CN108886227A - 各向异性导电膜的制造方法及各向异性导电膜 - Google Patents

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Abstract

提供能够削减制造成本的各向异性导电膜的制造方法。另外，提供能够抑制导通不良的发生的各向异性导电膜。各向异性导电膜的制造具有：保持工序，向具有多个开口部的构件（10）上供给多个粒径的导电粒子（20a～20c），并使导电粒子保持在开口部；以及转印工序，将保持在开口部的导电粒子转印到粘接膜，且在开口部保持的导电粒子的粒径分布图表（X轴：粒径[μm]；Y轴：粒子个数）中，成为斜率在最大峰值的粒径以上的范围实质上成为无限大的图表形状。

Description

各向异性导电膜的制造方法及各向异性导电膜
技术领域
本技术涉及含有导电粒子的各向异性导电膜的制造方法及各向异性导电膜。本申请以在日本于2016年5月2日申请的日本专利申请号特愿2016－092832及2017年4月24日申请的日本专利申请号特愿2017－085492为基础主张优先权，该申请通过被参照而被引入至本申请。
背景技术
一直以来，安装IC芯片等的电子部件的各向异性导电膜（ACF：AnisotropicConductive Film）为人们所知。另外，近年来，研究了采用具有多个开口部的模具，以使各向异性导电膜内的导电粒子与邻接的导电粒子分别独立的方式进行分离或排列（例如，参照专利文献1。）。
先前技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2014－060151号公报。
发明内容
发明要解决的课题
然而，用于具有多个开口部的模具的导电粒子以使得粒径分布陡峭（sharp）的方式被分等级，以不会对各向异性连接带来障碍，从而制造成本较高。
另外，在表面视场下配置有粒径显著不同的导电粒子的各向异性导电膜，在按压时发生导电粒子的压入不足，成为导通不良的原因。
本技术为了解决前述课题而构思，提供能够削减制造成本的各向异性导电膜的制造方法。另外，提供能够抑制导通不良的发生的各向异性导电膜。另外，提供能够削减制造成本的填充剂配置膜的制造方法及填充剂配置膜。
用于解决课题的方案
本技术人员认真研究的结果，发现了采用具有多个开口部的构件进行导电粒子或填充剂的筛选，从而能够削减制造成本。另外，发现了在表面视场下配置在各向异性导电膜的导电粒子的粒径分布图表中，通过成为既定图表形状能够抑制导通不良的发生。
即，本技术所涉及的各向异性导电膜的制造方法具有：保持工序，向具有多个开口部的构件上，供给多个粒径的导电粒子，并使导电粒子保持在所述开口部；以及转印工序，将保持在所述开口部的导电粒子转印到粘接膜，在所述开口部保持的导电粒子的粒径分布图表（X轴：粒径[μm]；Y轴：粒子个数）中，成为斜率在最大峰值的粒径以上的范围实质上成为无限大的图表形状。
另外，本技术所涉及的各向异性导电膜具备：以膜状形成的绝缘性粘合剂；以及在表面视场下配置在所述绝缘性粘合剂的多个导电粒子，在所述导电粒子的粒径分布图表（X轴：粒径[μm]；Y轴：粒子个数）中，成为斜率在最大峰值的粒径以上的范围实质上成为无限大的图表形状。
另外，本技术所涉及的膜卷装体，在卷芯卷绕了所述各向异性导电膜。
即，本技术所涉及的填充剂配置膜的制造方法具有：保持工序，向具有多个开口部的构件上供给多个粒径的填充剂，并使填充剂保持在所述开口部；以及转印工序，将保持在所述开口部的填充剂转印到粘接膜，在所述开口部保持的填充剂的粒径分布图表（X轴：粒径[μm]；Y轴：粒子个数）中，成为斜率在最大峰值的粒径以上的范围实质上成为无限大的图表形状。
另外，本技术所涉及的填充剂配置膜具备：以膜状形成的绝缘性粘合剂；以及在表面视场下配置在所述绝缘性粘合剂的多个填充剂，在所述填充剂的粒径分布图表（X轴：粒径[μm]；Y轴：粒子个数）中，成为斜率在最大峰值的粒径以上的范围实质上成为无限大的图表形状。
发明效果
依据本技术，采用具有多个开口部的构件进行导电粒子或填充剂的筛选，从而能够削减制造成本。另外，在表面视场下配置在各向异性导电膜的导电粒子的粒径分布图表中，通过成为既定图表形状，能够抑制导通不良的发生。
附图说明
[图1]图1是示意性地示出导电粒子被供给到具有多个开口部的构件上的状态的截面图。
[图2]图2（A）是示意性地示出被供给到开口部的导电粒子的粒径分布的图表，图2（B）是示意性地示出保持在开口部的导电粒子的粒径分布的图表。
[图3]图3是示意性地示出保持在开口部的导电粒子的粒径分布的另一例子的图表。
[图4]图4是示意性地示出保持在开口部的导电粒子的粒径分布的另一例子的图表。
[图5]图5是示意性地示出保持在开口部的导电粒子的粒径分布的另一例子的图表。
[图6]图6（A）是示意性地示出筛选向开口部供给的粒径的下限侧的导电粒子的粒径分布的图表，图6（B）是示意性地示出保持在开口部的导电粒子的粒径分布的图表。
[图7]图7是示意性地示出保持在开口部的导电粒子的粒径分布的另一例子的图表。
[图8]图8是示意性地示出在转印工序中使粘接膜对置的状态的截面图。
[图9]图9是示意性地示出本实施方式所涉及的连接体的制造方法的截面图，图9（A）示出配置工序（S1），图9（B）示出固化工序（S2）。
具体实施方式
以下，按照下述顺序详细说明本技术的实施方式。
1. 各向异性导电膜的制造方法
2. 各向异性导电膜
3. 连接构造体的制造方法及连接构造体
4. 填充剂配置膜的制造方法及填充剂配置膜
5. 实施例
＜1. 各向异性导电膜的制造方法＞
本实施方式所涉及的各向异性导电膜的制造方法具有：保持工序（A），向具有多个开口部的构件上供给多个粒径的导电粒子，并使导电粒子保持在开口部；以及转印工序（B），将保持在开口部的导电粒子转印到粘接膜。以下，对保持工序（A）及转印工序（B）进行说明。
[保持工序（A）]
（开口构件）
图1是示意性地示出向具有多个开口部的构件上供给导电粒子的状态的截面图。如图1所示，构件10是具有开口部的模具，该开口部具有既定开口直径或开口宽度的开口尺寸S。作为模具，可举出例如不锈钢等的金属材料、玻璃等的透明无机材料、聚（甲基）丙烯酸酯或结晶性树脂等的有机材料。开口形成方法能够利用各种公知的技术来形成。例如可以利用机械加工来设置，也可以利用光刻，还可以利用印刷法，无特别限定。另外，模具能够采用板状、卷状等各种形状，无特别限制。
开口部在其内部收容导电粒子，作为开口的形状，可以例示圆柱状、四棱柱等的多棱柱状、圆锥状或四棱锥等的棱锥状等。开口部的构件上的位置、即俯视观察下配置在各向异性导电膜的导电粒子的位置，优选具有特定形状而带有规则性，优选设为格子状、交错状（千烏状）等的规则排列。作为格子状，可举出斜方格子、六方格子、正方格子、矩形格子、平行体格子等。另外，也可以相对于膜的长度方向以既定排列形状而带有规则性。
开口尺寸S能够基于配置在各向异性导电膜的导电粒子的粒径进行设定。例如开口直径相对于所求得的导电粒子的粒径之比（＝开口的直径/导电粒子的粒径），从容易收容导电粒子、容易压入绝缘性树脂等的平衡来看，优选为1.1～2.0，更优选为1.3～1.8。另外，例如导电粒子的粒径相对于开口的深度之比（＝导电粒子的粒径/开口的深度），从提高转印性和导电粒子保特性的平衡来看，优选为0.4～3.0，更优选为0.5～1.5。此外，开口的直径和深度能够由激光显微镜测定。制造工序所采用的导电粒子的平均粒径，能够通过图像型或者激光式粒度分布计来测定。此外，采用图像型粒度分布计能得到正确的粒子大小（粒径），因此是优选的。作为图像型粒度分布测定装置，可举出例如FPIA－3000（MALVERN公司）。
另外，开口尺寸S优选全开口部的60％以上为相同大小，更优选全开口部的80％以上为相同大小，进一步优选开口部的全部为相同大小。通过使开口部的大小不同，使得多个导电粒径的任意一个容易保持，另外通过使开口部的大小相同，容易使所得到的各向异性导电膜的粒径均匀。另外，无论如何显著大于开口部的导电粒子，实质上不会保持在开口部。由此，保持在开口部的导电粒子的粒径分布图表（X轴：粒径[μm]；Y轴：粒子个数）中，能够得到斜率在最大峰值的粒径以上的范围实质上成为无限大的图表形状。
在有相对于开口部显著小的导电粒子的情况下，担心多个保持在开口部，但是通过下述记载的导电粒子的收容方法，会扒去不要的导电粒子。在没有被扒去的情况下，微小的导电粒子会在一个开口部、或在其附近连结或靠近而存在，但是知道对连接没有帮助或影响较小，因此也可以忽略。这是因为连接时的树脂流动而几乎不会在凸点的连接方向重叠的缘故。另外，在存在有助于连接的大小的比较小的导电粒子的情况下，预计能提高导通性能。其为导电粒子的同时，被端子夹持的情况下，能够期待也作为比其大的导电粒子的间隔物发挥作用的效果。即，有助于连接的大小的比较小的导电粒子，可能夹持的状态不充分，但是会成为导通点所以预计提高导通性能，且能够在一定范围内控制比其大的导电粒子的夹持，因此能够期待方便取得良好的连接状态。这是因为只要为金属包覆树脂粒子，就能被压缩，因此能够控制压缩状态，能够期待更佳的效果，所以是优选的。另外，也可以降低压缩硬度而将比较小的导电粒子设定为以各向异性连接为目的的大小。这样，通过调整导电粒子的压缩硬度，会增加用于得到导通性能的选择项。
另外，在全开口部的一部分开口尺寸S不同的情况下，也可以带有规则性。例如，可以使具有前述的开口直径之比的上限至下限大小的开口尺寸S的开口部邻接，也可以使具有上限或下限大小的开口尺寸S的开口部在各向异性导电膜的成为长度方向的方向周期性地设置。该周期性的重复单位，可以根据凸点的宽度和凸点间空隙（L/S）设定。只要考虑凸点的宽度和凸点间空隙而设定开口部的配置，以使导电粒子存在于凸点，就能够使导电粒子可靠地配置在被凸点夹持的位置。开口部间的距离能够适当设定，但是能够设定为要配置的目的的最大的导电粒径的0.5倍以上，优选为等倍以上。此外，如果还考虑存在比较小的导电粒子的情况，则可以使开口部间的距离为要配置的目的的最大的导电粒径的1.5倍以上，优选为2倍以上。其可以用导电粒子的大小和所采用的导电粒子中较小的粒径的导电粒子是何种程度的大小、以何种程度的比例存在来适当设定。
另外，为了不易出现连接构造体的生产不良，且使导通可靠，只要使最小和最大的开口部成对地重复即可。或者，也可以同时设置多个最大与最小之间大小的开口部。在该情况下，任一大小的导电粒子配置在各向异性导电膜即可，也可以有几个不进行配置。即，即便任意一个遗漏，只要还有一个存在也能满足导通。作为一个例子，优选分别各5个以上，更优选各10个以上，进一步更优选各12个。导电粒子间的距离优选为最大的导电粒径的0.5倍以上，更优选为等倍以上。配置优选为大体存在于与膜的长度方向正交的方向。是为了满足对一个凸点的补充。如果这样配置导电粒子，则在实际使用上任意一个都会在连接时得到补充，因此能够避免导通不良的发生。例如，在不定期地具有端子的连接面（例如，IC芯片的Au凸点的连接面）不平滑的凹凸形状的情况下，如果有这样的对就能期待任意一个的导电粒子都会被适当地补充。如果能够允许凸点不平滑，则容易得到提高凸点制造时的成品率或扩大设计质量的允许范围等、得到连接体的成本优势。另外在Au凸点的情况下，还能期待能够削减Au的使用量本身的效果。另外，在不定期地具有端子的连接面不平滑的凹凸形状的情况下，只要导电粒子为金属包覆树脂粒子就能压缩，因此认为也可以用调整压缩硬度来对应。此外，在不定期地具有这样的凹凸形状的情况下，会增加表面积，因此推测为如果存在导电粒子的大小不同，则与单一大小相比会增加连接面和导电粒子的接点。在端子的连接面平滑的情况下，通过调整粒径和压缩硬度，能够期待如上述的效果。以上那样的效果，除了最大和最小的导电粒径的差分、或导电粒子的硬度（压缩硬度）之外，以通过调整导电粒子的配置位置、个数密度等来避免不良或使不良在允许范围内为前提。
作为在开口部收容导电粒子的方法，无特别限定，能够采用公知的方法。例如，能够通过向构件10的开口形成面上散布或涂敷干燥的导电粒子粉末或将它分散于溶剂中的分散液后，利用刷子、刀片（blade）等来扫刮（squeegee）开口形成面的表面，从而在开口部收容导电粒子。
在开口部收容导电粒子时，如图1所示，小于开口尺寸S的导电粒子20a、20b会收容到开口部，但是大于开口尺寸S的导电粒子20c不会收容到开口部，从而能够进行除去粒径大的导电粒子的筛选。由此，能够削减制造成本。另外，将扫刮后的导电粒子回收并再利用，从而能够谋求成本削减。
（导电粒子）
作为导电粒子，能够适当选择公知的各向异性导电膜中使用的导电粒子而使用。能够举出例如镍、铜、银、金、钯等的金属粒子；以镍等的金属包覆聚酰胺、聚苯并胍胺等的树脂粒子的表面的金属包覆树脂粒子等。所配置的导电粒子的大小，作为一个例子优选为0.5～50μm，更优选为1～30μm。
在保持工序（A）中供给的导电粒子的平均粒径，从制造时的处理性的观点来看，优选0.5～50μm的粒径占全粒子量的90％以上。此外，优选在保持工序除去小于1μm、大于30μm的导电粒子。平均粒径，如前所述，能够通过图像型粒度分布计来进行测定，也可以在保持工序后在表面观察（表面视场观察）下进行计测。
另外，导电粒子的表面优选被绝缘体包覆。通过对导电粒子的表面进行绝缘涂敷或绝缘粒子处理等，在表面存在容易剥落且不会给各向异性连接带来障碍的表面包覆，即便开口尺寸S稍大于导电粒子，也容易在开口部的内部收容导电粒子。这样的表面包覆的厚度因连接对象物的不同而有所不同，因此只要对连接不带来障碍就无特别限制。
另外，在导电粒子的表面设置有突起的情况下，该突起优选为最小的导电粒径的20％以内，更优选为10％以内的大小。对于个数无特别限制，可以在整个面均匀设置，也可以零散地设置。
另外，导电粒子混合了粒径不同的导电粒子，因此优选压缩性比较高的导电粒子。即，优选采用金属包覆树脂粒子。硬度是根据连接对象而变更的，因此无特别限制，作为一个例子，20％变形时的压缩硬度（K值）为1000～8000N/mm 2的范围即可，且优选1000～4000N/mm 2的范围。另外，导电粒子也可以有意地混合硬度不同的导电粒子。
在此，20％变形时的压缩硬度（K值）是根据导电粒子沿一个方向受负荷而压缩，从而导电粒子的粒径比原来的粒径变短20％时的负荷，利用下式（1）算出的数值，成为K值越小就越软的粒子。
（式中，F：导电粒子的20％压缩变形时的负荷
S：压缩位移（mm）
R：导电粒子的半径（mm））
（粒径分布）
图2（A）是示意性地示出向开口部供给的导电粒子的粒径分布的图表，图2（B）是示意性地示出保持在开口部的导电粒子的粒径分布的图表。该粒径分布图表是在光学显微镜或金属显微镜的表面视场观察下测定1000个以上、优选为5000个以上的导电粒子的最大长度（粒径）的个数分布。如图2（A）所示，本法中向开口部供给的导电粒子的粒径分布宽（宽大（broad））也可，因此能够期待使用对粒径的下限侧分等级的导电粒子等容易取得性能和成本的平衡的效果，具有增加了可利用性的选择项的优点。
如图2（A）所示，在本实施方式中，向开口部供给了粒径分布宽的导电粒子，但是如图2（B）所示，保持在开口部的导电粒子的粒径分布图表（X轴：粒径[μm]；Y轴：粒子个数）成为斜率在最大峰值的粒径以上的范围实质上成为无限大的图表形状。特别是，相同大小的开口部的比例越高，就越具有斜率实质上无限大的与Y轴大致平行的阈值Da。粒径分布中，斜率实质上无限大意味着具有与Y轴并行的直线，还包括近似于与Y轴平行的直线。另外，粒径分布中，斜率实质上无限大也可以换句话说具有垂直切线（vertical tangent）。
另外，保持在开口部的导电粒子的粒径分布，并不限于图2（B）所示的图表形状，例如可以如图3所示斜率在最大峰值的粒径Db实质上成为无限大，也可以如图4所示存在一些斜率实质上成为无限大的粒径Dc以上的导电粒子。如这些图表形状那样导电粒子的粒径有上限，由于上限附近的粒子数较多，所以压入不足的导电粒子相对减少，从而能够抑制导通不良的发生。
另外，如图5所示，保持在开口部的导电粒子的粒径分布，也可为存在多个峰值（底部（bottom）存在于峰值间）的形状，而斜率在粒径Dd实质上成为无限大。存在多个峰值的情况，可举出例如混合了粒径不同的2种金属包覆树脂粒子的情况等，通过调整金属包覆树脂粒子的压缩硬度增加连接面与导电粒子的接点，从而能够提高导通性能。
另外，所供给的导电粒子优选使用将粒径的下限侧分等级的导电粒子。由于微小粒径的导电粒子对连接没有帮助，所以对导通性不怎么产生影响，因此能兼顾成本，但是在需要比较多的导电粒子的COG连接等中通过使用对粒径的下限侧分等级的导电粒子，能够抑制导电粒子的不必要的重叠（在厚度方向上导电粒子重合）等。另外，通过使用对粒径的下限侧分等级的导电粒子，在开口部保持有助于连接的大小的比较小的导电粒子变多，能够期待容易调整在一定的范围内控制比有助于连接的大小的比较小的导电粒子大的导电粒子的夹持的间隔物的效果等。
作为粒径的下限侧的分等级方法，能够采用各种公知的技术。能够举出例如对液体中的导电粒子提供具有0.2～40μm振幅的振动，利用短径的标准偏差为10％以下的筛来进行的湿式分等级方法（例如可举出日本特开平11－319626）。
图6（A）是示意性地示出对向开口部供给的粒径的下限侧分等级的导电粒子的粒径分布的图表，图6（B）是示意性地示出保持在开口部的导电粒子的粒径分布的图表。如图6（A）所示，在所供给的导电粒子的粒径分布图表（X轴：粒径[μm]；Y轴：粒子量）中，优选具有斜率在最大峰值的粒径以下的范围实质上成为无限大的粒径De。由此，如图6（B）所示保持在开口部的导电粒子的粒径分布图表（X轴：粒径[μm]；Y轴：粒子个数），具有斜率在最大峰值的粒径以下的范围实质上成为无限大的粒径Df，并且具有斜率在最大峰值的粒径以上的范围实质上成为无限大的粒径Dg。
另外，如图7所示，保持在开口部的导电粒子的粒径分布图表（X轴：粒径[μm]；Y轴：粒子个数），也可以具有斜率在最大峰值的粒径以下的范围实质上成为无限大的与Y轴大致平行的阈值Dh，并且具有斜率在最大峰值的粒径以上的范围实质上成为无限大的与Y轴大致平行的阈值Di。
另外，在使用对粒径的下限侧分等级的导电粒子的情况下，为了使压接时的导电粒子的压力均匀，保持在开口部的导电粒子优选全粒子数的90％以上存在于平均粒径的±30％的范围，进一步优选全粒子数的90％以上存在于平均粒径的±20％的范围。通过使用这样预先对粒径的下限侧分等级的导电粒子，能够提高在凸点捕获的导电粒子的捕获率。
此外，本技术并不限于图2～7所示的粒径分布的图表的形状，在不脱离本技术的要点的范围内能够取各种形状。例如，图7所示的图表形状为左右对称的弹头型，但是也可以不是左右对称。
[转印工序（B）]
在下面的转印工序（B）中，首先，如图8所示，使粘接膜30与形成有开口的构件10表面对置。
作为粘接膜30，能够适当选择使用在公知的各向异性导电膜中作为绝缘性粘合剂层而使用的膜。作为粘接膜30的固化类型，可举出热固化型、光固化型、光热并用固化型等。例如，能够使用包含丙烯酸酯化合物和光自由基聚合引发剂的光自由基聚合性树脂层、包含丙烯酸酯化合物和热自由基聚合引发剂的热自由基聚合性树脂层、包含环氧化合物和热阳离子聚合引发剂的热阳离子聚合性树脂层、包含环氧化合物和热阴离子聚合引发剂的热阴离子聚合性树脂层等，或者它们的固化树脂层。
以下，作为一个例子，对阴离子固化型的粘接膜进行说明。阴离子固化型的粘接膜含有膜形成树脂、环氧树脂和阴离子聚合引发剂。
膜形成树脂相当于例如平均分子量为10000以上的高分子量树脂，从膜形成性的观点来看，优选为10000～80000左右的平均分子量。作为膜形成树脂，可举出苯氧基树脂、聚酯树脂、聚氨酯树脂、聚酯型氨基甲酸酯、丙烯树脂、聚酰亚胺树脂、丁缩醛树脂等的各种树脂，这些既可以单独采用，也可以组合两种以上来采用。这些之中，从膜形成状态、连接可靠性等的观点来看优选适当地采用苯氧基树脂。
环氧树脂形成3维网状构造，赋予良好的耐热性、粘接性，优选并用固体环氧树脂和液体环氧树脂。在此，固体环氧树脂意味着常温下为固体的环氧树脂。另外，液体环氧树脂意味着常温下为液体的环氧树脂。另外，常温意味着按照JISZ8703规定的5～35℃的温度范围。
作为固体环氧树脂，只要与液体环氧树脂相溶，且在常温下为固体状就无特别限定，可举出双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、多官能型环氧树脂、二聚环戊二烯型环氧树脂、酚醛苯酚型环氧树脂、联苯型环氧树脂、萘型环氧树脂等，能够从这些之中单独采用一种或组合两种以上来采用。这些之中，优选采用双酚A型环氧树脂。
作为液体环氧树脂，只要在常温下为液体就无特别限定，可举出双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、酚醛清漆酚醛型环氧树脂、萘型环氧树脂等，能够从这些之中单独采用一种或组合两种以上来采用。特别是，从膜的胶粘性、柔软性等的观点来看，优选采用双酚A型环氧树脂。
作为阴离子聚合引发剂，能够使用常用的公知的固化剂。可举出例如有机酸二酰肼、双氰胺、胺基化合物、聚酰胺胺基（polyamideamine）化合物、氰酸酯化合物、酚醛树脂、酸酐、羧酸、三级胺基化合物、咪唑、路易斯（Lewis）酸、Brφnsted 酸盐、聚硫醇类固化剂、尿素树脂、三聚氰胺树脂、异氰酸酯化合物、封端异氰酸酯化合物等，能够从这些之中单独采用一种或组合两种以上采用。这些之中，优选采用以咪唑改性体为核再以聚氨酯包覆其表面而成为微胶囊型潜伏性固化剂。
另外，根据需要，也可以混合应力缓冲剂、硅烷偶联剂、无机填充剂等。作为应力缓冲剂，能够举出氢化苯乙烯丁二烯嵌段共聚物、氢化苯乙烯异戊二烯嵌段共聚物等。另外，作为硅烷偶联剂，能够举出环氧类、甲基丙烯酰氧基类、氨类、乙烯类、巯基/硫化物类、脲化物类等。另外，作为无机填充剂，能够举出硅石、滑石、氧化钛、碳酸钙、氧化镁等。
该粘接膜30能够通过使包含如上述的树脂的涂层组合物利用涂敷法成膜并干燥、或进一步固化，或者通过预先利用公知的方法来膜化而形成。另外，粘接膜30的厚度优选为1～30μm，更优选为2～15μm。此外，也可以根据需要层叠这些厚度的绝缘性粘合剂层。另外，粘接膜30优选形成在经剥离处理的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜等的剥离膜40上。
既可以从剥离膜40侧对粘接膜30施加压力，向开口内压入绝缘性粘合剂层，也可以使导电粒子20埋入地转贴到绝缘性粘合剂层的表面，还可以在转印后将导电粒子压入绝缘性粘合剂层内。也可以在这些工序的前后如上述那样层叠粘接膜30。由此，形成导电粒子20在绝缘性粘合剂层的平面方向以单层排列的构造。此外，从满足连接时的补充来说，优选使导电粒子处于接近粘接膜30的最外表面的位置。
作为绝缘性粘合剂层整体的最低熔化粘度，优选100～10000Pa・s。如果为该范围，能够在绝缘性粘合剂层精密地配置导电粒子，且能够防止因各向异性导电性连接时的压入树脂流动对导电粒子的捕获性带来障碍。作为一个例子，该最低熔化粘度能够采用旋转式流变仪（TA instrument公司制），升温速度为10℃/分钟、测定压力为5g保持恒定，使用直径8mm的测定板而求出。
＜2. 各向异性导电膜＞
本实施方式所涉及的各向异性导电膜，具备以膜状形成的绝缘性粘合剂；以及在表面视场下配置在绝缘性粘合剂的多个导电粒子，在导电粒子的粒径分布图表（X轴：粒径[μm]；Y轴：粒子个数）中，成为斜率在最大峰值的粒径以上的范围实质上成为无限大的图表形状。X轴的粒径优选1～30μm的范围。该粒径分布图表是在光学显微镜或金属显微镜的表面视场观察下测定1000个以上、优选为5000个以上的导电粒子的最大长度（粒径）的个数分布。
另外，导电粒子的粒径分布图表（X轴：粒径[μm]；Y轴：粒子个数）的形状宽大（broad）。在此，宽大的形状意味着在累积分布中从粒径小的一侧起的个数累积10％的粒径D 10与个数累积90％的粒径D 90之差大于1μm。或者，宽大的形状意味着在累积分布中从粒径小的一侧起的个数累积10％的粒径D 10与个数累积90％的粒径D90之差大于平均粒径的25％。个数累积10％是指以计测的全粒子数为100％而按大小（粒径）顺序再排列，在10％的个数的大小（粒径）。
在前述的制造方法中，被收容于开口部的导电粒子，成为在表面视场下配置在各向异性导电膜的导电粒子。即，如采用图2～7所示的粒径分布图表进行说明的那样，本实施方式所涉及的各向异性导电膜配置筛选了粒径的上限侧的导电粒子，且在导电粒子的粒径上有上限，而上限附近的粒子数较多，从而能够抑制导通不良的发生。此外，微小粒径的导电粒子对连接没有帮助，因此不怎么对导通性产生影响。另外，能够利用粒径分布宽的导电粒子、即未分等级或进行最低限度的分等级的成本比较低的导电粒子，因此能够有助于材料成本的削减。且，如上述通过调整导电粒子的大小或硬度（压缩硬度），能够期待提高导通特性的效果。
在导电粒子未分等级或未进行最低限度的分等级的情况下，配置在各向异性导电膜的导电粒子的粒径分布图表（X轴：粒径[μm]；Y轴：粒子个数）中，有时还成为存在多个峰值的（底部存在于峰值间的）形状。这是因为分等级前的导电粒径未定以何种方式存在的缘故，但是，只要在连接时厚度方向上不重叠就会像前述那样不会带来障碍，因此没有特别问题。
另外，在混合了导电粒子的硬度不同的导电粒子的情况下，也可以有意地设为这样的形状。例如，如果使硬度比较硬的导电粒子为比较小的粒径的峰值，而将硬度没那么硬的导电粒子成为比较大的粒径的峰值，则能预计有提高补充的效率的效果。另外，还能调节导电粒子的压入，有助于导通稳定性。在该情况下，也可以在保持工序前预先分别测定导电粒子的粒径，并分别进行简单的筛选而以成为大体合适的峰值的方式进行调整。或者，也可以准备分别示出不同粒径分布的导电粒子，并以成为大体合适的峰值的方式进行混合。
另外，配置在各向异性导电膜的导电粒子的粒径分布图表（X轴：粒径[μm]；Y轴：粒子个数）中，优选具有使斜率在最大峰值的粒径以下的范围实质上成为无限大的粒径。由此，如图6（B）所示，保持在开口部的导电粒子的粒径分布图表（X轴：粒径[μm]；Y轴：粒子个数），具有使斜率在最大峰值的粒径以下的范围实质上成为无限大的粒径Df，并且具有使斜率在最大峰值的粒径以上的范围实质上成为无限大的粒径Dg。另外，为了使压接时的导电粒子的压力均匀，优选使全粒子数的90％以上存在于平均粒径的±30％的范围，而更优选使全粒子数的90％以上存在于平均粒径的±20％的范围。通过使用这样预先对粒径的下限侧分等级的导电粒子，能够提高在凸点捕获的导电粒子的捕获率。
可是，在前述的保持工序（A）中，若构件的开口部被粒径大的导电粒子覆盖，则在其后的扫刮中被除去，会出现没有保持有导电粒子的开口部，在各向异性导电膜出现导电粒子的“遗漏”。该遗漏只要处于不对各向异性连接带来障碍的范围就没有问题。
另外，根据连接对象物的凸点布局而各向异性导电膜的遗漏率的允许范围有所不同。遗漏率是指膜的宽度方向的长度和长度方向的长度上导电粒子的个数的存在比例。作为一个例子，如果像COG那样凸点被高密度配置，则需要减小遗漏率，而作为一个例子，如像FOG那样凸点面积比较大的情况下，遗漏率大也没有问题。
另外，优选遗漏上没有偏颇。关于该偏颇，出于上述同样的理由，如果为COG要求较小，如果为FOG大到一定程度也没有问题。
ACF的每1次的使用长度及宽度根据连接对象而各式各样，但是一般最大20mm×2mm左右成为上限。因此，如果导电粒径为10μm以下，则将40mm 2的2倍、优选为5倍、更优选为10倍的连续的面积作为各向异性导电膜整体的面积，只要与该面积中任意抽取的1mm 2没有显著差异（偏颇），就不会对连接带来障碍。该1mm 2优选对膜长度方向为50μm、膜宽度方向为200μm的面积进行抽出（不连续）且抽取10个部位。一般膜的宽度方向成为各向异性连接的凸点的长度方向、膜的长度方向成为凸点的宽度方向，因此评价的面积优选膜的长度方向短的矩形状。
如果导电粒径大于10μm且30μm以下，则膜的整体的面积保持原样，而使抽取的面积的膜长度方向及宽度方向分别为2倍，对100μm×400μm的面积抽取不连续的10个部位并加以评价共计4mm 2即可。此外，在膜的宽度小于400μm的情况下，也可以适当变更矩形的形状。
遗漏的偏颇如果存在如特定部位的个数密度变小的、集中的遗漏就不是理想的。这样的遗漏优选最小值相对于上述的50×200μm或100×400μm的10个部位的个数密度的最大值为50％以上，更优选为60％以上，进一步更优选为70％以上。
作为遗漏的偏颇的一个例子，针对上述整体的面积的导电粒子个数密度，优选任意抽取的面积的合计有（1mm 2）±30％的差异，更优选有±20％的差异。如果在该数值范围内，则容易得到成本与性能的兼顾。
（膜卷装体）
前述的各向异性导电膜，为了连续进行电子部件的连接，优选为卷绕到滚筒（roll）上的膜卷装体。膜卷装体的长度为5m以上即可，而优选为10m以上。没有特别的上限，从出货物的处理性观点来看，优选为5000m以下，更优选为1000m以下，进一步优选为500m以下。
膜卷装体也可以用连接带连结比全长短的各向异性导电膜。连结部位可以存在多处，可以规则地存在，也可以随机存在。连接带的厚度只要对性能不带来障碍就没有特别限制，但是过厚会影响树脂的挤出或拦截（blocking），因此优选为10～40μm。另外，膜的宽度没有特别限制，但是作为一个例子为0.5～5mm。
依据这样的膜卷装体，能达成连续的各向异性连接，能够有助于连接体的成本削减。
＜3. 连接构造体的制造方法及连接构造体＞
本技术所涉及的连接构造体的制造方法具有：隔着各向异性导电膜配置第1电子部件和第2电子部件的配置工序（S1）；以及通过压接工具来将第2电子部件压接到第1电子部件，并且使各向异性导电膜固化的固化工序（S2），其中，各向异性导电膜具备：以膜状形成的绝缘性粘合剂；以及在表面视场下配置在绝缘性粘合剂的多个导电粒子，且在导电粒子的粒径分布图表（X轴：粒径[μm]；Y轴：粒子个数）中，成为斜率在最大峰值的粒径以上的范围实质上成为无限大的图表形状。
图9是示意性地示出本实施方式所涉及的连接体的制造方法的截面图，图9（A）示出配置工序（S1），图9（B）示出固化工序（S2）。此外，各向异性导电粘接膜与前述同样，因此在此省略说明。
[配置工序（S1）]
如图9（A）所示，配置工序（S1）中，隔着各向异性导电膜60配置第1电子部件50和第2电子部件70，其中，各向异性导电膜60具备以膜状形成的绝缘性粘合剂、和在表面视场下配置在绝缘性粘合剂的多个导电粒子，且在导电粒子的粒径分布图表（X轴：粒径[μm]；Y轴：粒子个数）中，成为斜率在最大峰值的粒径以上的范围实质上成为无限大的图表形状。
第1电子部件50具备第1端子列51。第1电子部件50无特别限制，能够根据目的适当选择。作为第1电子部件50，可举出例如LCD（液晶显示器：Liquid Crystal Display）面板、有机EL（OLED）等的平板显示器（FPD）用途、触摸面板用途等的透明基板、印刷布线板（PWB）等。印刷布线板的材质没有特别限定，例如，可为FR－4基体材料等的环氧玻璃，还能够采用热塑性树脂等的塑料、陶瓷等。另外，透明基板只要透明性高就无特别限定，可举出玻璃基板、塑料基板等。
第2电子部件70具备与第1端子列51对置的第2端子列71。第2电子部件70无特别限制，能够根据目的适当选择。作为第2电子部件70，可举出例如IC（集成电路：IntegratedCircuit）、柔性基板（FPC：Flexible Printed Circuits）、带载封装（TCP）基板、将IC安装于FPC的COF（Chip On Film）等。
[固化工序（S2）]
如图9（B）所示，在固化工序（S2）中，利用压接工具80使第2电子部件70压接在第1电子部件50。由此，第2电子部件通过压接工具80被充分地压入，树脂以在端子间夹持导电粒子61的状态固化。
依据这样的连接构造体的制造方法，与采用包含预先分等级的导电粒子的各向异性导电膜的情况同样，能够得到优异的导通性。
另外，本技术所涉及的连接构造体具备：第1电子部件；第2电子部件；以及粘接有第1电子部件和第2电子部件的粘接膜，粘接膜固化各向异性导电膜而成，所述各向异性导电膜具备以膜状形成的绝缘性粘合剂、和在表面视场下配置在所述绝缘性粘合剂的多个导电粒子，且在导电粒子的粒径分布图表（X轴：粒径[μm]；Y轴：粒子个数）中，成为斜率在最大峰值的粒径以上的范围实质上成为无限大的图表形状。
依据这样的连接构造体，与采用包含预先分等级的导电粒子的各向异性导电膜进行粘接的情况同样，能够得到优异的导通性。
此外，本技术并不限于对上述的连接构造体的制造方法的适用，在叠加（stack）IC芯片或晶圆而多层化时也能够适用。
＜4. 填充剂配置膜的制造方法及填充剂配置膜＞
上述的各向异性导电膜的制造方法，通过取代导电粒子而使用与导电粒子同样的填充剂，能够制造在表面视场下配置有填充剂的填充剂配置膜。
即，本实施方式所涉及的填充剂配置膜的制造方法具有：保持工序，向具有多个开口部的构件上供给多个粒径的填充剂，并使填充剂保持在所述开口部；以及转印工序，将保持在开口部的填充剂转印到粘接膜，保持在开口部的填充剂的粒径分布图表（X轴：粒径[μm]；Y轴：粒子个数）中，成为斜率在最大峰值的粒径以上的范围实质上成为无限大的图表形状。通过这样采用具有多个开口部的构件进行填充剂的分等级，能够削减填充剂配置膜的制造成本。另外，本法中向开口部供给的填充剂的粒径分布宽（宽大）也可，因此能够期待使用对粒径的下限侧分等级的导电粒子等的容易取得性能和成本的平衡的效果，具有增加了可利用性的选择项的优点。
作为填充剂，能够对应填充剂配置膜的用途，采用无机填充剂、有机填充剂的任一种或两种。作为无机填充剂，可举出例如硅石、碳酸钙、滑石、硫酸钡、氢氧化铝、氧化铝、氢氧化镁、氧化镁、氧化钛、氧化锌、氧化铁、云母等。另外，作为有机填充剂，可举出例如硅酮树脂、氟树脂、聚丁二烯树脂等的公知的树脂填充剂或橡胶粒子等。
例如，在将填充剂配置膜用作为间隙间隔物的情况下，作为填充剂，可举出硅石、碳酸钙或公知的树脂填充剂或橡胶粒子等，填充剂配置膜由于填充剂的粒径一致，作为优异的间隙间隔物而发挥功能。另外，例如，将填充剂配置膜用作为光扩散、消光、带光泽等的光学构件的情况下，作为填充剂，可举出氧化钛、氧化锌、氧化铁或公知的树脂填充剂等，填充剂配置膜由于填充剂在表面视场下配置在既定位置，所以能够得到优异的光学性能。另外，例如，将填充剂配置膜用作为设计构件的情况下，作为填充剂，可举出着色填充剂（不管是无机物还是有机物），填充剂配置膜由于填充剂在表面视场下配置在既定位置，所以能够得到优异的设计性。
具有多个开口部的构件及粘接膜，与在上述的各向异性导电膜的制造方法中说明的同样，因此在此省略说明。
本实施方式所涉及的填充剂配置膜具备：以膜状形成的绝缘性粘合剂；以及在表面视场下配置在绝缘性粘合剂的多个填充剂，且在填充剂的粒径分布图表（X轴：粒径[μm]；Y轴：粒子个数）中，成为斜率在最大峰值的粒径以上的范围实质上成为无限大的图表形状。关于填充剂配置膜，在填充剂的粒径分布中，去掉粒径较大的填充剂而在表面视场下配置，所以除了例如作为导电粒子而公知的各向异性导电膜的使用方法以外，还能够设为作为导通构件而采用的用途、或者间隙间隔物、光学构件、设计构件等。
实施例
＜5. 实施例＞
以下，对本技术的实施例进行说明。在本实施例中，通过将以既定比率（个数换算）混合的导电粒子供给到形成有开口排列图案的树脂模而使导电粒子保持在开口，并将保持在开口的导电粒子转印到粘接膜而制作了各向异性导电膜。然后，进行了各向异性导电膜的分等级评价。另外，采用各向异性导电膜制作连接构造体，并进行了连接构造体的导通性评价、补充性评价、及短路评价。此外，本技术并不局限于这些实施例。例如，对于取代导电粒子而使用树脂粒子的填充剂配置膜的制造方法及填充剂配置膜的实施例，也能得到与各向异性导电膜的分等级评价的结果同样的效果。
[各向异性导电膜的制作]
（树脂模的制作）
以使3μm的导电粒子在俯视观察下正方格子排列且格子轴与各向异性导电膜的短边方向所成的角度θ为15°，且粒子间距离与导电粒子的粒径的2倍相等，并且导电粒子的个数密度成为28000个/mm 2的方式，制作了具有遵照上述排列图案的凸部的模具。模具的凸部为3.3μm×3.3μm的正方形，该中心点上的间距设为平均导电粒径3μm的2倍即6μm。另外，凸部的高度（即，开口的深度）设为3.5μm。使公知的透明性树脂的颗粒（pellet）熔化的状态流入该模具，并冷却而凝固，从而形成了形成开口排列图案的树脂模。所得到的树脂模的开口的深度与凸部的高度大致相同。
（绝缘性树脂层A及绝缘性树脂层A的制作）
将下述配比的树脂组合物A，用棒涂机涂敷在50μm膜厚的PET膜上，利用80℃的烤箱干燥5分钟，在PET膜上形成厚度4μm的绝缘性树脂层A。
树脂组合物A（绝缘性树脂层A）
苯氧基树脂（YP－50，新日铁住金化学（株））：30质量份；环氧树脂（jER828，三菱化学（株））：40质量份；阳离子固化剂（SI－60L，三新化学工业（株））：2质量份；填充剂（AEROSILRX300，日本AEROSIL（株））：30质量份。
将下述配比的树脂组合物B，用棒涂机涂敷在50μm膜厚的PET膜上，利用80℃的烤箱干燥5分钟，在PET膜上形成厚度14μm的绝缘性树脂层B。
树脂组合物B（绝缘性树脂层B）
苯氧基树脂（YP－50，新日铁住金化学（株））：30质量份；苯氧基树脂（FX－316ATM55，新日铁住金化学（株））：30质量份；环氧树脂（jER828，三菱化学（株））：40质量份；阳离子固化剂（SI－60L，三新化学工业（株））：2质量份。
（2层型各向异性导电膜的制作）
作为导电粒子，准备了3μm的金属包覆树脂粒子（积水化学工业（株），AUL703，平均粒径3μm，以下记为“3μm直径粒子”）、和5μm的金属包覆树脂粒子（积水化学工业（株），AUL705，平均粒径5μm，以下记为“5μm直径粒子”）。
以使3μm直径粒子按个数换算为80％、5μm直径粒子为20％的方式在容器中称量，充分地混合，得到了导电粒子A。混合的确认是抽出少量混合物，以粘接膜状散布后用金属显微镜进行了观察。此外，将其重复进行3～10次，确认了混合状态为均匀。
将导电粒子A填充到形成有开口排列图案的树脂模的凹处，其上覆盖上述绝缘性树脂层A，在60℃、0.5MPa下进行按压，使导电粒子A粘贴到绝缘树脂层。然后，从树脂模剥离绝缘性树脂层A，通过对绝缘性树脂层A上的导电粒子进行加压（按压条件：60～70℃、0.5Mpa），将导电粒子A压入绝缘性树脂层A，从而制作了含导电粒子层。对该含导电粒子层的存在导电粒子A的面侧，以60℃、0.5MPa的条件层叠由绝缘性树脂层B构成的不含导电粒子层，从而制作了厚度18μm的各向异性导电膜A。
对于以使3μm直径粒子按个数换算为75％、5μm直径粒子为25％的方式混合的导电粒子B；以使3μm直径粒子按个数换算为50％、5μm直径粒子为50％的方式混合的导电粒子C；以使3μm直径粒子按个数换算为40％、5μm直径粒子为60％的方式混合的导电粒子D；以及3μm直径粒子按个数换算为100％的导电粒子E，与上述同样地制作了各向异性导电膜B～E。
[各向异性导电膜的分等级评价]
利用金属显微镜来观察各向异性导电膜A～E的含导电粒子层的膜面，从而评价了排列上的粒子遗漏。各向异性导电膜A～E的观察是对于膜长度方向为50μm、膜宽度方向为200μm的面积以不连续的10个部位进行，且将其在5个部位重复，合计进行5mm 2的面积。
其结果，各向异性导电膜A～D在所使用的导电粒子的3μm直径粒子的个数比率越低越在排列上有粒子遗漏，但是示出如后述那样与仅使用3μm直径粒子的各向异性导电膜E同样的性能，实际使用上是没有问题的范围。
另外，采用粒度分布测定装置（FPIA－3000（MALVERN公司））测定了各向异性导电膜A～E中的含导电粒子层的导电粒子的粒径分布。
其结果，各向异性导电膜A～E的导电粒子的全部的粒径分布，成为斜率在约3μm实质上成为无限大的图表形状，最大峰值小于3μm。即，图表形状在约3μm的粒径上近似于与Y轴并行的直线。另外，在各向异性导电膜A～E全部中能够确认导电粒子的全粒子数的90％以上存在于平均粒径的±30％的范围。此外，严格而言因为存在大于3μm的导电粒子，X轴从3μm到3.3μm之间的Y轴的值接近零的部分（在X＝3～3.3下，Y＝比0稍微正值一侧的部分）的图表形状，成为如图4所示的仅有一点点台肩（shoulder）的形状。
[连接构造体的导通性评价]
将各向异性导电膜A～E夹在导通性评价用IC和玻璃基板之间，经加热加压（180℃、60MPa、5秒）而制作了导通性评价用的连接构造体。然后，对各连接构造体的导通电阻，在连接后的初始以及在温度85℃、湿度85％RH的恒温槽中静放500小时的可靠性实验后进行了测定。
其结果，在采用了各向异性导电膜A～E的全部连接构造体中，初始的导通电阻小于0.5Ω，且可靠性实验后的导通电阻小于5Ω。即，各向异性导电膜A～D示出与仅使用3μm直径粒子的各向异性导电膜E同样的性能，可知在实际使用上没有问题。
导通性评价用IC：
外形 1.8×20.0mm
厚度 0.5mm
凸点规格 尺寸 30×85μm；凸点间距离 50μm；凸点高度 15μm
玻璃基板（ITO布线）：
玻璃材质 CORNING公司制 1737F
外径 30×50mm
厚度 0.5mm
电极 ITO布线。
[连接构造体的补充性评价]
采用导通性评价用的连接构造体，对导电粒子的捕获状态进行了压痕检查。其结果，能够确认在全部各向异性导电膜A～E中，每一个凸点至少有3个以上的导电粒子成为各自独立的压痕。另外，关于捕获数，有3μm直径粒子的混合比率越高捕获数越多的倾向，仅使用3μm直径的各向异性导电膜E捕获数最多。
[连接构造体的短路评价]
对于导通性评价用的各连接构造体，计测100个凸点间短路的通道数，并作为短路数。其结果，在采用各向异性导电膜A～E的全部连接构造体中，没有短路的。
另外，将各向异性导电膜A～E夹在短路发生率评价用IC和与该评价用IC对应的图案的玻璃基板之间，经加热加压（180℃、60MPa、5秒）而制作了导通性评价用的连接构造体。然后，将凸点间短路的通道数作为短路数，求出了以“短路的发生数/7.5μm空隙总数”算出的短路发生率。
其结果，在采用各向异性导电膜A～E的全部连接构造体中，短路发生率小于50ppm。此外，如果短路发生率小于50ppm，则在实际使用上没有问题。
短路发生率评价用IC（梳齿TEG（Test Element Group））
外形 1.5×13mm
厚度 0.5mm
凸点规格 镀金、高度 15μm、尺寸 25×140μm、凸点间距离 7.5μm。
[综合评价]
在各向异性导电膜的分等级评价、连接构造体的导通性评价、补充性评价、及短路评价的任一评价中，可知适用本技术的各向异性导电膜A～D，都与仅使用3μm直径粒子的各向异性导电膜E同等，且在实际使用上没有问题。即，通过适用本技术，能够使用粒径分布宽大的导电粒子，并能削减制造成本。另外，由各向异性导电膜的分等级评价的结果，可知填充剂配置膜也能得到同样的效果。
此外，在上述的实施例中，除去了较大粒径的导电粒子，但是也可以用公知的方法预先除去较小粒径的导电粒子。作为除去较小粒径的导电粒子的方法，可举出例如向液体中的导电粒子提供具有0.2～40μm振幅的振动，利用短径的标准偏差在10％以下的筛来进行的湿式分等级方法等。
标号说明
10　构件；20　导电粒子；30　粘接膜；40　剥离膜；50　第1电子部件；51　第1端子列；60　各向异性导电膜；61　导电粒子；70　第2电子部件；71　第2端子列；80　压接工具。

Claims (11)

1.一种各向异性导电膜的制造方法，
具有：保持工序，向具有多个开口部的构件上供给多个粒径的导电粒子，并使导电粒子保持在所述开口部；以及转印工序，将保持在所述开口部的导电粒子转印到粘接膜，
在所述开口部保持的导电粒子的粒径分布图表中，成为斜率在最大峰值的粒径以上的范围实质上成为无限大的图表形状，其中，X轴为粒径，其单位为μm；Y轴为粒子个数。
2.如权利要求1所述的各向异性导电膜的制造方法，其中，
所述保持工序中被供给的导电粒子的粒径分布图表中，具有斜率在最大峰值的粒径以下的范围实质上成为无限大的粒径，其中，X轴为粒径，其单位为μm；Y轴为粒子个数。
3.如权利要求1或2所述的各向异性导电膜的制造方法，其中，
在所述保持工序中所供给的多个导电粒子的表面被绝缘体包覆。
4. 一种各向异性导电膜，
具备：以膜状形成的绝缘性粘合剂；以及
在表面视场下配置在所述绝缘性粘合剂的多个导电粒子，
在所述导电粒子的粒径分布图表中，成为斜率在最大峰值的粒径以上的范围实质上成为无限大的图表形状，其中，X轴为粒径，其单位为μm；Y轴为粒子个数。
5.如权利要求4所述的各向异性导电膜，其中，
在导电粒子的粒径分布图表中，具有使斜率在最大峰值的粒径以下的范围实质上成为无限大的粒径，其中，X轴为粒径，其单位为μm；Y轴为粒子个数。
6.如权利要求4或5所述的各向异性导电膜，其中，
在导电粒子的粒径分布图表中，成为具有多个峰值的图表形状，其中，X轴为粒径，其单位为μm；Y轴为粒子个数。
7.一种各向异性导电膜卷装体，其中，所述权利要求4～6的任一项所述的各向异性导电膜卷绕在卷芯。
8. 一种连接构造体的制造方法，具有：
配置工序，隔着各向异性导电膜配置第1电子部件和第2电子部件，所述各向异性导电膜具备以膜状形成的绝缘性粘合剂、和在表面视场下配置在所述绝缘性粘合剂的多个导电粒子，在所述导电粒子的粒径分布图表中，成为斜率在最大峰值的粒径以上的范围实质上成为无限大的图表形状，其中，X轴为粒径，其单位为μm；Y轴为粒子个数；以及
固化工序，利用压接工具使所述第2电子部件压接到所述第1电子部件，并且使所述各向异性导电膜固化。
9.一种连接构造体，具备：
第1电子部件；第2电子部件；以及粘接所述第1电子部件和所述第2电子部件的粘接膜，
所述粘接膜是固化各向异性导电膜而成，所述各向异性导电膜具备以膜状形成的绝缘性粘合剂、和在表面视场下配置在所述绝缘性粘合剂的多个导电粒子，且在所述导电粒子的粒径分布图表中，成为斜率在最大峰值的粒径以上的范围实质上成为无限大的图表形状，其中，X轴为粒径，其单位为μm；Y轴为粒子个数。
10.一种填充剂配置膜的制造方法，
具有：保持工序，向具有多个开口部的构件上供给多个粒径的填充剂，并使填充剂保持在所述开口部；以及转印工序，将保持在所述开口部的填充剂转印到粘接膜，
在所述开口部保持的填充剂的粒径分布图表中，成为斜率在最大峰值的粒径以上的范围实质上成为无限大的图表形状，其中，X轴为粒径，其单位为μm；Y轴为粒子个数。
11. 一种填充剂配置膜，具备：
以膜状形成的绝缘性粘合剂；以及
在表面视场下配置在所述绝缘性粘合剂的多个填充剂，
在所述填充剂的粒径分布图表中，成为斜率在最大峰值的粒径以上的范围实质上成为无限大的图表形状，其中，X轴为粒径，其单位为μm；Y轴为粒子个数。
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