CN109585682A - 一种发光器件的封装方法、封装结构及显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种发光器件的封装方法、封装结构和显示装置。该封装方法包括：制备封装基板和包括结构层薄膜的显示基板；将所述封装基板贴附在所述结构层薄膜上；以所述封装基板为掩膜，对所述结构层薄膜进行刻蚀，形成保护结构层。该封装方法，在形成保护结构层时，采用封装基板作为掩膜，不再需要单独采用掩膜板，从而避免了单独使用掩膜板带来的一系列问题。该方法工艺流程简便、容易实现，更有利于实现产品的窄边框设计。

Description

一种发光器件的封装方法、封装结构及显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种发光器件的封装方法、封装结构及显示装置。

背景技术

有机电致发光显示器(Organic Light-Emitting Diode，简称OLED)中的OLED器件极易与空气中的水汽、氧气等成分发生反应，因此，需要与环境中的水氧严格分离开，以延长OLED器件的使用寿命。

为了保障OLED显示面板对水氧的阻隔性能，通常采用面封装和薄膜封装结合的封装结构。其中，薄膜封装主要包括无机保护层。为了得到理想图案的无机保护层，需要采用掩膜板作为掩膜，通过化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)在基板上沉积氮化硅、氧化硅等硅基材料，在掩膜板的掩膜作用下，得到具有理想图案的无机保护层。

采用掩膜板形成无机保护层的过程中，伴随着颗粒物增加、膜层被剐蹭受损、静电击伤等风险，而且掩膜板自身的损耗还导致显示面板封装成本增加。

发明内容

本发明实施例的目的是，提供一种发光器件的封装方法、封装结构和显示装置，以避免采用掩膜板作为掩膜形成保护结构层所带来的一系列问题。

为了解决上述技术问题，本发明实施例提供一种发光器件的封装方法，包括：

制备封装基板和包括结构层薄膜的显示基板；

将所述封装基板贴附在所述结构层薄膜上；

以所述封装基板为掩膜，对所述结构层薄膜进行刻蚀，形成保护结构层。

可选地，所述制备包括结构层薄膜的显示基板，包括：

提供衬底基板；

在所述衬底基板上形成发光单元；

形成覆盖在所述发光单元上的第一无机薄膜，

所述对所述结构层薄膜进行刻蚀，包括，对所述第一无机薄膜进行刻蚀。

可选地，所述制备包括结构层薄膜的显示基板，还包括：

在所述第一无机薄膜上形成有机保护层，所述有机保护层在所述衬底基板上的正投影位于所述第一无机薄膜在所述衬底基板上的正投影范围内；

形成覆盖在所述有机保护层上的第二无机薄膜，

所述对所述结构层薄膜进行刻蚀，还包括，对所述第二无机薄膜进行刻蚀。

可选地，在所述形成覆盖在所述发光单元上的第一无机薄膜之前，所述制备包括结构层薄膜的显示基板，还包括：在所述衬底基板的朝向所述发光单元一侧表面上形成围绕所述发光单元的挡墙，所述第一无机薄膜覆盖所述挡墙，

所述在所述第一无机薄膜上形成有机保护层，包括：采用喷墨打印工艺在所述第一无机薄膜上形成有机保护层，所述有机保护层位于所述挡墙所围设的区域内。

可选地，所述第一无机薄膜的材质包括硅基材料，所述硅基材料包括氧化硅、氮化硅、碳氮化硅、氮氧化硅、碳氧化硅中的一种或多种。

可选地，所述第二无机薄膜和所述第一无机薄膜的材质相同，所述第一无机薄膜的材质包括硅基材料，所述硅基材料包括氧化硅、氮化硅、碳氮化硅、氮氧化硅、碳氧化硅中的一种或多种。

可选地，所述刻蚀为干法刻蚀，刻蚀气体包括CF₄、NF₃、SF₆、CF₄/O₂、C₄F₈中的一种或多种。

可选地，所述保护结构层的边缘侧壁的坡度角θ>85°。

可选地，所述封装基板包括封装盖板和设置在所述封装盖板的朝向所述保护结构层一侧上的封装胶层，所述保护结构层位于所述封装胶层在所述显示基板上的正投影范围内，

所述保护结构层的边界与所述封装胶层在所述显示基板上的正投影边界之间的距离为2mm～5mm。

为了解决上述技术问题，本发明实施例还提供了一种发光器件的封装结构，包括

显示基板，包括衬底基板、设置在所述衬底基板上的发光单元以及设置在所述衬底基板的朝向所述发光单元的一侧上且围绕所述发光单元的挡墙，还包括保护结构层，所述保护结构层包括覆盖在所述发光单元和所述挡墙上的第一无机保护层、设置在所述第一无机保护层上且位于所述挡墙所围设区域内的有机保护层以及覆盖在所述有机保护层上的第二无机保护层；

封装基板，覆盖在所述保护结构层上。

可选地，所述保护结构层的边缘侧壁的坡度角θ>85°。

可选地，所述封装基板包括封装盖板和设置在所述封装盖板的朝向所述保护结构层一侧上的封装胶层，所述保护结构层在所述衬底基板上的正投影位于所述封装胶层在所述衬底基板上的正投影范围内，所述保护结构层在所述衬底基板上的正投影边界与所述封装胶层在所述衬底基板上的正投影边界之间的距离为2mm～5mm。

可选地，所述第二无机保护层和所述第一无机保护层的材质相同，所述第一无机保护层的材质包括硅基材料，所述硅基材料包括氧化硅、氮化硅、碳氮化硅、氮氧化硅、碳氧化硅中的一种或多种。

为了解决上述技术问题，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括采用以上所述的方法形成的封装结构或者包括以上所述的封装结构。

本发明实施例提出的发光器件的封装方法，在形成保护结构层时，采用封装基板作为掩膜，不再需要单独采用掩膜板，从而避免了单独使用掩膜板带来的一系列问题。并且，该封装方法，在现有工艺基础上，只需要增加一步干刻工艺即可得到保护结构层图案，工艺流程简便、容易实现。另外，本发明实施例的封装方法中，形成的保护结构层在边缘处不存在阴影区域，更有利于实现产品的窄边框设计。采用干法刻蚀形成保护结构层图案，不采用湿法刻蚀，可以避免湿法刻蚀时液体进入显示面板中导致面板失效。

本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

附图说明

附图用来提供对本发明技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本发明的技术方案，并不构成对本发明技术方案的限制。

图1为相关技术中的一种显示面板的封装结构的示意图；

图2a为CVD结束后掩膜板与显示基板分离时的示意图；

图2b为图1中形成的第一无机保护层后的俯视示意图；

图2c为图1中第一无机保护层的边界结构示意图；

图3为本发明实施例发光器件的封装方法的示意图；

图4为本发明第一实施例制备的封装基板的结构示意图；

图5为本发明第一实施例制备的形成发光单元后的结构示意图；

图6为本发明第一实施例形成第一无机薄膜后的结构示意图；

图7为本发明第一实施例将封装基板贴附在第一无机薄膜上后的结构示意图；

图8a为本发明第一实施例形成第一无机保护层后的结构示意图；

图8b为图8a中A部分的放大示意图；

图9为本发明第一实施例形成的封装结构的结构示意图；

图10为本发明第二实施例形成有机保护层后的结构示意图；

图11为本发明第二实施例形成第二无机薄膜后的结构示意图；

图12为本发明第二实施例将封装基板贴附在第二无机薄膜上后的结构示意图；

图13a为本发明第二实施例形成保护结构层后的结构示意图；

图13b为图13a中的B部分的放大示意图；

图14为本发明第二实施例形成的封装结构的结构示意图；

图15为本发明第三实施例形成发光单元和挡墙后的结构示意图；

图16为本发明第三实施例形成第一无机薄膜后的结构示意图；

图17为本发明第三实施例形成有机保护层后的结构示意图；

图18为本发明第三实施例形成第二无机薄膜后的结构示意图；

图19为本发明第三实施例将封装基板贴附在第二无机薄膜上后的结构示意图；

图20为本发明第三实施例形成保护结构层后的结构示意图；

图21为本发明第三实施例形成的封装结构的结构示意图。

附图标记说明：

10—显示基板； 11—衬底基板； 12—发光单元；

13—挡墙； 20—封装基板； 21—封装盖板；

22—封装胶层； 31—第一无机保护层； 32—有机保护层；

33—第二无机保护层。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本发明的实施例进行详细说明。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。

图1为相关技术中的一种显示面板的封装结构的示意图。封装结构包括对合的显示基板10和封装基板20。显示基板10包括衬底基板11、设置在衬底基板11上的发光单元12和第一无机保护层31，第一无机保护层31覆盖在发光单元12上，阻隔水氧进入发光单元12内。封装基板20包括封装盖板21和封装胶层22，封装胶层22覆盖在第一无机保护层31上，封装盖板21设置在封装胶层22上。

为了形成第一无机保护层31的图案，需要采用掩膜板作为掩膜，通过CVD工艺在发光单元12上沉积硅基材料以形成第一无机保护层31的图案。在采用掩膜板作为掩膜的化学气相沉积过程中，掩膜板容易与膜层接触发生剐蹭，导致前面工序形成的膜层损伤。

图2a为CVD结束后掩膜板与显示基板分离时的示意图。在采用CVD形成第一无机保护层31过程中，掩膜板上会被沉积上与第一无机保护层31连接的无机材料。从而，当形成第一无机保护层31后，将掩膜板与显示基板分离时，掩膜板上的无机材料与第一无机保护层31断裂，从而，残留在掩膜板上的无机材料容易产生颗粒物，影响掩膜板的下一次使用。

图2b为图1中形成的第一无机保护层后的俯视示意图。从图2a和图2b中可以看出，掩膜板上的无机材料与第一无机保护层31断裂后，导致第一无机保护层31的边界不整齐。边界不整齐容易使得第一无机保护层31产生裂纹或微裂纹，裂纹或微裂纹会向显示区扩散，最终导致封装结构失效。而且，形成的第一无机保护层31的实际结构也没有达到目标所要求的结构。

此外，采用掩膜板进行CVD时，掩膜板上累积的电荷容易对显示基板造成静电击伤，影响显示面板的显示。同时，在等离子体轰击下，掩膜板表面会变得不平整，缩短了掩膜板的寿命，这就需要经常更换掩膜板，导致封装成本增加。

图2c为图1中第一无机保护层的边界结构示意图。结合图1和图2c，在采用掩膜板作为掩膜，通过CVD形成第一无机保护层时，在沉积过程中，一部分第一无机薄膜材料会沉积到被掩膜板覆盖的区域内，从而形成不能发挥很好的阻隔性能的阴影区域(shadow区域)。另外，阴影区域会占用一部分边框区域，不利于产品的超窄边框设计。

为了避免采用掩膜板作为掩膜带来的一系列问题，本发明实施例提出了一种发光器件的封装方法。图3为本发明实施例发光器件的封装方法的示意图，如图3所示，该封装方法包括，

S1：制备封装基板和包括结构层薄膜的显示基板；

S2：将所述封装基板贴附在所述结构层薄膜上；

S3：以所述封装基板为掩膜，对所述结构层薄膜进行刻蚀，形成保护结构层。

本发明实施例提出的发光器件的封装方法，在形成保护结构层时，采用封装基板作为掩膜，不再需要单独采用掩膜板，从而避免了单独使用掩膜板带来的一系列问题。并且，该封装方法，在现有工艺基础上，只需要增加一步干刻工艺即可得到保护结构层图案，工艺流程简便、容易实现。另外，本发明实施例的封装方法中，形成的保护结构层在边缘处不存在阴影区域，更有利于实现产品的窄边框设计。采用干法刻蚀形成保护结构层图案，不采用湿法刻蚀，可以避免湿法刻蚀时液体进入显示面板中导致面板失效。

下面将通过具体的实施例详细介绍本发明的技术内容。

第一实施例：

本发明第一实施例发光器件的封装方法，包括：

S1：制备封装基板20和包括结构层薄膜的显示基板。

S11：制备封装基板，具体包括：

图4为本发明第一实施例制备的封装基板的结构示意图。如图4所示，封装基板20包括封装盖板21和封装胶层22，封装胶层22设置在封装盖板21上。封装基板采用本领域常用制备工艺制备而成，在此不再赘述。在本实施例中，封装盖板21的材质为金属。封装胶层22的材质包括碳基材料，优选地，封装胶层22为由碳基材料制备而成的碳基薄膜。

S12：制备包括结构层薄膜的显示基板，具体包括：

提供衬底基板11；在衬底基板11上形成发光单元12，如图5所示，图5为本发明第一实施例形成发光单元后的结构示意图。发光单元12可以为OLED单元。可以采用本领域常用制备工艺在衬底基板11上形成发光单元12，在此不再赘述。

形成覆盖在发光单元12上的第一无机薄膜31’，如图6所示，图6为本发明第一实施例形成第一无机薄膜后的结构示意图。具体地，可以将显示基板10投入CVD工艺腔室内，在没有掩膜板的遮挡下，在发光单元12上沉积形成覆盖显示基板10上表面的第一无机薄膜31’。第一无机薄膜31’的材质包括硅基材料，硅基材料可以包括氧化硅、氮化硅、碳氮化硅、氮氧化硅、碳氧化硅中的一种或多种。

容易理解的是，S11和S12不存在实质的先后顺序，在具体实施中，还可以先进行S12，然后再进行S11，或者同时进行S11和S12。

S2：将封装基板贴附在结构层薄膜上。在本实施例中，具体为，将封装基板20贴附在第一无机薄膜31’上，如图7所示。

图7为本发明第一实施例将封装基板贴附在第一无机薄膜上后的结构示意图。具体地，将形成有第一无机薄膜31’的显示基板传入贴膜腔室，在贴膜腔室内将封装基板20贴附在第一无机薄膜31’上，使得封装胶层22朝向第一无机薄膜31’。

S3：以封装基板20为掩膜，对结构层薄膜进行刻蚀，形成保护结构层，保护结构层位于封装基板20在显示基板上的正投影范围内。在本实施例中，保护结构层包括第一无机保护层，因此，第一无机保护层在显示基板10上的正投影位于封装胶层22在显示基板10上的正投影范围内。

图8a为本发明第一实施例形成第一无机保护层后的结构示意图。图8b为图8a中A部分的放大示意图。以封装基板20为掩膜，对结构层薄膜进行刻蚀，形成保护结构层，具体为，以封装基板20为掩膜，对第一无机薄膜31’进行刻蚀，形成第一无机保护层31，如图8a所示。第一无机保护层31在衬底基板11上的正投影位于封装胶层22在衬底基板11上的正投影内。在具体实施中，将形成有第一无机薄膜31’的显示基板传入干刻腔室，在干刻腔室中，采用氟基气体作为刻蚀气体，以封装基板20为掩膜，对第一无机薄膜31’进行刻蚀，形成第一无机保护层31。氟基气体可以包括CF₄、NF₃、SF₆、CF₄/O₂、C₄F₈等中的一种或几种混合气体。

经发明人研究发现，干刻工艺包括化学反应过程和物理轰击过程。其中，化学反应过程是各向同性的刻蚀，可以在遮挡掩膜层下形成过刻区域，且等离子体(plasma)产生的自由基吸附在基板表面，反应后产生挥发性生成物，对刻蚀对象损伤小。物理轰击因电场产生的加速离子轰击基板材料，产生挥发性生成物，形成各向异性的刻蚀。干刻过程一般同时存在化学反应和物理轰击，但是可以通过工艺参数的调整，来改变两者在刻蚀中的主导地位。

发明人还发现，氟基气体无法对封装胶层22(主要材料为碳基材料)进行有效刻蚀，也就是说，氟基气体对硅基材料薄膜/碳基材料薄膜具有很高的刻蚀选择比，而且，单次干刻工艺也不会对金属材质的封装盖板产生损伤。因此，可以以包括封装胶层22和封装盖板21的封装基板20为掩膜，采用氟基气体作为干刻气体对第一无机薄膜31’进行刻蚀，而不会损伤封装基板20。另外，氟基气体具有各向同性的刻蚀特性，从而，形成的第一无机保护层31的外边缘相对于封装胶层22的外边缘靠近发光单元12，也就是说，第一无机保护层31在衬底基板11上的正投影位于封装胶层22在衬底基板11上的正投影范围内。在本实施例中，如图8b所示，第一无机保护层31的外边界与封装胶层22的外边界之间的距离d为可以为1mm～5mm，进一步，d优选为2mm～5mm。也就是说，保护结构层在显示基板10上的正投影边界(在本实施例中，即为第一无机保护层31在显示基板10上的正投影边界)与封装胶层22在显示基板10上的正投影边界之间的距离优选为2mm～5mm。

经发明人研究发现，通过调整刻蚀气体流量、混合刻蚀气体流量比或刻蚀腔室内气体压力等参数，可以调整等离子体能量和浓度，优化化学反应和物理轰击所占的比重，同时可以优化刻蚀的方向性，获得理想的刻蚀形貌。本发明实施例中，在对第一无机薄膜31’进行干刻时，通过调整刻蚀气体流量、混合刻蚀气体流量比或刻蚀腔室内气体压力等参数，可以控制形成的第一无机保护层31的边缘侧壁的坡度角。在本实施例中，如图8b所示，形成的保护结构层(在本实施例中，即为第一无机保护层31)的边缘侧壁的坡度角θ>85°，这样就保证了第一无机保护层31在边缘处就可以达到足够的厚度0.5um～2um，保证了边缘处的阻隔水氧性能，避免水氧侵入。并且，本实施例中，采用干刻工艺得到的第一无机保护层31的边界整齐，没有裂纹，避免了封装结构由于裂纹导致的失效。

在本实施例中，封装方法还可以包括，S4：将显示基板和封装基板进行压合，使得封装胶层与衬底基板相贴合。

图9为本发明第一实施例形成的封装结构的结构示意图。具体地，将形成有第一无机保护层31的显示基板与封装基板进行压合，使得封装胶层22与衬底基板11贴合。在具体实施中，将形成有第一无机保护层31的显示基板传入热压腔室，在热压腔室内，对显示基板和封装基板进行热压工序，使得封装胶层22与衬底基板11贴合，如图9所示。热压的温度为40℃～80℃。由于第一无机保护层31的外边界与封装胶层22的外边界之间的距离d为2mm～5mm，因此，封装胶层22与衬底基板11的贴合宽度也为2mm～5mm，这样的宽度可以充分发挥封装胶层22的吸湿阻隔性能，进一步阻隔了水氧进入封装结构内，提高了封装效果。

本发明实施例提出的发光器件的封装方法，在形成第一无机保护层时，采用封装基板作为掩膜，不再需要单独采用掩膜板，从而避免了单独使用掩膜板带来的一系列问题。并且，该封装方法，在现有工艺基础上，只需要增加一步干刻工艺即可得到第一无机保护层图案，工艺流程简便、容易实现。另外，本发明实施例的封装方法中，形成的第一无机保护层在边缘处不存在阴影区域，更有利于实现产品的窄边框设计。采用干法刻蚀形成第一无机保护层图案，不采用湿法刻蚀，可以避免湿法刻蚀时液体进入显示面板中导致面板失效。

第二实施例：

本发明第二实施例发光器件的封装方法，与第一实施例不同的是，在本实施例中，保护结构层包括第一无机保护层31、有机保护层32和第二无机保护层33。

本发明第二实施例发光器件的封装方法，包括：

S1：制备封装基板20和包括结构层薄膜的显示基板。在本实施例中，制备封装基板20的方法与第一实施例相同，在此不再赘述。

制备包括结构层薄膜的显示基板，具体包括：

提供衬底基板11；在衬底基板11上形成发光单元12，如图5所示。发光单元12可以为OLED单元。可以采用本领域常用制备工艺在衬底基板11上形成发光单元12，在此不再赘述。

形成覆盖在发光单元12上的第一无机薄膜31’，如图6所示。具体地，可以将显示基板10投入CVD工艺腔室内，在没有掩膜板的遮挡下，在发光单元12上沉积形成覆盖显示基板10上表面的第一无机薄膜31’。第一无机薄膜31’的材质包括硅基材料，硅基材料可以包括氧化硅、氮化硅、碳氮化硅、氮氧化硅、碳氧化硅中的一种或多种。

在第一无机薄膜31’形成有机保护层32，所述有机保护层32在所述衬底基板11上的正投影位于所述第一无机薄膜31’在所述衬底基板11上的正投影范围内，如图10所示。图10为本发明第二实施例形成有机保护层后的结构示意图。在本实施例中，有机保护层32的材质可以包括PET(聚对苯二甲酸乙二酯)、PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)、PI(聚酰亚胺)、PVC(聚氯乙烯)、PTFE(聚四氟乙烯)、光刻胶、环氧树脂等。可以采用已知的涂覆、曝光、显影等步骤形成有机保护层32的图案。

形成覆盖在有机保护层32上的第二无机薄膜33’，如图11所示，图11为本发明第二实施例形成第二无机薄膜后的结构示意图。具体地，可以将形成有机保护层后的基板投入CVD工艺腔室内，在没有掩膜板的遮挡下，在有机保护层32上沉积形成覆盖第一无机薄膜31’上表面的第二无机薄膜33’。第二无机薄膜的材质与第一无机薄膜的材质可以相同。

S2：将封装基板贴附在结构层薄膜上。在本实施例中，具体为，将封装基板20贴附在第二无机薄膜33’上，如图12所示。

图12为本发明第二实施例将封装基板贴附在第二无机薄膜上后的结构示意图。具体地，将形成有第二无机薄膜的显示基板传入贴膜腔室，在贴膜腔室内将封装基板20贴附在第二无机薄膜33’上，使得封装胶层22朝向第二无机薄膜33’。

S3：以封装基板20为掩膜，对结构层薄膜进行刻蚀，形成保护结构层，保护结构层在位于封装基板20在显示基板10上的正投影范围内。在本实施例中，保护结构层包括第一无机保护层31、第二无机保护层33以及设置在第一无机保护层31和第二无机保护层33之间的有机保护层32，如图13a所示，图13a为本发明第二实施例形成保护结构层后的结构示意图，图13b为图13a中的B部分的放大示意图。

在本实施例中，由于有机层32在衬底基板11上的正投影位于第一无机薄膜31’在衬底基板11上的正投影范围内，如图12所示，并且，第二无机薄膜33’的材质与第一无机薄膜31’的材质相同，因此，以封装基板20为掩膜，对结构层薄膜进行刻蚀，具体为，以封装基板20为掩膜，对第一无机薄膜31’和第二无机薄膜33’进行刻蚀，形成第一无机保护层31和第二无机保护层33，如图13a所示。

在本实施例中，对第一无机薄膜31’和第二无机薄膜33’进行刻蚀所采用的刻蚀方法与第一实施例完全相同，在此不再赘述。

由于第一无机保护层31和第二无机保护层33的材质相同，所以，刻蚀形成的第一无机保护层31的边缘和第二无机保护层33的边缘光滑连接，在本实施例中，保护结构层的边缘包括光滑连接的第一无机保护层31的边缘和第二无机保护层33的边缘。如图13b所示，在本实施例中，保护结构层的边缘侧壁的坡度角θ>85°，保护结构层在衬底基板11上的正投影边界与封装胶层22在衬底基板11上的正投影边界之间的距离d优选为2mm～5mm。

在本实施例中，封装方法也可以包括，S4：将显示基板和封装基板进行压合，使得封装胶层与衬底基板贴合，如图14所示，图14为本发明第二实施例形成的封装结构的结构示意图。该步骤与第一实施例相同，在此不再赘述。

第三实施例：

本发明第三实施例发光器件的封装方法，与第二实施例不同的是，在本实施例中，显示基板还包括设置在衬底基板11的朝向发光单元12的一侧上且围绕发光单元12的挡墙13。

本发明第三实施例发光器件的封装方法，包括：

S1：制备封装基板20和包括结构层薄膜的显示基板。在本实施例中，制备封装基板20的方法与第一实施例相同，在此不再赘述。

制备包括结构层薄膜的显示基板，具体包括：

提供衬底基板11；在衬底基板11的一侧表面上形成发光单元12和挡墙13，挡墙13围绕发光单元12，如图15所示，图15为本发明第三实施例形成发光单元和挡墙后的结构示意图。挡墙13与发光单元12之间存在间隙，挡墙13的高度大于发光单元12的高度，挡墙13的材质为有机材料，具体地，挡墙13的材质可以包括PET(聚对苯二甲酸乙二酯)、PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)、PI(聚酰亚胺)、PVC(聚氯乙烯)、PTFE(聚四氟乙烯)、光刻胶、环氧树脂等中的一种或多种。发光单元12通常为OLED单元，在制备显示基板时，制备出包括薄膜晶体管的衬底基板11后，可以在衬底基板11的上侧面上形成挡墙13，然后再通过蒸镀完成OLED单元的制备。由于挡墙13的材质为有机材质，可以采用涂覆、曝光、显影等步骤形成挡墙13的结构。

形成覆盖在发光单元12和挡墙13上的第一无机薄膜31’，如图16所示，图16为本发明第三实施例形成第一无机薄膜31’后的结构示意图。具体地，可以将形成发光单元和挡墙的显示基板投入CVD工艺腔室内，在没有掩膜板的遮挡下，在发光单元12和挡墙13上沉积形成覆盖显示基板10上表面的第一无机薄膜31’。第一无机薄膜31’的材质包括硅基材料，硅基材料可以包括氧化硅、氮化硅、碳氮化硅、氮氧化硅、碳氧化硅中的一种或多种。

在第一无机薄膜31’形成有机保护层32，有机保护层32位于挡墙13所围设的区域内，如图17所示，图17为本发明第三实施例形成有机保护层32后的结构示意图。

具体地，可以采用喷墨打印(Inkjet Print，IJP)工艺在挡墙13所围设的区域内打印有机薄膜材料，以形成有机保护层32。采用喷墨打印工艺向挡墙13所围设的区域内打印有机薄膜材料时，在挡墙13的阻挡作用下，有机薄膜材料不会流道挡墙13所围设区域的外部，保证了有机保护层形成在挡墙13所围设的区域内。在本实施例中，有机保护层32的材质可以包括PET(聚对苯二甲酸乙二酯)、PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)、PI(聚酰亚胺)、PVC(聚氯乙烯)、PTFE(聚四氟乙烯)、光刻胶、环氧树脂等。

形成覆盖在有机保护层32上的第二无机薄膜33’，如图18所示，图18为本发明第三实施例形成第二无机薄膜后的结构示意图。形成第二无机薄膜33’的方法与第二实施例相同，在此不再赘述。在本实施例中，第二无机薄膜33’的材质与第一无机薄膜31’的材质相同。

S2：将封装基板贴附在结构层薄膜上。在本实施例中，具体为，将封装基板20贴附在第二无机薄膜33’上，如图19所示。

图19为本发明第三实施例将封装基板贴附在第二无机薄膜上后的结构示意图。具体地，将形成有第二无机薄膜的显示基板传入贴膜腔室，在贴膜腔室内将封装基板20贴附在第二无机薄膜33’上，使得封装胶层22朝向第二无机薄膜33’。

S3：以封装基板20为掩膜，对结构层薄膜进行刻蚀，形成保护结构层，保护结构层在位于封装基板20在显示基板10上的正投影范围内。在本实施例中，保护结构层包括第一无机保护层31、第二无机保护层33以及设置在第一无机保护层31和第二无机保护层33之间的有机保护层32，如图20所示，图20为本发明第三实施例形成保护结构层后的结构示意图。

在本实施例中，由于有机层32在衬底基板11上的正投影位于第一无机薄膜31’在衬底基板11上的正投影范围内，如图17所示，并且，第二无机薄膜33’的材质与第一无机薄膜31’的材质相同，因此，以封装基板20为掩膜，对结构层薄膜进行刻蚀，具体为，以封装基板20为掩膜，对第一无机薄膜31’和第二无机薄膜33’进行刻蚀，形成第一无机保护层31和第二无机保护层33，如图20所示。

在本实施例中，对第一无机薄膜31’和第二无机薄膜33’进行刻蚀所采用的刻蚀方法与第一实施例完全相同，在此不再赘述。

由于第一无机保护层31和第二无机保护层33的材质相同，所以，刻蚀形成的第一无机保护层31的边缘和第二无机保护层33的边缘光滑连接，在本实施例中，保护结构层的边缘包括光滑连接的第一无机保护层31的边缘和第二无机保护层33的边缘。如图13b所示，在本实施例中，保护结构层的边缘侧壁的坡度角θ>85°，保护结构层在衬底基板上的正投影边界与封装胶层22在衬底基板11上的正投影边界之间的距离优选为2mm～5mm。

在本实施例中，封装方法也可以包括，S4：将形成有保护结构层的显示基板和封装基板进行压合，使得封装胶层与衬底基板贴合，如图21所示，图21为本发明第三实施例形成的封装结构的结构示意图。该步骤与第一实施例相同，在此不再赘述。

本发明实施例形成的封装结构，如图21所示，包括：

显示基板，所述显示基板包括衬底基板11、设置在所述衬底基板11上的发光单元12以及设置在所述衬底基板11的朝向所述发光单元12的一侧上且围绕所述发光单元的挡墙13。

显示基板还包括保护结构层。保护结构层包括覆盖在所述发光单元和所述挡墙上的第一无机保护层31、设置在所述第一无机保护层31上且位于所述挡墙13所围设区域内的有机保护层32以及覆盖在所述有机保护层32上的第二无机保护层33。

封装基板，覆盖在所述保护结构层上，所述保护结构层在所述衬底基板11上的正投影位于所述封装基板在所述衬底基板11上的正投影范围内。

进一步，所述保护结构层的边缘侧壁的坡度角θ>85°。

进一步，所述封装基板包括封装盖板21和设置在所述封装盖板21的朝向所述保护结构层一侧上的封装胶层22，所述保护结构层在所述衬底基板11上的正投影位于所述封装胶层22在所述衬底基板11上的正投影范围内，所述保护结构层在所述衬底基板11上的正投影边界与所述封装胶层22在所述衬底基板11上的正投影边界之间的距离为2mm～5mm，所述封装胶层22的下表面与所述衬底基板11的上表面相贴合。

本发明实施例提出的发光器件的封装方法，在形成第一无机保护层和第二无机保护层时，采用封装基板作为掩膜，不再需要单独采用掩膜板，从而避免了单独使用掩膜板带来的一系列问题。并且，该封装方法，在现有工艺基础上，只需要采用干刻工艺即可得到第一无机保护层和第二无机保护层图案，工艺流程简便、容易实现。另外，本发明实施例的封装方法中，形成的保护结构层在边缘处不存在阴影区域，更有利于实现产品的窄边框设计。本发明实施例中，采用干法刻蚀形成第一无机保护层和第二无机保护层图案，采用喷墨打印方法形成有机保护层，也就是说，形成保护结构层的过程中，封框结构不会接触到显影液等溶液，可以避免液体进入显示面板中导致面板失效。

第四实施例：

基于前述实施例的发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括采用前述实施例的封装方法形成的封装结构。显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

在本发明实施例的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

在本发明实施例的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

虽然本发明所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本发明而采用的实施方式，并非用以限定本发明。任何本发明所属领域内的技术人员，在不脱离本发明所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本发明的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (14)

1.一种发光器件的封装方法，其特征在于，包括：

制备封装基板和包括结构层薄膜的显示基板；

将所述封装基板贴附在所述结构层薄膜上；

以所述封装基板为掩膜，对所述结构层薄膜进行刻蚀，形成保护结构层。

2.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述制备包括结构层薄膜的显示基板，包括：

提供衬底基板；

在所述衬底基板上形成发光单元；

形成覆盖在所述发光单元上的第一无机薄膜，

所述对所述结构层薄膜进行刻蚀，包括，对所述第一无机薄膜进行刻蚀。

3.根据权利要求2所述的封装方法，其特征在于，所述制备包括结构层薄膜的显示基板，还包括：

在所述第一无机薄膜上形成有机保护层，所述有机保护层在所述衬底基板上的正投影位于所述第一无机薄膜在所述衬底基板上的正投影范围内；

形成覆盖在所述有机保护层上的第二无机薄膜，

所述对所述结构层薄膜进行刻蚀，还包括，对所述第二无机薄膜进行刻蚀。

4.根据权利要求3所述的封装方法，其特征在于，

在所述形成覆盖在所述发光单元上的第一无机薄膜之前，所述制备包括结构层薄膜的显示基板，还包括：在所述衬底基板的朝向所述发光单元一侧表面上形成围绕所述发光单元的挡墙，所述第一无机薄膜覆盖所述挡墙，

所述在所述第一无机薄膜上形成有机保护层，包括：采用喷墨打印工艺在所述第一无机薄膜上形成有机保护层，所述有机保护层位于所述挡墙所围设的区域内。

5.根据权利要求2所述的封装方法，其特征在于，所述第一无机薄膜的材质包括硅基材料，所述硅基材料包括氧化硅、氮化硅、碳氮化硅、氮氧化硅、碳氧化硅中的一种或多种。

6.根据权利要求3所述的封装方法，其特征在于，所述第二无机薄膜和所述第一无机薄膜的材质相同，所述第一无机薄膜的材质包括硅基材料，所述硅基材料包括氧化硅、氮化硅、碳氮化硅、氮氧化硅、碳氧化硅中的一种或多种。

7.根据权利要求1～6中任意一项所述的封装方法，其特征在于，所述刻蚀为干法刻蚀，刻蚀气体包括CF₄、NF₃、SF₆、CF₄/O₂、C₄F₈中的一种或多种。

8.根据权利要求7所述的封装方法，其特征在于，所述保护结构层的边缘侧壁的坡度角θ>85°。

9.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述封装基板包括封装盖板和设置在所述封装盖板的朝向所述保护结构层一侧上的封装胶层，所述保护结构层位于所述封装胶层在所述显示基板上的正投影范围内，

所述保护结构层的边界与所述封装胶层在所述显示基板上的正投影边界之间的距离为2mm～5mm。

10.一种发光器件的封装结构，其特征在于，包括

显示基板，包括衬底基板、设置在所述衬底基板上的发光单元以及设置在所述衬底基板的朝向所述发光单元的一侧上且围绕所述发光单元的挡墙，还包括保护结构层，所述保护结构层包括覆盖在所述发光单元和所述挡墙上的第一无机保护层、设置在所述第一无机保护层上且位于所述挡墙所围设区域内的有机保护层以及覆盖在所述有机保护层上的第二无机保护层；

封装基板，覆盖在所述保护结构层上。

11.根据权利要求10所述的封装结构，其特征在于，所述保护结构层的边缘侧壁的坡度角θ>85°。

12.根据权利要求10所述的封装结构，其特征在于，所述封装基板包括封装盖板和设置在所述封装盖板的朝向所述保护结构层一侧上的封装胶层，所述保护结构层在所述衬底基板上的正投影位于所述封装胶层在所述衬底基板上的正投影范围内，所述保护结构层在所述衬底基板上的正投影边界与所述封装胶层在所述衬底基板上的正投影边界之间的距离为2mm～5mm。

13.根据权利要求10所述的封装结构，其特征在于，所述第二无机保护层和所述第一无机保护层的材质相同，所述第一无机保护层的材质包括硅基材料，所述硅基材料包括氧化硅、氮化硅、碳氮化硅、氮氧化硅、碳氧化硅中的一种或多种。

14.一种显示装置，其特征在于，包括采用权利要求1～9中任意一种方法形成的封装结构或者包括权利要求10～13中任意一项所述的封装结构。