CN108807642B - 一种半导体模块化封装系统和封装方法 - Google Patents
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Abstract
本发明属于半导体封装领域，其公开了一种半导体模块化封装系统，包括依次连接的第一半导体机台、第一暂存机、第一固化设备、第二半导体机台、缓存机、第二固化设备；所述的第一半导体机台为多台且多台第一半导体机台通过转向传送装置导入第一暂存机中。本发明的目的在于提供一种布局紧凑，加工效率高的半导体模块化封装系统，同时本发明还公开了一种封装方法。
Description
技术领域
本发明涉及半导体加工领域，具体为一种半导体模块化封装系统和封装方法。
背景技术
LED封装产品基本上都是由固晶、焊线、点胶、烘烤(固化)、分光等主要制程来完成。不管是哪种封装形式(如COB、SMD、FCP、LAMP、CSP、CSC)，都离不开烘烤固化这一制程，尤其是点胶或涂布荧光粉封装胶后，必须固化烘烤。
但是现LED封装行业内绝大部分企业都是根据胶水的固化时间工艺要求是80℃初烤1小时，150℃小时共计达4小时以上，严重制约产能和生产周期。
原有的行业内固化条件为什么会要求4小时，是因为采用密闭的烤箱固化，其存在空间小，采用左右或上下风循环，这样容易产品受热不均匀，而且达到产品要求固化温度的时间长，造成产品分子间固化交联速度慢等问题。所以为了保证产品充分完全固化，胶水供应商要求固化时间达到4小时以上。
如何提高加工速度和加工效率，减少生产周期，同时保证产品质量是本申请需要考虑的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种产品合格率高，加工效率高的多对一半导体模块化的封装系统，同时还提供适用于该系统的方法。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种半导体模块化封装系统，包括依次连接的第一半导体机台、第一暂存机、第一固化设备、第二半导体机台、缓存机、第二固化设备；其特征在于，所述的第一半导体机台为多台且多台第一半导体机台通过转向传送装置导入第一暂存机中。
在上述的半导体模块化封装系统中，所述的转向传送装置和第一暂存机之间设有第一AOI检测设备。
在上述的半导体模块化封装系统中，所述的第一固化设备和第二半导体机台之间设有CT-AOI检测设备。
在上述的半导体模块化封装系统中，所述的CT-AOI检测设备和第二半导体机台之间设有第二暂存机。
在上述的半导体模块化封装系统中，所述的缓存机和第二固化设备之间设有光电检测设备。
在上述的半导体模块化封装系统中，所述的光电检测设备和第二固化设备之间设有第三暂存机。
在上述的半导体模块化封装系统中，所述的第二固化设备包括预热段和加热段，所述的预热段与缓存机连接，所述的加热段与预热段连接。
在上述的半导体模块化封装系统中，所述的第一半导体机台为固晶机，所述的第二半导体机台为点胶机或molding设备。
同时，本发明还公开了一种半导体生产方法，包括固晶工序和在固晶工序之后的点胶或molding工序，所述的方法包括如下步骤：
步骤1：通过多台固晶机将固晶胶布施到LED半导体上；然后通过转向传送装置将LED半导体同一传送到暂存机中；
步骤2：通过暂存机将步骤1得到LED半导体中不合格品予以缓存，合格品输送到第一加热设备；
步骤3：第一加热设备通过逐片加热的方式对固晶胶进行加热；
步骤4：步骤3处理后的LED半导体经过检测后进行通过点胶机或molding设备进行点胶或molding操作；
步骤5：将点胶或molding操作后的LED半导体经过缓存机缓存一段时间后进行步骤6；
步骤6：将LED半导体逐片输入到第二加热设备中进行加热固化。
在上述的半导体生产方法中，所述的步骤3中第一加热设备为隧道式的固化炉或者垂直循环固化机，所述的LED半导体在第一加热设备中加热温度从70-85℃逐渐升温至180-190℃，然后再降温至110-140℃；所述的第一加热设备为隧道式的固化炉，所述的第一加热设备分为12个温度段。
所述的LED半导体在预热段中的加热温度为60-130℃；时间为5-10min；
所述的LED半导体在加热段中的加热峰值温度为180-200℃；加热段中的温度先升高后降低或先升高后恒温，时间为10-25min；
所述的步骤5中的缓存时间为2-10min；
所述的步骤6中，所述的预热段分为6-8温区，所述的加热段分为12-14温区；所述的预热段中温度逐渐升高，起始温度为70-80℃，结束温度为90-110℃；所述的加热段分为12个等长温区，峰值温度为180-190℃。
本方案的有益效果在于：
本发明将固晶加热过程和点胶加热过程采用单片加热的方式，通过流水线式的加热操作，使每片LED半导体均表现出非常快速的固晶效果；在点胶加热前进行缓存，可以提高胶水流平时间，提高产品合格率；
同时，采用转向传送装置可以有效的提高生产效率，可以将多台固晶机综合在一起，极大提高生产效率。
附图说明
图1为本发明的实施例1的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1
请参阅图1，一种半导体模块化封装系统，包括依次连接的第一半导体机台1、第一暂存机2、第一固化设备3、第二半导体机台4、缓存机5、第二固化设备6；所述的第一半导体机台1为多台且多台第一半导体机台1通过转向传送装置7导入第一暂存机2中。其中，所述的第一半导体机台1为固晶机，所述的第二半导体机台4为点胶机或molding设备。
在本实施例中，加工过程为，将LED半导体固晶后然后加热固化，然后再加热固化，然后再进行点胶，最后加热固化。由于固晶过程比较慢，因此采用多对一的固晶机-第一固化设备3可以有效提供加工效率。
在本实施例中，所述的转向传送装置7和第一暂存机2之间设有第一AOI检测设备8，所述的第一固化设备3和第二半导体机台4之间设有CT-AOI检测设备9，所述的CT-AOI检测设备9和第二半导体机台4之间设有第二暂存机10，所述的缓存机5和第二固化设备6之间设有光电检测设备11，所述的光电检测设备11和第二固化设备6之间设有第三暂存机12。
第一AOI检测设备8主要是对固晶效果进行检测，CT-AOI检测设备9主要对固晶后固化效果进行检测，光电检测设备11主要对点胶效果进行检测。
本实施例中的暂存机的作用主要是NG暂存OK直通的功能，当出现不合格品时，将不合格品暂存，合格品直通。
本实施例中的缓存机5的主要作用是先进先出，将点胶后的LED半导体进行缓存。
在本实施例中，所述的第二固化设备6包括预热段62和加热段61，所述的预热段62与缓存机5连接，所述的加热段61与预热段62连接。这样当车间空间不够时，可以采用转弯的连接件连接加热段61与预热段62。
实施例2
采用实施例1的系统，半导体封装方法为：
所述的方法包括固晶工序以及在固晶工序之后的点胶或molding工序，所述的方法包括如下步骤：
步骤1：通过固晶机1将固晶胶布施到LED半导体上；然后通过转向传送装置将LED半导体同一传送到暂存机中；
步骤2：通过暂存机2将步骤1得到LED半导体中不合格品予以缓存，合格品输送到第一加热设备3；
步骤3：第一加热设备3通过逐片加热的方式对固晶胶进行加热；第一加热设备3为隧道式的固化炉，分为12个温度段，所述的LED半导体在第一加热设备3中加热温度从70-85℃逐渐升温至180-190℃，然后再降温至110-140℃；
在步骤3结束后，对产品进行检测，产品采用了2批次的固晶胶，具体如下：
案例1：以0816芯片固晶产品为例，其固晶胶为道康宁OE8002，粘度10000-12000cP，产品推拉力测试标准要求大于70g；
1)AOI外观测试，首检出现多胶，少胶，晶片歪斜报警，不良率0.1％，信号反馈3号和5号固晶机，责令3号和5号固晶机暂停检查，重新调试机台后运行，明显改善，不良率降至0.002％，在批量运行标准(0.02％)以下，可继续批量生产。
外观检查：按以上设定参数，外观无异常，晶片无脱落，歪斜，少胶，爬胶现象。
另外：如果1、2、3温度过高，会出现晶片歪斜、倾斜、少胶、爬胶现象，而且内应力过大，容易造成晶片开裂等现象。
2)推拉力测试，标准要求大于100g，抽样测试如下表：
从前至后，加热设备温度分布为75-85℃、80-90℃、90-130℃、110-155℃、150-175℃、150-175℃、170-185℃、180-190℃、180-190℃、160-170℃、130-150℃、110-120℃
通过该方法，可以将固晶速度控制在5-10min/片；LED半导体在固化炉中的传输速度为600-1200mm/min，优选为800mm/min。
下述表1为采用本实施例的方法镀银支架和镜面铝基板的测试结果。其采用的固晶胶为道康宁OE8002，粘度10000-12000cP，产品推拉力测试标准要求大于70g。
表1
案例2
产品为3535芯片固晶产品，其固晶胶为信越SMP2820银胶，粘度18000-22000cP，产品推拉力测试标准要求大于1000g。
其加热温度设定为：
75-85℃、80-90℃、80-100℃、100-135℃、125-140℃、150-175℃、170-185℃、180-190℃、180-190℃、160-180℃、150-160℃、130-140℃。
其性能测试结果如下：
通过阶段性的测试，可以看出固晶胶采用本实施例的方法以及实施例1的系统，可以达到非常好的推拉力结果，并且加工时间非常短。
步骤4：步骤3处理后的LED半导体经过检测后进行通过点胶机4进行点胶操作；
步骤5：将点胶操作后的LED半导体经过缓存机5缓存2-10min后进行步骤6；
步骤6：将LED半导体逐片输入到第二加热设备6中进行加热固化。第二加热设备6包括预热段62和加热段61；所述的LED半导体在预热段62中的加热温度为60-130℃；时间为5-10min；所述的LED半导体在加热段61中的加热峰值温度为180-200℃；加热段61中的温度先升高后降低或先升高后恒温，时间为10-25min。
下面以荧光胶的固化过程为例进行相关说明，参考下表3。
表3
表3中所述的前段固化炉即本实施例所述的预热段62，后段固化炉即本实施例所述的加热段61。
作为对比试验，第一组、第二组、第三组采用不同的温度控制策略，其中第一组预热段62温度一直较高，第二组预热段62温度逐渐升高至120℃；第三组加热段61温度较低。
作为本实施例的具体例子，第四组和第五组采用了本发明的温度控制策略。
通过实验可以得知，本发明的温度控制策略可以有效的提高产品的质量。
究其原因来说，首先缓存机519可以提高胶水的流平时间，可以有效降低胶水中的气泡。然后经过预热段62的持续流平和预加热可以提高平整度以及进一步降低胶水中的气泡。最后通过加热段61加速固化，可以得到合格率高的产品。
在本实施例中，采用预热段62和加热段61分离设计还有利于工厂内有限空间的布局，可以使预热段62和加热段61采用U型或L型布局。
综合来说，采用本发明的温度分布和相应的设备的布置，可以有效的降低加热时间，同时，可以让固晶胶以及点胶工序中的荧光胶表现出超出其本身性能的结果。
对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
Claims (1)
1.一种半导体生产方法，包括固晶工序和在固晶工序之后的点胶或塑封工序，其特征在于，所述的方法包括如下步骤：
步骤1：通过多台固晶机将固晶胶布施到LED半导体上；然后通过转向传送装置将LED半导体传送到暂存机中；
步骤2：通过暂存机将步骤1得到LED半导体中不合格品予以缓存，合格品输送到第一加热设备；
步骤3：第一加热设备通过逐片加热的方式对固晶胶进行加热；所述的LED半导体在第一加热设备中加热温度从70-85℃逐渐升温至180-190℃，然后再降温至110-140℃；所述的第一加热设备为隧道式的固化炉，所述的第一加热设备分为12个温度段；
步骤4：步骤3处理后的LED半导体经过检测后进行通过点胶机或塑封设备进行点胶或塑封操作；
步骤5：将点胶或塑封操作后的LED半导体经过缓存机缓存一段时间后进行步骤6；所述的步骤5中的缓存时间为2-10min；
步骤6：将LED半导体逐片输入到第二加热设备中进行加热固化；所述的步骤6中，所述第二加热设备包括预热段和加热段；所述的预热段分为6-8个温区，所述的加热段分为12-14个温区；所述的预热段中温度逐渐升高，起始温度为70-80℃，结束温度为90-110℃；所述的加热段峰值温度为180-190℃。
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Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109614675A (zh) * | 2018-11-28 | 2019-04-12 | 江苏海德频率科技有限公司 | 一种用于smd2016晶体谐振器固化炉的加热工艺 |
| CN109742215A (zh) * | 2019-01-10 | 2019-05-10 | 广东品美电子科技有限公司 | 一种led支架制备工艺 |
Citations (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002313831A (ja) * | 2001-04-17 | 2002-10-25 | Ricoh Co Ltd | 半導体パッケージのボール端子平坦度調整方法及び装置 |
| JP2003121496A (ja) * | 2001-10-10 | 2003-04-23 | Sony Corp | 半導体装置測定システム、半導体装置測定システムの制御方法及び記憶媒体 |
| US6933179B1 (en) * | 2000-01-19 | 2005-08-23 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Method of packaging semiconductor device |
| CN102447049A (zh) * | 2011-12-31 | 2012-05-09 | 杭州电子科技大学 | 一种基于cob封装技术的led封装结构及led照明装置 |
| CN102592962A (zh) * | 2011-01-06 | 2012-07-18 | 均豪精密工业股份有限公司 | 半导体组件的整合式制造设备及整合式制造方法 |
| CN103606616A (zh) * | 2013-10-24 | 2014-02-26 | 叶逸仁 | 一种led封装工艺 |
| CN203589082U (zh) * | 2013-10-24 | 2014-05-07 | 叶逸仁 | 全自动化led封装设备 |
| CN103996783A (zh) * | 2013-02-18 | 2014-08-20 | 三星电子株式会社 | 发光器件封装件 |
| CN104576454A (zh) * | 2014-11-28 | 2015-04-29 | 佛山市多谱光电科技有限公司 | 一种半导体器件隧道式硬化炉 |
| CN205004311U (zh) * | 2015-04-23 | 2016-01-27 | 昆山群悦精密模具有限公司 | 半导体封装模具 |
| CN105609620A (zh) * | 2015-11-26 | 2016-05-25 | 东莞市盈伸电子科技有限公司 | 一种led光引擎封装结构 |
| CN107546314A (zh) * | 2017-08-14 | 2018-01-05 | 广东聚科照明股份有限公司 | 一种led荧光粉沉降的封装工艺 |
| CN208208730U (zh) * | 2018-06-15 | 2018-12-07 | 佛山宝芯智能科技有限公司 | 一种半导体封装系统 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20120158166A1 (en) * | 2009-10-14 | 2012-06-21 | Stmicroelectronics, Inc. | Modular low stress package technology |
| US8759965B2 (en) * | 2009-10-14 | 2014-06-24 | Stmicroelectronics, Inc. | Modular low stress package technology |
| US20130056774A1 (en) * | 2011-09-02 | 2013-03-07 | Phostek, Inc. | Lens, package and packaging method for semiconductor light-emitting device |
| KR20160004065A (ko) * | 2014-07-02 | 2016-01-12 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지 및 이의 제조방법 |
-
2018
- 2018-06-15 CN CN201810617846.8A patent/CN108807642B/zh active Active
Patent Citations (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6933179B1 (en) * | 2000-01-19 | 2005-08-23 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Method of packaging semiconductor device |
| JP2002313831A (ja) * | 2001-04-17 | 2002-10-25 | Ricoh Co Ltd | 半導体パッケージのボール端子平坦度調整方法及び装置 |
| JP2003121496A (ja) * | 2001-10-10 | 2003-04-23 | Sony Corp | 半導体装置測定システム、半導体装置測定システムの制御方法及び記憶媒体 |
| CN102592962A (zh) * | 2011-01-06 | 2012-07-18 | 均豪精密工业股份有限公司 | 半导体组件的整合式制造设备及整合式制造方法 |
| CN102447049A (zh) * | 2011-12-31 | 2012-05-09 | 杭州电子科技大学 | 一种基于cob封装技术的led封装结构及led照明装置 |
| CN103996783A (zh) * | 2013-02-18 | 2014-08-20 | 三星电子株式会社 | 发光器件封装件 |
| CN203589082U (zh) * | 2013-10-24 | 2014-05-07 | 叶逸仁 | 全自动化led封装设备 |
| CN103606616A (zh) * | 2013-10-24 | 2014-02-26 | 叶逸仁 | 一种led封装工艺 |
| CN104576454A (zh) * | 2014-11-28 | 2015-04-29 | 佛山市多谱光电科技有限公司 | 一种半导体器件隧道式硬化炉 |
| CN205004311U (zh) * | 2015-04-23 | 2016-01-27 | 昆山群悦精密模具有限公司 | 半导体封装模具 |
| CN105609620A (zh) * | 2015-11-26 | 2016-05-25 | 东莞市盈伸电子科技有限公司 | 一种led光引擎封装结构 |
| CN107546314A (zh) * | 2017-08-14 | 2018-01-05 | 广东聚科照明股份有限公司 | 一种led荧光粉沉降的封装工艺 |
| CN208208730U (zh) * | 2018-06-15 | 2018-12-07 | 佛山宝芯智能科技有限公司 | 一种半导体封装系统 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
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| 浅议EMC在LED封装中的应用;王阳夏;;电子与封装(第12期);第11-13、36页 * |
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