CN108369908A - 双面研磨方法及双面研磨装置 - Google Patents

双面研磨方法及双面研磨装置 Download PDF

Info

Publication number
CN108369908A
CN108369908A CN201780004626.1A CN201780004626A CN108369908A CN 108369908 A CN108369908 A CN 108369908A CN 201780004626 A CN201780004626 A CN 201780004626A CN 108369908 A CN108369908 A CN 108369908A
Authority
CN
China
Prior art keywords
fixed disk
grinding
grinding pad
thickness
double
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201780004626.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108369908B (zh
Inventor
田中佑宜
天海史郎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Handotai Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Handotai Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shin Etsu Handotai Co Ltd filed Critical Shin Etsu Handotai Co Ltd
Publication of CN108369908A publication Critical patent/CN108369908A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108369908B publication Critical patent/CN108369908B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/07—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
    • B24B37/08—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for double side lapping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11—Lapping tools
    • B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11—Lapping tools
    • B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/24—Lapping pads for working plane surfaces characterised by the composition or properties of the pad materials
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/27—Work carriers
    • B24B37/28—Work carriers for double side lapping of plane surfaces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02008—Multistep processes
    • H01L21/0201—Specific process step
    • H01L21/02013—Grinding, lapping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02008—Multistep processes
    • H01L21/0201—Specific process step
    • H01L21/02016—Backside treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02008—Multistep processes
    • H01L21/0201—Specific process step
    • H01L21/02024—Mirror polishing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

本发明提供一种双面研磨方法，将支承于载体的半导体晶圆，由经分别贴附有研磨垫的上定盘及下定盘所夹入，使该半导体晶圆的双面滑接于该研磨垫，而同时研磨该半导体晶圆的双面，其中经贴附于该上定盘的该研磨垫的厚度A(mm)、及经贴附于该下定盘的该研磨垫的厚度B(mm)，满足1.0≦A+B≦2.0，且A/B>1.0的关系。由此，能够得到在将GBIR的值抑制在要求值以下的同时，F‑ZDD<0的半导体晶圆。

Description

双面研磨方法及双面研磨装置
技术领域
本发明涉及一种双面研磨方法及双面研磨装置。
背景技术
近年来，在硅晶圆等的半导体晶圆的平坦度需求中，对于作为半导体晶圆的外周部的形状的评价指标的F-ZDD(front Z-Height Double Differentiation)的要求为逐渐提升。具体而言，要求有F-ZDD<0，即半导体晶圆的外周部的形状为垂下的形状。
半导体晶圆的制造步骤中，一般而言，为进行半导体晶圆的双面研磨。于双面研磨中，以分别贴附于上下定盘的研磨垫将半导体晶圆夹入，使半导体晶圆滑动而同时研磨表面及里面的双面(例如参照专利文献1)。已知有于上下定盘贴附同种类、同厚度的研磨垫而进行双面研磨，在此情况下，能够将研磨垫的厚度增加，以使F-ZDD未满0。
〔现有技术文献〕
〔专利文献〕
专利文献1：日本特开2014-223704号公报
发明内容
另一方面，亦同样希望将为半导体晶圆的平坦度的评价指标之一的GBIR(GlobalBackSurface-Referenced Ideal Plane/Range)抑制在低数值。也就是说，亦希望使GBIR为顾客的要求值以下。
但是，如同前述，于双面研磨中，若是为了使F-ZDD未满0而加大研磨垫的厚度，则半导体晶圆将成为凸起状而此GBIR变大，而GBIR会超过要求值。也就是说，GBIR与F-ZDD为取舍选择关系，具有难以同时满足要求的问题。
本发明鉴于前述问题，目的在于提供一种双面研磨方法及双面研磨装置，能够得到在将GBIR的值抑制在要求值以下的同时，F-ZDD<0的半导体晶圆。
为了达成上述目的，本发明提供一种双面研磨方法，将支承于一载体的一半导体晶圆，由经分别贴附有研磨垫的一上定盘及一下定盘所夹入，使该半导体晶圆的双面滑接于该研磨垫，而同时研磨该半导体晶圆的双面，其中经贴附于该上定盘的该研磨垫的厚度A(mm)、及经贴附于该下定盘的该研磨垫的厚度B(mm)，满足1.0≦A+B≦2.0，且A/B>1.0的关系。
本发明通过控制贴于上下定盘的研磨垫的厚度的合计值(A+B)，将双面研磨后的半导体晶圆的GBIR维持在足够低的值，且通过将上下定盘的研磨垫的厚度的比值(A/B)优化，能够将双面研磨后的半导体晶圆的F-ZDD控制在任意的负数值。即，依照本发明，能够在将双面研磨后的半导体晶圆的GBIR维持在足够低的值的同时，将F-ZDD控制在未满0的任意适当的负数值。
此时，本发明的双面研磨方法中，以经贴附于该上定盘的该研磨垫的厚度A(mm)、及经贴附于该下定盘的该研磨垫的厚度B(mm)，进一步满足1.5≦A/B≦2.5的关系为佳。
如此使1.5≦A/B≦2.5，则能够更加确实地将双面研磨后的半导体晶圆的F-ZDD控制在负数值。又若使A/B≦2.5，则由于能够更加充分确保经贴附于下定盘的研磨垫的厚度，因此能够确实防止经贴附于下定盘的研磨垫于双面研磨中的断裂的产生。
此时，作为经贴附于该上定盘及该下定盘的研磨垫，以使用邵氏A硬度为85以上95以下之物为佳。
若是经贴附于上定盘及下定盘的研磨垫的邵氏A硬度为85以上，则能够更加正确地进行GBIR及F-ZDD的控制。又，研磨垫的邵氏A硬度为95以下，则难以于半导体晶圆发生伤痕。
又以经贴附于该下定盘的该研磨垫的厚度B为0.3mm以上为佳。
将经贴附于下定盘的研磨垫的厚度B为0.3mm以上，由于不会发生研磨垫的强度上的问题因此为佳。
又，为了达成上述目的，本发明提供一种双面研磨装置，具有经分别贴附有研磨垫的一上定盘及一下定盘、及经形成有用以将一半导体晶圆支承于该上定盘及该下定盘间的支承孔的一载体，其中经贴附于该上定盘的该研磨垫的厚度A(mm)、及经贴附于该下定盘的该研磨垫的厚度B(mm)，满足1.0≦A+B≦2.0，且A/B>1.0的关系。
如此的双面研磨装置，由于贴于上下定盘的研磨垫的厚度的合计值(A+B)经过优化，能够将双面研磨后的半导体晶圆的GBIR维持在足够小的数值，同时，由于上下定盘的研磨垫的厚度的比值(A/B)经过优化，因此能够将双面研磨后的半导体晶圆的F-ZDD值控制在适当的负数值。
此时，以经贴附于该上定盘的该研磨垫的厚度A(mm)、及经贴附于该下定盘的该研磨垫的厚度B(mm)，满足1.5≦A/B≦2.5的关系为佳。
本发明的研磨装置，由于具有满足1.5≦A/B≦2.5的上下的研磨垫，能够更加确实地将双面研磨后的半导体晶圆的F-ZDD控制在未满0的值。又，由于A/B≦2.5，能够充分确保经贴附于下定盘的研磨垫的厚度，而能够确实地防止双面研磨中的经贴附于下定盘的研磨垫的断裂的发生。
又于此时，作为经贴附于该上定盘及该下定盘的研磨垫，以使用邵氏A硬度为85以上95以下之物为佳。
本发明的双面研磨装置，若是经贴附于上定盘及下定盘的研磨垫为邵氏A硬度为85以上，则能够更加正确地进行GBIR及F-ZDD的控制。又，研磨垫的邵氏A硬度为95以下，则难以于半导体晶圆发生伤痕。
又以经贴附于该下定盘的该研磨垫的厚度B为0.3mm以上为佳。
将经贴附于下定盘的研磨垫的厚度B为0.3mm以上，由于不会发生研磨垫的强度上的问题因此为佳。
依照本发明的双面研磨方法及双面研磨装置，能够通过双面研磨而得到在将GBIR的值抑制在要求值以下的同时，F-ZDD<0的半导体晶圆。
附图说明
图1是显示本发明的双面研磨装置之一例的流程图。
图2是显示于实施例1-3、比较例1-3经测定的GBIR及F-ZDD的量表图。
具体实施方式
以下虽参照图式以说明本发明的实施例，但本发明并不限定于此。
如同前述，已知技术中，为了使双面研磨后的半导体晶圆的F-ZDD未满0，有必要增厚研磨垫。但是，若将研磨垫增厚，则由于双面研磨后的半导体晶圆的GBIR增大，因此具有难以使GBIR为顾客的要求值以下之外又使F-ZDD未满0的问题。
此处，本发明的发明人为了解决如此问题而反复精心研讨。结果，发现了能够通过贴附于上定盘的研磨垫的厚度A(mm)与贴附于下定盘的研磨垫的厚度B(mm)的合计值(A+B)以控制GBIR，而通过其比值(A/B)以控制F-ZDD，通过优化此些合计值及比值，而完成本发明。
首先，参照图1以说明关于本发明的双面研磨装置。如图1所示，本发明的双面研磨装置1，具有上下相对而配设的上定盘2及下定盘3，于上定盘2及下定盘3分别贴附有上研磨垫4、下研磨垫5。又上定盘2与下定盘3之间，配设有形成有用以支承半导体晶圆W的支承孔的载体8。于研磨半导体晶圆W时，半导体晶圆W被支承于载体8的支承孔，并被夹入于上定盘2与下定盘3之间。又，上定盘2与下定盘3之间的中心部设有太阳齿轮6，周缘部设置有内齿轮7。
又，太阳齿轮6及内齿轮7的各齿部嵌合有载体8的外周齿，太阳齿轮6及内齿轮7为与上定盘2及下定盘3同时旋转驱动。伴随于此，载体8在自转的同时围绕太阳齿轮6公转。如此，本发明的双面研磨装置1，能够为分别驱动上定盘2、下定盘3、太阳齿轮6及内齿轮7的4way式双面研磨装置。此时，经由载体8的支承孔所支承的晶圆W，通过上研磨垫4及下研磨垫5而双面同时被研磨。又，双面研磨时供给有研磨液。
又，本发明的研磨装置1，经贴附于上定盘2的上研磨垫4的厚度A(mm)与经贴附于下定盘3的下研磨垫5的厚度B(mm)，满足1.0≦A+B≦2.0，且A/B>1.0的关系。本发明的研磨装置1，于上下使用厚度相异的研磨垫，能够通过A+B的值控制GBIR、通过A/B的值控制F-ZDD，通过使A+B的值及A/B的值分别为上述范围内，能够将GBIR抑制在低数值得同实，将F-ZDD控制在任意的适当的负数值。
又，若A+B>2.0，则GBIR将过度增加。反过来说，若A+B<1.0，则B值将会变得过小，即下研磨垫5过薄，因此双面研磨中可能发生下研磨垫5的断裂。又，A/B≦1.0时，无法达成F-ZDD<0。
又，本发明的研磨装置1，以经贴附于上定盘2的上研磨垫4的厚度A(mm)与经贴附于下定盘3的下研磨垫5的厚度B(mm)，满足1.5≦A/B≦2.5的关系为佳。若1.5≦A/B，则能够更加确实地达成F-ZDD<0。又若A/B≦2.5，则能够进一步充分确保下研磨垫5的厚度，而能够确实防止双面研磨中的断裂的发生。又，以经贴附于下定盘的下研磨垫5的厚度B为0.3mm以上，即B≧0.3为佳。下研磨垫5的厚度B为0.3mm以上，则由于不会发生研磨垫的强度上的问题而为佳。
又，分别经贴附于上下定盘2、3的上下研磨垫4、5，以邵氏A硬度在85以上且95以下为佳。研磨垫4、5的邵氏A硬度若为85以上，则能够更加正确地进行GBIR及F-ZDD的控制。又，研磨垫4、5的硬度若为95以下，则难以于半导体晶圆W发生伤痕。作为研磨垫4、5，能够使用例如发泡聚氨酯垫等。
又，支承半导体晶圆W的载体8的材质，能够为例如金属或经过任意涂层的金属。又，亦能够于载体8的支承孔的内周部安装树脂制的插入构件。
又，双面研磨时所供给的研磨剂，能够为例如含有胶体二氧化硅的无机碱性水溶液。
接着，说明使用如上述的双面研磨装置1时的本发明的双面研磨方法。
本发明的双面研磨方法中，将经载体8所支承的半导体晶圆W，以分别经贴附有研磨垫4、5的上定盘2及下定盘3夹入，使半导体晶圆W的双面滑接于研磨垫4、5，而同时研磨半导体晶圆W的双面。此时，使上研磨垫4及下研磨垫5的各别的厚度A(mm)及B(mm)满足1.0≦A+B≦2.0、且A/B>1.0的关系而进行研磨。
如此，使用上下厚度相异的研磨垫，通过A+B的值以控制GBIR，而通过A/B的值以控制F-ZDD，使A+B的值及A/B的值分别为上述范围内而研磨，能够在将GBIR控制在低数值的同时，控制F-ZDD值为任意的适当的负数值。
又，进一步以A及B满足1.5≦A/B≦2.5的关系而研磨为佳。若1.5≦A/B，则能够更加确实地达成F-ZDD<0。又，若A/B≦2.5，则能够进一步充分确保下研磨垫5的厚度，而能够确实防止双面研磨中的断裂的发生。又，以经贴附于下定盘的下研磨垫5的厚度B为0.3mm以上，即B≧0.3为佳。下研磨垫5的厚度B为0.3mm以上，则由于不会发生研磨垫的强度上的问题而为佳。
又，作为分别经贴附于上下定盘的上下研磨垫4、5，以使用邵氏A硬度在85以上且95以下之物为佳。若是研磨垫4、5的邵氏A硬度为85以上，则能够更加正确地进行GBIR及F-ZDD的控制。又，若研磨垫4、5的邵氏A硬度为95以下，则难以于半导体晶圆发生伤痕。
〔实施例〕
以下虽显示本发明的实施例及比较例以更加具体说明本发明，但本发明并不限定于此实施例。
(实施例1)
如图1所示，使用双面研磨装置1，依照本发明的双面研磨方法，双面研磨5片直径300mm的硅晶圆。并且，将双面研磨后的硅晶圆在SC-1洗净后评价平坦度。
[双面研磨条件]
此时，作为双面研磨装置，使用DSP-20B(不二越机械工业制)，使上研磨垫的厚度A为1.40mm，下研磨垫的厚度B为0.60mm。即A+B＝2.00(mm)、A/B＝2.33。又，研磨垫的材质为邵氏A硬度90的发泡聚氨酯垫。
又，使载体的基板为钛。又，支承孔的内周部安装有插入件。作为插入件，使用于玻璃纤维浸润有环氧树脂的FRP(纤维强化塑料)。又研磨剂使用含有二氧化硅磨粒，以KOH为基底之物。二氧化硅磨粒的平均粒径为35nm，磨粒浓度为1.0质量％，研磨剂的pH值为10.5。
研磨负重设定为150gf/cm2。研磨时间设定为硅晶圆的厚度成为与载体的厚度相同的时间。各驱动部的旋转速度设定为，上定盘：-13.4rpm、下定盘：35rpm、太阳齿轮：25rpm、内齿轮：7rpm。
又，上下研磨垫的修整，以通过指定压力注流纯水的同时，使经电镀有钻石磨粒的修整盘滑接上下研磨垫以进行。
[洗净条件]
双面研磨后的硅晶圆的SC-1洗净中，使用混合比例为NH4OH：H2O2：H2O＝1：1：15的洗净液。
[平坦度评价条件]
平坦度使用Wafer Sight(KLA Tencor公司制)，测定GBIR及F-ZDD而评价。另外，F-ZDD的计算，将M49mode的区域(又称Polar Sites)设定于72Sector的30mm Length(2mmE.E.)，取于148mm的各角度的平均值。
将于实施例1经过双面研磨的5片硅晶圆的GBIR的平均值及F-ZDD的平均值显示于图2。另外，于图2中，GBIR通过以顾客的要求值为基准的相对值，即以该要求值为1时的相对值显示。
结果，自图2、表1可知，实施例1中GBIR的相对值为0.90，满足要求值，并且，得到较后述的使用已知技术的比较例1、2的GBIR为小的值。如此，实施例1中得到平坦度良好的硅晶圆。尚且，F-ZDD为-7.4(nm/mm2)，为未满0。
【表1】
(实施例2)
除了使上研磨垫的厚度为1.20mm、下研磨垫的厚度为0.65mm以外，以与实施例1相同的条件进行双面研磨，以与实施例1相同的方法进行平坦度的评价。即，实施例2中，以A+B＝1.85，A/B＝1.85进行双面研磨。
结果，自图2、表1可知，实施例2中GBIR的相对值为0.73，满足要求值，并且，得到较后述的使用已知技术的比较例1、2的GBIR为小的值。如此，实施例2中得到平坦度良好的硅晶圆。尚且，F-ZDD为-4.0(nm/mm2)，为未满0。
(实施例3)
除了使上研磨垫的厚度为0.60mm、下研磨垫的厚度为0.40mm以外，以与实施例1相同的条件进行双面研磨，以与实施例1相同的方法进行平坦度的评价。即，实施例2中，以A+B＝1.00，A/B＝1.50进行双面研磨。
结果，自图2、表1可知，实施例3中GBIR的相对值为0.40，满足要求值，并且，得到较后述的使用已知技术的比较例1-3的GBIR为小的值。如此，实施例2中得到平坦度良好的硅晶圆。尚且，F-ZDD为-1.1(nm/mm2)，为未满0。
(比较例1)
除了使上研磨垫的厚度及下研磨垫的厚度皆为1.20mm以外，以与实施例1相同的条件进行双面研磨，以与实施例1相同的方法进行平坦度的评价。即，比较例1中，以A+B＝2.4>2.0，A/B＝1.0进行双面研磨。
结果显示于图2、表1。自图2、表1可知，F-ZDD成为1.0(nm/mm2)，变为0以上。如此，当A/B≦1.0，则GBIR超过要求值。进一步，GBIR成为1.15而超过要求值，如此，确认到在A+B>2.0时，GBIR增加，而平坦度恶化。
(比较例2)
除了使上研磨垫的厚度为1.50mm，下研磨垫的厚度为1.00mm以外，以与实施例1相同的条件进行双面研磨，以与实施例1相同的方法进行平坦度的评价。即，比较例2中，以A+B＝2.50，A/B＝1.50进行双面研磨。
结果，自图2、表1可知，GBIR成为1.40而超过要求值。如此，当A+B>2.0，则GBIR超过要求值。
(比较例3)
除了使上研磨垫的厚度及下研磨垫的厚度皆为0.50mm以外，以与实施例1相同的条件进行双面研磨，以与实施例1相同的方法进行平坦度的评价。即，比较例2中，以A+B＝1.00，A/B＝1.00进行双面研磨。
结果，自图2、表1可知，F-ZDD成为3.5(nm/mm2)，而成为0以上。。如此，当A/B≦1.0，则GBIR超过要求值。
通过以上的实施例1-3、比较例1-3的结果，确认到使用本发明的双面研磨方法及双面研磨装置，得到了满足GBIR要求，且亦满足F-ZDD<0的硅晶圆。另外，当以A+B<1.0而进行双面研磨，由于下研磨垫的厚度变得过小，在加工途中下研磨垫断裂，而无法完成双面研磨。
另外，本发明并不为前述实施例所限制。前述实施例为例示，具有与本发明的申请专利范围所记载的技术思想为实质相同的构成，且发挥同样作用效果者，皆包含于本发明的技术范围。

Claims (8)

1.一种双面研磨方法，将支承于载体的半导体晶圆，由经分别贴附有研磨垫的上定盘及下定盘所夹入，使该半导体晶圆的双面滑接于该研磨垫，而同时研磨该半导体晶圆的双面，其中
经贴附于该上定盘的该研磨垫的厚度A(mm)、及经贴附于该下定盘的该研磨垫的厚度B(mm)，满足1.0≦A+B≦2.0，且A/B>1.0的关系。
2.如权利要求1所述的双面研磨方法，其中经贴附于该上定盘的该研磨垫的厚度A(mm)、及经贴附于该下定盘的该研磨垫的厚度B(mm)，满足1.5≦A/B≦2.5的关系。
3.如权利要求1或2所述的双面研磨方法，其中作为经贴附于该上定盘及该下定盘的研磨垫，使用邵氏A硬度为85以上95以下之物。
4.如权利要求1至3中任一项所述的双面研磨方法，其中经贴附于该下定盘的该研磨垫的厚度B为0.3mm以上。
5.一种双面研磨装置，具有经分别贴附有研磨垫的上定盘及下定盘、及经形成有用以将半导体晶圆支承于该上定盘及该下定盘间的支承孔的载体，其中
经贴附于该上定盘的该研磨垫的厚度A(mm)、及经贴附于该下定盘的该研磨垫的厚度B(mm)，满足1.0≦A+B≦2.0，且A/B>1.0的关系。
6.如权利要求5所述的双面研磨方法，其中经贴附于该上定盘的该研磨垫的厚度A(mm)、及经贴附于该下定盘的该研磨垫的厚度B(mm)，满足1.5≦A/B≦2.5的关系。
7.如权利要求5或6所述的双面研磨装置，其中作为经贴附于该上定盘及该下定盘的研磨垫，使用邵氏A硬度为85以上95以下之物。
8.如权利要求5至7中任一项所述的双面研磨装置，其中经贴附于该下定盘的该研磨垫的厚度B为0.3mm以上。
CN201780004626.1A 2016-02-16 2017-02-01 双面研磨方法及双面研磨装置 Active CN108369908B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016027136 2016-02-16
JP2016-027136 2016-02-16
PCT/JP2017/003568 WO2017141704A1 (ja) 2016-02-16 2017-02-01 両面研磨方法及び両面研磨装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108369908A true CN108369908A (zh) 2018-08-03
CN108369908B CN108369908B (zh) 2022-04-15

Family

ID=59626074

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201780004626.1A Active CN108369908B (zh) 2016-02-16 2017-02-01 双面研磨方法及双面研磨装置

Country Status (8)

Country Link
US (1) US11325220B2 (zh)
JP (1) JP6566112B2 (zh)
KR (1) KR102577033B1 (zh)
CN (1) CN108369908B (zh)
DE (1) DE112017000281T5 (zh)
SG (1) SG11201806747QA (zh)
TW (1) TWI705489B (zh)
WO (1) WO2017141704A1 (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109590898A (zh) * 2019-01-25 2019-04-09 西安奕斯伟硅片技术有限公司 工件研磨垫、晶圆双面研磨方法及其研磨装置
CN111599673A (zh) * 2020-06-03 2020-08-28 福建阿石创新材料股份有限公司 一种钼晶圆片的磨抛方法
CN113710421A (zh) * 2019-04-11 2021-11-26 信越半导体株式会社 双面研磨方法

Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05177539A (ja) * 1991-12-24 1993-07-20 Sumitomo Electric Ind Ltd 両面ポリッシュ装置によるウェハ研磨方法
US6582279B1 (en) * 2002-03-07 2003-06-24 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Apparatus and method for reclaiming a disk substrate for use in a data storage device
CN1441713A (zh) * 2000-05-31 2003-09-10 三菱住友硅晶株式会社 使用双面抛光装置的半导体晶片抛光方法
KR20050055531A (ko) * 2003-12-08 2005-06-13 주식회사 실트론 웨이퍼 연마 방법
CN1643658A (zh) * 2002-03-28 2005-07-20 信越半导体株式会社 晶片的两面研磨装置及两面研磨方法
CN101412201A (zh) * 2007-10-17 2009-04-22 硅电子股份公司 载体及其涂敷方法和对半导体晶圆进行同时双面材料移除加工的方法
WO2014073344A1 (ja) * 2012-11-08 2014-05-15 東洋ゴム工業株式会社 積層研磨パッド
CN103846780A (zh) * 2012-12-04 2014-06-11 硅电子股份公司 抛光半导体晶片的方法
US20140235143A1 (en) * 2013-02-15 2014-08-21 Siltronic Ag Method for conditioning polishing pads for the simultaneous double-side polishing of semiconductor wafers
CN104097134A (zh) * 2013-04-12 2014-10-15 硅电子股份公司 用于借助同时双面抛光来抛光半导体晶片的方法
CN104620362A (zh) * 2012-11-13 2015-05-13 信越半导体株式会社 双面研磨方法
CN104842259A (zh) * 2009-12-28 2015-08-19 株式会社荏原制作所 基板抛光设备、基板抛光方法和在该抛光设备中用于调节抛光垫的抛光面温度的设备
CN104903053A (zh) * 2013-01-29 2015-09-09 信越半导体株式会社 双面研磨装置用载具及晶圆的双面研磨方法
JP2016022542A (ja) * 2014-07-17 2016-02-08 信越半導体株式会社 ウェーハ保持用キャリア並びにそれを用いたウェーハの両面研磨方法及びウェーハ保持用キャリアの評価方法並びに設計方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001082354A1 (fr) * 2000-04-24 2001-11-01 Sumitomo Mitsubishi Silicon Corporation Procédé de fabrication d'une plaquette de semi-conducteur
JP3797065B2 (ja) * 2000-05-31 2006-07-12 株式会社Ｓｕｍｃｏ 片面鏡面ウェーハの製造方法
JP2003260656A (ja) * 2002-03-08 2003-09-16 Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp 両面研磨装置用研磨布のドレッシング方法およびこれに用いられるドレッシング治具
JP2007214368A (ja) * 2006-02-09 2007-08-23 Hitachi Cable Ltd Ｍｏｖｐｅ用化合物半導体ウェハ、その製造方法及びｍｏｖｐｅ用化合物半導体エピタキシャルウェハの製造方法
JP5768659B2 (ja) * 2011-10-31 2015-08-26 株式会社Sumco 両面研磨装置の研磨布ドレッシング方法
JP6003800B2 (ja) 2013-05-16 2016-10-05 信越半導体株式会社 ウェーハの両面研磨方法及び両面研磨システム

Patent Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05177539A (ja) * 1991-12-24 1993-07-20 Sumitomo Electric Ind Ltd 両面ポリッシュ装置によるウェハ研磨方法
CN1441713A (zh) * 2000-05-31 2003-09-10 三菱住友硅晶株式会社 使用双面抛光装置的半导体晶片抛光方法
US6582279B1 (en) * 2002-03-07 2003-06-24 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Apparatus and method for reclaiming a disk substrate for use in a data storage device
CN1643658A (zh) * 2002-03-28 2005-07-20 信越半导体株式会社 晶片的两面研磨装置及两面研磨方法
KR20050055531A (ko) * 2003-12-08 2005-06-13 주식회사 실트론 웨이퍼 연마 방법
CN101412201A (zh) * 2007-10-17 2009-04-22 硅电子股份公司 载体及其涂敷方法和对半导体晶圆进行同时双面材料移除加工的方法
CN104842259A (zh) * 2009-12-28 2015-08-19 株式会社荏原制作所 基板抛光设备、基板抛光方法和在该抛光设备中用于调节抛光垫的抛光面温度的设备
WO2014073344A1 (ja) * 2012-11-08 2014-05-15 東洋ゴム工業株式会社 積層研磨パッド
CN104620362A (zh) * 2012-11-13 2015-05-13 信越半导体株式会社 双面研磨方法
CN103846780A (zh) * 2012-12-04 2014-06-11 硅电子股份公司 抛光半导体晶片的方法
CN104903053A (zh) * 2013-01-29 2015-09-09 信越半导体株式会社 双面研磨装置用载具及晶圆的双面研磨方法
US20140235143A1 (en) * 2013-02-15 2014-08-21 Siltronic Ag Method for conditioning polishing pads for the simultaneous double-side polishing of semiconductor wafers
CN104097134A (zh) * 2013-04-12 2014-10-15 硅电子股份公司 用于借助同时双面抛光来抛光半导体晶片的方法
JP2016022542A (ja) * 2014-07-17 2016-02-08 信越半導体株式会社 ウェーハ保持用キャリア並びにそれを用いたウェーハの両面研磨方法及びウェーハ保持用キャリアの評価方法並びに設計方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
黄军辉等: "300mm硅片双面抛光运动轨迹模拟和优化 ", 《稀有金属》 *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109590898A (zh) * 2019-01-25 2019-04-09 西安奕斯伟硅片技术有限公司 工件研磨垫、晶圆双面研磨方法及其研磨装置
CN113710421A (zh) * 2019-04-11 2021-11-26 信越半导体株式会社 双面研磨方法
CN111599673A (zh) * 2020-06-03 2020-08-28 福建阿石创新材料股份有限公司 一种钼晶圆片的磨抛方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20180115260A (ko) 2018-10-22
CN108369908B (zh) 2022-04-15
KR102577033B1 (ko) 2023-09-12
DE112017000281T5 (de) 2018-09-13
JPWO2017141704A1 (ja) 2018-09-27
US11325220B2 (en) 2022-05-10
JP6566112B2 (ja) 2019-08-28
US20180361530A1 (en) 2018-12-20
TWI705489B (zh) 2020-09-21
WO2017141704A1 (ja) 2017-08-24
TW201743374A (zh) 2017-12-16
SG11201806747QA (en) 2018-09-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102398209B (zh) 被研磨物的研磨方法及研磨垫
CN103889655B (zh) 双面研磨方法
CN104350583A (zh) 半导体晶片的制造方法
CN102869478A (zh) 蓝宝石研磨用浆液和蓝宝石的研磨方法
CN108369908A (zh) 双面研磨方法及双面研磨装置
US20160257854A1 (en) Polishing composition and polishing processing method using same
CN109983562B (zh) 双面研磨装置用载体、双面研磨装置及双面研磨方法
JP2006205265A (ja) 研磨方法および研磨用組成物
WO2015025469A1 (ja) ウェーハの両面研磨方法
CN101853671A (zh) 磁盘用基板的制造方法
CN101456150B (zh) 化学机械抛光方法
WO2013031090A1 (ja) シリコンウェーハの研磨方法及び研磨装置
CN102886730A (zh) 磁记录介质用玻璃基板的制造方法和磁记录介质用玻璃基板
JP2008254082A (ja) 球体の研磨装置
JP6330628B2 (ja) ガラス基板の製造方法
CN100581731C (zh) 一种白宝石晶体的表面加工方法
TWI710018B (zh) 晶圓的雙面研磨方法及雙面研磨裝置
JP2010250893A (ja) 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法及び固定砥粒ツールの表面修正方法
JP2002064071A (ja) シリコンウエハー鏡面研磨用研磨板およびシリコンウエハーの鏡面研磨方法
JP2017001138A (ja) ウェーハの両面研磨方法
JP2022160934A (ja) ウェーハの加工方法及びウェーハ
CN105580079B (zh) 磁盘用玻璃基板的制造方法和磁盘的制造方法、以及磨削工具
JP5988480B2 (ja) 研磨方法
CN114774003A (zh) NiP改性层化学机械抛光液及其制备方法和应用
JP2002158196A (ja) シリコンウエハー鏡面研磨用研磨板及びシリコンウエハーの鏡面研磨方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant