CN104078398A - 一种改善刻蚀副产物凝结缺陷的晶圆净化腔 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种改善刻蚀副产物凝结缺陷的晶圆净化腔，用于在晶圆进行刻蚀后、清洗前，对晶圆进行前置净化处理，通过在净化腔的腔体内环绕腔体竖直中心设置的若干顶部喷射枪和若干侧壁喷射枪，可从不同方向及可调整的角度和距离同时向晶圆支撑台上旋转的晶圆喷射净化气体，并通过腔体上方的抽气管将腔体内的净化后气体及其携带的刻蚀副产物抽出，应用本发明的净化腔既可避免对晶圆、特别是对CD造成损伤，又可实现去除晶圆粘附的刻蚀副产物，从而消除了刻蚀副产物在等待清洗过程中与水反应产生的凝结物缺陷。

Description

一种改善刻蚀副产物凝结缺陷的晶圆净化腔

技术领域

本发明涉及一种用于对半导体晶圆进行净化的装置，更具体地，涉及一种用于改善刻蚀工艺副产物产生的凝结物缺陷的晶圆净化腔。

背景技术

随着集成电路工艺的发展以及关键尺寸按比例缩小，各种工艺的工艺窗口也越来越小，比如离子注入的深度、剂量甚至形貌等等，例如，55纳米逻辑产品异常的离子注入形貌，将导致最终的器件甚至良率失效，造成损失。离子注入的异常形貌经常是由于多晶硅侧壁刻蚀的副产物残留，在清洗工艺由于等待时间过长，与空气中的与水反应产生的凝结物缺陷阻挡了正常的离子注入所导致。又例如，55纳米逻辑产品的通孔或连接孔刻蚀产生的副产物残留，在清洗工艺由于等待时间过长，与空气中的水反应会产生凝结物缺陷，此缺陷将挡住后续金属的填充，成为制约良率提升的一大阻碍。

针对上述刻蚀后的副产物产生的凝结物缺陷，目前主要是通过控制刻蚀到清洗之间的等待时间，来避免凝结物缺陷的出现。但是，由于在线生产中存在各种突发状况，其等待时间难以控制；同时，在某些极端情况下，即使等待时间控制得很好，也会随机出现此类缺陷。

因此，针对刻蚀后的副产物，现有的一种方法通常是应用刻蚀腔，在刻蚀完成后利用等离子体对晶圆进行处理。但此种方法将降低生产率，而且，由于等离子体的高能特性，很难控制其不对晶圆(如对CD)造成损伤，以及造成氧化物厚度损失等。另外一种常用的方式是通过增加后续湿法清洗步骤的清洗时间来去除刻蚀后的副产物与水反应产生的凝结物。此种方式同样会降低生产率，而且很难清洗干净，往往在清洗后仍有薄薄的一层氧化物残留，这将对后续离子注入的形貌产生相应的影响，进而影响最终的良率。即使两种方式同时应用，也只会加倍降低生产率，同时还会存在CD损伤等潜在问题，以及凝结物缺陷去除不净的风险。所以，以上方式均存在很大的弊端。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术存在的上述缺陷，提供一种可改善刻蚀副产物凝结缺陷的晶圆净化腔，用于在所述晶圆进行刻蚀后、清洗前，对所述晶圆进行前置净化处理，通过在所述晶圆净化腔的腔体内环绕所述腔体竖直中心设置的若干顶部喷射枪和若干侧壁喷射枪，可从不同方向及可调整的角度和距离同时向晶圆支撑台上旋转的所述晶圆喷射净化气体，并通过所述腔体上方的抽气管将所述腔体内的净化后气体及其携带的刻蚀副产物抽出，既可避免对晶圆、特别是对CD造成损伤，又可实现去除所述晶圆粘附的刻蚀副产物，从而消除了刻蚀副产物在等待清洗过程中与水反应产生的凝结物缺陷。

为实现上述目的，本发明的技术方案如下：

一种改善刻蚀副产物凝结缺陷的晶圆净化腔，其特征在于，所述晶圆净化腔包括：

腔体，所述腔体侧壁设有一个提供所述晶圆进出的窗口，所述腔体具有可与外部刻蚀机台腔体连通的接口，可作为刻蚀腔的副腔安装在同一机台上，以便于在刻蚀工艺完成后及时对晶圆进行净化处理，避免刻蚀副产物与外部的水接触发生反应；

喷射枪系统，包括设于所述腔体内的环绕所述腔体竖直中心的若干顶部喷射枪和若干侧壁喷射枪，所述顶部喷射枪设于所述侧壁喷射枪的上方，所述顶部喷射枪和侧壁喷射枪分别通过活动支架连接所述腔体的侧壁，所述活动支架可带动所述顶部喷射枪、侧壁喷射枪在所述腔体内运动，所述喷射枪连通外部净化气源，所述喷射枪系统可通过所述喷射枪以不同方向及可调整的角度和距离朝向放置在所述腔体内的所述晶圆同时喷射净化气体，对所述晶圆进行净化处理，去除所述晶圆粘附的刻蚀副产物，以消除刻蚀副产物与水反应产生的凝结物缺陷；由于晶圆表面的刻蚀结构在微观上为立体结构，环绕腔体的各顶部喷射枪和侧壁喷射枪通过活动支架可调整分别从不同方向、角度和距离向晶圆同时喷射净化气体，可以从不同方位以不同的压力冲击刻蚀副产物，以利于将粘附在刻蚀结构各方位的刻蚀副产物冲刷掉；

晶圆支撑台系统，包括设于所述腔体内的下方用于承载所述晶圆的晶圆支撑台，所述晶圆支撑台位于所述顶部喷射枪和所述侧壁喷射枪的下方，所述晶圆支撑台的下方中心设有转轴，所述转轴连接所述腔体外部的旋转及移动机构；可通过晶圆支撑台的转动，带动晶圆旋转，使从不同方向喷射出的净化气体在晶圆表面形成旋流状态，利用净化气体旋流的冲刷特性，使晶圆粘附的刻蚀副产物松动，并在净化气体的带动作用下通过离心力从晶圆分离，从而使晶圆得到净化；

抽气系统，设于所述腔体上方外部，并通过抽气管连通所述腔体内部，所述抽气管一端从所述腔体的上方伸入所述腔体内部，另一端连通外部气体回收装置，所述抽气系统通过所述抽气管将所述腔体内的净化后气体及其携带的刻蚀副产物抽出，并排向所述气体回收装置。

进一步地，所述抽气管在所述腔体内具有下大、上小平滑过渡的管径，所述抽气管的下端开口位于所述晶圆支撑台的上方，并位于所述顶部喷射枪和所述侧壁喷射枪的上方。抽气管具有较大的下端开口，可起到更好地汇聚作用，以利于将净化后气体及其携带的刻蚀副产物尽可能一次性抽出腔体，以避免刻蚀副产物在腔体内沉积或二次污染晶圆。

进一步地，所述晶圆支撑台、所述抽气管、所述腔体的竖直中心重合，以利于形成最佳的抽气效果。

进一步地，所述顶部喷射枪按与所述晶圆支撑台的垂直方向设于所述支撑台的上方，并可通过所述活动支架调整与所述晶圆支撑台之间的垂直距离和至所述晶圆支撑台中心的水平距离，可以一定的垂直距离和位置定点喷射净化气体，也可按一定的垂直距离和变换的位置或按变换的垂直距离和变换的位置以移动喷射的方式从正面方向对晶圆进行净化处理，可利用净化气体变动的冲击力的冲刷作用，进一步增强净化效力。

进一步地，所述顶部喷射枪与所述晶圆支撑台之间的垂直距离可在0～150毫米之间调整，可在此距离范围内调整以一定的垂直距离和位置定点喷射净化气体，也可按一定的垂直距离和变换的位置或按变换的垂直距离和变换的位置以移动喷射的方式从正面方向对晶圆进行净化处理。

进一步地，所述侧壁喷射枪按与所述晶圆支撑台的倾斜方向设于所述支撑台的上方，并可通过所述活动支架调整与所述晶圆支撑台之间的倾斜喷射角和至所述晶圆支撑台中心的水平距离，可以一定的喷射角和位置定点倾斜喷射净化气体，也可按一定的喷射角和变换的位置或按变换的喷射角和变换的位置以移动喷射的方式从倾斜方向对晶圆进行净化处理，可利用净化气体变动的冲击力的冲刷作用，配合顶部喷射枪的正面喷射，进一步增强净化效力。

进一步地，所述侧壁喷射枪与所述晶圆支撑台之间的倾斜喷射角可在0～90度之间调整，可在此角度范围内调整以一定的喷射角和位置定点倾斜喷射净化气体，也可按一定的喷射角和变换的位置或按变换的喷射角和变换的位置以移动喷射的方式从倾斜方向对晶圆进行净化处理。

进一步地，所述顶部喷射枪和侧壁喷射枪按上下位置分别环绕所述腔体的竖直中心对称且错位设置，以提高净化气体喷射的均匀性，并避免分别从顶部喷射枪和侧壁喷射枪喷射的净化气体的气路之间产生交叉干扰。

进一步地，所述旋转及移动机构通过所述转轴带动所述晶圆支撑台在所述腔体内可同时作旋转、上下及水平移动，可在顶部喷射枪和侧壁喷射枪作定点喷射或移动喷射时，晶圆支撑台选择以作单一的转动，或转动同时上下移动，或转动、上下移动的同时进行水平移动的不同方式，配合以三维运动的方式，使晶圆表面的旋流净化气体发挥最佳的冲刷作用，将刻蚀副产物从晶圆有效分离并抽出腔体。

进一步地，所述腔体具有可与外部刻蚀机台腔体连通的接口，所述接口为所述晶圆进出的窗口，当将净化腔的腔体作为刻蚀腔的副腔安装在同一机台上时，可通过晶圆进出窗口作为与刻蚀腔连通的接口，以便于在刻蚀工艺完成后晶圆直接从窗口进入净化腔进行净化处理，避免刻蚀副产物与外部的水接触发生反应。

使用本发明的上述技术方案中的晶圆净化腔时，在晶圆进行刻蚀后，将晶圆从腔体的窗口移入，置于晶圆支撑台系统的支撑台上。启动支撑台使其转动，并带动晶圆旋转。然后，打开喷射枪系统的各顶部喷射枪、侧壁喷射枪，从晶圆的上方及侧面两个方向向晶圆喷射高于室温的净化气体，例如氮气或其混合气体或惰性气体例如氩气或其混合气体，并利用晶圆旋转的离心作用，使净化气体在晶圆表面形成旋流状态。同时，根据晶圆的具体条件，通过活动支架使各顶部喷射枪以一定的垂直距离和位置定点喷射净化气体，也可按一定的垂直距离和变换的位置或按变换的垂直距离和变换的位置以移动喷射的方式从正面方向对晶圆进行净化处理；并通过活动支架使各侧壁喷射枪以一定的喷射角和位置定点倾斜喷射净化气体，也可按一定的喷射角和变换的位置或按变换的喷射角和变换的位置以移动喷射的方式从倾斜方向对晶圆进行净化处理；在喷射的过程中，还可根据需要，对喷射流量进行调整，大的流量相对净化效果较好；在顶部喷射枪和侧壁喷射枪作定点喷射或移动喷射时，晶圆支撑台选择以作单一的转动，或转动同时上下移动，或转动、上下移动的同时进行水平移动的不同方式，配合以三维运动的方式，使晶圆表面的旋流净化气体发挥最佳的冲刷作用，将刻蚀副产物从晶圆有效分离并通过抽气系统的抽气管汇聚后抽出腔体。喷射枪除了可喷射高于室温的净化气体，以使得晶圆表面的刻蚀副产物在较高温度下具有较高活性容易从晶圆分离外，还可以再继续喷射低于室温的液态上述净化气体，利用液态净化气体的低温吸热能力，使得最终没有被完全去除的刻蚀副产物的活性降至最低，难以再与水发生反应生成凝聚物。净化完毕后，停止支撑台的运动，关闭喷射枪和抽气管，打开腔体窗口，将晶圆移出，可继续进行后续正常的清洗步骤。

从上述技术方案可以看出，本发明通过在晶圆净化腔的腔体内按上下位置分别环绕所述腔体的竖直中心对称且错位设置的若干顶部喷射枪和若干侧壁喷射枪，可从垂直和倾斜的不同方向同时向晶圆支撑台上旋转的所述晶圆喷射不同温度的气态或液态净化气体，并可在晶圆净化过程中变换喷射枪与晶圆之间的喷射距离、位置及角度，配合晶圆支撑台的同时转动、上下及水平移动，形成对晶圆在三维运动中进行净化处理，并通过所述腔体上方的抽气管将所述腔体内的净化后气体及其携带的刻蚀副产物抽出，既可避免对晶圆、特别是对CD造成损伤，又可实现去除所述晶圆粘附的刻蚀副产物，从而有效消除了刻蚀副产物在等待清洗过程中与水反应产生的凝结物缺陷，在保证生产率的同时，为器件稳定与产品良率提升提供了更大的窗口。

附图说明

图1是本发明一种改善刻蚀副产物凝结缺陷的晶圆净化腔的结构示意图；

图2是本发明一种改善刻蚀副产物凝结缺陷的晶圆净化腔的腔体内部的俯视结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图，对本发明的具体实施方式作进一步的详细说明。

需要说明的是，在下述的实施例中，在详述本发明的实施方式时，为了清楚地表示本发明的结构以便于说明，特对附图中的结构不依照一般比例绘图，并进行了局部放大、变形及省略处理，因此，应避免以此作为对本发明的限定来加以理解。

在本实施例中，请参阅图1，图1是本发明一种改善刻蚀副产物凝结缺陷的晶圆净化腔的结构示意图。本发明的晶圆净化腔包括腔体、喷射枪系统、晶圆支撑台系统和抽气系统几个组成部分。如图1所示，腔体1形成一个相对密闭的净化空间，在腔体1的侧壁靠近下方的部位设有一个提供晶圆进出的窗口2。将此窗口2作为腔体1与外部刻蚀机台腔体连通的接口，并可将净化腔的腔体1作为刻蚀腔的副腔安装在同一机台上，即可通过晶圆进出窗口2，使晶圆在刻蚀工艺完成后，直接从窗口2进入腔体1进行净化处理，避免刻蚀产生的副产物与外部环境中的水汽接触，发生反应生成凝结物。

请继续参阅图1。喷射枪系统包括喷射枪和活动支架。在腔体1的侧壁靠近上方的部位按上、下位置环绕腔体1的竖直中心对称地分别安装有12个活动支架6和5。每个活动支架6垂直装有1个顶部喷射枪8，每个活动支架5向下倾斜装有1个侧壁喷射枪7。喷射枪8和7分别通过气管4和3连通外部的净化气源(图略)，喷射枪系统可通过喷射枪8和7向腔体1内喷射净化气体。每2个对称设置的顶部喷射枪8或侧壁喷射枪7的水平连线通过腔体1的竖直中心；位于上方的各活动支架6及其连接的顶部喷射枪8与位于下方的各活动支架5及其连接的侧壁喷射枪7在垂直方向上错位设置，以提高净化气体喷射的均匀性，并避免分别从顶部喷射枪8和侧壁喷射枪7喷射的净化气体的气路之间产生交叉干扰。活动支架6和5可分别带动顶部喷射枪8、侧壁喷射枪7在腔体1内运动。

请继续参阅图1。晶圆支撑台系统包括安装在腔体1内的下方中心的用于承载晶圆18的晶圆支撑台19和传动机构。晶圆支撑台19位于顶部喷射枪8和侧壁喷射枪7的下方位置。晶圆支撑台19的下方中心装有转轴20，转轴20连接腔体1外部的旋转及移动机构21，转轴20、旋转及移动机构21组成晶圆支撑台系统的传动机构。旋转及移动机构21可采用传统的机电一体化传动形式或其他可同时转动、平移及升降的机构形式来实现。旋转及移动机构21通过转轴20带动晶圆支撑台19在腔体1内可同时作旋转、上下及水平移动。可通过晶圆支撑台19的转动，带动其承载的晶圆18旋转，使从顶部喷射枪8和侧壁喷射枪7喷射出的垂直和倾斜方向的净化气体在晶圆18表面形成旋流状态，利用净化气体旋流的冲刷特性，使晶圆18粘附的刻蚀副产物松动，并在净化气体的带动作用下通过离心力从晶圆18分离，从而使晶圆18得到净化。

请继续参阅图1。抽气系统安装在腔体1上方外部，设有抽气管10和用于向外抽取抽气管10中的气体的气泵11。抽气管10连通腔体1内部，抽气管10一端从腔体1的上方中心伸入腔体1内部，另一端连通外部气体回收装置(图略)。抽气系统通过气泵11的抽吸力，将腔体1内的净化后气体及其携带的刻蚀副产物由抽气管10抽出，并排向气体回收装置。抽气管10在腔体内的部分为剖面形状为下大、上小的梯形管。抽气管10的下端开口12位于晶圆支撑台19的上方，并位于顶部喷射枪8和侧壁喷射枪7的上方，避免干扰喷射枪8和7的移动。抽气管10具有较大的下端开口12，可起到更好地气流汇聚作用，以利于将净化后气体及其携带的刻蚀副产物尽可能一次性抽出腔体1，以避免刻蚀副产物在腔体1内沉积或二次污染晶圆。

请参阅图2，图2是本发明一种改善刻蚀副产物凝结缺陷的晶圆净化腔的腔体内部的俯视结构示意图。如图2所示，晶圆支撑台19、抽气管10(图中实际显示的是抽气管在腔体内的下端开口的垂直投影)、腔体1的竖直中心重合，以利于形成最佳的抽气效果。12个顶部喷射枪8(图中实际显示的是顶部喷射枪的垂直投影，并省略了活动支架)与12个侧壁喷射枪7(图中实际显示的是侧壁喷射枪的垂直投影，并省略了活动支架)按上、下位置环绕腔体1的竖直中心对称错位设置，每2个对称设置的顶部喷射枪8或侧壁喷射枪7的水平连线通过腔体1的竖直中心，以提高净化气体喷射的均匀性，并避免分别从顶部喷射枪8和侧壁喷射枪7喷射的净化气体的气路之间产生交叉干扰。顶部喷射枪8和侧壁喷射枪7可分别在活动支架(图略)的带动下，作沿晶圆支撑台19径线方向的水平移动。

请继续参阅图1。活动支架6的水平悬臂13可以伸缩移动，竖直臂14可以上下移动，并带动水平悬臂13上下移动，活动支架6的实现方式例如可以采用通常的机械臂形式或其他传统的伸缩移动形式。因此，活动支架6可带动顶部喷射枪8同时作沿晶圆支撑台19径线方向的水平移动及垂直上下移动，使顶部喷射枪8可以水平及垂直移动的方式，朝向晶圆支撑台19上放置的晶圆18喷射净化气体，对晶圆18进行移动喷射净化。活动支架5的转动臂15可通过转动支点16作朝向晶圆支撑台19径线方向的转动，以带动侧壁喷射枪7变换喷射角度；活动支架5的水平臂16同时可以伸缩移动，并带动转动臂15、侧壁喷射枪7水平移动；活动支架5的实现方式例如可以采用通常的机械臂形式或其他传统的伸缩转动移动形式。因此，活动支架5可带动侧壁喷射枪7同时作沿晶圆支撑台19径线方向的水平移动及变换喷射角度的转动，使侧壁喷射枪7可以水平及变换喷射角度的方式，朝向晶圆支撑台19上放置的晶圆18喷射净化气体，对晶圆18进行移动喷射净化。顶部喷射枪8与侧壁喷射枪7分别通过气管4和3连通外部净化气源(图略)。

请继续参阅图1。在顶部喷射枪8和侧壁喷射枪7作定点喷射或移动喷射时，晶圆支撑台19也可以在外接的旋转及移动机构21带动下，选择以作单一的转动，或转动同时上下移动，或转动、上下移动的同时进行水平移动的不同方式，配合以三维运动的方式，使晶圆18表面形成的旋流净化气体发挥最佳的冲刷作用，将刻蚀副产物从晶圆18有效分离并通过抽气管10抽出腔体1。

由于晶圆18表面的刻蚀结构在微观上为立体结构，环绕腔体1中心的各顶部喷射枪8和侧壁喷射枪7通过活动支架6、5可调整分别从垂直和倾斜方向、以顶部喷射枪8变换的喷射距离和以侧壁喷射枪7变换的喷射角度，同时向晶圆18喷射净化气体，可以从不同方位以不同的流量和压力冲击刻蚀副产物，以利于将粘附在刻蚀结构各方位的刻蚀副产物冲刷掉。

请继续参阅图1。顶部喷射枪8的喷射口与晶圆支撑台19之间的垂直距离可在0～150毫米之间调整，可在此距离范围内调整以一定的垂直距离和水平位置定点喷射净化气体，也可按一定的垂直距离和变换的水平位置或按变换的垂直距离和变换的水平位置以移动喷射的方式从正面方向对晶圆18进行净化处理。同时，侧壁喷射枪7的喷射角度可以在0～90度之间调整，可在此角度范围内调整以一定的喷射角和水平位置定点倾斜喷射净化气体，也可按一定的喷射角和变换的水平位置或按变换的喷射角和变换的水平位置以移动喷射的方式从倾斜方向对晶圆18进行净化处理。可利用净化气体变动的冲击力的冲刷作用，从二个方向进行喷射，进一步增强净化效力。

在使用本实施例中的晶圆净化腔时，在晶圆18进行刻蚀后，将晶圆18从净化腔的腔体1的窗口2移入，置于晶圆支撑台系统的支撑台19上。启动支撑台19使其转动，并带动晶圆18旋转。然后，打开喷射枪系统的各顶部喷射枪8、侧壁喷射枪7，分别从晶圆18的垂直上方及倾斜侧面两个方向向晶圆18喷射高于室温的净化气体，例如氮气或其混合气体或惰性气体例如氩气或其混合气体，并利用晶圆18旋转的离心作用，使净化气体在晶圆18表面形成旋流状态。同时，根据晶圆18的具体条件，通过活动支架6使各顶部喷射枪8以一定的垂直距离和水平位置定点喷射净化气体，也可按一定的垂直距离和变换的水平位置或按变换的垂直距离和变换的水平位置以移动喷射的方式从正面方向对晶圆18进行净化处理；并通过活动支架5使各侧壁喷射枪7以一定的喷射角和水平位置定点倾斜喷射净化气体，也可按一定的喷射角和变换的水平位置或按变换的喷射角和变换的水平位置以移动喷射的方式从倾斜方向对晶圆18进行净化处理；在喷射的过程中，还可根据需要，对喷射流量进行调整，大的流量相对净化效果较好；在顶部喷射枪8和侧壁喷射枪7作定点喷射或移动喷射时，晶圆支撑台19选择以作单一的转动，或转动同时上下移动，或转动、上下移动的同时进行水平移动的不同方式，配合以三维运动的方式，使晶圆18表面的旋流净化气体发挥最佳的冲刷作用，将刻蚀副产物从晶圆18有效分离并通过抽气系统的抽气管10汇聚后抽出腔体1。喷射枪8、7除了可喷射高于室温的净化气体，以使得晶圆18表面的刻蚀副产物在较高温度下具有较高活性容易从晶圆18分离外，还可以再继续喷射低于室温的液态上述净化气体，利用液态净化气体的低温吸热能力，使得最终没有被完全去除的刻蚀副产物的活性降至最低，难以再与水发生反应生成凝聚物。净化完毕后，停止支撑台19的运动，关闭喷射枪8、7和抽气管10，打开腔体1的窗口2，将晶圆18移出，可继续进行后续正常的清洗步骤。

以上所述的仅为本发明的优选实施例，所述实施例并非用以限制本发明的专利保护范围，因此凡是运用本发明的说明书及附图内容所作的等同结构变化，同理均应包含在本发明的保护范围内。

Claims (10)

1.一种改善刻蚀副产物凝结缺陷的晶圆净化腔，其特征在于，所述晶圆净化腔包括：

腔体，所述腔体侧壁设有一个提供所述晶圆进出的窗口，所述腔体具有可与外部刻蚀机台腔体连通的接口；

喷射枪系统，包括设于所述腔体内的环绕所述腔体竖直中心的若干顶部喷射枪和若干侧壁喷射枪，所述顶部喷射枪设于所述侧壁喷射枪的上方，所述顶部喷射枪和侧壁喷射枪分别通过活动支架连接所述腔体的侧壁，所述活动支架可带动所述顶部喷射枪、侧壁喷射枪在所述腔体内运动，所述喷射枪连通外部净化气源，所述喷射枪系统可通过所述喷射枪以不同方向及可调整的角度和距离朝向放置在所述腔体内的所述晶圆同时喷射净化气体，对所述晶圆进行净化处理，去除所述晶圆粘附的刻蚀副产物，以消除刻蚀副产物与水反应产生的凝结物缺陷；

晶圆支撑台系统，包括设于所述腔体内的下方用于承载所述晶圆的晶圆支撑台，所述晶圆支撑台位于所述顶部喷射枪和所述侧壁喷射枪的下方，所述晶圆支撑台的下方中心设有转轴，所述转轴连接所述腔体外部的旋转及移动机构；

抽气系统，设于所述腔体上方外部，并通过抽气管连通所述腔体内部，所述抽气管一端从所述腔体的上方伸入所述腔体内部，另一端连通外部气体回收装置，所述抽气系统通过所述抽气管将所述腔体内的净化后气体及其携带的刻蚀副产物抽出，并排向所述气体回收装置。

2.如权利要求1所述的晶圆净化腔，其特征在于，所述抽气管在所述腔体内具有下大、上小平滑过渡的管径，所述抽气管的下端开口位于所述晶圆支撑台的上方，并位于所述顶部喷射枪和所述侧壁喷射枪的上方。

3.如权利要求1或2所述的晶圆净化腔，其特征在于，所述晶圆支撑台、所述抽气管、所述腔体的竖直中心重合。

4.如权利要求1所述的晶圆净化腔，其特征在于，所述顶部喷射枪按与所述晶圆支撑台的垂直方向设于所述支撑台的上方，并可通过所述活动支架调整与所述晶圆支撑台之间的垂直距离和至所述晶圆支撑台中心的水平距离。

5.如权利要求4所述的晶圆净化腔，其特征在于，所述顶部喷射枪与所述晶圆支撑台之间的垂直距离可在0～150毫米之间调整。

6.如权利要求1所述的晶圆净化腔，其特征在于，所述侧壁喷射枪按与所述晶圆支撑台的倾斜方向设于所述支撑台的上方，并可通过所述活动支架调整与所述晶圆支撑台之间的倾斜喷射角和至所述晶圆支撑台中心的水平距离。

7.如权利要求6所述的晶圆净化腔，其特征在于，所述侧壁喷射枪与所述晶圆支撑台之间的倾斜喷射角可在0～90度之间调整。

8.如权利要求1所述的晶圆净化腔，其特征在于，所述顶部喷射枪和侧壁喷射枪按上下位置分别环绕所述腔体的竖直中心对称且错位设置。

9.如权利要求1所述的晶圆净化腔，其特征在于，所述旋转及移动机构通过所述转轴带动所述晶圆支撑台在所述腔体内可同时作旋转、上下及水平移动。

10.如权利要求1所述的晶圆净化腔，其特征在于，所述腔体具有可与外部刻蚀机台腔体连通的接口，所述接口为所述晶圆进出的窗口。