CN108369905B - 基板清洗装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及基板清洗装置。对晶圆(W)照射气体团簇从而清洗晶圆(W)的基板清洗装置(100)具有：腔室(1)，其收容晶圆(W)；旋转台(4)，其在腔室(1)内将晶圆(W)支承为能够旋转；喷嘴部(13)，其对支承到旋转台(4)的晶圆(W)照射气体团簇；喷嘴移动部件(10)，其对气体团簇在晶圆(W)上的照射位置进行扫描；排气口(32)，其用于对腔室(1)进行排气；以及控制机构(50)，其以对晶圆(W)的基于旋转台(4)的旋转方向和气体团簇的照射位置的扫描方向进行控制来抑制颗粒再附着于晶圆(W)的方式，控制颗粒的飞散方向。

Description

基板清洗装置
技术领域
本发明涉及照射气体团簇对基板进行清洗的基板清洗装置。
背景技术
在半导体制造工序中，颗粒附着于半导体基板(半导体晶圆)成为左右产品的成品率的较大的主要因素之一。因此，在对基板进行规定的处理之前或之后，对基板进行用于去除颗粒的清洗处理。
在半导体制造工序中，作为去除附着于基板的颗粒的技术，以往，采用二流体清洗、使用Ar、N2等的气溶胶清洗，但这些技术难以与近来的半导体装置的微细化对应。
因此，作为即使在微细的图案内也能够进行清洗的装置，使用气体团簇(gascluster)的基板清洗装置受到瞩目(例如专利文献1～3等)。
气体团簇以如下方式形成：向真空中喷出高压的气体，并利用绝热膨胀将气体冷却至冷凝温度，由此，气体的原子或分子的一部分利用范德华力凝聚而形成。
专利文献1:日本特开2013-026327号公报
专利文献2:日本特开2015-026745号公报
专利文献3:日本特开2015-041646号公报
但是，明确如下情况：使用了这样的气体团簇的基板清洗装置中，在清洗处理中从基板去除的颗粒、暂时附着于腔室壁的颗粒再附着于基板。要求附着于基板的颗粒的个数极少，期望尽可能地抑制再附着的颗粒。
发明内容
因此，本发明的目的在于提供一种能够在使用气体团簇进行基板清洗时抑制颗粒再附着于基板的基板清洗装置。
根据本发明的第1观点，提供一种基板清洗装置，其对被处理基板照射气体团簇从而清洗上述被处理基板，其中，具有：腔室，其收容被处理基板；旋转台，其在上述腔室内将被处理基板支承为能够旋转；照射部，其对支承到上述旋转台的被处理基板照射气体团簇；驱动部，其对上述气体团簇在被处理基板上的照射位置进行扫描；排气口，其用于对上述腔室进行排气；以及控制机构，其以对被处理基板的基于上述旋转台的旋转方向和上述气体团簇的照射位置的扫描方向进行之来抑制颗粒再附着于被处理基板的方式，控制颗粒的飞散方向。
根据本发明的第2观点，提供一种基板清洗装置，其对被处理基板照射气体团簇从而清洗上述被处理基板，其中，具有：腔室，其收容多个被处理基板；多个旋转台，它们在上述腔室内将多个被处理基板分别支承为能够旋转；多个照射部，它们对支承到上述旋转台的多个被处理基板分别照射气体团簇；驱动部，其对上述气体团簇在被处理基板上的照射位置进行扫描；排气口，其用于对上述腔室进行排气；以及控制机构，其以对被处理基板的基于上述各旋转台的旋转方向和上述气体团簇的在上述各被处理基板的照射位置的扫描方向进行控制来抑制颗粒再附着于上述被处理基板、以及上述多个被处理基板相互间的颗粒的干涉的方式，控制颗粒的飞散方向。
在上述第1以及第2观点中，优选上述控制机构以将颗粒引导至上述排气口的方式，控制上述颗粒的飞散方向。另外，优选以能够描绘气体团簇照射位置朝向上述排气口的扫描轨迹的方式，设定上述驱动部。
在上述第1以及第2观点中，优选上述腔室的内壁中的供包含来自上述被处理基板的颗粒的气流抵碰的部分的形状为曲面形状。另外，优选上述排气口具有：主排气口，其设置于上述腔室的底部，用于对上述腔室内进行排气；和上部排气口，其将上述腔室的上述被处理基板之上的区域的气流向上方排出。并且，优选具有相对于上述腔室搬入搬出上述被处理基板的输送口，上述输送口以其开口范围从清洗处理时的上述旋转台上的被处理基板的高度位置偏移的方式设置。此外，优选上述照射部与上述腔室之间的壁面的距离保持为使来自上述照射部的气流朝上述壁面碰撞的碰撞速度成为100m/sec以下那样的距离。
在上述第1以及第2观点中，能够构成为：上述驱动部具有：旋转轴部，其使上述驱动部旋转；旋转臂，其供上述照射部安装，并通过上述旋转轴部进行旋转；以及驱动机构，其使上述旋转轴部旋转。
根据本发明的第3观点，提供一种基板清洗装置，其对被处理基板照射气体团簇从而清洗上述被处理基板，其中，具有：腔室，其收容2个被处理基板；2个旋转台，它们在上述腔室内将2个被处理基板分别支承为能够旋转；2个照射部，它们对支承到上述旋转台的多个被处理基板分别照射气体团簇；驱动部，其对上述气体团簇在被处理基板上的照射位置进行扫描；以及主排气口，其设置于上述腔室的底部，用于对上述腔室内进行排气，上述主排气口在上述2个被处理基板的配置位置之间设置有1个。
根据本发明的第4观点，提供一种基板清洗装置，其对被处理基板照射气体团簇从而清洗上述被处理基板，其中，具有：腔室，其收容2个被处理基板；2个旋转台，它们在上述腔室内将2个被处理基板分别支承为能够旋转；2个照射部，它们对支承到上述旋转台的多个被处理基板分别照射气体团簇；驱动部，其对上述气体团簇在被处理基板上的照射位置进行扫描；以及排气口，其用于对上述腔室内进行排气，上述2个旋转台以使2个被处理基板成为能够抑制颗粒的相互干涉的配置、朝向、或角度的方式设定。
根据本发明的第5观点，提供一种基板清洗装置，其对被处理基板照射气体团簇从而清洗上述被处理基板，其中，具有：腔室，其收容被处理基板；旋转台，其在上述腔室内将被处理基板支承为能够旋转；照射部，其对支承到上述旋转台的被处理基板照射气体团簇；驱动部，其从上述照射部对上述气体团簇在被处理基板上的照射位置进行扫描；以及排气口，其用于对上述腔室进行排气，上述腔室的内壁中的供包含来自上述被处理基板的颗粒的气流抵碰的部分的形状为曲面形状。
根据本发明的第6观点，提供一种基板清洗装置，其对被处理基板照射气体团簇从而清洗上述被处理基板，其中，具有：腔室，其收容被处理基板；旋转台，其在上述腔室内将被处理基板支承为能够旋转；照射部，其对支承到上述旋转台的被处理基板照射气体团簇；驱动部，其从上述照射部对上述气体团簇在被处理基板上的照射位置进行扫描；主排气口，其设置于上述腔室的底部，用于对上述腔室内进行排气；以及上部排气口，其将上述腔室的上述被处理基板之上的区域的气流向上方排出。
根据本发明的第7观点，提供一种基板清洗装置，其对被处理基板照射气体团簇从而清洗上述被处理基板，其中，具有：腔室，其收容被处理基板；旋转台，其在上述腔室内将被处理基板支承为能够旋转；照射部，其对支承到上述旋转台的被处理基板照射气体团簇；驱动部，其从上述照射部对上述气体团簇在被处理基板上的照射位置进行扫描；排气口，其用于对上述腔室内进行排气；以及输送口，其相对于上述腔室搬入搬出上述被处理基板，上述输送口以其开口范围从清洗处理时的上述旋转台上的被处理基板的高度位置偏移的方式设置。
根据本发明的第8观点，提供一种基板清洗装置，其对被处理基板照射气体团簇从而清洗上述被处理基板，其中，具有：腔室，其收容被处理基板；旋转台，其在上述腔室内将被处理基板支承为能够旋转；照射部，其对支承到上述旋转台的被处理基板照射气体团簇；驱动部，其从上述照射部对上述气体团簇在被处理基板上的照射位置进行扫描；以及排气口，其用于对上述腔室内进行排气，上述照射部与上述腔室的壁面之间的距离保持为使来自上述照射部的气流朝上述壁面碰撞的碰撞速度成为100m/sec以下那样的距离。
根据本发明的第9观点，提供一种基板清洗装置，其对被处理基板照射气体团簇从而清洗上述被处理基板，其中，具有：气旋型的腔室，其收容被处理基板，具有圆筒状的上部与圆锥状的下部，并在底部具有排气口；平台，其在上述腔室内支承被处理基板；照射部，其对支承到上述平台的被处理基板照射气体团簇；以及整流部件，其沿着上述被处理基板的外周设置为圆环状，上述整流部件具有在圆周方向上设置有多个的整流板，且上述整流部件的上部被圆环状的盖环封闭，上述被处理基板的上方的气流通过上述整流板之间的空间、以及上述腔室的壁部与上述整流部件之间的外侧空间，从上述排气口排出。
在上述第1至第9观点中，优选还具有环部件，其配置于上述被处理基板的外周。另外，优选还具有挡板，其设置于比上述腔室内壁的上述被处理基板靠下方位置。并且，优选还具有侧流供给机构，其向上述腔室内供给朝向上述排气口的水平方向的侧流。此外，优选还具有下降流供给机构，其向上述腔室内供给下降流。
根据本发明，提供一种能够在使用气体团簇进行基板清洗时，抑制颗粒再附着于基板的基板清洗装置。
附图说明
图1是表示本发明的第1实施方式所涉及的基板清洗装置的一个例子的垂直剖视图。
图2是图1的基板清洗装置的II-II′线的水平剖视图。
图3是图2的基板清洗装置的III-III′线的垂直剖视图。
图4是表示旋转台的俯视图。
图5是示意性地表示对用于晶圆的电路图案的凹部内照射气体团簇的状态的剖视图。
图6是表示确认一边使清洗对象的晶圆旋转并使喷嘴部扫描、一边照射气体团簇的情况下的颗粒的飞散方向的实验及其结果的图。
图7是用于对晶圆的旋转方向为逆时针方向的情况下的颗粒的飞散方向进行说明的图。
图8是用于对晶圆的旋转方向为顺时针方向的情况下的颗粒的飞散方向进行说明的图。
图9是表示在2个晶圆之间设置1个排气口的情况下、以及设置与2个晶圆分别对应的排气口的情况下的、由流体分析软件所分析的流速分布的模拟结果的图。
图10是表示腔室的壁部为曲线形状、且将腔室壁部的与晶圆高度对应的部分设为向外侧突出的R状凹部的情况下、以及设为垂直壁部的情况下的、由流体分析软件所分析的流速分布的模拟结果的图。
图11是表示喷嘴部位于晶圆中心的情况下、以及喷嘴部位于靠近壁面的晶圆周缘部的情况下的、由流体分析软件所分析的流速分布的模拟结果的图。
图12是表示“无上方排气”的情况下与“有上方排气”的情况下的、从腔室内壁产生了颗粒时的由流体分析软件所分析的颗粒轨迹/流速分布的模拟结果的图。
图13是表示“无上方排气”的情况下与“有上方排气”的情况下的、由流体分析软件所分析的流速分布的模拟结果的图。
图14是表示晶圆的高度位置处于输送口的开口范围的情况下的、由流体分析软件所分析的流速分布的模拟结果的图。
图15是表示本发明的第2实施方式所涉及的基板清洗装置的一个例子的水平剖视图。
图16是表示本发明的第3实施方式所涉及的基板清洗装置的一个例子的垂直剖视图。
图17是表示本发明的第4实施方式所涉及的基板清洗装置的一个例子的立体图。
图18是表示在腔室的壁部不设置挡板的情况下的、气体团簇从喷嘴部照射至腔室底部所引起的包含颗粒的气流的动作的图。
图19是表示在腔室的壁部设置有挡板的情况下的、气体团簇从喷嘴部照射至腔室底部所引起的包含颗粒的气流的动作的图。
图20是表示本发明的第5实施方式所涉及的基板清洗装置的一个例子的水平剖视图。
图21是表示本发明的第6实施方式所涉及的基板清洗装置的一个例子的水平剖视图。
图22A是用于对用于抑制颗粒的相互干涉的优选的晶圆姿势的一个例子进行说明的图。
图22B是用于对用于抑制颗粒的相互干涉的优选的晶圆姿势的其它例子进行说明的图。
图22C是用于对用于抑制颗粒的相互干涉的优选的晶圆姿势的又一其它例子进行说明的图。
图22D是用于对用于抑制颗粒的相互干涉的优选的晶圆姿势的又一其它例子进行说明的图。
图22E是用于对用于抑制颗粒的相互干涉的优选的晶圆姿势的又一其它例子进行说明的图。
图22F是用于对用于抑制颗粒的相互干涉的优选的晶圆姿势的又一例子进行说明的图。
图22G是用于对用于抑制颗粒的相互干涉的优选的晶圆姿势的又一其它例子进行说明的图。
图22H是用于对用于抑制颗粒的相互干涉的优选的晶圆姿势的又一其它例子进行说明的图。
图23是表示本发明的第8实施方式所涉及的基板清洗装置的一个例子的垂直剖视图。
图24是表示本发明的第9实施方式所涉及的基板清洗装置的一个例子的垂直剖视图。
图25是图24的基板清洗装置的XXV-XXV′线的水平剖视图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。
＜第1实施方式＞
图1是表示本发明的第1实施方式所涉及的基板清洗装置的一个例子的垂直剖视图，图2是图1的II-II′线的水平剖视图，图3是图2的III-III′线的垂直剖视图，图4是表示旋转台的俯视图。
基板清洗装置100用于对进行CVD或溅镀等成膜处理、蚀刻等真空处理之前或之后的被处理基板进行清洗处理。进行上述清洗处理的基板清洗装置100与进行上述真空处理的多个真空处理装置一起连接于集束型多腔室系统的真空输送室。
该基板清洗装置100具备对用于进行清洗处理的处理室进行划分的腔室1。在腔室1内的底部，以水平的姿势载置有被处理基板亦即半导体晶圆(以下，仅记为晶圆)W的2个旋转台4并列配置于腔室1的长边方向。在各旋转台4，经由旋转轴5连接有马达6，马达6利用升降机构7进行升降。由此，旋转台4能够进行旋转以及升降。腔室1的底部与升降机构7之间被密封部件8密封。如图4所示，各旋转台4具有从中心延伸的3根臂4a，在臂的外端部具有晶圆支承部4b、以及配置于晶圆W的外侧的大口径环4c。大口径环4c以与晶圆W相同的高度在晶圆W的外侧具有5～10mm左右的宽度。另外，在进行清洗处理时，旋转台4将晶圆W从腔室1的底部支承至比较高的位置，从而难以受到从腔室1的底部卷起的颗粒的影响。
在腔室1的底部，在2个旋转台4之间的位置设置有1个主排气口32，并在主排气口32连接有排气配管33。在排气配管33设置有压力控制阀34与真空泵35，利用真空泵35对腔室1内进行真空排气，并且控制压力控制阀34的开度而控制腔室1内的真空度。由此，构成有排气机构30，从而将腔室1内保持为规定的真空度，并且将所去除的颗粒排出至腔室1外。这样，通过在2个旋转台4之间的位置设置1个主排气口32，能够抑制由气流的碰撞所导致的气流向晶圆上方的卷起。
在腔室1的上部，沿着腔室1的外周呈环状地设置有排气口36，在上部排气口36连接有上部排气配管37。在上部排气配管37连接有真空泵(未图示)，以全部排气量的1/10左右的较少的排气量进行排气。该上部排气口36是辅助性排气口，用于将腔室1内的颗粒顺利地排出。此外，排气口36也可以配置于与晶圆的外周对应的部分，在如本例那样的2单片的装置的情况下，能够以沿着2片晶圆的外周描绘8字的方式配置。另外，排气口36也可以沿着腔室1的外周、或者沿着与晶圆的外周对应的部分设置有多个。
在腔室1的侧面，设置有用于相对于多腔室系统的真空输送室进行晶圆W的搬入搬出的输送口2，在输送口2，设置有用于进行输送口2的开闭的闸阀3(参照图2)。输送口2以其开口范围从清洗处理时的旋转台4上的晶圆W的高度位置偏移的方式设置。在本例中，输送口2设置于低于晶圆W的位置。由此，防止在输送口2内被去除的颗粒残存于气流的积淤中而开闭闸阀3时颗粒在腔室1内卷起。
在2个旋转台4的上方，设置有用于分别对晶圆W照射气体团簇的喷嘴部13。喷嘴部13在载置到旋转台4的晶圆W上移动。如图2所示，喷嘴部13利用喷嘴部移动部件10进行转动。喷嘴部移动部件10从腔室的输送口2观察设置于里侧，并具有旋转轴部10a以及旋转臂10b。喷嘴部13安装于旋转臂10b的前端。而且，利用驱动机构11，使旋转臂10b以旋转轴部10a为旋转轴进行旋转(转动)，喷嘴部13利用旋转臂10b的旋转，沿着通过晶圆W上的晶圆W的中心的正上方的轨迹移动。即，喷嘴部13在旋转的晶圆W上进行扫描。此外，在图1以及图3中，省略喷嘴部移动部件10以及驱动机构11的图示。
在喷嘴部13，经由设置于喷嘴部移动部件10的内部的配管(未图示)而供给有清洗用的气体(团簇生成用的气体)。
喷嘴部13用于从压力高于腔室1内的处理氛围的区域朝向腔室1内的晶圆W吐出清洗用的气体，并利用绝热膨胀将清洗用气体冷却至冷凝温度，从而利用范德华力使气体的原子或者分子冷凝而生成它们的集合体亦即气体团簇。生成的气体团簇大致垂直地朝向晶圆W照射。
在本实施方式中，腔室1的内壁中的供包含来自上述晶圆的颗粒的气流抵碰的部分的形状成为曲面形状。由此，缓和包含颗粒的气流的碰撞速度抑制颗粒产生。特别是，腔室1内壁的与晶圆高度对应的部分成为向外侧突出的R状凹部，因此，与其碰撞的气流变成朝下而更难以产生颗粒。
基板清洗装置100具有对基板清洗装置100的各构成部进行控制的控制部50。控制部50具有控制器，该控制器具备对基板清洗装置100的气体的供给、气体的排气、以及旋转台4的驱动系统等进行控制的微处理器(计算机)。在控制器连接有供操作员为了管理基板清洗装置100而进行指令的输入操作等的键盘、可视化地显示基板清洗装置100的运转状况的显示器等。另外，在控制器连接有存储部，该存储部储存有用于利用控制器的控制来实现基板清洗装置100中的处理的控制程序、用于与处理条件相应地使基板清洗装置100的各构成部执行规定的处理的控制程序亦即处理做法、或各种数据库等。而且，必要时，从存储部调用任意做法使控制器执行，由此，在控制器的控制下，进行在基板清洗装置100的所希望的清洗处理。
在本实施方式中，控制部50以一边使晶圆W旋转并使吐出气体团簇的喷嘴部13在晶圆W上进行扫描、一边从喷嘴部13将气体团簇C照射至晶圆W上的方式控制各构成部，但此时，能够通过控制晶圆W的旋转方向、喷嘴部13的扫描方向来控制颗粒的飞散方向。由此，能够抑制在腔室1内的颗粒的飞散。
接下来，针对以上那样构成的基板清洗装置的清洗动作进行说明。
首先，打开闸阀3经由搬入搬出口2将被处理基板亦即晶圆W搬入腔室1内，利用旋转台4的升降将晶圆W载置于旋转台4，使晶圆W位于规定的高度位置。接着，一边使喷嘴部13位于照射开始位置并利用旋转台4使晶圆W旋转，一边从喷嘴部13照射气体团簇，并且使旋转臂10b旋转从而使喷嘴部13扫描，并在晶圆W上扫描气体团簇的照射位置。此时，由旋转台4决定的晶圆W的旋转速度例如设为20～200rpm。这样，使晶圆W旋转并使喷嘴部13移动，从而对晶圆W的表面整体照射气体团簇。气体团簇的照射位置可以连续地移动，也可以间歇地移动。气体团簇的照射开始位置与照射结束位置如后述那样进行设定。
如图5所示，从喷嘴部13照射的气体团簇C大致垂直地朝向晶圆W照射，并进入用于晶圆W的电路图案的凹部110内。然后，凹部110内的颗粒120被气体团簇C、或者由于气体团簇与晶圆W碰撞而分解的气体团簇的构成分子吹飞而去除。
此外，供给至喷嘴部13的清洗用气体也可以利用升压器那样的升压机构使供给压力上升。另外，也可以设置用于去除气体中的杂质的过滤器。
这样，虽然从喷嘴部13照射气体团簇C、并使喷嘴部13旋转，从而在晶圆W上扫描气体团簇C的照射位置，但此时的被从晶圆W去除的颗粒的飞散方向由晶圆W的旋转方向与气体团簇照射位置的扫描方向所决定。即，能够利用晶圆W的旋转方向与气体团簇照射位置的扫描方向来控制晶圆W上的颗粒的飞散方向。
参照图6对该情况进行说明。图6是对如下状况进行说明的图：在腔室内的旋转台设置涂敷有粒径为140～170的二氧化硅(SiO2)的涂敷晶圆(200mm)作为清洗对象，以从腔室的底到达天花板附近的方式在腔室内的清洗对象晶圆的周围纵向配置4片裸晶圆(300mm)，使涂敷晶圆沿逆时针方向旋转，并且使喷嘴部从图中的上方的周缘部朝向晶圆中心旋转、并进行了基于气体团簇的清洗实验时的裸晶圆的附着状况。在图6的中央示出实验的状况，在其周围示出No.1～4的裸晶圆的颗粒附着状况。此外，描绘于No.1～4的线是涂敷晶圆的高度。另外，表示颗粒附着状况的裸晶圆中的No.3、No.4实际上以从里侧透过颗粒附着面的方式进行表示。
如图6所示，对于颗粒的附着量而言，在喷嘴部的扫描方向侧、即在气体团簇照射位置的扫描方向侧的No.3以及No.4，颗粒数较多，在这些之中，特别是晶圆旋转方向下游侧的No.4的颗粒数较多。与此相对地，在气体团簇照射位置的扫描方向相反侧的No.1以及No.2，颗粒较少，在这些之中，特别是晶圆旋转方向下游侧的No.2的颗粒数较少。由此可知，可利用晶圆的旋转方向以及气体团簇照射位置的扫描方向，决定被从晶圆去除的颗粒的飞散方向。
然后，根据该结果可预测如下：对于颗粒的飞散方向而言，在晶圆W的旋转方向为逆时针方向的情况下，成为如图7的(a)～(h)那样，在晶圆W的旋转方向为顺时针方向的情况下，成为如图8的(a)～(h)那样。即，可预测如下：在使晶圆W沿逆时针方向旋转而使气体团簇照射位置从晶圆中心向外侧移动的情况下，如图7的(a)～(d)所示，颗粒的飞散方向为右上侧，在使晶圆W沿逆时针方向旋转而使气体团簇照射位置从晶圆外侧向中心移动的情况下，如图7的(e)～(h)所示，颗粒的飞散方向为右下侧。与此相对地，可预测如下：在使晶圆W沿顺时针方向旋转而使气体团簇照射位置从晶圆中心向外侧移动的情况下，如图8的(a)～(d)所示，颗粒的飞散方向为左上侧，在使晶圆W沿顺时针方向旋转而使气体团簇照射位置从晶圆外侧向中心移动的情况下，如图8的(e)～(h)所示，颗粒的飞散方向为左下侧。另外，可预测如下：无论气体团簇照射位置的扫描方向为何种方向，在晶圆W的旋转方向为逆时针方向时，颗粒向右侧飞散，为顺时针方向时，颗粒向左侧飞散。
这样，利用晶圆W的旋转方向与气体团簇照射位置的扫描方向，能够控制晶圆W上的颗粒的飞散方向，由此，考虑装置设计，以使在腔室1内飞散的颗粒不附着于晶圆W而排出的方式，控制晶圆W的旋转以及气体团簇照射位置。另外，在气体团簇的照射位置的晶圆W上的扫描轨迹也左右颗粒向晶圆W的附着，因此，喷嘴部13的旋转轴部的位置的设定也重要。
在本实施方式中，考虑这样的情况，如图2所示，以使左侧的晶圆W成为顺时针方向、右侧的晶圆W成为逆时针方向的方式进行控制，另外，喷嘴部13的旋转方向、即气体团簇照射位置的扫描方向控制为：在左侧的晶圆为从左上朝向右下的方向、在右侧的晶圆为从右上朝向左下的方向，即朝向排气口32的方向。而且，以能够描绘气体团簇照射位置朝向排气口32的扫描轨迹的方式，设定旋转轴部10a的位置。
由此，能够使从晶圆W飞散的颗粒向顺利地流动至排气口32的方向飞散，并且能够使颗粒向来自一方的晶圆的颗粒难以影响另一方的晶圆的方向飞散。
在进行清洗处理时，喷嘴部13也可以从图2的外侧的晶圆周缘部A移动至晶圆中心部O，也可以从晶圆中心部O移动至内侧的晶圆周缘部B，另外，也可以从周缘部A移动至周缘部B。此时，若加快喷嘴部13的移动速度，则喷嘴部13的1次的扫描时间变短，若减缓喷嘴部13的移动速度，则喷嘴部的1次的扫描时间变长。而且，在扫描时间较短的情况下，总气体团簇相对于晶圆W的照射能量较小，在扫描时间较长的情况下，总气体团簇相对于晶圆W的照射能量较大。因此，与要去除的颗粒的附着力相应地适当设定喷嘴部13的移动速度。另外，针对晶圆的旋转速度，也以可得到适度的照射能量的方式适当设定。
另外，在本实施方式中，在2个旋转台4之间的位置设置1个主排气口32，由此，来自两方晶圆W的气流顺利地流动至主排气口32，抑制颗粒由于气流的碰撞而向晶圆W的上方卷起。在进行2单片的处理的情况下，虽然预测在以晶圆为单位设置排气口的情况下，气流顺利地流动，但根据图9的由流体分析软件所分析的流速分布的模拟结果，在排气口32为1个的情况下，可得到良好的结果。即，图9的(a)是在2个晶圆之间设置1个排气口的情况，但并未观察到气流的碰撞所导致的卷起，气流顺利地朝向排气口流动。与此相对地，图9的(b)是设置与2个晶圆分别对应的2个排气口的情况，但气流在2个晶圆之间的部分碰撞而在上方产生逆流的部分。由此可知，在2个晶圆之间的部分形成1个排气口的情况下，在抑制包含颗粒的气流的卷起上较有利。
并且，在本实施方式中，将腔室1的内壁的供包含颗粒的气流抵碰的部分的形状形成为曲面形状，由此，与垂直壁的情况相比，能够在包含颗粒的气流碰撞时更缓和其碰撞速度。因此，能够抑制颗粒的飞散。特别是，将腔室1内壁的与晶圆高度对应的部分形成为向外侧突出的R状凹部，由此，碰撞的气流变成朝下，即使产生颗粒，也能够容易地将其从排气口排出。基于图10的由流体分析软件所分析的流速分布的模拟结果对该情况进行说明。图10的(a)是本实施方式的曲线形状的壁部的结果，图10的(b)是垂直壁的结果。这些是气流在2片晶圆的中间碰撞的情况下的结果。此外，(a)成为使腔室中央凹陷的形状。如该图所示，对于壁部的气流碰撞的部分的速度而言，(a)的曲线形状小于(b)的垂直壁，另外，碰撞后的气流的向量在(b)的垂直壁为朝上以及朝下，与此相对地，在(a)的曲线壁，由于是R形状而成为朝下。另外，在(a)的情况下，2个晶圆之间的包含颗粒的气流的碰撞高度附近成为朝下的向量，从而可抑制颗粒的飞散，与此相对地，在(b)的情况下，气流碰撞点摇动，存在颗粒飞散的担忧。此外，即使在(a)中也在2个晶圆的中间部存在若干气流的卷起，但由于是不包含颗粒的气流，所以没有问题。
此外，从喷嘴部13喷射的气流在晶圆W反射，若以高速向腔室1的壁面碰撞，则颗粒产生的风险较高。从抑制颗粒的产生的观点来看，优选向壁面碰撞的碰撞气流的速度为100m/sec以下。另外，喷嘴部13越靠近腔室1的壁面，则气流向壁面碰撞的碰撞速度越高。图11是表示由流体分析软件所分析的流速分布的模拟结果的图，(a)表示喷嘴部位于晶圆中心的情况，(b)表示喷嘴部位于靠近壁面的晶圆周缘部的情况。如该图所示，与喷嘴部位于中心部的情况相比，在位于靠近壁面的周缘部的情况下，碰到壁面的气流的速度快一位数。因此，优选即使在喷嘴部13最靠近腔室壁面时，也将喷嘴部13与腔室1的壁面之间的距离保持为使气流的碰撞速度成为100m/sec以下的距离。
此外，在腔室1，除了主排气口32之外，还设置有上部排气口36进行全部排气流量的1/10左右的排气，由此，能够使气流不滞留在腔室1内的晶圆W之上的区域而被排出。因此，在从腔室1的内壁面产生了颗粒的情况下，也能够将颗粒与气流共同从上下的排气口顺利地排出，从而能够抑制颗粒再附着于腔室壁面、晶圆。图12是表示从腔室内壁产生有颗粒时的由流体分析软件所分析的颗粒轨迹/流速分布的模拟结果的图，(a)是“无上方排气”的情况，(b)是“有上方排气”的情况。可知：在“无上方排气”的情况下，如(a)所示，颗粒分散在腔室中，与此相对地，在“有上方排气”的情况下，如(b)所示，包含颗粒的气流向上方以及下方顺利地排出，颗粒几乎不分散在腔室内。
在该情况下，如上述那样，上方排气的排气量为全部排气量的1/10左右的较少的排气量，因此，上方排气几乎不会影响腔室1内的整体的流速分布。图13是表示由流体分析软件所分析的流速分布的模拟结果的图，(a)是“无上方排气”的情况，(b)是“有上方排气”的情况，可知流速分布并不因上方排气的有无而发生变化。
此外，在本实施方式中，输送口2以其开口范围从清洗处理时的旋转台4上的晶圆W的高度位置偏移的方式(在本例中，在低于晶圆W的位置)设置，因此，防止在被从晶圆W去除的粒子被截留在输送口2内的气流的积淤而开闭闸阀时，颗粒在腔室1内卷起。在旋转台4上的晶圆W的高度位置处于输送口2的开口范围的情况下，如图14的由流体分析软件所分析的流速分布的模拟结果所示，包含在晶圆反射后的颗粒的气流进入输送口，颗粒与气流的积淤一起被截留在输送口内而开闭闸阀3时，存在被截留的颗粒卷起而附着于晶圆W的担忧。
此外，在本实施方式中，如图4所示，载置晶圆W的旋转台4以与晶圆W相同的高度在晶圆W的外侧具有5～10mm左右的宽度的大口径环4c，因此，能够抑制向晶圆边缘照射气体团簇时的气流的紊乱。在不存在大口径环4c的情况下，若气体团簇碰到晶圆边缘，则气流的动作变得复杂，产生来自腔室1的底、腔室侧壁的扬尘、颗粒卷起，但通过在晶圆W的外侧以与晶圆W相同的高度设置5～10mm左右的宽度的大口径环4c，即使对晶圆边缘照射气体团簇，也不产生复杂的气流的动作。
另外，在进行清洗处理时，旋转台4将晶圆W从腔室1的底部支承至比较高的位置，因此，难以受到从腔室1的底部卷起的颗粒的影响。
＜第2实施方式＞
图15是表示本发明的第2实施方式所涉及的基板清洗装置的一个例子的水平剖视图。本实施方式将第1实施方式的基板清洗装置的主排气口32设置在侧壁，并且添加有向腔室1内供给朝向排气口的水平方向的侧流的侧流供给机构60。
侧流供给机构60具有：侧流供给部件61，其设置于与腔室1的主排气口32相反的一侧的侧壁的晶圆W的上方位置；和气体供给源62，其向侧流供给部件61供给N2气体等，在进行基于气体团簇的基板清洗时，从设置于侧流供给部件61的多个气体吐出口63吐出气体，从而形成朝向主排气口32的侧流。利用该侧流，能够将在腔室1内飞舞而落下的颗粒在附着于晶圆W之前排出。
＜第3实施方式＞
图16是表示本发明的第3实施方式所涉及的基板清洗装置的一个例子的垂直剖视图。本实施方式在第1实施方式的基板清洗装置添加了向上述腔室1内供给下降流的下降流供给机构70。此外，在图16中，省略喷嘴部移动部件10以及驱动机构11的图示。
下降流供给机构70具有：下降流供给部件71，其设置于腔室1的顶壁；和气体供给源72，其向下降流供给部件71供给N2气体等，在进行基于气体团簇的基板清洗时，从设置于下降流供给部件的多个气体吐出口73吐出气体，从而形成下降流。由此，能够抑制被从晶圆W去除的颗粒向晶圆W上侧卷起，从而能够抑制颗粒的再附着。
＜第4实施方式＞
图17是表示本发明的第4实施方式所涉及的基板清洗装置的一个例子的立体图。在本实施方式中，与本发明的第1实施方式不同，在晶圆旋转台4未设置有大口径环4c，而代替地在比腔室1的侧壁(内壁)的晶圆载置位置靠下方位置设置挡板80。
在未设置挡板的情况下，如图18所示，若从喷嘴部13喷射的气体团簇从晶圆偏离，则快的喷流带走腔室1的底的颗粒，包含颗粒的气流在腔室1侧壁立起使其颗粒附着于晶圆W。与此相对地，在设置有挡板80的情况下，如图19所示，对于包含在腔室1侧壁立起的颗粒的气流而言，利用挡板80使气流横向弯曲，从而能够抑制颗粒向晶圆W卷起。
＜第5实施方式＞
图20是表示本发明的第5实施方式所涉及的基板清洗装置的一个例子的水平剖视图。本实施方式的排气口的数量和位置与上述第1实施方式不同，另外，喷嘴部13的晶圆W上的旋转位置不同，并且，在设置有屏蔽部件这方面与第1实施方式不同，其它基本上与第1实施方式相同。以下，以与第1实施方式不同的方面为中心进行说明。
如图20所示，在本实施方式中，在腔室1内的2个旋转台4分别载置有晶圆W。旋转台4构成为与第1实施方式相同。
在腔室1的底部设置有4个主排气口32a、32b、32c、32d。这些主排气口32a、32b、32c、32d设置于腔室1的四角附近，并且一部分设置于挂在晶圆W的位置。另外，2个晶圆W沿着腔室1的长边并置，在腔室1的一方的长边设置有进行晶圆W的搬入搬出的输送口2。另外，在输送口2的里侧，以不使从2个晶圆W产生的颗粒相互干涉的方式设置有屏蔽部件90。上述4个主排气口中的主排气口32a、32c设置于屏蔽部件90的内侧部分。
两个晶圆W的喷嘴部13的旋转轴部10a设置于通过两个晶圆W的中心的直线上并且设置于腔室1的端部。喷嘴部13利用旋转轴部10a并经由旋转臂10b在晶圆W上旋转。
在进行清洗处理时，从喷嘴部13照射气体团簇C，并使喷嘴部13旋转，从而在晶圆上扫描气体团簇C的照射位置，但即便在本实施方式中，被从晶圆W去除的颗粒的飞散方向也由晶圆W的旋转方向与气体团簇照射位置的扫描方向所决定。即，能够利用晶圆W的旋转方向与气体团簇照射位置的扫描方向，控制被从晶圆W去除的颗粒的飞散方向。
在本实施方式中，以左侧的晶圆W沿逆时针方向旋转、右侧的晶圆沿顺时针方向旋转的方式进行控制，成为气体团簇照射位置的喷嘴部13控制为沿图20的箭头方向移动，且终点成为屏蔽部件90侧的晶圆W端部。
由此，利用来自喷嘴部13的气体团簇而飞起的去除颗粒被引导至屏蔽部件90侧的主排气口32a、32c而被排出。这样，通过控制气体团簇照射位置的扫描方向以及晶圆的旋转方向，抑制去除颗粒自身以及乘着气流的颗粒再附着于该晶圆自身。因此，通过优化气体团簇照射位置的扫描方向及其轨道，可抑制利用气体团簇而飞起的去除颗粒自身相互干涉2个晶圆，并且除此之外，通过优化气体团簇照射位置的终点位置、并设置有屏蔽部件90，也可抑制乘着喷流而飞散的颗粒相互干涉2个晶圆。
＜第6实施方式＞
图21是表示本发明的第6实施方式所涉及的基板清洗装置的一个例子的水平剖视图。本实施方式的排气口的配置与上述第5实施方式不同，另外，喷嘴部13的晶圆W上的旋转位置不同，其它基本上与第5实施方式相同。以下，以与第5实施方式不同的方面为中心进行说明。
如图21所示，在本实施方式中，在腔室1内的2个旋转台4分别载置有晶圆W。旋转台4构成为与第1实施方式相同。
在腔室1的底部设置有4个主排气口32e、32f、32g、32h。在这4个主排气口32e、32f、3g、32h中，主排气口32e、32f设置于2个晶圆W之间的输送口2侧以及屏蔽部件侧，主排气口32g、32h设置于通过两晶圆W的中心的直线上并且设置于腔室1的端部。另外，与第5实施方式相同地，2个晶圆W沿着腔室1的长边并置，在腔室1的一方的长边设置有进行晶圆W的搬入搬出的输送口2，在输送口2的里侧设置有屏蔽部件90。
两晶圆W的喷嘴部13的旋转轴部10a设置于输送口2侧。喷嘴部13利用旋转轴部10a并经由旋转臂10b在晶圆W上旋转。
在进行清洗处理时，从喷嘴部13照射气体团簇C，并使喷嘴部13旋转，从而在晶圆上扫描气体团簇C的照射位置，但即便在本实施方式中，被从晶圆W去除的颗粒的飞散方向也由晶圆W的旋转方向与气体团簇照射位置的扫描方向所决定。即，能够利用晶圆W的旋转方向与气体团簇照射位置的扫描方向，控制被从晶圆W去除的颗粒的飞散方向。
在本实施方式中，以左侧的晶圆W沿顺时针方向旋转、右侧的晶圆沿逆时针方向旋转的方式进行控制，成为气体团簇照射位置的喷嘴部13控制为沿图21的箭头方向移动，且终点成为腔室1壁的短边侧的晶圆W端部。
由此，利用来自喷嘴部13的气体团簇而飞起的去除颗粒被引导至腔室1的端部侧的主排气口32g、32h而被排出。这样，通过控制气体团簇照射位置的扫描方向以及晶圆的旋转方向，抑制去除颗粒自身以及乘着气流的颗粒再附着于该晶圆自身。因此，通过优化气体团簇照射位置的扫描方向及其轨道，可抑制利用气体团簇而飞起的去除颗粒自身相互干涉2个晶圆，并且除此之外，通过优化气体团簇照射位置的终点位置、并设置有屏蔽部件90，也可抑制乘着喷流而飞散的颗粒相互干涉2个晶圆。若考虑喷嘴部13的终点是在2个晶圆最远的位置、以及驱动单元的配置，则在抑制晶圆相互的颗粒的干涉上，可以说与第5实施方式相比，优选本实施方式。
＜第7实施方式＞
在上述第1～第6实施方式中，示出将2片晶圆沿着腔室1的长边并置的情况，但为了抑制邻接的晶圆的颗粒的相互干涉，钻研在腔室1内的晶圆W的配置、朝向、角度等也较重要。在本实施方式中，针对用于抑制颗粒的相互干涉的优选的晶圆姿势的几个例子进行说明。
图22A是使2片晶圆W具有高低差的例子。这能够通过利用升降机构使2个旋转台4具有高低差来实现。与2片晶圆水平配置的情况相比，能够减少颗粒的相互干涉。但是，需要提高腔室1的高度，使得腔室1的体积增加。
图22B是使2片晶圆W向相同方向倾斜的例子。这能够通过新设置倾斜机构来实现。根据倾斜角度不同，需要将晶圆W保持在旋转台的卡盘机构。与使2片晶圆具有高低差地配置的情况相比，能够减少颗粒的相互干涉。
图22C是使2片晶圆W向相反方向倾斜的例子。这能够通过新设置倾斜机构来实现。根据倾斜角度不同，需要将晶圆W保持在旋转台4的卡盘机构。在该情况下，与图22B的情况相比，能够减少颗粒的相互干涉。
图22D是将2片晶圆W纵向放置、并将2片晶圆相互配置在相反侧的例子。在该情况下，需要将旋转台4的旋转机构等成为不同的机构，并需要将晶圆W保持在旋转台4的卡盘机构。在该情况下，与图22C的情况相比，能够减少颗粒的干涉。
图22E是将晶圆W朝下配置在旋转台4的情况。需要将被输送的晶圆W反转的机构、以及将晶圆W保持在旋转台4的卡盘机构。在排气口处于腔室1的底部的情况下，通过这样将晶圆W朝下配置，颗粒难以附着于晶圆W。
对于图22F而言，虽然2片晶圆W水平地配置在相同高度，但配置为在腔室1内沿深度方向偏移。在该情况下，能够增长2片晶圆W的距离，因此，与第1实施方式的情况相比，能够减少颗粒的相互干涉。但是，腔室1的体积变大。
图22G、图22H与图22F相同地，将2片晶圆配置为在腔室1内沿深度方向偏移，并且与图22C相同地，是使2片晶圆相互向相反侧倾斜的情况。由此，与图22F相比，能够减少颗粒的相互干涉。但是，与图22F相同地，腔室1的体积变大。
＜第8实施方式＞
图23是表示本发明的第8实施方式所涉及的基板清洗装置的一个例子的垂直剖视图。在第1～第7实施方式中，示出在腔室内配置2片晶圆进行清洗处理的2单片的基板清洗装置，但本发明也可以是针对1片晶圆进行清洗处理的单片式的基板清洗装置，本实施方式示出该例子。
本实施方式的基板清洗装置是单片装置，除此之外，基本上构成为与第1实施方式的基板清洗装置相同。即便在本实施方式中，在进行清洗处理时，也从喷嘴部13照射气体团簇C，并使喷嘴部13旋转，从而在晶圆上扫描气体团簇C的照射位置，被从晶圆W去除的颗粒的飞散方向由晶圆W的旋转方向与气体团簇照射位置的扫描方向所决定。即，能够利用晶圆W的旋转方向与气体团簇照射位置的扫描方向，控制被从晶圆W去除的颗粒的飞散方向。
由于本实施方式的装置为单片装置，所以无需考虑晶圆相互的颗粒的干涉，但通过这样控制气体团簇照射位置的扫描方向以及晶圆的旋转方向，能够抑制去除颗粒自身以及乘着气流的颗粒再附着于该晶圆自身。
另外，在本实施方式中也与第1实施方式相同地，腔室1的内壁的供包含颗粒的气流抵碰的部分的形状成为曲面形状，另外，以从排气口36朝上方排气的方式构成，由此，与第1实施方式相同地，能够抑制颗粒的产生。
＜第9实施方式＞
图24是表示本发明的第9实施方式所涉及的基板清洗装置的一个例子的垂直剖视图，图25是其XXV-XXV′线的水平剖视图。在本实施方式中，具有气旋型的腔室111，并具有设置于晶圆W的周围的整流部件113。
腔室111具有圆筒状的上部111a、以及圆锥状的下部111b，并在下部111b的底部设置有排气口116。晶圆W利用未图示的旋转台，配置于腔室111的上部111a与下部111b之间的部分，晶圆W与腔室111的壁部具有一定的间隔。整流部件113沿着晶圆W的外周设置为圆环状，在整流部件113的内部，沿圆周方向，以从晶圆侧向外周侧而从径向倾斜的状态设置有多个整流板(叶片)112。另外，整流部件113的上部被圆环状的盖环114封闭。而且，晶圆W的上方的气流通过整流板(叶片)112之间的空间115、以及腔室111的壁部与整流部件113之间的外侧空间117，被从底部的排气口116排出。
这样，若设置整流部件113，并向晶圆W的下方取得排气，则利用整流部件113的作用，能够抑制朝晶圆W的上方卷起的气流，并能够抑制颗粒再附着于晶圆W。若在整流板(叶片)112与晶圆之间没有间隙，则能够得到气流截留效果。
＜其它应用＞
以上，对本发明的几个实施方式进行了说明，但本发明并不限定于上述实施方式，而能够在本发明的思想的范围内进行各种变形。
例如，在上述实施方式中，对在基板清洗装置使喷嘴部利用旋转进行移动从而扫描气体团簇照射位置的情况进行了例示，但也可以使喷嘴部线性移动而扫描气体团簇照射位置。另外，喷嘴部的安装位置、驱动部的位置、排气部的位置等的装置结构并不限定于图1。
另外，在上述实施方式中，例示了对2片晶圆进行清洗处理的2单片的装置、以及单片式的装置，但也可以是对3片以上晶圆进行处理的装置。并且，被处理基板并不限定于半导体晶圆，在用于液晶显示装置等的FPD(平板显示器)的玻璃基板、陶瓷基板等其它基板当然也能够应用本发明。此外，上述多个实施方式能够任意地组合实施。
附图标记说明：
1…腔室；4…旋转台；4c…大口径环；5…旋转轴；6…马达；7…升降机构；10…喷嘴移动部件；10a…旋转轴部；10b…旋转臂；11…驱动机构；32、32a、32b、32c、32d、32e、32f、32g、32h…主排气口；33…排气配管；34…真空泵；36…上部排气口；50…控制部；60…侧流供给机构；70…下降流供给机构；80…挡板；90…屏蔽部件；100…基板清洗装置；110…凹部；111…腔室；112…整流板(叶片)；113…整流部件；114…盖环；115…空间；116…排气口；117…外侧空间；120…颗粒；W…半导体晶圆。

Claims (31)

1.一种基板清洗装置，其对被处理基板照射气体团簇从而清洗所述被处理基板，
其中，所述基板清洗装置具有：
腔室，其收容被处理基板；
旋转台，其在所述腔室内将被处理基板支承为能够旋转；
照射部，其对支承到所述旋转台的被处理基板照射气体团簇；
驱动部，其对所述气体团簇在被处理基板上的照射位置进行扫描；
排气口，其用于对所述腔室进行排气；以及
控制机构，其以对被处理基板的基于所述旋转台的旋转方向和所述气体团簇的照射位置的扫描方向进行控制来抑制颗粒再附着于被处理基板的方式并且以将颗粒引导至所述排气口的方式，控制颗粒的飞散方向。
2.根据权利要求1所述的基板清洗装置，其中，
以能够描绘气体团簇照射位置朝向所述排气口的扫描轨迹的方式，设定所述驱动部。
3.根据权利要求1所述的基板清洗装置，其中，
所述腔室的内壁中的供包含来自所述被处理基板的颗粒的气流抵碰的部分的形状为碰撞的所述气流变成朝下的曲面形状。
4.根据权利要求1所述的基板清洗装置，其中，
所述排气口具有：主排气口，其设置于所述腔室的底部，用于对所述腔室内进行排气；以及上部排气口，其将所述腔室的所述被处理基板之上的区域的气流朝上方排出。
5.根据权利要求1所述的基板清洗装置，其中，
具有相对于所述腔室搬入搬出所述被处理基板的输送口，所述输送口以其开口范围从清洗处理时的所述旋转台上的被处理基板的高度位置偏移的方式设置。
6.根据权利要求1所述的基板清洗装置，其中，
所述照射部与所述腔室的壁面之间的距离保持为使来自所述照射部的气流朝所述壁面碰撞的碰撞速度成为100m/sec以下那样的距离。
7.根据权利要求1所述的基板清洗装置，其中，
所述驱动部具有：旋转轴部，其使所述驱动部旋转；旋转臂，其供所述照射部安装，并通过所述旋转轴部进行旋转；以及驱动机构，其使所述旋转轴部旋转。
8.根据权利要求1所述的基板清洗装置，其中，
还具有配置于所述被处理基板的外周的环部件。
9.根据权利要求1所述的基板清洗装置，其中，
还具有设置于比所述腔室内壁的所述被处理基板靠下方位置的挡板。
10.根据权利要求1所述的基板清洗装置，其中，
还具有向所述腔室内供给朝向所述排气口的水平方向的侧流的侧流供给机构。
11.根据权利要求1所述的基板清洗装置，其中，
还具有向所述腔室内供给下降流的下降流供给机构。
12.一种基板清洗装置，其对被处理基板照射气体团簇从而清洗所述被处理基板，
其中，所述基板清洗装置具有：
腔室，其收容多个被处理基板；
多个旋转台，它们在所述腔室内将多个被处理基板分别支承为能够旋转；
多个照射部，它们对支承到所述旋转台的多个被处理基板分别照射气体团簇；
驱动部，其对所述气体团簇在被处理基板上的照射位置进行扫描；
排气口，其用于对所述腔室进行排气；以及
控制机构，其以对被处理基板的基于所述各旋转台的旋转方向和所述气体团簇的在所述各被处理基板的照射位置的扫描方向进行控制来抑制颗粒再附着于所述被处理基板、以及所述多个被处理基板相互间的颗粒的干涉的方式，控制颗粒的飞散方向。
13.根据权利要求12所述的基板清洗装置，其中，
所述控制机构以将颗粒引导至所述排气口的方式，控制所述颗粒的飞散方向。
14.根据权利要求12所述的基板清洗装置，其中，
以能够描绘气体团簇照射位置朝向所述排气口的扫描轨迹的方式，设定所述驱动部。
15.根据权利要求12所述的基板清洗装置，其中，
所述腔室的内壁中的供包含来自所述被处理基板的颗粒的气流抵碰的部分的形状为曲面形状。
16.根据权利要求12所述的基板清洗装置，其中，
所述排气口具有：主排气口，其设置于所述腔室的底部，用于对所述腔室内进行排气；以及上部排气口，其将所述腔室的所述被处理基板之上的区域的气流朝上方排出。
17.根据权利要求12所述的基板清洗装置，其中，
具有相对于所述腔室搬入搬出所述被处理基板的输送口，所述输送口以其开口范围从清洗处理时的所述旋转台上的被处理基板的高度位置偏移的方式设置。
18.根据权利要求12所述的基板清洗装置，其中，
所述照射部与所述腔室的壁面之间的距离保持为使来自所述照射部的气流朝所述壁面碰撞的碰撞速度成为100m/sec以下那样的距离。
19.根据权利要求12所述的基板清洗装置，其中，
所述驱动部具有：旋转轴部，其使所述驱动部旋转；旋转臂，其供所述照射部安装，并通过所述旋转轴部进行旋转；以及驱动机构，其使所述旋转轴部旋转。
20.根据权利要求12所述的基板清洗装置，其中，
还具有配置于所述被处理基板的外周的环部件。
21.根据权利要求12所述的基板清洗装置，其中，
还具有设置于比所述腔室内壁的所述被处理基板靠下方位置的挡板。
22.根据权利要求12所述的基板清洗装置，其中，
还具有向所述腔室内供给朝向所述排气口的水平方向的侧流的侧流供给机构。
23.根据权利要求12所述的基板清洗装置，其中，
还具有向所述腔室内供给下降流的下降流供给机构。
24.一种基板清洗装置，其对被处理基板照射气体团簇从而清洗所述被处理基板，
其中，所述基板清洗装置具有：
腔室，其收容2个被处理基板；
2个旋转台，它们在所述腔室内将2个被处理基板分别支承为能够旋转；
2个照射部，它们对支承到所述旋转台的多个被处理基板分别照射气体团簇；
驱动部，其对所述气体团簇在被处理基板上的照射位置进行扫描；以及
主排气口，其设置于所述腔室的底部，用于对所述腔室内进行排气，
所述主排气口在所述2个被处理基板的配置位置之间设置有1个。
25.根据权利要求24所述的基板清洗装置，其中，
还具有将所述腔室的所述被处理基板之上的区域的气流向上方排出的上部排气口。
26.一种基板清洗装置，其对被处理基板照射气体团簇从而清洗所述被处理基板，
其中，所述基板清洗装置具有：
腔室，其收容2个被处理基板；
2个旋转台，它们在所述腔室内将2个被处理基板分别支承为能够旋转；
2个照射部，它们对支承到所述旋转台的多个被处理基板分别照射气体团簇；
驱动部，其对所述气体团簇在被处理基板上的照射位置进行扫描；以及
排气口，其用于对所述腔室内进行排气，
所述2个旋转台以使2个被处理基板成为能够抑制颗粒的相互干涉的配置、朝向、或角度的方式设定。
27.一种基板清洗装置，其对被处理基板照射气体团簇从而清洗所述被处理基板，
其中，所述基板清洗装置具有：
腔室，其收容被处理基板；
旋转台，其在所述腔室内将被处理基板支承为能够旋转；
照射部，其对支承到所述旋转台的被处理基板照射气体团簇；
驱动部，其从所述照射部对所述气体团簇在被处理基板上的照射位置进行扫描；以及
排气口，其用于对所述腔室进行排气，
所述腔室的内壁中的供包含来自所述被处理基板的颗粒的气流抵碰的部分的形状为碰撞的所述气流变成朝下的曲面形状，以所述气流中的颗粒被引导至所述排气口的方式，控制颗粒的飞散方向。
28.一种基板清洗装置，其对被处理基板照射气体团簇从而清洗所述被处理基板，
其中，所述基板清洗装置具有：
腔室，其收容被处理基板；
旋转台，其在所述腔室内将被处理基板支承为能够旋转；
照射部，其对支承到所述旋转台的被处理基板照射气体团簇；
驱动部，其从所述照射部对所述气体团簇在被处理基板上的照射位置进行扫描；
主排气口，其设置于所述腔室的底部，用于对所述腔室内进行排气；以及
上部排气口，其将所述腔室的所述被处理基板之上的区域的气流向上方排出，
以因所述气体团簇的照射而从所述被处理基板飞散的颗粒被引导至所述主排气口以及所述上部排气口的方式，控制颗粒的飞散方向。
29.一种基板清洗装置，其对被处理基板照射气体团簇从而清洗所述被处理基板，
其中，所述基板清洗装置具有：
腔室，其收容被处理基板；
旋转台，其在所述腔室内将被处理基板支承为能够旋转；
照射部，其对支承到所述旋转台的被处理基板照射气体团簇；
驱动部，其从所述照射部对所述气体团簇在被处理基板上的照射位置进行扫描；
排气口，其用于对所述腔室内进行排气；以及
输送口，其相对于所述腔室搬入搬出所述被处理基板，
所述输送口以其开口范围从清洗处理时的所述旋转台上的被处理基板的高度位置偏移的方式设置，
以从所述被处理基板飞散的颗粒被引导至所述排气口的方式，控制颗粒的飞散方向。
30.一种基板清洗装置，其对被处理基板照射气体团簇从而清洗所述被处理基板，
其中，所述基板清洗装置具有：
腔室，其收容被处理基板；
旋转台，其在所述腔室内将被处理基板支承为能够旋转；
照射部，其对支承到所述旋转台的被处理基板照射气体团簇；
驱动部，其从所述照射部对所述气体团簇在被处理基板上的照射位置进行扫描；以及
排气口，其用于对所述腔室内进行排气，
所述照射部与所述腔室的壁面之间的距离保持为使来自所述照射部的气流朝所述壁面碰撞的碰撞速度成为100m/sec以下那样的距离，
以从所述被处理基板飞散的颗粒被引导至所述排气口的方式，控制颗粒的飞散方向。
31.一种基板清洗装置，其对被处理基板照射气体团簇从而清洗所述被处理基板，
其中，所述基板清洗装置具有：
气旋型的腔室，其收容被处理基板，具有圆筒状的上部与圆锥状的下部，并在底部具有排气口；
平台，其在所述腔室内支承被处理基板；
照射部，其对支承到所述平台的被处理基板照射气体团簇；以及
整流部件，其沿着所述被处理基板的外周设置为圆环状，
所述整流部件具有在圆周方向上设置有多个的整流板，所述整流部件的上部被圆环状的盖环封闭，所述被处理基板的上方的气流通过所述整流板之间的空间、以及所述腔室的壁部与所述整流部件之间的外侧空间，从所述排气口排出，以所述气流中的颗粒被引导至所述排气口的方式，控制颗粒的飞散方向。
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