CN108598019A - 晶圆清洗设备及其清洗方法 - Google Patents
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Abstract
一种晶圆清洗设备及其清洗方法,所述晶圆清洗设备包括:密封的清洗腔体;用于放置晶圆的晶圆基座,位于所述清洗腔体内;第一进气管路,与所述清洗腔体连通,所述第一进气管路在开启时向所述清洗腔体输入气态CO2;第二进气管路,与所述清洗腔体连通,所述第二进气管路在开启时向所述清洗腔体输入CO2流体,其中,所述第一进气管路与所述第二进气管路分时开启;出气管路,与所述清洗腔体连通,用于排出所述清洗腔体内的气体或CO2流体。本发明方案可以采用CO2流体对晶圆表面进行清洗,可以溶解去除残留的有机物等,从而提高清洗洁净度。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种晶圆清洗设备及其清洗方法。
背景技术
随着半导体产业不断发展,对半导体清洗技术的要求持续提高,所述半导体清洗技术已成为决定产品良率的关键技术之一。
目前的晶圆(Wafer)清洗方法可以包括:槽式清洗以及单片式清洗。通常采用药液以及去离子水(De-Ionized Water)作为清洗原材料。具体地,通常采用药液进行清洗,然后去离子水冲洗药液,防止药液残留刻蚀晶圆。
在清洗之后,还需要采用干燥(Dry)工艺去除晶圆上残留的液体。具体地,在对应于槽式清洗的过程中,通常采用异丙醇(Isopropanol,IPA)作为干燥原材料;在对应于单片式清洗的过程中,通常采用去离子水旋转干燥法(De-Ionized Water Spin Dry,DIW SpinDry)对去离子水进行干燥。
然而,在采用IPA时,由于需要采用不锈钢材料制造承装IPA的槽,因此存在金属污染的潜在危害;并且由于IPA为易燃材料(闪燃点26℃),存在生产安全隐患;在采用旋转干燥法对去离子水进行干燥时,容易由于表面张力(毛细力)的作用,导致晶圆的凸出图案在旋转过程中发生倒塌,降低产品良率。
发明内容
本发明解决的技术问题是提供一种晶圆清洗设备及其清洗方法,采用CO2流体对晶圆表面进行清洗,可以溶解去除残留的有机物等,从而提高清洗洁净度。
为解决上述技术问题,本发明实施例提供一种晶圆清洗设备,包括:密封的清洗腔体;用于放置晶圆的晶圆基座,位于所述清洗腔体内;第一进气管路,与所述清洗腔体连通,所述第一进气管路在开启时向所述清洗腔体输入气态CO2;第二进气管路,与所述清洗腔体连通,所述第二进气管路在开启时向所述清洗腔体输入CO2流体,其中,所述第一进气管路与所述第二进气管路分时开启;出气管路,与所述清洗腔体连通,用于排出所述清洗腔体内的气体或CO2流体。
可选的,所述晶圆清洗设备还包括:第一温控设备,用于控制所述清洗腔体内的温度;和/或,第一压力调节设备,用于控制所述清洗腔体内的压力。
可选的,所述晶圆清洗设备还包括:气泵,与所述出气管路连接,用于抽出所述清洗腔体内的气体或CO2流体。
可选的,所述晶圆清洗设备还包括:晶圆升降设备,用于控制所述晶圆基座带动所述晶圆在所述清洗腔体内移动。
可选的,所述出气管路至少包括第一出气管路和第二出气管路,所述第一出气管路用于输出所述清洗腔体内的CO2气体或CO2流体,所述第二出气管路用于输出所述清洗腔体内的空气,所述晶圆清洗设备还包括:CO2回收设备,所述CO2回收设备的第一端连接于所述第一出气管路,所述CO2回收设备的第二端连接于所述第一进气管路以及所述第二进气管路。
可选的,所述晶圆清洗设备还包括:所述第一出气管路、所述第一进气管路以及所述第二进气管路中的至少一个连接有过滤器。
可选的,所述晶圆清洗设备还包括:回收温控设备,用于控制所述CO2回收设备内的温度;和/或,回收压力调节设备,用于控制所述CO2回收设备内的压力。
可选的,所述晶圆清洗设备还包括:第二温控设备,位于所述第二进气管路上,用于控制向所述清洗腔体输入的CO2流体的温度;和/或,第二压力调节设备,位于所述第二进气管路上,用于控制向所述清洗腔体输入的CO2流体的压力。
可选的,所述CO2流体为超临界CO2流体。
为解决上述技术问题,本发明实施例提供一种上述晶圆清洗设备的晶圆清洗方法,包括:提供晶圆,并将所述晶圆设置于所述晶圆基座;通过所述第一进气管路向所述清洗腔体输入气态CO2,且通过所述出气管路排出所述清洗腔体内的空气;通过所述第二进气管路向所述清洗腔体输入CO2流体,直至所述CO2流体浸没所述晶圆;完成清洗后,通过所述出气管路排出所述清洗腔体内的CO2流体。
可选的,所述晶圆清洗方法还包括:调节所述清洗腔体内的温度,和/或调节所述清洗腔体内的压力,以使所述清洗腔体内残余的CO2流体变为气态CO2。
可选的,通过所述出气管路排出所述清洗腔体内的CO2流体包括:采用气泵从所述清洗腔体内抽出所述CO2流体。
可选的,通过所述出气管路排出所述清洗腔体内的CO2流体包括:通过所述第一进气管路向所述密封的清洗腔体输入气态CO2,且通过所述出气管路排出所述清洗腔体内的CO2流体。
可选的,所述晶圆清洗方法还包括:通过所述出气管路排出所述清洗腔体内的CO2流体之前,控制所述晶圆在所述清洗腔体内移动,以采用所述CO2流体对所述晶圆进行清洗。
与现有技术相比,本发明实施例的技术方案具有以下有益效果:
在本发明实施例中,所述晶圆清洗设备包括:密封的清洗腔体;用于放置晶圆的晶圆基座,位于所述清洗腔体内;第一进气管路,与所述清洗腔体连通,所述第一进气管路在开启时向所述清洗腔体输入气态CO2;第二进气管路,与所述清洗腔体连通,所述第二进气管路在开启时向所述清洗腔体输入CO2流体,其中,所述第一进气管路与所述第二进气管路分时开启;出气管路,与所述清洗腔体连通,用于排出所述清洗腔体内的气体或CO2流体。采用上述方案,通过设置第一进气管路、第二进气管路且分时开启,可以输入气态CO2以及CO2流体,从而可以采用CO2流体对晶圆表面进行清洗,可以溶解去除残留的有机物等,相比于现有技术中采用去离子水,可以提高清洗洁净度,并且通过排出CO2流体,可以带走清洗的杂质或有机物。
进一步,通过控制清洗腔体内的温度和/或控制所述清洗腔体内的压力,可以使所述清洗腔体内残余的CO2流体变为气态CO2,可以对晶圆进行干燥,相比于现有技术中的干燥方式,可以避免产生金属污染的潜在危害、生产安全隐患或者降低产品良率等问题,有助于提高生产的安全性以及产品良率。进一步地,在CO2流体升温变成气体后,还可以使CO2与携带于CO2流体中的杂质和有机物自行分离,提高分离残留有机物的便利性。
进一步,可以采用多种方式从所述清洗腔体内输出所述CO2流体,方便用户根据具体需求进行选择使用,提高便利性。
进一步,可以采用晶圆升降设备控制所述晶圆在所述清洗腔体内移动,例如上下移动,有利于提高所述CO2流体对所述晶圆的清洗洁净度。
进一步,可以对清洗腔体内的CO2气体或CO2流体进行回收,通过循环利用,可以节省资源。
附图说明
图1是本发明实施例中一种晶圆清洗设备的结构示意图;
图2是本发明实施例中另一种晶圆清洗设备的结构示意图;
图3是本发明实施例中又一种晶圆清洗设备的结构示意图;
图4是本发明实施例中一种晶圆清洗方法的流程图。
具体实施方式
在现有的晶圆清洗技术中,通常采用药液以及去离子水(De-Ionized Water)作为清洗原材料。具体地,通常采用药液进行清洗,然后去离子水冲洗药液,防止药液残留刻蚀晶圆。
进一步地,采用干燥(Dry)工艺去除晶圆上残留的液体。具体地,在采用IPA作为干燥原材料时,容易存在金属污染的潜在危害,并且存在生产安全隐患;在采用旋转干燥法对去离子水进行干燥时,容易导致晶圆的凸出图案在旋转过程中发生倒塌,降低产品良率。
本发明的发明人经过研究发现,在现有技术中,由于受到材料本身性质的限制(例如去离子水具有的表面张力),或者受到材料存储条件的限制(例如采用不锈钢材料制造承装IPA的槽),当采用现有技术中的清洗原材料并进而对晶圆进行干燥时,难以完全避免金属污染的潜在危害、生产安全隐患或者降低产品良率。
在本发明实施例中,所述晶圆清洗设备包括:密封的清洗腔体;用于放置晶圆的晶圆基座,位于所述清洗腔体内;第一进气管路,与所述清洗腔体连通,所述第一进气管路在开启时向所述清洗腔体输入气态CO2;第二进气管路,与所述清洗腔体连通,所述第二进气管路在开启时向所述清洗腔体输入CO2流体,其中,所述第一进气管路与所述第二进气管路分时开启;出气管路,与所述清洗腔体连通,用于排出所述清洗腔体内的气体或CO2流体。采用上述方案,通过设置第一进气管路、第二进气管路且分时开启,可以输入气态CO2以及CO2流体,从而可以采用CO2流体对晶圆表面进行清洗,可以溶解去除残留的有机物等,相比于现有技术中采用去离子水,可以提高清洗洁净度,并且通过排出CO2流体,可以带走清洗的杂质或有机物。
为使本发明的上述目的、特征和有益效果能够更为明显易懂,下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
参照图1,图1是本发明实施例中一种晶圆清洗设备的结构示意图。所述晶圆清洗设备可以包括清洗腔体100、晶圆基座101、第一进气管路111、第二进气管路112以及出气管路120。
其中,所述清洗腔体100可以为密封腔体,以避免外界环境对清洗中的晶圆102产生影响。
所述晶圆基座101用于放置晶圆102,位于所述清洗腔体100内。
所述第一进气管路111与所述清洗腔体100连通,所述第一进气管路111在开启时向所述清洗腔体100输入气态CO2。
具体地,通过所述第一进气管路111向所述清洗腔体100输入气态CO2,可以在每次开启密封的清洗腔体100的盖子、放入晶圆102、闭合清洗腔体100之后,通过排出在放置晶圆102的过程中进入所述清洗腔体100内的空气,有助于避免空气中的杂质影响清洗效果。
所述第二进气管路112与所述清洗腔体100连通,所述第二进气管路112在开启时向所述清洗腔体100输入CO2流体,其中,所述第一进气管路111与所述第二进气管路112分时开启。
具体地,可以通过所述第二进气管路112向所述清洗腔体100输入CO2流体,直至所述CO2流体浸没所述晶圆102,从而可以实现对整个晶圆102的完整清洗。
其中,所述CO2流体可以是液化为液体形态的二氧化碳(CO2)气体,通过液体形态的CO2流体可以对晶圆102进行清洗。
优选地,所述CO2流体为超临界CO2流体。
具体地,所述超临界CO2流体为一种常见的超临界流体(Super Critical Fluid,SCF),所述SCF用于描述温度和压力均高于其临界点的流体。进一步,所述SCF具有类似气体的扩散性及液体的溶解能力,同时兼具低黏度,低表面张力的特性。
所述超临界CO2流体具有多种特点:(1)CO2的临界温度为31℃,有助于在清洁以及后续干燥过程中,控制较低的操作温度,避免生产安全隐患;(2)相比于去离子水具有表面张力,超临界CO2流体具有的表面张力极低,甚至可以忽略不计,从而不会由于表面张力的作用,损坏晶圆的图案;(3)超临界CO2流体的溶解能力极强,有助于将晶圆表面残留的有机物等溶解掉,可以提高清洗洁净度。
所述晶圆清洗设备还可以包括出气管路120,所述出气管路120可以与所述清洗腔体100连通,用于排出所述清洗腔体100内的气体或CO2流体。
具体地,在完成清洗后,可以通过所述出气管路120排出所述清洗腔体100内的CO2流体。
在具体实施中,通过排出CO2流体,可以带走对晶圆102进行清洗后所述CO2流体中残留的杂质或有机物,提高对晶圆102的清洗洁净度。
在本发明实施例中,通过设置第一进气管路111、第二进气管路112且分时开启,可以分别输入气态CO2以及CO2流体,从而可以先采用气态CO2排出所述清洗腔体100内的空气,进而通过CO2流体对晶圆102表面残留的部分杂质及有机物进行溶解清洗,相比于现有技术中采用去离子水仅能对晶圆102表面残留的杂质进行清洗,可以有效地提高清洗洁净度,进而通过出气管路120排出清洗腔体内CO2流体,可以带走清洗的杂质或有机物。
参照图2,图2是本发明实施例中另一种晶圆清洗设备的结构示意图。所述另一种晶圆清洗设备可以包括清洗腔体100、晶圆基座101、第一进气管路111、第二进气管路112以及出气管路120,还可以包括第一温控设备131和/或第一压力调节设备141。
其中,所述第一温控设备131可以用于控制所述清洗腔体100内的温度;所述第一压力调节设备141可以用于控制所述清洗腔体100内的压力。
具体地,通过调节所述清洗腔体100内的温度,和/或调节所述清洗腔体100内的压力,可以使所述清洗腔体100内残余的CO2流体变为气态CO2。
更具体地,可以通过调节所述清洗腔体100内的温度高于预设温度,和/或调节所述清洗腔体100内的压力低于预设压力阈值,以使所述清洗腔体内残余的CO2流体变为气态CO2。
优选地,可以采用同时调节所述清洗腔体100内的温度以及调节所述清洗腔体100内的压力的方式,或者采用调节所述清洗腔体100内的压力的方式,使所述清洗腔体内残余的CO2流体变为气态CO2,相比于仅调节所述清洗腔体100内的温度,有助于避免由于气体膨胀对密封的清洗腔体100产生的压力影响,从而保护晶圆清洗设备。
在现有的一种异丙醇干燥(Isopropanol Dry,IPA Dry)技术中,采用异丙醇(Isopropanol,IPA)作为原材料且采用不锈钢材料制造承装IPA的槽,因此存在金属污染的潜在危害;并且由于IPA为易燃材料(闪燃点26℃),存在生产安全隐患。
在现有的一种去离子水旋转干燥技术中,通过旋转干燥将晶圆表面的水直接甩干,随着半导体技术的进步,晶圆图案的关键尺寸(Critical Dimension,CD)、最小线宽均在缩小,晶圆图案的深宽比增加,导致在旋转过程中,由于水的表面张力较大(与IPA相比,σwater=76.2mN/cm,σIPA=22.9mN/cm),在表面张力的作用下,晶圆的凸出图案容易发生倒塌,降低产品良率。
在本发明实施例中,通过使所述清洗腔体100内残余的CO2流体变为气态CO2,可以对晶圆102进行干燥,相比于现有技术中的干燥方式,可以避免产生金属污染的潜在危害、生产安全隐患或者降低产品良率等问题,有助于提高生产的安全性以及产品良率。进一步地,在CO2流体升温变成气体后,还可以使CO2与携带于CO2流体中的杂质和有机物自行分离,提高分离残留有机物的便利性。
进一步地,所述另一种晶圆清洗设备可以包括气泵150。
其中,所述气泵150可以与所述出气管路120连接,用于抽出所述清洗腔体100内的气体或CO2流体。
具体地,采用气泵150从所述清洗腔体100内抽出所述CO2流体,可以实现通过所述出气管路120排出所述清洗腔体100内的CO2流体的工艺。
需要指出的是,所述气泵150抽出所述CO2流体的压力不应当过低,否则难以满足晶圆的干燥需求。作为一个非限制性的例子,可以设置清洗腔体100内的压力小于等于1mTorr。
在本发明实施例中,采用气泵150从所述清洗腔体100内抽出所述CO2流体,相比于等待CO2流体在重力作用下自行流出,可以更快捷地对晶圆进行干燥。
需要指出的是,当采用气泵150从所述清洗腔体100内抽出所述CO2流体时,由于清洗腔体100内的压力可能较低,导致难以直接开启清洗腔体100的盖子,可以通过第一进气管路111向清洗腔体100输入气态CO2,从而使清洗腔体100内外平衡,有助于开启清洗腔体100。
在具体实施中,还可以通过所述第一进气管路111向所述密封的清洗腔体100输入气态CO2,且通过所述出气管路120排出所述清洗腔体100内的CO2流体。
在本发明实施例中,通过所述第一进气管路111向所述密封的清洗腔体100输入气态CO2排出CO2流体,相比于等待CO2流体在重力作用下自行流出,可以更快捷地对晶圆进行干燥。
在本发明实施例中,可以采用多种方式从所述清洗腔体100内输出所述CO2流体,方便用户根据具体需求进行选择使用,提高便利性。
进一步地,所述另一种晶圆清洗设备可以包括晶圆升降设备104。
其中,晶圆升降设备104用于控制所述晶圆基座101带动所述晶圆102在所述清洗腔体100内移动。
具体地,可以采用晶圆升降设备104控制所述晶圆102在所述清洗腔体100内移动,以采用所述CO2流体对所述晶圆进行清洗。
作为一个非限制性的例子,可以设置所述晶圆升降设备104的运动频率为每分钟2次至30次。
在本发明实施例中,采用晶圆升降设备104控制所述晶圆102在所述清洗腔体100内移动,例如上下移动,相比于在清洗过程中保持晶圆102为静止状态,有利于提高所述CO2流体对所述晶圆的清洗洁净度。
进一步地,所述另一种晶圆清洗设备可以包括第二温控设备132和/或第二压力调节设备142。
其中,所述第二温控设备132可以位于所述第二进气管路112上,用于控制向所述清洗腔体100输入的CO2流体的温度;所述第二压力调节设备142可以位于所述第二进气管路112上,用于控制向所述清洗腔体100输入的CO2流体的压力。
在通常条件下,通过控制CO2流体的温度为31±5℃,控制CO2流体的压力为7.38Mpa至40Mpa,可以保持CO2流体的形态以及特性,因此设置第二温控设备132和/或第二压力调节设备142可以避免CO2流体的形态以及特性发生变化。需要指出的是,在本发明实施例中,还可以通过其他适当的方式保持CO2流体的形态以及特性,因此上述温度和压力的具体数值不构成对本发明的具体限制。
在具体实施中,有关图2示出的另一种晶圆清洗设备的更多详细内容请参照图1示出的晶圆清洗设备的描述进行执行,此处不再赘述。
参照图3,图3是本发明实施例中又一种晶圆清洗设备的结构示意图。所述又一种晶圆清洗设备可以包括清洗腔体100、晶圆基座101、第一进气管路111、第二进气管路112、出气管路120、第一温控设备131和/或第一压力调节设备141、气泵150、晶圆升降设备104、第二温控设备132和/或第二压力调节设备142,还可以包括CO2回收设备160。
具体地,所述出气管路120至少包括第一出气管路121和第二出气管路122,所述第一出气管路121可以用于输出所述清洗腔体100内的CO2气体或CO2流体,所述第二出气管路122可以用于输出所述清洗腔体100内的空气,
所述CO2回收设备160的第一端可以连接于所述第一出气管路121,所述CO2回收设备160的第二端可以连接于所述第一进气管路111以及所述第二进气管路112。
具体地,从所述第一出气管路121排出的CO2气体或CO2流体均可以输至CO2回收设备160进行回收,进而输至第一进气管路111以及所述第二进气管路112再次进行利用。
在具体实施中,可以通过所述第一出气管路121向所述CO2回收设备160输入所述清洗腔体100内的CO2气体或CO2流体;还可以通过所述第一进气管路111以及所述第二进气管路112从所述CO2回收设备160输出CO2气体。
在本发明实施例中,通过对清洗腔体100内的CO2气体或CO2流体进行回收,进行循环利用,可以有效地节省资源。
进一步地,所述又一种晶圆清洗设备可以包括过滤器170。
其中,所述第一出气管路121、所述第一进气管路111以及所述第二进气管路112中的至少一个连接有过滤器170。
优选地,可以在所述第一出气管路121、所述第一进气管路111以及所述第二进气管路112中均连接过滤器170,有助于对进入CO2回收设备160以及清洗腔体100的CO2气体以及CO2流体进行预过滤,提高洁净度。
进一步地,所述又一种晶圆清洗设备可以包括CO2补充设备(图未示),所述CO2补充设备可以位于以下至少一处:所述第一出气管路上,所述第一进气管路上以及所述第二进气管路上。从而对CO2回收设备160以及清洗腔室100内的CO2气体以及CO2流体进行补充。
进一步地,所述又一种晶圆清洗设备可以包括回收温控设备133和/或回收压力调节设备143。
其中,所述回收温控设备133可以用于控制所述CO2回收设备160内的温度;所述回收压力调节设备143可以用于控制所述CO2回收设备160内的压力。
优选地,可以通过调节所述CO2回收设备160内的温度低于预设回收温度,和/或调节所述CO2回收设备160内的压力低于预设回收压力阈值,以使所述CO2回收设备160内的气态CO2变为液体。
在本发明实施例中,通过使所述CO2回收设备160内的气态CO2变为液体,可以采用较少的回收空间存储较多的CO2,有效地节省存储空间。
在具体实施中,有关图3示出的又一种晶圆清洗设备的更多详细内容请参照图1至图2示出的晶圆清洗设备的描述进行执行,此处不再赘述。
参照图4,图4是本发明实施例中一种晶圆清洗方法的流程图。所述晶圆清洗方法可以包括步骤S11至步骤S14,还可以包括步骤S15:
步骤S11:提供晶圆,并将所述晶圆设置于所述晶圆基座;
步骤S12:通过所述第一进气管路向所述清洗腔体输入气态CO2,且通过所述出气管路排出所述清洗腔体内的空气;
步骤S13:通过所述第二进气管路向所述清洗腔体输入CO2流体,直至所述CO2流体浸没所述晶圆;
步骤S14:完成清洗后,通过所述出气管路排出所述清洗腔体内的CO2流体;
步骤S15:调节所述清洗腔体内的温度,和/或调节所述清洗腔体内的压力,以使所述清洗腔体内残余的CO2流体变为气态CO2。
进一步地,通过所述出气管路排出所述清洗腔体内的CO2流体可以包括:采用气泵从所述清洗腔体内抽出所述CO2流体。
通过所述出气管路排出所述清洗腔体内的CO2流体可以包括:通过所述第一进气管路向所述密封的清洗腔体输入气态CO2,且通过所述出气管路排出所述清洗腔体内的CO2流体。
在通过所述出气管路排出所述清洗腔体内的CO2流体之前,所述晶圆清洗方法还可以包括:控制所述晶圆在所述清洗腔体内移动,以采用所述CO2流体对所述晶圆进行清洗。
关于该晶圆清洗方法的原理、具体实现和有益效果请参照前文及图1至图3示出的关于晶圆清洗设备的相关描述,此处不再赘述。
虽然本发明披露如上,但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,均可作各种更动与修改,因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
Claims (14)
1.一种晶圆清洗设备,其特征在于,包括:
密封的清洗腔体;
用于放置晶圆的晶圆基座,位于所述清洗腔体内;
第一进气管路,与所述清洗腔体连通,所述第一进气管路在开启时向所述清洗腔体输入气态CO2;
第二进气管路,与所述清洗腔体连通,所述第二进气管路在开启时向所述清洗腔体输入CO2流体,其中,所述第一进气管路与所述第二进气管路分时开启;
出气管路,与所述清洗腔体连通,用于排出所述清洗腔体内的气体或CO2流体。
2.根据权利要求1所述的晶圆清洗设备,其特征在于,还包括:
第一温控设备,用于控制所述清洗腔体内的温度;
和/或,第一压力调节设备,用于控制所述清洗腔体内的压力。
3.根据权利要求1所述的晶圆清洗设备,其特征在于,还包括:
气泵,与所述出气管路连接,用于抽出所述清洗腔体内的气体或CO2流体。
4.根据权利要求1所述的晶圆清洗设备,其特征在于,还包括:
晶圆升降设备,用于控制所述晶圆基座带动所述晶圆在所述清洗腔体内移动。
5.根据权利要求1所述的晶圆清洗设备,其特征在于,所述出气管路至少包括第一出气管路和第二出气管路,所述第一出气管路用于输出所述清洗腔体内的CO2气体或CO2流体,所述第二出气管路用于输出所述清洗腔体内的空气,所述晶圆清洗设备还包括:
CO2回收设备,所述CO2回收设备的第一端连接于所述第一出气管路,所述CO2回收设备的第二端连接于所述第一进气管路以及所述第二进气管路。
6.根据权利要求5所述的晶圆清洗设备,其特征在于,还包括:
所述第一出气管路、所述第一进气管路以及所述第二进气管路中的至少一个连接有过滤器。
7.根据权利要求5所述的晶圆清洗设备,其特征在于,还包括:
回收温控设备,用于控制所述CO2回收设备内的温度;
和/或,回收压力调节设备,用于控制所述CO2回收设备内的压力。
8.根据权利要求1所述的晶圆清洗设备,其特征在于,还包括:
第二温控设备,位于所述第二进气管路上,用于控制向所述清洗腔体输入的CO2流体的温度;
和/或,第二压力调节设备,位于所述第二进气管路上,用于控制向所述清洗腔体输入的CO2流体的压力。
9.根据权利要求1所述的晶圆清洗设备,其特征在于,所述CO2流体为超临界CO2流体。
10.一种基于权利要求1至9任一项所述晶圆清洗设备的晶圆清洗方法,其特征在于,包括:
提供晶圆,并将所述晶圆设置于所述晶圆基座;
通过所述第一进气管路向所述清洗腔体输入气态CO2,且通过所述出气管路排出所述清洗腔体内的空气;
通过所述第二进气管路向所述清洗腔体输入CO2流体,直至所述CO2流体浸没所述晶圆;
完成清洗后,通过所述出气管路排出所述清洗腔体内的CO2流体。
11.根据权利要求10所述的晶圆清洗方法,其特征在于,还包括:
调节所述清洗腔体内的温度,和/或调节所述清洗腔体内的压力,以使所述清洗腔体内残余的CO2流体变为气态CO2。
12.根据权利要求10所述的晶圆清洗方法,其特征在于,通过所述出气管路排出所述清洗腔体内的CO2流体包括:
采用气泵从所述清洗腔体内抽出所述CO2流体。
13.根据权利要求10所述的晶圆清洗方法,其特征在于,通过所述出气管路排出所述清洗腔体内的CO2流体包括:
通过所述第一进气管路向所述密封的清洗腔体输入气态CO2,且通过所述出气管路排出所述清洗腔体内的CO2流体。
14.根据权利要求10所述的晶圆清洗方法,其特征在于,通过所述出气管路排出所述清洗腔体内的CO2流体之前,还包括:
控制所述晶圆在所述清洗腔体内移动,以采用所述CO2流体对所述晶圆进行清洗。
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