CN108254982A - 显示装置 - Google Patents

显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN108254982A
CN108254982A CN201710832676.0A CN201710832676A CN108254982A CN 108254982 A CN108254982 A CN 108254982A CN 201710832676 A CN201710832676 A CN 201710832676A CN 108254982 A CN108254982 A CN 108254982A
Authority
CN
China
Prior art keywords
jumper connection
public
common voltage
liquid crystal
display device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201710832676.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108254982B (zh
Inventor
廉智慜
金炳熙
金廷煜
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Display Co Ltd
Original Assignee
LG Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Display Co Ltd filed Critical LG Display Co Ltd
Publication of CN108254982A publication Critical patent/CN108254982A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108254982B publication Critical patent/CN108254982B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136204—Arrangements to prevent high voltage or static electricity failures
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
    • H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
    • H01L27/0251—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices
    • H01L27/0292—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices using a specific configuration of the conducting means connecting the protective devices, e.g. ESD buses
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
    • H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
    • H01L27/0251—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices
    • H01L27/0296—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices involving a specific disposition of the protective devices
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134318—Electrodes characterised by their geometrical arrangement having a patterned common electrode
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/12—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
    • G02F2201/121—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode common or background
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2202/00—Materials and properties
    • G02F2202/22—Antistatic materials or arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Geometry (AREA)

Abstract

本发明涉及一种包括抗静电结构的液晶显示装置。在包括用于防止从公共电压线图案产生的静电的第一静电放电(ESD)电路和用于防止从数据线产生的静电的第二ESD电路的液晶显示装置中，第一ESD电路从公共电压线浮置并且电连接至将公共电压线与公共电极连接的公共电压跳接图案，从而防止从公共电压线图案产生的静电流入数据线中。

Description

显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2016年12月28日提交的韩国专利申请第10-2016-0181588,号的优先权，为了所有目的，通过引用将上述专利申请结合在此，如同在此完全阐述一样。
技术领域
本发明涉及一种显示装置，且更具体地，涉及一种包括抗静电结构的液晶显示装置。
背景技术
随着诸如移动通信终端和笔记本电脑之类的各种便携式电子装置的发展，对应用于其中的平板显示装置的需求增加。
已经对诸如液晶显示装置、等离子体显示面板、场致发射显示装置、发光二极管显示装置、有机发光二极管显示装置等之类的平板显示装置进行了研究。
在这些显示装置中，液晶显示(LCD)装置是一种显示装置，其包括具有薄膜晶体管的阵列基板、具有滤色器和/或黑矩阵的上基板、以及形成在二者之间的液晶层，并且通过根据施加在像素区域中的两个电极之间的电场调整液晶层的取向从而调整光的透射率来显示图像。
当制造LCD装置时或使用制成的LCD装置时，可能会在阵列基板的各个金属图案上产生静电，使得大量电荷可能会流入显示装置的像素区域中。这些电荷可能会对像素造成损坏。
因此，可在LCD装置的阵列基板的非显示区域中的一部分中形成各种类型的静电放电(ESD)电路，以阻止或防止由静电导致的过电流的流动。
具体地，可设置用于释放从向像素施加公共电压(Vcom)的公共电压线(Vcom线)产生的静电的公共电极ESD电路和用于释放从向像素提供源极电压的数据线(DL)产生的静电的数据线ESD电路。
在这种结构中，从公共电压线或公共电极产生的静电很可能会流入数据线中，从而对像素造成损坏。
发明内容
本发明的是解决现有技术中的上述问题，本发明的一个方面是提供一种包括抗静电结构的液晶显示(LCD)装置。
本发明的另一方面是提供一种包括抗静电结构的LCD装置，所述抗静电结构能够防止从公共电压线图案产生的静电流入显示面板的显示区域中。
本发明的又一方面是提供一种包括抗静电结构的LCD装置，所述抗静电结构通过将第一静电放电(ESD)电路从公共电压线浮置并且将第一ESD电路电连接至将公共电压线与公共电极连接的公共电压跳接图案而能够释放从公共电压线图案产生的静电，所述LCD装置包括用于防止从公共电压线产生的静电的第一ESD电路和用于防止从数据线产生的静电的第二ESD电路。
本发明的再一方面是提供一种LCD装置，其中连接至用于公共电压线图案的ESD电路的公共电压跳接图案形成为双金属层结构，从而改善释放从公共电压线图案产生的静电的性能。
为了实现上述目的，根据本发明的LCD装置可配置成包括：多个像素，所述多个像素配置成包括：像素电极、公共电极、以及设置在栅极线(GL)和数据线(DL)的交叉部分处的至少一个薄膜晶体管；至少一条公共电压线，所述至少一条公共电压线配置成将公共电压施加至所述公共电极；公共电压跳接图案，所述公共电压跳接图案配置成将所述至少一条公共电压线与所述公共电极电连接；和第一静电放电(ESD)电路，所述第一ESD电路配置成具有电连接至所述公共电压跳接图案的一端。在此，所述第一ESD电路的另一端可电连接至所述至少一条公共电压线之一。
所述LCD装置可进一步包括第二ESD电路，所述第二ESD电路配置成具有连接至所述数据线的一端、以及连接至所述至少一条公共电压线之一的另一端。
所述公共电压跳接图案可包括多个接触孔，以将与所述公共电压线形成在同一层的栅极金属图案电连接至与所述公共电极形成在同一层的公共电极图案层。
所述公共电压跳接图案可具有双金属层结构，所述双金属层结构包括第一跳接图案部和第二跳接图案部，所述第一跳接图案部将与所述公共电压线形成在同一层的栅极金属图案电连接至与所述公共电极形成在同一层的公共电极图案层，所述第二跳接图案部将与所述数据线形成在同一层的源极或漏极金属图案电连接至所述公共电极图案层。
使栅极绝缘层和至少一个钝化层开口以暴露栅极金属层的多个第一接触孔可设置在形成双金属层结构的第一跳接图案部上，并且使至少一个钝化层开口以暴露源极或漏极金属层的多个第二接触孔可设置在第二跳接图案部上。这些接触孔可以以规则的间隔重复地形成。
所述第一ESD电路可包括彼此连接的第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管。
将要描述的本发明的各方面可提供一种能够防止从公共电压线图案产生的静电流入显示面板的显示区域中的抗静电结构。
具体地说，在包括用于防止从公共电压线图案产生的静电的第一ESD电路和用于防止从数据线产生的静电的第二ESD电路的LCD装置中，第一ESD电路从公共电压线浮置并且电连接至将公共电压线与公共电极连接的公共电压跳接图案，从而适当地释放从公共电压线图案产生的静电。
特别是，连接至用于公共电压线图案的ESD电路的公共电压跳接图案形成为双金属层结构，从而改善了释放从公共电压线图案产生的静电的性能。
附图说明
从下面结合附图的详细描述中将更加清楚地理解本发明的上述和其他目的、特征和其他优点，其中：
图1图解了应用于本发明的液晶显示(LCD)装置的显示面板；
图2是应用于本发明的LCD装置的平面图；
图3是用于图2中所示的LCD装置的抗静电结构的放大图，其示出了其中从公共电压线图案产生的静电沿着数据线流入面板中的现象；
图4是根据本发明的LCD装置的平面图；
图5是根据本发明的LCD装置的抗静电结构的放大图；
图6A和6B图解了应用于抗静电结构的双金属层的公共电压跳接图案的剖面图以及根据本发明的薄膜晶体管区域的剖面图；
图7图解了根据本发明的抗静电结构的静电转移特性；和
图8图解了用于本发明的静电放电(ESD)电路的例子。
具体实施方式
下文中，将参照附图详细地描述本发明的一些方面。当参考标记表示每幅图的元件时，尽管在不同的附图中示出相同的元件，但尽可能地通过相同的参考标记表示相同的元件。此外，在本发明的以下描述中，当对并入本文的已知功能和构造的详细描述反而会使本发明的主题不清楚时，将省略对它们的详细描述。
此外，在描述本发明的部件时，可使用诸如第一、第二、A、B、(a)、(b)或类似的术语。这些术语的每一个不用于限定相应部件的实质、顺序或次序，而仅仅用来将相应部件与其他部件区分开。在描述一特定结构元件“连接至”、“耦接至”或“接触”另一结构元件的情形中，应理解为另一结构元件可“连接至”、“耦接至”或“接触”这些结构元件，以及该特定结构元件直接连接至或直接接触另一结构元件。
图1图解了应用于本发明的液晶显示(LCD)装置的显示面板。
如图1中所示，液晶面板2包括上基板5和阵列基板(或下基板)22，在上基板5上形成有包括黑矩阵6和子滤色器(R、G和B)8的滤色器7以及设置在滤色器7上的透明公共电极18，在阵列基板22上形成有形成在显示区域P中的像素电极17和包括薄膜晶体管T的阵列布线。液晶14填充上基板5和下基板22之间的间隙。
公共电极18可形成在下基板(阵列基板)上，而不形成在上基板上，如将在图8中描述的。
图2是应用于本发明的LCD装置的平面图。
应用于本发明的LCD面板110被划分为显示图像的显示区域AA和不显示图像的非显示区域NA。
在显示区域AA中，布置有限定像素区域的多条栅极线GL和多条数据线DL，作为开关元件的薄膜晶体管(TFT)形成在栅极线与数据线的每个交叉部分处，并且形成有电连接至TFT的像素电极(未示出)。
在非显示区域NA中，设置有向多条栅极线GL提供扫描信号并且向多条数据线DL提供数据信号的驱动器IC(D-IC)120。此外，用于将驱动器IC 120连接至多条栅极线GL和多条数据线DL的连接线(未示出)布置在非显示区域NA中。
多个ESD电路142和144形成在显示区域AA或非显示区域NA中，以保护多条栅极线GL或数据线DL。
第一公共电压线Vcom L1和第二公共电压线Vcom L2形成在LCD面板110的外侧并且电连接至ESD电路142和144，以保护多条栅极线GL或数据线DL。
如图2中所示，ESD电路可包括第一ESD电路(ESD1)142和第二ESD电路(ESD2)144，第一ESD电路(ESD1)142连接至公共电压线，以释放从公共电压线图案产生的静电，第二ESD电路(ESD2)144连接至数据线，以释放从数据线图案产生的静电。
如将参照图3更加详细地描述的，第一ESD电路(ESD1)142和第二ESD电路(ESD2)144电连接。
用于将公共电压线和像素区域中的公共电极电连接的公共电压跳接图案150(common voltage jumping pattern)形成在LCD面板的非显示区域的一部分中。
公共电压跳接图案150是用于将沿着公共电压线从驱动器IC输出的公共电压信号Vcom传输至像素区域中的公共电极的结构，公共电压跳接图案150可包括形成公共电压线的栅极金属图案以及多个接触孔，以经由一个或多个绝缘层连接形成在栅极金属图案上方的公共电极。
在该LCD面板中，当驱动器IC 120输出公共电压时，在从驱动器IC输出的源极信号或数据信号提供至数据线以及栅极信号或扫描信号施加至栅极线的同时，公共电压经公共电压跳接图案150施加至像素区域中的公共电极。
接着，像素区域中的TFT选择性地被栅极信号和源极信号切换，以将驱动电压施加至像素电极，并且液晶的取向通过像素电极的驱动电压与公共电极的公共电压之间的电位差而发生改变，从而显示图像。
图3是用于图2中所示的LCD装置的抗静电结构的放大图，其示出了其中从公共电压线图案产生的静电沿着数据线流入面板中的现象。
如上所述，图2中所示的LCD面板可包括一个或多个ESD电路，以在面板的制造工艺等中将从各种金属图案产生的静电适当地释放到外部。在图3中，ESD电路可包括第一ESD电路(ESD1)142和第二ESD电路(ESD2)144，第一ESD电路(ESD1)142连接至公共电压线，以释放从公共电压线图案产生的静电，第二ESD电路(ESD2)144连接至数据线，以释放从数据线图案产生的静电。
在此，第一ESD电路(ESD1)142和第二ESD电路(ESD2)144电连接。
更具体地说，如图3中所示，两条第二公共电压线(Vcom L2)132和132’沿显示面板的一个方向设置，第一ESD电路(ESD1)142在其一端连接至上部第二公共电压线132并且在其另一端连接至下部第二公共电压线132’。
第二ESD电路(ESD2)144在其一端连接至数据线DL并且在其另一端连接至两条第二公共电压线132和132’之一。
第一ESD电路142和第二ESD电路144包括两个或更多个开关元件，诸如晶体管。开关元件的每一个具有当被施加某一水平或较高的电流或电压时被损坏的特性。
因此，当由于静电引起的较大电荷从第一ESD电路和第二ESD电路的一端输入时，ESD电路的晶体管吸收静电并被损坏，从而防止静电流入连接至ESD电路的数据线或公共电压线中。
在图3所示的抗静电结构中，第一ESD电路142和第二ESD电路144经由第二公共电压线132’彼此电连接。
因此，当从公共电压线图案或公共电极产生静电时，大量的静电电荷可流入第一ESD电路142和第二ESD电路144二者中。
特别是，在这种情况下，由于数据线具有比设置在公共电压线周围的公共电压跳接图案150小的电阻，因此从公共电压线图案产生的静电可更多地流入第二ESD电路144和数据线DL中。
也就是说，如图3中所示，从公共电压线图案等产生的静电经由图3中的路径A和路径B流入数据线中，从而对面板中的像素造成损坏。
特别是，与具有4:3或16:9的高宽比的典型显示面板不同，用于广告的水平显示面板的高宽比可改变为高达58:9。
在该水平显示面板中，沿着面板的垂直方向延伸的数据线的长度相对较短，使得数据线的电阻明显变低。结果，从公共电压线图案产生的静电很可能流入数据线中。
因此，本发明的一方面提出了一种抗静电结构，该抗静电结构用于将在包括用于公共电压线图案的第一ESD电路的LCD面板中，从公共电压线图案产生的静电流入数据线中的问题最小化。
图4是根据本发明的LCD装置的平面图，图5是根据本发明的LCD装置的抗静电结构的放大图。
根据本发明的LCD装置包括显示面板，显示面板包括显示区域和非显示区域。多条栅极线GL和多条数据线DL设置在显示区域中，并且像素形成在每条栅极线与每条数据线的交叉区域中。
每个像素区域包括：通过施加至栅极线的栅极驱动信号或扫描信号以及施加至数据线的源极信号或数据信号切换的一个或多个TFT；被施加驱动电压的像素电极；和被施加公共电压的公共电极。
以下将参照图6A和6B详细地描述像素区域的详细构造。
用于将公共电压施加至公共电极的一条或多条公共电压线(Vcom L1和L2)232和234形成在显示面板的非显示区域中。
公共电压线可包括从设置在显示装置的一侧处的驱动器IC 220延伸并且沿着显示面板的第一方向(垂直方向)延伸的第一公共电压线Vcom L1 232、以及沿着垂直于第一方向的第二方向(水平方向)延伸的第二公共电压线VcomL2 234。
公共电压线232和234可由与栅极金属层相同的材料形成在与栅极金属层相同的层中。
此外，公共电压跳接图案260设置在公共电压线232和234附近，以将公共电压线和像素的公共电极电连接。显示面板包括第一ESD电路240，第一ESD电路240具有电连接至公共电压跳接图案260的一端。
第一ESD电路240是用于将从公共电压线产生的静电释放到外部或用于保护显示面板不受从公共电压线产生的静电影响的电路。将参照图8详细地描述第一ESD电路240的详细构造。
也就是说，相较于图2和图3中示出的方面，在根据图4的方面的抗静电结构中，为了对抗从公共电压线等产生的静电而设置的ESD电路的一端连接至公共电压跳接图案260，而不是连接至第一公共电压线232。
在这种类型的抗静电结构的情况下，从公共电压线产生的静电在穿过公共电压跳接图案的同时被吸收，从而将流入数据线和用于保护数据线的第二ESD电路中的静电最小化，将参照图7对此进行详细地描述。
根据本发明，显示面板进一步包括第二ESD电路(ESD2)250，其一端连接至数据线，另一端电连接至公共电压线之一。
第二ESD电路250用于释放从数据线产生的静电或用于防止从数据线产生的静电沿着数据线流入显示面板中的像素区域中。如图5中所示，第二ESD电路250的一端可连接至数据线，第二ESD电路250的另一端可连接至第二公共电压线(Vcom L2)234之一。
公共电压跳接图案260形成在公共电压线附近，以将公共电压线232和234与像素的公共电极层电连接，并且公共电压跳接图案260可包括多个接触孔266和268，以将形成公共电压线的栅极金属层与形成公共电极的公共电极图案层电连接。
根据本发明的公共电压跳接图案260可具有双金属层结构，所述双金属层结构包括第一跳接图案部262和第二跳接图案部264，第一跳接图案部262将形成公共电压线的栅极金属层与形成公共电极的公共电极图案层电连接，第二跳接图案部264将形成数据线的源极或漏极金属层与公共电极图案层电连接。
详细地说，如图5和图6A中所示，使栅极绝缘层312以及一个或多个钝化层330开口以暴露栅极金属层的多个第一接触孔266可形成在第一跳接图案部262上，并且使一个或多个钝化层330开口以暴露源极或漏极金属层的多个第二接触孔268可形成在第二跳接图案部264上。
在此，形成在第一跳接图案部262上的多个第一接触孔266和形成在第二跳接图案部264上的多个第二接触孔268以规则的间隔重复形成，使得接触孔可形成网格结构或网状结构。
下文中，参照图6A和6B描述公共电压跳接图案260的层叠结构。
图6A和6B图解了应用于抗静电结构的双金属层的公共电压跳接图案的剖面图以及根据本发明的TFT区域的剖面图。
图6A是沿图5的线I-I’截取的公共电压跳接图案的剖面图，图6B是沿图5的线II-II’截取的像素区域的剖面图。
在本发明中，为了方便起见，阵列基板的形成栅极电极的一侧被称为下侧，形成公共电极的一侧被称为上侧。
也就是说，显示面板的上基板(或滤色器基板)一侧定义为上侧，阵列基板一侧定义为下侧。
首先，栅极金属图案310形成在基板300上且与公共电压线形成在同一层，并且栅极绝缘层312沉积在栅极金属图案310上。
接着，源极或漏极金属图案320形成在栅极绝缘层312上，并且一个或多个下部钝化层(PAC)330沉积在源极或漏极金属图案320上。
在此，栅极金属图案310形成第一跳接图案部262，源极或漏极金属图案320形成第二跳接图案部264。
接着，利用掩模和光刻工艺，在第一跳接图案部262中形成使栅极绝缘层312以及一个或多个下部钝化层330开口以暴露栅极金属层的多个第一接触孔266，并且在第二跳接图案部264中形成使一个或多个下部钝化层330开口以暴露源极或漏极金属层的多个第二接触孔268。
具有导电性的公共电极图案层340形成在整个表面上。
结果，如图6A中所示，与公共电压线形成在同一层的栅极金属图案310经由公共电极图案层340电性连接至形成在像素区域中的公共电极(图6B中的340’)。
因此，施加至公共电压线的公共电压信号被传输至像素中的公共电极。
如图5和图6A中所示，公共电压跳接图案具有除栅极金属图案310之外还包括源极或漏极金属图案320的双金属层结构，从而进一步有效地阻挡从公共电压线产生的静电。
也就是说，通过该双金属层结构，当从第一公共电压线(Vcom L1)232产生的静电电荷流入公共电压跳接图案中并转移时，静电电荷被转移至源极或漏极金属图案320以及栅极金属图案310，以被吸收或释放，从而提高了抗静电效果。
也就是说，与当公共电压跳接图案260具有单金属层时相比，当公共电压跳接图案260具有双金属层结构时，公共电压跳接图案260的电阻相对减小，从公共电压线产生的静电经由具有较小电阻的公共电压跳接图案被吸收，从而更有效地保护面板免受损坏。
如图5中所示，第一ESD电路(ESD1)240的一端经由与栅极金属层形成在同一层的连接布线270连接至公共电压跳接图案260。
也就是说，可在同一栅极金属层中构图出形成公共电压跳接图案260的第一跳接图案部262的栅极金属图案310和连接布线270。
如图5中所示，可设置两个第一ESD电路240和240’，第一ESD电路240和240’的一端经由连接布线270和270’连接至公共电压跳接图案260，第一ESD电路240和240’的另一端连接至沿着图案的水平方向(第二方向)延伸的两条第二公共电压线(Vcom L2)234和234’。
第二ESD电路250的一端可连接至数据线DL，第二ESD电路250的另一端可连接至两条第二公共电压线(Vcom L2)234和234’之一。
如图6B中所示，像素区域可包括栅极线、从栅极线延伸出的栅极电极310’、在包括显示区域和非显示区域的整个区域中形成在栅极电极上方的栅极绝缘层312、以及形成在栅极绝缘层312上以与栅极电极310’的一部分重叠的半导体图案326。
半导体图案326形成TFT的有源区域并且可由非晶硅(a-Si)或例如氧化铟镓锌(IGZO)、氧化锌锡(ZTO)、氧化锌铟(ZIO)或类似的锌氧化物(ZnO)的氧化物半导体形成，但不必局限于此。
此外，像素区域可包括与栅极线交叉的数据线和TFT，栅极绝缘层(GI)312插置在栅极线与数据线之间，TFT包括从数据线延伸出的源极电极322和面对源极电极322的漏极电极324。像素区域包括像素电极350，像素电极350形成在由栅极线和数据线的交叉而限定的整个像素区域中并且与TFT的漏极电极324接触。
充当层间绝缘层和下部钝化层330的有机钝化层(PAC)形成在其上形成有数据线和TFT的栅极绝缘层(GI)312上。
形成下部钝化层330的有机钝化层可由光学压克力、丙烯酸酯、聚酰胺、苯并环丁烯(BCB)或类似物形成，但不必局限于此。
接着，充当层间绝缘层和上部钝化层330’的无机钝化层(PAS)形成在像素电极350上。
形成上部钝化层330’的无机钝化层PAS可由诸如氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiO2)之类的无机绝缘材料形成，但不必局限于此。
公共电极340’形成在无机钝化层(PAS)上。
在此，栅极线或栅极电极的栅极金属层或者源极或漏极金属层可包括具有低电阻的金属材料，例如，铝(Al)、铝合金(AlNd)、铜(Cu)、铜合金、钼(Mo)和钼合金(MoTi)之中的一种或两种材料。
在本发明中，像素和公共电压跳接图案260中包括的形成公共电极340’的公共电极图案层340可以是透明电极，并且可由具有相对较大功函数值的透明导电材料，例如，诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)之类的金属氧化物，或者诸如ZnO:Al或SnO2:Sb之类的金属和氧化物的组合物形成。
栅极绝缘层(GI)312和上部钝化层330’可由诸如氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiO2)之类的无机绝缘材料形成，但不必局限于此。栅极绝缘层(GI)312和上部钝化层330’也可由其他电绝缘材料形成。
尽管图6B中示出的像素为其中公共电极设置在阵列基板的最上层上的顶部公共电极(VOT)型，但本发明不必局限于此。其中像素电极设置在阵列基板的最上层上的顶部像素电极(POT)型也可应用于该像素。
图7图解了根据本发明的抗静电结构的静电转移特性。
如图7中所示，在根据本发明的抗静电结构的情况下，当静电从第一公共电压线(Vcom L1)232产生时，静电首先被引入公共电压跳接图案260中并且被转移。
在这一过程中，形成在公共电压跳接图案中的多个接触孔中的一些接触孔暴露于强电荷而在吸收静电的同时被损坏。
也就是说，如图7中的路径C、D、E和F所示，由于从公共电压线产生的静电在损坏接触孔的同时，在一定程度上被吸收而被转移，从最近的接触孔开始，静电的量从路径C至路径F逐渐减少。
因此，流入连接至公共电压跳接图案的第一ESD电路240中的静电的量减少，因而流入数据线以及连接至数据线的第二ESD电路中的静电的量也减少。
在此，由于多个接触孔在公共电压跳接图案上布置成网格形式，并且栅极金属图案和公共电极图案层经由所有接触孔电连接，因此尽管一些接触孔被静电损坏，但信号可经由其他接触孔被适当地传输。
也就是说，可在维持抗静电效果的同时适当地传输信号(公共电压信号或类似信号)。
图8图解了用于本发明的ESD电路的例子。
如图8中所示，本发明中使用的第一ESD电路240和第二ESD电路250可包括三个晶体管TR1、TR2和TR3。
本发明中使用的第一ESD电路240和第二ESD电路250包括彼此连接的第一晶体管TR1至第三晶体管TR3。
具体地说，第一晶体管TR1的漏极端子在第一ESD电路中连接至公共电压线之一并且在第二ESD电路中连接至数据线。第一晶体管TR1的源极端子连接至第二晶体管TR2的漏极端子。
第二晶体管TR2的源极端子连接至公共电压线之一，第一晶体管TR1的栅极端子连接至第三晶体管TR3的漏极端子，第二晶体管TR2的栅极端子连接至第三晶体管TR3的源极端子。
第三晶体管TR3的栅极端子连接至第一节点nd1，第一节点nd1连接至第一晶体管TR1的源极端子和第二晶体管TR2的漏极端子。
在这些ESD电路中，在没有从外部引入高压静电的正常状态下，第一ESD电路240的两端是等电位的(被提供有公共电压)，而第二ESD电路250的两端被提供有公共电压(Vcom)和数据驱动电压，因而具有电位差。
也就是说，在第二ESD电路250中，第一晶体管TR1的漏极端子和第二晶体管TR2的源极端子被提供有不同的电压。
形成ESD电路的第一晶体管TR1至第三晶体管TR3具有操作极限。
因此，当超过每个晶体管的操作极限的高压静电流入ESD电路中时，晶体管吸收静电以被损坏，从而防止静电经由数据线或公共电压跳接图案流入像素中。
根据本发明的第一ESD电路240和第二ESD电路250不必具有图8中所示的构造，而是可采用不同类型的ESD电路构造。
然而，尽管使用不同类型的ESD电路，但防止从公共电压线产生的静电的第一ESD电路的一端需要电连接至公共电压跳接图案，而不是连接至公共电压线。
如上所述，根据本发明，可防止从公共电压线图案产生的静电流入显示面板的显示区域中。
具体地说，在包括用于防止从公共电压线图案产生的静电的第一ESD电路和用于防止从数据线产生的静电的第二ESD电路的LCD装置中，第一ESD电路从公共电压线浮置并且电连接至将公共电压线与公共电极连接的公共电压跳接图案，从而适当地释放从公共电压线图案产生的静电。
特别是，连接至用于公共电压线图案的ESD电路的公共电压跳接图案形成为双金属层结构，从而改善了释放从公共电压线图案产生的静电的性能。
上面的描述和附图仅为了举例说明的目的提供本发明的技术精神的示例。本发明所属技术领域的普通技术人员将理解，在不背离本发明的实质特征的情况下，可作出各种修改和形式变化，诸如组合、分离、替换和构造变化。因此，本发明中披露的各方面意在说明本发明的技术构思的范围，本发明的范围不受这些方面的限制。本发明的范围应当基于所附权利要求按以下述方式进行解释，即，落在与权利要求等同范围内的所有技术构思都属于本发明。

Claims (20)

1.一种液晶显示装置，包括：
多个像素，所述多个像素包括像素电极、公共电极、以及设置在栅极线和数据线的交叉部分处的至少一个薄膜晶体管；
至少一条公共电压线，所述至少一条公共电压线配置成将公共电压施加至所述公共电极；
公共电压跳接图案，所述公共电压跳接图案将所述至少一条公共电压线与所述公共电极电连接；和
第一静电放电(ESD)电路，所述第一静电放电电路具有电连接至所述公共电压跳接图案的一端。
2.根据权利要求1所述的液晶显示装置，进一步包括第二静电放电电路，所述第二静电放电电路具有电连接至所述数据线的一端以及电连接至所述至少一条公共电压线之一的另一端。
3.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中所述公共电压跳接图案包括多个接触孔，以将栅极金属图案和公共电极图案层电连接。
4.根据权利要求3所述的液晶显示装置，其中所述栅极金属图案与所述至少一条公共电压线形成在同一层，并且所述公共电极图案层与所述公共电极形成在同一层。
5.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中所述公共电压跳接图案包括第一跳接图案部和第二跳接图案部，所述第一跳接图案部将栅极金属图案电连接至公共电极图案层，所述第二跳接图案部将源极或漏极金属图案电连接至所述公共电极图案层。
6.根据权利要求5所述的液晶显示装置，其中所述源极或漏极金属图案与所述数据线形成在同一层。
7.根据权利要求5所述的液晶显示装置，其中所述第一跳接图案部包括多个第一接触孔，所述多个第一接触孔使栅极绝缘层和至少一个钝化层暴露栅极金属层，并且所述第二跳接图案部包括多个第二接触孔，所述多个第二接触孔使所述至少一个钝化层暴露源极或漏极金属层。
8.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中所述第一静电放电电路具有电连接至所述至少一条公共电压线之一的另一端。
9.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中所述第一静电放电电路包括彼此连接的第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管。
10.根据权利要求2所述的液晶显示装置，其中所述第二ESD电路防止从所述数据线产生的静电流入像素区域中。
11.一种液晶显示装置，包括多个像素、像素电极、公共电极、以及设置在栅极线和数据线的交叉部分处的薄膜晶体管，所述液晶显示装置包括：
第一公共电压线和第二公共电压线，所述第一公共电压线和所述第二公共电压线配置成将公共电压施加至所述公共电极；
第一公共电压跳接图案部和第二公共电压跳接图案部，所述第一公共电压跳接图案部和所述第二公共电压跳接图案部将所述第一公共电压线和所述第二公共电压线与所述公共电极电连接；以及
第一静电放电电路和第二静电放电电路，所述第一静电放电电路具有连接至所述第二公共电压跳接图案部的一端、以及连接至所述第二公共电压线的另一端，所述第二静电放电电路具有连接至所述数据线的一端。
12.根据权利要求11所述的液晶显示装置，进一步包括辅助第一静电放电电路，所述辅助第一静电放电电路电连接至所述第二公共电压跳接图案部、所述第二公共电压线、和辅助第二公共电压线。
13.根据权利要求11所述的液晶显示装置，其中所述第一跳接图案部将栅极金属图案和公共电极图案层电连接，并且所述第二跳接图案部将源极或漏极金属图案和所述公共电极图案层电连接。
14.根据权利要求13所述的液晶显示装置，其中所述栅极金属图案与所述第一公共电压线和所述第二公共电压线形成在同一层，并且所述公共电极图案层与所述公共电极形成在同一层。
15.根据权利要求13所述的液晶显示装置，其中所述源极或漏极金属图案与所述数据线形成在同一层。
16.根据权利要求13所述的液晶显示装置，其中所述第一跳接图案部包括多个第一接触孔，所述多个第一接触孔使栅极绝缘层和至少一个钝化层暴露栅极金属层，并且所述第二跳接图案部包括多个第二接触孔，所述多个第二接触孔使所述至少一个钝化层暴露源极或漏极金属层。
17.根据权利要求11所述的液晶显示装置，其中所述第二静电放电电路防止从数据线产生的静电流入像素区域中。
18.根据权利要求11所述的液晶显示装置，其中所述第一公共电压跳接图案部和所述第二公共电压跳接图案部包括双金属层结构。
19.根据权利要求11所述的液晶显示装置，其中所述第一静电放电电路的两端是等电位的，并且所述第二静电放电电路的两端具有不同的电位。
20.根据权利要求11所述的液晶显示装置，其中所述第一静电放电电路防止从所述第一公共电压线和所述第二公共电压线产生的静电。
CN201710832676.0A 2016-12-28 2017-09-15 显示装置 Active CN108254982B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2016-0181588 2016-12-28
KR1020160181588A KR102594791B1 (ko) 2016-12-28 2016-12-28 액정표시장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108254982A true CN108254982A (zh) 2018-07-06
CN108254982B CN108254982B (zh) 2021-02-26

Family

ID=62629617

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710832676.0A Active CN108254982B (zh) 2016-12-28 2017-09-15 显示装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10503035B2 (zh)
KR (1) KR102594791B1 (zh)
CN (1) CN108254982B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113437086A (zh) * 2020-03-18 2021-09-24 上海和辉光电有限公司 阵列基板及其制造方法和显示装置
WO2023124279A1 (zh) * 2021-12-30 2023-07-06 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及显示装置

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107037651A (zh) * 2017-04-26 2017-08-11 武汉华星光电技术有限公司 一种阵列基板及光罩、显示装置
KR20220026172A (ko) * 2020-08-25 2022-03-04 엘지디스플레이 주식회사 디스플레이 장치

Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101078823A (zh) * 2006-05-25 2007-11-28 Lg.菲利浦Lcd株式会社 液晶显示器件及其制造方法
CN101078845A (zh) * 2006-05-23 2007-11-28 卡西欧计算机株式会社 显示器件
CN101089685A (zh) * 2006-06-15 2007-12-19 Lg.菲利浦Lcd株式会社 用于液晶显示器件的阵列基板
US20090102995A1 (en) * 2007-10-23 2009-04-23 Ju Han Kim Electrostatic discharge protection circuit, manufacturing method thereof and liquid crystal display device having the same
CN101738803A (zh) * 2008-11-18 2010-06-16 三星电子株式会社 显示基板和具有该显示基板的显示器件
CN103149757A (zh) * 2011-12-07 2013-06-12 乐金显示有限公司 液晶显示装置及其制造方法
CN103177684A (zh) * 2011-12-26 2013-06-26 乐金显示有限公司 发光二极管显示装置的驱动电压产生电路及其驱动方法
CN104424905A (zh) * 2013-08-28 2015-03-18 乐金显示有限公司 液晶显示器
CN104516165A (zh) * 2013-09-27 2015-04-15 乐金显示有限公司 显示装置及其制造方法
US20150346561A1 (en) * 2014-05-27 2015-12-03 Samsung Display Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
CN105182599A (zh) * 2015-10-23 2015-12-23 京东方科技集团股份有限公司 显示面板和显示装置
CN105259719A (zh) * 2015-09-22 2016-01-20 成都天马微电子有限公司 一种显示面板的放电电路和显示装置
CN105446040A (zh) * 2016-01-05 2016-03-30 京东方科技集团股份有限公司 Esd防护单元、阵列基板、显示面板及显示装置
CN105867033A (zh) * 2016-06-13 2016-08-17 厦门天马微电子有限公司 阵列基板以及液晶显示面板
US20160259217A1 (en) * 2008-12-03 2016-09-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI271847B (en) * 2004-12-08 2007-01-21 Au Optronics Corp Electrostatic discharge protection circuit and method of electrostatic discharge protection
CN106019751B (zh) * 2016-08-15 2020-06-02 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示装置

Patent Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101078845A (zh) * 2006-05-23 2007-11-28 卡西欧计算机株式会社 显示器件
CN101078823A (zh) * 2006-05-25 2007-11-28 Lg.菲利浦Lcd株式会社 液晶显示器件及其制造方法
CN101089685A (zh) * 2006-06-15 2007-12-19 Lg.菲利浦Lcd株式会社 用于液晶显示器件的阵列基板
US20090102995A1 (en) * 2007-10-23 2009-04-23 Ju Han Kim Electrostatic discharge protection circuit, manufacturing method thereof and liquid crystal display device having the same
CN101738803A (zh) * 2008-11-18 2010-06-16 三星电子株式会社 显示基板和具有该显示基板的显示器件
US20160259217A1 (en) * 2008-12-03 2016-09-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
CN103149757A (zh) * 2011-12-07 2013-06-12 乐金显示有限公司 液晶显示装置及其制造方法
US20130148050A1 (en) * 2011-12-07 2013-06-13 Lg Display Co., Ltd. Liquid crystal display device and method for fabricating the same
CN103177684A (zh) * 2011-12-26 2013-06-26 乐金显示有限公司 发光二极管显示装置的驱动电压产生电路及其驱动方法
CN104424905A (zh) * 2013-08-28 2015-03-18 乐金显示有限公司 液晶显示器
CN104516165A (zh) * 2013-09-27 2015-04-15 乐金显示有限公司 显示装置及其制造方法
US20150346561A1 (en) * 2014-05-27 2015-12-03 Samsung Display Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
CN105259719A (zh) * 2015-09-22 2016-01-20 成都天马微电子有限公司 一种显示面板的放电电路和显示装置
CN105182599A (zh) * 2015-10-23 2015-12-23 京东方科技集团股份有限公司 显示面板和显示装置
CN105446040A (zh) * 2016-01-05 2016-03-30 京东方科技集团股份有限公司 Esd防护单元、阵列基板、显示面板及显示装置
CN105867033A (zh) * 2016-06-13 2016-08-17 厦门天马微电子有限公司 阵列基板以及液晶显示面板

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
MING-DOU KER: "The impact of low-holding-voltage issue in high-voltage CMOS technology and the design of latchup-free power-rail ESD clamp circuit for LCD driver ICs", 《IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS》 *
杨文林: "静电在LCD制造过程中的危害及防护", 《电子工艺技术》 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113437086A (zh) * 2020-03-18 2021-09-24 上海和辉光电有限公司 阵列基板及其制造方法和显示装置
WO2023124279A1 (zh) * 2021-12-30 2023-07-06 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20180077405A (ko) 2018-07-09
US20180180913A1 (en) 2018-06-28
KR102594791B1 (ko) 2023-10-30
US10503035B2 (en) 2019-12-10
CN108254982B (zh) 2021-02-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10256226B2 (en) Display device including electrostatic discharge circuit
CN1992291B (zh) 薄膜晶体管基板及其制造方法
JP5925901B2 (ja) 半導体装置
CN103869568B (zh) 用于窄边框型液晶显示装置的阵列基板及其制造方法
CN108874203A (zh) 显示装置
CN108254982A (zh) 显示装置
JP5940163B2 (ja) 半導体装置及び表示装置
KR20090089630A (ko) 평판 표시 장치 및 그 제조방법
KR101601059B1 (ko) 횡전계 방식 액정표시장치
KR20150026033A (ko) 액정 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR20080020168A (ko) 어레이 기판 및 이를 갖는 표시패널
KR20080070149A (ko) 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
CN114930444B (zh) 显示基板及其制备方法、显示装置
US20190302565A1 (en) Display device
KR102579893B1 (ko) 표시 장치
CN113552746B (zh) 显示面板及显示装置
KR101374111B1 (ko) 박막 트랜지스터의 정전기 방지회로 및 그의 제조 방법
KR20220053766A (ko) 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR100690312B1 (ko) 액정표시장치용 어레이기판
CN220420581U (zh) 显示装置
CN220402271U (zh) 显示装置
KR20220045593A (ko) 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20230132653A (ko) 표시 장치
KR20230013728A (ko) 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20220109511A (ko) 표시 장치

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant