JPH10242251A - 基板ホルダー - Google Patents
基板ホルダーInfo
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- JPH10242251A JPH10242251A JP9042298A JP4229897A JPH10242251A JP H10242251 A JPH10242251 A JP H10242251A JP 9042298 A JP9042298 A JP 9042298A JP 4229897 A JP4229897 A JP 4229897A JP H10242251 A JPH10242251 A JP H10242251A
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- JP
- Japan
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- substrate
- substrate holder
- wafer
- holder
- stoppers
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】高速回転時、基板が基板ホルダー本体から飛び
出すのを防止することを課題とする。 【解決手段】円形状のウェハ(12)を水平に支持して回転
する基板ホルダーにおいて、基板ホルダー本体(11)と、
この基板ホルダー本体(11)の上部でかつ該基板ホルダー
本体(11)の円周方向に沿って前記ウェハ(12)が回転時に
外に飛び出すのを防止するように設けられた３つのスト
ッパー(15a，15b ，15c)とを具備することを特徴とする
基板ホルダー。
出すのを防止することを課題とする。 【解決手段】円形状のウェハ(12)を水平に支持して回転
する基板ホルダーにおいて、基板ホルダー本体(11)と、
この基板ホルダー本体(11)の上部でかつ該基板ホルダー
本体(11)の円周方向に沿って前記ウェハ(12)が回転時に
外に飛び出すのを防止するように設けられた３つのスト
ッパー(15a，15b ，15c)とを具備することを特徴とする
基板ホルダー。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は基板ホルダーに関
し、特にウェハをエッチング，スパッタ，ＣＶＤ等する
際に使用される真空処理装置に用いられる基板ホルダー
に関する。
し、特にウェハをエッチング，スパッタ，ＣＶＤ等する
際に使用される真空処理装置に用いられる基板ホルダー
に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、基板に均一に処理を行う手段と
して、基板を回転させることはよく用いられている手法
である。この場合、回転によって生じる遠心力によって
基板が回転駆動系から外れないよう回転する基板ホルダ
ーに基板を拘束する機構が設けられる。この機構として
は、水平回転を行う場合、基板の水平移動を制限するよ
う基板ホルダーに階段状の段差を設け、その段差内部に
基板を設置する方法が用いられる。図６は、従来の基板
ホルダー１に基板（ウェハ）２が載置されている状態を
示す断面図である。
して、基板を回転させることはよく用いられている手法
である。この場合、回転によって生じる遠心力によって
基板が回転駆動系から外れないよう回転する基板ホルダ
ーに基板を拘束する機構が設けられる。この機構として
は、水平回転を行う場合、基板の水平移動を制限するよ
う基板ホルダーに階段状の段差を設け、その段差内部に
基板を設置する方法が用いられる。図６は、従来の基板
ホルダー１に基板（ウェハ）２が載置されている状態を
示す断面図である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来技
術において、ウェハ２を支持する基板ホルダー１が全周
支持のタイプの場合、ウェハ２をセットした後にホルダ
ー内部が閉空間となる。ここで、基板ホルダーを収容す
るチャンバー内圧Ｐ1 が変動してホルダー内部の圧力Ｐ
2 に対して瞬間的にＰ1 ＞Ｐ2 となる場合がある。その
結果、ウェハ２が図６の一点鎖線のようにホルダ内部か
ら押し上げられ、ウェハ２が高速で回転すると、遠心力
によりウェハ２が基板ホルダー１から飛び出す恐れがあ
った。
術において、ウェハ２を支持する基板ホルダー１が全周
支持のタイプの場合、ウェハ２をセットした後にホルダ
ー内部が閉空間となる。ここで、基板ホルダーを収容す
るチャンバー内圧Ｐ1 が変動してホルダー内部の圧力Ｐ
2 に対して瞬間的にＰ1 ＞Ｐ2 となる場合がある。その
結果、ウェハ２が図６の一点鎖線のようにホルダ内部か
ら押し上げられ、ウェハ２が高速で回転すると、遠心力
によりウェハ２が基板ホルダー１から飛び出す恐れがあ
った。
【０００４】また、ウェハ２を回転させた場合、液体中
にしろ気体中にしろ、媒質の粘性という物理的な流体の
性質によって基板表面に液体又は気体の流れ（図中の矢
印ａ）が生じる。この流れは、回転方向に生じるが、遠
心力によって回転半径方向の運動成分も持ち、ウェハ外
部へ輸送される。しかし、従来の階段状の基板ホルダー
によれば、流体がウェハの半径方向に移動した場合、最
後に流体が基板ホルダーの階段部３に遭遇し、流体の特
徴である渦が発生する。しかるに、ウェハの処理が流体
の流れそのものや、化学反応等を利用する場合、渦の発
生は処理の特異条件となり、ウェハを均一に処理が達成
できないという問題がある。
にしろ気体中にしろ、媒質の粘性という物理的な流体の
性質によって基板表面に液体又は気体の流れ（図中の矢
印ａ）が生じる。この流れは、回転方向に生じるが、遠
心力によって回転半径方向の運動成分も持ち、ウェハ外
部へ輸送される。しかし、従来の階段状の基板ホルダー
によれば、流体がウェハの半径方向に移動した場合、最
後に流体が基板ホルダーの階段部３に遭遇し、流体の特
徴である渦が発生する。しかるに、ウェハの処理が流体
の流れそのものや、化学反応等を利用する場合、渦の発
生は処理の特異条件となり、ウェハを均一に処理が達成
できないという問題がある。
【０００５】本発明は上記事情を考慮してなされたもの
で、基板ホルダー本体の上部でかつ前記基板ホルダー本
体の円周方向に沿って基板が回転時に外に飛び出すのを
防止する少なくとも３つのストッパーを設けることによ
り、回転時に基板が飛び出すのを防止し得る基板ホルダ
ーを提供することを目的とする。
で、基板ホルダー本体の上部でかつ前記基板ホルダー本
体の円周方向に沿って基板が回転時に外に飛び出すのを
防止する少なくとも３つのストッパーを設けることによ
り、回転時に基板が飛び出すのを防止し得る基板ホルダ
ーを提供することを目的とする。
【０００６】また、本発明は、３つのストッパーを基板
ホルダー本体の円周方向に等間隔で設けることにより、
最小数のストッパーで回転時に基板が外に飛び出すのを
防止することができる基板ホルダーを提供することを目
的とする。
ホルダー本体の円周方向に等間隔で設けることにより、
最小数のストッパーで回転時に基板が外に飛び出すのを
防止することができる基板ホルダーを提供することを目
的とする。
【０００７】更に、本発明は、基板ホルダー本体に基板
の外径より大きい基板落し込み段差を設け、かつストッ
パーを前記基板落し込み段差の垂直な面に沿うように設
けられた円錐台状又は円錐状のピンとすることにより、
回転時の基板飛び出しを効率良く防止できる基板ホルダ
ーを提供することを目的とする。
の外径より大きい基板落し込み段差を設け、かつストッ
パーを前記基板落し込み段差の垂直な面に沿うように設
けられた円錐台状又は円錐状のピンとすることにより、
回転時の基板飛び出しを効率良く防止できる基板ホルダ
ーを提供することを目的とする。
【０００８】更には、本発明は、前記ストッパーを高さ
が前記基板の厚み以下の円柱状突起とすることにより、
回転時の基板表面の流体の流れを一層スムーズにして基
板の均一な処理を図ることができる基板ホルダーを提供
することを目的とする。
が前記基板の厚み以下の円柱状突起とすることにより、
回転時の基板表面の流体の流れを一層スムーズにして基
板の均一な処理を図ることができる基板ホルダーを提供
することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、円形状の基板
を水平に支持して回転する基板ホルダーにおいて、基板
ホルダー本体と、この基板ホルダー本体の上部でかつ前
記基板ホルダー本体の円周方向に沿って前記基板が回転
時に外に飛び出すのを防止するように設けられた少なく
とも３つのストッパーとを具備することを特徴とする基
板ホルダーである。
を水平に支持して回転する基板ホルダーにおいて、基板
ホルダー本体と、この基板ホルダー本体の上部でかつ前
記基板ホルダー本体の円周方向に沿って前記基板が回転
時に外に飛び出すのを防止するように設けられた少なく
とも３つのストッパーとを具備することを特徴とする基
板ホルダーである。
【００１０】本発明において、３つのストッパーは、基
板ホルダー本体の円周方向に等間隔（１２０°間隔）で
設けることことが好ましい。これにより、最小数のスト
ッパーで回転時基板が外に飛び出すのを防止できる。ま
た、前記ストッパーは、３個に限らず４個以上設けても
よい。例えば、ストッパーが４個であれば基板ホルダー
本体の円周方向に９０°間隔で設け、ストッパーが５個
であれば基板ホルダー本体の円周方向に７２°間隔で設
けることが、基板を保持する意味で好ましい。しかし、
ストッパーは、高速回転時基板が基板ホルダー本体から
飛び出さないような配置にすれば、基板ホルダーの円周
方向に等間隔で設ける必要は必ずしもない。
板ホルダー本体の円周方向に等間隔（１２０°間隔）で
設けることことが好ましい。これにより、最小数のスト
ッパーで回転時基板が外に飛び出すのを防止できる。ま
た、前記ストッパーは、３個に限らず４個以上設けても
よい。例えば、ストッパーが４個であれば基板ホルダー
本体の円周方向に９０°間隔で設け、ストッパーが５個
であれば基板ホルダー本体の円周方向に７２°間隔で設
けることが、基板を保持する意味で好ましい。しかし、
ストッパーは、高速回転時基板が基板ホルダー本体から
飛び出さないような配置にすれば、基板ホルダーの円周
方向に等間隔で設ける必要は必ずしもない。
【００１１】本発明において、基板ホルダー本体は基板
の外径より大きい基板落し込み段差を有し、かつストッ
パーが前記ウェハ落し込み段差の垂直な面に沿うように
設けられた円錐台状又は円錐状のピンであることが好ま
しい。前記ストッパーの具体的例としては、例えば図１
に示すように円錐台状のピン、あるいは図３（Ａ）に示
すように円錐状のピン、あるいは図３（Ｂ）に示すよう
に円柱状のピン、更には図３（Ｃ）ように円錐台状のも
のを縦に２分割したようなピンが挙げられる。こうした
構成のストッパーを用いた場合、ホルダー内外の圧力差
に起因して高速回転時に基板がホルダーの段差部からは
み出してもストッパーで止まり、高速回転時の基板飛び
出しを効率よく防止することができる。また、ピン状の
ストッパーをウェハ落し込み段差の垂直な面に沿うよう
に設けるのは、高速回転時に基板が浮き上った場合に基
板をスムーズに段差に戻すためである。
の外径より大きい基板落し込み段差を有し、かつストッ
パーが前記ウェハ落し込み段差の垂直な面に沿うように
設けられた円錐台状又は円錐状のピンであることが好ま
しい。前記ストッパーの具体的例としては、例えば図１
に示すように円錐台状のピン、あるいは図３（Ａ）に示
すように円錐状のピン、あるいは図３（Ｂ）に示すよう
に円柱状のピン、更には図３（Ｃ）ように円錐台状のも
のを縦に２分割したようなピンが挙げられる。こうした
構成のストッパーを用いた場合、ホルダー内外の圧力差
に起因して高速回転時に基板がホルダーの段差部からは
み出してもストッパーで止まり、高速回転時の基板飛び
出しを効率よく防止することができる。また、ピン状の
ストッパーをウェハ落し込み段差の垂直な面に沿うよう
に設けるのは、高速回転時に基板が浮き上った場合に基
板をスムーズに段差に戻すためである。
【００１２】また、前記ストッパーとしては、高さが基
板の厚み以下の円柱状突起が挙げられる。これは、回転
時、基板表面の流体が直接円柱状突起に衝突せず又は衝
突しても円柱状突起の側面に沿って流体を流すことによ
り流体の流れを一層スムーズにして基板の均一な処理を
図るためである。但し、円柱状突起は、高速回転時に基
板が浮き上って基板ホルダー本体から外に飛び出すのを
防止する機能を有するものであるから、ある程度の高さ
（Ｈ），即ち基板の厚みをＴとすれば、(1/2)Ｈ＜Ｔ≦
Ｈとすることが好ましい。より好ましくは、Ｔ＝Ｈとす
る。
板の厚み以下の円柱状突起が挙げられる。これは、回転
時、基板表面の流体が直接円柱状突起に衝突せず又は衝
突しても円柱状突起の側面に沿って流体を流すことによ
り流体の流れを一層スムーズにして基板の均一な処理を
図るためである。但し、円柱状突起は、高速回転時に基
板が浮き上って基板ホルダー本体から外に飛び出すのを
防止する機能を有するものであるから、ある程度の高さ
（Ｈ），即ち基板の厚みをＴとすれば、(1/2)Ｈ＜Ｔ≦
Ｈとすることが好ましい。より好ましくは、Ｔ＝Ｈとす
る。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例について図
面を参照して説明する。 （実施例１）図１（Ａ）〜（Ｃ）を参照する。ここで、
図１（Ａ）は本実施例１に係る基板ホルダーを用いた真
空処理装置の概略を示す全体図、図１（Ｂ）は図１
（Ａ）の装置の一構成である基板ホルダー本体の平面
図、図１（Ｃ）は図１（Ｂ）の要部の部分斜視図を示
す。
面を参照して説明する。 （実施例１）図１（Ａ）〜（Ｃ）を参照する。ここで、
図１（Ａ）は本実施例１に係る基板ホルダーを用いた真
空処理装置の概略を示す全体図、図１（Ｂ）は図１
（Ａ）の装置の一構成である基板ホルダー本体の平面
図、図１（Ｃ）は図１（Ｂ）の要部の部分斜視図を示
す。
【００１４】図中の符番11は、ウェハ12よりわずかに大
きい基板落とし込み段差13を有しかつ中央部に開口部14
を有した可動式の基板ホルダー本体である。この基板ホ
ルダー本体11は、あるばらつきを持ってウェハ受け渡し
位置に停止するようになっている。前記基板ホルダー本
体11の周縁部上でかつ基板落とし込み段差13の垂直な面
13ａに沿うように、３本のピン状のストッパー15ａ，15
ｂ，15ｃが設けられている。これらのストッパー15ａ〜
15ｃは夫々円錐台形状をなし、基板ホルダー本体11の周
方向に１２０°間隔で配置されている。
きい基板落とし込み段差13を有しかつ中央部に開口部14
を有した可動式の基板ホルダー本体である。この基板ホ
ルダー本体11は、あるばらつきを持ってウェハ受け渡し
位置に停止するようになっている。前記基板ホルダー本
体11の周縁部上でかつ基板落とし込み段差13の垂直な面
13ａに沿うように、３本のピン状のストッパー15ａ，15
ｂ，15ｃが設けられている。これらのストッパー15ａ〜
15ｃは夫々円錐台形状をなし、基板ホルダー本体11の周
方向に１２０°間隔で配置されている。
【００１５】前記基板ホルダー本体11の開口部14付近に
は、前記ウェハ12を上下に動かすプッシャ上下機構16が
配置されている。また、前記基板ホルダー本体11付近に
は、ウェハ12を前記基板ホルダー本体11上に載せるアー
ム17を備えたウェハ移動機構18が配置されている。
は、前記ウェハ12を上下に動かすプッシャ上下機構16が
配置されている。また、前記基板ホルダー本体11付近に
は、ウェハ12を前記基板ホルダー本体11上に載せるアー
ム17を備えたウェハ移動機構18が配置されている。
【００１６】こうした構成の基板ホルダーによれば、基
板ホルダー本体11の周縁部上でかつ基板落とし込み段差
13の垂直な面13ａに沿うように、３本のピン状のストッ
パー15ａ，15ｂ，15ｃが設けられた構成となっている。
従って、高速回転時に基板ホルダーを収容するチャンバ
ー内圧Ｐ1 が変動してホルダー内部の圧力Ｐ2 に対して
瞬間的にＰ1 ＞Ｐ2 となり、図２に示すようにウェハ12
がホルダー内部から押し上げられても、ウェハ12が例え
ばストッパー15ｃで停止し、遠心力によりウェハ12が基
板ホルダー本体11から飛び出すのを防止できる。
板ホルダー本体11の周縁部上でかつ基板落とし込み段差
13の垂直な面13ａに沿うように、３本のピン状のストッ
パー15ａ，15ｂ，15ｃが設けられた構成となっている。
従って、高速回転時に基板ホルダーを収容するチャンバ
ー内圧Ｐ1 が変動してホルダー内部の圧力Ｐ2 に対して
瞬間的にＰ1 ＞Ｐ2 となり、図２に示すようにウェハ12
がホルダー内部から押し上げられても、ウェハ12が例え
ばストッパー15ｃで停止し、遠心力によりウェハ12が基
板ホルダー本体11から飛び出すのを防止できる。
【００１７】（実施例２）図４（Ａ），（Ｂ）を参照し
て説明する。ここで、図４（Ａ）は前記基板ホルダーの
断面図、図４（Ｂ）は同基板ホルダーの平面図であり、
Ｘ−Ｘ´線に沿って切断すると図４（Ａ）のようにな
る。
て説明する。ここで、図４（Ａ）は前記基板ホルダーの
断面図、図４（Ｂ）は同基板ホルダーの平面図であり、
Ｘ−Ｘ´線に沿って切断すると図４（Ａ）のようにな
る。
【００１８】図中の符番41は、中央部に開口部42を有し
た基板ホルダー本体である。この基板ホルダー本体41上
には、３つの円柱状突起43，44，45が基板（ウェハ）46
の円周方向に沿って等間隔（１２０°）に設けられてい
る。ここで、前記円柱状突起43，44，45の高さは、ウェ
ハ46の厚みと同じである。また、円柱状突起43，44，45
は、ウェハ46の外周部よりやや外側にずらして遊びをも
たしている。
た基板ホルダー本体である。この基板ホルダー本体41上
には、３つの円柱状突起43，44，45が基板（ウェハ）46
の円周方向に沿って等間隔（１２０°）に設けられてい
る。ここで、前記円柱状突起43，44，45の高さは、ウェ
ハ46の厚みと同じである。また、円柱状突起43，44，45
は、ウェハ46の外周部よりやや外側にずらして遊びをも
たしている。
【００１９】このように、上記実施例２に係る基板ホル
ダー47は、基板ホルダー本体41と、この基板ホルダー本
体41上にウェハ46の円周方向に沿って１２０°の等間隔
で設けられた、ウェハ46の厚みと同じ高さの３つの円柱
状突起43，44，45とから構成されている。
ダー47は、基板ホルダー本体41と、この基板ホルダー本
体41上にウェハ46の円周方向に沿って１２０°の等間隔
で設けられた、ウェハ46の厚みと同じ高さの３つの円柱
状突起43，44，45とから構成されている。
【００２０】図５、上記構成の基板ホルダー47を用いた
真空処理装置の例を示す。図中の付番51はチャンバーで
ある。このチャンバー51内の中央部には、ウェハ46を支
持する基板ホルダー47等が配置されている。前記基板ホ
ルダー47の上方には、ガス導入口52から供給されたガス
をウェハ側へ送る、整流孔を多数有した整流板53が配置
されている。前記チャンバー51の下部側壁には、ガス排
出口54が設けられている。
真空処理装置の例を示す。図中の付番51はチャンバーで
ある。このチャンバー51内の中央部には、ウェハ46を支
持する基板ホルダー47等が配置されている。前記基板ホ
ルダー47の上方には、ガス導入口52から供給されたガス
をウェハ側へ送る、整流孔を多数有した整流板53が配置
されている。前記チャンバー51の下部側壁には、ガス排
出口54が設けられている。
【００２１】上述した基板ホルダー47を組み入れた図５
の真空処理装置を用いてウェハ46の処理を行ったとこ
ろ、基板ホルダー本体41上には、３つの円柱状突起43，
44，45がウェハ46の円周方向に沿って等間隔（１２０
°）に設けられているため、高速回転時、ウェハ46は３
つの円柱状突起43，44，45のうち２つの円柱状突起例え
ば43，44により支持され、基板ホルダー47の外に飛び出
すことを防止できる。
の真空処理装置を用いてウェハ46の処理を行ったとこ
ろ、基板ホルダー本体41上には、３つの円柱状突起43，
44，45がウェハ46の円周方向に沿って等間隔（１２０
°）に設けられているため、高速回転時、ウェハ46は３
つの円柱状突起43，44，45のうち２つの円柱状突起例え
ば43，44により支持され、基板ホルダー47の外に飛び出
すことを防止できる。
【００２２】また、回転時、ウェハ46´（図４（Ｂ）の
一点鎖線）は２つの円柱状突起43，44により接して支持
されることになるが、円柱状突起43，44の高さが前記ウ
ェハ46の厚みと同じであるため、回転時に発生するウェ
ハ表面の流体の流れは支持される２つの円柱状突起43，
44に疎外されることがない。一方、残りの円柱状突起45
はウェハ46と接することがないため、流体の流れを疎外
することになるが、円柱状突起45が円柱状形状であるた
め、流体の流れは円柱状突起45の側面に沿って流れ、渦
の発生は最小に抑制される。従って、流体は図４（Ａ）
の矢印ｂのようにスムーズに流れることになる。
一点鎖線）は２つの円柱状突起43，44により接して支持
されることになるが、円柱状突起43，44の高さが前記ウ
ェハ46の厚みと同じであるため、回転時に発生するウェ
ハ表面の流体の流れは支持される２つの円柱状突起43，
44に疎外されることがない。一方、残りの円柱状突起45
はウェハ46と接することがないため、流体の流れを疎外
することになるが、円柱状突起45が円柱状形状であるた
め、流体の流れは円柱状突起45の側面に沿って流れ、渦
の発生は最小に抑制される。従って、流体は図４（Ａ）
の矢印ｂのようにスムーズに流れることになる。
【００２３】なお、上記実施例２では、３つの円柱状突
起を基板ホルダー本体の円周方向に沿って等間隔で設け
た場合について述べたが、これに限定されず、４つ以上
の円柱状突起でもよいし、配置状態は等間隔でなくても
よい。また、円柱状突起の高さはウェハの厚みと同じと
したが、ウェハの厚み以下でもよい。さらに、ウェハの
厚みより大きい場合でも、実施例よりは流体の流れを多
少疎外するものの、従来例と比べてその疎外程度は少な
い。
起を基板ホルダー本体の円周方向に沿って等間隔で設け
た場合について述べたが、これに限定されず、４つ以上
の円柱状突起でもよいし、配置状態は等間隔でなくても
よい。また、円柱状突起の高さはウェハの厚みと同じと
したが、ウェハの厚み以下でもよい。さらに、ウェハの
厚みより大きい場合でも、実施例よりは流体の流れを多
少疎外するものの、従来例と比べてその疎外程度は少な
い。
【００２４】
【発明の効果】以上詳述した如く本発明によれば、基板
ホルダー本体の上部でかつ該基板ホルダー本体の円周方
向に沿って基板が回転時に外に飛び出すのを防止する少
なくとも３つのストッパーを設けることにより、回転時
に基板が飛び出すのを防止し得る基板ホルダーを提供で
きる。
ホルダー本体の上部でかつ該基板ホルダー本体の円周方
向に沿って基板が回転時に外に飛び出すのを防止する少
なくとも３つのストッパーを設けることにより、回転時
に基板が飛び出すのを防止し得る基板ホルダーを提供で
きる。
【００２５】また、本発明は、３つのストッパーを基板
ホルダー本体の円周方向に等間隔で設けることにより、
最小数のストッパーで回転時に基板が外に飛び出すのを
防止することができる基板ホルダーを提供できる。
ホルダー本体の円周方向に等間隔で設けることにより、
最小数のストッパーで回転時に基板が外に飛び出すのを
防止することができる基板ホルダーを提供できる。
【００２６】更に、本発明は、基板ホルダー本体に基板
より大きい基板落し込み段差を設け、かつストッパーを
前記基板落し込み段差の垂直な面に沿うように設けられ
た円錐台状又は円錐状のピンとすることにより、回転時
のウェハ飛び出しを効率良く防止できる基板ホルダーを
提供できる。
より大きい基板落し込み段差を設け、かつストッパーを
前記基板落し込み段差の垂直な面に沿うように設けられ
た円錐台状又は円錐状のピンとすることにより、回転時
のウェハ飛び出しを効率良く防止できる基板ホルダーを
提供できる。
【００２７】更には、本発明は、前記ストッパーを高さ
が前記基板の厚み以下の円柱状突起とすることにより、
回転時の基板表面の流体の流れを一層スムーズにして基
板の均一な処理を図ることができる基板ホルダーを提供
できる。
が前記基板の厚み以下の円柱状突起とすることにより、
回転時の基板表面の流体の流れを一層スムーズにして基
板の均一な処理を図ることができる基板ホルダーを提供
できる。
【図１】本発明の実施例１に係る基板ホルダーを用いた
真空処理装置の説明図であり、図１（Ａ）は前記真空処
理装置の概略を示す全体図、図１（Ｂ）は図１（Ａ）の
装置の一構成であるウェハステージの平面図、図１
（Ｃ）は図１（Ｂ）の要部の部分斜視図。
真空処理装置の説明図であり、図１（Ａ）は前記真空処
理装置の概略を示す全体図、図１（Ｂ）は図１（Ａ）の
装置の一構成であるウェハステージの平面図、図１
（Ｃ）は図１（Ｂ）の要部の部分斜視図。
【図２】ウェハがウェハステージの段差から外れている
場合の説明図。
場合の説明図。
【図３】図１の真空処理装置で用いた基板ホルダーに係
るストッパーの他の形状を示す図。
るストッパーの他の形状を示す図。
【図４】本発明の実施例２に係る基板ホルダーの説明図
であり、図４（Ａ）は基板ホルダーの断面図、図４
（Ｂ）は基板ホルダーの平面図。
であり、図４（Ａ）は基板ホルダーの断面図、図４
（Ｂ）は基板ホルダーの平面図。
【図５】図４の基板ホルダーを用いた真空処理装置の全
体図。
体図。
【図６】従来の基板ホルダーの断面図。
11，41…ウェハステージ、 12，46…基板（ウェハ）、 13…基板落とし込み段差、 13ａ…垂直な面、 14，42…開口部、 15ａ，15ｂ，15ｃ…ピン状のストッパー、 16…プッシャ上下機構、 17…アーム、 18…ウェハ移動機構、 43，44，45…円柱状突起、 51…チャンバー。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/205 Ｈ０１Ｌ 21/205 21/22 ５１１ 21/22 ５１１Ｇ 21/285 21/285 Ｓ
Claims (4)
- 【請求項１】 円形状の基板を水平に支持して回転する
基板ホルダーにおいて、 基板ホルダー本体と、この基板ホルダー本体の上部でか
つ該基板ホルダー本体の円周方向に沿って前記基板が回
転時に外に飛び出すのを防止するように設けられた少な
くとも３つのストッパーとを具備することを特徴とする
基板ホルダー。 - 【請求項２】 ３つのストッパーが、基板ホルダー本体
の円周方向に等間隔で設けられていることを特徴とする
請求項１記載の基板ホルダー。 - 【請求項３】 前記基板ホルダー本体は基板の外径より
大きい基板落し込み段差を有し、かつ前記ストッパーは
前記基板落し込み段差の垂直な面に沿うように設けられ
た円錐台状又は円錐状のピンであることを特徴とする請
求項１又は請求項２記載の基板ホルダー。 - 【請求項４】 前記ストッパーは、高さが前記基板の厚
み以下の円柱状突起であることを特徴とする請求項１又
は請求項２記載の基板ホルダー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9042298A JPH10242251A (ja) | 1997-02-26 | 1997-02-26 | 基板ホルダー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9042298A JPH10242251A (ja) | 1997-02-26 | 1997-02-26 | 基板ホルダー |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10242251A true JPH10242251A (ja) | 1998-09-11 |
Family
ID=12632131
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9042298A Pending JPH10242251A (ja) | 1997-02-26 | 1997-02-26 | 基板ホルダー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10242251A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100697265B1 (ko) * | 2000-02-18 | 2007-03-21 | 삼성전자주식회사 | 평면형 디스플레이에 브라켓을 결합시키기 위한 디바이스 및 방법. |
| JP2007210875A (ja) * | 2005-07-29 | 2007-08-23 | Nuflare Technology Inc | 気相成長装置及び気相成長方法 |
| JP2012251214A (ja) * | 2011-06-03 | 2012-12-20 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
| KR20180063823A (ko) * | 2016-12-02 | 2018-06-12 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 액처리 장치 및 기판 액처리 방법 |
-
1997
- 1997-02-26 JP JP9042298A patent/JPH10242251A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100697265B1 (ko) * | 2000-02-18 | 2007-03-21 | 삼성전자주식회사 | 평면형 디스플레이에 브라켓을 결합시키기 위한 디바이스 및 방법. |
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| KR20180063823A (ko) * | 2016-12-02 | 2018-06-12 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 액처리 장치 및 기판 액처리 방법 |
| JP2018093066A (ja) * | 2016-12-02 | 2018-06-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置、および基板液処理方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20031210 |
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|
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