CN109713113A

CN109713113A - 一种封装方法及其在cobled封装领域的应用

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Publication number: CN109713113A
Application number: CN201811509472.4A
Authority: CN
Inventors: 秦胜研; 屈军毅; 马志华; 覃吉璋
Original assignee: Shenzhen Lepower Opto Electronics Co Ltd
Current assignee: Shenzhen Lepower Opto Electronics Co Ltd
Priority date: 2018-12-10
Filing date: 2018-12-10
Publication date: 2019-05-03

Abstract

本发明属于COBLED制备领域，尤其涉及一种封装方法及其在COBLED封装领域的应用。本发明提供了一种封装方法，包括：前处理、封胶以及沉淀：一次经静置沉淀和加速沉淀，得封装产品，所述静置沉淀的温度为20℃～30℃，所述加速沉淀的温度为45℃～95℃。本发明还提供了一种上述封装方法在COB LED封装领域的应用。经实验测定可得，本发明提供的封装方法，荧光粉可沉降95％以上，胶水中基本无荧光粉残留；进一步地，通过本发明提供的技术方案所封装得到的COBLED产品，其耐热性可提高3～20℃，入BIN良率提高1～10％。本发明提供的一种封装方法及其在COBLED封装领域的应用，解决了现有技术中，荧光粉封装工艺存在着荧光粉沉降不完全的技术缺陷。

Description

一种封装方法及其在COBLED封装领域的应用

技术领域

本发明属于COBLED制备领域，尤其涉及一种封装方法及其在COBLED封装领域的应用。

背景技术

现有的COBLED封装工艺，为了提升COBLED产品的耐热及光电转换效率，多采用荧光粉沉降工艺，但限于COBLED的面光源结构，大多数COBLED在白光封胶过程中，沉降的并不完全，约有15％及以上荧光粉仍然存于胶水当中，未能沉降到基板表面，只能沉降约85％。

现有技术中，由于荧光粉的沉降不完全，荧光粉仍存在于胶水当中，无法提升COBLED的耐热性和光电转换效率，严重影响COBLED的品质。

因此，研发出一种封装方法及其在COBLED封装领域的应用，用于解决现有技术中，荧光粉封装工艺存在着荧光粉沉降不完全的技术缺陷，成为了本领域技术人员亟待解决的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种封装方法及其在COBLED封装领域的应用，用于解决现有技术中，荧光粉封装工艺存在着荧光粉沉降不完全的技术缺陷。

本发明提供了一种封装方法，所述封装方法包括：

步骤一、前处理：待封装产品除湿，得第一产物；

步骤二、封胶：胶水和荧光粉混合得封装胶，所述封装胶注入第一产物的表面封胶，得第二产物；

步骤三、沉淀：所述第二产物经静置沉淀和加速沉淀，得封装产品，所述静置沉淀的温度为23℃～27℃，所述加速沉淀的温度为60℃～70℃。

优选地，所述步骤二和步骤三在支撑面上进行。

优选地，步骤一中，所述除湿的方法为：以120～150℃烘烤1～4h。

优选地，步骤二中，以质量份计，所述胶水和荧光粉的投料比为10:(0.2～5)。

优选地，所述胶水的折射率为1.4～1.41，所述胶水的硬度为shoreA25～75，所述胶水的混合粘度为2000～20000mPa.s，所述胶水的密度为1.0g/cm²，所述胶水的拉伸强度为1.5～6mpa。

优选地，所述荧光粉选自：铝酸盐、硅酸盐以及氮化物中的任意一种或多种。

优选地，所述封装胶的折射率为1.4～1.41时，所述静置沉淀的温度为20～30℃，所述静置沉淀的湿度为30～80RH％，所述静置沉淀的时间为0.5～4h，所述加速沉淀的温度为45～95℃，所述加速沉淀的湿度为10～80RH％，所述加速沉淀的时间为1～4h。

本发明还提供了一种包括以上任意一项所述的封装方法在COBLED封装领域的应用。

综上所述，本发明提供了一种封装方法，包括：前处理、封胶以及沉淀：一次经静置沉淀和加速沉淀，得封装产品，所述静置沉淀的温度为20℃～30℃，所述加速沉淀的温度为45℃～95℃。本发明还提供了一种上述封装方法在COBLED封装领域的应用。经实验测定可得，本发明提供的封装方法，荧光粉可沉降95％以上，胶水中基本无荧光粉残留；进一步地，通过本发明提供的技术方案所封装得到的COBLED产品，其耐热性可提高3～20℃，入BIN良率提高1～10％。本发明提供的一种封装方法及其在COBLED封装领域的应用，解决了现有技术中，荧光粉封装工艺存在着荧光粉沉降不完全的技术缺陷。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的一种封装方法的流程示意图。

具体实施方式

本发明实施例提供了一种封装方法及其在COBLED封装领域的应用，用于解决现有技术中，荧光粉封装工艺存在着荧光粉沉降不完全的技术缺陷。

下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

为了更详细说明本发明，下面结合实施例对本发明提供的一种封装方法及其在COBLED封装领域的应用，进行具体地描述。

实施例1

待封装的COBLED除湿，得第一产物1；本实施例中，除湿的方法为：以130℃烘烤1h。

10g胶水1和2.5g荧光粉1混合得封装胶1，封装胶1通过点胶机，注入第一产物1的表面进行封胶，得第二产物1；本实施例中，胶水1的折射率为1.4～1.41，为shoreA25～75，混合粘度为2000～20000mPa.s，密度为1.0g/c㎡，拉伸强度为1.5～6mpa，荧光粉1为硅酸盐。

第二产物1经静置沉淀和加速沉淀，得封装产品1；本实施例中，封装胶1的折射率为1.4～1.41，静置沉淀的温度为20～30℃，静置沉淀的湿度为30～80RH％，静置沉淀的时间为0.5～4h，加速沉淀的温度为45～95℃，加速沉淀的湿度为10～80RH％，加速沉淀的时间为1～4h。

本实施例中，封胶和沉淀步骤均在支撑面上进行，其中，所使用的支撑面的平整度为：以水平仪进行测量要求小于0.04mm/m，在具体应用的过程中，支撑面可以是钢化玻璃、钢板、铜板以及压克力板，任意满足平整度要求的支撑面均可，在此不做具体限定。

实施例2

待封装的COBLED除湿，得第一产物2；本实施例中，除湿的方法为：以120℃烘烤4h。

10g胶水2和0.2g荧光粉2混合得封装胶2，封装胶2通过点胶机，注入第一产物2的表面进行封胶，得第二产物2；本实施例中，胶水2的折射率为1.4～1.41，为shoreA25～75，混合粘度为2000～20000mPa.s，密度为1.0g/c㎡，拉伸强度为1.5～6mpa，荧光粉2为氮化物。

第二产物2经静置沉淀和加速沉淀，得封装产品2；本实施例中，封装胶2的折射率为1.4～1.41，静置沉淀的温度为20～30℃，静置沉淀的湿度为30～80RH％，静置沉淀的时间为0.5～4h，加速沉淀的温度为45～95℃，加速沉淀的湿度为10～80RH％，加速沉淀的时间为1～4h。

本实施例中，封胶和沉淀步骤均在支撑面上进行，其中，所使用的支撑面的平整度为：以水平仪进行测量要求0.04mm/m，在具体应用的过程中，支撑面可以是钢化玻璃、钢板、铜板以及压克力板，任意满足平整度要求的支撑面均可，在此不做具体限定。

实施例3

待封装的COBLED除湿，得第一产物3；本实施例中，除湿的方法为：以150℃烘烤2h。

10g胶水3和5g荧光粉3混合得封装胶3，封装胶3通过点胶机，注入第一产物3的表面进行封胶，得第二产物3；本实施例中，胶水3的折射率为1.4～1.41，为shoreA25～75，混合粘度为2000～20000mPa.s，密度为1.0g/c㎡，拉伸强度为1.5～6mpa，荧光粉3为铝酸盐。

第二产物3经静置沉淀和加速沉淀，得封装产品3；本实施例中，封装胶3的折射率为1.4～1.41，静置沉淀的温度为20～30℃，静置沉淀的湿度为30～80RH％，静置沉淀的时间为0.5～4h，加速沉淀的温度为45～95℃，加速沉淀的湿度为10～80RH％，加速沉淀的时间为1～4h。

对比例1

常规封装方法进行封装制备对照品，常规的封装方法为烤箱烘烤，以烤箱支架为支撑。

实施例4

本实施例为测定封装产品1～3以及对照品中，荧光粉沉降情况的具体实施例。

荧光粉沉降结果测定的方法为：1、将沉降工艺制程与常规制程的COB产品在一平面进行固定；2、以COB PCB表面为基准，往上0.2mm进行切削COB截面；3、再对COB产品进行测试，与切削前COB产品数据比对色坐标相似度。

经测定可得，本发明工艺COB产品切削前后差异很小，而常规产品差异很大。因此，本发明提供的封装方法，荧光粉可基本沉降完全，与现有技术中的封装方法相比，荧光粉沉降率可提高1～10％。

实施例5

本实施例为测定封装产品1～3以及对照品中，改善光衰指标的具体实施例。

光衰测定的方法为：1、将沉降工艺制程与常规制程的COB产品在同一个散热器上以同样方式固定，进行相同功率点亮(散热器大小与COB驱动功率合适匹配)；2、先测定胶体表面的温度以作对比，有做沉降工艺的产品的COB产品胶体表面温度低(3～20℃)，降低了胶体温度，改善了光衰性能，如果沉淀的更彻底，则胶体表面温度越低；3、在散热通道和散热器相同的情况下，COB的光衰取决于胶体温度，其在一定程度上决定了COB光衰。所以，沉降工艺越彻底，COB光通量衰减越小(其它条件相同情况下)4.以200H,500H,1000H三个时间点同电流进行测试光通量进行对比。所得结果请参阅表1。

表1

工艺	0H	200H	500H	1000H	衰减
						本工艺	100％	99.5％	98.5％	97.4％	97.5％
常规制程	100％	98.5％	97％	93.6％	93.6％

从表1中可以得出，本发明提供的封装方法制得的COB LED封装产品，其耐热性显著提高，与现有技术中的封装方法制得的封装产品相比，1000H可改善光衰可提高3.9％，有效提升了产品可靠性。

实施例6

本实施例为测定封装产品1～3以及对照品中，入BIN良率指标的具体实施例。

入BIN良率测定的方法为：1、以生产欧盟Erp色区为例，将一批本发明沉淀工艺和未沉淀的COB产品在同一个3STEP的色区进行分光；2、统计本发明工艺生产的COB产品与未沉淀COB产品入BIN良率。

经检测可以得出，本发明工艺入BIN良率将明显等到提升。因此，本发明提供的封装方法制得的COBLED封装产品，其光电转换效率显著提高，与现有技术中的封装方法制得的封装产品相比，同色区入BIN良率可提高3～10％。

以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims

1.一种封装方法，其特征在于，所述封装方法包括：

步骤一、前处理：待封装产品除湿，得第一产物；

步骤三、沉淀：所述第二产物经静置沉淀和加速沉淀，得封装产品，所述静置沉淀的温度为20℃～30℃，所述加速沉淀的温度为45℃～95℃。

2.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述步骤二和步骤三在支撑面上进行。

3.根据权利要求1或2所述的封装方法，其特征在于，步骤一中，所述除湿的方法为：以120～150℃烘烤1～4h。

4.根据权利要求1或2所述的封装方法，其特征在于，步骤二中，以质量份计，所述胶水和荧光粉的投料比为10:(0.2～5)。

5.根据权利要求1或2所述的封装方法，其特征在于，所述胶水的折射率为1.4～1.41，所述胶水的硬度为shoreA25～75，所述胶水的混合粘度为2000～20000mPa.s，所述胶水的密度为1.0g/cm²，所述胶水的拉伸强度为1.5～6mpa。

6.根据权利要求1或2所述的封装方法，其特征在于，所述荧光粉选自：铝酸盐、硅酸盐以及氮化物中的任意一种或多种。

7.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述封装胶的折射率为1.4～1.41时，所述静置沉淀的温度为20～30℃，所述静置沉淀的湿度为30～80RH％，所述静置沉淀的时间为0.5～4h，所述加速沉淀的温度为45～95℃，所述加速沉淀的湿度为10～80RH％，所述加速沉淀的时间为1～4h。

8.一种包括权利要求1至7任意一项所述的封装方法在COBLED封装领域的应用。