CN111538190A - 一种彩膜基板及液晶显示器 - Google Patents
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Abstract
本申请提供一种彩膜基板及液晶显示器，彩膜基板包括衬底和设置于衬底上的共通电极，共通电极的外围区的部分上设置有至少一个蚀刻部；其中，所述蚀刻部内设置有网格状的隔断结构，网格状的隔断结构布满所述蚀刻部，所述隔断结构具有用于容纳熔融状态的共通电极的容纳部。对位于蚀刻部的共通电极进行镭射蚀刻处理时，位于蚀刻部的共通电极大部分气化蒸发，还有少量的共通电极处于熔融状态，利用网格状的隔断结构造成熔融状态的共通电极的定向流动，使熔融状态的共通电极流入隔断结构的容纳部中，不同容纳部中的共通电极相互隔绝，从而达到绝缘隔断的目的，从而防止不同区域之间的共通电极连接短路导致的液晶配向异常。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种彩膜基板及液晶显示器。
背景技术
LCD(Liquid crystal displays)是一种被广泛应用的平板显示器，主要是通过液晶开关调制背光源光场强度来实现画面显示，一般包括相对设置的CF(彩膜)基板和TFT(薄膜晶体管)基板，CF基板和TFT基板之间设置液晶层。
LOC(Laser Patterning on CF)是高垂直排列(HVA)LCD在液晶配向制程中用到的一种技术，如图1所示，用镭射激光蚀刻CF基板上的透明电极10，将CF基板上的透明电极10进行分区划线，达到区域之间绝缘的效果，从而实现讯号分区给电进行液晶配向的目的。
然而，使用镭射激光蚀刻CF基板上的透明电极10的过程中，镭射激光划线时，部分透明电极10并未汽化而是处于熔融的状态，熔融的透明电极10重新流回划线区域造成不同区域之间的透明电极10短路，从而导致液晶配向异常。
发明内容
本发明提供一种彩膜基板，以解决使用镭射激光蚀刻彩膜基板上的透明电极的过程中，处于熔融的状态的透明电极重新流回划线区域造成不同区域之间的透明电极短路，从而导致液晶配向异常的技术问题。
为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：
一种彩膜基板，其包括衬底和设置于所述衬底上的共通电极，所述共通电极的外围区的部分上设置有至少一个蚀刻部；
其中，所述蚀刻部内设置有网格状的隔断结构，所述隔断结构具有用于容纳熔融状态的共通电极的容纳部。
进一步的，所述蚀刻部包括至少一个蚀刻区，每个所述蚀刻区内的所述隔断结构均包括交叉设置的第一隔断条和第二隔断条，所述第一隔断条和所述第二隔断条均间隔排布有至少两条，所述第一隔断条与所述第二隔断条之间形成所述容纳部。
进一步的，所述第一隔断条沿对应的蚀刻区的长度方向延伸，并且，所述第一隔断条的长度大于或等于对应的蚀刻区的长度；所述第二隔断条沿对应的蚀刻区的宽度方向延伸，并且，所述第二隔断条的长度大于或等于对应的蚀刻区的宽度。
进一步的，相邻两所述第二隔断条之间的间距小于或等于针对所述共通电极进行镭射蚀刻以形成所述蚀刻区的镭射蚀刻速度与所述共通电极在形成所述蚀刻区时的熔融时间的乘积。
进一步的，所述第一隔断条的宽度为5～12微米。
进一步的，相邻所述第一隔断条之间的间距为5～12微米。
进一步的，所述第一隔断条与所述第二隔断条以及对应的所述蚀刻区的侧壁之间形成闭合的绝缘隔断区。
进一步的，所述蚀刻部的形状为条形或L形，所述隔断结构布满所述蚀刻部。
进一步的，所述彩膜基板还包括设置于所述衬底上的彩膜层和黑色矩阵层，所述隔断结构与所述黑色矩阵层一体成型。
本发明还提供一种液晶显示器，其包括薄膜晶体管基板和上述的彩膜基板，所述薄膜晶体管基板与所述彩膜基板相对设置，所述薄膜晶体管基板与所述彩膜基板之间设置有框胶和液晶层。
本发明的有益效果为：对位于蚀刻部的共通电极进行镭射蚀刻处理时，利用网格状的隔断结构造成熔融状态的共通电极的定向流动，靠近蚀刻区侧壁且处于熔融状态的共通电极被绝缘隔断区隔断，而靠近蚀刻区中部区域且处于熔融状态的共通电极流入容纳部中，从而达到绝缘隔断的目的，防止熔融状态的共通电极随机流动产生连结，从而防止不同区域之间的共通电极短路导致的液晶配向异常，同时隔断结构结构简单且隔断效果好。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明背景技术中CF基板的结构示意图；
图2为本发明具体实施方式中彩膜基板的第一结构示意图；
图3为本发明具体实施方式中彩膜基板的第二结构示意图；
图4为本发明具体实施方式中彩膜基板的第三结构示意图；
图5为本发明具体实施方式中彩膜基板的第四结构示意图；
图6为本发明具体实施方式中彩膜基板的第五结构示意图；
图7至图8为本发明一实施方式中彩膜基板的制作流程示意图；
图9为本发明具体实施方式中液晶显示器的结构示意图。
附图标记：
10、透明电极；
20、彩膜基板；21、衬底；22、隔断结构；221、第一隔断条；222、第二隔断条；223、容纳部；224、绝缘隔断区；23、黑色矩阵层；24、彩膜层；25、保护层；26、共通电极；27、蚀刻部；271、蚀刻区；2711、第一蚀刻区；2712、第二蚀刻区；28、显示区；29、非显示区；30、薄膜晶体管基板；40、框胶；50、液晶层。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
本发明针对现有的彩膜基板中，使用镭射激光蚀刻彩膜基板上的透明电极的过程中，部分透明电极并未汽化而是处于熔融的状态，熔融的透明电极重新流回划线区域造成不同区域之间的透明电极短路，从而导致液晶配向异常的技术问题。本发明可以解决上述问题。
一种彩膜基板，如图2所示，包括衬底21和设置于所述衬底21上的共通电极26，所述共通电极26的外围区的部分上设置有至少一个蚀刻部27。
需要说明的是，所述彩膜基板20具有显示区28和围绕所述显示区28设置的非显示区29；参见图2，图2中虚线所限定的区域为显示区28，所述共通电极26的外围区与所述非显示区29相对应。
其中，所述蚀刻部27内设置有网格状的隔断结构22，网格状的隔断结构22布满所述蚀刻部27，所述隔断结构22具有用于容纳熔融状态的共通电极26的容纳部223。
对位于蚀刻部27的共通电极26进行镭射蚀刻处理时，位于蚀刻部27的共通电极26大部分气化蒸发，还有少量的共通电极26处于熔融状态，利用网格状的隔断结构22造成熔融状态的共通电极26的定向流动，使熔融状态的共通电极26流入隔断结构22的容纳部223中，不同容纳部223中的共通电极26相互隔绝，从而达到绝缘隔断的目的，防止熔融状态的共通电极26随意流动产生连结造成不同区域之间的共通电极26短路导致的液晶配向异常。
需要说明的是，图2中仅示意了共通电极26上具有一个蚀刻部27的情况，实际实施中，还可以设置两个、三个甚至更多个蚀刻部27。
具体的，所述蚀刻部27包括至少一个蚀刻区271，每个所述蚀刻区271内的所述隔断结构22均包括交叉设置的第一隔断条221和第二隔断条222，所述第一隔断条221和所述第二隔断条222均间隔排布有至少两条，所述第一隔断条221与所述第二隔断条222之间形成所述容纳部223。
进一步的，所述第一隔断条221沿对应的所述蚀刻区271的宽度方向排布，所述第二隔断条222沿对应的所述蚀刻区271的长度方向排布。
进一步的，所述第一隔断条221沿对应的蚀刻区271的长度方向延伸，并且，所述第一隔断条221的长度大于或等于对应的蚀刻区271的长度；所述第二隔断条222沿对应的蚀刻区271的宽度方向延伸，并且，所述第二隔断条222的长度大于或等于对应的蚀刻区271的宽度。
进一步的，相邻两所述第二隔断条222之间的间距为m，m小于或等于针对所述共通电极26进行镭射蚀刻以形成所述蚀刻区271的镭射蚀刻速度与所述共通电极26在形成所述蚀刻区271时的熔融时间的乘积。
进一步的，所述第一隔断条221的宽度以及所述第二隔断条222的宽度均为5～12微米，相邻所述第一隔断条221之间的间距为n，所述n为5～12微米。
在一实施方式中，所述第一隔断条221的宽度为10微米，相邻所述第一隔断条221之间的间距为10微米。
需要说明的是，实际实施中，相邻第一隔断条221之间的间距可以相同，也可以不同；相邻第二隔断条222之间的间距可以相同，也可以不同。
具体的，所述第一隔断条221与所述第二隔断条222以及对应的所述蚀刻区271的侧壁之间形成闭合的绝缘隔断区224。
通过容纳部223与所述绝缘隔断区224相结合，靠近蚀刻区271侧壁且处于熔融状态的共通电极26被绝缘隔断区224隔断，而靠近蚀刻区271中部区域且处于熔融状态的共通电极26流入容纳部223中，从而防止熔融状态的共通电极26随机流动发生连结现象而造成不同区域之间的共通电极26短路。
在一实施方式中，所述蚀刻部27的形状为条形，所述第一隔断条221的两端和所述第二隔断条222的两端均与所述蚀刻区271的侧壁触接，即所述第一隔断条221与所述第二隔断条222以及对应的所述蚀刻区271的侧壁之间形成的区域均相互隔离，从而起到更好的隔断作用。
需要说明的是，所述蚀刻部27的形状为条形时，实际实施中，也可以设置为第一隔断条221的长度大于蚀刻区271的长度，所述第二隔断条222的长度大于蚀刻区271的宽度，所述第一隔断条221的两端和所述第二隔断条222的两端均延伸至共通电极26中。
如图3所示，在一实施方式中，所述蚀刻部27的形状为L形，所述蚀刻部27包括横向设置的第一蚀刻区2711和纵向设置的第二蚀刻区2712。
在一实施方式中，所有所述蚀刻区271的宽度均为d，所述d为50微米，所述蚀刻区271的长度大于或等于50微米。
需要说明的是，实际实施中，所述第一蚀刻区2711的宽度和第二蚀刻区2712的宽度可以不同，所述第一蚀刻区2711的长度和第二蚀刻区2712的长度也可以不同。
在一实施方式中，第一蚀刻区2711中的隔断结构22延伸至蚀刻部27的拐角区域处，第一蚀刻区2711中的第二隔断条222与第二蚀刻区2712中的第二隔断条222触接，以在蚀刻部27的拐角区域处也形成闭合的网格状结构。
利用闭合的网格状结构对位于蚀刻部27的拐角区域处的熔融状态的共通电极26进行分区隔断，从而防止位于蚀刻部27的拐角区域处的共通电极26随机流动发生连结导致不同区域之间的共通电极26短路。
需要说明的是，图3中仅示意了第一蚀刻区2711中的第二隔断条222与第二蚀刻区2712中的第二隔断条222触接的情况，实际实施中，还可以设置为第一蚀刻区2711中的第二隔断条222的端部与第二蚀刻区2712中的第一隔断条221的端部触接(图4)，或者，第一蚀刻区2711中的第一隔断条221与第二蚀刻区2712中的第一隔断条221的端部触接(图5)。
需要说明的是，图3至图5中仅示意了位于第一蚀刻区2711中的隔断结构22延伸至蚀刻部27的拐角区域处的情况；实际实施中，如图6所示，还可以设置为位于第二蚀刻区2712中的隔断结构22延伸至蚀刻部27的拐角区域处。
进一步的，第一蚀刻区2711中的第二隔断条222与第二蚀刻区2712中的第二隔断条222触接，或者第一蚀刻区2711中的第一隔断条221的端部与第二蚀刻区2712中的第二隔断条222的端部触接，或者第一蚀刻区2711中的第一隔断条221的端部与第二蚀刻区2712中的第一隔断条221触接。
如图7和图8所示，在一实施方式中，所述彩膜基板20还包括设置于所述衬底21上的彩膜层24和黑色矩阵层23；所述彩膜层24位于彩膜基板20的显示区28，所述彩膜层24包括间隔排布的子像素，所述黑色矩阵层23位于相邻的子像素之间的间隙处，所述隔断结构22与所述黑色矩阵层23一体成型。
隔断结构22与黑色矩阵层23同层且一体成型，不会增加彩膜基板20的膜层数，从而减少工艺时间，同时隔断结构22位于非显示区29，不会影响显示。
进一步的，所述彩膜基板20还包括覆盖所述彩膜层24和所述黑色矩阵层23的保护层25，所述共通电极26设置于所述保护层25上，所述隔断结构22的厚度大于所述保护层25的厚度。
需要说明的是，如图7所示，形成所述彩膜基板20时，在所述衬底21上形成彩膜层24、黑色矩阵层23以及隔断结构22后，形成覆盖彩膜层24、黑色矩阵层23以及隔断结构22的保护层25，随后对保护层25上与隔断结构22对应的部分进行蚀刻，使得隔断结构22的顶端露出后，在保护层25上形成共通电极26。
如图8所示，对共通电极26上与隔断结构22对应的区域进行镭射蚀刻，形成蚀刻部27，并使隔断结构22的顶端露出；隔断结构22使处于熔融状态的共通电极26发生定向流动，熔融状态的共通电极26流入隔断结构22的容纳部223中，从而达到绝缘隔断的目的。
根据上述彩膜基板20，本发明还提供一种液晶显示器，如图9所示，液晶显示器包括薄膜晶体管基板30和上述的彩膜基板20，所述薄膜晶体管基板30与所述彩膜基板20相对设置，所述薄膜晶体管基板30与所述彩膜基板20之间设置有框胶40和液晶层50，所述框胶40和所述薄膜晶体管基板30以及所述彩膜基板20之间形成容纳液晶层50的容纳腔。
本发明的有益效果为：对位于蚀刻部27的共通电极26进行镭射蚀刻处理时，利用网格状的隔断结构22造成熔融状态的共通电极26的定向流动，靠近蚀刻区271侧壁且处于熔融状态的共通电极26被绝缘隔断区224隔断，而靠近蚀刻区271中部区域且处于熔融状态的共通电极26流入容纳部223中，从而达到绝缘隔断的目的，防止熔融状态的共通电极26随机流动产生连结，从而防止不同区域之间的共通电极26短路导致的液晶配向异常，同时隔断结构22结构简单且隔断效果好。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种彩膜基板，其特征在于，包括衬底和设置于所述衬底上的共通电极，所述共通电极的外围区的部分上设置有至少一个蚀刻部；
其中，所述蚀刻部内设置有网格状的隔断结构，所述隔断结构具有用于容纳熔融状态的共通电极的容纳部。
2.根据权利要求1所述的彩膜基板，其特征在于，所述蚀刻部包括至少一个蚀刻区，每个所述蚀刻区内的所述隔断结构均包括交叉设置的第一隔断条和第二隔断条，所述第一隔断条和所述第二隔断条均间隔排布有至少两条，所述第一隔断条与所述第二隔断条之间形成所述容纳部。
3.根据权利要求2所述的彩膜基板，其特征在于，所述第一隔断条沿对应的蚀刻区的长度方向延伸，并且，所述第一隔断条的长度大于或等于对应的蚀刻区的长度；所述第二隔断条沿对应的蚀刻区的宽度方向延伸，并且，所述第二隔断条的长度大于或等于对应的蚀刻区的宽度。
4.根据权利要求3所述的彩膜基板，其特征在于，相邻两所述第二隔断条之间的间距小于或等于针对所述共通电极进行镭射蚀刻以形成所述蚀刻区的镭射蚀刻速度与所述共通电极在形成所述蚀刻区时的熔融时间的乘积。
5.根据权利要求3所述的彩膜基板，其特征在于，所述第一隔断条的宽度为5～12微米。
6.根据权利要求3所述的彩膜基板，其特征在于，相邻所述第一隔断条之间的间距为5～12微米。
7.根据权利要求2所述的彩膜基板，其特征在于，所述第一隔断条与所述第二隔断条以及对应的所述蚀刻区的侧壁之间形成闭合的绝缘隔断区。
8.根据权利要求1所述的彩膜基板，其特征在于，所述蚀刻部的形状为条形或L形，所述隔断结构布满所述蚀刻部。
9.根据权利要求1所述的彩膜基板，其特征在于，所述彩膜基板还包括设置于所述衬底上的彩膜层和黑色矩阵层，所述隔断结构与所述黑色矩阵层一体成型。
10.一种液晶显示器，其特征在于，所述液晶显示器包括薄膜晶体管基板以及如权利要求1至9中任一项所述的彩膜基板，所述薄膜晶体管基板与所述彩膜基板相对设置，所述薄膜晶体管基板与所述彩膜基板之间设置有框胶和液晶层。
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2020
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