CN108565269B - 显示面板 - Google Patents

Abstract

一种显示面板，包括沿方向延伸的扫描线、沿该方向相邻设置的第一及第二像素结构。第一像素结构包括第一半导体图案层、第一栅极、第一绝缘图案及第一漏极。第一栅极与第一半导体图案层重叠。第一绝缘图案具有第一接触窗开口。第一漏极经第一接触窗开口与第一半导体图案层电连接。第二像素结构包括第二半导体图案层、第二栅极、第二绝缘图案及第二漏极。第二栅极与第二半导体图案层重叠。第二绝缘图案具有与第一接触窗开口沿与该方向相交的方向分别在扫描线两侧的第二接触窗开口。第二漏极经第二接触窗开口与第二半导体图案层电连接。

Description

显示面板

技术领域

本发明是有关于一种显示面板，且特别是有关于一种高分辨率显示面板。

背景技术

随着显示面板的发展，高分辨率已经成为基本需求之一。在目前的显示面板中，通常透过将像素的尺寸缩小以达成高分辨率。举例而言，近年来虚拟现实头戴式显示器蓬勃发展，其需要显示面板的每英寸像素(pixel per inch；ppi)达1000ppi以上，以避免因为分辨率不够高，人眼会看到如马赛克般的纹路。然而，目前像素尺寸缩小的程度已达到极限，使得目前显示面板的每英寸像素无法突破1000ppi以上。因此，如何开发出分辨率能达1000ppi以上的显示面板，实为研发者所欲达成的目标之一。

发明内容

本发明提供一种显示面板，其分辨率能达到1000ppi以上。

本发明的显示面板包括多个像素单元，每一像素单元包括：扫描线、第一数据线、第二数据线、第一像素结构及第二像素结构。扫描线、第一数据线以及第二数据线配置在一基板上，其中扫描线沿第一方向延伸，第一数据线以及第二数据线沿第二方向延伸，且第一方向与第二方向相交。第一像素结构位于第一数据线与第二数据线之间，且第一像素结构包括：第一主动元件以及第一像素电极。第一主动元件包括第一半导体图案层、第一栅极、第一绝缘图案、第一源极以及第一漏极。第一半导体图案层包括第一源极区、第一漏极区及第一信道区，第一信道区位于第一源极区与第一漏极区之间。第一栅极与第一通道区于垂直基板方向上重叠且与扫描线电性连接。第一绝缘图案位于第一半导体图案层上方，其中第一绝缘图案具有第一接触窗开口。第一漏极经由第一接触窗开口与第一漏极区电性连接，且第一源极与第一数据线及第一源极区电性连接。第一像素电极与第一漏极电性连接。第二像素结构与第一像素结构沿第一方向相邻设置，位于第一数据线与第二数据线之间，且包括第二主动元件以及第二像素电极。第二主动元件包括：第二半导体图案层、第二栅极、第二绝缘图案、第二源极以及一第二漏极。第二半导体图案层包括第二源极区、第二漏极区及第二信道区，第二信道区位于第二源极区与第二漏极区之间。第二栅极与第二通道区于垂直基板方向上重叠且与扫描线电性连接。第二绝缘图案位于第二半导体图案层上，其中第二绝缘图案具有第二接触窗开口，且第二接触窗开口与第一接触窗开口沿第二方向分别位于扫描线的相对两侧。第二漏极经由第二接触窗开口与第二漏极区电性连接，且第二源极与第二数据线及第二源极区电性连接。第二像素电极与第二漏极电性连接。

基于上述，透过本发明的显示面板包括沿第一方向延伸的扫描线、沿与第一方向相交的第二方向延伸的第一数据线与第二数据线、以及位于第一数据线与第二数据线之间且沿第一方向相邻设置的第一像素结构及第二像素结构，其中第一像素结构包括第一半导体图案层、第一栅极、第一绝缘图案、第一源极及第一漏极，第一绝缘图案具有第一接触窗开口，第一漏极经第一接触窗开口与第一半导体图案层的第一漏极区电性连接，第二像素结构包括第二半导体图案层、第二栅极、第二绝缘图案、第二源极及第二漏极，第二绝缘图案具有与第一接触窗开口沿第二方向分别在扫描线两侧的第二接触窗开口，第二漏极经第二接触窗开口与第二半导体图案层的第二漏极区电性连接，藉此本发明的显示面板的分辨率能达到1000ppi以上。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施方式，并配合所附图式作详细说明如下。

附图说明

图1是依照本发明的一实施方式的显示面板的局部上视示意图。

图2是图1中的对向基板、遮蔽图案层、第一彩色滤光图案与第二彩色滤光图案的配置关系的上视示意图。

图3是沿图1中的剖线a-a’的剖面示意图。

图4是沿图1中的剖线b-b’的剖面示意图。

图5是沿图1中的剖线c-c’的剖面示意图。

图6是沿图1中的剖线d-d’的剖面示意图。

图7是依照本发明的另一实施方式的显示面板的局部剖面示意图。

图8是依照本发明的另一实施方式的显示面板的局部上视示意图。

图9是对应阵列排列的多个像素单元的第一彩色滤光图案与第二彩色滤光图案的一种布置态样。

图10是对应阵列排列的多个像素单元的第一彩色滤光图案与第二彩色滤光图案的另一种布置态样。

其中，附图标记为：

10、20、30：显示面板

100：基板

110：对向基板

120：液晶层

130：第一半导体图案层

131：第一源极区

132：第一漏极区

133：第一通道区

134：第三通道区

135：第一连接区

130L、150L：长部

130S、150S：短部

140：第一绝缘图案

140a、160a：闸绝缘图案

140b、160b：层间绝缘图案

150：第二半导体图案层

151：第二源极区

152：第二漏极区

153：第二通道区

154：第四通道区

155：第二连接区

160：第二绝缘图案

A1、A2：配向膜

BM：遮蔽图案层

BP、OC、PL：绝缘层

C1、C2、C3、C4、C5、C6：接触窗开口

CF1、CF3：第一彩色滤光图案

CF2、CF4：第二彩色滤光图案

CM：共享电极层

D1：第一漏极

D2：第二漏极

DL1：第一资料线

DL2：第二资料线

E1、E3：第一像素部

E2、E4：第二像素部

G1：第一栅极

G2：第二栅极

G3：第三栅极

G4：第四栅极

GI：闸绝缘层

ILD：层间绝缘层

M1、M3：第一主体部

M2、M4：第二主体部

OP：开口

P1：第一像素结构

P2：第二像素结构

PE1：第一像素电极

PE2：第二像素电极

R1：第一侧

R2：第二侧

S1：第一源极

S2：第二源极

SL：扫描线

SLb1：第一分支

SLb2：第二分支

SLm：主干

SM1：第一遮蔽图案

SM2：第二遮蔽图案

T1：第一主动元件

T2：第二主动元件

U：像素单元

x：第一方向

y：第二方向

z：垂直基板方向

具体实施方式

图1是依照本发明的一实施方式的显示面板的局部上视示意图。图2是图1中的对向基板、遮蔽图案层、第一彩色滤光图案与第二彩色滤光图案的配置关系的上视示意图。图3是沿图1中的剖线a-a’的剖面示意图。图4是沿图1中的剖线b-b’的剖面示意图。图5是沿图1中的剖线c-c’的剖面示意图。图6是沿图1中的剖线d-d’的剖面示意图。

请同时参照图1、图2、图3、图4、图5与图6，显示面板10的像素单元U包括基板100、扫描线SL、第一资料线DL1、第二数据线DL2、第一像素结构P1以及第二像素结构P2。另外，显示面板10的像素单元U可更包括绝缘层PL、共享电极层CM、绝缘层BP、配向膜A1、配向膜A2、液晶层120、对向基板110、遮蔽图案层BM、第一彩色滤光图案CF1、第二彩色滤光图案CF2以及绝缘层OC。为了清楚说明，图1中仅绘示出单一像素单元U和其周围区域，然发明所属领域中具有通常知识者应理解显示面板10中实际上包括多个像素单元U，且像素单元U排列成阵列。因此，任何所属技术领域中具有通常知识者可以根据以下实施方式了解本发明的显示面板10的结构或布局。另外，为了方便说明起见，图1中省略绘示绝缘层PL、绝缘层BP、配向膜A1、配向膜A2、液晶层120、对向基板110、遮蔽图案层BM、第一彩色滤光图案CF1、第二彩色滤光图案CF2以及绝缘层OC等构件。

基板100的材质可为玻璃、石英或有机聚合物。对向基板110位于基板100的对向。对向基板110的材质可为玻璃、石英或有机聚合物。在本实施方式中，显示介质例如是液晶层120，其设置于基板100与对向基板110之间。也就是说，显示面板10可为液晶显示面板。然而，本发明不以此为限。在其他实施方式中，显示面板10例如可以为有机发光二极管型显示面板、电泳型显示面板等。

扫描线SL、第一数据线DL1及第二数据线DL2配置在基板100上。如图1所示，在本实施方式中，扫描线SL与第一、二资料线DL1、DL2交错设置，且第一、二资料线DL1、DL2彼此相平行并沿第二方向y延伸，但本发明并不限于此。另外，第一、二资料线DL1、DL2举例为依序且相邻设置，亦即第一、二数据线DL1、DL2之间举例为不设置有其他数据线，且分别设置于像素单元U的相对两侧。基于导电性的考虑，扫描线SL、第一数据线DL1及第二数据线DL2一般是使用金属材料，但本发明不限于此。在其他实施方式中，扫描线SL、第一数据线DL1及第二资料线DL2亦可以使用其他导电材料，例如：合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物、或是金属材料与其它导电材料的堆栈层。

第一像素结构P1位于第一数据线DL1与第二数据线DL2之间，且第一像素结构P1包括第一主动元件T1以及第一像素电极PE1。另外，在本实施方式中，第一像素结构P1可更包括第一遮蔽图案SM1。

举例而言，在本实施方式中，第一主动元件T1包括第一半导体图案层130、第一栅极G1、第三栅极G3、第一绝缘图案140、第一源极S1以及第一漏极D1。也就是说，在本实施方式中，第一主动元件T1为双栅极薄膜晶体管(dual gate thin film transistor)。值得一提的是，双栅极的设计可抑制第一主动元件T1的漏电流。然而，本发明并不限制第一主动元件T1一定是双栅极薄膜晶体管。在其他实施方式中，第一主动元件T1也可以是单栅极薄膜晶体管(single gate thin film transistor)。

第一半导体图案层130可包括第一源极区131、第一漏极区132、第一通道区133、第三通道区134及第一连接区135，其中第一通道区133位于第一源极区131与第一漏极区132之间，第三通道区134位于第一通道区133与第一源极区131之间，且第一连接区135设置在第一通道区133与第三通道区134之间。在本实施方式中，第一连接区135可为一重掺杂区，以降低第一通道区133与第三通道区134之间的阻值。另外需说明的是，如前文所述，本发明并不限制第一主动元件T1一定是双栅极薄膜晶体管，因此本发明并不限制第一半导体图案层130一定要包括多个通道区(即第一通道区133、第三通道区134)。在其他实施方式中，第一半导体图案层130亦可选择性地仅包括一个通道区，例如第一通道区133。

如图1所示，在本实施方式中，第一半导体图案层130为具有短部130S与长部130L的L形半导体图案层。举例而言，在本实施方式中，扫描线SL具有彼此相对的第一侧R1及第二侧R2，其中第一半导体图案层130的短部130S位于扫描线SL的第一侧R1，且第一半导体图案层130的长部130L由扫描线SL的第一侧R1延伸至第二侧R2。从另一观点而言，在本实施方式中，第一半导体图案层130的一端位于扫描线SL的第一侧R1，而第一半导体图案层130的另一端位于扫描线SL的第二侧R2。

在本实施方式中，第一半导体图案层130的长部130L与第一资料线DL1于垂直基板方向z上实质重叠，且第一半导体图案层130的短部130S朝向远离第一数据线DL1的方向(例如：第一方向x)延伸。在本实施方式中，垂直基板方向z与第一方向x和第二方向y相垂直。

另外，在本实施方式中，第一漏极区132位于第一半导体图案层130的短部130S上，且第一通道区133、第三通道区134、第一连接区135及第一源极区131位于第一半导体图案层130的长部130L上。从另一观点而言，在本实施方式中，第一漏极区132位于扫描线SL的第一侧R1，而第一源极区131位于扫描线SL的第二侧R2。

第一栅极G1与第一通道区133于垂直基板方向z上重叠，且第三栅极G3与第三通道区134于垂直基板方向z上重叠。然而，如前文所述，本发明并不限制第一主动元件T1一定是双栅极薄膜晶体管，因此本发明并不限制第一主动元件T1一定要包括多个栅极(即第一栅极G1、第三栅极G3)。在其他实施方式中，第一主动元件T1亦可选择性地仅包括一个栅极，例如第一栅极G1。

另一方面，第一栅极G1及第三栅极G3皆与扫描线SL电性连接。如图1所示，在本实施方式中，扫描线SL包括沿第一方向x延伸的主干SLm以及由主干SLm向外延伸的第一分支SLb1及第二分支SLb2，其中第一方向x与第二方向y相交错，较佳的是第一方向x与第二方向y垂直。进一步而言，在本实施方式中，第一栅极G1为扫描线SL的主干SLm的一部分，而第三栅极G3为扫描线SL的第一分支SLb1的一部分。也就是说，在本实施方式中，第一栅极G1、第三栅极G3为对应扫描线SL的不同二个区域，第一栅极G1连接于主干SLm，第三栅极G3连接于第一分支SLb1，且第一栅极G1、第三栅极G3彼此电性连接。从另一观点而言，在本实施方式中，第一栅极G1、第三栅极G3与扫描线SL为同一膜层所形成。然而，本发明不限于此，在其他实施方式中，第一栅极G1、第三栅极G3与扫描线SL亦可分属不同膜层。另外，在本实施方式中，垂直基板方向z与第一方向x相垂直。

第一绝缘图案140位于第一半导体图案层130上。举例而言，在本实施方式中，第一绝缘图案140包括闸绝缘图案140a及层间绝缘图案140b，其中第一栅极G1、第三栅极G3配置于闸绝缘图案140a上，且层间绝缘图案140b覆盖第一栅极G1、第三栅极G3。另外，请参照图3及图5，在本实施方式中，第一绝缘图案140具有接触窗开口C1及接触窗开口C2。举例而言，在本实施方式中，接触窗开口C1及接触窗开口C2分别贯穿闸绝缘图案140a及层间绝缘图案140b。

闸绝缘图案140a及层间绝缘图案140b分别可为单层或多层结构，且闸绝缘图案140a及层间绝缘图案140b的材质分别可为无机材料、有机材料、或其它合适的材料，其中无机材料例如是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、或其它合适的材料；有机材料例如是聚酰亚胺系树脂、环氧系树脂、压克力系树脂、或其它合适的材料。

第一源极S1经由接触窗开口C1与第一源极区131电性连接，而第一漏极D1经由接触窗开口C2与第一漏极区132电性连接。也就是说，在本实施方式中，第一源极S1对应于第一半导体层130的第一源极区131设置，而第一漏极D1对应于第一半导体层130的第一漏极区132设置。从另一观点而言，如前文所述，第一漏极区132位于扫描线SL的第一侧R1，第一源极区131位于扫描线SL的第二侧R2，藉此第一漏极D1位于扫描线SL的第一侧R1，第一源极S1位于扫描线SL的第二侧R2。

在本实施方式中，第一源极S1与第一数据线DL1电性连接。如图1所示，第一源极S1为第一数据线DL1的一部分。也就是说，在本实施方式中，第一源极S1与第一数据线DL1构成一连续的导电图案。从另一观点而言，在本实施方式中，第一源极S1、第一漏极D1、第一资料线DL1与第二资料线DL2为同一膜层所形成。然而，本发明不限于此，在其他实施方式中，第一源极S1、第一漏极D1、第一资料线DL1与第二资料线DL2亦可分属不同膜层。

第一像素电极PE1与第一漏极D1电性连接。举例而言，如图5和图6所示，像素单元U更包括绝缘层PL及绝缘层BP，其中绝缘层PL覆盖第一主动元件T1，绝缘层BP配置于绝缘层PL上，以提供保护第一主动元件T1的功能或是平坦化的功能，并且绝缘层PL与绝缘层BP具有接触窗开口C3，亦即接触窗开口C3贯穿绝缘层PL与绝缘层BP。进一步而言，在本实施方式中，第一像素电极PE1配置于绝缘层BP上，且填入接触窗开口C3以和第一漏极D1电性接触。另外，如图5所示，在本实施方式中，接触窗开口C3与接触窗开口C2在垂直基板方向z上相重叠或至少部分重叠。

在本实施方式中，第一像素电极PE1的材质可包括金属氧化物导电材料，例如铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟镓锌氧化物、或其它合适的氧化物、或者是上述至少二者的堆栈层。在本实施方式中，绝缘层PL及绝缘层BP分别可为单层或多层结构，且绝缘层PL及绝缘层BP的材质分别可包括无机材料、有机材料或其组合，其中无机材料例如是(但不限于)：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、或上述至少二种材料的堆栈层；有机材料例如是(但不限于)：聚酰亚胺系树脂、环氧系树脂或压克力系树脂等高分子材料。

另一方面，如图1所示，第一像素电极PE1包括第一主体部M1以及连接于第一主体部M1的第一像素部E1。举例而言，在本实施方式中，第一主体部M1用以连接第一漏极D1。也就是说，第一像素电极PE1系藉由第一主体部M1填入接触窗开口C3而电性连接于第一漏极D1。在本实施方式中，第一像素部E1于垂直基板方向z上与第一数据线DL1至少部分重叠。也就是说，在一实施方式中，第一像素部E1于垂直基板方向z上可与第一资料线DL1完全重叠；在另一实施方式中，第一像素部E1于垂直基板方向z上可与第一数据线DL1部分重叠。在本文中，完全重叠的定义如下：若两对象完全重叠，表示一对象的垂直投影完全位于另一对象的垂直投影内或重合。在本实施方式中，第一主体部M1与第一像素部E1皆位于扫描线SL的第一侧R1。另外，在本实施方式中，第一像素部E1的数量为1。

第一遮蔽图案SM1配置于基板100上且与第一信道区133及第三信道区134于垂直基板方向z上重叠。举例而言，在本实施方式中，第一遮蔽图案SM1与第一信道区133及第三信道区134完全重叠，但本发明并不限于此。另外，在本实施方式中，第一遮蔽图案SM1沿第二方向y延伸。在本实施方式中，第一遮蔽图案SM1的材质可包括任何所属技术领域中具有通常知识者所周知的任一种遮光材料，例如钼、钼铝钼或钛铝钛等不透光金属，用以遮蔽光线以避免第一信道区133及第三信道区134被背光源照到。值得注意的是，在其他实施方式中，第一像素结构P1亦可以不设置第一遮蔽图案SM1。

第二像素结构P2与第一像素结构P1沿第一方向x相邻设置。举例而言，在像素单元U中，第二像素结构P2与第一像素结构P1以并列(side by side)方式排列。在本实施方式中，第二像素结构P2同样位于第一数据线DL1与第二数据线DL2之间。在本实施方式中，第二像素结构P2包括第二主动元件T2以及第二像素电极PE2。另外，在本实施方式中，第二像素结构P2可更包括第二遮蔽图案SM2。

举例而言，在本实施方式中，第二主动元件T2包括第二半导体图案层150、第二栅极G2、第四栅极G4、第二绝缘图案160、第二源极S2以及第二漏极D2。也就是说，在本实施方式中，第二主动元件T2为双栅极薄膜晶体管(dual gate thin film transistor)。值得一提的是，双栅极的设计可抑制第二主动元件T2的漏电流。然而，本发明并不限制第二主动元件T2一定是双栅极薄膜晶体管。在其他实施方式中，第二主动元件T2也可以是单栅极薄膜晶体管(single gate thin film transistor)。

第二半导体图案层150可包括第二源极区151、第二漏极区152、第二通道区153、第四通道区154及第二连接区155，其中第二通道区153位于第二源极区151与第二漏极区152之间，第四通道区154位于第二通道区153与第二源极区151之间，且第二连接区155设置在第二通道区153与第四通道区154之间。在本实施方式中，第二连接区155可为一重掺杂区，以降低第二通道区153与第四通道区154之间的阻值。另外需说明的是，如前文所述，本发明并不限制第二主动元件T2一定是双栅极薄膜晶体管，因此本发明并不限制第二半导体图案层150一定要包括多个通道区(即第二通道区153、第四通道区154)。在其他实施方式中，第二半导体图案层150亦可选择性地仅包括一个通道区，例如第二通道区153。

如图1所示，在本实施方式中，第二半导体图案层150为具有短部150S与长部150L的L形半导体图案层。举例而言，在本实施方式中，第二半导体图案层150的短部150S位于扫描线SL的第二侧R2，且第二半导体图案层150的长部150L由扫描线SL的第二侧R2延伸至第一侧R1。也就是说，在本实施方式中，第二半导体图案层150的短部150S与第一半导体图案层130的短部130S分别位于扫描线SL的相对两侧。从另一观点而言，在本实施方式中，第二半导体图案层150的一端位于扫描线SL的第一侧R1，而第二半导体图案层150的另一端位于扫描线SL的第二侧R2。

在本实施方式中，第二半导体图案层150的长部150L与第二资料线DL2于垂直基板方向z上实质重叠，且第二半导体图案层150的短部150S朝向远离第二数据线DL2的方向延伸。

另外，在本实施方式中，第二漏极区152位于第二半导体图案层150的短部150S上，且第二通道区153、第四通道区154、第二连接区155及第二源极区151位于第二半导体图案层150的长部150L上。从另一观点而言，在本实施方式中，第二漏极区152位于扫描线SL的第二侧R2，而第二源极区151位于扫描线SL的第一侧R1。

第二栅极G2与第二通道区153于垂直基板方向z上重叠，且第四栅极G4与第四通道区154于垂直基板方向z上重叠。然而，如前文所述，本发明并不限制第二主动元件T2一定是双栅极薄膜晶体管，因此本发明并不限制第二主动元件T2一定要包括多个栅极(即第二栅极G2、第四栅极G4)。在其他实施方式中，第二主动元件T2亦可选择性地仅包括一个栅极，例如第二栅极G2。

另一方面，第二栅极G2及第四栅极G4皆与扫描线SL电性连接。如图1所示，在本实施方式中，第二栅极G2为扫描线SL的主干SLm的一部分，而第四栅极G4为扫描线SL的第二分支SLb2的一部分。也就是说，在本实施方式中，第二栅极G2、第四栅极G4为对应扫描线SL的不同二个区域，第二栅极G2连接于主干SLm，第四栅极G4连接于第二分支SLb2，且第二栅极G2、第四栅极G4彼此电性连接。进一步而言，在本实施方式中，第一栅极G1、第三栅极G3、第二栅极G2、第四栅极G4为对应扫描线SL的不同四个区域，且第一栅极G1、第三栅极G3、第二栅极G2、第四栅极G4彼此电性连接。从另一观点而言，在本实施方式中，第二栅极G2、第四栅极G4与扫描线SL为同一膜层所形成。然而，本发明不限于此，在其他实施方式中，第二栅极G2、第四栅极G4与扫描线SL亦可分属不同膜层。

第二绝缘图案160位于第二半导体图案层150上。举例而言，在本实施方式中，第二绝缘图案160包括闸绝缘图案160a及层间绝缘图案160b，其中第二栅极G2、第四栅极G4配置于闸绝缘图案160a上，且层间绝缘图案160b覆盖第二栅极G2、第四栅极G4。另外，请参照图5及图6，在本实施方式中，第二绝缘图案160具有接触窗开口C4及接触窗开口C5。举例而言，在本实施方式中，接触窗开口C4及接触窗开口C5分别贯穿闸绝缘图案160a及层间绝缘图案160b。

闸绝缘图案160a及层间绝缘图案160b分别可为单层或多层结构，且闸绝缘图案160a及层间绝缘图案160b的材质分别可为无机材料、有机材料、或其它合适的材料，其中无机材料例如是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、或其它合适的材料；有机材料例如是聚酰亚胺系树脂、环氧系树脂、压克力系树脂、或其它合适的材料。

值得一提的是，在本实施方式中，闸绝缘图案140a与闸绝缘图案160a彼此互相连接，以形成闸绝缘层GI，而层间绝缘图案140b与层间绝缘图案160b彼此互相连接，以形成层间绝缘层ILD。

第二源极S2经由接触窗开口C4与第二源极区151电性连接，而第二漏极D2经由接触窗开口C5与第二漏极区152电性连接。也就是说，在本实施方式中，第二源极S2对应于第二半导体层150的第二源极区151设置，而第二漏极D2对应于第二半导体层150的第二漏极区152设置。

如前文所述，第二漏极区152位于扫描线SL的第二侧R2，第二源极区151位于扫描线SL的第一侧R1，第二漏极D2位于扫描线SL的第二侧R2，第二源极S2位于扫描线SL的第一侧R1。从另一观点而言，如图1和图5所示，且如前文所述，第一漏极区132位于扫描线SL的第一侧R1且第一漏极D1经由接触窗开口C2与第一漏极区132电性连接，而第二漏极区152位于扫描线SL的第二侧R2且第二漏极D2经由接触窗开口C5与第二漏极区152电性连接，接触窗开口C5与接触窗开口C2沿第二方向y分别位于扫描线SL2的相对两侧。

在本实施方式中，第二源极S2与第二数据线DL2电性连接。如图1所示，第二源极S2为第二数据线DL2的一部分。也就是说，在本实施方式中，第二源极S2与第二数据线DL2构成一连续的导电图案。从另一观点而言，在本实施方式中，第二源极S2、第二漏极D2、第一资料线DL1与第二资料线DL2为同一膜层所形成。然而，本发明不限于此，在其他实施方式中，第二源极S2、第二漏极D2、第一资料线DL1与第二资料线DL2亦可分属不同膜层。

第二像素电极PE2与第二漏极D2电性连接。举例而言，如图5和图6所示，在本实施方式中，第二像素电极PE2配置于绝缘层BP上，且填入接触窗开口C6以和第二漏极D2电性接触，其中接触窗开口C6贯穿绝缘层PL与绝缘层BP，亦即绝缘层PL与绝缘层BP具有接触窗开口C6。第二像素电极PE2的材质可包括金属氧化物导电材料，例如铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟镓锌氧化物、或其它合适的氧化物、或者是上述至少二者的堆栈层。在本实施方式中，绝缘层BP及绝缘层PL也覆盖第二主动元件T2，以提供保护第二主动元件T2的功能。

如图5所示，在本实施方式中，接触窗开口C6与接触窗开口C5在垂直基板方向z上相重叠或至少部分重叠。如前文所述，接触窗开口C5与接触窗开口C2沿第二方向y分别位于扫描线SL2的相对两侧，藉此与接触窗开口C5重叠的接触窗开口C6和与接触窗开口C2重叠的接触窗开口C3也沿第二方向y分别位于扫描线SL2的相对两侧。

另一方面，如图1所示，第二像素电极PE2包括第二主体部M2以及连接于第二主体部M2的第二像素部E2。举例而言，在本实施方式中，第二主体部M2用以连接第二漏极D2。也就是说，第二像素电极PE2系藉由第二主体部M2填入接触窗开口C6而电性连接于第二漏极D2。在本实施方式中，第二像素部E2于垂直基板方向z上与第二数据线DL2至少部分重叠。也就是说，在一实施方式中，第二像素部E2于垂直基板方向z上可与第二资料线DL2完全重叠；在另一实施方式中，第二像素部E2于垂直基板方向z上可与第二数据线DL2部分重叠。在本实施方式中，第二主体部M2位于扫描线SL的第二侧R2，以及第二像素部E2由扫描线SL的第二侧R2朝向第一侧R1延伸。如此一来，由于第一像素部E1与第一主体部M1皆位于扫描线SL的同一侧，因此与第一像素部E1相比，第二像素部E2的长度大于第一像素部E1的长度。也就是说，第一像素部E1的长度与第二像素部E2的长度不相同。另外，在本实施方式中，第二像素部E2的数量为1。

第二遮蔽图案SM2配置于基板100上且与第二信道区153及第四信道区154于垂直基板方向z上重叠。举例而言，在本实施方式中，第二遮蔽图案SM2与第二信道区153及第四信道区154完全重叠，但本发明并不限于此。另外，在本实施方式中，第二遮蔽图案SM2沿第二方向y延伸。在本实施方式中，第二遮蔽图案SM2的材质可包括任何所属技术领域中具有通常知识者所周知的任一种遮光材料，例如钼、钼铝钼或钛铝钛等不透光金属，用以遮蔽光线以避免第二信道区153及第四信道区154被背光源照到。值得注意的是，在其他实施方式中，第二像素结构P2亦可以不设置第二遮蔽图案SM2。

共享电极层CM设置于基板100上。举例而言，如图3和图6所示，共享电极层CM位于绝缘层PL上。在本实施方式中，共享电极层CM与部分的第一像素结构P1及部分的第二像素结构P2于垂直基板方向z上重叠。举例而言，在本实施方式中，共享电极层CM具有开口OP，其中开口OP与第一主动元件T1的至少一部分、第一像素电极PE1的至少一部分、第二主动元件T2的至少一部分、第二像素电极PE2的至少一部分于垂直基板方向z上重叠。如图1及图5所示，开口OP与第一漏极D1及第一漏极区132于垂直基板方向z上重叠，开口OP与第一主体部M1于垂直基板方向z上重叠，开口OP与第二漏极D2及第二漏极区152于垂直基板方向z上重叠，以及开口OP与第二主体部M2于垂直基板方向z上重叠。另一方面，在本实施方式中，接触窗开口C3通过共享电极层CM的开口OP而延伸至第一漏极D1，且开口OP于垂直基板方向z上的垂直投影面积大于接触窗开口C3的垂直投影面积，使得填入开口OP的绝缘层BP能够防止共享电极层CM与第一像素电极PE1相接触，而避免产生短路的问题。同样地，在本实施方式中，接触窗开口C6通过共享电极层CM的开口OP而延伸至第二漏极D2，且开口OP于垂直基板方向z上的垂直投影面积大于接触窗开口C6的垂直投影面积，使得填入开口OP的绝缘层BP能够防止共享电极层CM与第二像素电极PE2相接触，而避免产生短路的问题。

进一步而言，在本实施方式中，绝缘层BP设置在共享电极层CM与第一像素电极PE1及第二像素电极PE2之间，藉此共享电极层CM与第一像素电极PE1及第二像素电极PE2彼此间皆电性绝缘且结构上分离，而当显示面板10处于显示模式时，第一像素电极PE1可与共享电极层CM的与第一像素电极PE1对应的部分产生边缘电场，第二像素电极PE2可与共享电极层CM的与第二像素电极PE2对应的部分产生边缘电场。进一步而言，在本实施方式中，共享电极层CM与第一像素电极PE1对应的部分即作为第一像素结构P1的共享电极，而共享电极层CM与第二像素电极PE2对应的部分即作为第二像素结构P2的共享电极。在本实施方式中，共享电极层CM电性连接至共享电压，例如约0伏特，然不以此为限。另外，在本实施方式中，显示面板10可为边际场切换式(fringe field switching，FFS)显示面板。

在本实施方式中，共享电极层CM例如是透明导电层，其材质包括金属氧化物导电材料，例如铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟镓锌氧化物、或其它合适的氧化物、或者是上述至少二者的堆栈层。

请参考图2，遮蔽图案层BM配置于对向基板110上。在本实施方式中，遮蔽图案层BM用以遮蔽不欲被用户观看到的元件及走线，例如扫描线SL、第一数据线DL1、第二数据线DL2、第一主动元件T1、第二主动元件T2等。遮蔽图案层BM的材质可为黑色树脂或是遮光金属(例如：铬)等反射性较低的材料。

第一彩色滤光图案CF1及第二彩色滤光图案CF2配置于对向基板110上，其中第一彩色滤光图案CF1对应第一像素结构P1设置，第二彩色滤光图案CF2对应第二像素结构P2设置。如图2及图6所示，在本实施方式中，第一彩色滤光图案CF1与第二彩色滤光图案CF2沿第一方向x相邻设置。在本实施方式中，第一彩色滤光图案CF1与第二彩色滤光图案CF2彼此相接触。须注意的是，位于图2上方的第一彩色滤光图案CF1及第二彩色滤光图案CF2属于图1所示的像素单元U，而位于图2下方的第一彩色滤光图案CF1及第二彩色滤光图案CF2则是属于沿第二方向y设置的下一个像素单元U。

另外，在本实施方式中，第一彩色滤光图案CF1的颜色与第二彩色滤光图案CF2的颜色相同。具体而言，第一彩色滤光图案CF1与第二彩色滤光图案CF2的颜色例如是红色、绿色或蓝色。

另外，如前文所述，发明所属领域中具有通常知识者应理解显示面板10中实际上包括排列成阵列的多个像素单元U。在一实施方式中，沿第二方向y设置的任两相邻像素单元U中的第一彩色滤光图案CF1的颜色不相同。举例而言，在3X3的阵列下，沿第二方向y设置的像素单元U中的第一彩色滤光图案CF1依序可为蓝色滤光图案B、红色滤光图案R及绿色滤光图案G，或者红色滤光图案R、绿色滤光图案G及蓝色滤光图案B，或者绿色滤光图案G、蓝色滤光图案B及红色滤光图案R，如图9所示。然而，本发明并不限制沿第二方向y设置的任两相邻像素单元U中的第一彩色滤光图案CF1的颜色一定不相同。在其他实施方式中，沿第二方向y设置的任两相邻像素单元U中的第一彩色滤光图案CF1的颜色也可以彼此相同。举例而言，在3X3的阵列下，沿第二方向y设置的像素单元U中的第一彩色滤光图案CF1可皆为红色滤光图案R、蓝色滤光图案B或者绿色滤光图案G，如图10所示。

绝缘层OC全面性地配置于对向基板110上。在本实施方式中，绝缘层OC可覆盖第一彩色滤光图案CF1、第二彩色滤光图案CF2与遮蔽图案层BM。绝缘层OC的材质可为无机材料、有机材料或其组合，无机材料例如是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、或上述至少二种材料的堆栈层。有机材料例如是聚酰亚胺系树脂、环氧系树脂或压克力系树脂等高分子材料。

在本实施方式中，配向膜A1与配向膜A2用以对液晶层120中的液晶分子(未绘示)提供锚定力(anchoring force)，使其于基板100与对向基板110维持适当的排列状态。举例而言，在本实施方式中，配向膜A1配置于基板100上，且位于基板100与液晶层120之间，而配向膜A2配置于对向基板110上，且位于对向基板110与液晶层120之间。

值得说明的是，在本实施方式中，透过在像素单元U中，第一像素结构P1与第二像素结构P2沿第一方向x相邻设置，第一像素结构P1与第二像素结构P2皆位于第一数据线DL1与第二数据线DL2之间，且第一主动元件T1中的第一绝缘图案140的接触窗开口C2与第二主动元件T2中的第二绝缘图案160的接触窗开口C5沿第二方向y分别位于扫描线SL的相对两侧(即第一侧R1及第二侧R2)，使得显示面板10的分辨率能达到1000ppi以上。在一实施方式中，第一像素结构P1与第二像素结构P2间的像素间距可降低至6.1微米um，而使得分辨率可高达1388ppi。

进一步而言，在位于第一资料线DL1与第二数据线DL2之间的第一像素结构P1与第二像素结构P2系沿第一方向x相邻设置，且接触窗开口C2与接触窗开口C5或接触窗开口C3与接触窗开口C6沿第二方向y分别位于扫描线SL的相对两侧的情况下，透过第一半导体图案层130设计呈具有短部130S与长部130L的L形半导体图案层，第二半导体图案层150设计呈具有短部150S与长部150L的L形半导体图案层，其中短部130S位于扫描线SL的第一侧R1，短部150S位于扫描线SL的第二侧R2，使得显示面板10的分辨率能够更轻易达到1000ppi以上。

另一方面，在位于第一数据线DL1与第二数据线DL2之间的第一像素结构P1与第二像素结构P2系沿第一方向x相邻设置，且接触窗开口C2与接触窗开口C5沿第二方向y分别位于扫描线SL的相对两侧的情况下，透过第一遮蔽图案SM1与第二遮蔽图案SM2设计呈沿第二方向y延伸，使得显示面板10的分辨率能够更轻易达到1000ppi以上。

另外，在本实施方式中，透过沿第一方向x相邻设置的第一彩色滤光图案CF1的颜色与第二彩色滤光图案CF2的颜色相同，使得可避免显示面板10发生混色现象。

另外，虽然在显示面板10中，第一彩色滤光图案CF1的颜色与第二彩色滤光图案CF2的颜色相同，但本发明并不限于此。在其他实施方式中，对应第一像素结构的第一彩色滤光图案的颜色与对应第二像素结构的第二彩色滤光图案的颜色也可以不相同。以下，将参照图7进行详细说明。在此必须说明的是，下述实施方式沿用了前述实施方式的元件符号与部分内容，其中采用相同或相似的符号来表示相同或相似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施方式，下述实施方式不再重复赘述。

图7是依照本发明的另一实施方式的显示面板的局部剖面示意图。图7的显示面板20的上视示意图请参考图1及图2，而图7的剖面位置对应至图1的剖线d-d’。

请同时参照图7及图6，图7的显示面板20与图6的显示面板10相似，因此相同或相似的元件以相同或相似的符号表示，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施方式。以下，将就两者间的差异处做说明。

请参照图7，在本实施方式中，第一彩色滤光图案CF3及第二彩色滤光图案CF4配置于对向基板110上，其中第一彩色滤光图案CF3对应第一像素结构P1设置，第二彩色滤光图案CF4对应第二像素结构P2设置。请同时参照图2，在本实施方式中，第一彩色滤光图案CF3与第二彩色滤光图案CF4沿第一方向x相邻设置。在本实施方式中，第一彩色滤光图案CF3与第二彩色滤光图案CF4彼此相接触。

另外，在本实施方式中，第一彩色滤光图案CF3的颜色与第二彩色滤光图案CF4的颜色不相同。具体而言，第一彩色滤光图案CF3的颜色例如是红色、绿色或蓝色，以及第二彩色滤光图案CF2的颜色例如是红色、绿色或蓝色。举例来说，在一实施方式中，第一彩色滤光图案CF3的颜色为红色，且第二彩色滤光图案CF4的颜色为绿色。举另一例来说，在一实施方式中，第一彩色滤光图案CF3的颜色为蓝色，且第二彩色滤光图案CF4的颜色为红色。举又一例来说，在一实施方式中，第一彩色滤光图案CF3的颜色为绿色，且第二彩色滤光图案CF4的颜色为蓝色。

另外，虽然在显示面板10中，第一像素部E1及第二像素部E2的数量分别皆为1，但本发明并不限于此。在其他实施方式中，第一像素电极的第一像素部的数量与第二像素电极的第二像素部的数量分别也可以大于1。以下，将参照图8进行详细说明。在此必须说明的是，下述实施方式沿用了前述实施方式的元件符号与部分内容，其中采用相同或相似的符号来表示相同或相似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施方式，下述实施方式不再重复赘述。

图8是依照本发明的另一实施方式的显示面板的局部上视示意图。在此必须说明的是，为了方便说明起见，图8中省略绘示绝缘层PL、绝缘层BP、配向膜A1、配向膜A2、液晶层120、对向基板110、遮蔽图案层BM、第一彩色滤光图案CF1、第二彩色滤光图案CF2以及绝缘层OC等构件。

请同时参照图8及图1，图8的显示面板30与图1的显示面板10相似，因此相同或相似的元件以相同或相似的符号表示，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施方式。以下，将就两者间的差异处做说明。

请参照图8，在本实施方式中，第一像素结构P1包括第一像素电极PE3，以及第二像素结构P2包括第二像素电极PE4。举例而言，在本实施方式中，第一像素电极PE3包括第一主体部M3以及连接于第一主体部M3的多个第一像素部E3；以及第二像素电极PE4包括第二主体部M4以及连接于第二主体部M4的多个第二像素部E4。也就是说，在本实施方式中，第一像素部E3及第二像素部E4的数量分别皆大于1。另外，在本实施方式中，第一主体部M3用以连接第一漏极D1，第二主体部M4用以连接第二漏极D2。也就是说，第一像素电极PE3系藉由第一主体部M3填入接触窗开口C3而电性连接于第一漏极D1，第二像素电极PE4系藉由第二主体部M4填入接触窗开口C6而电性连接于第二漏极D2。

在本实施方式中，第一像素部E3的数量为3，第二像素部E4的数量为2，但本发明并不限于此。在其他实施方式中，依据实际上的需要及/或显示面板30的布局，本领域具有通常知识者可调整第一像素部E3及第二像素部E4的数量，只要第一像素部E3及第二像素部E4的数量分别皆大于1即可。

在本实施方式中，多个第一像素部E3于垂直基板方向z上与第一数据线DL1至少部分重叠，多个第二像素部E4于垂直基板方向z上与第二数据线DL2至少部分重叠。举例而言，在本实施方式中，多个第一像素部E3中的一者与第一资料线DL1完全重叠，多个第二像素部E4中的一者与第二资料线DL2完全重叠，但本发明并不限于此。在其他实施方式中，多个第一像素部E3中的一者也可以与第一数据线DL1部分重叠，多个第二像素部E4中的一者也可以与第二数据线DL2部分重叠。

在本实施方式中，第一主体部M3与多个第一像素部E3皆位于扫描线SL的第一侧R1，而第二主体部M4位于扫描线SL的第二侧R2，且第二像素部E4由扫描线SL的第二侧R2朝向第一侧R1延伸。如此一来，与第一像素部E3相比，第二像素部E4的长度大于第一像素部E3的长度。也就是说，第一像素部E3的长度与第二像素部E4的长度不相同。

综上所述，透过本发明的显示面板包括沿第一方向延伸的扫描线、沿与第一方向相交的第二方向延伸的第一数据线与第二数据线、以及位于第一数据线与第二数据线之间且沿第一方向相邻设置的第一像素结构及第二像素结构，其中第一像素结构包括第一半导体图案层、第一栅极、第一绝缘图案、第一源极及第一漏极，第一绝缘图案具有第一接触窗开口，第一漏极经第一接触窗开口与第一半导体图案层的第一漏极区电性连接，第二像素结构包括第二半导体图案层、第二栅极、第二绝缘图案、第二源极及第二漏极，第二绝缘图案具有与第一接触窗开口沿第二方向分别在扫描线两侧的第二接触窗开口，第二漏极经第二接触窗开口与第二半导体图案层的第二漏极区电性连接，藉此本发明的显示面板的分辨率能达到1000ppi以上。

虽然本发明已以实施方式揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，故本发明的保护范围当视所附的权利要求的保护范围所界定者为准。

Claims (14)

1.一种显示面板，其特征在于，包括多个像素单元，每一像素单元包括：

一扫描线、一第一数据线以及一第二数据线，配置在一基板上，其中该扫描线沿一第一方向延伸，该第一数据线以及该第二数据线沿一第二方向延伸，且该第一方向与该第二方向相交；

一第一像素结构，位于该第一数据线与该第二数据线之间，且该第一像素结构包括：

一第一主动元件，包括：

一第一半导体图案层，包括一第一源极区、一第一漏极区及一第一通道区，该第一通道区位于该第一源极区与该第一漏极区之间；

一第一栅极，与该第一通道区于垂直基板方向上重叠且与该扫描线电性连接；

一第一绝缘图案，位于该第一半导体图案层上，其中该第一绝缘图案具有一第一接触窗开口；以及

一第一源极以及一第一漏极，其中该第一漏极经由该第一接触窗开口与该第一漏极区电性连接，且该第一源极与该第一数据线及该第一源极区电性连接；以及

一第一像素电极，与该第一漏极电性连接；以及

一第二像素结构，与该第一像素结构沿该第一方向相邻设置，位于该第一数据线与该第二数据线之间，且该第二像素结构包括：

一第二主动元件，包括：

一第二半导体图案层，包括一第二源极区、一第二漏极区及一第二通道区，该第二通道区位于该第二源极区与该第二漏极区之间；

一第二栅极，与该第二通道区于该垂直基板方向上重叠且与该扫描线电性连接；

一第二绝缘图案，位于该第二半导体图案层上，其中该第二绝缘图案具有一第二接触窗开口，且该第二接触窗开口与该第一接触窗开口沿该第二方向分别位于该扫描线的相对两侧；以及

一第二源极以及一第二漏极，其中该第二漏极经由该第二接触窗开口与该第二漏极区电性连接，且该第二源极与该第二数据线及该第二源极区电性连接；以及

一第二像素电极，与该第二漏极电性连接；

其中，该第一半导体图案层及该第二半导体图案层分别为具有一短部与一长部的L形半导体图案层，该第一半导体图案层的该短部位于该扫描线的一第一侧，该第二半导体图案层的该短部位于该扫描线的一第二侧。

2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，

该第一漏极区位于该第一半导体图案层的该短部上，该第一通道区及该第一源极区位于该第一半导体图案层的该长部上；以及

该第二漏极区位于该第二半导体图案层的该短部上，该第二通道区及该第二源极区位于该第二半导体图案层的该长部上。

3.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，该第一半导体图案层的该长部与该第一数据线于该垂直基板方向上实质重叠，该第一半导体图案层的该短部朝向远离该第一数据线的方向延伸，以及该第二半导体图案层的该长部与该第二数据线于该垂直基板方向上实质重叠，该第二半导体图案层的该短部朝向远离该第二数据线的方向延伸。

4.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，

该第一主动元件更包括：

一第三栅极，与该扫描线电性连接且与该第一半导体图案层的一第三通道区于该垂直基板方向上重叠，其中该第三通道区位于该第一通道区与该第一源极区之间；

该第二主动元件更包括：

一第四栅极，与该扫描线电性连接且与该第二半导体图案层的一第四通道区重叠，其中该第四通道区位于该第二通道区与该第二源极区之间；以及

该扫描线包括一第一分支及一第二分支，该第一分支连接于该第三栅极，且该第二分支连接于该第四栅极。

5.如权利要求4所述的显示面板，其特征在于，

该第一像素结构更包括：

一第一遮蔽图案，配置于该基板上且与该第一通道区及该第三通道区于该垂直基板方向上重叠，其中该第一遮蔽图案沿该第二方向延伸；以及

该第二像素结构更包括：

一第二遮蔽图案，配置于该基板上且与该第二通道区及该第四通道区于该垂直基板方向上重叠，其中该第二遮蔽图案沿该第二方向延伸。

6.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，该第一主动元件的该第一漏极位于该扫描线的该第一侧，对应于该第一半导体图案层的该第一漏极区设置，以及该第二主动元件的该第二漏极位于该扫描线的该第二侧，对应于该第二半导体图案层的该第二漏极区设置。

7.如权利要求6所述的显示面板，其特征在于，

该第一像素电极包括：

一第一主体部，用以连接该第一漏极；以及

至少一第一像素部，连接于该第一主体部且与该第一数据线至少部分重叠，且该第一主体部与该至少一第一像素部皆位于该扫描线的该第一侧；以及

该第二像素电极包括：

一第二主体部，用以连接该第二漏极；以及

至少一第二像素部，连接于该第二主体部且与该第二数据线至少部分重叠，且该第二主体部位于该扫描线的该第二侧以及该至少一第二像素部由该扫描线的该第二侧朝向该第一侧延伸。

8.如权利要求7所述的显示面板，其特征在于，该至少一第一像素部的长度与该至少一第二像素部的长度不相同。

9.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，更包括一共享电极层，设置于该基板上，用以与该第一像素电极及该第二像素电极分别形成电场。

10.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，更包括：

一第一彩色滤光图案，对应该第一像素结构设置；以及

一第二彩色滤光图案，对应该第二像素结构设置，其中该第一彩色滤光图案的颜色与该第二彩色滤光图案的颜色相同。

11.如权利要求10所述的显示面板，其特征在于，沿该第二方向设置的任两相邻像素单元中的该第一彩色滤光图案的颜色不相同。

12.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，更包括：

一第一彩色滤光图案，对应该第一像素结构设置；以及

一第二彩色滤光图案，对应该第二像素结构设置，其中该第一彩色滤光图案的颜色与该第二彩色滤光图案的颜色不相同。

13.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，

该第一像素电极包括：

一第一主体部，用以连接该第一漏极；以及

至少一第一像素部，连接于该第一主体部且与该第一数据线至少部分重叠，且该第一主体部与该至少一第一像素部皆位于该扫描线的一第一侧；以及

该第二像素电极包括：

一第二主体部，用以连接该第二漏极；以及

至少一第二像素部，连接于该第二主体部且与该第二数据线至少部分重叠，且该第二主体部位于该扫描线的一第二侧以及该至少一第二像素部由该扫描线的该第二侧朝向该第一侧延伸。

14.如权利要求13所述的显示面板，其特征在于，该至少一第一像素部和该至少一第二像素部的数量皆为1。

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