CN108155115A - 基板液处理装置和基板液处理方法 - Google Patents

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Abstract

提供一种减少对基板的处理的不均的基板液处理装置和基板液处理方法。实施方式所涉及的基板液处理装置具备载置部、液处理部、搬送部以及旋转部。载置部载置从外部搬入的基板。液处理部通过使基板以基板的板面与水平方向正交的姿势浸在处理液中来对基板进行处理。搬送部在载置部与液处理部之间搬送基板。旋转部使利用液处理部进行了第一处理的基板以与基板的板面垂直的轴为中心进行旋转，使基板旋转为与进行第一处理时的朝向不同的朝向。另外，搬送部将利用液处理部进行了第一处理的基板从液处理部搬送到旋转部，将通过旋转部来进行了旋转的基板从旋转部搬送到液处理部。另外，液处理使通过旋转部来进行了旋转的基板浸在处理液中来进行第二处理。

Description

基板液处理装置和基板液处理方法
技术领域
公开的实施方式涉及一种基板液处理装置和基板液处理方法。
背景技术
以往，已知一种通过使基板浸在贮存有处理液的处理槽中来对基板进行处理的基板液处理装置(例如参照专利文献1)。
在上述基板液处理装置中，通过使基板以基板的板面与水平方向正交的姿势(以下称作垂直姿势。)进行升降来对基板进行蚀刻处理。
专利文献1：日本特开2015-56631号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而，在上述基板液处理装置中，在从处理槽取出基板时，附着于基板的处理液由于重力而向下方流动，因此存在有在基板的上下方向上发生处理不均的风险。
实施方式的一个方式的目的在于减少对基板的处理的不均。
用于解决问题的方案
实施方式的一个方式所涉及的基板液处理装置具备载置部、液处理部、搬送部和旋转部。载置部载置从外部搬入的基板。液处理部通过使基板以基板的板面与水平方向正交的姿势浸在处理液中来对基板进行处理。搬送部在载置部与液处理部之间搬送基板。旋转部使利用液处理部进行了第一处理的基板以与基板的板面垂直的轴为中心进行旋转，使基板旋转为与进行第一处理时的朝向不同的朝向。另外，搬送部将利用液处理部进行了第一处理的基板从液处理部搬送到旋转部，将通过旋转部来进行了旋转的基板从旋转部搬送到液处理部。另外，液处理部使通过旋转部来进行了旋转的基板浸在处理液中，由此进行第二处理。
发明的效果
根据实施方式的一个方式，能够减少对基板的处理的不均。
附图说明
图1是基板液处理装置的概要俯视图。
图2是说明蚀刻处理装置的结构的概要框图。
图3是处理槽(内槽)的概要俯视图。
图4是基板旋转部的概要侧视图。
图5是说明基板液处理装置的处理工序的流程图。
图6是说明通过基板旋转部使多张基板进行的旋转的概要图。
图7是变形例的基板液处理装置的概要俯视图。
图8是表示变形例的基板液处理装置的一部分的概要侧视图。
图9是表示变形例的基板旋转部的一部分的剖切立体图。
图10是变形例的基板旋转部的概要侧视图。
图11是变形例的基板旋转部的概要俯视图。
附图标记说明
1：基板液处理装置；3：基板组形成部；4：基板组载置部；5：基板组搬送部(搬送部)；6：基板组处理部；7：基板旋转部；8：基板；14：承载件载置台(载置部)；15：基板搬送机构(搬送部)；23：蚀刻处理装置；26：干燥处理装置(干燥部)；27：处理槽(液处理槽)；39：液处理部；49：处理液供给喷嘴(喷出部)；49a：喷出口；60：壳体；61：支承部；61a：载置面；62：开口部；63：突出部；63a：内周壁。
具体实施方式
下面，参照附图来详细地说明本申请所公开的基板液处理装置和基板液处理方法的实施方式。此外，本发明不限定于以下所示的实施方式。
如图1所示，基板液处理装置1具有承载件搬入搬出部2、基板组形成部3、基板组载置部4、基板组搬送部5、基板组处理部6、基板旋转部7以及控制部100。图1是基板液处理装置1的概要俯视图。
基板液处理装置1能够将一个处理分为多次来实施。在此，说明将一个处理分为两次处理来实施的例子，但不限于此。此外，关于处理，有时将第一次处理设为第一处理、将第二次处理设为第二处理来加以区别地进行说明。另外，将与水平方向正交的方向设为上下方向来进行说明。
承载件搬入搬出部2进行承载件9的搬入和搬出，该承载件9将多张(例如25张)基板(硅晶圆)8以水平姿势上下排列地进行收纳。
在承载件搬入搬出部2设置有用于载置多个承载件9的承载件台10、进行承载件9的搬送的承载件搬送机构11、暂时保管承载件9的承载件存储部12、13以及用于载置承载件9的承载件载置台14。
承载件搬入搬出部2使用承载件搬送机构11将从外部搬入到承载件台10的承载件9搬送到承载件存储部12、承载件载置台14。即，承载件搬入搬出部2将收纳由基板组处理部6进行处理之前的多张基板8的承载件9搬送到承载件存储部12、承载件载置台14。
承载件存储部12暂时保管收纳由基板组处理部6进行处理之前的多张基板8的承载件9。
利用后述的基板搬送机构15从被搬送到承载件载置台14且收纳由基板组处理部6进行处理之前的多张基板8的承载件9搬出多张基板8。
另外，从基板搬送机构15向载置于承载件载置台14且未收纳基板8的承载件9搬入由基板组处理部6进行了处理的多张基板8(第二处理后的多张基板8)。
承载件搬入搬出部2使用承载件搬送机构11将载置于承载件载置台14且收纳由基板组处理部6进行了处理的多张基板8的承载件9搬送到承载件存储部13、承载件台10。
承载件存储部13暂时保管收纳由基板组处理部6进行了处理的多张基板8的承载件9。
被搬送到承载件台10的承载件9被搬出到外部。
在基板组形成部3设置有用于搬送多张(例如25张)基板8的基板搬送机构15。基板组形成部3进行两次基板搬送机构15对多张(例如25张)基板8的搬送，形成包括多张(例如50张)基板8的基板组。基板搬送机构15构成搬送部。
基板组形成部3使用基板搬送机构15从载置于承载件载置台14的承载件9向基板组载置部4搬送多张基板8(第一处理前的多张基板8)，将多张基板8载置于基板组载置部4，由此形成基板组。
另外，基板组形成部3使用基板搬送机构15从基板旋转部7向基板组载置部4搬送多张基板8(第二处理前的多张基板8)，将多张基板8载置于基板组载置部4，由此形成基板组。
此外，将收纳于承载件9的多张基板8组合而成的基板组中的基板8的朝向与将从基板旋转部7搬送来的多张基板8组合而成的基板组中的基板8的朝向以与基板8的板面垂直的轴为中心相差180度。
利用基板组处理部6对形成基板组的多张基板8同时进行处理。
在形成基板组时，既可以是以多张基板8的在表面形成有图案的面彼此相向的方式形成基板组，另外，也可以是以多张基板8的在表面形成有图案的面均朝向一个方向的方式形成基板组。
另外，基板组形成部3使用基板搬送机构15从被进行了第一处理且被载置于基板组载置部4的基板组向基板旋转部7搬送多张基板8。
基板组形成部3使用基板搬送机构15从被进行了第二处理且被载置于基板组载置部4的基板组向承载件9搬送多张基板8。
基板搬送机构15作为用于支承多张基板8的基板支承部，具有支承第一处理前的多张基板8(从承载件9搬送来的多张基板8)的处理前基板支承部和支承处理(第一处理或第二处理)后的多张基板8的处理后基板支承部这两种基板支承部。由此，能够防止附着于第一处理前的多张基板8等的微粒等转附于处理后的多张基板8等。
基板搬送机构15在多张基板8的搬送中途将多张基板8的姿势从水平姿势变更为垂直姿势或者从垂直姿势变更为水平姿势。
基板组载置部4利用基板组载置台16暂时载置(待机)由基板组搬送部5在基板组形成部3与基板组处理部6之间搬送的基板组。
在基板组载置部4设置有搬入侧基板组载置台17和搬出侧基板组载置台18。
在搬入侧基板组载置台17载置第一处理前的基板组和第二处理前的基板组。即，在搬入侧基板组载置台17载置由利用基板搬送机构15从承载件9搬送来的多张基板8形成的基板组和由利用基板搬送机构15从基板旋转部7搬送来的多张基板8形成的基板组。
在搬出侧基板组载置台18载置第一处理后的基板组和第二处理后的基板组。即，在搬出侧基板组载置台18载置由利用后述的基板组搬送机构19搬送来的多张基板8形成的基板组。
一个基板组的多张基板8以垂直姿势前后排列地载置于搬入侧基板组载置台17和搬出侧基板组载置台18。
基板组搬送部5在基板组载置部4与基板组处理部6之间、基板组处理部6的内部间进行基板组的搬送。
在基板组搬送部5设置有进行基板组的搬送的基板组搬送机构19。基板组搬送机构19具有沿着基板组载置部4和基板组处理部6配置的轨道20、以及一边保持基板组一边沿着轨道20移动的移动体21。基板组搬送部5构成搬送部。
在移动体21设置有用于保持由以垂直姿势前后排列的多张基板8形成的基板组的基板保持体22。
基板组搬送部5利用基板组搬送机构19的基板保持体22来接受载置于搬入侧基板组载置台17的基板组，将所接受的基板组交接到基板组处理部6。
另外，基板组搬送部5利用基板组搬送机构19的基板保持体22来接受由基板组处理部6进行了处理的基板组，将所接受的基板组交接到搬出侧基板组载置台18。
并且，基板组搬送部5使用基板组搬送机构19在基板组处理部6的内部进行基板组的搬送。
基板组处理部6对由以垂直姿势前后排列的多张基板8形成的基板组进行蚀刻、清洗、干燥等处理。基板组处理部6将处理分为第一处理和第二处理这两次处理来进行。
在基板组处理部6并列地设置有对基板组进行蚀刻处理的两台蚀刻处理装置23、进行基板组的清洗处理的清洗处理装置24、进行基板保持体22的清洗处理的基板保持体清洗处理装置25、以及进行基板组的干燥处理的干燥处理装置26。
蚀刻处理装置23具有蚀刻用的处理槽27、冲洗用的处理槽28、以及基板升降机构29、30。
在蚀刻用的处理槽27中贮存蚀刻用的处理液(磷酸水溶液)。在冲洗用的处理槽28中贮存冲洗用的处理液(纯水等)。
形成基板组的多张基板8以垂直姿势前后排列地保持于基板升降机构29、30。
蚀刻处理装置23利用基板升降机构29从基板组搬送机构19的基板保持体22接受基板组，利用基板升降机构29使所接受的基板组下降，由此使基板组浸在处理槽27的蚀刻用的处理液中来进行蚀刻处理。
之后，蚀刻处理装置23通过使基板升降机构29上升来将基板组从处理槽27取出，将基板组从基板升降机构29交接到基板组搬送机构19的基板保持体22。
然后，利用基板升降机构30从基板组搬送机构19的基板保持体22接受基板组，利用基板升降机构30使所接受的基板组下降，由此使基板组浸在处理槽28的冲洗用的处理液中来进行冲洗处理。
之后，蚀刻处理装置23通过使基板升降机构30上升来将基板组从处理槽28取出，将基板组从基板升降机构30交接到基板组搬送机构19的基板保持体22。
在此，使用图2来详细地说明蚀刻处理装置23。图2是说明蚀刻处理装置23的结构的概要框图。
蚀刻处理装置23具有处理槽27、磷酸水溶液供给部40、纯水供给部41、硅供给部42以及磷酸水溶液排出部43。
在处理槽27中，将规定浓度的药剂(磷酸)的水溶液(磷酸水溶液)用作处理液(蚀刻液)来对基板组(多张基板8)进行液处理(蚀刻处理)。
处理槽27具有上部敞开的内槽27A和设置于内槽27A的上部周围并且上部敞开的外槽27B。从内槽27A溢出的磷酸水溶液流入到外槽27B。
外槽27B的底部与循环线50的一端连接。循环线50的另一端与设置在内槽27A内的处理液供给喷嘴49连接。在循环线50上，从上游侧起依次设置有泵51、加热器52以及过滤器53。通过驱动泵51，形成磷酸水溶液的从外槽27B经由循环线50和处理液供给喷嘴49被输送到内槽27A内后再向外槽27B流出的循环流。
由处理槽27、循环线50以及循环线50内的设备(51、52、53等)形成液处理部39。另外，由处理槽27和循环线50构成循环系统。
利用基板升降机构29将基板组浸在处理槽27中。基板升降机构29能够将多张基板8保持为以垂直姿势在水平方向上隔开间隔地排列的状态，另外，能够使多张基板8以该状态进行升降。
如图3所示，处理液供给喷嘴49构成为在沿多张基板8的排列方向延伸的筒状体的周面形成多个喷出口49a。图3是处理槽27(内槽27A)的概要俯视图。
处理液供给喷嘴49设置于处理槽27的底部侧，从多个喷出口49a朝向被基板升降机构29保持的基板组喷出处理液。由此，在处理槽27中产生磷酸水溶液从处理槽27的下方朝向上方流动的上升流。在处理槽27中，从多个喷出口49a喷出的处理液沿着基板8的板面流动。因此，在各基板8的下方侧流动的处理液的流速比在各基板8的上方侧流动的处理液的流速大。
磷酸水溶液供给部40向包括处理槽27和循环线50的循环系统内、即液处理部39内的任意的部位供给规定浓度的磷酸水溶液，如图示的那样，优选该部位为外槽27B。
磷酸水溶液供给部40具有包括贮存磷酸水溶液的容器的磷酸水溶液供给源40A、将磷酸水溶液供给源40A与外槽27B连接的磷酸水溶液供给线40B、在磷酸水溶液供给线40B上从上游侧起依次插入设置的流量计40C、流量控制阀40D以及开闭阀40E。磷酸水溶液供给部40能够借助流量计40C和流量控制阀40D来将磷酸水溶液以被控制后的流量供给到外槽27B。
纯水供给部41向液处理部39供给纯水，以补给由于对磷酸水溶液进行加热而蒸发的水分。纯水供给部41包括供给规定温度的纯水的纯水供给源41A。纯水供给源41A经由流量调节器41B来与外槽27B连接。流量调节器41B包括开闭阀、流量控制阀、流量计等。
硅供给部42向液处理部39供给硅溶液。硅供给部42具有硅供给源42A和流量调节器42B，该硅供给源42A包括贮存硅溶液、例如其中分散有胶体硅的液体的容器。流量调节器42B能够包括开闭阀、流量控制阀、流量计等。
磷酸水溶液排出部43将处于包括处理槽27和循环线50的循环系统内、即液处理部39内的磷酸水溶液排出。磷酸水溶液排出部43具有从循环线50分支出的排出线43A、在排出线43A上从上游侧起依次设置的流量计43B、流量控制阀43C、开闭阀43D以及冷却容器43E。磷酸水溶液排出部43借助流量计43B和流量控制阀43C将磷酸水溶液以被控制后的流量排出。
冷却容器43E暂时贮存并冷却流经排出线43A的磷酸水溶液。从冷却容器43E流出的磷酸水溶液(参照附图标记43F)既可以废弃到工厂废液系统(未图示)，也可以在利用再生装置(未图示)将该磷酸水溶液去除所包含的硅后输送到磷酸水溶液供给源40A来进行再利用。
排出线43A连接于循环线50(在图中为过滤器排放的位置)，但不限于此，也可以连接于循环系统内的其它部位、例如内槽27A的底部。
在排出线43A上设置有测量磷酸水溶液中的硅浓度的硅浓度计43G。另外，在从循环线50分支出且连接于外槽27B的分支线55A上设置有测量磷酸水溶液中的磷酸浓度的磷酸浓度计55B。在外槽27B设置有检测外槽27B内的液位的液位计44。
返回图1，清洗处理装置24具有清洗用的处理槽31、冲洗用的处理槽32以及基板升降机构33、34。
在清洗用的处理槽31中贮存清洗用的处理液(SC-1等)。在冲洗用的处理槽32中贮存冲洗用的处理液(纯水等)。
一个基板组的多张基板8以垂直姿势前后排列地保持于基板升降机构33、34。
清洗处理装置24是与上述的蚀刻处理装置23相同的结构，省略此处的详细说明。在清洗处理装置24的清洗用的处理槽31中，与蚀刻处理装置23的蚀刻用的处理槽27同样地产生处理液从处理槽31的下方朝向上方流动的上升流。
干燥处理装置26具有处理槽35和相对于处理槽35进行升降的基板升降机构36。
向处理槽35供给干燥用的处理气体(IPA(异丙醇)等)。一个基板组的多张基板8以垂直姿势前后排列地保持于基板升降机构36。
干燥处理装置26利用基板升降机构36从基板组搬送机构19的基板保持体22接受基板组，利用基板升降机构36使所接受的基板组下降来将其搬入到处理槽35中，利用供给到处理槽35中的干燥用的处理气体来进行基板组的干燥处理。然后，干燥处理装置26利用基板升降机构36使基板组上升，从基板升降机构36向基板组搬送机构19的基板保持体22交接进行了干燥处理的基板组。
基板保持体清洗处理装置25具有处理槽37，能够向处理槽37供给清洗用的处理液和干燥气体，通过在向基板组搬送机构19的基板保持体22供给清洗用的处理液之后供给干燥气体，来进行基板保持体22的清洗处理。
基板旋转部7配置在基板组形成部3内。如图4所示，基板旋转部7具有壳体60和支承部61。图4是基板旋转部7的概要侧视图。将基板旋转部7配置在基板组形成部3内，例如配置在以往的基板液处理装置的基板组形成部内的空闲空间。由此，能够不使基板液处理装置1大型化，来设置基板旋转部7。
壳体60具有上表面部60a、下表面部60b以及侧面部60c。壳体60具有彼此相向的一对侧面部60c。即，壳体60形成为在一对侧面具有开口部62的方筒状。壳体60收纳多张基板8(例如25张)。
支承部61设置于各侧面部60c的内壁。在壳体60中，利用设置于各侧面部60c且彼此相向的一对支承部61来支承基板8的下表面。一对支承部61设置为在上下方向上位于相同位置。为了收纳由基板搬送机构15搬入的多张基板8，设置有多对(例如25对)支承部61。成对的支承部61以在上下方向上等间隔地排列的方式配置。
支承部61设置为：在利用基板搬送机构15向壳体60搬入多张基板8以及从壳体60搬出多张基板8时，该支承部61与基板搬送机构15不接触。
基板旋转部7利用支承部61将多张基板8以水平姿势保持、收纳。基板旋转部7通过电动机、编码器等驱动部(未图示)来以与基板8的板面垂直的轴、即上下方向的轴为中心进行旋转。基板旋转部7以规定的低旋转速度进行旋转。规定的低旋转速度是预先设定的旋转速度，是在旋转过程中多张基板8的位置相对于支承部61不发生偏移的旋转速度。
这样，在基板旋转部7中，收纳多张基板8的壳体60旋转，由此多张基板8与壳体60一同旋转。
利用基板搬送机构15从开口部62向基板旋转部7搬入被进行了第一处理的多张基板8，将基板8分别载置于各对支承部61。基板旋转部7以通过各对支承部61分别支承着基板8的状态旋转180度。然后，利用基板搬送机构15将旋转后的多张基板8从与搬入多张基板8的开口部62相反的一侧的开口部62搬出。在基板旋转部7中，开口部62形成为使多张基板8从同一方向被搬入或搬出。
通过利用基板旋转部7使多张基板8旋转，利用基板搬送机构15从基板旋转部7搬出的多张基板8的朝向相对于利用基板搬送机构15搬入到基板旋转部7的多张基板8的朝向相差180度。即，基板旋转部7使多张基板8旋转成与进行第一处理时的朝向相差180度的朝向。
控制部100控制基板液处理装置1的各部(承载件搬入搬出部2、基板组形成部3、基板组载置部4、基板组搬送部5、基板组处理部6、基板旋转部7)的动作。控制部100能够基于来自开关等的信号来控制基板液处理装置1的各部的动作，将一个处理分为多次来实施。此外，控制部100也能够基于来自开关等的信号来控制基板液处理装置1的各部的动作，使一个处理一次性实施。
控制部100例如由计算机构成，具有可由计算机读取的存储介质38。在存储介质38中保存用于控制在基板液处理装置1中执行的各种处理的程序。
控制部100通过读出并执行存储介质38中存储的程序，来控制基板液处理装置1的动作。此外，程序既可以为存储于可由计算机读取的存储介质38中的程序，也可以为从其它存储介质安装到控制部100的存储介质38中的程序。
作为可由计算机读取的存储介质38，例如有硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、光磁盘(MO)、存储卡等。
接着，使用图5的流程图来说明基板液处理装置1中的处理工序。图5是说明基板液处理装置1的处理工序的流程图。
在基板液处理装置1中，利用基板搬送机构15从两个承载件9分别取出多张基板8，利用收纳于各承载件9的多张(例如25张)基板8来形成基板组(例如50张基板)(步骤S1)。
具体地说，基板搬送机构15从载置于承载件载置台14的承载件9取出多张基板8，将取出的多张基板8的姿势从水平姿势变更为垂直姿势，将多张基板8载置于搬入侧基板组载置台17。
然后，基板搬送机构15再次从载置于承载件载置台14的另一承载件9取出多张基板8，将取出的多张基板8载置于搬入侧基板组载置台17。此外，此时，基板搬送机构15再将基板8载置于已经载置好的基板8之间。通过这样，形成基板组。
基板液处理装置1对形成于搬入侧基板组载置台17的基板组进行第一处理的蚀刻(步骤S2)。
具体地说，基板组搬送机构19的基板保持体22接受形成于搬入侧基板组载置台17的基板组，基板组搬送机构19的移动体21将所接受的基板组搬送到蚀刻处理装置23的处理槽27之前。然后，基板升降机构29接受搬送来的基板组，来进行第一处理的蚀刻处理。
在规定的处理条件下进行第一处理的蚀刻处理。规定的处理条件是预先设定的条件，是浸在处理槽27中的浸泡时间、处理液的温度、处理液的浓度、处理液的流量等条件。此外，浸泡时间被设定为通过一次处理使蚀刻处理结束的情况下的时间的一半。形成基板组的多张基板8保持垂直姿势地浸在处理槽27中。
当蚀刻处理结束时，基板保持体22接受基板组，移动体21将所接受的基板组搬送到处理槽28之前。然后，基板升降机构30接受搬送来的基板组，来进行第一处理的冲洗处理。
通过将进行了蚀刻处理的基板组浸在处理槽28中来进行冲洗处理。此外，也可以使浸在处理槽28中的时间比通过一次处理进行蚀刻处理的情况下的时间短。
基板液处理装置1对进行了第一处理的蚀刻的基板组进行第一处理的清洗(步骤S3)。
具体地说，当冲洗处理结束时，基板保持体22接受基板组，移动体21将所接受的基板组搬送到清洗处理装置24的处理槽31之前。然后，在清洗处理装置24中进行第一处理的清洗处理和第一处理的冲洗处理。
此外，也可以使在清洗处理中将基板组浸在处理槽31中的时间、在冲洗处理中将基板组浸在处理槽32中的时间比通过一次处理进行蚀刻处理的情况下的时间短。
基板液处理装置1对进行了第一处理的清洗的基板组进行第一处理的干燥(步骤S4)。
具体地说，当冲洗处理结束时，基板保持体22接受基板组，移动体21将所接受的基板组搬送到干燥处理装置26之前。然后，在干燥处理装置26中进行第一处理的干燥。
基板液处理装置1将进行了干燥处理的基板组载置于搬出侧基板组载置台18(步骤S5)。
此外，在从利用基板搬送机构15自承载件9取出多张基板8起至将基板组载置于搬出侧基板组载置台18为止的期间，各基板8不会以与基板8的板面垂直的轴为中心进行旋转。
基板液处理装置1利用基板搬送机构15从载置于搬出侧基板组载置台18的基板组中取出多张基板8，并将取出的多张基板8搬入到基板旋转部7(步骤S6)。基板搬送机构15将取出的多张基板8的姿势从垂直姿势变更为水平姿势，将多张基板8搬入到基板旋转部7。
此外，在利用基板搬送机构15取出多张基板8时、利用基板搬送机构15搬送多张基板8的期间、以及将多张基板8搬入到基板旋转部7时，各基板8不会以与基板8的板面垂直的轴为中心进行旋转。
基板液处理装置1使基板旋转部7旋转(步骤S7)。
具体地说，基板液处理装置1使利用基板搬送机构15从开口部62搬入了多张基板8的状态(图6的(a))的壳体60以与基板8的板面垂直的轴为中心进行旋转(图6的(b))，来使该壳体60成为相对于利用基板搬送机构15搬入了多张基板8的状态旋转180度后的状态(图6的(c))。图6是说明通过基板旋转部7使多张基板8进行的旋转的概要图。在图6中，为了进行说明而对基板8标注标记，并用箭头来表示搬入方向和搬出方向。
基板液处理装置1利用基板搬送机构15将通过基板旋转部7而旋转了的多张基板8从基板旋转部7搬出，并载置于搬入侧基板组载置台17(步骤S8)。基板搬送机构15将多张基板8的姿势从水平姿势变更为垂直姿势，将多张基板8载置于搬入侧基板组载置台17。此外，基板搬送机构15在从基板旋转部7搬出多张基板8时，从与搬入时的方向相同的方向搬出多张基板8。
基板液处理装置1利用基板搬送机构15将载置于搬出侧基板组载置台18的其余的多张基板8搬出，并搬入到基板旋转部7(步骤S9)。基板搬送机构15将多张基板8的姿势从垂直姿势变更为水平姿势，并将多张基板8搬入到基板旋转部7。
基板液处理装置1使基板旋转部7旋转(步骤S10)。具体的旋转方法与上述方法(步骤S7)相同。
基板液处理装置1利用基板搬送机构15将通过基板旋转部7而旋转了的多张基板8从基板旋转部7搬出，并载置于搬入侧基板组载置台17，形成基板组(步骤S11)。基板搬送机构15将多张基板8的姿势从水平姿势变更为垂直姿势，将多张基板8载置于搬入侧基板组载置台17，形成基板组。基板8的载置方法、即基板组的形成方法与上述方法(步骤S1)相同。
此处形成的基板组所包括的各基板8为相对于第一处理前的基板组所包括的各基板8以与基板8的板面垂直的轴为中心旋转了180度的状态、即上下方向翻转了的状态。
此外，在利用基板搬送机构15从基板旋转部7搬出多张基板8时、利用基板搬送机构15搬送多张基板8的期间、以及将多张基板8载置于搬入侧基板组载置台17时，各基板8不会以与基板8的板面垂直的轴为中心进行旋转。
基板液处理装置1对形成于搬入侧基板组载置台17的基板组进行第二处理的蚀刻(步骤S12)。
具体地说，基板保持体22接受形成于搬入侧基板组载置台17的基板组，移动体21将所接受的基板组搬送到蚀刻处理装置23的处理槽27之前。然后，基板升降机构29接受搬送来的基板组，来进行第二处理的蚀刻处理。
在与第一处理的蚀刻处理相同的规定的处理条件下进行第二处理的蚀刻处理。形成基板组的多张基板8被保持为垂直姿势地浸在处理槽27中。另外，各基板8以相对于第一处理时的状态在上下方向上翻转了的状态浸在处理槽27中。
此外，在与进行了第一处理的蚀刻处理的蚀刻处理装置23相同的处理装置中进行第二处理的蚀刻处理。
此外，各基板8在从被载置于搬入侧基板组载置台17起至被浸在处理槽27中为止的期间，不会以与基板8的板面垂直的轴为中心进行旋转。
当蚀刻处理结束时，基板保持体22接受基板组，移动体21将所接受的基板组搬送到处理槽28之前。然后，基板升降机构30接受搬送来的基板组，来进行第二处理的冲洗处理。
基板液处理装置1对进行了第二处理的蚀刻的基板组进行第二处理的清洗(步骤S13)。第二处理的清洗与第一处理的清洗(步骤S3)相同。
基板液处理装置1对进行了第二处理的清洗的基板组进行第二处理的干燥(步骤S14)。第二处理的干燥与第一处理的干燥(步骤S4)相同。
基板液处理装置1将进行了干燥处理的基板组载置于搬出侧基板组载置台18(步骤S15)。
基板液处理装置1利用基板搬送机构15从载置于搬出侧基板组载置台18的基板组搬出多张基板8，并将多张基板8搬入到载置于承载件载置台14的承载件9(步骤S16)。此外，通过更换承载件9来向两个承载件9搬入多张基板8。
通过这样，使用承载件搬送机构11将收纳有进行了处理的多张基板8的承载件9搬送到承载件存储部13、承载件台10，将被搬送到承载件台10的承载件9向外部搬出。
接着，说明本实施方式的效果。
在使各基板以垂直姿势浸在蚀刻用的处理槽中来进行蚀刻处理的情况下，在将基板组从处理槽取出并搬送到冲洗用的处理槽时，附着于各基板的处理液由于重力而向下方流动，因此存在有在各基板的上下方向上液膜产生不均而使得处理产生不均的风险。
另外，在处理槽中沿着基板的板面喷出处理液，例如，当在处理槽中从下方朝向上方喷出处理液时，基板的下方侧的处理液的流速比上方侧的处理液的流速大，存在有在上下方向上处理产生不均的风险。
在本实施方式中，在第一处理后利用基板旋转部7使多张基板8以与基板8的板面垂直的轴为中心进行旋转，使得各基板8在第二处理时和第一处理时以不同的朝向浸在处理槽27中来对各基板8进行蚀刻处理。由此，能够减少对基板8的处理的不均。
通过利用基板旋转部7使多张基板8以与基板8的板面垂直的轴为中心旋转180度，能够降低对基板8的处理的不均。
另外，能够以少的处理次数来降低对基板8的处理的不均，并且能够抑制整体的处理时间变长。
将多张基板8收纳于壳体60，使壳体60以收纳有多张基板8的状态旋转，从而使多张基板8旋转。另外，以利用基板搬送机构15从同一方向将多张基板8搬入到壳体60及从壳体60搬出的方式在壳体60形成开口部62。由此，通过对已有的基板液处理装置追加简易的旋转机构就能够使多张基板8旋转，从而能够降低对基板8的处理的不均。
将被干燥处理装置26干燥后的多张基板8搬送到基板旋转部7。由此，能够防止基板旋转部7、基板搬送机构15被弄湿。
将第一处理和第二处理在相同的处理条件下进行。由此，能够抑制在第一处理和第二处理中处理产生差异，从而能够降低对基板8的处理的不均。
根据处理槽27，由于构成各处理槽27的构件的影响，即使在以相同的处理条件进行了蚀刻处理的情况下，有时处理也产生差异。在本实施方式中，在同一处理槽27中对同一基板8进行第一处理和第二处理。由此，能够抑制在第一处理和第二处理中处理产生差异，从而能够降低对基板8的处理的不均。
接着，对本实施方式的变形例进行说明。
在上述实施方式中，设置有一个基板旋转部7，但不限于此。也可以设置多个基板旋转部7。例如，可以如图7所示的那样设置两个基板旋转部7。图7是变形例的基板液处理装置1的概要俯视图。
两个基板旋转部7例如设置在基板组形成部3内。
通过设置多个基板旋转部7，能够抑制整体的处理时间变长。例如，在利用基板搬送机构15将基板组所包括的多张(例如50张)基板8分两次进行搬送的情况下，能够使得用于使形成基板组的所有基板8旋转所需的时间比通过一个基板旋转部7进行旋转的情况下的时间短。因此，能够抑制整体的处理时间变长。
在上述实施方式中，将基板旋转部7配置在基板组形成部3内，但不限于此。基板旋转部7例如能够将多张基板8以水平姿势收纳并使多张基板8以与基板8的板面垂直的轴为中心进行旋转即可，配置在基板液处理装置1之中的空闲空间即可。例如，也可以如图8所示的那样设置于承载件载置台14的下方。图8是表示变形例的基板液处理装置1的一部分的概要侧视图。
通过将基板旋转部7配置在基板液处理装置1的空闲空间，能够抑制基板液处理装置1大型化。
另外，基板旋转部7的支承部61也可以如图9所示的那样具有突出部63。图9是表示变形例的基板旋转部7的一部分的剖切立体图。
突出部63从载置基板8的载置面61a的外侧朝向上方(即，支承基板的方向)突出，形成沿着基板8(参照图1)的外周端的内周壁63a。通过设置突出部63，能够抑制在旋转过程中各基板8的位置相对于载置面61a偏移。
当在各基板8的位置相对于载置面61a偏移了的状态下利用基板搬送机构15进行搬送时，存在如下风险：在利用基板搬送机构15将多张基板8从基板旋转部7搬出时或者载置于搬入侧基板组载置台17时基板8移动，相对于与基板8的板面垂直的轴旋转，从而从期望的位置(旋转角度)偏移。
变形例的基板旋转部7能够抑制这样的偏移的发生，能够在相对于第一处理时的基板8在上下方向上翻转了的状态下进行第二处理，从而能够降低处理的不均。
在上述实施方式中，利用基板旋转部7使多张基板8旋转180度，但旋转的角度不限于此。例如，也可以旋转90度。在该情况下，基板旋转部7如图10和图11所示的那样由上表面部60a、下表面部60b、连结上表面部60a和下表面部60b的四根连结部64构成。图10是变形例的基板旋转部7的概要侧视图。图11是变形例的基板旋转部7的概要俯视图。
连结部64配置为：以在使基板旋转部7旋转了90度的情况下能够利用基板搬送机构15将多张基板8分别从同一方向搬入或搬出的方式来设置间隔。
另外，连结部64具有朝向中心突出的支承部65。在变形例的基板旋转部7中，利用各连结部64的支承部65、即四个支承部65来支承一张基板8。
在该变形例中，一个处理分为四次处理来实施。此外，在一次处理中浸在处理槽27中(参照图1)的浸泡时间为通过一次处理使蚀刻处理结束的情况下的时间的1/4。
在上述实施方式中，在同一处理槽27中进行第一处理和第二处理，但在浸泡基板组时，也可以使基板组浸在未浸有基板组的空闲状态的处理槽27中。由此，能够缩短整体的处理时间。
另外，在上述实施方式中，基板液处理装置1具有多个蚀刻处理装置23，但也可以具有一个蚀刻处理装置23。
另外，在上述实施方式中，使用磷酸水溶液进行蚀刻处理，但不限于此。例如，也可以使用DHF、SC-1等药液来进行蚀刻处理。
另外，在上述实施方式中，基板液处理装置1对多张基板8同时进行处理，但不限于此。基板液处理装置1也可以对基板8逐张进行处理。
除了上述变形例以外，还可以应用以下的变形例。
也可以是，对基板旋转部7的支承部61的表面实施防滑加工，以使得在旋转过程中各基板8不相对于支承部61旋转。此外，也可以将防滑用的构件设置于支承部61。
由此，能够使各基板8不相对于支承部61旋转并且不产生基板8相对于支承部61的偏移地使基板旋转部7的旋转速度变快，从而能够缩短整体的处理时间。
另外，例如也可以利用收纳于一个承载件9的多张(例如25张)基板8来形成基板组。另外，基板旋转部7也可以收纳基板组所包括的多张(例如50张)基板8。
另外，基板液处理装置1也可以使用切口对准器(notch aligner)来使多张基板8的切口整齐排列。在该情况下，在第一处理前使用切口对准器使各基板8整齐排列，在进行第二处理时不使用切口对准器，在通过基板旋转部7进行了旋转的状态下进行第二处理。
对于本领域技术人员而言，能够容易地导出其它的效果、变形例。因此，本发明的更广泛的方式并不限定为如以上那样表示且记述的特定的详情和代表性的实施方式。因而，只要不脱离由所附的权利要求书及其等同物所定义的总结性的发明的概念的精神或范围，就能够进行各种变更。

Claims (11)

1.一种基板液处理装置，具备：
载置部，其载置从外部搬入的基板；
液处理部，其通过使所述基板以所述基板的板面与水平方向正交的姿势浸在处理液中，来对所述基板进行处理；
搬送部，其在所述载置部与所述液处理部之间搬送所述基板；以及
旋转部，其使利用所述液处理部进行了第一处理的所述基板以与所述基板的板面垂直的轴为中心进行旋转，
其中，所述旋转部使所述基板旋转为与进行所述第一处理时的朝向不同的朝向，
所述搬送部将利用所述液处理部进行了所述第一处理的所述基板从所述液处理部搬送到所述旋转部，将通过所述旋转部来进行了旋转的所述基板从所述旋转部搬送到所述液处理部，
所述液处理部使通过所述旋转部来进行了旋转的所述基板浸在所述处理液中，由此进行第二处理。
2.根据权利要求1所述的基板液处理装置，其特征在于，
所述旋转部具备壳体，该壳体以收纳有所述基板的状态进行旋转，
在所述壳体上以使所述基板从同一方向被搬入和搬出的方式形成有多个开口部。
3.根据权利要求1或2所述的基板液处理装置，其特征在于，
所述旋转部使所述基板以与所述基板的板面垂直的轴为中心旋转180度。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的基板液处理装置，其特征在于，
所述旋转部设置有多个。
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的基板液处理装置，其特征在于，
所述旋转部具备支承所述基板的支承部，
所述支承部具备突出部，该突出部从载置所述基板的载置面的外侧朝向支承所述基板的方向突出，形成有沿着所述基板的外周端的内周壁。
6.根据权利要求1至5中的任一项所述的基板液处理装置，其特征在于，还具备使所述基板干燥的干燥部，
所述搬送部将利用所述干燥部进行了干燥的所述基板搬送到所述旋转部。
7.根据权利要求1至6中的任一项所述的基板液处理装置，其特征在于，
所述液处理部将所述第一处理和所述第二处理在相同的处理条件下进行。
8.根据权利要求1至7中的任一项所述的基板液处理装置，其特征在于，
所述液处理部具备贮存相同的所述处理液的多个液处理槽，
针对同一所述基板，所述第一处理和所述第二处理是在同一所述液处理槽中进行的。
9.根据权利要求1至7中的任一项所述的基板液处理装置，其特征在于，
所述液处理部具备贮存相同的所述处理液的多个液处理槽，
使所述基板浸在所述多个液处理槽中的未浸有所述基板的空闲状态的所述液处理槽中。
10.根据权利要求1至9中的任一项所述的基板液处理装置，其特征在于，
所述液处理部具备喷出部，该喷出部沿着所述基板的板面喷出所述处理液。
11.一种基板液处理方法，包括以下步骤：
使用搬送部将基板从载置部搬送到液处理部，该载置部载置从外部搬入的所述基板，该液处理部通过使所述基板以所述基板的板面与水平方向正交的姿势浸在处理液中来对所述基板进行处理；
在所述液处理部中，通过使所述基板浸在所述处理液中来进行第一处理；
使用所述搬送部将进行了所述第一处理的所述基板从所述液处理部搬送到旋转部，该旋转部使所述基板以与所述基板的板面垂直的轴为中心进行旋转；
在所述旋转部中，使所述基板旋转为与进行所述第一处理时的朝向不同的朝向；
利用所述搬送部将通过所述旋转部来进行了旋转的所述基板从所述旋转部搬送到所述液处理部；以及
在所述液处理部中，使通过所述旋转部来进行了旋转的所述基板浸在所述处理液中，由此进行第二处理。
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