CN108886046A - 固态摄像元件、传感器装置和电子设备 - Google Patents

固态摄像元件、传感器装置和电子设备 Download PDF

Info

Publication number
CN108886046A
CN108886046A CN201780018834.7A CN201780018834A CN108886046A CN 108886046 A CN108886046 A CN 108886046A CN 201780018834 A CN201780018834 A CN 201780018834A CN 108886046 A CN108886046 A CN 108886046A
Authority
CN
China
Prior art keywords
transistor
image pickup
solid
fin
state image
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201780018834.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108886046B (zh
Inventor
工藤义治
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Publication of CN108886046A publication Critical patent/CN108886046A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108886046B publication Critical patent/CN108886046B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
    • H01L27/14612—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements involving a transistor
    • H01L27/14616—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements involving a transistor characterised by the channel of the transistor, e.g. channel having a doping gradient
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
    • H01L27/14612—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements involving a transistor
    • H01L27/14614—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements involving a transistor having a special gate structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1463—Pixel isolation structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
    • H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
    • H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
    • H01L29/4232—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate
    • H01L29/42356—Disposition, e.g. buried gate electrode
    • H01L29/4236—Disposition, e.g. buried gate electrode within a trench, e.g. trench gate electrode, groove gate electrode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
    • H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
    • H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
    • H01L29/4232—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate
    • H01L29/42372—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate characterised by the conducting layer, e.g. the length, the sectional shape or the lay-out
    • H01L29/42376—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate characterised by the conducting layer, e.g. the length, the sectional shape or the lay-out characterised by the length or the sectional shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/785—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate having a channel with a horizontal current flow in a vertical sidewall of a semiconductor body, e.g. FinFET, MuGFET
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • H04N25/75—Circuitry for providing, modifying or processing image signals from the pixel array
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

本公开涉及一种能够获得更优良的特性的固态摄像元件、传感器装置和电子设备。在本公开中，构成像素的晶体管包括：栅电极，其具有至少两个鳍部分，所述鳍部分形成为从平面地形成在半导体基板的表面上的平面部分朝向所述半导体基板的内部埋入；以及沟道部分，其横跨源极和漏极设置，以便通过绝缘膜与所述鳍部分的侧面接触。此外，沟道部分的宽度形成为小于鳍部分的深度。例如，本技术适用于CMOS图像传感器。

Description

固态摄像元件、传感器装置和电子设备
技术领域
本公开涉及一种固态摄像元件、传感器装置和电子设备，特别地涉及能够实现更优良的特性的固态摄像元件、传感器装置和电子设备。
背景技术
在具有摄像功能的已知电子设备(例如数码相机和数字摄像机)中，例如，采用诸如电荷耦合器件(CCD：charge coupled device)和互补金属氧化物半导体(CMOS：complementary metal oxide semiconductor)图像传感器等固态摄像元件。固态摄像元件包括组合有用于执行光电转换的光电二极管(PD)和多个晶体管的像素。基于从布置在图像平面上的多个像素输出的像素信号来构建图像，在该图像平面上形成有被摄体的图像。
此外，为了在面积有限的像素区域中容纳像素，有必要形成具有尽可能少的晶体管的像素，并且在通常情况下采用源极跟随器放大器(source follower amplifier)作为放大晶体管。由于源极跟随器放大器能够在像素区域外布置恒流源，所以可以减小像素区域的面积，并且可以通过放大电流来驱动大的电容负载。另一方面，由于源极跟随器放大器具有1或更小的电压放大系数，所以与电压放大型放大器相比，其在后续电路中针对噪声的信噪(SN)比方面是不利的。
因此，为了抑制噪声的产生，本发明的申请人已经提出了一种固态摄像元件，其具有构成放大晶体管的栅电极的一部分，该放大晶体管具有埋入其上形成有PD的基板中的突起(例如，参见专利文献1)。
引用列表
专利文献
专利文献1：日本专利申请公开No.2013-125862
发明内容
本发明要解决的问题
另一方面，虽然在专利文献1中公开的固态摄像元件中能够增加沟道宽度，但是例如调制深度增强效果低。于是，需要增强调制深度以获得更好的特性。
本公开是鉴于以上情况而完成的，并且旨在获得更好的特性。
解决问题的方案
根据本公开一方面的固态摄像元件包括具有晶体管的像素，所述晶体管包括：栅电极，其具有至少一个鳍部分，所述鳍部分形成为从平面地形成在半导体基板的表面上的平面部分朝向所述半导体基板的内部埋入；以及沟道部分，其横跨源极和漏极设置，以便通过绝缘膜与所述鳍部分的侧面接触，所述晶体管形成为所述沟道部分的宽度比所述鳍部分的深度窄。
根据本公开一方面的传感器装置包括具有晶体管的传感器部分，所述晶体管包括：栅电极，其具有至少一个鳍部分，所述鳍部分形成为从平面地形成在半导体基板的表面上的平面部分朝向所述半导体基板的内部埋入；以及沟道部分，其横跨源极和漏极设置，以便通过绝缘膜与所述鳍部分的侧面接触，所述晶体管形成为所述沟道部分的宽度比所述鳍部分的深度窄。
根据本公开一方面的电子设备包括具有像素的固态摄像元件，所述像素包括晶体管，所述晶体管包括：栅电极，其具有至少一个鳍部分，所述鳍部分形成为从平面地形成在半导体基板的表面上的平面部分朝向所述半导体基板的内部埋入；以及沟道部分，其横跨源极和漏极设置，以便通过绝缘膜与所述鳍部分的侧面接触，所述晶体管形成为所述沟道部分的宽度比所述鳍部分的深度窄。
本公开的一个方面包括晶体管，其中，栅电极包括至少一个鳍部分，该鳍部分形成为从平面地形成在半导体基板的表面上的平面部分朝向半导体基板的内部埋入，并且沟道部分横跨源极和漏极设置，以便通过绝缘膜与鳍部分的侧面接触。此外，沟道部分的宽度形成为比鳍部分的深度窄。
发明效果
根据本公开的一方面，可以获得更好的特性。
附图说明
图1是示出根据本技术实施例的摄像元件的构成例的框图。
图2是示出放大晶体管的构成例的图。
图3是示出电位的图。
图4是示出放大晶体管的第一变形例和第二变形例的图。
图5是示出FD单元的可用范围内的电压范围的图。
图6是示出传输晶体管的构成例的图。
图7是示出传输晶体管的变形例的图。
图8是示出放大晶体管的第三变形例和第四变形例的图。
图9是示出根据本技术实施例的摄像装置的构成例的框图。
图10是示出使用图像传感器的使用例的图。
具体实施方式
以下，将参照附图详细地描述本技术的具体实施例。
图1是示出根据本技术实施例的摄像元件的构成例的框图。
如图1所示，摄像元件11包括像素区域12、垂直驱动电路13、列信号处理电路14、水平驱动电路15、输出电路16和控制电路17。
像素区域12是接收由光学系统(未示出)收集的光的光接收表面。像素区域12包括布置成矩阵的多个像素21。每个像素21通过水平信号线22逐行连接到垂直驱动电路13，同时通过垂直信号线23逐列连接到列信号处理电路14。多个像素21中的每一个像素输出具有与分别接收的光的光量对应的电平的像素信号，并且根据这些像素信号构建要在像素区域12中形成的被摄体的图像。
垂直驱动电路13通过水平信号线22向像素21顺序地提供驱动信号，以对布置在像素区域12中的多个像素21中的每个像素21逐行进行驱动(传输、选择、复位等)。列信号处理电路14对经由垂直信号线23从多个像素21输出的像素信号执行相关双采样(CDS：correlated double sampling)处理，以便执行像素信号的AD转换并去除复位噪声。
水平驱动电路15将驱动信号顺序地提供到列信号处理电路14，用于针对布置在像素区域12中的多个像素21的每一列，使列信号处理电路14将像素信号输出到数据输出信号线24。输出电路16在与水平驱动电路15的驱动信号对应的时刻将经由数据输出信号线24从列信号处理电路14提供的像素信号放大，并将放大的像素信号输出到后级的信号处理电路。控制电路17控制摄像元件11内的每个块的驱动。例如，控制电路17产生与每个块的驱动周期对应的时钟信号，并将时钟信号提供给每个块。
此外，像素21包括PD 31、传输晶体管32、浮动扩散(FD)部33、放大晶体管34、选择晶体管35和复位晶体管36。
PD 31是用于通过光电转换将入射光转换成电荷并累积电荷的光电转换单元，其中，阳极端子接地，阴极端子连接到传输晶体管32。根据从垂直驱动电路13提供的传输信号TRG来驱动传输晶体管32。当传输晶体管32接通时，PD 31中累积的电荷被传输到FD单元33。FD单元33是连接到放大晶体管34的栅电极的具有预定累积电容的浮动扩散区域，并且暂时累积从PD 31传输的电荷。
放大晶体管34经由选择晶体管35将与FD单元33中累积的电荷对应的电平(即，FD单元33的电位)的像素信号输出到垂直信号线23。换句话说，利用将FD单元33连接到放大晶体管34的栅电极的构成，FD单元33和放大晶体管34用作转换单元，该转换单元用于放大PD31中产生的电荷并将其转换成对应于电荷的电平的像素信号。
根据从垂直驱动电路13提供的选择信号SEL来驱动选择晶体管35。当选择晶体管35接通时，从放大晶体管34输出的像素信号变为准备输出到垂直信号线23的状态。根据从垂直驱动电路13提供的复位信号RST来驱动复位晶体管36。当复位晶体管36接通时，累积在FD单元33中的电荷被排出到漏极电源Vdd，并且FD单元33被复位。
图2是示出放大晶体管34的构成例的图。图2的A示出了放大晶体管34的平面构成例，并且图2的B示出了图2的A所示的放大晶体管34沿着点划线的断面构成例。
如图2的A所示，放大晶体管34具有在P型半导体基板(Pwell)41中设置的N型源极42和漏极43之间布置有栅电极44的构成。此外，诸如氧化膜(SiO2)等绝缘体被埋入沟槽中，所述沟槽被形成为围绕放大晶体管34的周边，以设置浅沟槽隔离部(STI：shallow trenchisolation)45，用于将放大晶体管34与外部隔离。
此外，如图2的B所示，栅电极44形成为包括：平面部分46，其平面地形成在半导体基板41的表面上；以及两个鳍部分47-1和47-2，其形成为从平面部分46朝向半导体基板41的内部埋入。换句话说，栅电极44具有在与普通晶体管的沟道对应的部分处形成两个鳍部分47-1和47-2的构成。鳍部分47-1和47-2中的每个具有如图2的B所示的断面形状，并且从源极42朝向漏极43形成。此外，例如，栅电极44包括功函数比N型半导体的功函数大的金属或P型半导体等材料。
此外，绝缘膜48形成为确保栅电极44与半导体基板41之间的绝缘。
此外，夹在栅电极44的鳍部分47-1与47-2之间的半导体基板41上的区域包括横跨源极和漏极形成的N型沟道部分49，以便经由绝缘膜48与鳍部分47-1和47-2的侧面接触。例如，形成有N型沟道部分49的区域，即夹在两个鳍部分47-1和47-2之间的区域具有设定为比鳍部分47-1和47-2的深度D窄的宽度S。例如，利用该区域具有大的宽度S的构成将由于来自P型半导体基板41的反向偏置效应而降低调制深度。因此，沟道部分49形成为具有不会降低调制深度的宽度S和深度D。此外，沟道部分49夹在鳍部分47-1和47-2之间，以便单独使沟道部分49的底表面侧与半导体基板41(阱)接触，从而可以抑制反向偏置效应。
此外，沟道部分49形成为浓度比源极42或漏极43中的浓度足够低的N型。这使得鳍部分47-1、47-2和浅沟槽隔离部45之间的区域处的电压低于沟道部分49的电压，从而对放大器的源极跟随器操作没有贡献。例如，由于鳍部分47-1、47-2和浅沟槽隔离部45之间的区域被耗尽成具有低浓度的N型或P型，因此可以抑制作为该区域的栅极电容的影响程度。
图3是示出由图2的B中的虚线表示的A-A'处的电位(Vg＝Vd)的图。
如图3所示，放大晶体管34在增加调制深度的同时，能够满足作为放大器特性的要求。由于可以以该方式增加调制深度，所以例如放大晶体管34能够增加信号幅度并减小后级电路中噪声的影响。
接着，将参照图4描述放大晶体管34的变形例。图4的A示出了放大晶体管34的第一变形例，并且图4的B示出了放大晶体管34的第二变形例。
注意，在图4所示的放大晶体管34A和34B中，与图2的放大晶体管34共同的组件由相同的附图标记表示，并且将省略对其的详细说明。即，图4所示的放大晶体管34A和34B各自以类似于图2中的放大晶体管34的方式来构成，其中在栅电极44的两个鳍部分47-1和47-2之间设置沟道部分49。
如图4的A所示，放大晶体管34A具有与图2中的放大晶体管34的构成不同的构成，其不同之处在于，放大晶体管34A具有浅沟槽隔离部45A，所述浅沟槽隔离部45A形成为通过绝缘膜48与两个鳍部分47-1和47-2的相对的外侧表面接触。换句话说，与图2的放大晶体管34(其中半导体基板41的一部分设置在两个鳍部分47-1、47-2中的每一个和浅沟槽隔离部45之间)相反，放大晶体管34A中没有设置放大晶体管34A的这种部分的结构。
如图4的B所示，放大晶体管34B的构成与图2中的放大晶体管34的构成的不同之处在于，在半导体基板41中的两个鳍部分47-1和47-2的末端侧设置低浓度区域50a和50b。此外，放大晶体管34B包括设置在鳍部分47-1和浅沟槽隔离部45之间的低浓度区域50c以及设置在鳍部分47-2和浅沟槽隔离部45之间的低浓度区域50d。
低浓度区域50a至50d是具有比沟道部分49中的N型杂质浓度低的N型杂质浓度的区域，或者是具有比半导体基板41中的P型杂质浓度低的P型杂质浓度的区域。例如，利用在半导体基板41中形成的用于形成鳍部分47-1和47-2的沟槽垂直向下注入N型杂质，从而能够形成低浓度区域50a至50d。
利用以该方式设置的低浓度区域50a和50b，可以减小栅电极44的鳍部分47-1、47-2的末端与半导体基板41之间的电容。此外，同样利用低浓度区域50c和50d，可以以类似的方式减小电容。
具有该结构的放大晶体管34(包括变形例)具有沟道的调制深度变高的特性。因此，将放大晶体管34的结构应用于其他晶体管(例如构成像素21的复位晶体管36、选择晶体管35等)也是有用的。
例如，能够将包括图2的鳍部分47-1和47-2的栅电极44应用于复位晶体管36，从而如图5所示，能够扩展FD单元33的可用电压的范围。
在图5中，水平轴表示复位晶体管36的栅极电压，并且垂直轴表示沟道部分49的电压。如图中所示，与具有平面形状的栅电极的构成(传统技术)相比，本技术(将具有鳍部分47-1和47-2的形状的栅电极44应用于复位晶体管36)使FD单元33可用的电压范围更宽。这是因为复位之后的瞬时电位与复位截止(OFF)时的沟道电位之间的差是FD单元33的可用范围。
类似地，能够将图2的包括鳍部分47-1和47-2的栅电极44应用于选择晶体管35，从而能够扩展垂直信号线23的输出电压的应用范围。
这里，需要将栅极导通时的沟道耗尽电压设定为高于复位晶体管36和选择晶体管35中的漏极电压的电平，因此，可以采用N型作为栅极材料。注意，与放大晶体管34类似，能够通过增强沟道的N型浓度来调整具有不同功函数的材料，从而允许使用这种方法。
接着，参照图6，将描述将包括鳍部分的栅电极应用于传输晶体管32的构成例。
图6的A示出了沿着从PD 31到FD单元33的电荷传输路径的传输晶体管32的断面构成例。图6的B示出了图6的A所示的传输晶体管32沿着单点划线的断面构成例。
如图6的A所示，PD 31由向下形成在半导体基板41的深区域的N型区域51与形成在N型区域51的表面上的P型区域52之间的PN结构成。FD单元33布置在位于与PD 31相同表面上的半导体基板41上与PD 31之间间隔开传输晶体管32的位置处。
如图6的B所示，传输晶体管32的栅电极53形成为包括：平面部分54，其平面地形成在半导体基板41的表面上；以及两个鳍部分55-1和55-2，其形成为从平面部分54朝向半导体基板41的内部埋入。鳍部分55-1和55-2形成为具有与FD单元33的深度相等的深度，并且在夹在鳍部分55-1和55-2之间的区域中形成N型沟道部分49。
接着，将参照图7描述传输晶体管32的变形例。注意，在图7所示的传输晶体管32A中，与图6的传输晶体管32共同的组件由相同的附图标记表示，并且将省略对其的详细描述。
如图7的A所示，PD 31形成在与半导体基板41的基板表面分离开的深位置处，并且传输晶体管32A形成为将来自PD 31的电荷读取到在半导体基板41的基板表面上形成的FD单元33。例如，传输晶体管32A的栅电极53A具有两个鳍部分55A-1和55A-2的形状，所述两个鳍部分55A-1和55A-2形成为从平面部分54埋入至到达PD 31的深度。此外，如图7的B所示，N型沟道部分49A形成在夹在鳍部分55A-1和55A-2之间的区域中，向下直至PD 31的深度。
利用分别包括夹在鳍部分55-1和55-2之间的区域中的沟道部分49和49A的上述构成的传输晶体管32和32A，可以实现更好的传输特性。
另一方面，即使如上所述具有包括两个鳍部分的构成的晶体管能够实现高调制深度，随着像素尺寸的小型化，对减小的晶体管面积存在持续的需求。因此，利用具有一个鳍部分的晶体管，可以处理像素尺寸的小型化。
接着，将参照图8描述放大晶体管34的变形例。图8的A示出了放大晶体管34的第三变形例，并且图8的B示出了放大晶体管34的第四变形例。
如图8的A所示，放大晶体管34C的栅电极44C形成为包括一个鳍部分47，所述鳍部分47形成为从平面地形成在半导体基板41的表面上的平面部分46朝向半导体基板41的内部埋入。此外，沟道部分49-1设置在鳍部分47的一个侧面与浅沟槽隔离部45之间，而沟道部分49-2设置在鳍部分47的另一个侧面与浅沟槽隔离部45之间。此外，可以在鳍部分47的末端处设置低浓度区域50。
此外，如图8的B所示，放大晶体管34D的栅电极44D形成为包括一个鳍部分47，所述鳍部分47形成为从平面地形成在半导体基板41的表面上的平面部分46朝向半导体基板41的内部埋入。此外，放大晶体管34D包括浅沟槽隔离部45D，所述浅沟槽隔离部45D形成为通过绝缘膜48与鳍部分47的一个侧面接触，并且包括设置在鳍部分47的另一个侧面与浅沟槽隔离部45D之间的沟道部分49。此外，可以在鳍部分47的末端处设置低浓度区域50。
如上所述，即使利用具有单个鳍部分47的放大晶体管34C和34D的构成，沟道部分49与浅沟槽隔离部45组合设置，也可以实现类似绝缘体上硅(SOI：Silicon-on-Insulator)的结构。即使在这样的构成中，利用P型栅极和N型沟道，与具有平面栅电极的构成相比，仍然可以增加调制深度，尽管不如图2中的放大晶体管34的情况下那么显著，但是可以满足放大器特性的要求。
如上所述，例如，实现更高调制深度的源极跟随器放大器能够使摄像元件11提高包括后续电路的S/N比。
例如，能够将本技术应用于放大晶体管34，从而实现埋入沟道的形式的沟道部分49，使得能够预期放大晶体管34的噪声改善。而且，能够将本技术应用于复位晶体管36、选择晶体管35和传输晶体管32，以实现像素输出的电压范围扩展，从而改善动态范围。
注意，本技术只能应用于摄像元件11的像素区域12，并且例如可以在诸如垂直驱动电路13和水平驱动电路15等外围电路中形成与传统晶体管类似的晶体管。此外，虽然以上描述假定载流子是电子，但是即使在载流子是空穴的情况下(即，在相反类型的半导体的情况下)，也能够实现类似的构成。在这种情况下，放大晶体管的栅极是功函数小于源极/漏极的材料。
此外，除了诸如CMOS图像传感器等摄像元件11之外，本技术还适用于如下的传感器装置，所述传感器装置包括例如代替接收光的像素21布置成阵列的多个传感器部分，并且由传感器部分的电流放大的电压信号输出来驱动。即使在这样的传感器装置中，利用与放大晶体管34类似的放大构成，仍然可以与摄像元件11类似地改善特性，并且能够实现更好的特性。
注意，例如，如上所述的摄像元件11能够应用于包括下列摄像系统的各种电子设备：例如，数码相机和数字摄像机、具有摄像功能的移动电话或具有摄像功能的其他仪器。
图9是示出安装在电子设备上的摄像装置的构成例的框图。
如图9所示，摄像装置101包括光学系统102、摄像元件103、信号处理电路104、监视器105以及存储器106，并且摄像装置101能够拍摄静止图像和运动图像。
光学系统102包括一个或多个透镜，将来自被摄体的图像光(入射光)引入摄像元件103，并在摄像元件103的光接收表面(传感器部分)上形成图像。
作为摄像元件103，应用上述摄像元件11。摄像元件103根据经由光学系统102在光接收表面上形成的图像在固定的时间段内累积电子。随后，根据累积在摄像元件103中的电子产生的信号被提供给信号处理电路104。
信号处理电路104对从摄像元件103输出的像素信号执行各种类型的信号处理。由信号处理电路104执行的信号处理而获得的图像(图像数据)被提供到监视器105并在监视器105上显示，或者被提供到存储器106并被存储(记录)在存储器106中。
通过在如上所述构成的摄像装置101中应用上述摄像元件11，例如，可以拍摄低噪声、高质量的图像。
图10是示出使用上述图像传感器的使用例的图。
上述图像传感器适用于对诸如可见光、红外光、紫外光和X射线等执行感测的各种情况。
拍摄用于鉴赏的图像的设备，例如数码相机或具有相机功能的移动设备。
用于交通的设备，例如为了确保诸如自动停车等安全驾驶、识别驾驶员的状态等，用于拍摄汽车的前方、后方、周围、内部等的车载传感器、用于监视行驶车辆和道路的监视相机以及用于执行车辆之间的距离测量的测距传感器等。
用于包括电视、冰箱、空调等家用电器的设备，其拍摄使用者手势，并根据该手势进行设备操作。
用于医疗保健领域的设备，例如内窥镜和利用红外光接收的血管造影设备。
用于安保的设备，例如用于预防犯罪的监控相机和用于个人认证的相机。
用于美容的设备，例如用于拍摄皮肤的皮肤测量仪器和用于拍摄头皮的显微镜。
用于运动的设备，例如用于运动用途等的动作相机和可穿戴相机。
用于农业的设备，例如用于监测田地和农作物状况的相机。
注意，本技术还可以具有如下构成。
(1)一种固态摄像元件，其包括具有晶体管的像素，所述晶体管包括：
栅电极，其具有至少一个鳍部分，所述鳍部分形成为从平面地形成在半导体基板的表面上的平面部分朝向所述半导体基板的内部埋入；以及
沟道部分，其横跨源极和漏极设置，以便通过绝缘膜与所述鳍部分的侧面接触，
所述晶体管形成为所述沟道部分的宽度比所述鳍部分的深度窄。
(2)根据(1)所述的固态摄像元件，
其中，所述栅电极包括至少两个所述鳍部分，以及
所述沟道部分形成在夹在所述鳍部分之间的区域中。
(3)根据(2)所述的固态摄像元件，
其中，所述沟道部分形成为使两个侧面通过所述绝缘膜与所述鳍部分接触，并单独使底表面侧与所述半导体基板接触。
(4)根据(1)～(3)中任一项所述的固态摄像元件，进一步包括：
浅沟槽隔离部，其设置成围绕所述晶体管并将所述晶体管与外部隔离。
(5)根据(4)所述的固态摄像元件，其中，所述浅沟槽隔离部形成为与所述鳍部分的外侧表面接触。
(6)根据(4)或(5)所述的固态摄像元件，
其中，在所述浅沟槽隔离部与所述鳍部分的外侧表面之间的所述半导体基板中设置有杂质浓度比所述沟道部分的杂质浓度低的低浓度区域。
(7)根据(4)～(6)中任一项所述的固态摄像元件，
其中，所述栅电极包括一个所述鳍部分，并且
所述沟道部分设置在所述鳍部分与浅沟槽隔离部之间，所述浅沟槽隔离部被设置成围绕所述晶体管并将所述晶体管与外部隔离。
(8)根据(1)～(7)中任一项所述的固态摄像元件，
其中，在所述鳍部分的末端侧的所述半导体基板中设置有杂质浓度比所述沟道部分的杂质浓度低的低浓度区域。
(9)根据(1)～(8)中任一项所述的固态摄像元件，
其中，所述晶体管是放大晶体管，所述放大晶体管放大在所述像素的光电转换单元中产生的电荷并将所述电荷作为像素信号输出。
(10)根据(1)～(8)中任一项所述的固态摄像元件，
其中，所述晶体管是复位晶体管，所述复位晶体管使浮动扩散区域中的电荷复位，所述浮动扩散区域暂时累积在所述像素的光电转换单元中产生的电荷。
(11)根据(1)～(8)中任一项所述的固态摄像元件，
其中，所述晶体管是选择晶体管，所述选择晶体管将所述像素和输出来自所述像素的像素信号的信号线连接。
(12)根据(1)～(8)中任一项所述的固态摄像元件，
其中，所述晶体管是传输晶体管，所述传输晶体管传输在所述像素的光电转换单元中产生的电荷。
(13)根据(12)所述的固态摄像元件，
其中，所述传输晶体管的所述鳍部分形成至到达所述光电转换单元的深度，所述光电转换单元形成在与所述半导体基板的基板表面分离开的深位置处。
(14)一种传感器装置，其包括具有晶体管的传感器部分，所述晶体管包括：
栅电极，其具有至少一个鳍部分，所述鳍部分形成为从平面地形成在半导体基板的表面上的平面部分朝向所述半导体基板的内部埋入；以及
沟道部分，其横跨源极和漏极设置，以便通过绝缘膜与所述鳍部分的侧面接触，
所述晶体管形成为所述沟道部分的宽度比所述鳍部分的深度窄。
(15)一种电子设备，其包括具有像素的固态摄像元件，所述像素具有晶体管，所述晶体管包括：
栅电极，其具有至少一个鳍部分，所述鳍部分形成为从平面地形成在半导体基板的表面上的平面部分朝向所述半导体基板的内部埋入；以及
沟道部分，其横跨源极和漏极设置，以便通过绝缘膜与所述鳍部分的侧面接触，
所述晶体管形成为所述沟道部分的宽度比所述鳍部分的深度窄。
注意，本实施例不限于上述实施例，并且在不脱离本公开的范围和精神的范围内，可以进行各种变形。
附图标记列表
11 摄像元件
12 像素区域
13 垂直驱动电路
14 列信号处理电路
15 水平驱动电路
16 输出电路
17 控制电路
21 像素
31 PD
32 传输晶体管
33 FD单元
34 放大晶体管
35 选择晶体管
36 复位晶体管
41 半导体基板
42 源极
43 漏极
44 栅电极
45 浅沟槽隔离部
46 平面部分
47 鳍部分
48 绝缘膜
49 沟道部分
50 低浓度区域
51 N型区域
52 P型区域
53 栅电极
54 平面部分
55 鳍部分

Claims (15)

1.一种固态摄像元件，其包括具有晶体管的像素，所述晶体管包括：
栅电极，其具有至少一个鳍部分，所述鳍部分形成为从平面地形成在半导体基板的表面上的平面部分朝向所述半导体基板的内部埋入；以及
沟道部分，其横跨源极和漏极设置，以便通过绝缘膜与所述鳍部分的侧面接触，
所述晶体管形成为所述沟道部分的宽度比所述鳍部分的深度窄。
2.根据权利要求1所述的固态摄像元件，
其中，所述栅电极包括至少两个所述鳍部分，以及
所述沟道部分形成在夹在所述鳍部分之间的区域中。
3.根据权利要求2所述的固态摄像元件，
其中，所述沟道部分形成为使两个侧面通过所述绝缘膜与所述鳍部分接触，并单独使底表面侧与所述半导体基板接触。
4.根据权利要求1所述的固态摄像元件，进一步包括
浅沟槽隔离部，其设置成围绕所述晶体管并将所述晶体管与外部隔离。
5.根据权利要求4所述的固态摄像元件，其中，所述浅沟槽隔离部形成为与所述鳍部分的外侧表面接触。
6.根据权利要求4所述的固态摄像元件，
其中，在所述浅沟槽隔离部与所述鳍部分的外侧表面之间的所述半导体基板中设置有杂质浓度比所述沟道部分的杂质浓度低的低浓度区域。
7.根据权利要求1所述的固态摄像元件，
其中，所述栅电极包括一个所述鳍部分，并且
所述沟道部分设置在所述鳍部分与浅沟槽隔离部之间，所述浅沟槽隔离部被设置成围绕所述晶体管并将所述晶体管与外部隔离。
8.根据权利要求1所述的固态摄像元件，
其中，在所述鳍部分的末端侧的所述半导体基板中设置有杂质浓度比所述沟道部分的杂质浓度低的低浓度区域。
9.根据权利要求1所述的固态摄像元件，
其中，所述晶体管是放大晶体管，所述放大晶体管放大在所述像素的光电转换单元中产生的电荷并将所述电荷作为像素信号输出。
10.根据权利要求1所述的固态摄像元件，
其中，所述晶体管是复位晶体管，所述复位晶体管使浮动扩散区域中的电荷复位，所述浮动扩散区域暂时累积在所述像素的光电转换单元中产生的电荷。
11.根据权利要求1所述的固态摄像元件，
其中，所述晶体管是选择晶体管，所述选择晶体管将所述像素和输出来自所述像素的像素信号的信号线连接。
12.根据权利要求1所述的固态摄像元件，
其中，所述晶体管是传输晶体管，所述传输晶体管传输在所述像素的光电转换单元中产生的电荷。
13.根据权利要求12所述的固态摄像元件，
其中，所述传输晶体管的所述鳍部分形成至到达所述光电转换单元的深度，所述光电转换单元形成在与所述半导体基板的基板表面分离开的深位置处。
14.一种传感器装置，其包括具有晶体管的传感器部分，所述晶体管包括：
栅电极，其具有至少一个鳍部分，所述鳍部分形成为从平面地形成在半导体基板的表面上的平面部分朝向所述半导体基板的内部埋入；以及
沟道部分，其横跨源极和漏极设置，以便通过绝缘膜与所述鳍部分的侧面接触，
所述晶体管形成为所述沟道部分的宽度比所述鳍部分的深度窄。
15.一种电子设备，其包括具有像素的固态摄像元件，所述像素具有晶体管，所述晶体管包括：
栅电极，其具有至少一个鳍部分，所述鳍部分形成为从平面地形成在半导体基板的表面上的平面部分朝向所述半导体基板的内部埋入；以及
沟道部分，其横跨源极和漏极设置，以便通过绝缘膜与所述鳍部分的侧面接触，
所述晶体管形成为所述沟道部分的宽度比所述鳍部分的深度窄。
CN201780018834.7A 2016-03-31 2017-03-17 固态摄像元件、传感器装置和电子设备 Active CN108886046B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016-072167 2016-03-31
JP2016072167A JP2017183636A (ja) 2016-03-31 2016-03-31 固体撮像素子、センサ装置、および電子機器
PCT/JP2017/010865 WO2017169884A1 (ja) 2016-03-31 2017-03-17 固体撮像素子、センサ装置、および電子機器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108886046A true CN108886046A (zh) 2018-11-23
CN108886046B CN108886046B (zh) 2022-11-18

Family

ID=59964280

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201780018834.7A Active CN108886046B (zh) 2016-03-31 2017-03-17 固态摄像元件、传感器装置和电子设备

Country Status (5)

Country Link
US (2) US10600828B2 (zh)
EP (1) EP3439040B1 (zh)
JP (1) JP2017183636A (zh)
CN (1) CN108886046B (zh)
WO (1) WO2017169884A1 (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110061021A (zh) * 2019-04-30 2019-07-26 德淮半导体有限公司 图像传感器及其操作方法
CN114497093A (zh) * 2020-10-26 2022-05-13 豪威科技股份有限公司 像素阵列基板及相关方法
CN115347007A (zh) * 2021-05-14 2022-11-15 思特威(上海)电子科技股份有限公司 像素单元、cmos图像传感器、电子设备及制备方法

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20210384237A1 (en) * 2018-10-30 2021-12-09 Sony Semiconductor Solutions Corporation Solid-state imaging element and imaging device
US11984466B2 (en) 2018-12-13 2024-05-14 Sony Semiconductor Solutions Corporation Solid-state imaging element and video recording apparatus
TW202038459A (zh) * 2018-12-21 2020-10-16 日商索尼半導體解決方案公司 攝像元件及攝像裝置
TW202044335A (zh) * 2019-03-15 2020-12-01 日商索尼半導體解決方案公司 攝像元件及半導體元件
KR20200142638A (ko) * 2019-06-12 2020-12-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
JP2021005619A (ja) * 2019-06-26 2021-01-14 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像装置
JP7403993B2 (ja) * 2019-08-20 2023-12-25 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器
JPWO2021084959A1 (zh) 2019-10-29 2021-05-06
JPWO2021095374A1 (zh) * 2019-11-13 2021-05-20
JP2021136366A (ja) * 2020-02-28 2021-09-13 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像装置及び光検出装置
TW202137539A (zh) * 2020-03-17 2021-10-01 日商索尼半導體解決方案公司 攝像裝置及電子機器
JPWO2021186911A1 (zh) * 2020-03-18 2021-09-23
US11616088B2 (en) * 2020-03-25 2023-03-28 Omnivision Technologies, Inc. Transistors having increased effective channel width
KR20230015329A (ko) * 2020-05-26 2023-01-31 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 거리 측정 장치
US11658199B2 (en) * 2020-08-20 2023-05-23 Omnivision Technologies, Inc. Image sensor with through silicon fin transfer gate
US11658198B2 (en) * 2020-08-20 2023-05-23 Omnivision Technologies, Inc. Image sensor with through silicon fin transfer gate
JP2024016310A (ja) 2020-12-22 2024-02-07 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像素子およびその製造方法
JP2023003799A (ja) * 2021-06-24 2023-01-17 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像装置
JP2023157511A (ja) * 2022-04-15 2023-10-26 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 光検出装置及び電子機器

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070241387A1 (en) * 2006-04-13 2007-10-18 Renesas Technology Corp. Nonvolatile semiconductor memory device
CN101621067A (zh) * 2008-07-02 2010-01-06 索尼株式会社 固体摄像器件及其制造方法和电子装置
CN102097444A (zh) * 2009-11-25 2011-06-15 索尼公司 固体摄像器件、其制造方法以及电子装置
CN102412251A (zh) * 2011-03-30 2012-04-11 上海华力微电子有限公司 改进晶体管载流子迁移率的半导体器件及方法
JP2013021077A (ja) * 2011-07-08 2013-01-31 Renesas Electronics Corp 半導体装置および半導体装置の製造方法
US20140327059A1 (en) * 2011-12-19 2014-11-06 Sony Corporation Solid-state imaging device, method of manufacturing solid-state imaging device, and electronic apparatus

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5361110B2 (ja) 2004-10-20 2013-12-04 三星電子株式会社 非平面トランジスタを有する固体イメージセンサ素子及びその製造方法
KR100630704B1 (ko) 2004-10-20 2006-10-02 삼성전자주식회사 비평면 구조의 트랜지스터를 구비한 ｃｍｏｓ 이미지 센서및 그 제조 방법
JP2010003916A (ja) * 2008-06-20 2010-01-07 Elpida Memory Inc 半導体装置及びその製造方法
US8637910B2 (en) * 2009-11-06 2014-01-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Image sensor
JP2012044004A (ja) * 2010-08-19 2012-03-01 Sharp Corp 固体撮像素子およびその製造方法、電子情報機器
CN103842817A (zh) * 2010-09-29 2014-06-04 得克萨斯系统大学评议会 具有改进的灵敏度和特异性的鳍型fet生物传感器
JP5537523B2 (ja) 2011-09-22 2014-07-02 株式会社東芝 固体撮像装置
US20130140442A1 (en) 2011-12-02 2013-06-06 Sony Corporation Amplifying circuit and manufacturing method, solid-state imaging element, and electronic device
JP2013125862A (ja) * 2011-12-14 2013-06-24 Sony Corp 固体撮像素子および電子機器
US9985942B2 (en) * 2012-07-30 2018-05-29 Weckey Portable sign-in service
WO2014027691A1 (ja) * 2012-08-17 2014-02-20 ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル 半導体装置及びその製造方法
KR20140111492A (ko) 2013-03-11 2014-09-19 삼성전자주식회사 반도체 장치
CN104981906B (zh) 2013-03-14 2018-01-19 索尼半导体解决方案公司 固态图像传感器、其制造方法和电子设备
JP2015053411A (ja) 2013-09-09 2015-03-19 ソニー株式会社 固体撮像素子、固体撮像素子の製造方法、および電子機器
KR102466904B1 (ko) * 2016-01-12 2022-11-15 삼성전자주식회사 씨모스 이미지 센서
US10157770B2 (en) * 2016-11-28 2018-12-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor device having isolation structures with different thickness and method of forming the same

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070241387A1 (en) * 2006-04-13 2007-10-18 Renesas Technology Corp. Nonvolatile semiconductor memory device
CN101621067A (zh) * 2008-07-02 2010-01-06 索尼株式会社 固体摄像器件及其制造方法和电子装置
CN102097444A (zh) * 2009-11-25 2011-06-15 索尼公司 固体摄像器件、其制造方法以及电子装置
CN102412251A (zh) * 2011-03-30 2012-04-11 上海华力微电子有限公司 改进晶体管载流子迁移率的半导体器件及方法
JP2013021077A (ja) * 2011-07-08 2013-01-31 Renesas Electronics Corp 半導体装置および半導体装置の製造方法
US20140327059A1 (en) * 2011-12-19 2014-11-06 Sony Corporation Solid-state imaging device, method of manufacturing solid-state imaging device, and electronic apparatus

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110061021A (zh) * 2019-04-30 2019-07-26 德淮半导体有限公司 图像传感器及其操作方法
CN114497093A (zh) * 2020-10-26 2022-05-13 豪威科技股份有限公司 像素阵列基板及相关方法
CN115347007A (zh) * 2021-05-14 2022-11-15 思特威(上海)电子科技股份有限公司 像素单元、cmos图像传感器、电子设备及制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP3439040A4 (en) 2019-03-27
EP3439040B1 (en) 2021-04-28
US10937820B2 (en) 2021-03-02
US10600828B2 (en) 2020-03-24
US20190123079A1 (en) 2019-04-25
US20200161349A1 (en) 2020-05-21
WO2017169884A1 (ja) 2017-10-05
EP3439040A1 (en) 2019-02-06
CN108886046B (zh) 2022-11-18
JP2017183636A (ja) 2017-10-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108886046A (zh) 固态摄像元件、传感器装置和电子设备
CN1838423B (zh) 固态图像拾取器件和使用其的电子装置及制造其的方法
US10805562B2 (en) Imaging device, manufacturing method, semiconductor device, and electronic device
JP2594992B2 (ja) 固体撮像装置
US20100237390A1 (en) Solid-state image capturing element and electronic information device
US10879285B2 (en) Solid-state image pickup device to increase an area efficiency of a silicon interface on the transistor element side and electronic apparatus
JP2016162917A (ja) 固体撮像素子および電子機器
TWI714081B (zh) 與垂直電晶體結合之垂直溢位汲極
KR102033610B1 (ko) 이미지 센서 및 이의 형성 방법
CN105321969B (zh) 半导体装置
JP2018501708A (ja) 撮像装置、駆動方法、電子機器
KR100790586B1 (ko) Ｃｍｏｓ 이미지 센서 액티브 픽셀 및 그 신호 감지 방법
CN108352395A (zh) 固态摄像装置和电子设备
CN114223061A (zh) 固态成像装置及其制造方法和电子设备
TW201913990A (zh) 減少暗電流之升起電極
WO2017126332A1 (ja) 半導体装置およびその製造方法、固体撮像素子、並びに電子機器
EP1505655A2 (en) Solid state image pickup device and camera using the solid state image pickup device
WO2021193084A1 (ja) 固体撮像装置、及び、固体撮像装置の製造方法
JP2015056702A (ja) 撮像装置、撮像装置の駆動方法、および、カメラ
WO2015170533A1 (ja) 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法、及び、電子機器
CN101128934A (zh) 固体摄像器件及其驱动方法
JP7126826B2 (ja) 固体撮像素子および固体撮像素子の製造方法、並びに電子機器
CN104284108B (zh) 摄像装置和电子设备
JP2022036893A (ja) 半導体装置、撮像装置及び電子機器
CN101110440B (zh) 固态成像装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant