CN109768001B - 基板处理装置、基板处理方法以及存储介质 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法以及存储介质。基板处理装置具备：至少一个液膜形成部，其在基板形成干燥防止用的液体的液膜；至少一个干燥处理部，其使形成有液膜的基板干燥；以及搬送机构，其从液膜形成部取出形成有液膜的基板，搬送到干燥处理部。通过搬送时间调节操作或者初始液膜厚度调节操作，使得在干燥处理部中开始干燥处理时存在于基板上的液膜的厚度处于目标范围内，其中，所述搬送时间调节操作是调节利用搬送机构将形成有液膜的基板从液膜形成部搬送到干燥处理部的搬送时间来调节构成存在于基板上的液膜的液体在基板的搬送中的挥发量的操作，所述初始液膜厚度调节操作是调节通过液膜形成部在基板上形成的液膜的厚度的操作。

Description

基板处理装置、基板处理方法以及存储介质
技术领域
本发明涉及一种在对半导体晶圆等基板进行超临界干燥处理等干燥处理时，用于将被搬入到进行干燥处理的干燥处理部时的基板的表面所存在的保护液的液膜的厚度维持在适当的范围内的技术。
背景技术
在半导体装置的制造中，对半导体晶圆等基板进行药液清洗或湿蚀刻等液处理。伴随形成于基板表面的图案的微细化和高深宽比化，在将残留于基板的表面的液体去除的干燥工序中，更容易产生图案的倒塌。为了应对该问题，近年来逐渐采用使用超临界状态的处理流体(例如超临界CO2)的干燥方法(例如参照专利文献1)。
液处理和超临界干燥处理在相分别的处理单元中被执行。在以下示出处理流程的一例。首先，在液处理单元内依次进行药液处理、纯水冲洗处理以及保护液替换处理。作为保护液，例如使用IPA(异丙醇)。接着，在基板的整个表面形成有保护液的液膜(桨片)的状态下，将基板从液处理单元搬送到超临界干燥处理单元，在超临界干燥处理单元内对基板实施超临界干燥处理。
在从在液处理单元内在基板形成保护液的液膜起至在超临界干燥处理单元内将保护液替换为超临界流体为止的期间，当基板的表面的图案的凹部内所存在的保护液的液膜由于挥发而消失时，存在发生图案的倒塌的风险。因此，需要通过液处理单元形成能保证在上述期间中不发生液膜的消失的厚度的保护液的液膜。另一方面，如果形成过厚的液膜，则在超临界干燥处理后，基板的表面的微粒水平劣化。
因而，需要将要形成于基板的表面的保护液的液膜的厚度设定在适当的范围内。本发明的发明人当运用收容有多个液处理单元和多个超临界干燥处理单元的基板处理装置后明确可知存在如下问题：难以将在超临界干燥处理单元内开始向基板供给超临界流体的时间点的保护液的液膜的厚度维持在适当的范围内。
专利文献1：日本特开2013-012538号公报
发明内容
发明要解决的问题
本发明的目的在于提供一种能够将被搬入到干燥处理部时的基板的表面所存在的保护液的液膜的厚度维持在适当的范围内的技术。
用于解决问题的方案
根据本发明的一个实施方式，提供一种基板处理装置，该基板处理装置具备：至少一个液膜形成部，其在基板的表面形成保护液的液膜；至少一个干燥处理部，其收容形成有所述液膜的所述基板，并使所述基板干燥；搬送机构，其从所述液膜形成部取出形成有所述液膜的所述基板，搬送到所述干燥处理部；以及控制部，其通过搬送时间调节操作或者初始液膜厚度调节操作，使得在所述干燥处理部中开始干燥处理时存在于所述基板的表面的液膜的厚度处于目标范围内，其中，所述搬送时间调节操作是调节利用所述搬送机构将所述基板从所述液膜形成部搬送到所述干燥处理部的搬送时间来调节构成存在于所述基板上的所述液膜的液体在所述基板的搬送中的挥发量的操作，所述初始液膜厚度调节操作是调节通过所述液膜形成部在所述基板上形成的所述液膜的厚度的操作。
根据本发明的其它实施方式，提供一种基板处理方法，在基板处理装置中执行所述基板处理方法，所述基板处理装置具备：至少一个液膜形成部，其在基板的表面形成保护液的液膜；至少一个干燥处理部，其收容形成有所述液膜的所述基板，并使所述基板干燥；以及搬送机构，其从所述液膜形成部取出形成有所述液膜的所述基板，搬送到所述干燥处理部，所述基板处理方法包括：通过所述液膜形成部在所述基板的表面形成所述干燥防止用的液体的液膜；利用所述搬送机构将所述基板从所述液膜形成部搬送到所述干燥处理部；通过所述干燥处理部使所述基板干燥；通过搬送时间调节操作或者初始液膜厚度调节操作，使得在所述干燥处理部中开始干燥处理时存在于所述基板的表面的液膜的厚度处于目标范围内，所述搬送时间调节操作是调节利用所述搬送机构将所述基板从所述液膜形成部搬送到所述干燥处理部的搬送时间来调节构成存在于所述基板上的所述液膜的液体在所述基板的搬送中的挥发量的操作，所述初始液膜厚度调节操作是调节通过所述液膜形成部在所述基板上形成的所述液膜的厚度的操作。
根据本发明的另一其它实施方式，提供一种存储介质，所述存储介质中记录有如下一种程序：在所述程序由用于控制基板处理装置的动作的计算机执行时，使所述计算机控制所述基板处理装置来执行上述的基板处理方法。
发明的效果
根据上述实施方式，能够将在干燥处理部中开始干燥处理时存在于基板的表面的液膜的厚度维持在目标范围内，因此能够稳定地得到对多个基板期望的处理结果。
附图说明
图1是基板处理系统(基板处理装置)整体的概要俯视图。
图2是图1的基板处理系统的处理站的概要侧视图。
图3是图1的基板处理系统的处理站的概要前视图。
图4是表示空气流速与保护液的挥发量之间的关系的曲线图。
图5是表示晶圆W静置时的经过时间与保护液的挥发量之间的关系的曲线图。
图6A是以与图1同样的视点观察在处理站的侧壁设置有FFU的变形实施方式得到的概要俯视图。
图6B是以与图2同样的视点观察在处理站的侧壁设置有FFU的变形实施方式得到的概要侧视图。
附图标记说明
3A：壳体；4：控制部(控制装置)；15A：搬送空间；16A：液膜形成部(液处理单元)；16B：干燥处理部(超临界干燥处理单元)；17：搬送机构(基板搬送装置)；22：气流形成单元(FFU)。
具体实施方式
下面，参照附图来说明本发明的实施方式。
图1是表示本实施方式所涉及的基板处理系统的概要结构的图。在以下，为了使位置关系清楚，对相互正交的X轴、Y轴及Z轴进行规定，将Z轴正方向设为铅垂朝上方向。
如图1所示，基板处理系统1具备搬入搬出站2和处理站3。搬入搬出站2与处理站3相邻地设置。
搬入搬出站2具备承载件载置部11和搬送部12。在承载件载置部11载置多个承载件C，该多个承载件C用于将多张基板、在本实施方式中为半导体晶圆(以下称作晶圆W)以水平状态收容。
搬送部12与承载件载置部11相邻地设置，所述搬送部12在内部具备基板搬送装置13和交接部14。基板搬送装置13具备保持晶圆W的晶圆保持机构。另外，基板搬送装置13能够沿水平方向和铅垂方向移动且能够以铅垂轴线为中心进行旋转，并且使用多个晶圆保持机构在承载件C与交接部14之间搬送晶圆W。
处理站3与搬送部12相邻地设置。处理站3具备搬送部15、多个16A以及多个超临界干燥处理单元16B。
液处理单元16A构成为对基板实施规定的液处理(药液清洗处理、湿蚀刻等)。例如，液处理单元16A具有：旋转卡盘161A，其将晶圆W以水平姿势保持并使该晶圆W绕铅垂轴线旋转；以及一个以上的喷嘴162A，其向晶圆W供给处理液(药液、冲洗液、保护液(例如IPA)等)。液处理单元16A的结构不限定于此，只要最终能够在晶圆W的表面形成期望的厚度的保护液的液膜即可，能够采用任意的结构。
超临界干燥处理单元16B构成为通过对在表面形成有干燥防止用的保护液的液膜的晶圆W供给超临界流体(例如超临界CO2)来使晶圆W干燥。例如，超临界干燥处理单元16B具有将晶圆W以水平姿势保持的托盘161B、以及能够将托盘161B以密封状态收容的处理腔室162B。在处理腔室162B设置有向处理腔室162B内供给超临界流体的喷嘴(未图示)和用于从处理腔室162B排出流体的排出口(未图示)。作为超临界干燥处理单元16B，例如能够使用与本案申请人的专利申请相关的日本特开2013-012538号公报所记载的超临界干燥处理单元，但并不限定于此。
搬送部15具有沿X方向延伸的搬送空间15A，在搬送空间15A设置有基板搬送装置(搬送机构)17。在搬送空间15A的左侧(Y正方向)，沿铅垂方向(Z方向)层叠有多个(在图示例中为三个)液处理单元16A。而且，在搬送空间15A的右侧(Y负方向)，以在Y方向上与左侧的液处理单元16A相对的方式层叠有多个(在图示例中为三个)液处理单元16A。在搬送空间15A的左侧(Y正方向)且液处理单元16A的后方(X正方向)，沿铅垂方向(Z方向)层叠有多个(在图示例中为三个)超临界干燥处理单元16B。在搬送空间15A的右侧(Y负方向)且液处理单元16A的后方(X正方向)，以在Y方向上与左侧的超临界干燥处理单元16B相对的方式层叠有多个(在图示例中为三个)超临界干燥处理单元16B。
基板搬送装置17具备用于保持晶圆W的晶圆保持机构。另外，基板搬送装置17能够沿水平方向和铅垂方向移动且能够以铅垂轴线为中心进行旋转。基板搬送装置17的晶圆保持机构能够访问交接部14、所有的液处理单元16A以及所有的超临界干燥处理单元16B，并且能够在这些各部(14、16A、16B)之间搬送晶圆W。
基板处理系统1的处理站3具有壳体3A。在壳体3A内收容有液处理单元16A、超临界干燥处理单元16B以及基板搬送装置17。在处理站3内形成有被壳体3A的顶板和底板以及液处理单元16A和超临界干燥处理单元16B的外壳包围的搬送空间15A。利用基板搬送装置17在该搬送空间15A内搬送晶圆W。
在壳体3A的顶部，以从搬送空间15A的上方覆盖搬送空间15A的几乎整体的方式设置有FFU(风机过滤单元)22。FFU 22将清洁气体(在本例中为由被过滤器过滤后的清洁室内空气构成的清洁空气)朝向下方喷出到搬送空间15A内。也就是说，在搬送空间15A内形成从上方朝向下方的清洁空气流(下降流)。
基板处理系统1具备控制装置4。控制装置4例如为计算机，具备控制部18和存储部19。在存储部19中保存用于控制在基板处理系统1中执行的各种处理的程序。控制部18读取存储部19中存储的程序并且执行该程序，由此控制基板处理系统1的动作。
此外，也可以是，所述程序记录在可由计算机读取的存储介质中且从该存储介质安装到控制装置4的存储部19中。作为可由计算机读取的存储介质，例如有硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。
在如上述那样构成的基板处理系统1中，首先搬入搬出站2的基板搬送装置13从载置于承载件载置部11的承载件C取出晶圆W，将取出的晶圆W载置于交接部14。载置于交接部14的晶圆W由处理站3的基板搬送装置17从交接部14取出，并向液处理单元16A搬入。
被搬入到液处理单元16A的晶圆W被旋转卡盘161A以水平姿势保持且绕铅垂轴线旋转。通过从喷嘴162A向这样旋转的晶圆W的表面的中心部供给药液，来对晶圆W实施药液处理。接着，通过从喷嘴162A向晶圆W的表面的中心部供给冲洗液(例如纯水)来对晶圆W实施冲洗处理，之后从喷嘴162A向晶圆W的表面的中心部供给保护液(例如IPA)，由此实施将存在于晶圆W的表面(也包括形成于晶圆W的表面的图案的凹部内)的冲洗液替换为保护液的替换处理。此外，既可以从单一的喷嘴162A供给药液、冲洗液以及保护液全部，也可以从相分别的喷嘴供给这些处理液。
在替换处理的末期(也包括停止喷出保护液之后)调节晶圆W的转速，由此能够调节形成于晶圆W的表面的保护液的液膜(以下也称作“保护膜”)的厚度。
关于通过液处理单元16A进行的液处理，只要通过该液处理的最终工序成为基板的表面被保护液的液膜覆盖的状态即可，可以为任意的液处理。例如，也可以在冲洗处理之前不进行药液处理而进行双流体清洗处理，也可以从冲洗处理起开始通过液处理单元16A进行液处理。
在替换处理结束后，在晶圆W的整个表面被保护液的液膜覆盖的状态下，由基板搬送装置17将晶圆W从液处理单元16A搬出，并搬入到超临界干燥处理单元16B。在搬入时，基板搬送装置17将晶圆W放置在从超临界干燥处理单元16B的处理腔室抽出的托盘161B上。之后，将载有晶圆W的托盘161B收容到处理腔室162B内，将处理腔室162B密封。之后，从处理腔室162B的一侧向处理腔室162B内导入超临界流体(例如处于超临界状态的CO2)，并且从处理腔室的另一侧排出处理腔室162B内的流体。由此，存在于晶圆W的表面(也包括形成于晶圆W的表面的图案的凹部内)的保护液(在此为IPA)被替换为超临界流体。之后，通过使处理腔室162B内的压力下降到常压，来使超临界流体变化为气体状态，由此能够不产生图案倒塌地使晶圆W的表面干燥。
优选的是，保护液为满足以下条件的液体。
—容易用在超临界干燥处理单元16B内被供给到晶圆W的超临界流体替换存在于晶圆W的表面(也包括形成于晶圆W的表面的图案的凹部内)上的保护液。
—在从液处理单元16A向超临界干燥处理单元16B进行搬送的期间不容易因挥发而消失。(若在用超临界流体替换保护液之前图案暴露，则具有图案因保护液的表面张力而倒塌的风险。)
—在供给保护液之前的工序为冲洗工序的情况下，容易用保护液替换存在于晶圆W的表面(也包括形成于晶圆W的表面的图案的凹部内)上的冲洗液(例如纯水)。
在本实施方式中，将IPA(异丙醇)用作满足上述条件的保护液，但只要满足上述条件且不会对晶圆W造成不良影响即可，能够将任意的液体用作保护液。
在超临界干燥处理结束后，将载有晶圆W的托盘161B从处理腔室162B抽出，基板搬送装置17从托盘161B取走晶圆W，并搬送到交接部14。利用基板搬送装置13将载置于交接部14的处理完毕的晶圆W送回到承载件载置部11的承载件C。
在上述实施方式中，将从某个液处理单元16A搬出的晶圆W搬入到处于相同的高度位置且(关于Y方向)位于同侧的超临界干燥处理单元16B。由于从上层的液处理单元16A向上层的超临界干燥处理单元16B搬送晶圆W的上层的搬送路径离FFU 22最近，因此在该搬送路径中流动的清洁空气的流速最高。从中层的液处理单元16A到中层的超临界干燥处理单元16B为止的中层的搬送路径中的清洁空气的流速比上层的流速低，从下层的液处理单元16A到下层的超临界干燥处理单元16B为止的下层的搬送路径中的清洁空气的流速更低。因此，关于存在于晶圆W表面的保护液的挥发量，在上层的搬送路径中进行搬送时最大，在下层的搬送路径中进行搬送时最小。
考虑到上述方面，在本实施方式中，作为用于使在各超临界干燥处理单元16B中开始向晶圆W供给超临界流体的供给开始时间点的、晶圆W表面上的液膜的厚度一致的第一方法，使搬送中的保护液的挥发量一致。对于搬送中的保护液的挥发量的均匀化，能够通过将各层中的将晶圆W从液处理单元16A搬送到超临界干燥处理单元16B所耗费的时间(搬送时间)设为“上层搬送时的搬送时间＜中层搬送时的搬送时间＜下层搬送时的搬送时间”来实现。该搬送时间的关系能够通过设为“上层搬送时的搬送速度＞中层搬送时的搬送速度＞下层搬送时的搬送速度”来实现。也可以是，使各层的搬送速度一致且在搬送中设置使基板停止移动的停止时间，并且设为“上层搬送时的停止时间(可以为零)＜中层搬送时的停止时间＜下层搬送时的停止时间”，由此代替调节搬送速度。还可以是，在搬送中设置使基板的搬送速度大幅度下降的慢速运转时间，并且设为“上层搬送时的慢速运转时间(可以为零)＜中层搬送时的慢速运转时间＜下层搬送时的慢速运转时间”，由此代替调节停止时间。换言之，也可以是，在搬送时间内设定以比通常搬送速度低的搬送速度搬送晶圆W的低速运转时间(慢速运转时间)，控制搬送速度，以使经由越下侧的搬送路径搬送晶圆W时的低速运转时间(慢速运转时间)越长。
作为用于使在各超临界干燥处理单元16B中开始向晶圆W供给超临界流体的供给开始时间点的、晶圆W表面上的液膜的厚度一致的第二方法，也可以是，在各层的搬送中的保护液的每单位时间的挥发量存在差异前提下，将由各液处理单元16A形成的保护液的液膜的厚度(初始液膜厚度)设为“上层搬送时的初始液膜厚度＞中层搬送时的初始液膜厚度大于下层搬送时的初始液膜厚度”，以使该差异消除。
也可以适当地组合上述第一方法和第二方法来执行。
关于上述第一方法中的搬送时间和/或停止时间的调节条件以及上述第二方法中的初始液膜厚度的调节条件，能够基于预备实验的结果来决定。例如，使处理站3实际地工作来在各搬送路径中搬送表面形成有保护膜的液膜的晶圆，并测定晶圆W被载置在超临界干燥处理单元16B的托盘161B上时的保护膜的厚度，能够由此进行预备实验。测定晶圆W的表面的液膜的厚度的方法是公知的，已知有使用激光位移计的方法、使用光学干涉原理的方法等各种方法。
此外，如在图4和图5的曲线图中概要地表示的那样，通过实验能够容易地求出空气流速与保护液(在此为IPA)的挥发量之间的关系、以及晶圆W静置时的经过时间与保护液的挥发量之间的关系等。另外，通过实验或模拟也能够容易地使用搬送空间15A内的清洁空气的流速分布。也能够使用这些数据，通过计算机模拟来决定上述第一方法中的搬送时间和/或停止时间的调节条件以及上述第二方法中的初始液膜厚度的调节条件。
能够通过由控制装置4控制基板搬送装置17的动作来执行上述的第一方法。能够通过由控制装置4控制液处理单元16A的动作来进行上述的第二方法。无论实施哪个方法，控制装置4都基于存储部19中存储的工艺制程来进行搬送时间的调节和/或初始液膜厚度的调节。
在优选的一个实施方式中，在工艺制程中针对每个处理晶圆组决定各晶圆W的搬送路径，并且针对各晶圆W决定如何进行搬送时间的调节和/或初始液膜厚度的调节。
也可以是，控制装置4的存储部19具有记录有与应该对各搬送路径采用的搬送时间的调节和/或初始液膜厚度的调节之间的关系的数据库。在该情况下，控制装置4可以基于该数据库来决定对各晶圆W进行的搬送时间的调节和/或初始液膜厚度的调节。
根据上述实施方式，通过进行搬送时间的调节和/或初始液膜厚度的调节，能够将在各超临界干燥处理单元16B中开始向晶圆W供给超临界流体的供给开始时间点的晶圆W表面上的液膜的厚度收敛在适当的范围内，从而(关于图案倒塌、微粒水平等)能够稳定地得到最佳的处理结果。
基板处理系统1的处理站3的结构并不限定为图1～图3所示的结构。例如也可以如图6A和图6B中概要地示出的那样，在壳体的侧壁设置FFU 22，在搬送空间15A内形成侧流。在该情况下也是，根据在用于将各晶圆W从液处理单元16A向超临界干燥处理单元16B搬送的搬送路径内流动的清洁空气的流速分布，进行搬送时间的调节和/或初始液膜厚度的调节即可。也可以是，不将液处理单元16A和超临界干燥处理单元16B层叠为多层。
在上述实施方式中，基板搬送装置17总是在处于相同高度位置且处于相同侧的液处理单元16A与超临界干燥处理单元16B之间搬送晶圆W，但并不限定于此。也可以是，从处于其它高度位置或者处于另一侧的液处理单元16A向任意的超临界干燥处理单元16B搬送晶圆W。另外，在该情况下也是，根据在用于将晶圆W从液处理单元16A向超临界干燥处理单元16B搬送的搬送路径内流动的清洁空气的流速，来进行搬送时间的调节和/或初始液膜厚度的调节即可。
另外，在上述实施方式中，预先从多个液处理单元16A选择出的一个液处理单元16A与预先从多个超临界干燥处理单元16B选择出的一个超临界干燥处理单元16B形成预先决定的处理单元组，仅仅在各处理单元组之间进行晶圆W的搬送，但并不限定于此。也可以是，每当向处理站3搬入新的晶圆W时，就选择用于对该晶圆W进行处理的液处理单元16A和超临界干燥处理单元16B。在进行这样的运用的情况下，优选的是，针对能够设想出的所有的搬送路径，预先通过实验来决定搬送时间的调节和/或初始液膜厚度的调节的条件。
在上述实施方式中，在多个液处理单元16A与多个超临界干燥处理单元16B之间存在有多个搬送路径，但不限定于此。也可以是，经由单一的搬送路径从单个液处理单元16A向单个超临界干燥处理单元16B搬送晶圆W。在该情况下，晶圆W总是通过相同的搬送路径被搬送，因此，对所有的晶圆W而言，经由搬送路径流动的气体(清洁空气)的流速实质上是相同的，可以忽视在向超临界干燥处理单元16B搬入晶圆W时由于气体的影响(例如由于从FFU22吹出的清洁空气的影响)而晶圆W表面上的保护液的液膜的厚度产生的偏差。其中，也考虑使用单个的液处理单元16A和单个的超临界干燥处理单元16B来处理例如表面状态互不相同的多个晶圆W。在该情况下，考虑根据表面状态来变更保护液的量(保护膜的厚度)。如果晶圆W的表面状态不同，则保护液的挥发量也可能不同，因此可以根据晶圆W的表面状态来进行搬送时间的调节和/或初始液膜厚度的调节。另外，也考虑使用单个的液处理单元16A和单个的超临界干燥处理单元16B来对多个晶圆W使用挥发性不同的保护液。在该情况下，搬送中的保护液的挥发量发生变化，因此可以根据保护液的挥发性的差异来进行搬送时间的调节和/或初始液膜厚度的调节。
此外，也考虑到搬送空间15A具有温度分布的情况，也考虑到根据该温度分布而每条搬送路径中的保护液的挥发量不同。也可以是，为了补偿由于温度分布产生的每条搬送路径的挥发量的偏差而进行上述的搬送时间的调节和/或初始液膜厚度的调节。

Claims (10)

1.一种基板处理装置，具备：
多个液膜形成部，其在基板的表面形成保护液的液膜；
多个干燥处理部，其收容形成有所述液膜的所述基板，并使所述基板干燥；
搬送机构，其从所述液膜形成部取出形成有所述液膜的所述基板，搬送到所述干燥处理部；
壳体，其收容多个所述液膜形成部、多个所述干燥处理部以及所述搬送机构，在所述壳体的内部设置有搬送空间，在所述搬送空间收容所述搬送机构并且利用所述搬送机构在多个所述液膜形成部与多个所述干燥处理部之间进行所述基板的搬送，在所述壳体设置有气流形成单元，所述气流形成单元向所述搬送空间内吹出气体来在所述搬送空间内形成气流；以及
控制部，其通过搬送时间调节操作或者初始液膜厚度调节操作，使得在所述干燥处理部中开始干燥处理时存在于所述基板的表面的液膜的厚度处于目标范围内，其中，所述搬送时间调节操作是调节利用所述搬送机构将所述基板从所述液膜形成部搬送到所述干燥处理部的搬送时间来调节构成存在于所述基板的表面的所述液膜的液体在所述基板的搬送中的挥发量的操作，所述初始液膜厚度调节操作是调节通过所述液膜形成部在所述基板的表面形成的所述液膜的厚度的操作。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
设置有多个所述液膜形成部，并且设置有多个所述干燥处理部，
所述搬送机构从自多个所述液膜形成部选择出的一个液膜形成部向自多个所述干燥处理部选择出的一个干燥处理部搬送所述基板，
所述控制部根据在利用所述搬送机构从选择出的所述一个液膜形成部向选择出的所述一个干燥处理部搬送所述基板时所述基板所通过的搬送路径的环境，来执行所述搬送时间调节操作或所述初始液膜厚度调节操作。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述控制部根据在利用所述搬送机构从选择出的所述一个液膜形成部向选择出的所述一个干燥处理部搬送所述基板时所述气流形成单元在所述基板所通过的搬送路径形成的气流的流速，来执行所述搬送时间调节操作或所述初始液膜厚度调节操作。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
所述控制部以所述基板所通过的搬送路径内的所述气流的流速越低则使所述搬送时间越长的方式进行所述搬送时间调节操作。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，
所述气流形成单元设置于所述壳体的上部，所述控制部在执行所述搬送时间调节操作时，在所述搬送时间内设定以比通常搬送速度低的搬送速度搬送所述基板的低速运转时间，使经由越下侧的搬送路径搬送基板时的所述低速运转时间越长。
6.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
所述控制部以所述基板所通过的搬送路径内的所述气流的流速越高则使所述初始液膜厚度越厚的方式进行所述初始液膜厚度调节操作。
7.一种基板处理方法，在基板处理装置中执行所述基板处理方法，所述基板处理装置具备：多个液膜形成部，其在基板的表面形成保护液的液膜；多个干燥处理部，其收容形成有所述液膜的所述基板，并使所述基板干燥；搬送机构，其从所述液膜形成部取出形成有所述液膜的所述基板，搬送到所述干燥处理部；以及壳体，其收容多个所述液膜形成部、多个所述干燥处理部以及所述搬送机构，在所述壳体的内部设置有搬送空间，在所述搬送空间收容所述搬送机构并且利用所述搬送机构在多个所述液膜形成部与多个所述干燥处理部之间进行所述基板的搬送，在所述壳体设置有气流形成单元，所述气流形成单元向所述搬送空间内吹出气体来在所述搬送空间内形成气流，所述基板处理方法包括：
通过所述液膜形成部在所述基板的表面形成所述保护液的液膜；
利用所述搬送机构将所述基板从所述液膜形成部搬送到所述干燥处理部；
通过所述干燥处理部使所述基板干燥；
通过搬送时间调节操作或者初始液膜厚度调节操作，使得在所述干燥处理部中开始干燥处理时存在于所述基板的表面的液膜的厚度处于目标范围内，所述搬送时间调节操作是调节利用所述搬送机构将所述基板从所述液膜形成部搬送到所述干燥处理部的搬送时间来调节构成存在于所述基板的表面的所述液膜的液体在所述基板的搬送中的挥发量的操作，所述初始液膜厚度调节操作是调节通过所述液膜形成部在所述基板的表面形成的所述液膜的厚度的操作。
8.根据权利要求7所述的基板处理方法，其特征在于，
所述基板处理装置具有多个所述液膜形成部和多个所述干燥处理部，
所述搬送机构从自多个所述液膜形成部选择出的一个液膜形成部向自多个所述干燥处理部选择出的一个干燥处理部搬送所述基板，
按照与搬送路径的环境相应的条件来执行所述搬送时间调节操作或所述初始液膜厚度调节操作，该搬送路径是利用所述搬送机构从选择出的所述一个液膜形成部向选择出的所述一个干燥处理部搬送所述基板时所述基板所通过的路径。
9.根据权利要求8所述的基板处理方法，其特征在于，
按照与气流的流速相应的条件来执行所述搬送时间调节操作或所述初始液膜厚度调节操作，该气流是利用所述搬送机构从选择出的所述一个液膜形成部向选择出的所述一个干燥处理部搬送所述基板时所述气流形成单元在所述基板所通过的搬送路径形成的气流。
10.一种存储介质，
所述存储介质中记录有如下一种程序：在所述程序由用于控制基板处理装置的动作的计算机执行时，使所述计算机控制所述基板处理装置来执行根据权利要求7至9中的任一项所述的基板处理方法。
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