KR20180102555A

KR20180102555A - 테스트 콘택을 배치하고 접촉시키기 위한 방법

Info

Publication number: KR20180102555A
Application number: KR1020187018534A
Authority: KR
Inventors: 토르스텐 크라우스
Original assignee: 파크 테크-파카징 테크놀로지이스 게엠베하
Priority date: 2016-01-14
Filing date: 2016-12-06
Publication date: 2018-09-17
Also published as: CN108603898A; EP3403103A1; EP3403103B1; WO2017121542A1; US10914759B2; TWI665456B; CN108603898B; TW201800770A; KR102119993B1; US20190011483A1; DE102016100561A1

Abstract

본 발명은 테스트 콘택 배열의 테스트 콘택으로, 특히 형성된 콘택요소(16)를 배치하고 접촉시키기 위한 방법에 관한 것으로서,
상기 방법에서, 열 전달면을 형성하기 위해, 콘택요소가 콘택요소홀딩장치(15)에 수용되고 콘택요소홀딩장치가 제공되는 콘택 헤드는, 연결재료증착물의 접촉면에 대해 공급축의 방향으로 콘택 캐리어의 접촉면 상에 배열된 콘택재료증착물과 콘택요소 사이에 배치되고, 연결재료증착물의 적어도 부분적인 융해를 실현하고, 상기 콘택요소와 상기 연결재료증착물 사이에서 물질적으로 접착 연결(materially bonded connection)을 얻기 위하여, 열 에너지는 상기 콘택요소를 열 에너지로 처리함으로써 상기 연결재료증착물로 도입되고, 상기 콘택요소의 온도(T)는 콘택요소가 처리되는 동안 측정되고, 처리 지속 시간은 상기 콘택요소의 온도(T)의 결정된 온도 구배(dT/dt)의 함수로 정의된다.

Description

테스트 콘택을 배치하고 접촉시키기 위한 방법

본 발명은 특히 테스트 콘택 배열(test contact arrangement)의 테스트 콘택으로 형성된 콘택요소(contact element)를 배치하고 접촉시키기 위한 방법에 관한 것으로서, 상기 방법에서, 열 전달면을 형성하기 위해, 콘택요소가 콘택요소홀딩장치에 수용되고 콘택요소홀딩장치(contact element holding device)가 제공되는 콘택 헤드(contact head)는, 연결재료증착물(connecting material deposit)의 접촉면에 대해 공급축(a feeding axis)의 방향으로 콘택 캐리어의 접촉면 상에 배열된 콘택재료증착물(contact material deposit)과 콘택요소 사이에 배치되는데, 연결재료증착물의 적어도 부분적인 융해를 실현하고, 상기 콘택요소와 상기 연결재료증착물 사이에서 물질적으로 접착 연결을 얻기 위하여, 열 에너지는 상기 콘택요소를 열 에너지로 처리함으로써 상기 연결재료증착물로 도입된다.

복수의 테스트 콘택들을 포함하는 테스트 콘택 배열들은 개별 테스트 콘택들을 제어하기 위한 제어장치가 제공된 공유 테스트 플랫폼상에 배치된다. 상기 테스트 콘택들은 웨이퍼 복합체(wafer composite) 내에 배치된 칩에 대응하는 매트릭스 배열(matrix arrangement)로 배열되는데, 그 결과 개별 칩의 정의된 접촉이 개별 테스트 콘택들을 통해 웨이퍼 면상에 가능해진다.

테스트 콘택 배열을 생성하기 위해, 개별 테스트 콘택들은 그들의 콘택 팁들원하는 매트릭스 배열에 대응하는 테스트 회로기판으로 형성된 콘택 캐리어상에 배치되고, 테스트 회로기판상에 형성된 접촉면에 납땜된다. 각각의 테스트 회로기판상의 테스트 콘택들의 높은 밀도와 테스트 콘택들 사이의 작은 거리로 인해, 회로기판상의 테스트 콘택들의 전기적으로 신뢰성 있고 정확하게 위치된 접촉에 대해 특히 높은 요구가 존재한다.

상기 웨이퍼 복합체 내에 배치된 개별 칩들이 웨이퍼의 표면에 형성된 공유 웨이퍼 평면에 위치하기 때문에, 균일한 접촉력에 의해 실현되어야 하는 개별 칩들의 접촉은 매트릭스 배열로 배열된 테스트 콘택들의 콘택 팁들이 또한 공통 접촉 평면에 위치하는 것이 필수적이다. 이러한 목적으로, 개별 테스트 콘택들의 콘택 팁은 테스트 회로기판의 콘택 캐리어에 대해 균일한 접촉 거리로 배열되어야 한다. 따라서, 테스트 콘택들을 콘택 캐리어의 접촉면들 위에 놓을 때 콘택 캐리어의 표면에 평행한 X,Y 평면에 테스트 콘택들이 위치할 뿐만 아니라 테스트 콘택들은 콘택 캐리어의 표면에 대한 콘택 팁들의 대응하는 접촉 거리를 가능하게 하기 위해 콘택 캐리어의 표면에 수직으로 Z축을 따라 위치하게 된다.

현재의 실시에서, 콘택 캐리어의 접촉면 상에 배치된 연결재료증착물의 표면에 대해 테스트 콘택들을 배치하는 것은 한정된 접촉력으로 그리고 충분히 긴 가열 지속 시간에 걸쳐 테스트 콘택들을 가열함으로써 실현되는데, 상기 연결재료증착물을 적어도 테스트 콘택들이 더 낮은 콘택 에지를 가지는 융해된 연결재료증착물에 매립되는 정도로 융해하고, 이어서 원하는 접촉 거리는 콘택 헤드의 Z축 방향으로의 적절한 배치 이동을 통해 설정될 수 있음을 보장한다. 이어서, 상기 테스트 콘택들은 콘택 헤드의 테스트콘택홀딩장치로부터 해제된다.

현재의 실시에서, 상기 테스트 콘택들의 배치 및 접촉은 일정한 가열 지속 시간에 영향을 미치며, 특히 상기 가열 지속 시간은 연결재료증착물의 재료 조성의 함수로서 실험적으로 결정된다. 그렇게 함에 있어서, 특히 개별적인 연결재료증착물의 부분적으로 다른 형태(morphology)로 인해, 상기 연결재료증착물의 다른 표면 지형(topography)을 초래하는 것이 밝혀졌으며, 상대적으로 다른 가열 시간이 실제로 연결재료증착물을 적어도 부분적으로 융해시키기 위해 요구되는데, 이는 테스트 콘택들이 하부 콘택 에지를 가지는 연결재료증착물에 매립될 수 있고 원하는 균일한 접촉 거리가 설정될 수 있음을 보장한다.

공지된 실시에서 가열시간들이 일정하게 설정되기 때문에, 연결재료증착물의 일부 부적절한 융해로 인해 테스트 콘택들의 동일한 매트릭스 배열에서 상이한 높이의 접촉 거리가 발생할 수 있다.

따라서, 본 발명의 목적은, 콘택 캐리어에 대해 규정된 접촉 거리를 설정하는 것을 보장하는 테스트 콘택을 배치하고 접촉시키는 방법을 제안하는 것이다.

이러한 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따른 방법은 청구항 1의 특징들을 포함한다.

본 발명에 따르면, 콘택요소를 열에너지로 처리하는 동안 콘택요소의 온도가 측정되며, 처리 지속 시간은 콘택요소의 온도의 결정된 온도 구배의 함수로 정의된다.

본 발명은 열에너지로 처리된 콘택요소로부터 연결재료증착물로의 열전달이 콘택요소와 연결재료증착물의 표면 사이에 형성된 열전달면에 의해 본질적으로 결정된다는 발견을 이용한다. 따라서, 열전달면은 본질적으로 연결재료증착물의 표면 지형에 기인하는데, 그러나, 이것은 가열 지속 시간에 걸쳐 연결재료증착물의 부분적인 융해가 계속되기 때문에 변화된다. 이것은 콘택요소로부터 연결재료증착물로의 열전달에 기인하는 콘택요소의 온도의 온도 구배에 직접적인 영향을 미친다. 이것은 상대적으로 작은 열전달면 및 이에 상응하게 작은 온도 구배가 연결재료증착물의 뾰족한 표면 지형이 많기 때문에, 콘택요소와 연결재료증착물 사이에 형성된 물리적 접촉의 시작 단계에서 형성된다는 것을 의미하는 데, 이는 대응하는 적은 양의 열만이 콘택요소로부터 연결재료증착물로 전달되기 때문이다. 상기 콘택요소가 지속적으로 가열되는 동안 후속 이송 단계에서, 연결재료증착물의 진행하는 융해는 표면 지형의 평탄화를 초래하므로 그에 따라 대응하는 확대된 열전달면 및 증가된 온도 구배를 초래한다. 가열 지속 시간의 마지막 단계에서, 온도 구배의 재현 증가에 따른 콘택요소의 콘택 에지를 연결재료증착물에 매립하는 것은 상기 연결재료증착물의 진행하는 융해로 인해 결국 실현된다.

따라서, 본 발명에 따른 방법은 콘택요소의 온도의 온도 구배의 진행과 연결재료증착물의 융해 상태 사이의 관련성을 이용한다. 따라서, 가열 지속 시간은 콘택요소와 연결재료증착물 사이의 모든 개별 접촉에 대해 개별적으로 정의될 수 있으며, 그 결과 정의된 접촉 거리를 설정하기 위한 전제 조건으로서, 연결재료증착물을 충분히 융해시키는데 요구되는 한, 콘택요소를 열처리하는 것이 실현된다.

콘택요소들과 연결재료증착물 사이의 접촉 불량이 회피될 수 있다는 사실 외에도, 콘택요소를 가열하기 위한 지속 시간이 최소로 감소될 수 있으므로, 그 결과매트릭스 배열로 콘택 캐리어 상에 배치된 테스트 콘택으로 실현되는 복수의 콘택요소들을 포함하는 테스트 콘택 배열을 생산하기 위한 생산 시간을 줄이는 것이 가능하다.

선택적으로, 열 에너지로 접촉을 처리하는 것은 온도 구배의 양 또는 진행의 함수로서 실현될 수 있다.

만일, 상기 콘택요소를 열 에너지로 처리하는 것이 레이저 방사에 의해 실현된다면, 콘택요소로의 직접적인 열 입력이 실현될 수 있으며, 이는 콘택요소에 대해 정확히 정의된 가열 공정을 설정할 수 있게 한다.

특히 콘택 헤드의 상대 위치의 변화가 정의된 온도 구배에 도달한 후 그리고 열 에너지로 처리를 끝내기 전, 콘택 캐리어 상의 연결재료증착물에 물질적으로 접착된 콘택요소의 정의된 상대 위치를 설정하기 위해 콘택 캐리어에 대해 실현되는 것이 유리하다.

특히, 공급 축 상의 콘택 헤드의 변위가 콘택 캐리어 상의 콘택요소의 정의된 상대 위치를 설정하기 위해 실현되는 것이 유리하다.

바람직하게, 상기 콘택요소는 상기 콘택요소가 배치된 후, 그리고 열 에너지로 콘택요소의 처리를 종료한 후에 콘택요소의 냉각 단계에 이어서 테스트콘택홀딩장치로부터 해제된다.

상기 콘택요소의 온도 측정은, 임의의 접촉 없이 온도 측정이 가능하게 됨으로써 콘택요소의 기준면에 의해 반사된 열 방사를 측정함으로써 실현될 수 있다.

특히 상기 기준면이 콘택요소의 흡수면에 대응하고, 상기 흡수면이 열 에너지로 처리될 경우, 그 결과 하나 그리고 동일한 빔 채널은 레이저 방사선으로 콘택요소를 열처리할 때 열처리 뿐만 아니라 온도 측정을 위해 이용될 수 있는 것이 유리하다.

이러한 목적을 위해, 온도를 측정하는 것은 레이저 방사선으로 흡수면을 처리하기 위한 빔 경로 내에 배치된 빔 스플리터에 의해 특히 유리한 방법으로 실현될 수 있으며, 상기 흡수면에 의해 반사된 방사선으로부터 적외선 방사선부분의 분기(offtake)는 상기 적외선 방사선부분을 센서장치에 인가하기 위한 빔 스플리터를 통해 실현된다.

가능한 변형에 따르면, 상기 기준면은 흡수면에 대향하는 테스트 콘택의 표면에 의해 형성될 수 있고, 온도를 측정하는 것은 특히 유익한 방법으로, 기준면 및 센서장치로 향하는 빔 채널에 의해 실현될 수 있다.

상기 방법의 바람직한 실시예에서, 온도를 측정하는 것은 레이저 방사선으로 콘택요소를 처리하기 위해 레이저장치의 제어장치에 할당되어 센서장치에 의해 실현되고, 상기 제어장치는 센서 출력 신호에 기초하여 결정된 온도 구배의 함수로서, 레이저장치의 작동을 제어한다.

다음에, 본 발명의 실시예는 첨부된 도면을 참조하여 더 설명된다.
도면에서,
도 1은 제1실시예에서 테스트 콘택을 콘택 캐리어 상에 배치하고 접촉시키기 위한 콘택 헤드를 도시한다.
도 2는 테스트 콘택 배열을 생성하기 위해 콘택 캐리어 상에 배치되는 테스트 컨택트를 도시한다.
도 3은 테스트 콘택이 콘택 캐리어의 접촉면과 접촉하는 동안 테스트콘택홀딩장치에 수용된 테스트 콘택을 포함하는 콘택 헤드를 도시한다.
도 4는 제1접촉 단계에서 콘택 캐리어의 접촉면 상에 배치된 테스트 콘택 및 연결재료증착물 사이의 접촉 공정을 도시한다.
도 5는 제2접촉 단계에서의 접촉 공정을 도시한다.
도 6은 제3접촉 단계에서의 접촉 공정을 도시한다.
도 7은 테스트 콘택을 배치하고 접촉시키기 위한 콘택 헤드의 또 다른 실시예를 도시한다.

도 1은 콘택 헤드(10)의 콘택 헤드 기저부(11)에 장착된 콘택 마우스피스(12)를 포함하는 콘택 헤드(10)를 도시하는데, 상기 콘택 마우스피스(12)는 콘택 헤드(10)의 빔 채널(13)의 축방향 연장선에 배치된 빔 채널(14)을 포함하고, 상기 빔 채널(14)은 상기 콘택 마우스피스(12)의 자유 단부에서 콘택요소홀딩장치(15)에서 끝나며, 특히 도 2 및 도 3에서 볼 수 있는 바와 같이, 상기 콘택요소홀딩장치(15)는 콘택요소(16)를 수용하는 역할을 한다.

도 2 및 도 3의 개요(synopsis)로부터 명백한 바와 같이, 상기 콘택요소홀딩장치(15)는 콘택요소홀딩장치(15)에 형성된 빔 채널(14)의 채널 마우스(18)의 개구 단면(17)에 콘택요소(16)의 위치 수용(positioning reception)을 가능하게 한다. 상기 콘택요소(16)가 콘택요소홀딩장치(15)에 유지되는 유지력을 생성하기 위해, 콘택요소홀딩장치(15)에 수용된 콘택요소(16)에 대한 부압의 인가는 빔 채널들(13,14)을 통해 실현된다.

상기 콘택요소(16)의 위치 수용을 위해, 특히 도 2 및 도 3의 개요에서 볼 수 있는 바와 같이, 상기 콘택요소홀딩장치(15)는 2개의 위치 표면들(19,20)을 포함하는데, 상기 위치 표면들(19,20)은 상기 콘택요소(16)가 그 후방 측면(21)으로 위치 표면(19)에 인접하는 것을 가능하게 하고 상기 콘택요소(16)의 상부 에지(23)로 위치 표면(20)에 인접하는 것을 가능하게 하는데, 상기 상부 에지(23)는 상기 콘택요소(16)의 콘택 브라켓(22)에 의해 형성된다. 이러한 경우에, 도 3에 도시한 바와 같이, 상기 위치 표면들(19,20)은 후방 측면(21)이 채널 축(24) 상에 각도 α로 배치되는 방식으로 채널 마우스(18)에 배치된다.

도 1에 도시한 바와 같이, 방사선 흡수장치(radiation intake device, 25)는 상기 콘택헤드(10)에 형성된 빔 채널(13)의 상단에 제공되는데, 상기 방사선 흡수 장치(25)는 콘택요소홀딩장치(15)에 수용된 콘택요소(16)의 후방 측면(21)상에서 콘택헤드(10) 위에 배치된 레이저장치(28)에 의해 방출된 레이저 방사선(29)을 포커싱 및 센터링할 수 있는 포커싱장치(focusing device, 26) 및 센터링장치(centering device, 27)를 포함한다.

도 1에 더 도시한 바와 같이, 빔 스플리터(30)는 상기 콘택헤드(10)의 빔 채널(13)에 제공되는데, 상기 빔 스플리터(30)는 반사 방사선(43)으로부터 적외선 방사선부분(31)의 방출 분기를 가능하게 하고 상기 적외선 방사선부분(31)은 상기 콘택요소(16)의 후방 측면(21)에 반사된다. 적외선 방사선부분(31)은 센서장치(32)에 공급되는데, 이것에 의해 테스트 콘택(16)의 온도(T)를 측정하는 것이 레이저 방사선(29)으로 처리된 콘택요소(16)의 결과로 실현되고 센서장치(32)에 의해 측정된 콘택요소(16)의 온도에 대응하는 센서 출력 신호(33)를 제어장치(34)에 제공하는 것에 의해 공급되며, 상기 제어장치(34)는 상기 센서 출력 신호(33)에 기초하여 콘택요소(16)의 온도의 온도 구배를 결정하고 그리고 상기 레이저 장치(28)에 의해 방출된 레이저 방사선(29)의 성능 및/또는 펄스 지속 시간 또는 펄스 주파수가 영향을 받는 방식으로 온도 구배의 함수로서 레이저장치의 제어를 수행한다.

도 3의 예시의 방식으로 볼 수 있는 바와 같이, 레이저 방사선(29)으로 처리되는 흡수면(35)은 콘택요소홀딩장치(15)에 수용된 콘택요소(16)를 통해 콘택요소(16)의 후방 측면(21) 상에 정의된다. 도 1에 도시한 바와 같이, 상기 빔 스플리터(30)를 통해 적외선 방사선부분(31)으로 처리된 센서장치(32)에 의해 테스트 콘택(16)의 온도를 측정하기 위해, 흡수면(35)은 결정적인 반사면을 동시에 형성한다.

도 4 내지 도 6은 콘택요소(16)가 콘택 캐리어(37)의 접촉면(36) 상에 배치된 후 실현되는 접촉 공정을 개략적으로 도시하는데, 상기 콘택요소(16)의 하부 콘택 에지(44)는 연결재료증착물(38)에 의해 형성된 접촉면(39)에 대해 인접하도록 한다.

제1접촉 단계에서, 상기 콘택요소(16)는 연결재료증착물(38)의 거친 표면구조로 인해 여전히 뾰족하게 형성되어 있는 접촉면(39)에 인접하고, 열전달면은 단지 접촉면(39)의 표면 팁들(41)의 영역에서만 형성된다. 상기 연결재료증착물(38)의 여전히 강성 상태로부터 시작하여, 콘택요소(16)의 후방 측면(21)은 레이저 방사선(29)으로 처리된다.

도 4에 도시한 바와 같이, 콘택요소(16)에서 레이저 방사선(29)에 의해 생성된 온도(T)로부터 시작하여 콘택요소(16)와 연결재료증착물(38) 사이의 초기 열전달면이 매우 작기 때문에, 비교적 적은 열이 콘택요소(16)로부터 연결재료증착물(38)내로 소산되며, 그로 인해 상기 콘택요소(16)의 온도(T)에서의 온도 구배(dT/dt₁) 또는 온도 그에 상응하여 소규모로 감소하고, 온도(T)는 후방 측면(21)에 의해 반사된 적외선 방사선부분(31)을 통해 센서장치(32, 도 1)에 의해 측정된다.

도 5에 도시한 바와 같이, 제2접촉 단계에서, 상기 연결재료증착물(38)은 콘택 헤드(10)가 콘택 캐리어(37)에서 변위되는 공급축(45)을 따라 접촉면(39)에 대한 콘택 마우스피스(12)의 접촉 압력의 동시 충격 하에서 레이저 방사선(29)으로 처리되기 때문에 적어도 부분적으로 융해되며, 도 5에 도시된 제2접촉 단계에 따르면, 상기 표면 팁들(41)은 부분적으로 평탄화되어 콘택요소(16)의 콘택 에지(44)와 연결재료증착물(38) 사이의 열전달면의 대응하는 확대를 가져온다.

상기 콘택요소(16)의 온도(T)의 온도 진행이 도 5에 도시되는 것처럼, 온도(T)의 증가는 온도 구배를 보상하기 위해 레이저 장치(28)의 대응하는 제어를 통해 실현되는데, 펄스 주파수에서의 약간의 증가 또는 추가적으로 펄스를 가하거나 성능이 증가되는 것은 펄스 모드에서 작동되는 레이저 장치에서 실현되는 방식으로 실현된다. 상기 연결재료증착물(38)의 부분적인 융해로 인해, 큰 온도 구배(dT/dt₂)의 형성에 대응하여 더 많은 열이 소산되도록 열전달면에서의 증가가 실현된다.

도 6에 도시한 바와 같이, 그에 관련된 콘택요소(16)의 온도(T) 중 갱신된 온도 감소는 대응하는 레이저 제어 및 이로부터 생성된 온도(T)의 증가를 통해 보상되며, 초기에 더 높은 온도 구배(dT/dt₃)는 연결재료증착물(38)의 추가로 부분적인 융해와, 이로부터 생성된 연결재료증착물(38)의 콘택 에지(44)의 매립의 결과로서 형성되는데 그 결과, 상기 온도 구배는 연결재료증착물(38)과 콘택요소(16) 사이의 물질적으로 접착 연결되어 도 6에 도시된 상태에 대한 파라미터로서 작용하며, 이어서, 콘택요소(16)의 콘택 브라켓에 형성된 콘택 팁(42)의 접촉 거리(a)는 공급축(45) 상의 콘택 헤드(10)의 대응하는 이동을 통한 콘택 캐리어(37)에 대한 콘택 마우스피스(12)의 거리의 변화를 통해 콘택 캐리어(37)에 대해 설정될 수 있다. 접촉 거리(a)를 설정한 후에, 상기 레이저 방사선 처리는 종료되는데, 그 결과 접촉 공정을 통해 실현된 콘택 캐리어(37)상의 콘택요소(16)의 상대적인 위치가 고정되고, 상기 콘택요소(16)는 상기 콘택요소(16)에 부압의 인가를 종료시킴으로써 콘택요소홀딩장치(15)로부터 해제될 수 있다.

도 7은 콘택 헤드(50)의 또 다른 가능한 실시예를 도시하는 데, 콘택 헤드는 콘택요소홀딩장치(15)에 수용된 콘택요소(16)의 온도(T)를 측정하는 사실을 제외하고, 콘택 헤드 베이스(51)에 형성된 또 다른 빔 채널(52)에 의해 실현되고, 콘택요소홀딩장치(15)에 수용된 콘택요소(16)의 전면(53)에 의해 반사되는 적외선 방사선부분(31)을 빔 채널(52)을 통해 센서장치(54)에 공급되는 방식으로 콘택요소홀딩장치(15)에 유도하게 된다.

Claims

특히 테스트 콘택 배열의 테스트 콘택으로 형성된 콘택요소(16)를 배치하고 접촉시키기 위한 방법에 있어서,
상기 방법에서, 열 전달면을 형성하기 위해, 콘택요소가 콘택요소홀딩장치(15)에 수용되고 콘택요소홀딩장치(15)가 제공되는 콘택 헤드(10,50)는, 연결재료증착물의 접촉면(39)에 대해 공급축(45)의 방향으로 콘택 캐리어(37)의 접촉면(36) 상에 배열된 콘택재료증착물(38)과 콘택요소 사이에 배치되고, 연결재료증착물의 적어도 부분적인 융해를 실현하고, 상기 콘택요소와 상기 연결재료증착물 사이에서 물질적으로 접착 연결(materially bonded connection)을 얻기 위하여, 열 에너지는 상기 콘택요소를 열 에너지로 처리함으로써 상기 연결재료증착물로 도입되고,
상기 콘택요소(16)의 온도(T)는 콘택요소가 처리되는 동안 측정되고, 처리 지속 시간은 상기 콘택요소(16)의 온도(T)의 결정된 온도 구배(dT/dt)의 함수로 정의되는 것을 특징으로 하는 테스트 콘택을 배치하고 접촉시키기 위한 방법.
제1항에 있어서,
상기 콘택요소(16)를 열 에너지로 처리하는 것은 상기 온도 구배(dT/dt)의 양 또는 진행의 함수(a function of the amount or the progression)로서 실현되는 것을 특징으로 하는 테스트 콘택을 배치하고 접촉시키기 위한 방법.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 콘택요소를 열 에너지로 처리하는 것은 레이저 방사선(29)에 의해 실현되는 것을 특징으로 하는 테스트 콘택을 배치하고 접촉시키기 위한 방법.
선행하는 청구항 중 어느 한 항에 있어서,
정의된 온도 구배(dT/dt)에 도달한 후와 열 에너지로 상기 콘택요소(16)의 처리를 끝내기 전에, 상기 콘택 캐리어(37)에 대한 상기 콘택 헤드의 상대 위치의 변화가 상기 콘택 캐리어 상에 연결재료증착물(38)에 물질적으로 접착된 콘택요소의 정의된 상대 위치를 설정하기 위해 실현되는 것을 특징으로 하는 테스트 콘택을 배치하고 접촉시키기 위한 방법.
제4항에 있어서,
상기 콘택 헤드(10,50)는 상기 콘택 캐리어(37) 상의 상기 콘택요소(16)의 정의된 상대 위치를 설정하기 위해 상기 공급축(45) 상에서 변위되는 것을 특징으로 하는 테스트 콘택을 배치하고 접촉시키기 위한 방법.
제5항에 있어서,
상기 콘택요소(16)를 위치시킨 후와 열 에너지로 상기 콘택요소(16)의 처리를 끝낸 다음 냉각 단계 후에, 상기 콘택요소는 상기 테스트콘택홀딩장치(15)로부터 해제되는 것을 특징으로 하는 테스트 콘택을 배치하고 접촉시키기 위한 방법.
선행하는 청구항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 콘택요소(16)의 온도를 측정하는 것은 상기 콘택요소의 기준면에 의해 반사된 상기 열 방사를 측정함으로써 수행되는 것을 특징으로 하는 테스트 콘택을 배치하고 접촉시키기 위한 방법.
제7항에 있어서,
상기 기준면은 상기 콘택요소(16)의 흡수면(35)에 대응하고, 상기 흡수면(35)은 열 에너지로 처리되는 것을 특징으로 하는 테스트 콘택을 배치하고 접촉시키기 위한 방법.
제7항에 있어서,
상기 기준면은 상기 흡수면(35)에 대향하는 상기 콘택요소(16)의 표면에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 테스트 콘택을 배치하고 접촉시키기 위한 방법.
선행하는 청구항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 온도를 측정하는 것은 상기 흡수면(35)을 레이저 방사선(29)으로 처리하기 위한 빔 경로(13)에 배치된 빔 스플리터(30)에 의해 실현되고,
상기 흡수면에 의해 반사된 방사선으로부터 상기 적외선빔부분(31)의 분기는 상기 적외선빔부분(31)을 센서장치(32)에 인가시키기 위한 상기 빔 스플리터(30)에 의해 실현되는 것을 특징으로 하는 특징으로 하는 테스트 콘택을 배치하고 접촉시키기 위한 방법.
제8항에 있어서,
상기 온도를 측정하는 것은 상기 기준면으로 향하는 빔 채널(52)에 의해 실현되며, 상기 빔 채널은 센서장치(54)로 향하게 되는 것을 특징으로 하는 테스트 콘택을 배치하고 접촉시키기 위한 방법.
선행하는 청구항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 온도를 측정하는 것은 콘택요소(16)의 레이저 처리를 위해 레이저장치(28)의 제어장치(34)에 할당되는 상기 센서장치(32,54)에 의해 실현되고, 상기 제어장치는 센서 출력 신호에 기초하여 결정되는 온도 구배(dT/dt)의 함수로서 상기 레이저장치의 작동을 제어하는 것을 특징으로 하는 테스트 콘택을 배치하고 접촉시키기 위한 방법.