CN108235570A - 配线部件 - Google Patents
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Abstract
用于平面线圈的制造的配线部件(5B)具备:基材(10)、和形成于基材(10)上的平面线圈图案(11)。平面线圈图案(11)包含:具有一端(11a1)及另一端(11a2)的线圈配线部(11a),将外部电源和线圈配线部(11a)的第一连接位置(P1)连接的供电配线部(11d),将与第一连接位置(P1)相比更靠另一端(11a2)侧的线圈配线部(11a)的第二连接位置(P2)和与第二连接位置(P2)相比更靠一端(11a1)侧的线圈配线部(11a)的第三连接位置(P3)进行短路的连接配线部(11e)。平面线圈图案(11)的剖面结构具有形成于基材(10)上的基底树脂层(L0)和形成于基底树脂层(L0)上的导体层(LL)。
Description
技术领域
本发明涉及一种配线部件,特别涉及一种用于平面线圈的制造的作为前体的配线部件。
背景技术
以IC标签或NFC(Near Field radio Communication,近场无线电通信)天线为代表的平面线圈通过在基材上形成金属层,用蚀刻用抗蚀涂层(etching resist)覆盖金属层的所期望的区域,并通过蚀刻除去未形成抗蚀涂层的区域而形成。但是,该方法中,为了形成蚀刻用抗蚀涂层而需要洁净室等设备,而且,每当变更线圈形状时,需要新的光掩模,因此,初期费用高。为了对应于这些技术问题,一直在研究将电镀催化剂以所期望的图案印刷在基材上,通过进行无电解电镀,从而不形成蚀刻用抗蚀涂层而形成所期望的形状的金属层的方法(例如参照专利文献1)。
一般而言,无电解电镀由于析出速度慢且生产率低,因此,在无电解电镀之后进行电解电镀。但是,电解电镀与无电解电镀不同,其均匀析出性低,因此,在通过电解电镀形成平面线圈的情况下,存在如下的问题。即,从平面线圈的一端供给电镀电流时,在接近于供电点的一端侧形成充分的镀层厚度,但平面线圈的另一端侧离供电点远,因此,镀层厚度不充分,会产生平面线圈内的膜厚分布(膜厚差)。特别是在平面线圈为螺旋图案时,其内周端成为被螺旋图案的环(loop)包围的开放端,因此,与外周端之间的膜厚差的问题显著。
如果允许螺旋图案的立体结构,则可以通过将螺旋图案的内周端和外周端经由其它配线层连接并使其整体成为1个环,从而容易地解决两端的膜厚差的问题。但是,在要以单层的导体层完成的情况下,上述问题依然存在。
为了在线圈图案整体上抑制镀层厚度的偏差,也提出了以使线圈图案整体的电位成为相同的方式,使用电镀槽内的负极的电极棒进行电解电镀时,以将线圈图案的各匝进行短路连接的状态实施电解电镀的方法(参照专利文献2)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2010-168413号公报
专利文献2:日本特开2009-246363号公报
发明内容
发明所要解决的技术问题
但是,在如专利文献2所记载那样使用电解电镀用电极棒作为短路线的情况下,会部分地抑制电极棒的接触位置上的电镀生长,线圈图案整体成为不均匀的膜厚分布,因此,期望其它解决方法。
因此,本发明的目的在于,提供一种平面线圈用配线部件,不需要使用有蚀刻用抗蚀涂层的金属层的图案化工序,并且即使在通过电解电镀形成平面线圈的情况下,也能够缩小其两端的膜厚差。
用于解决技术问题的技术手段
为了解决上述技术问题,本发明的配线部件的特征在于,具备基材和形成于所述基材上的平面线圈图案;所述平面线圈图案包含:具有一端及另一端的线圈配线部,设置于所述线圈配线部的第一连接位置的供电配线部,以及将所述线圈配线部的第二连接位置和所述线圈配线部的第三连接位置进行短路的连接配线部,其中,所述线圈配线部的第二连接位置与所述第一连接位置相比更靠所述另一端侧,所述线圈配线部的第三连接位置与所述第二连接位置相比更靠所述一端侧;所述平面线圈图案的剖面结构具有形成于所述基材上的基底树脂层和形成于所述基底树脂层上的导体层。
根据本发明,可以不使用蚀刻用抗蚀涂层而形成平面线圈图案。另外,可以缩短从供电配线部的第一连接位置至线圈配线部的另一端的配线长度,在通过电解电镀形成平面线圈图案时,可以缩小线圈配线部的两端的膜厚差。
本发明中,优选的是,所述线圈配线部含有螺旋图案,所述线圈配线部的一端及另一端分别为所述螺旋图案的外周端及内周端。螺旋图案的内周端被螺旋的环包围而为未连接任何地方的开放端,因此,在该状态下,与外周端的电阻差大,膜厚差的问题显著。但是,在本发明中,通过设置连接配线部而缩短从螺旋图案的线圈配线部的内周端至供电点的距离,从而可以促进内周端的电镀析出,可以消除螺旋图案的两端部的膜厚差。
在本发明中,优选的是,所述第二连接位置设定在所述螺旋图案的所述内周端。在该情况下,优选的是,所述第三连接位置位于所述螺旋图案的最内周匝的范围内,且通过所述内周端而位于从所述外周端向内周端的卷绕方向的延长线上。通过这样构成,可以缩小螺旋图案的两端的膜厚差,另外,连接配线部的除去也可以容易地进行。此外,螺旋图案的匝数为1匝的情况下,最内周匝与最外周匝相同。
在本发明中,优选的是,所述第一连接位置位于所述螺旋图案的最外周匝的范围内,且与所述外周端相比更靠所述内周端侧。根据该构成,可以进一步缩小从供电位置至外周端的距离和从供电点至内周端的距离,可以进一步缩小两端的导体层的膜厚差。
在本发明中,所述基材优选为树脂膜。根据该构成,可以以低成本制造非常薄型且容易处理的平面线圈。
在本发明中,所述基底树脂层优选由包含选自Pd、Cu、Ni、Ag、Pt及Au中的至少一种金属的树脂构成。通过在基材的表面形成这种基底树脂层,可以在基材上形成导体图案。
在本发明中,优选的是,所述导体层具有:在所述基底树脂层上通过无电解电镀形成的基底导体层,和在所述基底导体层上通过电解电镀形成的比所述基底导体层更厚的配线导体层。在该情况下,优选的是,所述基底导体层及所述配线导体层分别由选自Cu、Ag及Au中的至少一种金属构成。据此,可以容易地形成充分的厚度的导体层,可以以低成本制造高品质的平面线圈。
发明效果
根据本发明,可以提供一种平面线圈用配线部件,不需要使用有蚀刻用抗蚀涂层的金属层的图案化工序,即使在通过电解电镀形成平面线圈的情况下,也能够缩小其两端的膜厚差。
附图说明
图1是表示本发明的实施方式的平面线圈的结构的图,(a)是俯视图,(b)是沿着(a)的Y-Y线的剖视图。
图2是说明平面线圈的制造方法的流程图。
图3是用于说明平面线圈的制造工序的一个(印刷工序)的图,(a)是俯视图,(b)是沿(a)的Y-Y线的剖视图。
图4是用于说明平面线圈的制造工序的一个(无电解电镀工序)的图,(a)是俯视图,(b)是沿(a)的Y-Y线的剖视图。
图5是用于说明平面线圈的制造工序的一个(电解电镀工序)的图,(a)是俯视图,(b)是沿(a)的Y-Y线的剖视图。
图6是用于说明电解电镀方法的示意图。
图7是用于说明平面线圈的制造工序的一个(除去工序)的俯视图。
图8(a)~(f)是表示平面线圈图案(连接配线部及供电配线部)的变形例的俯视图。
图9(a)~(c)是表示用于平面线圈的评价试验的配线部件的配线图案的构成的俯视图。
图10是表示平面线圈的评价试验的结果的表。
符号说明
1 平面线圈
5A、5B、5C 配线部件
10 基材
11 平面线圈图案
11a 线圈配线部
11a1 线圈配线部的外周端(一端)
11a2 线圈配线部的内周端(另一端)
11b、11c 焊盘
11d 供电配线部
11d 供电配线部
11e 连接配线部
30 供电配线部的主配线
50 外部电源
51 电镀槽
52 电镀液
L0 基底树脂层
L1 基底导体层
L2 配线导体层
LB 基底层
LL 导体层
P1 第一连接位置
P2 第二连接位置
P3 第三连接位置
R1 外周端侧的配线电阻
R2 内周端侧的配线电阻
R2/R1 电阻比
T1 外周端的膜厚
T2 内周端的膜厚
T2/T1 膜厚比
具体实施方式
以下,一边参照附图,一边对本发明的优选的实施方式详细地进行说明。
图1是表示本发明的实施方式的平面线圈的结构的图,(a)是俯视图,(b)是沿(a)的Y-Y线的剖视图。
如图1(a)及(b)所示,平面线圈1具备:基材10、和形成于基材10的一个主面的螺旋状的平面线圈图案11。基材10优选为例如PET膜、聚酰亚胺膜等树脂膜(挠性基板)。在使用树脂膜的情况下,可以以低成本制造非常薄型且容易处理的平面线圈1。但是,基材10也可以为玻璃环氧基板等刚性基板。另外,基材10可以为单层结构,也可以为多层结构。
平面线圈图案11具有:螺旋状的线圈配线部11a、和分别设置于线圈配线部11a的外周端11a1(一端)及内周端11a2(另一端)的焊盘(pad)11b、11c。本实施方式的线圈配线部11a为矩形螺旋图案,但可以为圆形螺旋图案,也可以为楕圆或长圆螺旋图案。线圈配线部11a的匝数优选为1匝以上,特别优选为2~10匝。这是因为,如果匝速低于1匝,则几乎不产生本发明要解决的技术问题,另外,匝速太大时,无法得到减小线圈配线部11a的两端间的电阻差这样的本发明的效果。
线圈配线部11a的宽度优选为0.05~1mm,特别优选为0.1~0.5mm。这是因为,难以通过电解电镀形成配线宽度低于0.05mm的非常细的线圈配线部11a,另外,在配线宽度超过1mm的粗的线圈配线部11a中,几乎不产生起因于其两端、即外周端11a1和内周端11a2的电阻差的线圈末端部的膜厚差的问题。
平面线圈图案11的剖面结构由基底树脂层L0、在基底树脂层L0上通过无电解电镀形成的基底导体层L1、和在基底导体层L1上通过电解电镀形成的配线导体层L2构成。基底树脂层L0及基底导体层L1构成相对于配线导体层L2的多层结构的基底层LB。另外,基底导体层L1及配线导体层L2构成作为构成平面线圈图案11的导体图案的导体层LL。
基底树脂层L0优选由包含选自Pd、Cu、Ni、Ag、Pt及Au中的至少一种金属的树脂(导电性高分子)构成。通过设置基底树脂层L0,可以在基材10上形成导体层LL。
基底导体层L1优选由选自Cu、Ag及Au中的至少一种金属构成。通过设置基底导体层L1,可以在基材10上通过电解电镀形成配线导体层L2。基底导体层L1的厚度优选为0.05~2μm。
配线导体层L2为比基底导体层L1厚的层,优选由选自Cu、Ag及Au中的至少一种金属构成。通过设置配线导体层L2,可以在基材10上形成充分厚度的导体层LL。
导体层LL的厚度没有特别限定,优选为50μm以下,特别优选为38μm以下。这是因为,构成平面线圈图案11的导体层LL的厚度越增加,电解电镀中的处理时间越增加,生产率越低。另一方面,导体层LL的厚度优选为1μm以上。这是因为,如导体层LL的厚度变薄,则即使仅均匀析出性优异的无电解电镀,也具有充分的生产率,通过电解电镀形成导体层LL的意义低。
图2是说明平面线圈的制造方法的流程图。另外,图3~图5是用于说明平面线圈的制造工序的图,(a)是俯视图,(b)是沿着(a)的Y-Y线的剖视图。
如图2及图3(a)及(b)所示,在平面线圈1的制造中,首先,在基材10上形成基底树脂层L0(图2:步骤S1)。基底树脂层L0发挥作为促进利用无电解电镀的基底导体层L1的形成的催化剂的作用。基底树脂层L0优选通过印刷形成,例如可以利用丝网印刷或喷墨法形成。这样,形成有基底树脂层L0的基材10构成相对于平面线圈1作为第一中间体的配线部件5A。本实施方式的平面线圈1的制造方法可以预先准备这种平面线圈制造用配线部件5A而开始其制造。
如图3(a)所示,基底树脂层L0的平面形状具有:构成平面线圈图案11的螺旋状的线圈配线部11a,分别设置于线圈配线部11a的两端的焊盘11b、11c,连接于线圈配线部11a的中途(第一连接位置)的供电配线部11d,将线圈配线部11a的内周端11a2(第二连接位置)和与内周端11a2相比更靠外周端11a1侧的连接位置(第三连接位置)进行短路的连接配线部11e。
供电配线部11d为连接于线圈配线部11a的外周端11a1侧的配线图案,为了在电解电镀时从外部电源供电至线圈配线部11a而设置。供电配线部11d的连接位置(第一连接位置)P1优选连接于线圈配线部11a的最外周匝的中途,特别优选连接于最外周匝的尽可能内周端11a2侧。由此,从线圈配线部11a与供电配线部11d的连接点(供电点)至内周端11a2的配线长和从供电点至外周端11a1的配线长之差缩小,两端的电阻差减少,因此,可以得到两端的膜厚差小的线圈配线部11a。但是,使供电配线部11d的连接位置P1太过于接近内周端11a2侧时,供电配线部11d和线圈配线部11a的外周端11a1的距离过近而供电配线部11d的形成及后述的供电配线部11d的除去变得困难,因此,在两者之间需要适当的间隔。
为了缩小供电配线部11d的配线电阻的影响,其宽度优选为线圈配线部11a的宽度以上,特别优选比线圈配线部11a的宽度大。供电配线部11d的根数没有特别限定,可以连接任意的根数的供电配线部11d。但是,为了得到平面线圈1,需要最终除去供电配线部11d,使供电配线部11d的根数过于增加,导致制造成本的增加,因此不优选。
连接配线部11e为将线圈配线部11a的内周端11a2(第二连接位置P2)和与该内周端11a2相比更靠外周端11a1侧的任意的位置(第三连接位置P3)进行短路的配线图案,为了尽可能缩短从供电点至内周端11a2的距离(配线长)而设置。本实施方式中,连接配线部11e通过内周端11a2,而连接于在从外周端11a1向内周端11a2的卷绕方向笔直地延伸并与最内周匝交叉的位置。这样,通过设置连接配线部11e尽可能地缩短从线圈配线部11a的供电点至内周端11a2的配线长,可以消除起因于电阻的内周端11a2的导体层LL的膜厚不足。
接着,如图4(a)及(b)所示,在基底树脂层L0上通过无电解电镀形成基底导体层L1(图2:步骤S2)。无电解电镀的具体的方法没有特别限定,可以利用各种方法进行。基底导体层L1的厚度优选为0.01~1μm,特别优选为0.05~0.5μm。基底导体层L1优选由选自Cu、Ag及Au中的至少一种金属构成。这样,依次形成了基底树脂层L0及基底导体层L1的基材10构成相对于平面线圈1作为第二中间体的配线部件5B。本实施方式的平面线圈1的制造方法也可以预先准备这种平面线圈制造用配线部件5B而开始其制造。
如图4(b)所示,基底导体层L1并不仅形成于基底树脂层L0的上表面。即,实际上不仅在基底树脂层L0的上表面,而且在侧面也薄薄地形成基底导体层L1。即,通过无电解电镀,基底树脂层L0的露出面整体被基底导体层L1包覆。
接着,如图5(a)及(b)所示,进行针对配线部件5B的电解电镀处理,在基底导体层L1上形成配线导体层L2(图2:步骤S3)。如图6所示,在电解电镀工序中,在将外部电源50连接于供电配线部11d的状态下,将配线部件5B浸渍于电镀槽51内的电镀液52中,经由供电配线部11d而对线圈配线部11a施加电压。此外,电解电镀的具体的方法没有特别限定,可以利用各种方法进行。这样,依次形成有基底树脂层L0、基底导体层L1及配线导体层L2的基材10构成相对于平面线圈1作为第三中间体的配线部件5C。
如图5(b)所示,配线导体L2并不仅形成于基底导体层L1的上表面。即,实际上不仅在基底导体层L1的上表面,而且在侧面也薄薄地形成配线导体层L2。即,通过电解电镀,基底导体层L1的露出面整体被配线导体层L2覆盖。
在不设置连接配线部11e的现有的方法中,在形成配线导体层L2的电解电镀中,线圈配线部11a的两端的电阻差大,因此,存在线圈配线部11a的两端的膜厚差变大的问题。但是,在本实施方式中,可以通过设置连接配线部11e及供电配线部11d而缩小线圈配线部11a的两端的电阻差,因此,可以缩小外周端11a1与内周端11a2的膜厚差。
最后,如图7所示,除去配线部件5C中的供电配线部11d及连接配线部11e(图2:步骤S4)。除去方法没有特别限定,可以为冲裁或切割等物理的手段,也可以为蚀刻等化学的手段。在基材10为树脂膜的情况下,通过冲裁或切割将供电配线部11d及连接配线部11e与基材10同时物理地除去是容易的。在仍旧残留基材10而除去供电配线部11d及连接配线部11e的情况下,可以通过使用蚀刻而除去构成供电配线部11d及连接配线部11e的导体层LL(基底导体层L1及配线导体层L2)。此时,可以在基材10上残留基底树脂层L0,也可以使用溶剂等除去。通过以上操作,完成图1所示的平面线圈1。
图8(a)~(f)是表示平面线圈图案11的变形例的俯视图。
图8(a)所示的平面线圈图案11在线圈配线部11a的内周端11a2设定连接配线部11e的一端的连接位置(第二连接位置)P2,同时,连接配线部11e的另一端的连接位置(第三连接位置)P3从线圈配线部11a的内周端11a2通过环的中央部而设定于其相反侧的线圈配线部11a的最内周匝的中途。即,连接配线部11e沿与通过内周端11a2的卷绕方向正交的方向行进并连接于与最内周匝交叉的位置。
就图8(b)所示的平面线圈图案11而言,连接配线部11e的一端的连接位置(第二连接位置)P2设定于线圈配线部11a的内周端11a2,同时,连接配线部11e的另一端的连接位置(第三连接位置)P3从线圈配线部11a的内周端11a2向环的外侧延伸而设定于线圈配线部11a的最内周匝的始端位置。即,连接配线部11e以将螺旋图案的邻接匝间短路的方式设置。据此,与图8(a)的情况相比,可以将线圈配线部11a的内周端11a2短路连接于离供电点更近的位置,可以进一步缩小两端的膜厚差,但与图8(a)的情况相比,连接配线部11e的除去更困难。
就图8(c)所示的平面线圈图案11而言,连接配线部11e的一端的连接位置(第二连接位置)P2设定于比线圈配线部11a的内周端11a2更靠外周端11a1侧,连接配线部11e的另一端的连接位置(第三连接位置)P3与通过线圈配线部的内周端11a2的卷绕方向平行地延伸,并设定于最内周匝的中途。这样,连接配线部11e的一端及另一端可以设定在线圈配线部11a的最内周匝的任意的位置。
图8(d)所示的平面线圈图案11与图3相比,供电配线部11d的连接位置(第一连接位置)P1被设定于线圈配线部11a的更靠外周端11a1侧。另外,图8(e)所示的平面线圈图案11与图3相比,供电配线部11d的配线宽度更窄且由与线圈配线部11a相同的粗度的配线构成。进而,图8(f)所示的平面线圈图案11与图3相比,连接配线部11e的配线宽度更宽且由比线圈配线部11a更粗的配线构成。这样,在供电配线部11d及连接配线部11e中可以采用各种图案布局及配线宽度。
如以上说明,本实施方式的配线部件5B具备基材10和形成于基材10上的平面线圈图案11;平面线圈图案11包含:线圈配线部11a,将线圈配线部11a的第一连接位置和外部电源进行连接的供电配线部11d,以及将与第一连接位置相比更靠另一端侧的线圈配线部的第二连接位置和与第二连接位置相比更靠一端侧的线圈配线部的第三连接位置进行短路的连接配线部11e;平面线圈图案11的剖面结构具有:形成于基材10上的基底树脂层L0和形成于基底树脂层L0上的导体层(基底导体层L1);因为连接配线部11e减小线圈配线部11a的两端的电阻差,因此,可以在电解电镀时缩小平面线圈图案11的两端的膜厚差,可以谋求平面线圈1的品质的提高。另外,平面线圈图案11的剖面结构具有形成于基材10上的基底树脂层L0和形成于基底树脂层L0上的基底导体层L1,因此,可以通过电解电镀形成配线导体层L2,可以不使用蚀刻用抗蚀涂层而容易地形成平面线圈图案11。
另外,本实施方式的配线部件5B因为将供电配线部11d连接于比线圈配线部11a的外周端11a1更靠内周端11a2侧,因此,在电解电镀时供电配线部11d可以进一步减小线圈配线部11a的两端的电阻差。因此,可以缩小平面线圈的两端的膜厚差,可以谋求平面线圈的品质的提高。
另外,就本实施方式的平面线圈的制造方法而言,通过电解电镀将供电配线部11d及连接配线部11e与线圈配线部11a一同形成之后,除去供电配线部11d及连接配线部11e,因此,可以缩小平面线圈图案的两端的膜厚差,可以谋求平面线圈的电特性的提高。
以上,对本发明的优选的实施方式进行了说明,但本发明并不限定于上述的实施方式,可以在不脱离本发明的宗旨的范围内进行各种变更,不用说这些也包含在本发明的范围内。
例如,在上述实施方式中,举例的情况为:通过印刷形成含有用于无电解电镀的催化剂的基底树脂层L0之后,通过无电解电镀形成基底导体层L1,并通过电解电镀形成配线导体层L2,但本发明并不限定于这种制造方法,例如也可以适用于现有的方法,即通过使用了蚀刻用抗蚀涂层的金属层的蚀刻形成所期望的线圈图案之后,将金属层进行电解电镀。
【实施例】
使用配线部件5A分别制作具有图9(a)~(c)所示的配线图案的比较例1~4及实施例1~5的平面线圈1,对这些制作的平面线圈1的配线电阻及膜厚分布进行评价试验。
如图9(a)所示,比较例1的配线部件5A具有螺旋状的线圈配线部11a和连接于线圈配线部11a的外周端11a1(即离外周端11a1 0mm的位置)的供电配线部11d,但没有设置连接配线部11e。供电配线部11d经由形成于基材10上的主配线30与外部电源连接。构成这些配线图案的基底树脂层L0通过将含有作为催化剂的Pd的树脂在PET膜上进行丝网印刷而形成。线圈配线部11a的形状与全部的配线部件5A共通,线圈配线部11a的匝数为3匝,从外周端11a1至内周端11a2的配线全长为450mm,配线宽度为0.5mm。另外,最大环尺寸(纵宽度Wy×横宽度Wx)为:50mm×50mm。
如图9(b)所示,比较例2~4的配线部件5A具有螺旋状的线圈配线部11a和连接于最外周匝的终端位置附近(离外周端11a1 140mm的位置P1)而非线圈配线部11a的外周端11a1的供电配线部11d,但没有设置连接配线部11e。比较例2的配线宽度为0.5mm,但比较例3的配线宽度为0.2mm,比较例4的配线宽度为1mm。其它的构成与图9(a)相同。
如图9(c)所示,实施例1~5的配线部件5A具有:螺旋状的线圈配线部11a,连接于线圈配线部11a的最外周匝的终端位置附近(离外周端11a1 140mm的位置P1)的供电配线部11d,以及将线圈配线部11a的内周端11a2和与其相比更靠外周端11a1侧的位置进行短路连接的连接配线部11e。就连接配线部11e的一端的连接位置P2而言,实施例1~5均为内周端11a2,就连接配线部11e的另一端的连接位置P3而言,在实施例1、3、4、5中为离外周端11a1310mm的位置,在实施例2中为离外周端11a1 250mm的位置。进而,实施例1、2的配线宽度为0.5mm,实施例3的配线宽度为1mm,实施例4的配线宽度为0.2mm,实施例5的配线宽度为0.1mm。其它的结构为与图9(a)相同。
接着,对这些比较例1~4及实施例1~5的配线部件5A进行无电解铜镀,在基底树脂层L0上形成由厚度约1.5μm的Cu膜构成的基底导体层L1,由此,得到作为平面线圈1的前体的配线部件5B。此外,在基底导体层L1的膜厚测定中,使用荧光X射线式膜厚计(日立高科技科学制FT9300)。其后,分别利用四端子法测定从这些比较例1~4及实施例1~5的平面线圈1的供电点至外周端11a1的配线电阻R1及从供电点至内周端11a2的配线电阻R2,求出电阻比R2/R1。
接着,以4A/dm2的电流密度进行30分钟的电解电镀,在基底导体层L1上形成由Cu膜构成的配线导体层L2,由此得到作为平面线圈1的前体的配线部件5C。进而,通过冲裁除去供电配线部11d及连接配线部11e,完成比较例1~4及实施例1~5的平面线圈1。其后,分别测定这些平面线圈1的内周端11a2及外周端11a1的导体层LL的膜厚,求出膜厚比T2/T1。在膜厚的测定中使用电阻式膜厚计(Fischer Instruments制RMP30-S)。另外,同时使导体层LL的剖面露出,也进行利用SEM(岛津制作所制SS-550)的膜厚的观察评价。将其结果示于图10的表。
由图10可知:在比较例1的平面线圈1中,供电配线部11d被直接连接于外周端11a1,因此,从供电点至外周端11a1的配线电阻R1几乎成为零,与此相对,从供电点至内周端11a2的配线电阻大至R2=10.1Ω,因此,外周端11a1侧的配线电阻R1和内周端11a2侧的配线电阻R2之比非常大为R2/R1=1010。另外,线圈配线部11a的外周端11a1的膜厚非常厚为T1=47μm,与此相对,内周端11a2的膜厚非常薄为T2=26.3μm,因此,线圈配线部11a的两端的膜厚比变大到T2/T1=1.79。
在比较例2的平面线圈1中,通过将供电配线部11d设置在中途而非线圈配线部11a的外周端11a1,由此,外周端11a1侧的配线电阻R1和内周端11a2侧的配线电阻R2之比缩小至R2/R1=2.08,线圈配线部11a的两端的膜厚比变小至T2/T1=1.40。
在比较例3的平面线圈1中,通过与比较例2相比配线宽度变窄,从而配线电阻分别变大到R1=7.85,R2=17.4,电阻比R2/R1=2.22。另外,两端的膜厚比T2/T1=1.45,与比较例2相比稍微变大。在比较例4的平面线圈1中,配线宽度与比较例2相比增宽,配线电阻分别变小至R1=1.57,R2=5.2,电阻比R2/R1=3.31。另外,两端的膜厚比T2/T1=1.23,与比较例2相比稍微变小。
在实施例1的平面线圈1中,通过设置连接配线部11e,从供电点至内周端11a2的配线电阻R2变小至3.98Ω,电阻比R2/R1=1.26。另外,线圈配线部11a的外周端11a1的膜厚T1=37.8μm,内周端11a2的膜厚T2=32.2μm,两端的膜厚比T2/T1=1.17,与比较例1~4相比,为更小的膜厚比。如果膜厚比T2/T1在0.8~1.2的范围内,则可以说膜厚比良好。
在实施例2的平面线圈1中,通过将连接配线部11e的另一端的连接位置从实施例1的310mm变更为250mm的位置,内周端11a2侧的配线电阻R2进一步缩小,由此电阻比进一步缩小至R2/R1=0.84。另外,两端的膜厚比T2/T1=0.90,与实施例1相比,为更小的膜厚比。
在实施例3的平面线圈1中,通过将配线宽度从实施例1的0.5mm变更为1mm,从而配线电阻分别变小至R1=1.57Ω,R2=1.99Ω,电阻比R2/R1=1.27。另外,两端的膜厚比T2/T1=1.15,与实施例1同样地,为良好的膜厚比。
在实施例4的平面线圈1中,通过将配线宽度从实施例1的0.5mm变更为0.2mm,配线电阻分别变大到R1=7.84Ω,R2=9.97Ω,电阻比R2/R1=1.27。另外,两端的膜厚比T2/T1=1.18,与实施例1同样地,为良好的膜厚比。
在实施例5的平面线圈1中,通过将配线宽度进一步变小至0.1mm,从而配线电阻分别变大到R1=15.7Ω,R2=19.9Ω,电阻比R2/R1=1.27。另外,两端的膜厚比T2/T1=1.18,与实施例1同样地,为良好的膜厚比。
Claims (9)
1.一种配线部件,其特征在于,
具备:
基材,和
形成于所述基材上的平面线圈图案,
所述平面线圈图案包含:
具有一端及另一端的线圈配线部,
设置于所述线圈配线部的第一连接位置的供电配线部,以及
将所述线圈配线部的第二连接位置和所述线圈配线部的第三连接位置进行短路的连接配线部,其中,所述线圈配线部的第二连接位置与所述第一连接位置相比更靠所述另一端侧,所述线圈配线部的第三连接位置与所述第二连接位置相比更靠所述一端侧,
所述平面线圈图案的剖面结构具有形成于所述基材上的基底树脂层和形成于所述基底树脂层上的导体层。
2.根据权利要求1所述的配线部件,其中,
所述线圈配线部含有螺旋图案,
所述线圈配线部的一端及另一端分别为所述螺旋图案的外周端及内周端。
3.根据权利要求2所述的配线部件,其中,
所述第二连接位置为所述螺旋图案的所述内周端。
4.根据权利要求2所述的配线部件,其中,
所述第三连接位置位于所述螺旋图案的最内周匝的范围内,且位于通过所述内周端而从所述外周端向所述内周端的卷绕方向的延长线上。
5.根据权利要求2所述的配线部件,其中,
所述第一连接位置位于所述螺旋图案的最外周匝的范围内,且与所述外周端相比更靠所述内周端侧。
6.根据权利要求1所述的配线部件,其中,
所述基材为树脂膜。
7.根据权利要求1所述的配线部件,其中,
所述基底树脂层由包含选自Pd、Cu、Ni、Ag、Pt及Au中的至少一种金属的树脂构成。
8.根据权利要求1~7中任一项所述的配线部件,其中,
所述导体层具有:在所述基底树脂层上通过无电解电镀形成的基底导体层,和在所述基底导体层上通过电解电镀形成的比所述基底导体层更厚的配线导体层。
9.根据权利要求8所述的配线部件,其中,
所述基底导体层及所述配线导体层分别由选自Cu、Ag及Au中的至少一种金属构成。
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