CN108603898A - 用于放置测试触点和与测试触点接触的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种用于放置接触元件和与接触元件接触的方法，所述接触元件尤其构成为测试触点装置的测试触点，其中将设有接触元件保持装置的接触头与容纳在接触元件保持装置中的接触元件在馈送轴线的方向上抵靠连接材料沉积部的接触表面放置，以在接触元件和设置在触点载体的接触面上的连接材料沉积部之间构成热传递面，并且为了实现至少部分地熔化连接材料沉积部和为了在接触元件和连接材料沉积部之间建立材料配合的连接，借助于对接触元件加载热能来将热能引入到连接材料沉积部中，其中在加载期间，测量接触元件的温度T，并且根据接触元件的温度T的所求出的温度梯度dT/dt来限定加载的持续时间。

Description

用于放置测试触点和与测试触点接触的方法
技术领域
本发明涉及一种用于放置接触元件和与接触元件接触的方法，所述接触元件尤其构成为测试触点装置的测试触点，其中将设有接触元件保持装置的接触头与容纳在接触元件保持装置中的接触元件在馈送轴线的方向上抵靠连接材料沉积部的接触表面放置，以在接触元件和设置在触点载体的接触面上的连接材料沉积部之间构成热传递面，并且为了实现至少部分地熔化连接材料沉积部和为了在接触元件和连接材料沉积部之间建立材料配合的连接，借助于对接触元件加载热能来将热能引入到连接材料沉积部中。
背景技术
具有多个测试触点的测试触点装置设置在共同的测试平台上，所述测试平台设有用于操控各个测试触点的操控装置。在此，测试触点处于对应于设置在晶圆复合物中的芯片的矩阵布置中，使得经由各个测试触点，与在晶圆平面上的各个芯片限定地接触是可行的。
为了制造测试触点装置，各个测试触点对应于其接触端的期望的矩阵布置设置在构成为测试电路板的触点载体上，并且与构成在测试电路板上的接触面焊接。由于每个测试电路板上的测试触点的密度高和从而引起测试触点彼此间的间距小，存在对电学方面可靠地且位置精确地与电路板上的测试触点接触的特别高的要求。
因为设置在晶圆复合物中的各个芯片处于共同的、通过晶圆表面限定的晶圆平面中，所以对于应借助于统一的接触力进行与各个芯片的接触重要的是：设置在矩阵布置中的测试触点的接触端也处于共同的接触平面中。对此，各个测试触点的接触端必须相对于测试电路板的触点载体以统一的触点间距设置。因此，在将测试触点放置在触点载体的接触面上的情况下，不仅将测试触点定位在平行于触点载体的表面的X、Y平面中，而且此外也沿着垂直于触点载体的表面的Z轴线进行定位，以便实现接触端相对于触点载体的表面的一致的触点间距。
在至今为止的实践中，对此，借助于限定的接触力将测试触点抵靠设置在触点载体的接触面上的连接材料沉积部的表面放置和经过足够长的加热持续时间加热测试触点，所述加热确保：连接材料沉积部至少熔化至，使得测试触点的下方的接触边缘嵌入熔化的连接材料沉积部中，并且随后经由接触头沿Z轴线方向的适当的调节运动能够设定期望的触点间距。随后，从接触头的测试触点保持装置中释放测试触点。
在至今为止的实践中，在放置测试触点和与测试触点接触时以恒定的加热持续时间进行接触，尤其根据连接材料沉积部的材料组成以经验为依据求出所述加热持续时间。在此被证实：尤其由于各个连接材料沉积部的部分不同的形态，实际上相应地需要不同的加热时间，以便实现连接材料沉积部的至少部分的熔化，该熔化确保：测试触点的下方的接触边缘嵌入连接材料沉积部中，并且能够设定期望的统一的触点间距，其中所述不同的形态引起连接材料沉积部的不同的表面拓扑结构。
由于在实践中恒定地设定的加热时间，所以能够发生：由于连接材料沉积部的一部分不充分的熔化，造成测试触点的同一矩阵布置中的不同大小的触点间距。
发明内容
因此，本发明所基于的目的是：提出一种用于放置测试触点和与测试触点接触的方法，所述方法确保相对于触点载体设定限定的触点间距。
为了实现该目的，根据本发明的方法具有权利要求1的特征。
根据本发明，在对接触元件加载热能期间，测量接触元件的温度，并且根据接触元件温度的所求出的温度梯度来限定加载持续时间。
本发明利用以下知识：从加载热能的接触元件到连接材料沉积部的热传递主要与在接触元件和连接材料沉积部的表面之间构成的热传递面相关。在此，热传递面主要通过连接材料沉积部的表面拓扑结构来得出，然而也通过继续部分地熔化连接材料沉积部经过加热持续时间来改变所述表面拓扑结构。这对接触元件温度的温度梯度具有直接影响，所述温度梯度由从接触元件到连接材料沉积部的热传递中得出。这表示：在构成在接触元件和连接材料沉积部之间的实体接触的开始阶段中，由于连接材料沉积部的很大程度裂开的表面拓扑结构而构成相对小的热传递面和相应小的温度梯度，因为仅将相应小的热量从接触元件传递到连接材料沉积部上。在接触元件继续加热期间后续的传递阶段中，由于连接材料沉积部继续熔化，造成使表面拓扑结构平整，其中相应地增大热传递面从而增大温度梯度。最后，在加热持续时间的最终阶段中，由于连接材料沉积部继续熔化，造成接触元件的接触边缘嵌入到连接材料沉积部中并且再一次提高温度梯度。
因此，根据本发明的方法利用接触元件温度的温度梯度的变化曲线和连接材料沉积部的熔化状态之间的关联。借此，能够针对接触元件和连接材料沉积部之间的每个单独的接触来个体地限定加热持续时间，使得确保：对接触元件的温度加载刚好进行如下长度的时间，所述时间是对于作为设定限定的触点间距的前提充分地熔化连接材料沉积部所必需的。
除了借此能够避免接触元件和连接材料沉积部之间的接触错误之外，借此能够将用于加热接触元件持续时间降低到最小值，使得能够降低用于制造具有多个接触元件的测试触点装置的制造时间，所述接触元件以矩阵布置设置在触点载体上并且构成为测试触点。
可选地，能够根据温度梯度的变化曲线或值对触点加载热能。
如果借助于激光辐射来对接触元件加载热能，那么能够进行到接触元件中的直接的热量输入，所述热量输入实现为接触元件设定精确限定的加热变化曲线。
尤其有利的是：在达到限定的温度梯度之后和在加载热能结束之前，改变接触头相对于触点载体的相对位置，以设定与连接材料沉积部材料配合地连接的接触元件在触点载体上的限定的相对位置。
尤其有利的是：为了设定接触元件在触点载体上的限定的相对位置，在馈送轴线上调整接触头。
优选地，在接触元件成功定位且随对接触元件加载热能结束之后的接触元件的冷却阶段之后，从测试触点保持装置中释放接触元件。
接触元件的温度的测量能够借助于测量由接触元件的基准表面反射的热辐射来进行，使得无接触的温度测量是可行的。
尤其有利的是：基准表面与接触元件的吸收表面一致，对所述吸收表面加载热能，使得在借助于激光辐射对接触元件进行温度加载的情况下，能够将同一辐射通道用于温度加载和用于温度测量。
对此，能够以特别有利的方式借助于设置在光路中的分光镜进行温度测量，所述光路用于对吸收表面加载激光辐射，通过所述分光镜将红外射束部分从由吸收表面反射的辐射中耦合输出，以加载传感器装置。
根据一个可行的变型形式，基准表面通过测试触点的与吸收表面相对置的表面形成，其中于是能够以尤其有利的方式借助于定向到基准表面上的射束通道进行温度测量，所述射束通道定向到传感器装置上。
在方法的一个优选的实施方式中，借助于与用于对接触元件加载激光的激光装置的调节装置相关联的传感器装置进行温度测量，其中调节装置根据基于传感器输出信号求出的温度梯度调节激光装置的运行。
附图说明
在下文中，将参考所附的附图详细阐述本发明的优选的实施方式。
附图示出：
图1以第一实施方式示出用于将测试触点放置和接触在触点载体上的接触头；
图2示出而将测试触点放置在在触点载体上，以制造测试触点装置；
图3示出在测试触点与触点载体的接触面接触期间的具有容纳在测试触点保持装置中的测试触点的接触头；
图4示出在第一接触阶段中的在测试触点和设置在触点载体的接触面上的连接材料沉积部之间的接触过程；
图5示出在第二接触阶段中的接触过程；
图6示出在第三接触阶段中的接触过程；
图7示出用于放置测试触点和与测试触点接触的接触头的另一实施例。
具体实施方式
图1示出接触头10，所述接触头具有固定在接触头10的接触头基座11上的触点管口12，所述触点管口具有设置在接触头10的射束通道13的轴向延长部中的射束通道14，所述射束通道14终止于触点管口12在接触元件保持装置15中的自由端部处，所述接触元件保持装置如图2和3中可见那样用于容纳接触元件16。
如从图2和3的总览中显而易见的是：接触元件保持装置15实现将接触元件16以定位的方式容纳在射束通道14的通道口18的开口横截面17中，所述通道口构成在接触元件保持装置15中。为了产生用于将接触元件16保持在接触元件保持装置15中的保持力，经由射束通道13和14对容纳在接触元件保持装置15中的接触元件16加载负压。
为了以定位的方式容纳接触元件16，接触元件保持装置15具有两个定位面19、20，所述定位面如尤其从图2和3的总览中可见那样，实现接触元件16以后侧21贴靠在定位面19上和以上部的上边缘23贴靠在定位面20上，所述上边缘在此由接触元件16的触点托架22构成。在此，定位面19、20设置在通道口18上，使得如图3中示出那样，后侧21以角度α设置在通道轴线24上。
如图1中所示出，在构成在接触头10中的射束通道13的上端部处设有射束耦合输入装置25，所述射束耦合输入装置具有聚焦装置26和定心装置27，所述聚焦装置和定心装置实现将由设置在接触头10之上的激光装置28发射的激光辐射29聚焦和定心到接触元件16的后侧21上，所述接触元件容纳在接触元件保持装置15中。
如图1还示出，在接触头10的射束通道13中设有分光镜30，所述分光镜实现将由接触元件16的后侧21反射的红外辐射部分31从反射辐射43中辐射耦合输出。红外辐射部分31输送给传感器装置32，借助于所述传感器装置通过对接触元件16加载激光辐射29进行测试触点16的温度T的测量，并且所述传感器装置将对应于接触元件16的借助于传感器装置32测量的温度的传感器输出信号33输送给调节装置34，所述调节装置基于传感器输出信号33求出接触元件16的温度的温度梯度，并且根据温度梯度实施激光装置的操控，使得影响由激光装置28发射的激光辐射29的脉冲持续时间或脉冲频率和/或功率。
如根据图3中的视图显而易见的是：通过将接触元件16容纳在接触元件保持装置15中，在接触元件16的后侧21上限定吸收表面35，所述吸收表面加载有激光辐射29。为了借助于传感器装置32测量测试触点16的温度，吸收表面35同时构成决定性的反射面，所述传感器装置如在图1中示出那样经由分光镜30加载红外辐射部分31。
在图4至6中示意地示出将接触元件16放置在触点载体37的接触面36上之后进行的接触过程，其中接触元件16的下方的接触边缘44用于贴靠在由连接材料沉积部38形成的接触表面39上。
在第一接触阶段中，接触元件16以其下部的接触边缘44贴靠在连接材料沉积部38的接触表面39上，所述接触表面在表面粗糙度方面还裂开地构成，其中热传递面仅在接触表面39的表面尖端41的区域中构成。始于连接材料沉积部38的所述仍然刚性的状态，对接触元件16的后侧21加载激光辐射29。
如在图4中所示出，由于接触元件16和连接材料38之间的热传递面首先极其小，基于通过激光辐射29在接触元件16中产生的温度T得到从接触元件16到连接材料沉积部38中的相对小的放热，进而得到接触元件16的温度T中的相应小的温度下降或温度梯度dT/dt1，所述温度由传感器装置32(图1)借助于由后侧21反射的红外辐射部分31测量。
如图5所示出，在第二接触阶段中，通过加载激光辐射29，在触点管口12沿着馈送轴线45相对于接触表面39的接触压力的同时作用下，至少部分地熔化连接材料沉积部38，根据图5中示出的第二接触阶段，部分地使表面尖端41平整，其中相应地增大接触元件16的接触边缘44和连接材料沉积部38之间的热传递面，其中接触头10在所述馈送轴线上朝向触点载体37移动。
如图5中的接触元件16的温度T的温度变化曲线所示出，为了补偿温度梯度通过相应地操控激光装置28提高温度T，使得提高功率，或者在激光装置以脉冲运行来运行时，进行另一脉冲或提高脉冲频率。由于部分地熔化连接材料沉积部38，增大了热传递面，使得对应于较大的温度梯度dT/dt2的构成方式进行加强的放热。
如图6所示出，通过相应的激光操控和从而引起的温度T的提高补偿接触元件16的温度T中的与上述情况关联的再次的温度下降，其中由于继续部分地熔化连接材料沉积部和从而引起接触边缘44嵌入连接材料沉积部38中，结果是首先构成再更高的温度梯度dT/dt3，使得所述温度梯度用作为用于在连接材料沉积部38和接触元件16之间的材料配合连接的在图6中示出的状态的参数，使得现在后续地通过将接触头10在馈送轴线45上相应地移动而改变触点管口12相对于触点载体37的间距的方式，能够设定在接触元件16的触点托架上构成的接触端42相对于触点载体37的触点间距a。在设定触点间距a之后，切断激光加载，使得冻结接触元件16在触点载体37上的通过接触过程达到的相对定位，并且通过切断接触元件16的负压加载能够从接触元件保持装置15中释放接触元件16。
图7示出接触头50的另一可行的实施方式，所述接触头基本上与接触头10一致地构成，除了借助于对准到接触元件保持装置15上的、在接触头基座51中构成的另一射束通道52测量容纳在接触元件保持装置15中的接触元件16的温度T以外，使得通过射束通道52将由容纳在接触元件保持装置15中的接触元件16的前侧53反射的红外辐射部分31输送给传感器装置54。

Claims (12)

1.一种用于放置接触元件和与接触元件(16)接触的方法，所述接触元件尤其构成为测试触点装置的测试触点，其中将设有接触元件保持装置(15)的接触头(10，50)与容纳在所述接触元件保持装置中的所述接触元件在馈送轴线(45)的方向上抵靠连接材料沉积部的接触表面(39)放置，以在所述接触元件和设置在触点载体(37)的接触面(36)上的所述连接材料沉积部(38)之间构成热传递面，并且为了实现至少部分地熔化所述连接材料沉积部和为了在所述接触元件和所述连接材料沉积部之间建立材料配合的连接，借助于对所述接触元件加载热能来将热能引入到所述连接材料沉积部中，
其特征在于，
在所述加载期间，测量所述接触元件(16)的温度T，并且根据所述接触元件(16)的温度T的所求出的温度梯度dT/dt来限定所述加载的持续时间。
2.根据权利要求1所述的方法，
其特征在于，
根据所述温度梯度dT/dt的值或变化曲线来对所述接触元件(16)加载热能。
3.根据权利要求1或2所述的方法，
其特征在于，
借助于激光辐射(29)来对所述接触元件(16)加载热能。
4.根据上述权利要求中任一项所述方法，
其特征在于，
在达到限定的温度梯度dT/dt之后并且在结束对所述接触元件(16)加载热能之前，改变所述接触头相对于所述触点载体(37)的相对位置，以设定与所述连接材料沉积部(38)材料配合地连接的所述接触元件在所述触点载体上所限定的相对位置。
5.根据权利要求4所述的方法，
其特征在于，
为了设定所述接触元件(16)在所述触点载体(37)上所限定的相对位置，在所述馈送轴线(45)上调节所述接触头(10，50)。
6.根据权利要求5所述的方法，
其特征在于，
在所述接触元件的成功定位和所述接触元件的冷却阶段之后，从所述测试触点保持装置(15)中释放所述接触元件，其中所述冷却阶段跟随在结束对所述接触元件(16)加载热能之后。
7.根据上述权利要求中任一项所述方法，
其特征在于，
借助于测量由所述接触元件的基准表面反射的热辐射来进行所述接触元件(16)的温度测量。
8.根据权利要求7所述的方法，
其特征在于，
所述基准表面与所述接触元件(16)的吸收表面(35)一致，对所述吸收表面加载热能。
9.根据权利要求7所述的方法，
其特征在于，
所述基准表面通过所述接触元件(16)的与所述吸收表面(35)相对置的表面形成。
10.根据上述权利要求中任一项所述方法，
其特征在于，
借助于设置在光路(13)中的分光镜(30)进行温度测量，所述光路用于对所述吸收表面(35)加载激光辐射(29)，借助于所述分光镜将红外射束部分(31)从由所述吸收表面反射的辐射中耦合输出，以加载传感器装置(32)。
11.根据权利要求8所述的方法，
其特征在于，借助于定向到所述基准表面上的射束通道(52)进行温度测量，所述射束通道定向到传感器装置(54)上。
12.根据上述权利要求中任一项所述方法，
其特征在于，
借助于传感器装置(32，54)进行温度测量，所述传感器装置与用于对所述接触元件(16)加载激光的激光装置(28)的调节装置(34)相关联，其中所述调节装置根据基于传感器输出信号求出的温度梯度dT/dt调节所述激光装置的运行。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102017105600A1 (de) 2017-03-16 2018-09-20 Bruker Daltonik Gmbh Trennung von Tropfenflüssigkeit und davon umschlossenem sedimentierten Material
DE102018119137B4 (de) * 2018-08-07 2021-08-19 Pac Tech-Packaging Technologies Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Reparatur einer Prüfkontaktanordnung

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5122635A (en) * 1989-12-01 1992-06-16 Messerschmitt-Bolkow-Blohm Gmbh Laser soldering system for smd-components
JP2000040712A (ja) * 1998-07-22 2000-02-08 Shibuya Kogyo Co Ltd ボンディング装置
JP2000218383A (ja) * 1999-01-28 2000-08-08 Suzuki Motor Corp レーザ溶接における溶接温度制御方法
WO2009156505A1 (de) * 2008-06-26 2009-12-30 Reis Robotics Gmbh & Co. Maschinenfabrik Verfahren und vorrichtung zum verbinden von bauteilen mittels laserstrahlung
US20110235681A1 (en) * 2008-10-17 2011-09-29 Ghassem Azdasht Device for Positioning and Contacting Test Contacts
CN102205464A (zh) * 2010-02-26 2011-10-05 徕斯机器人（上海）有限公司 物质决定地连接材料的方法和装置
DE102010039238A1 (de) * 2010-08-12 2012-02-16 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Vernetzung von Polymeren
CN203936498U (zh) * 2013-12-19 2014-11-12 派克泰克封装技术有限公司 用于单独施加焊料堆的设备

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4970365A (en) * 1989-09-28 1990-11-13 International Business Machines Corporation Method and apparatus for bonding components leads to pads located on a non-rigid substrate
JP2824499B2 (ja) * 1992-06-04 1998-11-11 ミヤチテクノス株式会社 溶接良否判定方法及び装置
DE19549635B4 (de) * 1995-02-15 2004-12-09 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Verbindung eines flexiblen Substrats mit einem Chip
DE19602591A1 (de) 1996-01-25 1997-07-31 Braun Ag Kontaktelement für einen elektrischen Leiter
TW440699B (en) * 1998-06-09 2001-06-16 Advantest Corp Test apparatus for electronic parts
US7071714B2 (en) * 2001-11-02 2006-07-04 Formfactor, Inc. Method and system for compensating for thermally induced motion of probe cards
JP4088121B2 (ja) * 2002-08-14 2008-05-21 富士通株式会社 コンタクタの製造方法
JP4286182B2 (ja) * 2004-05-13 2009-06-24 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 電気的接続方法
KR100696856B1 (ko) * 2004-09-30 2007-03-20 주식회사 디이엔티 평판표시장치의 ｔｃｐ 출력핀 접속 오류 테스트 장치 및방법과 평판표시장치의 오류 테스트 시스템
JP2008232722A (ja) 2007-03-19 2008-10-02 Advantest Corp コンタクタの実装方法及びコンタクタ実装装置
JP5755182B2 (ja) * 2012-06-01 2015-07-29 株式会社フジクラ 接合方法、接合装置、制御装置、およびプログラム
DE102015114129A1 (de) 2015-08-26 2017-03-02 Pac Tech - Packaging Technologies Gmbh Vorrichtung zur Entfernung eines Prüfkontakts einer Prüfkontaktanordnung
US20170117241A1 (en) * 2015-10-22 2017-04-27 Suss Microtec Photonic Systems Inc. Maskless selective retention of a cap upon a conductor from a nonconductive capping layer

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5122635A (en) * 1989-12-01 1992-06-16 Messerschmitt-Bolkow-Blohm Gmbh Laser soldering system for smd-components
JP2000040712A (ja) * 1998-07-22 2000-02-08 Shibuya Kogyo Co Ltd ボンディング装置
JP2000218383A (ja) * 1999-01-28 2000-08-08 Suzuki Motor Corp レーザ溶接における溶接温度制御方法
WO2009156505A1 (de) * 2008-06-26 2009-12-30 Reis Robotics Gmbh & Co. Maschinenfabrik Verfahren und vorrichtung zum verbinden von bauteilen mittels laserstrahlung
US20110235681A1 (en) * 2008-10-17 2011-09-29 Ghassem Azdasht Device for Positioning and Contacting Test Contacts
CN102205464A (zh) * 2010-02-26 2011-10-05 徕斯机器人（上海）有限公司 物质决定地连接材料的方法和装置
DE102010039238A1 (de) * 2010-08-12 2012-02-16 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Vernetzung von Polymeren
CN203936498U (zh) * 2013-12-19 2014-11-12 派克泰克封装技术有限公司 用于单独施加焊料堆的设备

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