CN101089685A - 用于液晶显示器件的阵列基板 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种用于液晶显示器件的阵列基板，其包括具有显示区域和位于显示区域外围的非显示区域的基板；在该基板上沿第一方向的栅线；在该基板上沿第二方向的第一数据线和第二数据线；在非显示区域中沿第一方向并将非显示区域划分为第一区域和第二区域的接地线；位于该第一区域中并与第一数据线相连接的第一静电放电保护电路；以及位于该第二区域中并与第二数据线相连接的第二静电放电保护电路。

Description

用于液晶显示器件的阵列基板
本申请要求享有2006年6月15日在韩国提交的韩国专利申请No.2006-0053873的优先权，在此引用其全部内容作为参考。
技术领域
本发明涉及一种液晶显示(LCD)器件，更具体地涉及一种用于包括静电放电(ESD)保护电路的高分辨率LCD器件的阵列基板。
背景技术
液晶显示器件(LCD)包括第一基板、第二基板和液晶层。第一基板和第二基板彼此面对并通过插入在第一基板和第二基板之间的液晶层彼此分开。LCD器件利用液晶分子的光学各向异性和极化的特性而显示图像。
液晶分子具有细和长的取向。而且，通过对液晶分子施加电场可控制液晶分子的排列方向。这里，该LCD器件包括作为开关元件的薄膜晶体管(TFT)。该LCD器件称为有源矩阵LCD(AM-LCD)器件，其具有优异的高分辨率和突出的动态图像显示的特性。
图1为根据现有技术的LCD器件的分解透视图。
如图1所示，第一基板12和第二基板22彼此面对，并且液晶层30插入在第一基板12和第二基板22之间。第一基板12包括栅线GL、数据线DL、薄膜晶体管(TFT)Tr和像素电极18。栅线GL和数据线DL彼此交叉从而由栅线GL和数据线DL限定出像素区域P。TFT Tr形成于栅线GL和数据线DL的各交叉部分，并且像素电极形成在各像素区域P中并与对应的TFT Tr相连。
第二基板22包括黑矩阵25、滤色片层26和公共电极28。黑矩阵25为格子形状以覆盖包括栅线、数据线GL和TFT Tr的第一基板12的非显示区域。滤色片层26分别包括第一、第二和第三子滤色片26a、26b、26c。各个子滤色片26a、26b和26c具有红“R”、绿“G”和蓝“B”色其中之一，并且对应于像素区域P。公共电极28形成在黑矩阵25和滤色片26上，并且形成在第二基板22的整个表面上。利用像素电极18和公共电极28之间的垂直电场控制液晶分子的排列，从而引起透光量的改变。因此，LCD器件显示图像。相应地，利用垂直电场的LCD器件具有高透光率和大孔径比。
然而，该LCD器件的制造工序非常复杂。而且，在制造工序期间和制造工序完成后会产生静电。为了防止静电损坏TFT，可在数据线的端部设置ESD保护电路。
图2为根据现有技术的用于包括ESD保护电路的LCD器件的阵列基板的电路示意图。
如图2所示，栅线GL和数据线DL彼此交叉从而在基板52上限定出像素区域P。TFT Tr形成在各像素区域P中。像素电极PXL形成在各像素区域P中并且与各TFT Tr相连接。另外，ESD保护电路E形成在数据线DL的端部。ESD保护电路E延伸自接地线Gd1。接地线Gd1与数据线DL交叉。换言之，接地线GD1可平行于栅线GL。
ESD保护电路E防止静电损坏TFT Tr，该静电可能在制造阵列基板的工序期间产生。而且，当不存在静电时，ESD保护电路E不会影响数据线。为了实现这些功能，ESD保护电路E包括多个驱动元件。该多个驱动元件可为多个TFT T1、T2和T3。另一方面，驱动元件可包括多个二极管。
ESD保护电路E具有和像素区域P相同的宽度。并且沿接地线Gd1的方向设置与各数据线DL相连接的ESD保护电路E。
近来，为了获得高分辨率，像素区域P变得越来越窄。具体地说，像素区域P的宽度w1，即数据线DL之间的距离，已变得很小。因此，很难沿接地线Gd1设置多个ESD保护电路E。
发明内容
因此，本发明提出了一种液晶显示器件，其基本上消除了由于现有技术的局限和不足导致的一个或多个问题。
本发明的一个目的在于提供一种用于包括静电放电保护电路的液晶显示器件的阵列基板。
在以下的说明中将部分地述及本发明的其它优点和特征，而这些特征和优点能够从这些说明中部分地明显得到，或是通过本发明的实践而获得。通过文字说明和权利要求以及附图中特别指出的结构可以实现和获得本发明的这些和其他优点。
为了实现这些和其它优点并根据如本文具体地和概括地描述的本发明的目的，一种用于LCD器件的阵列基板包括，具有显示区域和位于显示区域外围的非显示区域的基板；在基板上沿第一方向的栅线；在基板上沿第二方向的第一数据线和第二数据线；在非显示区域中沿第一方向，并且将非显示区域划分为第一区域和第二区域的接地线；位于第一区域中并与第一数据线相连接的第一静电放电保护电路；以及位于第二区域中并与第二数据线相连接的第二静电放电保护电路。
应当理解以上一般的描述和以下详细的描述都是示例性和解释性的，并意在提供对要求保护的本发明的进一步解释。
附图说明
附图提供对本发明的进一步理解，其包含在说明书中并构成说明书的一部分，说明本发明的实施方式并且与说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中：
图1为根据现有技术的LCD器件的分解透视图；
图2为根据现有技术的用于包括ESD保护电路的LCD器件的阵列基板的电路示意图；
图3为根据现有技术的用于包括ESD保护电路的LCD器件的阵列基板的电路示意图。
具体实施方式
以下，将参照附图中描述的示例对优选的示例性实施方式进行详细描述。
图3为根据现有技术的用于包括ESD保护电路的LCD器件的阵列基板的电路示意图。
如图3所示，在基板110上限定有显示区域DR和非显示区域NR。栅线GL和数据线DL分别沿第一方向和第二方向形成在基板110上。栅线GL和数据线DL彼此交叉从而在显示区域DR中限定出像素区域P。TFT Tr形成在各像素区域P中的栅线GL和数据线DL的交叉部分。像素电极PXL形成在各像素区域P中并与TFT Tr连接。数据线DL包括第一线DL1和第二线DL2。第一线DL1和第二线DL2彼此平行并交替排列。即，第(2N-1)条数据线DL定义为第一线DL1，而第(2N)条数据线DL定义为第二线D2。
第一DL1和第二线DL2延伸至非显示区域NR，并且在非显示区域NR中形成有第一ESD保护电路E1和第二ESD保护电路E2。第一ESD保护电路E1与第一线DL1的端部相连接，以及第二ESD保护电路E2与第一线DL2的端部相连接。另外，接地线Gd1沿第一方向形成在非显示区域NR的中心部分。换言之，接地线Gd1与栅线GL平行，并且非显示区域由接地线Gd1划分为第一区域A和第二区域B。第一区域A可与显示区域DR远离，以及第二区域B可与显示区域DR邻近。
第一ESD保护电路E1和第二ESD保护电路E2分别设置在第一区域A和第二区域B中。换言之，第一线DL1与位于第一区域A中的第一ESD保护电路E1相连接，以及第二线DL2与位于第二区域B中的第二ESD保护电路E2相连接。然而，在另一示例性实施方式中，第一线与位于第二区域中的第二ESD保护电路连接，以及第二线与位于第一区域的第一ESD保护电路连接。
本发明的阵列基板中，ESD保护电路可具有相等于两个像素区域P的宽度，而非现有技术中所述的仅具有相等于一个像素区域的宽度。更具体地说，当一个像素区域具有第一宽度w1时，其中形成有ESD保护电路的区域具有为第一宽度w1两倍的宽度w2。图3中，ESD保护电路E的第三宽度w3小于第二宽度w2。然而，第三宽度W3可等于第二宽度W2。因此，当阵列基板具有较少的像素区域以获得高分辨率时，ESD保护电路E具有充分的空间。
接下来描述ESD保护电路E。第一ESD保护电路E1和第二ESD保护电路E2各包括第一、第二和第三TFT T1、T2、T3。
位于第一区域A中的第一ESD保护电路E1与第一线DL1和接地线Gd1相连接。第一线DL1与接地线Gd1交叉。第一线DL1与第三TFT T3的第三栅极GE3、第三源极SE3，以及第二TFT T2的第二源极SE2相连接。第三TFT T3的第三漏极DE3与第二TFT T2的第二栅极GE2和第一TFT T1的第一源极SE1相连接。另外，第一TFT T1的第一栅极GE1和第一漏极DE1，以及第二漏极DE2与接地线Gd1相连接。
同样地，位于第二区域B中的第二ESD保护电路E2与第二线DL2和接地线Gd1相连接。第二线DL2与第一TFT T1的第一栅极GE1、第一源极SE1，以及第二TFT T2的第二源极SE2相连接。第一TFT T1的第一漏极DE1与第二TFT T2的第二栅极GE2以及第三TFTT3的第三漏极DE3相连接。另外，第三TFT T3的第三栅极GE3和第三漏极DE3，以及第二漏极DE2与接地线Gd1相连接。
当产生静电时，高于正常电压的较高电压将施加在第一线DL1和第二线DL2上。由于位于第一ESD保护电路E1中的第三TFT T3的第三栅极GE3与第一线DL1连接，所以由静电导致的过载电压将使第一ESD保护电路E1的第三TFT T3为导通状态。并且，由于位于第一ESD保护电路中的第二TFTT2的第二栅极GE2与第三漏极DE 3连接，使第一ESD保护电路E1的第二TFT T2为导通状态。过载电压通过第一ESD保护电路E1的第二TFT T2施加在接地线Gd1上。由于第一TFT T1的原因，接地线Gd1中的过载电压不会回流至第一ESD保护电路E1中。
第二ESD保护电路E2与第一ESD保护电路E1功能类似。第二ESD保护电路E2的第一TFT T1对应于第一ESD保护电路E1的第三TFT T3，并且第二ESD保护电路E2的第三TFT T3对应于第一ESD保护电路E1的第一TFTT1。
当在像素区域P中没有静电时，ESD保护电路E不会影响像素区域P中的TFT Tr。由于第一线DL1和第二线DL2上没有施加足够的电压，第一ESD保护电路E1的第三TFT T3和第二ESD保护电路E2的第一TFT T1为关闭状态。因此，像素区域P的TFT Tr的工作将不受第一ESD保护电路E1和第二ESD保护电路E2的影响。
另一方面，对于各ESD保护电路可使用多于三个的多个TFT。如在上述的位置设置ESD保护电路，可进行各种改进和变化。
在不脱离本发明的精神或范围内，显然地，对本领域的技术人员来说可以对本发明的液晶显示器件进行各种改进和变形。因此，本发明意欲覆盖所有落入所附的权利要求书及其等同物范围内的各种改进和变形。

Claims (8)

1.一种用于液晶显示器件的阵列基板，包括：
具有显示区域和位于所述显示区域外围的非显示区域的基板；
在所述基板上沿第一方向的栅线；
在所述基板上沿第二方向的第一数据线和第二数据线；
在非显示区域中沿第一方向，并且将所述非显示区域划分为第一区域和第二区域的接地线；
位于所述第一区域中，并且与所述第一数据线相连接的第一静电放电保护电路；以及
位于所述第二区域中，并且与所述第二数据线相连接的第二静电放电保护电路。
2.根据权利要求1所述的基板，其特征在于，还包括沿第二方向的第三数据线，从而由第一数据线、第二数据线和第三数据线与所述栅线交叉以限定出第一像素区域和第二像素区域，其中各个所述第一静电放电保护电路和第二静电放电保护电路的宽度大于每个像素区域的宽度。
3.根据权利要求2所述的基板，其特征在于，各个所述第一静电放电保护电路和第二静电放电保护电路具有基本上等于两个像素区域的宽度。
4.根据权利要求2所述的基板，其特征在于，还包括位于所述第一区域和第二区域的其中之一中并与所述第三数据线相连接的第三静电放电保护电路。
5.根据权利要求1所述的基板，其特征在于，各个所述第一静电放电保护电路和第二静电放电保护电路包括第一、第二和第三晶体管。
6.根据权利要求5所述的基板，其特征在于，各个第一数据线和第二数据线与所述第一晶体管的栅极和源极以及所述第二晶体管的源极相连接，所述第一晶体管的漏极与所述第二晶体管的栅极以及所述第三晶体管的源极相连接，以及所述第二晶体管的漏极、所述第三晶体管的栅极及漏极与接地线相连接。
7.根据权利要求1所述的基板，其特征在于，还包括与所述栅线以及第一数据线、第二数据线相连接的薄膜晶体管。
8.根据权利要求7所述的基板，其特征在于，还包括位于显示区域中并与所述薄膜晶体管相连接的像素电极。
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