CN111221189B - 像素结构、阵列基板及显示面板 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了一种像素结构、阵列基板及显示面板，像素结构包括多个阵列分布的像素区以及与所述像素区一一对应的像素电极；每一所述所述像素电极包括相间隔的第一像素电极和第二像素电极，相邻两行像素区之间设置有走线区。利用走线区提供较大的间距，以消除上下两行像素电极之间的电压差，防止在压差的影响下导致相邻两行像素区的交界处的液晶倾倒，避免相邻两行像素区的交界处产生暗纹，同时无需在相邻两行像素区之间设置额外的间隔区域，增大像素开口率。

Description

像素结构、阵列基板及显示面板
技术领域
本申请涉及显示领域，尤其涉及显示技术领域，具体涉及一种像素结构、阵列基板及显示面板。
背景技术
随着生活水平的提高，液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)越来越受到人民追捧。如图1至图3所示，现有的8畴区液晶显示器中，液晶显示器包括多个阵列分布的像素单元70，每一像素单元70中的主像素电极71与亚像素电极72沿上下依次排布，主像素电极71和亚像素电极72均包括呈十字形的躯干电极74；主像素电极71与压像素电极72之间设置一布线区73。为了改善视角，通常输入主像素电极71的电压与输入亚像素电极72的电压不同。
在对像素单元70进行光学模拟的过程中(图3)，发现像素单元70中的暗纹主要包括由于躯干电极74的遮挡产生的十字形暗纹91，以及，由于主像素电极71与亚像素电极72之间的压差影响相邻两行显示单元70的交界处的液晶倾倒导致在相邻两行像素单元70之间产生的间隔暗纹92，而为了避免间隔暗纹90的产生，通常会在上下两行像素单元70之间设置一间隔区80，通过间隔区80降低相邻两行像素单元70之间的电压差，从而减少间隔区80处的间隔暗纹92。
然而，由于间隔区80需要具有较大的宽度，同时间隔区80处不能设置像素电极，在相同显示面积内需要通过降低像素电极的数量或大小以实现间隔区80的设置，极大的损失了像素开口率。
发明内容
第一方面，本申请实施例提供一种像素结构，以解决现有的液晶显示器中，为了防止相邻两行像素电极的交界处产生暗纹，而在相邻两行像素电极之间设置宽度较大的间隔区，极大的损失了像素开口率的技术问题。
为解决上述问题，本申请提供的技术方案如下：
一种像素结构，所述像素结构包括多个阵列分布的像素区以及与所述像素区一一对应的像素电极；
其中，每一所述所述像素电极包括相间隔的第一像素电极和第二像素电极，相邻两行所述像素区之间设置有走线区。
在一些实施例中，所述第二像素电极沿所述第一像素电极的外边界设置且与所述走线区之间形成一围合区，所述第一像素电极位于所述围合区中。
在一些实施例中，所述像素区包括相间隔的第一像素区和第二像素区，所述第二像素区沿所述第一像素区的外边界设置，所述第一像素电极位于所述第一像素区，所述第二像素电极位于所述第二像素区；所述像素电极包括主干电极，所述主干电极包括沿第一方向设置的第一主干电极以及沿第二方向设置的第二主干电极；
其中，所述第一主干电极与所述第二主干电极将所述像素区限定为四个液晶配向区，任一所述液晶配向区包括至少一个位于所述第一像素区内的第一子像素区以及至少一个位于所述第二像素区内的第二子像素区。
在一些实施例中，所述第一主干电极沿所述像素区的行方向设置，所述第二主干电极沿所述像素区的列方向设置。
在一些实施例中，所述第一主干电极包括位于所述第一像素区内的第一部分和位于所述第二像素区内的第二部分，所述第二主干电极位于所述第二像素区内，所述第二分部与所述第二主干电极交叉设置。
在一些实施例中，所述第一主干电极位于所述第一像素区内，所述第二主干电极位于所述第二像素区内。
在一些实施例中，所述液晶配向区包括至少两个所述第一子像素区和至少两个所述第二子像素区。
在一些实施例中，任一所述液晶配向区内均设置有与所述主干电极连接的分支电极；
其中，所述分支电极包括多条位于所述第一子像素区内的第一分支电极以及多条位于所述第二子像素区内的第二分支电极。
在一些实施例中，任一所述液晶配向区内，所有所述第一分支电极平行设置，所有所述第二分支电极平行设置，所述第一分支电极与所述第二分支电极平行设置。
在一些实施例中，同一像素区内，沿所述第一方向，相邻的两个所述液晶配向区内的分支电极关于所述第二主干电极呈对称分布；沿所述第二方向，相邻的两个所述液晶配向区内的分支电极关于所述第一主干电极呈对称分布。
在一些实施例中，所述第一像素区为主像素区，所述第二像素区为亚像素区。
第二方面，本申请还提供一种阵列基板，所述阵列基板包括基板、设置于所述基板上的薄膜晶体管层以及如上述的像素结构，所述像素结构位于所述薄膜晶体管层上。
在一些实施例中，所述薄膜晶体管层包括沿所述像素区的列方向设置的数据线，所述数据线在所述像素结构上的正投影与所述像素结构的第一像素区相间隔。
第三方面，本申请还提供一种显示面板，所述显示面板包括彩膜基板以及如上述的阵列基板，所述彩膜基板与所述阵列基板之间设置有液晶层。
本发明申请的有益效果为：通过将像素结构中必须存在的走线区设置在相邻两行像素区之间，利用走线区为相邻两行像素区之间提供较大的间距，以消除上下两行像素电极之间的电压差，防止在压差的影响下导致相邻两行像素区的交界处的液晶倾倒，避免相邻两行像素区的交界处产生暗纹，同时无需在相邻两行像素区之间设置额外的间隔区域，增大像素开口率。利用位于亚像素电极围绕主像素电极的外边界设置，从而形成包围或半包围主像素电极的结构，可以减小数据线与主像素电极之间的垂直串扰，无需在数据线与主像素电极之间设置金属屏蔽层，增大像素开口率，同时第一像素电极与第二像素电极共用一套主干电极，减小主干电极所占用的像素面积，整个像素电极只有两条由主干电极引起的暗纹，从而减少像素区内的暗纹，提高液晶效率。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本申请背景技术中相邻两行像素单元的排布示意图；
图2为图1中A区的结构示意图；
图3为本申请背景技术中像素单元的光学模拟示意图；
图4为本申请一实施方式中相邻两行像素电极的排布示意图；
图5和图6为本申请一实施方式中像素电极的第一种结构示意图；
图7为图6中B区的结构示意图；
图8为本申请第一种实施方式中像素电极的第二种结构示意图；
图9为本申请第二种实施方式中像素电极的第一种结构示意图；
图10为本申请第二种实施方式中像素电极的第二种结构示意图；
图11为本申请具体实施方式中像素电极的光学模拟示意图；
图12为本申请第三种实施方式中像素电极的第一种结构示意图；
图13为本申请第三种实施方式中像素电极的第二种结构示意图；
图14为本申请一实施方式中阵列基板的结构示意图；
图15为本申请一实施方式中数据线的排布示意图；
图16为本申请一实施方式中辅助线的排布示意图。
附图标记：
10、基板；20、薄膜晶体管层；30、像素结构；31、像素区；311、第一像素区；312、第二像素区；313、液晶配向区；3131、第一子像素区；3132、第二子像素区；315、围合区；32、像素电极；321、第一像素电极；322、第二像素电极；323、第一主干电极；324、第二主干电极；325、第一分支电极；326、第二分支电极；33、走线区；51、数据线；52、辅助线；60、暗纹；70、像素单元；71、主像素电极；72、亚像素电极；73、布线区；74、躯干电极；80、间隔区；91、十字形暗纹；92、间隔暗纹。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
本发明针对现有的液晶显示器中，为了防止相邻两行像素电极的交界处产生暗纹，而在相邻两行像素电极之间设置宽度较大的间隔区，极大的损失了像素开口率的技术问题。本申请可以解决上述问题。
一种像素结构，如图4所示，所述像素结构30包括多个阵列分布的像素区31以及与所述像素区31一一对应的像素电极32。像素电极32设置于所述像素区31内。
其中，每一所述所述像素电极32包括相间隔的第一像素电极321和第二像素电极322；相邻两行所述像素区31之间设置有走线区33，所述走线区33用于传输信号的信号走线的排布，如扫描线。
需要说明的是，通过将像素结构中必须存在的走线区33设置在相邻两行像素区31之间，每一像素电极32中的第一像素电极321和第二像素电极322均位于走线区33的同一侧，利用走线区33为相邻两行像素区31之间提供较大的间距，以消除上下两行像素区31之间的电压差，防止在压差的影响下导致相邻两行像素区31的交界处的液晶倾倒，避免相邻两行像素区31的交界处产生暗纹，同时无需在相邻两行像素区31之间设置额外的间隔区域，增大像素开口率，从而使得可以在相同显示面积内设置更多的像素电极32或增大像素电极32的面积。
具体的，所述第一像素电极321为主像素电极，所述第二像素电极322为亚像素电极。
具体的，所述第二像素电极322沿所述第一像素电极321的外边界设置且与所述走线区33之间形成一围合区315，所述第一像素电极321位于所述围合区315中。
需要说明的是，利用第二像素电极322围绕所述第一像素电极321的外边界设置，从而形成包围或半包围第一像素电极321的结构，起到屏蔽作用，可以防止像素电极32的外界电场对第一像素电极321处的电场造成不良影响。
具体的，如图5所示，每一所述像素区31包括相间隔的第一像素区311和第二像素区312，所述第二像素区312沿所述第一像素区311的外边界设置；所述第一像素电极321位于所述第一像素区311，所述第二像素电极322位于所述第二像素区312。
具体的，如图6至图12所示，所述像素电极32包括主干电极，所述主干电极包括沿第一方向设置的第一主干电极323以及沿第二方向设置的第二主干电极324。
其中，所述第一主干电极323与所述第二主干电极324将所述像素区31限定为四个液晶配向区313，任一所述液晶配向区313包括至少一个位于所述第一像素区311内的第一子像素区3131以及至少一个位于所述第二像素区312内的第二子像素区3132。
需要说明的是，所述液晶配向区313内的像素电极32提供液晶分子旋转的驱动电压，以使所述液晶分子达到旋转的目的，并且像素电极32提供驱动电压时，至少两个液晶配向区313中的液晶分子的旋转角度均不相同，以改善大视角色偏现象。
在一实施方式中，所述第一主干电极323沿所述像素区31的行方向设置，所述第二主干电极324沿所述像素区31的列方向设置，即所述第一方向为所述像素区31的行方向，所说第二方向为所述像素区31的列方向。
具体的，任一所述液晶配向区313内均设置有与所述主干电极连接的分支电极，所述分支电极包括多条位于所述第一子像素区3131内的第一分支电极325以及多条位于所述第二子像素区3132内的第二分支电极326。
进一步的，任一所述液晶配向区313内，所有所述第一分支电极325平行设置，所有所述第二分支电极326平行设置，所述第一分支电极325与所述第二分支电极326平行设置，从而有利于电极排布，以防止同一液晶配向区313内的液晶分子进行旋转时相互干扰导致对视觉效果造成不良影响，同时提高液晶效率。
具体的，任一所述液晶配向区313内,所述第一分支电极325和所述第二分支电极326均倾斜设置，所述第一分支电极325与所述主干电极所形成的夹角可以为30度、45度后60度，所述第二分支电极326的与所述主干电极所形成的夹角可以为30度、45度后60度。
实际实施中，所述第一分支电极325与所述主干电极所形成的夹角以及所述第二分支电极326与所主干电极所述形成的夹角也可以为其他角度。
具体的，同一像素区31内，沿所述第一方向，相邻的两个所述液晶配向区313内的分支电极与所述主干电极形成的夹角不相同，从而使得像素电极32提供液晶分子旋转的驱动电压时，相邻液晶配向区313中的液晶分子的旋转角度不相同，增加液晶分子倾倒角度的多样性，有效改善大视角色偏现象。
在一实施方式中，同一像素区31内，沿所述第一方向，相邻的两个所述液晶配向区313内的分支电极关于所述第二主干电极324呈对称分布；沿所述第二方向，相邻的两个所述液晶配向区313内的分支电极关于所述第一主干电极323呈对称分布，提高视角的对称性，有效改善视大视角色偏现象。
具体的，所述第一主干电极323、第二主干电极324、第一分支电极325以及第二分支电极326均可以为条状，从而有利于电极排布，提高液晶效率。
具体的，任一所述液晶配向区313内，所述第一子像素区3131的整体形状可以为半圆形、半椭圆形、扇形或、方形、三角形、梯形或其他规则多边形或不规则多边形。
进一步的，任一所述液晶配向区313内的所述第一子像素区3131对应的边界线与所述第二子像素区3132对应的边界线可以为折线或曲线，以保证第一子像素区3131与第二子像素区3132之间的间距，避免第一子像素区3131内的第一像素电极321与第二子像素区3132内的像素电极32相互影响。
需要说明的是，所述第一子像素区3131的整体形状可以与第二子像素区3132的整体形状相同，也可以不同。
如图6至图8所示，在第一种实施方式中，所述第一主干电极323包括位于所述第一像素区311内的第一部分和位于所述第二像素区312内的第二部分，所述第二主干电极324位于所述第二像素区312内，所述第二分部与所述第二主干电极324交叉设置。
如图9和图10所示，在第二种实施方式中，所述第一主干电极323位于所述第一像素区311内，所述第二主干电极324位于所述第二像素区312内。
需要说明的是，如图11所示，图11为像素电极32的光学模拟示意图，在保证主干电极位于第一像素区311内的部分与主干电极位于第二像素区312内部分绝缘设置，从而保证第一像素区311内的第一像素电极321与第而像素区31内的像素电极32相互绝缘，同时第一像素区311内的第一像素电极321与第二像素区322内的第二像素电极322共用一套主干电极，减小主干电极所占用的像素面积，整个像素电极32只有两条由主干电极引起的暗纹60，从而减少像素区31内的暗纹60，提高液晶效率。
需要说明的是，图6至图10中仅示意了一个所述液晶配向区313包括一个第一子像素区3131和一个第二子像素区3132的情况。
如图12和图13所示，第三种实施方式中，所述液晶配向区313还可以包括至少二个所述第一子像素区3131和至少两个所述第二子像素区3132。通过设置更多的子像素区31，从而更有利于改善视角。
需要说明的是，每一所述液晶配向区313中所述第一子像素区3131的数量与所述第二子像素区3132的数量相同或不同；所有所述液晶配向区313中包含的所述第一子像素区3131的数量可以相同或不同，也可以仅有部分所述液晶配向区313中包含的所述第一子像素区3131的数量相同；每一所述液晶配向区313中包含的所述第二子像素区3132的数量可以相同或不同，也可以仅有部分所述液晶配向区313中包含的所述第二子像素区3132的数量相同。
需要说明的是，每一所述液晶配向区313中，所有所述第一子像素区3131的整体形状相同或不同，也可以仅有部分所述第一子像素区3131的整体形状相同；每一所述液晶配向区313中，所有所述第二子像素区3132的整体形状可以相同或不同，也可以仅有部分所述第二子像素区3132的整体形状相同。
需要说明的是，每一所述液晶配向区313中，所有所述第一子像素区3131可以相间隔或相互连接，也可以仅有部分所述第一子像素区3131相间隔；每一所述液晶配向区313中，所有所述第二子像素区3132可以相间隔或相互连接，也可以仅有部分所述第二子像素区3132相间隔。
在一实施方式中，任一所述液晶配向区313均包括二个所述第一子像素区3131和两个所述第二子像素区3132，从而在保证液晶效率的前提下，进一步的改善视角情况。
基于上述像素结构，本申请还提供一种阵列基板，如图14所示，所述阵列基板包括基板10、设置于所述基板10上的薄膜晶体管层20以及如上述任一实施方式中所述的像素结构30，所述像素结构30设置于所述薄膜晶体管层20上。
如图15和图16所示，所述薄膜晶体管层20包括信号线，所述信号线与所述像素电极32位于不同层别。
其中，所述信号线包括数据线51，所述数据线51与所述像素电极32电连接，以为所述像素电极32提供数据信号；所述数据线51沿所述像素区31的列方向设置，所述数据线51在所述像素结构30上的正投影与所述第一像素区311相间隔。
需要说明的是，利用围绕主像素电极设置的亚像素电极使得数据线51在所述像素结构30上的正投影与所述第一像素区311相间隔，从而减小数据线51与主像素电极之间的耦合电容，减少数据线51与主像素电极之间的垂直串扰，同时无需在数据线51与主像素电极之间设置金属屏蔽层，增大像素开口率。
在一实施方式中，如图15所示，所述数据线51设置于相邻两列所述像素区31之间的间隙区域处，所述数据线51在所述像素结构30上的正投影与所述像素区31不重合。
在另一实施方式中，所述数据线51在所述像素结构30上的正投影位于所述亚像素区重合。
如图16所示，在一实施方式中，所述信号线还包括辅助线52，所述辅助线52沿所述像素区31的列方向设置，所述辅助线52在所述像素结构30上的正投影与所述第二主干电极324重合，以提升像素开口率。
具体的，输入至所述第一像素电极321的电压与输入至所述第二像素电极322的电压相异。
需要说明的是，第一子像素区3131内的第一分支电极325和第二子像素区3132内的第二分支电极326平行设置，同时输入至所述第一像素电极321的电压与输入至所述第二像素电极322的电压相异，从而可以方便像素电极的制备，同时使得第一像素区311中的液晶分子的旋转角度和第二子像素区3132中的液晶分子的旋转角度不相同，在中低灰阶时，可以增加液晶倾倒角度的多样性，有效改善视角；在高灰阶时，可以有效减少暗纹，提高液晶效率。
需要说明的是，输入至所述第一像素电极321的电压与输入至所述第二像素电极322的电压相异，则第一像素电极321与第二像素电极322之间存在压差，像素电极32驱动液晶分子进行旋转时，在第一像素电极321与第二像素电极322之间的电场以及阵列基板10与彩膜基板10之间的电场的双重作用下，位于第一像素区311与第二像素区312之间的间隙处的液晶分子轻微偏离或不偏离预设旋转角度，从而改善第一像素区311与第二像素区312之间的间隙处的液晶效率。
具体的，输入至所述第一像素电极321的电压可以大于输入至所述第二像素电极322的电压，输入至所述第一像素电极321的电压也可以小于输入至所述第二像素电极322的电压。
在一实施方式中，输入至所述第一像素电极321的电压的电压值与输入至所述第二像素电极322的电压的电压值的差值为2。
本申请还提供一种显示面板，所述显示包括彩膜基板以及如上述任一实施方式中所述的阵列基板，所述彩膜基板与所述阵列基板之间设置有液晶层。
本发明的有益效果为：通过将像素结构中必须存在的走线区33设置在相邻两行像素区31之间，每一像素电极32中的第一像素电极321和第二像素电极322均位于走线区33的同一侧，利用走线区33为相邻两行像素区31之间提供较大的间距，以消除上下两行像素电极32之间的电压差，防止在压差的影响下导致相邻两行像素区31的交界处的液晶倾倒，避免相邻两行像素区31的交界处产生暗纹，同时无需在相邻两行像素区31之间设置额外的间隔区域，增大像素开口率。利用位于亚像素电极围绕主像素电极的外边界设置，从而形成包围或半包围主像素电极的结构，可以减小数据线51与主像素电极之间的垂直串扰，无需在数据线51与主像素电极之间设置金属屏蔽层，增大像素开口率，同时第一像素电极321与第二像素电极322共用一套主干电极，减小主干电极所占用的像素面积，整个像素电极32只有两条由主干电极引起的暗纹，从而减少像素区31内的暗纹，提高液晶效率。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (12)

1.一种像素结构，其特征在于，所述像素结构包括多个阵列分布的像素区以及与所述像素区一一对应的像素电极；所述像素区包括相间隔的第一像素区和第二像素区，所述像素电极包括主干电极，所述主干电极包括沿第一方向设置的第一主干电极以及沿第二方向设置的第二主干电极；所述第一主干电极与所述第二主干电极将所述像素区限定为四个液晶配向区，所述液晶配向区包括至少两个位于所述第一像素区内的第一子像素区和至少两个位于所述第二像素区内的第二子像素区；
其中，每一所述像素电极包括相间隔的第一像素电极和第二像素电极，相邻两行所述像素区之间设置有走线区；所述第一主干电极包括用于所述第一像素电极的第一部分和用于所述第二像素电极的第二部分。
2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述第二像素电极沿所述第一像素电极的外边界设置且与所述走线区之间形成一围合区，所述第一像素电极位于所述围合区中。
3.根据权利要求2所述的像素结构，其特征在于，所述第二像素区沿所述第一像素区的外边界设置，所述第一像素电极位于所述第一像素区，所述第二像素电极位于所述第二像素区。
4.根据权利要求3所述的像素结构，其特征在于，所述第一主干电极沿所述像素区的行方向设置，所述第二主干电极沿所述像素区的列方向设置。
5.根据权利要求4所述的像素结构，其特征在于，所述第一部分位于所述第一像素区内，所述第二部分位于所述第二像素区内，所述第二主干电极位于所述第一像素区内，所述第一部分与所述第二主干电极交叉设置。
6.根据权利要求3所述的像素结构，其特征在于，任一所述液晶配向区内均设置有与所述主干电极连接的分支电极；
其中，所述分支电极包括多条位于所述第一子像素区内的第一分支电极以及多条位于所述第二子像素区内的第二分支电极。
7.根据权利要求6所述的像素结构，其特征在于，任一所述液晶配向区内，所有所述第一分支电极平行设置，所有所述第二分支电极平行设置，所述第一分支电极与所述第二分支电极平行设置。
8.根据权利要求6所述的像素结构，其特征在于，同一像素区内，沿所述第一方向，相邻的两个所述液晶配向区内的分支电极关于所述第二主干电极呈对称分布；沿所述第二方向，相邻的两个所述液晶配向区内的分支电极关于所述第一主干电极呈对称分布。
9.根据权利要求3所述的像素结构，其特征在于，所述第一像素区为主像素区，所述第二像素区为亚像素区。
10.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括基板、设置于所述基板上的薄膜晶体管层以及如权利要求1至9中任一项所述的像素结构，所述像素结构位于所述薄膜晶体管层上。
11.根据权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管层包括沿所述像素区的列方向设置的数据线，所述数据线在所述像素结构上的正投影与所述像素结构的第一像素区相间隔。
12.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括彩膜基板以及如权利要求10至11中任一项所述的阵列基板，所述彩膜基板与所述阵列基板之间设置有液晶层。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112540485B (zh) * 2020-12-02 2022-04-01 Tcl华星光电技术有限公司 子像素结构和显示面板
CN113485040B (zh) * 2021-07-20 2022-08-05 武汉华星光电技术有限公司 显示面板及显示装置
CN113703232B (zh) * 2021-08-30 2022-07-12 惠州华星光电显示有限公司 阵列基板及液晶显示面板
CN114779540B (zh) * 2022-03-31 2023-11-21 厦门天马微电子有限公司 显示面板及显示装置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI390309B (zh) * 2009-04-17 2013-03-21 Chimei Innolux Corp 液晶面板及應用其之液晶顯示裝置
CN101930139B (zh) * 2009-06-25 2015-01-07 群创光电股份有限公司 像素阵列基板、液晶显示装置及其驱动方法
US20130003004A1 (en) * 2010-01-22 2013-01-03 Masahiro Shimizu Liquid crystal panel and liquid crystal display device
TWI446079B (zh) * 2011-06-29 2014-07-21 Au Optronics Corp 畫素結構及其驅動方法
KR102173134B1 (ko) * 2014-03-21 2020-11-03 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
TWI542932B (zh) * 2014-07-22 2016-07-21 友達光電股份有限公司 顯示面板及曲面顯示器
KR20160085389A (ko) * 2015-01-07 2016-07-18 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR102268068B1 (ko) * 2015-01-22 2021-06-22 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR102301489B1 (ko) * 2015-06-24 2021-09-13 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
CN105137674B (zh) * 2015-09-25 2019-02-22 深圳市华星光电技术有限公司 像素电极及阵列基板
KR102503719B1 (ko) * 2016-05-03 2023-02-24 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
TWI599835B (zh) * 2016-10-17 2017-09-21 友達光電股份有限公司 畫素單元及其顯示面板
CN207020431U (zh) * 2017-10-17 2018-02-16 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种具有新型像素设计的液晶显示面板
CN108051963B (zh) * 2018-02-01 2023-11-03 惠科股份有限公司 一种像素结构、显示面板及显示装置
CN109212844A (zh) * 2018-10-10 2019-01-15 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示面板及装置

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