CN108418017A - 插接端子及电子设备、插接引脚的加工工艺 - Google Patents

Abstract

本公开是关于一种插接端子及电子设备、插接引脚的加工工艺，其中插接端子包括插接引脚，所述插接引脚包括基材、位于所述基材上的金属复合镀膜、位于所述金属复合镀膜上远离所述基材一侧的铑钯镀膜。本公开中插接引脚的表面形成由金属复合镀膜和铑钯镀膜组成的抗腐蚀层，铑钯镀膜的抗腐蚀能力和耐老化能力优于传统的铑钌镀膜，有利于延长使用周期，延缓插接引脚上抗腐蚀层的老化速度，可以降低电镀成本。

Description

插接端子及电子设备、插接引脚的加工工艺

技术领域

本公开涉及终端技术领域，尤其涉及一种插接端子及电子设备、插接引脚的加工工艺。

背景技术

当前，电子设备上通常都会设置一个或者多个功能接口，例如，充电接口、耳机接口或者传输接口等，每一接口可以通过数据线与外部设备之间实现连连接，从而进一步实现电子设备的对应功能。

发明内容

本公开提供一种插接端子及电子设备、插接引脚的加工工艺，以解决相关技术中的不足。

根据本公开实施例的第一方面，提供一种插接端子，包括插接引脚，所述插接引脚包括基材、位于所述基材上的金属复合镀膜、位于所述金属复合镀膜上远离所述基材一侧的铑钯镀膜。

可选的，所述基材包括导电部、焊接部和连接所述导电部与所述焊接部的过渡部；其中，所述铑钯镀膜包裹所述金属复合镀膜上对应于所述导电部和所述过渡部设置的区域。

可选的，所述金属复合镀膜包括包裹所述基材的填平层、远离所述基材的结合层和位于所述结合层与所述填平层之间的密封层；其中，所述结合层的一部分与所述铑钯镀膜接触。

可选的，所述基材包括导电部，所述导电部包括靠近所述插接端子插接表面的导电面；其中，所述密封层上对应于所述导电面设置的区域厚度大于所述密封层上其他区域的厚度。

可选的，所述基材包括导电部、焊接部和连接所述导电部与所述焊接部的过渡部，所述金属复合镀膜还包括位于所述填平层上的打底层；

其中，所述打底层上对应于所述导电部及所述过渡部设置的区域与所述密封层接触，所述打底层上对应于所述焊接部设置的区域与所述结合层接触。

可选的，所述填平层包括金属镍材料。

可选的，所述密封层包括钯镍混合物。

可选的，所述结合层包括金属金材料。

可选的，所述打底层包括金属镍材料。

可选的，所述插接端子包括type-c端子或者Micro USB端子。

根据本公开实施例的第二方面，提供一种电子设备，包括如上述任一项实施例所述的插接端子。

根据本公开实施例的第二方面，提供一种插接引脚的加工工艺，包括：

成型基材；

在所述基材上电镀金属复合镀膜；

在所述金属复合镀膜上远离所述基材的一侧电镀铑钯镀膜。

可选的，所述基材包括导电部、焊接部和连接所述导电部与所述焊接部的过渡部，所述在所述基材上电镀金属复合镀膜，包括：

在所述基材的表面浸镀形成填平层；

在所述填平层上对应于所述导电部和所述过渡部设置的区域浸镀形成密封层；

在所述密封层上对应于所述导电部和所述过渡部设置的区域、所述填平层上对应于所述焊接部设置的区域浸镀形成结合层。

可选的，还包括：

在所述填平层上浸镀形成打底层；

其中，所述打底层上对应于所述导电部及所述过渡部设置的区域与所述密封层接触，所述打底层上对应于所述焊接部设置的区域与所述结合层接触。

可选的，所述导电部包括靠近所述插接端子插接表面的导电面，所述在所述填平层上对应于所述导电部和所述过渡部设置的区域浸镀密封层，包括：

采用刷镀工艺加厚所述密封层上对应于所述导电面设置的区域。

可选的，所述基材包括导电部、焊接部和连接所述导电部和所述焊接部的过渡部，所述在所述金属复合镀膜上远离所述基材的一侧电镀铑钯镀膜，包括：

在所述金属复合镀膜上对应于所述导电部和所述过渡部的区域浸镀形成所述铑钯镀膜。

本公开的实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果：

由上述实施例可知，本公开中插接引脚的表面形成由金属复合镀膜和铑钯镀膜组成的抗腐蚀层，铑钯镀膜的抗腐蚀能力和耐老化能力优于传统的铑钌镀膜，有利于延长使用周期，延缓插接引脚上抗腐蚀层的老化速度，可以降低电镀成本。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。

图1是根据一示例性实施例示出的一种插接端子的结构示意图。

图2是根据一示例性实施例示出的一种插接引脚的结构示意图。

图3是根据一示例性实施例示出的一种插接引脚的截面示意图。

图4是根据一示例性实施例示出的另一种插接引脚的截面示意图。

图5是根据一示例性实施例示出的一种插接引脚的A-A截面示意图。

图6是根据一示例性实施例示出的另一种插接引脚的A-A截面示意图。

图7是根据一示例性实施例示出的一种电子设备的结构示意图。

图8是根据一示例性实施例示出的一种插接引脚的加工工艺流程图。

具体实施方式

这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本申请相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本申请的一些方面相一致的装置和方法的例子。

在本申请使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本申请。在本申请和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。还应当理解，本文中使用的术语“和/或”是指并包含一个或多个相关联的列出项目的任何或所有可能组合。

应当理解，尽管在本申请可能采用术语第一、第二、第三等来描述各种信息，但这些信息不应限于这些术语。这些术语仅用来将同一类型的信息彼此区分开。例如，在不脱离本申请范围的情况下，第一信息也可以被称为第二信息，类似地，第二信息也可以被称为第一信息。取决于语境，如在此所使用的词语“如果”可以被解释成为“在……时”或“当……时”或“响应于确定”。

图1是根据一示例性实施例示出的一种插接端子的结构示意图。如图1所示，该插接端子100可以包括插接引脚1，后续插接端子100可以通过插接引脚1与对端端子之间的连接实现通信。其中，插接端子100可以包括多个插接引脚，例如图1中所示，当插接端子100为Type-c端子时，可以包括位于上排的12个插接引脚1和位于下排的12个插接引脚1；或者，当插接端子100为Micro USB端子时，可以包括5个插接引脚1；再或者该插接端子100还可以为Type-a、Type-b等接口类型，此处不再一一赘述。该插接端子100可以为插接公头或者也可以为插接母头，本公开并不对此进行限制。

基于对上述插接端子100中的插接引脚1的防腐蚀要求，可以在插接引脚1的表面电镀形成防腐蚀层。具体而言，如图2所示，插接引脚1可以包括基材11、位于基材11上的金属复合镀膜12以及位于金属复合镀膜12上远离基材11一侧的铑钯镀膜13，铑钯镀膜13的抗腐蚀能力、耐老化能力优于传统的铑钌镀膜，有利于延长使用周期，延缓插接引脚1上抗腐蚀层的老化速度，可以降低针对插接端子100的电镀成本。该铑钯镀膜13的厚度约为20微英寸，在达到插接引脚1抗腐蚀性能的同时避免增加额外生产成本。

其中，基材11可以包括导电部111、焊接部112和连接导电部111和焊接部112的过渡部113；其中，焊接部112主要用于实现插接端子100与主板之间的电连接，导电部111与过渡部113存在至少一部分外露于插接端子100的插接表面，从而导电部111与过渡部113的抗腐蚀要求高于焊接部112。那么，为了进一步的降低电镀成本，铑钯镀膜13可以仅包裹金属复合镀膜12上对应于导电部111与过渡部113设置的区域；当然，在其他一些实施例中，也可以铑钯镀膜13包裹整个金属复合镀膜11，本公开并不对此进行限制。

为便于对本申请技术方案中复合金属镀膜12的结构进行详细阐述，下述将简化插接引脚1的外观形状。

在一实施例中，如图3所示，金属复合镀膜12可以包括包裹基材1的填平层121、远离基材1的结合层122和位于结合层122与填平层121之间的密封层123；其中，结合层122的一部分与铑钯镀膜13接触；即，当铑钯镀膜13仅包裹金属复合镀膜12上对应于导电部111与过渡部113设置的区域时，结合层121上对应于导电部111与过渡部113设置的区域与铑钯镀膜13接触。

其中，填平层121可以包括金属镍材料，具体可以是镍盐溶液与有机物进行混合后浸镀基材11，通过化学反应在基材11的表面形成包括金属镍材料的填平层121，以将基材11表面微孔与凸起填平至同一平面。该填平层121的厚度可以约为50微英寸，或者也可以大于50微英寸，一方面可以避免厚度太薄无法抚平凸起，亦可以避免厚度太厚导致填平层121内部有机物增多而使得应力增加。

密封层123可以包括浸镀于填平层121上的钯镍混合物，以利用钯镍混合物形成的密封层123孔隙率低的特点，防止外部空气通过腐蚀基材11；而且，进一步利用钯镍混合物形成的密封层123硬度高的特点，可以提供方向与插接引脚1重力方向相反的作用力，实现支撑。

结合层122可以包括金属金材料，可以是混合物或者也可以是纯净物，本公开并不对此进行限制。通过在密封层123上对应于导电部111与过渡部113的区域电镀结合层122，可以提高铑钯镀膜13与复合金属镀膜12之间的结合力度，防止铑钯镀膜13脱落；通过在填平层121上对应于焊接部12的区域电镀结合层122，可以提高焊接部12的抗腐蚀性能。该结合层122的厚度可以2微英寸。

在另一实施例中，如图4所示，金属复合镀膜12还可以包括位于填平层121上的打底层124；亦即，可以在填平层121上浸镀形成包裹该填平层121的打底层124，打底层124上对应于导电部111和过渡部113设置的区域与密封层123接触，打底层124上对应于焊接部112设置的区域与结合层122接触。

其中，打底层124可以采用金属镍材料电镀形成，该打底层124可以是镍盐溶液与其他添加剂进行混合后浸镀形成，相对于填平层121，打底层124的内部应力小，可以有效隔离填平层121与密封层123。

需要说明的是：在如图3所示的实施例中，密封层123可以是包裹填平层121上对应于导电部111与过渡部123设置的区域；在如图4所示的实施例中，密封层123可以是包裹于打底层124上对应于导电部111与过渡部123设置的区域。而在其他一些实施例中，该密封层123可以是与填平层121接触并包裹整个填平层121；或者，该密封层123也可以是与打底层124接触并包裹整个打底层124，在此不再一一赘述。

在上述各个实施例中，如图5所示，导电部111可以包括靠近插接端子100插接表面设置的导电面1111，该导电面1111突出于插接表面，以用于与对端端子进行插接。所以，密封层123上对应于导电面1111设置的区域厚度可以大于密封层123上其他区域的厚度，提高导电面1111的抗腐蚀强度。

举例而言，仍以图5所示，可以先针对导电部111与过渡部113对应的区域浸镀形成厚度约为5微英寸的密封层，然后可以通过刷镀工艺针对导电面1111对应的密封层进行加厚，例如，可以加厚至30微英寸，本公开并不对此进行限制。当然，如图6所示，在其他一些实施例中，导电部111与过渡部113对应的区域所形成的密封层123的厚度亦可以相等。例如，可以是通过浸镀工艺形成约为5-10微英寸的密封层，本公开并不对此进行限制。

基于本公开技术方案的插接端子100，其还可以应用于如图7所示的电子设备200，该电子设备200包括主板201以及如上述任一项实施例中所述的电连接器100，该电连接器100可以与主板进行电连接，以通过该电连接器100实现电子设备200对应的功能，仍以图7所示，该电连接器100可以位于电子设备200的底部(即正常状态下用户握持电子设备时电子设备上朝向地面的一端)，以作为电子设备200的充电接口、耳机接口、数据传输接口等；该电子设备200可以包括手机、平板电脑、电子阅读器等，本公开并不对此进行限制。

基于插接引脚1，本公开还可以提供一种针对插接引脚1的加工工艺。如图8所示，该加工工艺包括以下步骤：

在步骤801中，成型基材11。

在本实施例中，可以通过冲压工艺成型基材11，该基材11可以采用铜合金材料制成。其中，可以根据导电部111、过渡部123以及焊接部122的预设形状要求进行冲压，以满足后期插接引脚1的导电要求。

在步骤802中，在所述基材上电镀金属复合镀膜。

在本实施例中，可以在基材11上电镀金属复合镀膜12，该电镀金属复合镀膜12可以覆盖基材11的各个表面。该金属复合镀膜可以包括填平层121、结合层122和密封层123。

在一实施例中，可以通过浸镀工艺在基材11的表面形成填平层121，在填平层121上对应于导电部111与过渡部123的设置的区域浸镀形成密封层123，在密封层123上对应于导电部111与过渡部123设置的区域、以及填平层121上对应于焊接部122设置的区域浸镀形成结合层122。

在另一实施例中，可以通过浸镀工艺在基材11的表面形成填平层121，在填平层121上浸镀形成打底层124，在打底层124上对应于导电部111与过渡部123的设置的区域浸镀形成密封层123，在密封层123上对应于导电部111与过渡部123设置的区域、以及打底层124上对应于焊接部122设置的区域浸镀形成结合层122。其中，打底层124上对应于导电部111及过渡部123设置的区域与密封层123接触；打底层124上对应于焊接部122设置的区域与结合层122接触。

在上述各个实施例中，导电部111包括靠近插接端子100插接表面的导电面1111，其中，可以采用刷镀工艺加厚密封层123上对应于导电面1111设置的区域，以加强导电面1111的抗腐蚀性能。

在步骤803中，在所述金属复合镀膜12上远离所述基材11的一侧电镀铑钯镀膜13。

在本实施例中，可以在金属复合镀膜12上对应于导电部111和过渡部113的区域浸镀形成铑钯镀膜13，以降低加工成本；当然，在其他实施例中，也可以在金属复合镀膜12的各个表面均浸镀形成铑钯镀膜13，本公开并不对此进行限制。

由上述实施例可知，通过本公开针对插接引脚1的加工工艺，可以在插接引脚1的表面形成由金属复合镀膜12和铑钯镀膜13组成的抗腐蚀层，铑钯镀膜13的抗腐蚀能力和耐老化能力优于传统的铑钌镀膜，有利于延长使用周期，延缓插接引脚1上抗腐蚀层的老化速度，可以降低针对插接端子100的电镀成本。

本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的公开后，将容易想到本公开的其它实施方案。本申请旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由下面的权利要求指出。

应当理解的是，本公开并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本公开的范围仅由所附的权利要求来限制。

Claims (16)

1.一种插接端子，其特征在于，包括插接引脚，所述插接引脚包括基材、位于所述基材上的金属复合镀膜、位于所述金属复合镀膜上远离所述基材一侧的铑钯镀膜。

2.根据权利要求1所述的插接端子，其特征在于，所述基材包括导电部、焊接部和连接所述导电部与所述焊接部的过渡部；其中，所述铑钯镀膜包裹所述金属复合镀膜上对应于所述导电部和所述过渡部设置的区域。

3.根据权利要求1所述的插接端子，其特征在于，所述金属复合镀膜包括包裹所述基材的填平层、远离所述基材的结合层和位于所述结合层与所述填平层之间的密封层；其中，所述结合层的一部分与所述铑钯镀膜接触。

4.根据权利要求3所述的插接端子，其特征在于，所述基材包括导电部，所述导电部包括靠近所述插接端子插接表面的导电面；其中，所述密封层上对应于所述导电面设置的区域厚度大于所述密封层上其他区域的厚度。

5.根据权利要求3所述的插接端子，其特征在于，所述基材包括导电部、焊接部和连接所述导电部与所述焊接部的过渡部，所述金属复合镀膜还包括位于所述填平层上的打底层；

其中，所述打底层上对应于所述导电部及所述过渡部设置的区域与所述密封层接触，所述打底层上对应于所述焊接部设置的区域与所述结合层接触。

6.根据权利要求3所述的插接端子，其特征在于，所述填平层包括金属镍材料。

7.根据权利要求3所述的插接端子，其特征在于，所述密封层包括钯镍混合物。

8.根据权利要求3所述的插接端子，其特征在于，所述结合层包括金属金材料。

9.根据权利要求5所述的插接端子，其特征在于，所述打底层包括金属镍材料。

10.根据权利要求1所述的插接端子，其特征在于，所述插接端子包括type-c端子或者Micro USB端子。

11.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求1-10中任一项所述的插接端子。

12.一种插接引脚的加工工艺，其特征在于，包括：

成型基材；

在所述基材上电镀金属复合镀膜；

在所述金属复合镀膜上远离所述基材的一侧电镀铑钯镀膜。

13.根据权利要求12所述的加工工艺，其特征在于，所述基材包括导电部、焊接部和连接所述导电部与所述焊接部的过渡部，所述在所述基材上电镀金属复合镀膜，包括：

在所述基材的表面浸镀形成填平层；

在所述填平层上对应于所述导电部和所述过渡部设置的区域浸镀形成密封层；

在所述密封层上对应于所述导电部和所述过渡部设置的区域、所述填平层上对应于所述焊接部设置的区域浸镀形成结合层。

14.根据权利要求13所述的加工工艺，其特征在于，还包括：

在所述填平层上浸镀形成打底层；

其中，所述打底层上对应于所述导电部及所述过渡部设置的区域与所述密封层接触，所述打底层上对应于所述焊接部设置的区域与所述结合层接触。

15.根据权利要求13所述的加工工艺，其特征在于，所述导电部包括靠近所述插接端子插接表面的导电面，所述在所述填平层上对应于所述导电部和所述过渡部设置的区域浸镀密封层，包括：

采用刷镀工艺加厚所述密封层上对应于所述导电面设置的区域。

16.根据权利要求12所述的加工工艺，其特征在于，所述基材包括导电部、焊接部和连接所述导电部和所述焊接部的过渡部，所述在所述金属复合镀膜上远离所述基材的一侧电镀铑钯镀膜，包括：

在所述金属复合镀膜上对应于所述导电部和所述过渡部的区域浸镀形成所述铑钯镀膜。