CN109614675A - 一种用于smd2016晶体谐振器固化炉的加热工艺 - Google Patents
一种用于smd2016晶体谐振器固化炉的加热工艺 Download PDFInfo
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Abstract
本发明公开了一种用于SMD2016晶体谐振器固化炉的加热工艺，固化炉设置五个温区，五个温区分为第一温区、第二温区、第三温区、第四温区和第五温区，且五个温区分别对应的温度为：200℃‑200℃‑300℃‑300℃‑300℃，传送带移动速度为25mm/min，氧含量为48±2ppm。本发明各温区的温度设计更高，在200℃与300℃中的持续时间更长，对增加产品固化牢固度及生产过程的应力释放效果更好，年老化率更加稳定；对固化炉每个温区的密封性能进行加密，使不增加液氮使用量的前提下降低固化炉的氧含量，实际可控在48±2ppm，解决了电极氧化的问题，本发明设计合理，适合推广使用。
Description
技术领域
本发明涉及电子元器件技术领域，具体涉及一种用于SMD2016晶体谐振器固化炉的加热工艺。
背景技术
随着电子产品智能化程度越来越高，在不增加电子产品体积的情况下，对电子元器件的需求越来越趋向小型化，SMD20162016及以下规格的晶体谐振器深受市场青睐，但目前行业水平SMD20162520以上规格的晶体谐振器国内有成熟的制造工艺，而SMD20162016晶体谐振器大多依靠日本进口；国内品牌虽然在陆续研发并量产，但由于制造工艺不成熟，产品的良品率、电气特性、年老化率方面的稳定性都与日本工厂有较大的差距，主要是采用日本出厂的固化炉设备的设计工艺，固化炉的温区常规设置：180℃-180℃-240℃-240℃-240℃，走速35mm/min，氧含量标准<100ppm，所以目前市场的产品年老化率一般在±3ppm或±5ppm以内。
发明内容
本发明为了克服上述的不足，提供一种产品频率、电阻的老化率低的用于SMD2016晶体谐振器固化炉的加热工艺。
本发明通过以下技术方案来实现上述目的：
用于SMD2016晶体谐振器固化炉的加热工艺，固化炉设置五个温区，五个温区分为第一温区、第二温区、第三温区、第四温区和第五温区，且五个温区分别对应的温度为：200℃-200℃-300℃-300℃-300℃，传送带移动速度为25mm/min，氧含量为48±2ppm；
在第一温区和第二温区中，持续时间在30-40min；
在第三温区、第四温区和第五温区中，持续时间在50-70min。
作为优选，五个温区中，氮气的含量为50ml。
作为优选，在200℃温度区间，温度范围为190-210℃。
作为优选，在300℃温度区间，温度范围为290-310℃。
本发明的有益效果是：相对于现有技术以及图1，本发明用于SMD2016晶体谐振器固化炉加热工艺具有以下特点：
1、各温区的温度设计更高，在200℃与300℃中的持续时间更长，对增加产品固化牢固度及生产过程的应力释放效果更好，年老化率更加稳定；
2、对固化炉每个温区的密封性能进行加密，使不增加液氮使用量的前提下降低固化炉的氧含量，实际可控在48±2ppm，解决了电极氧化的问题。
附图说明
本发明将通过例子并参照附图的方式说明，其中：
图1是现有的固化炉加热工艺；
图2是本发明的固化炉加热工艺。
具体实施方式
现在结合附图对本发明作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本发明的基本结构，因此其仅显示与本发明有关的构成。
实施例1：
如图2所示，用于SMD2016晶体谐振器固化炉的加热工艺，固化炉设置五个温区，五个温区分为第一温区、第二温区、第三温区、第四温区和第五温区，且五个温区分别对应的温度为：200℃-200℃-300℃-300℃-300℃，传送带移动速度为25mm/min，氧含量为48±2ppm；
在第一温区和第二温区中，持续时间在30-40min；
在第三温区、第四温区和第五温区中，持续时间在50-70min。
该实施例中：五个温区中，氮气的含量为50ml。
该实施例中：在200℃温度区间，温度范围为190-210℃。
该实施例中：在300℃温度区间，温度范围为290-310℃。
年老化率对比(对比参数为FL和RR)：
负载谐振频率(fL)：在规定条件下，晶体与一负载电容相串联或相并联,其组合阻抗呈现为电阻性时(产生谐振)的两个频率中的一个频率。在串联负载电容时，负载谐振频率是两个频率中较低的一个，在并联负载电容时，则是两个频率中较高的一个。等效电阻(ESR，RR，R1)：又称谐振电阻。在规定条件下，石英晶体谐振器不串联负载电容在谐振频率时的电阻。
上述依据本发明为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项发明技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项发明的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。
Claims (4)
1.一种用于SMD2016晶体谐振器固化炉的加热工艺，其特征在于：固化炉设置五个温区，五个温区分为第一温区、第二温区、第三温区、第四温区和第五温区，且五个温区分别对应的温度为：200℃-200℃-300℃-300℃-300℃，传送带移动速度为25mm/min，氧含量为48±2ppm；
在第一温区和第二温区中，持续时间在30-40min；
在第三温区、第四温区和第五温区中，持续时间在50-70min。
2.根据权利要求1所述的用于SMD2016晶体谐振器固化炉加热工艺，其特征在于：五个温区中，氮气的含量为50ml。
3.根据权利要求1所述的用于SMD2016晶体谐振器固化炉加热工艺，其特征在于：在200℃温度区间，温度范围为190-210℃。
4.根据权利要求1所述的用于SMD2016晶体谐振器固化炉加热工艺，其特征在于：在300℃温度区间，温度范围为290-310℃。
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Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102916086A (zh) * | 2012-10-31 | 2013-02-06 | 湖南红太阳光电科技有限公司 | 一种低方阻晶体硅电池的扩散工艺 |
| CN103280517A (zh) * | 2013-06-05 | 2013-09-04 | 广州市鸿利光电股份有限公司 | 一种led共晶工艺方法 |
| CN108807642A (zh) * | 2018-06-15 | 2018-11-13 | 佛山宝芯智能科技有限公司 | 一种半导体模块化封装系统和封装方法 |
| CN208141244U (zh) * | 2018-05-02 | 2018-11-23 | 东莞市迪沙机电有限公司 | 一种粉末固化温度控制系统 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102916086A (zh) * | 2012-10-31 | 2013-02-06 | 湖南红太阳光电科技有限公司 | 一种低方阻晶体硅电池的扩散工艺 |
| CN103280517A (zh) * | 2013-06-05 | 2013-09-04 | 广州市鸿利光电股份有限公司 | 一种led共晶工艺方法 |
| CN208141244U (zh) * | 2018-05-02 | 2018-11-23 | 东莞市迪沙机电有限公司 | 一种粉末固化温度控制系统 |
| CN108807642A (zh) * | 2018-06-15 | 2018-11-13 | 佛山宝芯智能科技有限公司 | 一种半导体模块化封装系统和封装方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 张发廷等, 北京航空航天大学出版社 * |
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