CN108666447A - 一种显示基板及其制作方法、显示器件 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及显示技术领域，公开了一种显示基板及其制作方法、显示器件。所述显示基板的密封区域设置有导电图形，以及与所述导电图形的侧面接触设置的保护层的图形，通过设置所述保护层，能够阻挡对密封胶进行的高温处理导致导电图形的低熔点金属层发生熔融时流出，在高温处理结束，该金属冷却，导电图形的结构恢复，克服了该金属层在高温下熔融流出时导致的各种不良，提高了产品的良率。

Description

一种显示基板及其制作方法、显示器件
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种显示基板及其制作方法、显示器件。
背景技术
目前，封装盖板与显示基板对盒需要用到光固化胶进行密封，光固化胶需要进行激光处理，处理时温度达到800至1000摄氏度。若位于密封区域的导电图形包括Al金属层，由于金属Al的熔点在660摄氏度左右，激光处理时会造成导电图形的金属Al流出，如果导电图形为包括Al金属层的复合层结构，会导致导电图形的厚度变薄，更易被光固化胶中的异物压穿，形成不良。同时，熔融的金属Al流出也会增加线路短路的风险。如果导电图形为Al金属层的单层结构，金属Al流出会导致导电图形容易断开不良，也会增加线路短路的风险。
发明内容
本发明提供一种显示基板及其制作方法、显示器件，用以解决位于密封区域的导电图形包括低熔点的金属层时，该金属会因为对密封胶进行的高温处理发生熔融，从而造成不良的问题。
为解决上述技术问题，本发明实施例中提供一种显示基板，包括基底，所述基底包括显示区域和位于显示区域外围的非显示区域，所述非显示区域包括密封区域，所述密封区域设置有导电图形，其中，所述导电图形包括与靠近所述基底的表面以及与所述表面相邻的侧面，所述密封区域还设置有与所述侧面接触设置的保护层的图形，在垂直于所述基底所在平面的方向上，所述保护层的背离所述基底的表面不低于所述导电图形的背离所述基底的表面。
如上所述的显示基板，其中，所述密封区域还设置有垫块，所述垫块设置在所述基底与所述导电图形之间，以使得所述导电图形的背离所述基底的表面与所述保护层的背离所述基底的表面的高度差小于预设值。
如上所述的显示基板，其中，所述导电图形为复合层结构，包括第一金属层和两个第二金属层，所述第一金属层位于所述两个第二金属层之间，且所述第二金属层的熔点大于所述第一金属层的熔点。
如上所述的显示基板，其中，所述保护层的背离所述导电图形的侧面的表面与所述导电图形的侧面的形状一致。
如上所述的显示基板，其中，所述保护层的背离所述导电图形的侧面的表面为平整面。
如上所述的显示基板，其中，所述保护层的材料选择SiO2。
如上所述的显示基板，其中，所述导电图形中具有多个开口，所述显示基板还包括覆盖所述导电图形以及填充在所述开口内的密封胶，所述导电图形的侧面与所述密封胶之间设置有所述保护层。
本发明实施例中还提供一种显示器件，包括如上所述的显示基板。
本发明实施例中还提供一种如上所述的显示基板的制作方法，包括：
在密封区域形成导电图形；
其中，所述导电图形包括与靠近所述基底的表面以及与所述表面相邻的侧面，所述制作方法还包括：
在密封区域形成与所述侧面接触设置的保护层的图形，在垂直于所述基底所在平面的方向上，所述保护层的背离所述基底的表面不低于所述导电图形的背离所述基底的表面。
如上所述的制作方法，其中，所述制作方法还包括：
在所述基底与所述导电图形之间形成垫块，所述垫块位于密封区域。
本发明的上述技术方案的有益效果如下：
上述技术方案中，通过在显示基板的密封区域设置与导电图形的侧面接触设置的保护层的图形，能够阻挡对密封胶进行的高温处理导致导电图形的低熔点金属层发生熔融时流出，在高温处理结束，该金属冷却，导电图形的结构恢复，克服了该金属层在高温下熔融流出时导致的各种不良，提高了产品的良率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1表示本发明实施例中显示基板的密封区域的局部示意图；
图2表示本发明实施例中显示面板对应图1中A-A位置的局部剖视图；
图3表示图1中未涂覆密封胶时的结构示意图；
图4表示图1中未涂覆密封胶且未形成保护层时的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
本发明实施例中提供一种显示基板，用以解决密封区域的导电图形包括低熔点的金属层(如：Al金属层)时，对密封区域的密封胶进行的高温处理时会造成该金属发生熔融，从而造成不良的问题。所述显示基板可以为液晶显示基板、有机电致发光二极管显示基板等。
结合图1和图2所示，所述显示基板包括基底100，基底100包括显示区域和位于显示区域外围的非显示区域。所述显示区域包括多个像素区域，用以实现画面显示。所述非显示区域包括密封区域，所述密封区域设置有导电图形1，以及位于导电图形1的背离基底100的一侧的密封胶2，密封胶2可以但并不局限于为光固化胶，通常为紫外线固化胶。在所述密封区域涂覆密封胶2后，对显示基板和封装盖板200进行对盒，并对密封胶2进行激光处理，使密封胶2固化，完成密封对盒，形成显示面板。所述激光处理的温度可以达到800℃至1000℃。
所述导电图形1包括与靠近基底100的表面以及与所述表面相邻的侧面，所述密封区域还设置有与所述侧面接触设置的保护层3的图形，在垂直于基底100所在平面的方向上，保护层3的背离基底100的表面不低于导电图形1的背离基底100的表面。
上述显示基板通过设置所述保护层，能够阻挡对密封胶进行的高温处理导致导电图形的低熔点金属层发生熔融时流出，在高温处理结束，该金属冷却，导电图形的结构恢复，克服了该金属层在高温下熔融流出时导致的各种不良，提高了产品的良率。
其中，保护层3的材料选择熔点高(最好＞1000℃)且绝缘性好的材料，能够耐高温，减少能耗，避免短路等风险。保护层3的材料还需要性质稳定，不易在高温下与其他物质发生反应。而且保护层3的材料刚性要好，能够确保阻挡住熔融态的金属。
例如：保护层3的材料可以选择SiO2，SiO2除了具有以上的性质外，还具有易获得、成本低、易实现等优点。
所述导电图形可以为单层结构或复合层结构。优选的，导电图形1为复合层结构，包括第一金属层10和两个第二金属层11，第一金属层10位于两个第二金属层11之间，且第二金属层11的熔点大于第一金属层10的熔点，第二金属层11耐高温，能够对低熔点的第一金属层10形成第二层保护。两个第二金属层11与保护层3结合，将导电图形1包裹住，对第一金属层10形成两层保护。
第一金属层10的材料可以选择金属Al。第二金属层11的材料可以选择耐高温的Ti。此处只是举例说明，不是一种限定，所述第一金属层和第二金属层还可以选择其它金属材料。
需要说明的是，以上定义第一金属膜层和第二金属膜层仅是为了便于描述和理解，不具有其它限定意义。
进一步地，设置保护层3的背离导电图形1的侧面的表面与导电图形1的侧面的形状一致，即，导电图形1的侧面为平整面时，保护层3的背离导电图形1的侧面的表面也为平整面，如图1中左侧所示的保护层3。导电图形1的侧面为不平整面时，保护层3的背离导电图形1的侧面的表面也为不平整面，如图1中右侧所示的保护层3。当然，导电图形1的侧面并不局限于为图所示的一种，可以根据需要设计所需的形状，在此不再一一列举。
当然，也可以不考虑所述导电图形的侧面的形状，设置所述保护层的背离所述导电图形的侧面的表面为平整面，方便制作。
本发明中，所述密封区域还设置有垫块4，垫块4设置在基底100与导电图形1之间，以使得导电图形1的背离基底100的表面与保护层3的背离基底100的表面的高度差小于预设值，两者的高度大致相同，不会因为保护层3和导电图形的高度差较大导致所述密封区域的表面不平整。
在一个具体的实施方式中，导电图形1设置在垫块4的背离基底100的表面上。导电图形1为复合层结构，包括第一金属层10和两个第二金属层11，第一金属层10位于两个第二金属层11之间，且第二金属层11的熔点大于第一金属层10的熔点，第二金属层11耐高温，能够对低熔点的第一金属层10形成第二层保护。两个第二金属层11与保护层3结合，将导电图形1包裹住，对第一金属层10形成两层保护。
该实施方式中通过所述两个第二金属层与保护层将导电图形包裹住，对导电图形的低熔点的第一金属层形成两层保护，使得第一金属层在高温下即使熔融，也不会流出，冷却后，导电图形的结构恢复，克服了该金属层在高温下熔融流出时导致的各种不良，提高了产品的良率。所述垫块的设置使得保护层的设置不会导致密封区域的表面不平整。
该实施方式中，进一步地，还可以设置所述保护层的背离所述导电图形的侧面的表面为平整面，方便制作。
为了增加密封胶密封粘接显示基板和封装盖板的强度，结合图3和图4所示，可以设置导电图形1中具有多个开口10，密封胶2覆盖导电图形1，并填充在开口10内。通过在导电图形1中设置多个开口10，密封胶2填充在开口10内，形成多个抓力点，增加密封胶2密封粘接显示基板和封装盖板的强度。同时，在导电图形1的侧面与密封胶2之间设置保护层3，当对密封胶2进行激光处理时，保护层3能够阻挡导电图形1的低熔点金属层发生熔融流出，激光处理结束后，该金属层冷却，导电图形1的结构恢复，克服了该金属层在高温下熔融流出时导致的各种不良，提高了产品的良率。
本发明的技术方案不仅仅可以应用于密封区域，还可以用于其它需要高温处理会导致低熔点的金属层发生熔融的区域，其具体的实现结构与上述相同。
本发明实施例中还提供一种显示器件，包括如上所述的显示基板，克服了低熔点金属在高温处理时熔融流出导致的各种不良，提高了产品的良率。
所述显示器件可以为液晶显示面板、OLED显示面板、电子纸、导航仪等具有显示功能的产品。
基于同一发明构思，本发明实施例中还提供一种如上所述的显示基板的制作方法，包括：
在密封区域形成导电图形，所述导电图形包括与靠近所述基底的表面以及与所述表面相邻的侧面；
在密封区域形成与所述侧面接触设置的保护层的图形，在垂直于所述基底所在平面的方向上，所述保护层的背离所述基底的表面不低于所述导电图形的背离所述基底的表面。
上述制作方法制得的显示基板通过形成所述保护层，能够阻挡对密封胶进行的高温处理导致导电图形的低熔点金属层发生熔融时流出，在高温处理结束，该金属冷却，导电图形的结构恢复，克服了该金属层在高温下熔融流出时导致的各种不良，提高了产品的良率。
进一步地，所述制作方法还包括：
在所述基底与所述导电图形之间形成垫块，所述垫块位于密封区域。
上述步骤制得垫块用于垫高所述导电图形，以减小所述导电图形的背离所述基底的表面与所述保护层的背离所述基底的表面的高度差，使得该高度差小于预设值，两者的高度大致相同，不会因为所述保护层和导电图形的高度差较大导致所述密封区域的表面不平整。
下面以所述显示基板为薄膜晶体管显示基板为例，来具体介绍本发明的技术方案。
薄膜晶体管显示基板包括显示区域和位于显示区域外围的非显示区域。所述显示区域包括多个像素区域，每一像素区域包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括源电极、漏电极、栅电极和有源层。所述薄膜晶体管用于驱动对应的像素区域进行显示。以液晶显示为例，通过栅线向栅电极施加电压，以控制薄膜晶体管的开关。当薄膜晶体管为开态时，通过数据线向源电极传输显示电压，显示电压经过薄膜晶体管的漏电极施加到像素电极上，所述像素电极和公共电极(其上施加基准电压)之间形成驱动液晶分子偏转设定角度的电场，实现对应灰阶的显示。而对于有机电致发光二极管显示，与液晶显示不同的是，显示电压经过薄膜晶体管的漏电极施加到有机电致发光二极管的阳极，电致有机发光层发光。
结合图1-图4所示，所述非显示区域包括环设在显示区域外围的密封区域，在显示基板的制作完成后，在所述密封区域涂覆密封胶2，并对显示基板和封装盖板200进行对盒，然后对密封胶2进行激光处理，使密封胶2固化，完成密封对盒，形成显示面板。所述激光处理的温度可以达到800℃至1000℃。
所述非显示区域还包括导电结构，为了简化制作工艺，所述非显示区域的导电结构与薄膜晶体管栅电极或源电极、漏电极通过对同一导电层的构图工艺制得。
所述导电结构包括位于密封区域的导电图形1和垫块4，导电图形1设置在垫块4的背离基底100的表面上。导电图形1具有多个开口10，密封胶2覆盖导电图形1，并填充在开口10内。通过在导电图形1中设置多个开口10，密封胶2填充在开口10内，形成多个抓力点，增加了密封胶2密封粘接显示基板和封装盖板的强度。
导电图形1包括与基底100接触的表面以及与所述表面相邻的侧面，在导电图形1的侧面与密封胶2之间设置保护层3，且在垂直于基底100所在平面的方向上，保护层3的背离基底100的表面不低于导电图形1的背离基底100的表面，且保护层3与导电图形1的侧面接触设置。当对密封胶2进行激光处理时，保护层3能够阻挡导电图形1的低熔点金属层发生熔融流出，激光处理结束后，该金属层冷却，导电图形1的结构恢复，克服了该金属层在高温下熔融流出时导致的各种不良，提高了产品的良率。同时，垫块4的设置使得保护层3的设置不会导致所述密封区域的表面不平整。
导电图形1的侧面包括导电图形的外轮廓对应的侧面，以及在导电图形1中开设开口10形成的侧面。
当薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管时，导电图形1与所述薄膜晶体管的源电极和漏电极为同层结构，通过对同一源漏金属层的构图工艺制得。
其中，导电图形1为复合层结构，包括第一金属层10和两个第二金属层11，第一金属层10位于两个第二金属层11之间，且第二金属层11的熔点大于第一金属层10的熔点，第二金属层11耐高温，能够对低熔点的第一金属层10形成第二层保护。两个第二金属层11与保护层3结合，将导电图形1包裹住，对第一金属层10形成两层保护。
第一金属层10的材料选择金属Al。第二金属层11的材料选择耐高温的Ti。
保护层3的材料选择SiO2，SiO2具有熔点高、绝缘层性好、性质稳定、刚性好等优点，还具有易获得、成本低、易实现等优点。
本实施例中，以液晶显示技术为例，所述薄膜晶体管显示基板具体包括：
基底100，包括显示区域和位于显示区域外围的非显示区域，所述非显示区域包括密封区域、扇出区域等。所述显示区域包括多条栅线和多条数据线，所述栅线和数据线横纵交叉排布，限定多个像素区域；每一像素区域包括底栅型薄膜晶体管(图中未示出)和像素电极(图中未示出)，所述底栅型薄膜晶体管包括设置在基底100上的栅电极、覆盖所述栅电极的栅绝缘层101、设置在栅绝缘层101上的有源层、搭接在所述有源层上的源电极和漏电极。所述栅线与数据线为由同一栅金属层制得的同层结构，所述数据线与源电极、漏电极为由同一源漏金属层制得的同层结构。所述栅线与栅电极为一体结构，所述数据线与所述源电极为一体结构，所述像素电极与所述漏电极电性连接。其中，所述栅电极可以为单层结构或者复合层结构，复合层结构比如Cu\Mo，Ti\Cu\Ti，Mo\Al\Mo等；所述源电极和漏电极为Ti\Al\Ti的复合层结构；所述像素电极由透明导电材料制得，例如：HIZO、ZnO、TiO2、CdSnO、MgZnO、IGO、IZO、ITO或IGZO；
与所述栅电极为同层结构的多条信号线5，信号线5位于扇出区域，所述扇出区域与所述密封区域部分交叠；
覆盖栅绝缘层101、源电极和漏电极的钝化层102，栅绝缘层101和钝化层102可以为由氮化硅、氧化硅或氮氧化硅等绝缘材料制得的单层结构或复合层结构；
设置在钝化层102上的垫块4，垫块4位于所述密封区域。所述像素电极也设置在钝化层102上；
设置在垫块4上的导电图形1，导电图形1包括与垫块4接触的表面以及与所述表面相邻的侧面。导电图形1与源电极和漏电极为同层结构，为Ti\Al\Ti的复合层结构；
设置与导电图形1的所述侧面接触设置的保护层3的图形，在垂直于基底100所在平面的方向上，保护层3的背离基底100的表面不低于导电图形1的背离基底100的表面。保护层3的背离导电图形1的所述侧面的表面为平整结构；
覆盖导电图形1的密封胶2。
至于薄膜晶体管显示基板的其它结构在此不再一一详述。
相应地，所述薄膜晶体管显示基板的制作方法包括：
在密封区域形成垫块；
在所述垫块的背离基底的表面上形成导电图形，所述导电图形包括与基底接触的表面以及与所述表面相邻的侧面；
在密封区域形成与所述侧面接触设置的保护层的图形，在垂直于所述基底所在平面的方向上，所述保护层的背离所述基底的表面不低于所述导电图形的背离所述基底的表面。
通过所述制作方法制得的显示基板，位于密封区域的导电图形不会因为密封胶的激光处理导致低熔点的金属层发生熔融而流出，在激光处理结束，该金属冷却，所述导电图形的结构恢复，克服了该金属层在高温下熔融流出时导致的各种不良的问题，提高了产品的良率。同时，通过形成垫块使得形成的保护层不会导致所述密封区域的表面不平整。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和替换，这些改进和替换也应视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种显示基板，包括基底，所述基底包括显示区域和位于显示区域外围的非显示区域，所述非显示区域包括密封区域，所述密封区域设置有导电图形，其特征在于，所述导电图形包括与靠近所述基底的表面以及与所述表面相邻的侧面，所述密封区域还设置有与所述侧面接触设置的保护层的图形，在垂直于所述基底所在平面的方向上，所述保护层的背离所述基底的表面不低于所述导电图形的背离所述基底的表面。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述密封区域还设置有垫块，所述垫块设置在所述基底与所述导电图形之间，以使得所述导电图形的背离所述基底的表面与所述保护层的背离所述基底的表面的高度差小于预设值。
3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述导电图形为复合层结构，包括第一金属层和两个第二金属层，所述第一金属层位于所述两个第二金属层之间，且所述第二金属层的熔点大于所述第一金属层的熔点。
4.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述保护层的背离所述导电图形的侧面的表面与所述导电图形的侧面的形状一致。
5.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述保护层的背离所述导电图形的侧面的表面为平整面。
6.根据权利要求1-5任一项所述的显示基板，其特征在于，所述保护层的材料选择SiO2。
7.根据权利要求1-5任一项所述的显示基板，其特征在于，所述导电图形中具有多个开口，所述显示基板还包括覆盖所述导电图形以及填充在所述开口内的密封胶，所述导电图形的侧面与所述密封胶之间设置有所述保护层。
8.一种显示器件，其特征在于，包括权利要求1-7任一项所述的显示基板。
9.一种权利要求1-7任一项所述的显示基板的制作方法，包括：
在密封区域形成导电图形；
其特征在于，所述导电图形包括与靠近所述基底的表面以及与所述表面相邻的侧面，所述制作方法还包括：
在密封区域形成与所述侧面接触设置的保护层的图形，在垂直于所述基底所在平面的方向上，所述保护层的背离所述基底的表面不低于所述导电图形的背离所述基底的表面。
10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：
在所述基底与所述导电图形之间形成垫块，所述垫块位于密封区域。
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