CN108874237B

CN108874237B - 触控显示面板

Info

Publication number: CN108874237B
Application number: CN201811081905.0A
Authority: CN
Inventors: 杜凌霄; 姚绮君; 周星耀
Original assignee: Tianma Microelectronics Co Ltd; Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd
Current assignee: Tianma Microelectronics Co Ltd; Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd
Priority date: 2015-06-30
Filing date: 2015-06-30
Publication date: 2021-12-24
Anticipated expiration: 2035-06-30
Also published as: CN104965617A; CN104965617B; DE102016103119B4; CN108874237A; US10061147B2; DE102016103119A1; US20170003535A1; US10222643B2; US20180329249A1

Abstract

本发明提供一种触控显示面板，包括相对设置的对向基板和阵列基板，所述对向基板包括第一衬底基板，以及设置在所述第一衬底基板上的高阻膜材料层，所述高阻膜材料层的方阻大于或等于10⁷Ω/□且小于或等于10¹²Ω/□。通过使用上述类型的高阻膜材料层，当有静电产生时，对于高电压(如KV级以上)生成的电荷，可以通过高阻膜材料层作为电荷放电途径，起到静电释放的作用；而当触控探测时，高阻膜材料层不会将由于手指等触控积累的电荷释放掉，对手指等触控生成的电荷信号屏蔽较弱，不会对触控显示面板的触控性能产生影响。

Description

触控显示面板

本申请为申请日为2015年06月30日，申请号为201510375783.6，发明创造名称为“触控显示面板”的分案申请。

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种触控显示面板。

背景技术

在液晶显示技术领域，图1为现有技术中显示面板的结构示意图一，如图 1所示，其中现有的显示面板都包括上下两个基板，即阵列基板11和彩膜基板 12，另外，为了防止外部电场对显示的影响，通常会在彩膜基板12的外侧镀屏蔽膜，例如氧化铟锡(Indium-Tin-Oxide，以下简称：ITO)膜13，其中ITO 膜13的厚度约为

另外，在显示面板完成组装后，可以通过导电银浆14将上述的ITO膜13 与阵列基板上的接地块15电连接，并且在显示面板显示时，将上述的ITO膜接地，使得ITO膜起到屏蔽作用，能够屏蔽掉外界对显示的影响。

随着触控技术的应用，目前普遍的是将触控元件集成到显示面板内部，即集成到彩膜基板或阵列基板上，形成触控显示面板，现有技术中通常使用的ITO 膜的方阻在300Ω/□左右，其不仅能够屏蔽掉外界对显示的影响，同时也会屏蔽掉外界发出的触控信号，影响触控显示面板的触控性能。

发明内容

本发明提供一种触控显示面板，以解决屏蔽膜对触控显示面板的触控性能影响。

本发明提供一种触控显示面板，包括相对设置的对向基板和阵列基板，所述对向基板包括第一衬底基板，以及设置在所述第一衬底基板上的高阻膜材料层，所述高阻膜材料层的方阻大于或等于10⁷Ω/□且小于或等于10¹²Ω/□。

本发明实施例提供的触控显示面板，其中的对向基板包括第一衬底基板，并在第一衬底基板上设置有高阻材料层，其中高阻膜材料层的方阻大于或等于 10⁷Ω/□且小于或等于10¹²Ω/□，通过使用上述类型的高阻膜材料层，当有静电产生时，对于高电压(如KV级以上)生成的电荷，可以通过高阻膜材料层作为电荷放电途径，起到静电释放的作用；而当触控探测时，高阻膜材料层不会将由于手指等触控积累的电荷释放掉，对手指等触控生成的电荷信号屏蔽较弱，不会对触控显示面板的触控性能产生影响。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图做一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术中显示面板的结构示意图一；

图2a为本发明实施例提供的一种触控显示面板的结构示意图一；

图2b为本发明实施例提供的一种触控显示面板的结构示意图二；

图3A为本发明实施例中提供的触控显示面板的俯视示意图一；

图3B为本发明实施例中提供的触控显示面板的俯视示意图二；

图3C为本发明实施例中提供的触控显示面板的俯视示意图三；

图3D为本发明实施例中提供的触控显示面板的俯视示意图四；

图4A为本发明实施例提供的一种触控显示面板的结构示意图三；

图4B为本发明实施例中提供的触控显示面板的俯视示意图五；

图4C为本发明实施例中提供的触控显示面板的俯视示意图六；

图5为本发明实施例中阵列基板的俯视示意图；

图6A为本发明实施例提供的阵列基板的第一截面示意图；

图6B为本发明实施例提供的阵列基板的第二截面示意图；

图6C为本发明实施例中阵列基板的第三截面示意图；

图7为本发明实施例提供的一种触控显示面板的结构示意图四；

图8A为本发明实施例中黑矩阵的结构示意图；

图8B为本发明实施例中黑矩阵上像素区域的结构示意图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，以下将参照本发明实施例的附图，通过实施方式清楚、完整地描述本发明的技术方案，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

参考图2a所示，为本发明实施例提供的一种触控显示面板的结构示意图一。其中，该触控显示面板包括对设置的对向基板21和阵列基板22，其中对向基板21包括第一衬底基板23，以及设置在第一衬底基板23上的高阻膜材料层24，高阻膜材料层24的方阻大于或等于10⁷Ω/□且小于或等于10¹²Ω/□。

本发明实施例提供的触控显示面板，其中的对向基板包括第一衬底基板，并在第一衬底基板上设置有高阻材料层，其中高阻膜材料层的方阻大于或等于 10⁷Ω/□且小于或等于10¹²Ω/□，通过使用上述类型的高阻膜材料层，当有静电产生时，对于高电压(如KV级以上)生成的电荷，可以通过高阻膜材料层放电，起到静电释放的作用；而当触控探测时，高阻膜材料层不会将由于手指等触控积累的电荷释放掉，对手指等触控生成的电荷信号屏蔽较弱，不会对触控显示面板的触控性能产生影响。

参考图2b，为本发明实施例提供的一种触控显示面板的结构示意图二，其中的阵列基板包括第二衬底基板25，以及设置所述第二衬底基板25上的公共电极层26和接地块27，第一衬底基板21上的高阻膜材料层24与公共电极层 26电连接或接地(即将高阻膜材料层24与接地块27电连接)。通过上述的技术方案，均能够实现当有静电产生时，对于高电压(如KV级以上)生成的电荷，可以通过高阻膜材料层放电，起到静电释放的作用。

进一步的，本发明实施例中可以通过在第一衬底基板22和第二衬底基板 25之间设置有第一导电连接线28，高阻膜材料层24通过第一导电连接线28与公共电极层26电连接或接地。

针对上述实施例中涉及的第一导电连接线28，其中可以通过两种方式实现，针对第一种实施方式，仍参考图2a所示，本实施例提供的触控显示面板上，其中会在对向基板21和阵列基板22之间设置有封框胶31，其中封框胶31中至少部分区域导电以形成第一导电连接线28，例如可以是在封框胶中掺杂导电金属球，以在封框胶中形成导电区域。

参见图3A，为本发明实施例中提供的触控显示面板的俯视图一，其中的封框胶31可以为框形结构，可以在该框形结构的封框胶31的至少一个侧边和/ 或至少一个拐角区域导电。其中图3A所示的为在框形结构的封框胶28的三个侧边上掺杂导电金属球281，如导电铜球，以使封框胶导电，并形成第一导电连接线28。另外，如图3B所示，可以在框形结构的封框胶31的两个拐角区域掺杂导电金属球281，如导电铜球，以使封框胶导电，并形成第一导电连接线 28。

另外，图3A和图3B均是给出了设置一圈封框胶31，并在封框胶31中掺杂导电金属球以形成第一导电连接线的情况，还有另外一种实现方式，即分别如图3C和图3D所示，首先设置一圈不含导电金属球，即不导电的第一层封框胶311，然后在第一层封框胶311的外侧，即至少一侧侧边和/或至少一个拐角区域设置含导电金属球281的第二层封框312，图3C所示为在一个侧边设置第二层封框胶312的情况，图3D所示为在两个拐角区域设置第二层封框胶312 的情况。

与上述在封框胶中掺杂导电金属球以形成第一导电连接线不同，本发明实施例还提供了第二种实现第一导电连接线的技术方案。参考图4A，即在对向基板21与阵列基板22之间设置有封框胶31，并在封框胶31外侧设置有导电银浆32，该导电银浆32作为第一导电连接线28。并且在本实施例中，其中由导电银浆32起电连接作用，而封框胶31不再起电连接作用，因此该封框胶28可以为非导电材料。

另外，针对第二种实现方式，其中的封框胶31也可以为框形结构，并可以在封框胶31的至少一个侧边和/或至少一个拐角区域外侧设置有导电银浆32。例如图4B所示，为在封框胶31一个侧边设置导电银浆32的情况，图4C所示为在封框胶31的两个拐角区域设置导电银浆32的情况。

本发明上述实施例中，其中提供了多种方式形成第一导电连接线28，并且第一导电连接线28的设置位置也有多种情况，具体的，本领域内技术人员可以根据阵列基板的具体结构选择第一导电连接线的设置位置。例如，图5为本发明实施例中阵列基板的俯视示意图，如图5所示，其中在第二衬底基板25包括显示区域41和围绕显示区域41的非显示区域42，第二衬底基板25的非显示区域设置有驱动信号电路43，第二衬底基板的显示区域设置有数据线44和扫描线45，数据线44和/或扫描线45通过位于非显示区域的跨桥结构46与驱动信号电路43电连接。其中，根据不同的制作工艺，上述的跨桥结构46可能是暴露在阵列基板的最上层，或者是在跨桥结构46在透光方向的上方还设置有绝缘层。

具体的，在将跨桥结构46暴露在阵列基板的最上层时，需要将第一导电连接线避开上述的跨桥结构46，即第一导电连接线在第二衬底基板25上的投影与驱动信号电路43在第二衬底基板25上的投影不重合，以将第一导电连接线与跨桥结构绝缘。针对本发明上述实施例中提供的第一导电连接线28的实现方式，其中掺杂有导电金属球的封框胶31可以为设置在至少一个侧边和/或至少一个拐角区域，或者是在封框胶31的至少一个侧边和/或至少一个拐角区域外侧设置有导电银浆32，均可以将其与跨桥结构有效避开。

在传统的利用六次掩膜技术制作阵列基板的工艺中，参见图6A，为本发明实施例提供的阵列基板的第一截面示意图，该阵列基板包括第一衬底基板25，以及第一金属层251和第二金属层252，其中驱动信号电路43位于第一金属层 251，而数据线44或者扫描线45位于第二金属层252，二者通过跨桥结构46 电连接，此时的跨桥结构46暴露在阵列基板的最上层，参加上述实施例，若在对向基板和阵列基板设置封框胶31或导电银浆32时，封框胶31和导电银浆 32极容易与跨桥结构46接触并电连接。在这种情况下，需要将第一导电连接线28在第二衬底基板25上的投影与驱动信号电路43在第二衬底基板25上的投影不重合，以第一导电连接线28与跨桥结构46绝缘。本实施例中，其中的跨桥结构46可以是与阵列基板上的像素电极同层，即在同一制造工艺中形成跨桥结构46，跨桥结构46可以为氧化铟锡(Indium-Tin-Oxide，以下简称：ITO) 材料制作。

或者是，在跨桥结构46在透光方向的上方设置有绝缘层47，此时，参照上述实施例，其中第一导电连接线28在第二衬底基板25上的投影可以设置为与驱动信号电路43在第二衬底基板25上的投影至少部分重合。例如在另一种利用八次掩膜技术制作内嵌触控功能的阵列基板时，参见图6B，为本发明实施例提供的阵列基板的第二截面示意图，如图6B所示，其中驱动信号电路43位于第一金属层251，而数据线44或者扫描线45位于第二金属层252，二者通过跨桥结构46电连接，并进一步的，在跨桥结构46上方设置有绝缘层47，此时，由于跨桥结构46被上方的绝缘层47所覆盖，对于本发明上述实施例中利用掺杂导电金属球的封框胶31，或者是使用导电银浆32形成第一导电连接线28的情况，无论其设置位置如何，都不会造成第一导电连接线28与跨桥结构46电连接。本实施例中，其中的跨桥结构46可以是与阵列基板上的像素电极同层，即在同一制造工艺中形成跨桥结构46，跨桥结构可以为ITO材料制作。

本发明上述实施例中，其中的驱动信号电路43包括两种情况，一是该驱动信号电路43与数据线44连接，则此时的驱动信号电路通过数据线向各像素单元输出图像显示信号；二是驱动信号电路43与扫描线45连接，则此时可以在每条扫描线45与驱动信号电路43连接的一端设置移位寄存器，驱动信号电路 43直接与移位寄存器连接，并向该移位寄存器输出时钟信号、高电平信号、低电平信号、扫描触发信号中的一种或几种，以使移位寄存器根据上述输入信号生成扫描信号，并输出到相应的扫描线45。

本发明实施例中，为了将对向基板上的高阻膜材料层与阵列基板上的公共电极层和接地块电连接，在对向基板和阵列基板之间设置有第一导电连接线28，进一步地，参见上述的图3A、3B、3C、3D、4B和4C，需要在阵列基板上设置第二导电连接线29，该第二导电连接线29的第一端与第一导线连接线28电连接，第二导电连接线29的第二端与公共电极层26电连接或接地，接地时可以是与接地块27电连接。

参见图6C所示，为本发明实施例中阵列基板的第三截面示意图，本实施例中是在图6B所示示例的基础上，在绝缘层上方设置公共电极层26和第二导电连接线29，在第二导电连接线29的第二端与公共电极层26电连接时，第二导电连接线29为公共电压信号线。又如上述图6C所示的实施例中，其中的公共电极层26位于所述绝缘层47远离第二衬底基板25的一侧，公共电极层26与公共电压信号线位于同一层。

本发明实施例提供的内嵌触控功能的阵列基板，参考图6C，其中的公共电极层26可以包括多个公共电极块261，而公共电极块261可以复用为触控电极，本实施例提供的上述触控电极，可以将显示功能与触控功能复用，在显示时，触控电极仍施加公共电压信号，而在触控阶段，可以在触控电极上施加触控信号以进行触控检测，通过将公共电极块261复用为触控电极，使得不需要再额外增加触控电极层，能够有效降低阵列基板及整个触控显示面板的厚度。

本发明上述实施例中，为了改善对向基板上高阻膜材料层与第一导电连接线，以及第一导电连接线与第二导电连接线之间的连接性能，参见图7所示，图7为本发明实施实施例提供的一种触控显示面板的结构示意图四，可以进一步的在第一衬底基板23上设置有第一焊盘51，和/或，所述第二衬底基板23 上设置有第二焊盘52，其中的第一衬底基板23上的高阻膜材料层24通过第一焊盘51与第一导线连接线28电连接，第一导电连接线28通过第二焊盘52与第二导电连接线29电连接。

进一步的，参见图2b所示，本发明实施例中，触控显示面板还包括柔性电路板53，其中的高阻膜材料层24和公共电极层26均与所述柔性电路板的公共电极信号端531电连接。此时，在触控显示面板显示时，公共电压信号施加到公共电极层26上，同时高阻膜材料层24也会被施加上公共电压信号，能够屏蔽外部电场对显示的影响，并提高触控显示面板的静电释放可靠性，而高阻膜材料层24在触控时对触控探测信号的影响比较微弱。

参见图8A所示的，为本发明实施例中黑矩阵的结构示意图，本发明实施例中的高阻膜材料层可以为对向基板21上掺杂有碳粉的黑矩阵241，所述高阻膜材料层的方阻为黑矩阵241的等效方阻，具体的，本发明实施例中，其中黑矩阵为网格结构，可以将上述具有网格结构的黑矩阵的方阻进行换算，将其等效为整层铺设时的方阻，即等效方阻，本实施例中通过在黑矩阵241中掺杂适量的碳粉，使其等效方阻满足大于或等于10⁷Ω/□，且小于或等于10¹²Ω/□的条件。

本发明实施例采用黑矩阵构成高阻膜材料层24，使得不需要单独在对向基板上设置高阻膜材料层，能够兼容现有对向基板的制作工艺，避免增加成本。

具体的，本发明实施例中在采用黑矩阵构成高阻膜材料层时，由于掺杂碳粉既改变黑矩阵的方阻，也会改变黑矩阵的光学密度，而光学密度可以表征黑矩阵的遮光效果，为了达到其遮光效果，本发明实施例中黑矩阵的光学密度限定为大于或等于3。而本发明实施例中，是通过控制黑矩阵的碳粉含量和厚度以使所述黑矩阵的光学密度大于或等于3，等效方阻大于或等于10⁷Ω/□，且小于或等于10¹²Ω/□。

具体的，黑矩阵的方阻R_Π和光学密度OD可以由如下方式导出：

其中，黑矩阵的光学密度OD＝lg(1/T)，T为透过率；

通常改变黑矩阵方阻R_Π的方法是调整碳粉含量，当碳粉含量增加，电阻率ρ会下降，当黑矩阵的厚度为1um时，黑矩阵方阻R_Π与电阻率ρ相同,OD值与单位厚度对应的光学密度s相等；

假设调整碳粉含量前后对应的样品为样品1和样品2，样品2掺杂碳粉量较少，电阻率ρ较大，单位厚度的OD值较小，样品2与样品1相关参数满足下述关系：

ρ₂＝mρ₁，即样品2的电阻率ρ₂为样品1的电阻率ρ₁的m倍；

即样品1的单位厚度的OD值S1为样品2的单位厚度的OD值S₂的n倍；

d₂＝α*d₁，样品2的厚度d₂为样品1的厚度d₁的α倍；

R_Π2＝β·R_Π1，样品2方阻R_Π2为样品1的方阻R_Π1的β倍；

其中，m，n，α，β的值均大于1；

另外，根据朗伯比尔定律可知，黑矩阵的光学密度OD与其单位厚度d的光学密度s成线性关系；OD＝s*d。

对于样品2的方阻，

而样品2的单位厚度的光学密度值

根据公式

可以进一步得出

由此可见，若样品2的电阻率ρ₂为样品1的电阻率ρ₁的m倍，样品1的单位厚度的OD值S₁为样品2的单位厚度的OD值S₂的n倍；

当样品2的厚度d₂为样品1的厚度d₁的α倍时，样品2方阻R_Π2为样品1的方阻R_Π1的m/α倍；且当α＞n时，可满足样品2的光学密度大于样品1的光学密度。

对于满足如下规格的样品1和样品2：

由以上参数可知，

n＝S₁/S₂＝1.2，β＝m/α＝10⁸/α；

其中，α为样品2的厚度相对于样品1的厚度的倍数，α＞1.2时，可以满足OD2＞OD1；同时样品2的方阻值变为10¹⁵/α(Ω/□)，可以通过调节样品厚度，实现方阻与OD值匹配，可选的，其中黑矩阵的厚度范围可以在0.5～3.5 μm之间。

另外，本实施例中，在使用掺杂有碳粉的黑矩阵作为高阻膜材料层时，由此黑矩阵并非整层铺设，而为网格状结构，在每个像素区域内会设置有透光区。参照图8A，取其中左上角一个像素区域为例，可以将每个像素区域等效为一个矩形结构，其等效长度、等效宽度和等效厚度分别为L、w和d₁，电阻率为ρ，如果按照整层铺设则其等效电阻

R_Π1为其等效方阻。

参照图8B，为本发明实施例中黑矩阵上像素区域的结构示意图，在像素区域中设置透光区，透光区可以等效为矩形结构，其等效长度和等效宽度分别为L_h1和w_h。

另外，可以将像素区域分割为4个部分，第一部分的长度、宽度和厚度分别为L_V1、w和d₂，电阻为R_v1；第二部分的长度、宽度和厚度分别为L_V2、w和d₂，电阻为R_v2；第三部分长度、宽度和厚度分别为L_h1、w_h1和d₂，电阻为R_h1；第四部分长度、宽度和厚度分别为L_h2、w_h2和d₂，电阻为R_h2；

因此，在设置有透光区的像素区域，R_Π2为黑矩阵的实际方阻，其电阻

其中，R_h1、R_h2、R_v1、R_v2的值均可参照上述公式进行计算，经过计算可以进一步得到：

而w-w_h＝w_h2+w_h1，因此

该R＝R_mesh时，黑矩阵的实际方阻及其等效方阻满足如下公式：

具体的，若考虑到碳粉含量不便，且电阻率相同时，可以进一步的简化得到：

即仅通过调整黑矩阵的厚度，就可以实现R＝R_mesh。

本发明实施例提供的触控显示面板，其中的对向基板包括第一衬底基板，并在第一衬底基板上设置有高阻材料层，其中高阻膜材料层的方阻大于或等于 10⁷Ω/□，且小于或等于10¹²Ω/□，通过使用上述类型的高阻膜材料层，当有静电产生时，对于高电压(如KV级以上)生成的电荷，可以通过高阻膜材料层作为电荷放电途径，起到静电释放的作用；而当触控探测时，高阻膜材料层不会将由于手指等触控积累的电荷释放掉，对手指等触控生成的电荷信号屏蔽较弱，不会对触控显示面板的触控性能产生影响。具体的，上述的高阻膜材料层可以有对向基板上的黑矩阵构成，以在不改变对向基板制作工艺的前提下，实现本发明的技术方案。

具体的，本发明实施例中，对采用上述高阻膜材料层的触控显示面板的触控性能进行了实验验证，如下表1所示，给出了在无高阻膜材料层和有高阻膜材料层时，其中高阻膜材料层的方阻为10⁸Ω/□，通过使用金属柱按压，对触控感应信号强度进行测量，其中触控感应信号分别在触控信号线上临近控制芯片连接的一端进行测量，以及在远离控制芯片的另一端进行测量，即触控感应信号1和触控感应信号2，另外，还测量了无触控时的噪声信号强度，其结果如下表：

	触控感应信号1	触控感应信号2	噪声信号
				无高阻膜材料层	2125	2575	19
有高阻膜材料层	2789	3198	16

表1

由表1可以看出，在使用高阻膜材料层后，触控感应信号较无高阻膜材料层时信号强度更强，并且无触控时的噪声信号强度变化不大，该高阻膜材料层不会对触控显示面板的触控性能产生影响。

具体的，本发明实施例中，对采用上述高阻膜材料层的触控显示面板的静电释放性能进行了实验验证，表2给出了使用方阻为10⁹Ω/□的高阻膜材料层的触控显示面板的静电释放性能：

静电电压

8kv

-8kv

9kv

10kv

-10kv

-11kv

-12kv

显示效果

不变色

表2

表3给出了使用方阻为10⁸Ω/□的高阻膜材料层的触控显示面板的静电释放性能：

静电电压

8kv

-8kv

9kv

10kv

-10kv

-11kv

-12kv

显示效果

不变色

表3

表4给出了无高阻膜材料层时触控显示面板的静电释放性能：

静电电压

8kv

-8kv

9kv

10kv

-10kv

-11kv

-12kv

显示效果

不变色

变色

表4

由上述的表2、表3和表4可以看出，在使用方阻为10⁸Ω/□和10⁹Ω/ □的高阻膜材料层时，静电电压达到-12KV时仍不会变色，触控显示面板的静电释放性能得到提升，而无高阻膜材料层时，静电电压为10kv就会发生变色。

注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims

1.一种触控显示面板，其特征在于，包括相对设置的对向基板和阵列基板；

所述对向基板包括第一衬底基板，以及设置在所述第一衬底基板上的高阻膜材料层，所述高阻膜材料层的方阻大于或等于10⁷Ω/□，且小于或等于10¹²Ω/□；

所述阵列基板包括第二衬底基板，以及设置所述第二衬底基板上的公共电极层和接地块，所述第一衬底基板上的高阻膜材料层与所述公共电极层电连接或接地；

所述第一衬底基板和所述第二衬底基板之间设置有第一导电连接线，所述高阻膜材料层通过所述第一导电连接线与所述公共电极层电连接或接地；

所述第二衬底基板包括显示区域和围绕所述显示区域的非显示区域，所述第二衬底基板的非显示区域设置有驱动信号电路，所述第二衬底基板的显示区域设置有数据线和扫描线，所述数据线和/或扫描线通过位于非显示区域的跨桥结构与所述驱动信号电路电连接；

其中，所述第一导电连接线在所述第二衬底基板上的投影与所述驱动信号电路在所述第二衬底基板上的投影不重合，以将所述第一导电连接线与所述跨桥结构绝缘；或者，

所述跨桥结构在透光方向的上方设置有绝缘层，所述第一导电连接线在所述第二衬底基板上的投影与所述驱动信号电路在所述第二衬底基板上的投影至少部分重合。

2.根据权利要求1所述的触控显示面板，其特征在于，所述对向基板与所述阵列基板之间设置有封框胶，所述封框胶的至少部分区域导电以形成第一导电连接线。

3.根据权利要求2所述的触控显示面板，其特征在于，所述封框胶为框形结构，所述封框胶的至少一个侧边和/或至少一个拐角区域导电。

4.根据权利要求1所述的触控显示面板，其特征在于，所述对向基板与所述阵列基板之间设置有封框胶，所述封框胶外侧设置有导电银浆，所述导电银浆作为第一导电连接线。

5.根据权利要求4所述的触控显示面板，其特征在于，所述封框胶为非导电材料。

6.根据权利要求4所述的触控显示面板，其特征在于，所述封框胶为框形结构，所述封框胶的至少一个侧边和/或至少一个拐角区域外侧设置有所述导电银浆。

7.根据权利要求1所述的触控显示面板，其特征在于，所述第二衬底基板上设置有第二导电连接线，所述第二导电连接线的第一端与所述第一导电连接线电连接，所述第二导电连接线的第二端与所述公共电极层电连接或接地。

8.根据权利要求7所述的触控显示面板，其特征在于，所述第二导电连接线的第二端与所述公共电极层电连接时，所述第二导电连接线为公共电压信号线。

9.根据权利要求8所述的触控显示面板，其特征在于，所述公共电极层位于所述绝缘层远离所述第二衬底基板的一侧，所述公共电极层与所述公共电压信号线位于同一层。

10.根据权利要求9所述的触控显示面板，其特征在于，所述公共电极层包括多个公共电极块，所述公共电极块复用为触控电极。

11.根据权利要求7所述的触控显示面板，其特征在于，所述第一衬底基板上设置有第一焊盘，和/或，所述第二衬底基板上设置有第二焊盘；

所述高阻膜材料层通过所述第一焊盘与所述第一导电连接线电连接，所述第一导电连接线通过所述第二焊盘与所述第二导电连接线电连接。

12.根据权利要求1所述的触控显示面板，其特征在于，所述高阻膜材料层为所述对向基板上掺杂有碳粉的黑矩阵，所述高阻膜材料层的方阻为所述黑矩阵的等效方阻。

13.根据权利要求12所述的触控显示面板，其特征在于，所述黑矩阵的光学密度大于或等于3。

14.根据权利要求13所述的触控显示面板，其特征在于，通过控制所述黑矩阵的碳粉含量和厚度以使所述黑矩阵的光学密度大于或等于3，等效方阻大于或等于10⁷Ω/□，且小于或等于10¹²Ω/□。

15.根据权利要求14所述的触控显示面板，其特征在于，所述黑矩阵的厚度为0.5～3.5μm。

16.根据权利要求14所述的触控显示面板，其特征在于，所述黑矩阵的等效方阻满足如下关系：

其中，R_Π1为所述黑矩阵的等效方阻，R_Π2为所述黑矩阵的实际方阻，L为黑矩阵上每个像素区域的等效长度，w黑矩阵上每个像素区域的等效宽度，l_h1为每个像素区域中透光区的等效长度，w_h为每个像素区域中透光区的等效宽度。

17.根据权利要求1所述的触控显示面板，其特征在于，还包括柔性电路板，所述高阻膜材料层和公共电极层均与所述柔性电路板的公共电极信号端电连接。