条件成立,在补偿调整的执行次数未达到规定次数的情况下,判定为补偿调整结束条件未成立。
判定部74在补偿调整结束条件未成立的情况下(步骤S109中的“否”),返回到步骤S106,使补偿计算部72和补偿设定部73再次执行控制器3的补偿调整。
通过这样,重复执行步骤S106~S109的处理,直至补偿调整结束条件成立为止,从而能够使工件传感器4的各温度传感器5-1~5-9的测定值渐近地一致。
如上所述,在本实施例的由补偿计算部72和补偿设定部73实施的补偿调整中,在进行多次补偿调整的情况下,在将直至刚才的调整为止的补偿全部维持的状态下,进行进一步的补偿调整。因此,例如在区Z1的第1次补偿是G1_1、进行第2次补偿调整的情况下,在将该补偿G1_1增加到区Z1的控制量PV1的状态下,求出区Z1的第2次补偿G1_2,在进行第3次补偿调整的情况下,在将该补偿G1_2和第1次补偿G1_1增加到区Z1的控制量PV1的状态下,求出区Z1的第3次补偿G1_3。如果执行3次补偿调整而补偿调整结束条件成立,则增加到区Z1的控制量PV1的最终的补偿为G1_1+G1_2+G1_3。
在补偿调整结束条件成立的时间点下(步骤S109中的“是”),控制器调整系统的动作结束。通过控制器调整系统对控制器3设定的补偿的值在加热装置的实际工作时也原样地维持。
如上所述,在本实施例中,能够求出区之间的干扰强度,并且能够实现在加热装置的实际工作时能够使工件14的表面温度均匀的控制器3的补偿调整。
另外,在本实施例中,在进行了控制的状态下,增加控制量PV的临时补偿S,所以,直至增加临时补偿S之后的控制量PV整定为止的时间较短地结束。因此,在本实施例中,能够缩短直至取得干扰强度为止的期间。
[第2实施例]
接下来,说明本发明的第2实施例。图5是示出本发明的第2实施例的加热装置的控制器调整系统的构成的框图,对与图1相同的构成附加相同符号。本实施例的控制器调整系统由工件传感器4、测定器6和调整装置7a构成。
图6是示出本实施例的调整装置7a的构成的框图。调整装置7a由干扰强度测定部71a、补偿计算部72、补偿设定部73、判定部74、目标值设定部75、存储部76和操作量设定部77构成。
与第1实施例同样地,如果控制器3的处理能力有余裕,则也可以将调整装置7a设置于控制器3的内部。
图7是说明本实施例的控制器调整系统的动作的流程图。最先,调整装置7a的目标值设定部75将全部的区Z1~Z9的目标值SP[℃]设为相同值,指示控制器3以一定的目标值SP进行温度控制(图7步骤S200)。此时,对控制器3设定的目标值SP期望是在加热装置的实际工作时对工件14进行加热处理时的目标值。
接下来,调整装置7a的操作量设定部77将全部的区Z1~Z9的操作量MV1~MV9设为相同值MVcom(第1值),指示控制器3以一定的操作量MV1~MV9的输出进行温度控制(图7步骤S201)。由此,与在步骤S200中设定的目标值SP相应的由控制器3的控制运算产生的操作量输出变成无效。
接下来,调整装置7a的操作量设定部77和干扰强度测定部71a测定加热装置的各区Z1~Z9对其他区造成的干扰强度C(图7步骤S202~S208)。具体来说,操作量设定部77指示控制器3将作为区Z1~Z9中的1个的第1区Zi(i=1~n,在本实施例中n=9)的操作量MVi设为预先指定的第2值HIGH(图7步骤S203)。接下来,操作量设定部77在将第1区Zi的操作量MVi设为HIGH之后,在第1区Zi的控制量PVi上升通过了预先指定的第1阈值TH1的时刻下,指示控制器3将第1区Zi的操作量MVi设为预先指定的第3值LOW(LOW<HIGH)(图7步骤S204)。
此外,也可以在从将第1区Zi的操作量MVi设为HIGH起的规定时间后设为LOW。操作量MVi=LOW是低于其他区的操作量MVcom的值。操作量MVi=HIGH需要设为高于其他区的操作量MVcom的值。
干扰强度测定部71a基于在将第1区Zi的操作量MVi变更为MVi=HIGH之后变更为MVi=LOW时的第1区Zi以外的第2区Zj(j=1~n且i≠j)的控制量PVj的峰值的上升幅度(相对于变更为MVi=HIGH之前的控制量PVj的上升幅度)Pij、以及在将第1区Zi的操作量MVi变更为MVi=HIGH之后变更为MVi=LOW时的第1区Zi的控制量PVi的峰值的上升幅度(相对于变更为MVi=HIGH之前的控制量PVi的上升幅度)Pii,按下式计算第1区Zi对第2区Zj造成的干扰强度Cij(图7步骤S205)。
Cij=Pij/Pii…(3)
然后,对于干扰强度Cij的计算结束的第1区Zi,操作量设定部77指示控制器3解除操作量MVi的设定(图7步骤S206)。具体来说,操作量设定部77在第1区Zi的控制量PVi下降通过了预先指定的第2阈值TH2(TH2<TH1)的时刻下,对于第1区Zi,指示控制器3解除操作量MVi的设定。由此,该区的操作量MV成为基于控制运算的操作量。即,控制器3以使被解除操作量MV的设定的区的控制量PV与在步骤S200中设定的目标值SP一致的方式,计算操作量MV。
操作量设定部77和干扰强度测定部71a设定i=1、即将区Z1设为第1区Zi而进行这样的干扰强度Cij的测定处理(图7步骤S202~S206)。然后,操作量设定部77在该测定结束后,判定将各区Z1~Z9设为第1区Zi的干扰强度Cij的测定处理是否结束(图7步骤S207)。
操作量设定部77当在步骤S207中i<n、即将各区Z1~Z9设为第1区Zi的干扰强度Cij的测定处理未结束的情况下,设定i=i+1(图7步骤S208),返回到步骤S203,对于接下来的第1区Zi,进行干扰强度Cij的测定处理。
通过这样,直至在步骤S207中i=n、将各区Z1~Z9设为第1区Zi的干扰强度Cij的测定处理结束为止,一边改变第1区Zi,一边重复执行步骤S203~S206的处理。图8是说明以上的干扰强度C的测定处理的图。在图8的例子中,在时刻t1下,将第1区Zi的操作量MVi变更为MVi=HIGH,在时刻t2下变更为MVi=LOW,进一步地,在时刻t3下,解除操作量MVi的设定。
此外,也可以将在将第1区Zi的操作量MVi变更为MVi=HIGH之后变更为MVi=LOW时的位于与第2区Zj对应的位置的工件传感器4的温度传感器5-j的测定值Wj的峰值的上升幅度(相对于变更为MVi=HIGH之前的测定值Wj的上升幅度)设为Pij,并将在将第1区Zi的操作量MVi变更为MVi=HIGH之后变更为MVi=LOW时的位于与第1区Zi对应的位置的工件传感器4的温度传感器5-i的测定值Wi的峰值的上升幅度(相对于变更为MVi=HIGH之前的测定值Wi的上升幅度)设为Pii,进行式(3)的干扰强度Cij的计算。
当在步骤S207中i=n、将各区Z1~Z9设为第1区Zi的干扰强度C的测定处理结束时,将各区Z1~Z9的操作量MV1~MV9固定于MVcom的状态全部解除。如上所述,控制器3以使电热单元2的加热部1-1~1-9的各温度传感器12计测出的控制量PV1~PV9分别与目标值SP一致的方式,计算操作量MV1~MV9。
图7的步骤S209~S212的补偿调整处理与第1实施例的步骤S106~S109的处理相同,所以省略说明。
通过这样,在本实施例中,能够得到与第1实施例相同的效果。另外,按HIGH/LOW切换第1区Zi的操作量MVi的动作与基于极限循环法的控制器3的自动调谐动作相同。因此,在本实施例中,能够利用通用的控制器,所以容易进行系统构筑,能够容易地将本实施例应用于使用通用的控制器的加热装置。
另外,在本实施例中,按HIGH/LOW切换第1区Zi的操作量MVi,不等待至控制量PVi、PVj、温度传感器5-i、5-j的测定值Wi、Wj整定为止,而根据控制量PVi、PVj、测定值Wi、Wj的偏差量来计算干扰强度,所以,能够缩短直至取得干扰强度为止的期间。
此外,在第1、第2实施例中,在加热装置的区Z1~Z6是图9所示的平面配置的情况下,区Z2~Z5相对于区Z1、区Z6对称地配置。在该情况下,在区Z1~Z5的加热部1-1~1-5的各电热体10的电热能力是相同程度的情况下,认为区Z1~Z5各自对其他区造成的干扰的强度也是相同程度。
因此,第1实施例的临时补偿设定部70也可以将增加到区Z1~Z5的控制量PV1~PV5的临时补偿S设为相同值,将区Z1~Z5设为第1区,关于区Z1~Z5,一次性地进行步骤S102的处理。如在第1实施例中说明的那样,干扰强度测定部71针对每个第1区以及每个第2区而计算干扰强度C,能够通过一次性的步骤S103的处理来计算将区Z1~Z5设为第1区时的干扰强度C。
在临时补偿设定部70、干扰强度测定部71、补偿计算部72和补偿设定部73中,预先登记同时进行处理的区Z1~Z5的编号即可。补偿计算部72和补偿设定部73从干扰强度C大的区起依次进行步骤S106、S107的处理,在预先登记的区Z1~Z5中的某一方成为补偿调整的对象区的时间点下,对于区Z1~Z5,一次性地进行步骤S106、S107的处理即可。通过这样,能够缩短干扰强度的计算以及补偿调整所需的处理时间。
另外,第2实施例的操作量设定部77也可以将区Z1~Z5设为第1区,对于区Z1~Z5,一次性地进行步骤S203~S206的处理。在该情况下,需要使区Z1~Z5的操作量MV1~MV5的HIGH/LOW切换的时刻一致,所以,在从将区Z1~Z5的操作量MV1~MV5设为HIGH起的规定时间后设为LOW即可。另外,也可以在将区Z1~Z5的操作量MV1~MV5设为HIGH后,在区Z1~Z5的控制量PV1~PV5中的某一方上升通过了第1阈值TH1的时刻下,将区Z1~Z5的操作量MV1~MV5设为LOW。如在第2实施例中说明的那样,干扰强度测定部71a针对每个第1区以及每个第2区而计算干扰强度C,能够通过一次性的步骤S205的处理来计算将区Z1~Z5设为第1区时的干扰强度C。然后,操作量设定部77在区Z1~Z5的控制量PV1~PV5中的某1个下降通过了第2阈值TH2的时刻下,对于区Z1~Z5,解除操作量MV1~MV5的设定即可(步骤S206)。
在操作量设定部77、干扰强度测定部71a、补偿计算部72和补偿设定部73中,预先登记同时进行处理的区Z1~Z5的编号即可。补偿计算部72和补偿设定部73从干扰强度C大的区起依次进行步骤S209、S210的处理,在预先登记的区Z1~Z5中的某一方成为补偿调整的对象区的时间点下,对于区Z1~Z5,一次性地进行步骤S209、S210的处理即可。通过这样,能够缩短干扰强度的计算以及补偿调整所需的处理时间。
[第3实施例]
接下来,说明本发明的第3实施例。在第1、第2实施例中,说明了目标值SP是1个值、并且补偿调整的结果在加热装置的实际工作时原样地反映的情况,但在加热装置中,有时在正进行工件14的加热处理时变更目标值SP,所以,优选能够分别关于多个目标值SP而调整补偿。然而,如果分别关于多个目标值SP而调整补偿,则存在补偿调整耗费时间这样的问题。因此,说明在这样的情况下缩短处理时间的例子。
图10是示出本实施例的加热装置的控制器调整系统的构成的框图,对与图1相同的结构附加相同符号。本实施例的控制器调整系统由工件传感器4、测定器6和调整装置7b构成。
图11是示出本实施例的调整装置7b的构成的框图。调整装置7b由临时补偿设定部70、干扰强度测定部71、补偿计算部72、补偿设定部73b、判定部74、目标值设定部75、存储部76b和插值部78构成。
图12是说明本实施例的控制器调整系统的动作的流程图。首先,图12的步骤S300的补偿调整处理与在第1实施例的图4中说明的处理相同。调整装置7b的目标值设定部75通过依次设定预先登记的多个目标值SP,从而针对每个目标值SP进行图4的处理(步骤S300)。
本实施例的调整装置7b的存储部76b与第1实施例的存储部76同样地,针对每个区以及在每次实施补偿调整时存储补偿计算部72计算出的补偿G。但是,在本实施例中,针对每个目标值SP进行补偿调整,所以,需要针对每个目标值SP存储补偿。即,存储部76b针对每个区、在每次实施补偿调整时以及针对每个目标值SP,存储补偿计算部72计算出的补偿G。
本实施例的调整装置7b的补偿设定部73b除了在第1实施例中说明的补偿设定部73的功能之外,还具备在加热装置的实际工作时对控制器3设定与目标值SP相应的补偿G的功能。
在对于预先登记的多个目标值SP而步骤S300的补偿调整处理结束之后(图12步骤S301中的“是”),调整装置7b的插值部78基于存储于存储部76b的补偿G,对于未进行补偿调整的目标值SP,针对每个区通过线性插值来计算补偿G(图12步骤S302)。
图13是说明插值部78的插值处理的图。例如作为对于预先登记的目标值SP=90℃、150℃这2点进行补偿调整的结果,得到在目标值SP=90℃时某个区的总计的补偿G=G_90、在目标值SP=150℃时该区的总计的补偿G=G_150这样的结果。插值部78当在加热装置的实际工作时作为目标值SP除了使用90℃、150℃之外还使用SP=120℃的情况下,通过线性插值求出SP=120℃时的补偿G_120。针对每个区以及在每次实施补偿调整时进行这样的插值处理即可。关于在插值处理中应该导出补偿的目标值SP,预先对插值部78进行设定即可。
存储部76b针对每个区、在每次实施补偿调整时以及针对每个目标值SP,存储插值部78的插值结果。此外,在本实施例中,为了进行插值处理,需要用2点以上的目标值SP进行步骤S300的补偿调整处理。
在加热装置的实际工作时,调整装置7b的补偿设定部73b从存储部76b全部取得和与各区的控制量PV相同的值的目标值SP对应的补偿G。然后,补偿设定部73b针对每个区,指示控制器3将作为设定对象的区的总计的补偿G增加到该区的控制量PV(图14步骤S400)。
通过这样,进行图14的处理,直至由控制器3实施的温度控制结束为止(图14步骤S401中的“是”)。
根据本实施例,能够实现与在控制中变化的控制量PV的时时刻刻相适应的补偿调整,能够实现工件14的高精度的温度控制,并且能够缩短对于多个控制量PV(目标值SP)的补偿调整所需的处理时间。
在上述说明中,说明了将本实施例应用于第1实施例的情况,但也可以应用于第2实施例。在应用于第2实施例的情况下,将补偿设定部73b、存储部76b和插值部78设置于第2实施例的调整装置7即可。在该情况下,图12的步骤S300的补偿调整处理与在第2实施例的图7中说明的处理相同。目标值设定部75通过依次设定预先登记的多个目标值SP,从而针对每个目标值SP进行图7的处理(步骤S300)。
在第1~第3实施例中,说明了应用于加热装置的情况,但对于由在对工件进行冷却的多个区中的各区具备冷却部的电热单元以及针对每个区控制该电热单元的控制器构成的冷却装置,也可以应用第1~第3实施例。
在将第1~第3实施例应用于冷却装置的情况下,如果将电热单元2的区Z1~Z9各自的加热部1-1~1-9置换成区Z1~Z9各自的冷却部,则能够将第1~第3实施例的电热单元2的说明应用于冷却装置的电热单元。关于各冷却部的构成,作为图2所示的电热体10,例如使用珀尔帖元件等即可。
在将第2实施例应用于冷却装置的情况下,操作量设定部77指示控制器3将第1区Zi的操作量MVi设为第4值LOW(相当于图7步骤S203),在将操作量MVi设为LOW之后,在第1区Zi的控制量PVi下降通过了预先指定的第3阈值TH3的时刻下,指示控制器3将第1区Zi的操作量MVi设为第5值HIGH即可(相当于图7步骤S204)。在如上所述将预先登记的多个区Z1~Z5同时设为第1区的情况下,在将区Z1~Z5的操作量MV1~MV5设为LOW后,在区Z1~Z5的控制量PV1~PV5中的某1个下降通过了第3阈值TH3的时刻下,将区Z1~Z5的操作量MV1~MV5设为HIGH即可。另外,也可以在从将第1区Zi的操作量MVi设为LOW起的规定时间后设为HIGH。
在将第2实施例应用于冷却装置的情况下,干扰强度测定部71a将在将第1区Zi的操作量MVi变更为MVi=LOW之后变更为MVi=HIGH时的第2区Zj的控制量PVj的峰值的下降幅度(相对于变更为MVi=LOW之前的控制量PVj的下降幅度)设为Pij,并将在将第1区Zi的操作量MVi变更为MVi=LOW之后变更为MVi=HIGH时的第1区Zi的控制量PVi的峰值的下降幅度(相对于变更为MVi=LOW之前的控制量PVi的下降幅度)设为Pii,进行式(3)的干扰强度Cij的计算即可(相当于图7步骤S205)。
另外,在将第2实施例应用于冷却装置的情况下,干扰强度测定部71a也可以将在将第1区Zi的操作量MVi变更为MVi=LOW之后变更为MVi=HIGH时的位于与第2区Zj对应的位置的工件传感器4的温度传感器5-j的测定值Wj的峰值的下降幅度(相对于变更为MVi=LOW之前的测定值Wj的下降幅度)设为Pij,并将在将第1区Zi的操作量MVi变更为MVi=LOW之后变更为MVi=HIGH时的位于与第1区Zi对应的位置的工件传感器4的温度传感器5-i的测定值Wi的峰值的下降幅度(相对于变更为MVi=LOW之前的测定值Wi的下降幅度)设为Pii,进行式(3)的干扰强度Cij的计算。
然后,在将第2实施例应用于冷却装置的情况下,操作量设定部77在第1区Zi的控制量PVi上升通过了预先指定的第4阈值TH4(TH3<TH4)的时刻下,对于第1区Zi,指示控制器3解除操作量MVi的设定即可(相当于图7步骤206)。在如上所述将预先登记的多个区Z1~Z5同时设为第1区的情况下,在区Z1~Z5的控制量PV1~PV5中的某1个上升通过了第4阈值TH4的时刻下,对于区Z1~Z5,解除操作量MV1~MV5的设定即可。其他构成与应用于加热装置的情况相同。
在第1~第3实施例中说明的调整装置7、7a、7b能够通过具备CPU(CentralProcessing Unit,中央处理单元)、存储装置和接口的计算机以及控制这些硬件资源的程序来实现。在这样的计算机中,用于使本发明的调整方法实现的程序以记录于软盘、CD-ROM、DVD-ROM、存储卡等记录介质的状态提供,并储存到存储装置中。CPU依照储存于存储装置的程序,执行在第1~第3实施例中说明的处理。
产业上的可利用性
本发明能够应用于调整多输入输出控制系统中的控制器的技术。
符号说明
1-1~1-9…加热部;2…电热单元;3…控制器;4…工件传感器;5-1~5-9、12…温度传感器;6…测定器;7、7a、7b…调整装置;10…电热体;11…电力控制器;14…工件;70…临时补偿设定部;71、71a…干扰强度测定部;72…补偿计算部;73、73b…补偿设定部;74…判定部;75…目标值设定部;76、76b…存储部;77…操作量设定部;78…插值部。

Claims (30)

1.一种控制器调整系统,其特征在于,具备:
目标值设定部,其构成为:加热装置由在对工件进行加热的多个区中的各区具备加热部的电热单元以及针对每个区对该电热单元进行控制的控制器构成,冷却装置由在对工件进行冷却的多个区中的各区具备冷却部的电热单元以及针对每个区对该电热单元进行控制的控制器构成,所述目标值设定部对于所述加热装置或所述冷却装置,在调整所述控制器的补偿时,在所述工件的表面针对每个区固定有温度传感器的状态下,指示所述控制器将全部的区的目标值设为相同值;
临时补偿设定部,其构成为:对于在各区中的1个的第1区的控制量中增加预先指定的临时补偿的处理,一边改变所述第1区一边对全部的区进行该处理;
干扰强度测定部,其构成为:基于在施加所述临时补偿之后针对所述第1区以外的第2区在温度控制整定时从所述控制器输出的操作量以及在施加所述临时补偿之前针对所述第2区在温度控制整定时从所述控制器输出的操作量,针对每个第1区以及每个第2区而计算所述第1区对所述第2区造成的干扰的强度;
补偿计算部,其构成为:从所述干扰的强度大的区起依次对全部的区进行基于所述温度传感器的整定时的测定值以及所述目标值来计算对象区的补偿的处理,该温度传感器是指位于与补偿调整的对象区对应的位置的温度传感器;
补偿设定部,其构成为:指示所述控制器在所述对象区的控制量中增加由所述补偿计算部计算出的补偿;以及
判定部,其构成为:使所述补偿计算部和所述补偿设定部的处理重复执行,直至规定的补偿调整结束条件成立为止。
2.根据权利要求1所述的控制器调整系统,其特征在于,
所述干扰强度测定部在将在施加所述临时补偿之后针对所述第2区在温度控制的整定时从所述控制器输出的操作量设为Aij、将在施加所述临时补偿之前关于所述第2区在温度控制的整定时从所述控制器输出的操作量设为Bij、并将所述临时补偿设为S时,通过|(Aij-Bij)/S|来计算所述第1区对所述第2区造成的干扰的强度。
3.根据权利要求1或2所述的控制器调整系统,其特征在于,
所述补偿计算部在对各区分别多次进行所述补偿的调整的情况下,计算在将直至刚才的调整为止的所述补偿全部维持的状态下在所述对象区的控制量中进一步增加的补偿。
4.根据权利要求1或2所述的控制器调整系统,其特征在于,
在对各区执行所述补偿的调整之后的所述温度传感器的整定时的测定值彼此的差在规定范围内的情况下,所述判定部判定为所述补偿调整结束条件成立。
5.根据权利要求3所述的控制器调整系统,其特征在于,
在对各区执行所述补偿的调整之后的所述温度传感器的整定时的测定值彼此的差在规定范围内的情况下,所述判定部判定为所述补偿调整结束条件成立。
6.根据权利要求1或2所述的控制器调整系统,其特征在于,
在各区的所述补偿的调整的执行次数达到规定次数的情况下,所述判定部判定为所述补偿调整结束条件成立。
7.根据权利要求3所述的控制器调整系统,其特征在于,
在各区的所述补偿的调整的执行次数达到规定次数的情况下,所述判定部判定为所述补偿调整结束条件成立。
8.根据权利要求1所述的控制器调整系统,其特征在于,
所述临时补偿设定部在对全部的区依次进行所述临时补偿的施加时,将预先登记的多个区同时设为所述第1区,
所述补偿计算部在从所述干扰的强度大的区起依次进行所述补偿的计算时,将所登记的所述多个区同时设为所述对象区,分别对于这些对象区而计算所述补偿,
所述补偿设定部指示所述控制器在所登记的所述多个区的控制量中分别同时增加由所述补偿计算部计算出的对应的补偿。
9.根据权利要求1所述的控制器调整系统,其特征在于,
所述目标值设定部、所述临时补偿设定部、所述干扰强度测定部、所述补偿计算部、所述补偿设定部和所述判定部对于预先登记的多个所述目标值中的各个所述目标值进行处理,
所述控制器调整系统还具备:
存储部,其构成为针对每个区以及每个目标值而存储所述补偿;以及
插值部,其构成为:基于存储于该存储部的补偿,对于未进行补偿调整的目标值,针对每个区通过线性插值来计算补偿,并存储到所述存储部,
所述补偿设定部在所述加热装置的实际工作时或者所述冷却装置的实际工作时,针对每个区,从所述存储部取得与和各区的控制量相同的值的目标值相对应的补偿并设定到所述控制器。
10.一种控制器调整系统,其特征在于,具备:
目标值设定部,其构成为:加热装置由在对工件进行加热的多个区中的各区具备加热部的电热单元以及针对每个区对该电热单元进行控制的控制器构成,冷却装置由在对工件进行冷却的多个区中的各区具备冷却部的电热单元以及针对每个区对该电热单元进行控制的控制器构成,所述目标值设定部对于所述加热装置或所述冷却装置,在调整所述控制器的补偿时,在所述工件的表面针对每个区固定有温度传感器的状态下,指示所述控制器将全部的区的目标值设为相同值;
操作量设定部,其构成为设定所述控制器输出的操作量;
干扰强度测定部,其构成为:基于在将各区的操作量设定为第1值的状态下将1个第1区的操作量变更为大于所述第1值的第2值之后变更为小于所述第2值的第3值时、或者在将各区的操作量设定为第1值的状态下将1个第1区的操作量变更为小于所述第1值的第4值之后变更为大于所述第4值的第5值时的所述第1区以外的第2区的控制量的峰值的幅度以及所述第1区的控制量的峰值的幅度,一边改变所述第1区,一边针对每个第1区以及每个第2区而计算所述第1区对所述第2区造成的干扰的强度;
补偿计算部,其构成为:从所述干扰的强度大的区起依次对全部的区进行基于所述温度传感器的整定时的测定值以及所述目标值来计算对象区的补偿的处理,该温度传感器是指位于与补偿调整的对象区对应的位置的温度传感器;
补偿设定部,其构成为:指示所述控制器在所述对象区的控制量中增加由所述补偿计算部计算出的补偿;以及
判定部,其构成为:使所述补偿计算部和所述补偿设定部的处理重复执行,直至规定的补偿调整结束条件成立为止,
所述操作量设定部在指示所述控制器将全部的区的操作量设为所述第1值之后,一边改变所述第1区,一边针对全部的区而指示所述控制器将所述第1区的操作量设为所述第2值之后设为所述第3值、或者将所述第1区的操作量设为所述第4值之后设为所述第5值,并对于所述干扰的强度的计算结束后的第1区,解除操作量的设定。
11.根据权利要求10所述的控制器调整系统,其特征在于,
所述干扰强度测定部在将各区的操作量设定为所述第1值的状态下将所述第1区的操作量变更为所述第2值之后变更为所述第3值时、或者在将各区的操作量设定为所述第1值的状态下将所述第1区的操作量变更为所述第4值之后变更为所述第5值时的所述第2区的控制量的峰值的幅度设为Pij、将所述第1区的控制量的峰值的幅度设为Pii时,通过Pij/Pii来计算所述第1区对所述第2区造成的干扰的强度。
12.根据权利要求10或11所述的控制器调整系统,其特征在于,
所述补偿计算部在对各区分别多次进行所述补偿的调整的情况下,计算在将直至刚才的调整为止的所述补偿全部维持的状态下在所述对象区的控制量中进一步增加的补偿。
13.根据权利要求10或11所述的控制器调整系统,其特征在于,
在对各区执行所述补偿的调整之后的所述温度传感器的整定时的测定值彼此的差在规定范围内的情况下,所述判定部判定为所述补偿调整结束条件成立。
14.根据权利要求12所述的控制器调整系统,其特征在于,
在对各区执行所述补偿的调整之后的所述温度传感器的整定时的测定值彼此的差在规定范围内的情况下,所述判定部判定为所述补偿调整结束条件成立。
15.根据权利要求10或11所述的控制器调整系统,其特征在于,
在各区的所述补偿的调整的执行次数达到规定次数的情况下,所述判定部判定为所述补偿调整结束条件成立。
16.根据权利要求12所述的控制器调整系统,其特征在于,
在各区的所述补偿的调整的执行次数达到规定次数的情况下,所述判定部判定为所述补偿调整结束条件成立。
17.根据权利要求10所述的控制器调整系统,其特征在于,
所述操作量设定部在对全部的区依次进行所述操作量的设定时,将预先登记的多个区同时设为所述第1区,
所述补偿计算部在从所述干扰的强度大的区起依次进行所述补偿的计算时,将所登记的所述多个区同时设为所述对象区,分别对于这些对象区而计算所述补偿,
所述补偿设定部指示所述控制器在所登记的所述多个区的控制量中分别同时增加由所述补偿计算部计算出的对应的补偿。
18.根据权利要求10所述的控制器调整系统,其特征在于,
所述目标值设定部、所述操作量设定部、所述干扰强度测定部、所述补偿计算部、所述补偿设定部和所述判定部对于预先登记的多个所述目标值中的各个所述目标值进行处理,
所述控制器调整系统还具备:
存储部,其构成为针对每个区以及每个目标值而存储所述补偿;以及
插值部,其构成为基于存储于该存储部的补偿,对于未进行补偿调整的目标值,针对每个区通过线性插值来计算补偿,并存储到所述存储部,
所述补偿设定部在所述加热装置的实际工作时或者所述冷却装置的实际工作时,针对每个区,从所述存储部取得与和各区的控制量相同的值的目标值相对应的补偿并设定到所述控制器。
19.一种控制器调整系统,其特征在于,具备:
目标值设定部,其构成为:加热装置由在对工件进行加热的多个区中的各区具备加热部的电热单元以及针对每个区对该电热单元进行控制的控制器构成,冷却装置由在对工件进行冷却的多个区中的各区具备冷却部的电热单元以及针对每个区对该电热单元进行控制的控制器构成,所述目标值设定部对于所述加热装置或所述冷却装置,在调整所述控制器的补偿时,在所述工件的表面针对每个区固定有温度传感器的状态下,指示所述控制器将全部的区的目标值设为相同值;
操作量设定部,其构成为设定所述控制器输出的操作量;
干扰强度测定部,其构成为:基于在将各区的操作量设定为第1值的状态下将1个第1区的操作量变更为大于所述第1值的第2值之后变更为小于所述第2值的第3值时、或者在将各区的操作量设定为第1值的状态下将1个第1区的操作量变更为小于所述第1值的第4值之后变更为大于所述第4值的第5值时的位于与所述第1区以外的第2区对应的位置的所述温度传感器的测定值的峰值的幅度以及位于与所述第1区对应的位置的所述温度传感器的测定值的峰值的幅度,一边改变所述第1区,一边针对每个第1区以及每个第2区而计算所述第1区对所述第2区造成的干扰的强度;
补偿计算部,其构成为:从所述干扰的强度大的区起依次对全部的区进行基于所述温度传感器的整定时的测定值以及所述目标值来计算对象区的补偿的处理,该温度传感器是指位于与补偿调整的对象区对应的位置的温度传感器;
补偿设定部,其构成为:指示所述控制器在所述对象区的控制量中增加由所述补偿计算部计算出的补偿;以及
判定部,其构成为:使所述补偿计算部和所述补偿设定部的处理重复执行,直至规定的补偿调整结束条件成立为止,
所述操作量设定部在指示所述控制器将全部的区的操作量设为所述第1值之后,一边改变所述第1区,一边针对全部的区而指示所述控制器将所述第1区的操作量设为所述第2值之后设为所述第3值、或者将所述第1区的操作量设为所述第4值之后设为所述第5值,并对于所述干扰的强度的计算结束后的第1区,解除操作量的设定。
20.根据权利要求19所述的控制器调整系统,其特征在于,
所述干扰强度测定部在将各区的操作量设定为所述第1值的状态下将所述第1区的操作量变更为所述第2值之后变更为所述第3值时、或者在将各区的操作量设定为所述第1值的状态下将所述第1区的操作量变更为所述第4值之后变更为所述第5值时的位于与所述第2区对应的位置的所述温度传感器的测定值的峰值的幅度设为Pij、将位于与所述第1区对应的位置的所述温度传感器的测定值的峰值的幅度设为Pii的时候,通过Pij/Pii来计算所述第1区对所述第2区造成的干扰的强度。
21.根据权利要求19或20所述的控制器调整系统,其特征在于,
所述补偿计算部在对各区分别多次进行所述补偿的调整的情况下,计算在将直至刚才的调整为止的所述补偿全部维持的状态下在所述对象区的控制量中进一步增加的补偿。
22.根据权利要求19或20所述的控制器调整系统,其特征在于,
在对各区执行所述补偿的调整之后的所述温度传感器的整定时的测定值彼此的差在规定范围内的情况下,所述判定部判定为所述补偿调整结束条件成立。
23.根据权利要求21所述的控制器调整系统,其特征在于,
在对各区执行所述补偿的调整之后的所述温度传感器的整定时的测定值彼此的差在规定范围内的情况下,所述判定部判定为所述补偿调整结束条件成立。
24.根据权利要求19或20所述的控制器调整系统,其特征在于,
在各区的所述补偿的调整的执行次数达到规定次数的情况下,所述判定部判定为所述补偿调整结束条件成立。
25.根据权利要求21所述的控制器调整系统,其特征在于,
在各区的所述补偿的调整的执行次数达到规定次数的情况下,所述判定部判定为所述补偿调整结束条件成立。
26.根据权利要求19所述的控制器调整系统,其特征在于,
所述操作量设定部在对全部的区依次进行所述操作量的设定时,将预先登记的多个区同时设为所述第1区,
所述补偿计算部在从所述干扰的强度大的区起依次进行所述补偿的计算时,将所登记的所述多个区同时设为所述对象区,分别对于这些对象区而计算所述补偿,
所述补偿设定部指示所述控制器在所登记的所述多个区的控制量中分别同时增加由所述补偿计算部计算出的对应的补偿。
27.根据权利要求19所述的控制器调整系统,其特征在于,
所述目标值设定部、所述操作量设定部、所述干扰强度测定部、所述补偿计算部、所述补偿设定部和所述判定部对于预先登记的多个所述目标值中的各个所述目标值进行处理,
所述控制器调整系统还具备:
存储部,其构成为针对每个区以及每个目标值而存储所述补偿;以及
插值部,其构成为基于存储于该存储部的补偿,对于未进行补偿调整的目标值,针对每个区通过线性插值来计算补偿,并存储到所述存储部,
所述补偿设定部在所述加热装置的实际工作时或者所述冷却装置的实际工作时,针对每个区,从所述存储部取得与和各区的控制量相同的值的目标值相对应的补偿并设定到所述控制器。
28.一种控制器调整方法,其特征在于,包括:
第1步骤,加热装置由在对工件进行加热的多个区中的各区具备加热部的电热单元以及针对每个区对该电热单元进行控制的控制器构成,冷却装置由在对工件进行冷却的多个区中的各区具备冷却部的电热单元以及针对每个区对该电热单元进行控制的控制器构成,在第1步骤中,对于所述加热装置或所述冷却装置,在调整所述控制器的补偿时,在所述工件的表面针对每个区固定有温度传感器的状态下,指示所述控制器将全部的区的目标值设为相同值;
第2步骤,对于在各区中的1个的第1区的控制量中增加预先指定的临时补偿的处理,一边改变所述第1区一边对全部的区进行该处理;
第3步骤,基于在施加所述临时补偿之后针对所述第1区以外的第2区在温度控制的整定时从所述控制器输出的操作量以及在施加所述临时补偿之前针对所述第2区在温度控制的整定时从所述控制器输出的操作量,针对每个第1区以及每个第2区而计算所述第1区对所述第2区造成的干扰的强度;
第4步骤,从所述干扰的强度大的区起依次对全部的区进行基于所述温度传感器的整定时的测定值以及所述目标值来计算对象区的补偿的处理,该温度传感器是指位于与补偿调整的对象区相对应的位置的温度传感器;
第5步骤,指示所述控制器在所述对象区的控制量中增加由所述第4步骤计算出的补偿;以及
第6步骤,其使所述第4步骤和所述第5步骤的处理重复执行,直至规定的补偿调整结束条件成立为止。
29.一种控制器调整方法,其特征在于,包括:
第1步骤,加热装置由在对工件进行加热的多个区中的各区具备加热部的电热单元以及针对每个区对该电热单元进行控制的控制器构成,冷却装置由在对工件进行冷却的多个区中的各区具备冷却部的电热单元以及针对每个区对该电热单元进行控制的控制器构成,在第1步骤中,对于所述加热装置或所述冷却装置,在调整所述控制器的补偿时,在所述工件的表面针对每个区固定有温度传感器的状态下,指示所述控制器将全部的区的目标值设为相同值;
第2步骤,设定所述控制器输出的操作量;
第3步骤,基于在将各区的操作量设定为第1值的状态下将1个第1区的操作量变更为大于所述第1值的第2值之后变更为小于所述第2值的第3值时、或者在将各区的操作量设定为第1值的状态下将1个第1区的操作量变更为小于所述第1值的第4值之后变更为大于所述第4值的第5值时的所述第1区以外的第2区的控制量的峰值的幅度以及所述第1区的控制量的峰值的幅度,一边改变所述第1区,一边针对每个第1区以及每个第2区而计算所述第1区对所述第2区造成的干扰的强度;
第4步骤,从所述干扰的强度大的区起依次对全部的区进行基于温度传感器的整定时的测定值以及所述目标值来计算对象区的补偿的处理,该温度传感器是指位于与补偿调整的对象区相对应的位置的温度传感器;
第5步骤,指示所述控制器在所述对象区的控制量中增加由所述第4步骤计算出的补偿;以及
第6步骤,使所述第4步骤和所述第5步骤的处理重复执行,直至规定的补偿调整结束条件成立为止,
所述第2步骤包括:
指示所述控制器将全部的区的操作量设为所述第1值的步骤;
一边改变所述第1区,一边针对全部的区而指示所述控制器将所述第1区的操作量设为所述第2值之后设为所述第3值、或者将所述第1区的操作量设为所述第4值之后设为所述第5值的步骤;以及
对于所述干扰的强度的计算结束后的第1区,解除操作量的设定的步骤。
30.一种控制器调整方法,其特征在于,包括:
第1步骤,加热装置由在对工件进行加热的多个区中的各区具备加热部的电热单元以及针对每个区对该电热单元进行控制的控制器构成,冷却装置由在对工件进行冷却的多个区中的各区具备冷却部的电热单元以及针对每个区对该电热单元进行控制的控制器构成,在第1步骤中,对于所述加热装置或所述冷却装置,在调整所述控制器的补偿时,在所述工件的表面针对每个区固定有温度传感器的状态下,指示所述控制器将全部的区的目标值设为相同值;
第2步骤,设定所述控制器输出的操作量;
第3步骤,基于在将各区的操作量设定为第1值的状态下将1个第1区的操作量变更为大于所述第1值的第2值之后变更为小于所述第2值的第3值时、或者在将各区的操作量设定为第1值的状态下将1个第1区的操作量变更为小于所述第1值的第4值之后变更为大于所述第4值的第5值时的位于与所述第1区以外的第2区相对应的位置的所述温度传感器的测定值的峰值的幅度以及位于与所述第1区相对应的位置的所述温度传感器的测定值的峰值的幅度,一边改变所述第1区,一边针对每个第1区以及每个第2区而计算所述第1区对所述第2区造成的干扰的强度;
第4步骤,从所述干扰的强度大的区起依次对全部的区进行基于温度传感器的整定时的测定值以及所述目标值来计算对象区的补偿的处理,该温度传感器是指位于与补偿调整的对象区相对应的位置的温度传感器;
第5步骤,指示所述控制器在所述对象区的控制量中增加由所述第4步骤计算出的补偿;以及
第6步骤,使所述第4步骤和所述第5步骤的处理重复执行,直至规定的补偿调整结束条件成立为止,
所述第2步骤包括:
指示所述控制器将全部的区的操作量设为所述第1值的步骤;
一边改变所述第1区,一边针对全部的区而指示所述控制器将所述第1区的操作量设为所述第2值之后设为所述第3值、或者将所述第1区的操作量设为所述第4值之后设为所述第5值的步骤;以及
对于所述干扰的强度的计算结束后的第1区,解除操作量的设定的步骤。
CN201810500843.6A 2017-05-25 2018-05-23 控制器调整系统以及调整方法 Active CN108958213B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017103410A JP6858077B2 (ja) 2017-05-25 2017-05-25 コントローラ調整システムおよび調整方法
JP2017-103410 2017-05-25

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108958213A CN108958213A (zh) 2018-12-07
CN108958213B true CN108958213B (zh) 2021-03-23

Family

ID=64499901

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810500843.6A Active CN108958213B (zh) 2017-05-25 2018-05-23 控制器调整系统以及调整方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6858077B2 (zh)
KR (1) KR102161039B1 (zh)
CN (1) CN108958213B (zh)
TW (1) TWI677775B (zh)

Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1250587A (zh) * 1997-01-27 2000-04-12 塞米图尔公司 用于半导体热处理器的基于模型的温度控制器
TW200614380A (en) * 2004-10-20 2006-05-01 Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd Method for temperature control in a rapid thermal processing system
CN101158837A (zh) * 2005-11-25 2008-04-09 夏普株式会社 温控装置及方法与程序、定影及成像装置、介质及数据信号
CN101627286A (zh) * 2007-02-28 2010-01-13 株式会社山武 传感器、传感器的温度控制方法和异常恢复方法
CN101784954A (zh) * 2007-08-24 2010-07-21 卡尔蔡司Smt股份公司 可控光学元件以及用热致动器操作光学元件的方法和半导体光刻的投射曝光设备
CN101807512A (zh) * 2009-02-13 2010-08-18 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体晶片的多区域温度控制
CN102354172A (zh) * 2011-07-21 2012-02-15 张晓华 多温区电阻炉智能化综合温度控制系统
CN102880201A (zh) * 2011-07-11 2013-01-16 阿自倍尔株式会社 控制装置以及方法
CN202904399U (zh) * 2012-09-04 2013-04-24 中晟光电设备(上海)有限公司 温度控制系统及金属有机化学气相沉淀设备及半导体薄膜沉积设备
CN103668128A (zh) * 2012-09-04 2014-03-26 中晟光电设备(上海)有限公司 Mocvd设备、温度控制系统及控制方法
CN103805966A (zh) * 2012-11-07 2014-05-21 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 用于加热静电卡盘上晶片的方法、系统及cvd设备
CN104936734A (zh) * 2013-01-15 2015-09-23 诺信公司 空气冲击加热器
CN105034394A (zh) * 2015-06-26 2015-11-11 西安交通大学 一种大尺寸激光选区烧结分区域预热方法
CN105666866A (zh) * 2014-10-03 2016-06-15 泰科电子公司 选择性区域温度控制构建板

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5935212A (ja) * 1982-08-20 1984-02-25 Daido Steel Co Ltd 複数の加熱域を有する炉の温度制御装置
JPH0459371A (ja) 1990-06-29 1992-02-26 Casio Comput Co Ltd データ処理装置
KR20010042436A (ko) * 1998-05-15 2001-05-25 바르마 에스.디. 멀티포인트 디지털 온도 제어기
JP4192394B2 (ja) * 2000-04-14 2008-12-10 オムロン株式会社 温度調節器
US7635414B2 (en) * 2003-11-03 2009-12-22 Solaicx, Inc. System for continuous growing of monocrystalline silicon
JP2006113724A (ja) * 2004-10-13 2006-04-27 Omron Corp 制御方法、温度制御方法、温度調節器、熱処理装置、プログラムおよび記録媒体
US7577493B2 (en) * 2004-12-27 2009-08-18 Hitachi Kokusai Electric Inc. Temperature regulating method, thermal processing system and semiconductor device manufacturing method
JP4373909B2 (ja) * 2004-12-28 2009-11-25 本田技研工業株式会社 プラントの温度制御装置
JP4978001B2 (ja) * 2005-01-17 2012-07-18 オムロン株式会社 温度制御方法、温度制御装置および熱処理装置
JP4444915B2 (ja) * 2005-12-15 2010-03-31 株式会社山武 制御装置および制御方法
JP2007193527A (ja) * 2006-01-18 2007-08-02 Omron Corp ヒータ駆動制御方法
KR20080109981A (ko) * 2007-06-14 2008-12-18 주식회사 아이피에스 웨이퍼 가열 장치 제어 시스템, 및 방법
JP5428525B2 (ja) * 2009-05-22 2014-02-26 富士電機株式会社 精密温調システム、その制御装置
JP6126083B2 (ja) * 2011-05-17 2017-05-10 キヤノン ユー.エス. ライフ サイエンシズ, インコーポレイテッドCanon U.S. Life Sciences, Inc. マイクロ流体デバイス内で外部ヒータ・システムを使用するシステムおよび方法
FR3015913B1 (fr) * 2013-12-26 2016-05-13 Fives Stein Procede de pilotage d'une ligne de traitement thermique d'une bande metallique, et ligne pour la mise en oeuvre du procede.
DE102014203657A1 (de) * 2014-02-28 2015-09-03 Siemens Aktiengesellschaft Leistungsmodul und Schnittstellenmodul für eine Heizungssteuerung und/oder -regelung sowie modulares System zur Heizungssteuerung und/oder -regelung
US10007255B2 (en) * 2014-06-27 2018-06-26 Sunedison Semiconductor Limited (Uen201334164H) Systems and methods for controlling temperatures in an epitaxial reactor
CN104865989B (zh) * 2015-03-26 2017-02-22 中南大学 一种用于温度场分区控制系统的解耦控制方法及系统

Patent Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1250587A (zh) * 1997-01-27 2000-04-12 塞米图尔公司 用于半导体热处理器的基于模型的温度控制器
TW200614380A (en) * 2004-10-20 2006-05-01 Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd Method for temperature control in a rapid thermal processing system
CN101158837A (zh) * 2005-11-25 2008-04-09 夏普株式会社 温控装置及方法与程序、定影及成像装置、介质及数据信号
CN101627286A (zh) * 2007-02-28 2010-01-13 株式会社山武 传感器、传感器的温度控制方法和异常恢复方法
CN101784954A (zh) * 2007-08-24 2010-07-21 卡尔蔡司Smt股份公司 可控光学元件以及用热致动器操作光学元件的方法和半导体光刻的投射曝光设备
CN101807512A (zh) * 2009-02-13 2010-08-18 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体晶片的多区域温度控制
CN102880201A (zh) * 2011-07-11 2013-01-16 阿自倍尔株式会社 控制装置以及方法
CN102354172A (zh) * 2011-07-21 2012-02-15 张晓华 多温区电阻炉智能化综合温度控制系统
CN202904399U (zh) * 2012-09-04 2013-04-24 中晟光电设备(上海)有限公司 温度控制系统及金属有机化学气相沉淀设备及半导体薄膜沉积设备
CN103668128A (zh) * 2012-09-04 2014-03-26 中晟光电设备(上海)有限公司 Mocvd设备、温度控制系统及控制方法
CN103805966A (zh) * 2012-11-07 2014-05-21 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 用于加热静电卡盘上晶片的方法、系统及cvd设备
CN104936734A (zh) * 2013-01-15 2015-09-23 诺信公司 空气冲击加热器
CN105666866A (zh) * 2014-10-03 2016-06-15 泰科电子公司 选择性区域温度控制构建板
CN105034394A (zh) * 2015-06-26 2015-11-11 西安交通大学 一种大尺寸激光选区烧结分区域预热方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR102161039B1 (ko) 2020-09-29
KR20180129660A (ko) 2018-12-05
JP6858077B2 (ja) 2021-04-14
JP2018198032A (ja) 2018-12-13
CN108958213A (zh) 2018-12-07
TW201907258A (zh) 2019-02-16
TWI677775B (zh) 2019-11-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101420920B1 (ko) 제어 장치 및 방법
TWI446127B (zh) An energy sum suppression control device, a power sum suppression control device, and a method
CN105867138B (zh) 一种基于pid控制器的稳定平台控制方法及装置
JP5813525B2 (ja) 消費電力量抑制装置および方法
CN108958213B (zh) 控制器调整系统以及调整方法
JP5732346B2 (ja) エネルギー総和抑制制御装置、電力総和抑制制御装置および方法
KR102404877B1 (ko) 제어계 설계 장치 및 제어 시스템
KR102467933B1 (ko) 디지털 트윈 기반의 온도분포 예측방법 및 온도분포 예측장치
JP2010066852A (ja) 制御パラメータのチューニング方法
JP2010073101A (ja) 制御装置および制御方法
JP4468868B2 (ja) 電力使用量予測装置および電力使用量予測方法
KR102572807B1 (ko) 기판의 온도균일도 제어장치 및 제어방법
JP4358674B2 (ja) 制御方法
JP2008299697A (ja) 制御方法、温度制御方法、補正装置、温度調節器、およびプログラム
JP6974143B2 (ja) 制御装置および制御方法
US20220171350A1 (en) Control device, control method, and non-transitory computer-readable recording medium recording control program
JP6974142B2 (ja) 制御装置および制御方法
JP2020080012A (ja) 制御装置及び物理量の制御方法
JP7050615B2 (ja) 制御装置および制御方法
JP4361852B2 (ja) 制御装置
KR101175428B1 (ko) 가열로용 비접촉식 온도측정기의 방사율 보정 방법, 이를 이용한 소재 가열온도 제어 방법 및 장치
JP4361851B2 (ja) 制御方法
JP2020021299A (ja) 制御装置および制御方法
JP2009282878A (ja) 制御装置および温度調節器
JP4382632B2 (ja) 制御装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant