CN108231398A - 平面线圈的制造方法 - Google Patents

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Abstract

平面线圈的制造方法包括：在基材上形成基底导体层(L1)的工序(S2)，该基底导体层(L1)具有：具有一端及另一端的线圈配线部，将外部电源和线圈配线部的第一连接位置连接的供电配线部(11d)，以及使比第一连接位置更靠另一端侧的线圈配线部的第二连接位置和比第二连接位置更靠一端侧的线圈配线部的第三连接位置短路的连接配线部(11e)；在基底导体层(L1)上通过电解电镀形成配线导体层(L2)的工序(S3)；以及除去供电配线部(11d)及连接配线部(11e)的工序(S4)。

Description

平面线圈的制造方法
技术领域
本发明涉及平面线圈的制造方法，特别是涉及使用了作为平面线圈的前体的配线部件的电解电镀进行的制造方法。
背景技术
以IC标签及NFC(Near Field radio Communication，近场无线电通信)天线为代表的平面线圈通过如下形成，在基材上形成金属层，将金属层的期望的区域利用蚀刻用抗蚀涂层(etching resist)覆盖，并通过蚀刻除去未形成抗蚀涂层的区域。但是，该方法中，为了形成蚀刻用抗蚀涂层，需要洁净室等的设备，而且每次变更线圈形状，需要新的光掩膜，因此，初始费用增加。为了应对这些技术问题，研究了如下方法，在基材上以期望的图案印刷电镀催化剂，并进行无电解电镀，由此，不形成蚀刻用抗蚀涂层，就形成期望形状的金属层(例如参照专利文献1)。
一般而言，无电解电镀的析出速度较慢，生产率较低，因此，在无电解电镀之后进行电解电镀。但是，电解电镀与无电解电镀不同，均匀析出性较低，因此，在将平面线圈通过电解电镀进行形成的情况下存在以下那样的问题。即，在从平面线圈的一端供给电镀电流的情况下，在接近供电点的一端侧，形成充分的电镀厚度，但平面线圈的另一端侧远离供电点，因此，电镀厚度变得不充分，产生在平面线圈内的膜厚分布(膜厚差)。特别是，在平面线圈为螺旋图案的情况下，其内周端成为被螺旋图案的环(loop)包围的开放端，因此，与外周端之间的膜厚差的问题显著。
如果允许螺旋图案的立体结构，则将螺旋图案的内周端和外周端经由另一配线层进行连接而将其整体制成一个环，由此，能够容易地消除两端的膜厚差的问题。但是，在要以单层的导体层完成的情况下，上述问题依然存在。
为了抑制在线圈图案整体上电镀厚度的不均匀，还提出有如下方法：以使线圈图案整体的电位相同的方式，使用电镀槽内的负极的电极棒，在电解电镀时将线圈图案的各匝进行短路连接的状态下，实施电解电镀(参照专利文献2)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2010-168413号公报
专利文献2：日本特开2009-246363号公报
发明内容
发明所要解决的技术问题
但是，在如专利文献2所记载那样使用电解电镀用电极棒作为短路线的情况下，局部抑制电极棒的接触位置的电镀生长，线圈图案整体形成不均匀的膜厚分布，因此，希望有其它解决方法。
因此，本发明的目的在于提供一种平面线圈的制造方法，不需要使用了蚀刻用抗蚀涂层的金属层的图案化工序，即使在通过电解电镀形成平面线圈的情况下，也能够缩小其两端的膜厚差。
用于解决技术问题的技术手段
为了解决所述技术问题，本发明的平面线圈的制造方法包括：在基材上形成基底导体层的工序，该基底导体层具有：具有一端及另一端的线圈配线部，将所述线圈配线部的第一连接位置和外部电源连接的供电配线部，以及使比所述第一连接位置更靠所述另一端侧的所述线圈配线部的第二连接位置和比所述第二连接位置更靠所述一端侧的所述线圈配线部的第三连接位置短路的连接配线部；通过从所述外部电源进行供电，在所述基底导体层上通过电解电镀形成配线导体层的工序；以及除去所述供电配线部及所述连接配线部的工序。
根据本发明，在电解电镀时，从供电点到线圈配线部的另一端的距离暂时性地变短，因此，能够缩小电解电镀处理后的线圈配线部的两端的膜厚差。另外，通过电解电镀形成配线导体层后，除去供电配线部及连接配线部，因此，能够可靠地形成期望的平面线圈图案。
本发明的平面线圈的制造方法优选还具备在形成所述基底导体层之前，在所述基材上形成基底树脂层的工序，形成所述基底导体层的工序是在所述基底树脂层上通过无电解电镀形成所述基底导体层。根据该方法，能够不使用蚀刻用抗蚀涂层使金属层未图案化而形成期望的线圈图案，能够通过无电解电镀和电解电镀的组合提高生产率。
本发明中，除去所述供电配线部及所述连接配线部的工序可以是将所述供电配线部及所述连接配线部与所述基材一起物理性地除去，也可以将构成所述供电配线部及所述连接配线部的所述基底导体层及所述配线导体层通过蚀刻进行除去。根据该方法，能够简单地除去供电配线部及连接配线部并完成平面线圈。
本发明中，优选所述线圈配线部包含螺旋图案，所述线圈配线部的一端及另一端分别为所述螺旋图案的外周端及内周端。螺旋图案的内周端是被螺旋的环包围且未与任何地方连接的开放端，因此，在该状态下，与外周端的电阻差较大，膜厚差的问题显著。但是，本发明中，设置了将线圈配线部的内周端与比该内周端更靠外周端侧的一点短路连接的连接配线部，因此，能够提高线圈配线部的内周端的膜厚，并能够缩小线圈配线部的两端的膜厚差。
本发明中，优选所述第一连接位置处于所述螺旋图案的最外周匝的范围内，且比所述外周端更靠所述内周端侧。据此，能够进一步缩小从供电位置到外周端的距离和从供电点到内周端的距离，并能够进一步缩小两端的导体层的膜厚差。
本发明中，优选所述第二连接位置为所述螺旋图案的所述内周端。在该情况下，所述第三连接位置优选处于所述螺旋图案的最内周匝，且通过所述内周端，并在从所述外周端朝向所述内周端的卷绕方向的延长线上。通过这样，能够缩小螺旋图案的两端的膜厚差，且还能够容易地进行连接配线部的除去。此外，在螺旋图案的匝数为1匝的情况下，最内周匝与最外周匝相同。
本发明中，优选所述基材为树脂膜。在该情况下，所述基底树脂层优选由含有选自Pd、Cu、Ni、Ag、Pt及Au的至少一种金属的树脂构成。进一步，优选所述基底导体层及所述配线导体层分别由选自Cu、Ag及Au的至少一种金属构成。据此，能够在树脂膜上容易地形成导体图案，并能够以低成本制造高质量的平面线圈。
发明效果
根据本发明，能够提供一种平面线圈的制造方法，其中不需要使用了蚀刻用抗蚀涂层的金属层的图案化工序，且即使在通过电解电镀形成平面线圈的情况下也能够缩小其两端的膜厚差。
附图说明
图1是表示本发明实施方式的平面线圈的结构的图，(a)为平面图，(b)为沿着(a)的Y-Y线的剖面图。
图2是说明平面线圈的制造方法的流程图。
图3是用于说明平面线圈的制造工序之一(印刷工序)的图，(a)为平面图，(b)为沿着(a)的Y-Y线的剖面图。
图4是用于说明平面线圈的制造工序之一(无电解电镀工序)的图，(a)为平面图，(b)为沿着(a)的Y-Y线的剖面图。
图5是用于说明平面线圈的制造工序之一(电解电镀工序)的图，(a)为平面图，(b)为沿着(a)的Y-Y线的剖面图。
图6是用于说明电解电镀方法的示意图。
图7是用于说明平面线圈的制造工序之一(除去工序)的平面图。
图8(a)～(f)是表示平面线圈图案(连接配线部及供电配线部)的变形例的平面图。
图9(a)～(c)是表示平面线圈的评价试验所使用的配线部件的配线图案的结构的平面图。
图10是表示平面线圈的评价试验的结果的表。
符号说明
1 平面线圈
5A、5B、5C 配线部件
10 基材
11 平面线圈图案
11a 线圈配线部
11a1 线圈配线部的外周端(一端)
11a2 线圈配线部的内周端(另一端)
11b、11c 焊盘
11d 供电配线部
11d 供电配线部
11e 连接配线部
30 供电配线部的主配线
50 外部电源
51 电镀槽
52 镀液
L0 基底树脂层
L1 基底导体层
L2 配线导体层
LB 基底层
LL 导体层
P1 第一连接位置
P2 第二连接位置
P3 第三连接位置
R1 外周端侧的配线电阻
R2 内周端侧的配线电阻
R2/R1 电阻比
T1 外周端的膜厚
T2 内周端的膜厚
T2/T1 膜厚比
具体实施方式
以下，参照附图详细地说明本发明优选的实施方式。
图1是表示本发明实施方式的平面线圈的结构的图，(a)为平面图，(b)为沿着(a)的Y-Y线的剖面图。
如图1(a)及(b)所示，平面线圈1具备基材10和形成于基材10的一主面的螺旋状的平面线圈图案11。基材10优选为例如PET膜、聚酰亚胺膜等的树脂膜(挠性基板)。在使用了树脂膜的情况下，能够以低成本制造非常薄且容易操作的平面线圈1。但是，基材10也可以是玻璃环氧基板等的刚性基板。另外，基材10也可以是单层结构，也可以是多层结构。
平面线圈图案11具有：螺旋状的线圈配线部11a；以及分别设于线圈配线部11a的外周端11a1(一端)及内周端11a2(另一端)的焊盘(pad)11b、11c。本实施方式的线圈配线部11a为矩形螺旋图案，但也可以是圆形螺旋图案，也可以是椭圆或长圆螺旋图案。线圈配线部11a的匝数优选为1匝以上，特别优选为2～10匝。这是由于，若匝数低于1匝，则几乎不会产生本发明所要解决的技术问题，另外，若匝数过大时，得不到缩小线圈配线部11a的两端间的电阻差这样的本发明的效果。
线圈配线部11a的宽度优选为0.05～1mm，特别优选为0.1～0.5mm。这是由于，难以通过电解电镀形成配线宽度低于0.05mm的非常细的线圈配线部11a，且配线宽度超过1mm的较粗的线圈配线部11a中，几乎不会产生由其两端即外周端11a1与内周端11a2的电阻差引起的线圈端末部的膜厚差的问题。
平面线圈图案11的截面结构由基底树脂层L0、在基底树脂层L0上通过无电解电镀形成的基底导体层L1、在基底导体层L1上通过电解电镀形成的配线导体层L2构成。基底树脂层L0及基底导体层L1构成相对于配线导体层L2的多层结构的基底层LB。另外，基底导体层L1及配线导体层L2构成作为构成平面线圈图案11的导体图案的导体层LL。
基底树脂层L0优选由含有选自Pd、Cu、Ni、Ag、Pt及Au的至少一种金属的树脂(导电性高分子)构成。通过设置基底树脂层L0，能够在基材10上形成导体层LL。
基底导体层L1优选由选自Cu、Ag及Au的至少一种金属构成。通过设置基底导体层L1，能够在基材10上通过电解电镀形成配线导体层L2。基底导体层L1的厚度优选为0.05～2μm。
配线导体层L2优选为比基底导体层L1厚的层，由选自Cu、Ag及Au的至少一种金属构成。通过设置配线导体层L2，能够在基材10上形成充分的厚度的导体层LL。
导体层LL的厚度没有特别限定，但优选为50μm以下，特别优选为38μm以下。这是由于，构成平面线圈图案11的导体层LL的厚度越增加，电解电镀中的处理时间越增加，生产率降低。另一方面，导体层LL的厚度优选为1μm以上。这是由于，如果导体层LL的厚度较薄，则即使仅通过均匀析出性优异的无电解电镀，也具有充分的生产率，通过电解电镀形成导体层LL的意义低。
图2是说明平面线圈的制造方法的流程图。另外，图3～图5是用于说明平面线圈的制造工序的图，(a)为平面图，(b)为沿着(a)的Y-Y线的剖面图。
如图2及图3(a)及(b)所示，平面线圈1的制造中，首先，在基材10上形成基底树脂层L0(图2：步骤S1)。基底树脂层L0发挥作为促进无电解电镀进行的基底导体层L1的形成的催化剂的作用。基底树脂层L0优选通过印刷形成，能够通过例如丝网印刷及喷墨法形成。这样，形成有基底树脂层L0的基材10构成相对于平面线圈1来说作为第一中间体的配线部件5A。本实施方式的平面线圈1的制造方法能够预先准备这种平面线圈制造用配线部件5A而开始其制造。
如图3(a)所示，基底树脂层L0的平面形状具有：构成平面线圈图案11的螺旋状的线圈配线部11a；分别设于线圈配线部11a的两端的焊盘11b、11c；与线圈配线部11a的中途(第一连接位置)连接的供电配线部11d；将线圈配线部11a的内周端11a2(第二连接位置)和比内周端11a2更靠外周端11a1侧的连接位置(第三连接位置)进行短路的连接配线部11e。
供电配线部11d是与线圈配线部11a的外周端11a1侧连接的配线图案，为了在进行电解电镀时从外部电源向线圈配线部11a供电而设置。供电配线部11d的连接位置(第一连接位置)P1优选与线圈配线部11a的最外周匝的中途连接，特别优选与最外周匝的尽可能内周端11a2侧连接。由此，从线圈配线部11a的与供电配线部11d的连接点(供电点)到内周端11a2的配线长与从供电点到外周端11a1的配线长的差缩小，两端的电阻差减少，因此，能够得到两端的膜厚差较小的线圈配线部11a。但是，当将供电配线部11d的连接位置P1过于接近内周端11a2侧时，供电配线部11d与线圈配线部11a的外周端11a1的距离过近，难以进行供电配线部11d的形成及后述的供电配线部11d的除去，因此，两者之间需要适当的间隔。
为了缩小供电配线部11d的配线电阻的影响，其宽度优选为线圈配线部11a的宽度以上，特别优选比线圈配线部11a的宽度大。供电配线部11d的个数没有特别限定，能够连接任意个数的供电配线部11d。但是，为了得到平面线圈1，需要最终除去供电配线部11d，且过度增加供电配线部11d的个数也会导致制造成本的增加，故不优选。
连接配线部11e是将线圈配线部11a的内周端11a2(第二连接位置P2)和比该内周端11a2更靠外周端11a1侧的任意位置(第三连接位置P3)短路的配线图案，为了尽可能缩短从供电点到内周端11a2的距离(配线长)而设置。本实施方式中，连接配线部11e通过内周端11a2，按照从外周端11a1朝向内周端11a2的卷绕方向笔直地延伸，且连接于与最内周匝交叉的位置。这样，通过设置连接配线部11e且尽可能缩短从线圈配线部11a的供电点到内周端11a2的配线长，能够消除电阻所引起的内周端11a2的导体层LL的膜厚不足。
接着，如图4(a)及(b)所示，在基底树脂层L0上通过无电解电镀形成基底导体层L1(图2：步骤S2)。无电解电镀的具体的方法没有特别限定，能够通过各种方法进行。基底导体层L1的厚度优选为0.01～1μm，特别优选为0.05～0.5μm。基底导体层L1优选由选自Cu、Ag及Au的至少一种金属构成。这样，依次形成有基底树脂层L0及基底导体层L1的基材10构成作为相对于平面线圈1而言为第二中间体的配线部件5B。本实施方式的平面线圈1的制造方法也可以预先准备这种平面线圈制造用配线部件5B，并开始其制造。
如图4(b)所示，基底导体层L1并不仅形成于基底树脂层L0的上表面。即，实际上不仅在基底树脂层L0的上表面，在侧面也较薄地形成基底导体层L1。即，通过无电解电镀，基底树脂层L0的露出面整体被基底导体层L1覆盖。
接着，如图5(a)及(b)所示，进行相对于配线部件5B的电解电镀处理，在基底导体层L1上形成配线导体层L2(图2：步骤S3)。如图6所示，电解电镀工序中，在将外部电源50与供电配线部11d连接的状态下，将配线部件5B浸渍于电镀槽51内的电镀液52中，经由供电配线部11d对线圈配线部11a施加电压。此外，电解电镀的具体的方法没有特别限定，能够通过各种方法进行。这样，依次形成有基底树脂层L0、基底导体层L1及配线导体层L2的基材10构成作为相对于平面线圈1的第三中间体的配线部件5C。
如图5(b)所示，配线导体L2并不仅形成于基底导体层L1的上表面。即，实际上不仅在基底导体层L1的上表面，在侧面也较薄地形成配线导体层L2。即，通过电解电镀，基底导体层L1的露出面整体被配线导体层L2覆盖。
在不设置连接配线部11e的现有的方法中，存在如下问题，形成配线导体层L2的电解电镀中，线圈配线部11a的两端的电阻差较大，因此，线圈配线部11a的两端的膜厚差变大。但是，本实施方式中，通过设置连接配线部11e及供电配线部11d，能够缩小线圈配线部11a的两端的电阻差，因此，能够缩小外周端11a1与内周端11a2的膜厚差。
最后，如图7所示，除去配线部件5C的供电配线部11d及连接配线部11e(图2：步骤S4)。除去方法没有特别限定，也可以是冲孔或切断等的物理性的方法，也可以是蚀刻等的化学性的方法。在基材10为树脂膜的情况下，通过冲孔或切断，容易将供电配线部11d及连接配线部11e与基材10一起物理性地除去。在以残留基材10的状态除去供电配线部11d及连接配线部11e的情况下，通过使用蚀刻，能够除去构成供电配线部11d及连接配线部11e的导体层LL(基底导体层L1及配线导体层L2)。此时，也可以在基材10上残留基底树脂层L0，也可以使用溶剂等进行除去。根据以上，图1所示的平面线圈1完成。
图8(a)～(f)是表示平面线圈图案11的变形例的平面图。
图8(a)所示的平面线圈图案11中，连接配线部11e的一端的连接位置(第二连接位置)P2设定于线圈配线部11a的内周端11a2，并且连接配线部11e的另一端的连接位置(第三连接位置)P3从线圈配线部11a的内周端11a2起通过环的中央部设定于其相反侧的线圈配线部11a的最内周匝的中途。即，连接配线部11e按照与通过内周端11a2的卷绕方向正交的方向行进并连接于与最内周匝交叉的位置。
图8(b)所示的平面线圈图案11中，连接配线部11e的一端的连接位置(第二连接位置)P2设定于线圈配线部11a的内周端11a2，并且连接配线部11e的另一端的连接位置(第三连接位置)P3从线圈配线部11a的内周端11a2起向环的外侧延伸且设定于线圈配线部11a的最内周匝的始端位置。即，连接配线部11e以使螺旋图案的相邻匝间短路的方式设置。据此，与图8(a)的情况相比，能够将线圈配线部11a的内周端11a2在更接近供电点的位置进行短路连接，能够进一步缩小两端的膜厚差，但连接配线部11e的除去比图8(a)的情况更难。
图8(c)所示的平面线圈图案11中，连接配线部11e的一端的连接位置(第二连接位置)P2设定于比线圈配线部11a的内周端11a2更靠外周端11a1侧，连接配线部11e的另一端的连接位置(第三连接位置)P3与通过线圈配线部的内周端11a2的卷绕方向平行地延伸，且设定于最内周匝的中途。这样，连接配线部11e的一端及另一端能够设定于线圈配线部11a的最内周匝的任意位置。
图8(d)所示的平面线圈图案11与图3相比，供电配线部11d的连接位置(第一连接位置)P1设定于线圈配线部11a的更靠外周端11a1侧。另外，图8(e)所示的平面线圈图案11与图3相比，供电配线部11d的配线宽度更狭窄，且由与线圈配线部11a相同粗细的配线构成。另外，图8(f)所示的平面线圈图案11与图3相比，连接配线部11e的配线宽度较宽，且由比线圈配线部11a更粗的配线构成。这样，供电配线部11d及连接配线部11e能够采用各种图案布局及配线宽度。
如以上进行的说明，本实施方式的配线部件5B具备基材10和形成于基材10上的平面线圈图案11，平面线圈图案11包含：线圈配线部11a，将线圈配线部11a的第一连接位置和外部电源连接的供电配线部11d，以及将比第一连接位置更靠另一端侧的线圈配线部的第二连接位置和比第二连接位置更靠一端侧的线圈配线部的第三连接位置短路的连接配线部11e；平面线圈图案11的截面结构具有形成于基材10上的基底树脂层L0和形成于基底树脂层L0上的导体层(基底导体层L1)，连接配线部11e缩小线圈配线部11a的两端的电阻差，因此，在电解电镀时能够缩小平面线圈图案11的两端的膜厚差，能够实现提高平面线圈1的品质。另外，平面线圈图案11的截面结构具有形成于基材10上的基底树脂层L0和形成于基底树脂层L0上的基底导体层L1，因此，能够通过电解电镀形成配线导体层L2，不使用蚀刻用抗蚀涂层就能够容易形成平面线圈图案11。
另外，本实施方式的配线部件5B由于供电配线部11d连接于比线圈配线部11a的外周端11a1更靠内周端11a2侧，因此，在电解电镀时，供电配线部11d能够进一步缩小线圈配线部11a的两端的电阻差。因此，能够缩小平面线圈的两端的膜厚差，并能够实现提高平面线圈的品质。
另外，本实施方式的平面线圈的制造方法中，将供电配线部11d及连接配线部11e与线圈配线部11a一起通过电解电镀形成后，除去供电配线部11d及连接配线部11e，因此，能够缩小平面线圈图案的两端的膜厚差，并能够实现提高平面线圈的电特性。
以上，说明了本发明优选的实施方式，但本发明不限定于上述的实施方式，能够在不脱离本发明主旨的范围内进行各种变更，当然这些也包含于本发明的范围内。
例如，上述实施方式中，举例了将含有用于无电解电镀的催化剂的基底树脂层L0通过印刷形成之后，通过无电解电镀形成基底导体层L1，且通过电解电镀形成配线导体层L2的情况，但本发明不限定于这种制造方法，例如也能够适用于如下现有的方法：通过使用了蚀刻用抗蚀涂层的金属层的蚀刻，形成期望的线圈图案之后，对金属层进行电解电镀。
实施例
使用配线部件5A分别制作具有图9(a)～(c)所示的配线图案的比较例1～4及实施例1～5的平面线圈1，对这些制作的平面线圈1的配线电阻及膜厚分布进行评价试验。
如图9(a)所示，比较例1的配线部件5A具有螺旋状的线圈配线部11a、以及与线圈配线部11a的外周端11a1(即距外周端11a1为0mm的位置)连接的供电配线部11d，但未设置连接配线部11e。供电配线部11d经由形成于基材10上的主配线30与外部电源连接。构成这些配线图案的基底树脂层L0通过将含有作为催化剂的Pd的树脂在PET膜上进行丝网印刷而形成。线圈配线部11a的形状与所有的配线部件5A相同，线圈配线部11a的匝数为3匝，从外周端11a1到内周端11a2的配线总长设为450mm，配线宽度设为0.5mm。另外，最大环大小(纵向宽度Wy×横向宽度Wx)：50mm×50mm。
如图9(b)所示，比较例2～4的配线部件5A具有螺旋状的线圈配线部11a、以及不是与线圈配线部11a的外周端11a1而是与最外周匝的终端位置附近(距外周端11a1为140mm的位置P1)连接的供电配线部11d，且未设置连接配线部11e。比较例2的配线宽度设为0.5mm，但比较例3的配线宽度设为0.2mm，比较例4的配线宽度设为1mm。其它的结构与图9(a)相同。
如图9(c)所示，实施例1～5的配线部件5A具有：螺旋状的线圈配线部11a，与线圈配线部11a的最外周匝的终端位置附近(距外周端11a1为140mm的位置P1)连接的供电配线部11d，以及将线圈配线部11a的内周端11a2和比其更靠外周端11a1侧的位置进行短路连接的连接配线部11e。连接配线部11e的一端的连接位置P2在实施例1～5中均设为内周端11a2，连接配线部11e的另一端的连接位置P3在实施例1、3、4、5中设为距外周端11a1为310mm的位置，在实施例2中设为距外周端11a1为250mm的位置。另外，实施例1、2的配线宽度设为0.5mm，实施例3的配线宽度设为1mm，实施例4的配线宽度设为0.2mm，实施例5的配线宽度设为0.1mm。其它的结构与图9(a)相同。
接着，对这些比较例1～4及实施例1～5的配线部件5A进行无电解镀铜，在基底树脂层L0上形成厚度约1.5μm的由Cu膜构成的基底导体层L1，由此，得到作为平面线圈1的前体的配线部件5B。此外，基底导体层L1的膜厚测定中使用了荧光X射线式膜厚计(HitachiHigh-Tech制造FT9300)。然后，分别通过四端子法测定这些比较例1～4及实施例1～5的平面线圈1的从供电点到外周端11a1的配线电阻R1及从供电点到内周端11a2的配线电阻R2，求得电阻比R2/R1。
接着，以4A/dm2的电流密度进行30分钟的电解电镀，在基底导体层L1上形成由Cu膜构成的配线导体层L2，由此，得到作为平面线圈1的前体的配线部件5C。进一步通过冲孔除去供电配线部11d及连接配线部11e，完成比较例1～4及实施例1～5的平面线圈1。然后，分别测定这些平面线圈1的内周端11a2及外周端11a1的导体层LL的膜厚，求得膜厚比T2/T1。膜厚的测定中使用了电阻式膜厚计(Fischer Instruments制造RMP30-S)。另外，同时还进行使导体层LL的截面露出并利用SEM(岛津制作所制造SS-550)的膜厚的观察评价。将其结果在图10的表中表示。
如从图10可知，比较例1的平面线圈1中，供电配线部11d与外周端11a1直接连接，因此，从供电点到外周端11a1的配线电阻R1大致成为零，与之相对，从供电点到内周端11a2的配线电阻大至R2＝10.1Ω，因此，外周端11a1侧的配线电阻R1与内周端11a2侧的配线电阻R2的比很大，至R2/R1＝1010。另外，线圈配线部11a的外周端11a1的膜厚很厚，为T1＝47μm，与之相对，内周端11a2的膜厚很薄，为T2＝26.3μm，因此，线圈配线部11a的两端的膜厚比大至T2/T1＝1.79。
比较例2的平面线圈1中，通过将供电配线部11d不设于线圈配线部11a的外周端11a1而设于中途，外周端11a1侧的配线电阻R1与内周端11a2侧的配线电阻R2的比缩小至R2/R1＝2.08，线圈配线部11a的两端的膜厚比小至T2/T1＝1.40。
比较例3的平面线圈1中，与比较例2相比，配线宽度变窄，由此，配线电阻大至R1＝7.85，配线电阻大至R2＝17.4，电阻比R2/R1＝2.22。另外，成为两端的膜厚比T2/T1＝1.45，比比较例2略大。比较例4的平面线圈1中，配线宽度比比较例2变宽，由此，配线电阻小为R1＝1.57，配线电阻小为R2＝5.2，电阻比成为R2/R1＝3.31。另外，两端的膜厚比成为T2/T1＝1.23，比比较例2略小。
实施例1的平面线圈1中，通过设置连接配线部11e，从供电点到内周端11a2的配线电阻R2变小为3.98Ω，且电阻比成为R2/R1＝1.26。另外，线圈配线部11a的外周端11a1的膜厚成为T1＝37.8μm，内周端11a2的膜厚成为T2＝32.2μm，两端的膜厚比成为T2/T1＝1.17，成为比比较例1～4小的膜厚比。如果膜厚比T2/T1处于0.8～1.2的范围内，则可以说膜厚比良好。
实施例2的平面线圈1中，通过将连接配线部11e的另一端的连接位置从实施例1的310mm变更为250mm的位置，内周端11a2侧的配线电阻R2进一步缩小，由此，进一步缩小为电阻比R2/R1＝0.84。另外，两端的膜厚比成为T2/T1＝0.90，成为比实施例1更小的膜厚比。
实施例3的平面线圈1中，通过将配线宽度从实施例1的0.5mm变更为1mm，分别小为配线电阻R1＝1.57Ω，配线电阻R2＝1.99Ω，电阻比成为R2/R1＝1.27。另外，两端的膜厚比成为T2/T1＝1.15，与实施例1一样，成为良好的膜厚比。
实施例4的平面线圈1中，通过将配线宽度从实施例1的0.5mm变更为0.2mm，分别变大至配线电阻R1＝7.84Ω，配线电阻R2＝9.97Ω，但电阻比成为R2/R1＝1.27。另外，两端的膜厚比成为T2/T1＝1.18，与实施例1一样，成为良好的膜厚比。
实施例5的平面线圈1中，通过将配线宽度进一步缩小为0.1mm，分别变大至配线电阻R1＝15.7Ω，配线电阻R2＝19.9Ω，但电阻比成为R2/R1＝1.27。另外，两端的膜厚比成为T2/T1＝1.18，与实施例1一样，成为良好的膜厚比。

Claims (11)

1.一种平面线圈的制造方法，其特征在于，具备：
在基材上形成基底导体层的工序，该基底导体层具有：具有一端及另一端的线圈配线部，将外部电源和所述线圈配线部的第一连接位置连接的供电配线部，以及使所述线圈配线部的第二连接位置和所述线圈配线部的第三连接位置短路的连接配线部，所述线圈配线部的第二连接位置比所述第一连接位置更靠所述另一端侧，所述线圈配线部的第三连接位置比所述第二连接位置更靠所述一端侧；
通过从所述外部电源进行供电，从而在所述基底导体层上通过电解电镀形成配线导体层的工序；以及
除去所述供电配线部及所述连接配线部的工序。
2.根据权利要求1所述的平面线圈的制造方法，其中，
还具备：在形成所述基底导体层之前，在所述基材上形成基底树脂层的工序，
形成所述基底导体层的工序是在所述基底树脂层上通过非电解电镀形成所述基底导体层。
3.根据权利要求1所述的平面线圈的制造方法，其中，
除去所述供电配线部及所述连接配线部的工序是将所述供电配线部及所述连接配线部与所述基材一起物理性地除去。
4.根据权利要求1所述的平面线圈的制造方法，其中，
除去所述供电配线部及所述连接配线部的工序是将构成所述供电配线部及所述连接配线部的所述基底导体层及所述配线导体层通过蚀刻进行除去。
5.根据权利要求1所述的平面线圈的制造方法，其中，
所述线圈配线部包含螺旋图案，
所述线圈配线部的一端及另一端分别为所述螺旋图案的外周端及内周端。
6.根据权利要求5所述的平面线圈的制造方法，其中，
所述第一连接位置处于所述螺旋图案的最外周匝的范围内，且比所述外周端更靠所述内周端侧。
7.根据权利要求5所述的平面线圈的制造方法，其中，
所述第二连接位置为所述螺旋图案的所述内周端。
8.根据权利要求7所述的平面线圈的制造方法，其中，
所述第三连接位置处于所述螺旋图案的最内周匝的范围内，且位于通过所述内周端而从所述外周端朝向所述内周端的卷绕方向的延长线上。
9.根据权利要求1所述的平面线圈的制造方法，其中，
所述基材为树脂膜。
10.根据权利要求2所述的平面线圈的制造方法，其中，
所述基底树脂层由含有选自Pd、Cu、Ni、Ag、Pt及Au的至少一种金属的树脂构成。
11.根据权利要求1～10中任一项所述的平面线圈的制造方法，其中，
所述基底导体层及所述配线导体层分别由选自Cu、Ag及Au的至少一种金属构成。
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