CN108037628A - 一种性能稳定的电致变色薄膜及其制备方法 - Google Patents

一种性能稳定的电致变色薄膜及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN108037628A
CN108037628A CN201711414721.7A CN201711414721A CN108037628A CN 108037628 A CN108037628 A CN 108037628A CN 201711414721 A CN201711414721 A CN 201711414721A CN 108037628 A CN108037628 A CN 108037628A
Authority
CN
China
Prior art keywords
sputtering
target
stablized
electrochomeric films
performance
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201711414721.7A
Other languages
English (en)
Inventor
周超
杨斓
何延春
吴春华
王志明
李林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Lanzhou Institute of Physics of Chinese Academy of Space Technology
Original Assignee
Lanzhou Institute of Physics of Chinese Academy of Space Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lanzhou Institute of Physics of Chinese Academy of Space Technology filed Critical Lanzhou Institute of Physics of Chinese Academy of Space Technology
Priority to CN201711414721.7A priority Critical patent/CN108037628A/zh
Publication of CN108037628A publication Critical patent/CN108037628A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/15—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on an electrochromic effect
    • G02F1/153—Constructional details
    • G02F1/1533—Constructional details structural features not otherwise provided for
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/15—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on an electrochromic effect
    • G02F1/153—Constructional details
    • G02F1/1533—Constructional details structural features not otherwise provided for
    • G02F2001/1536—Constructional details structural features not otherwise provided for additional, e.g. protective, layer inside the cell

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)

Abstract

本发明属于表面工程技术领域，具体涉及一种性能稳定的电致变色薄膜及其制备方法。一种性能稳定的电致变色薄膜，所述薄膜的膜系结构由下到上依次包括基底、导电电极、离子储存层、过渡层、电解质层、过渡层、电致变色层和透明导电层，膜系的截面为透明保护层。本发明所述的一种性能稳定的电致变色薄膜，通过在电致变色薄膜膜系的截面沉积保护层阻隔界面与环境，电致变色薄膜在地面环境和空间环境中变色性能稳定，不会发生性能退化，具有良好的循环稳定性和环境稳定性。所述电致变色薄膜通过在着色层与电解质层中加入过渡层，一方面作为电子的阻挡层减少漏电流，提高着色记忆效果，另一方面降低电致变色需要的电压值，提高循环稳定性。

Description

一种性能稳定的电致变色薄膜及其制备方法
技术领域
本发明属于表面工程技术领域，具体涉及一种性能稳定的电致变色薄膜及其制备方法。
背景技术
电致变色技术可广泛应用于建筑窗、汽车防眩后视镜、飞机舷窗、航天器热控领域。将电致变色应用在能源领域达到节约能耗的效果，极具社会意义和商业价值。
现有的无机材料全固态电致变色薄膜一般为阳极着色和阴极着色材料互补的五层结构，为透明电极/阴极着色层/电解质层/阳极着色层/透明电极(或反射式电极)，典型的如ITO/WO3/LiTaO3/NiOx/ITO(Al)，具有优良的电致变色性能，可根据不同的需求，做成透射式或反射式电致变色薄膜。但是五层结构的膜系由于施加电压较高，容易导致电致变色薄膜的循环稳定性降低，且容易产生漏电电流，造成参与电致变色的Li+离子浓度降低，以致电致变色性能退化。另外，使用中，由于环境中的H2O分子和气体分子杂质会通过膜层界面进入电致变色薄膜中，也会导致电致变色性能退化。如何克服无机材料全固态电致变色薄膜性能退化问题，满足不同场合的电致变色需求，提供长寿命、高可靠的无机材料全固态电致变色薄膜产品，显得尤为重要。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的在于提供一种性能稳定的电致变色薄膜及其制备方法，通过在电致变色薄膜膜系的截面沉积保护层阻隔界面与环境，电致变色薄膜在地面环境和空间环境中变色性能稳定，不会发生性能退化。薄膜的电致变色性能和环境防护性能基本不受基底限制，适用广泛。
一种性能稳定的电致变色薄膜，所述薄膜的膜系结构由下到上依次包括基底、导电电极、离子储存层、过渡层、电解质层、过渡层、电致变色层和透明导电层，膜系的截面为透明保护层；
其中，导电电极厚度为200nm～300nm；
离子储存层为镍的氧化物；厚度为200nm～300nm；
电解质层为LiTaO3、LiPO4或LiNbO3；厚度为200nm～300nm；
电致变色层为WO3；厚度为300nm～400nm；
透明导电层为氧化铟锡(ITO)或掺铝氧化锌(ZAO)；厚度为80nm～100nm；
过渡层为钽的氧化物；厚度为200～250nm。
透明保护层为SiO2；厚度为100nm～300nm。
优选的，所述过渡层为Ta2O5。
优选的，过渡层厚度为200nm。
优选的，所述基底为聚酰亚胺、聚酯(PET)、聚全氟乙丙烯(F46)、石英玻璃或掺铈玻璃。
优选的，所述导电电极为ITO、ZAO、Ag或Al。
优选的，所述离子储存层为NiO和Ni2O3的混合物。
本发明所述的一种性能稳定的电致变色薄膜的制备方法，所述方法步骤如下：
(1)将基底安装到夹具上装入到干净的真空溅射室中，真空溅射室内本底真空度小于3×10-3Pa，溅射气压为1Pa；
(2)采用卷对卷磁控溅射法制备导电电极：在基底上沉积导电电极，氩气为工作气体，氩气流量100sccm，走带速度0.3m/min，工作功率为10000W；
(3)采用反应溅射法来制备离子储存层：靶材为具有磁性的金属镍，溅射功率90W，采用氩气和氧气混合气体为工作气体，氧气压强占比30％，溅射气压3Pa，沉积温度为室温，沉积速率30nm/min；
(4)采用直流反应磁控溅射法制备过渡层：纯金属钽为靶材，纯度为99.9％，靶与基片间距约15cm，本底真空度低于1.0×10-6Torr，在薄膜沉积过程中，基片架以10r/min的速率转动，溅射功率150W，采用氩气和氧气混合气体为工作气体，氧气压强占比40％，溅射气压0.3Pa，沉积温度300℃，沉积速率20nm/min；
(5)采用射频溅射法制备电解质层：靶材采用单晶LiTaO3、LiPO4或LiNbO3，采用氩气和氧气混合气体为工作气体，氧气压强占比10％，溅射气压为0.5Pa，溅射功率为200W；
(6)采用直流反应磁控溅射法制备过渡层：纯金属钽为靶材，纯度为99.9％，靶与基片间距约15cm，本底真空度低于1.0×10-6Torr，在薄膜沉积过程中，基片架以10r/min的速率转动，溅射功率150W，采用氩气和氧气混合气体为工作气体，氧气压强占比40％，溅射气压0.3Pa，沉积温度300℃，沉积速率20nm/min；
(7)采用直流反应溅射法制备电致变色层：纯钨靶作为溅射靶材，溅射功率200W，采用氩气和氧气混合气体为工作气体，氧气压强占比20％，工作压力0.6Pa，沉积温度300℃，沉积速率30nm/min；
(8)采用的是射频(RF)磁控溅射方法制备导电电极：当导电电极为ITO时，所用靶材为ITO陶瓷，溅射功率300W，沉积速率30nm/min；当导电电极为ZAO时，采用氩气和氧气混合气体为工作气体，氧气压强占比20％，沉积温度为室温；靶材掺铝氧化锌，ZnO与Al的质量比为99.2:0.8，溅射功率为100W，沉积速率30nm/min；完成薄膜膜系的制备；
(9)薄膜膜系镀制完后，将薄膜膜系的边缘进行切割，露出膜系的截面后，采用固定工装将薄膜膜系覆盖，在膜系的截面边缘进行SiO2的沉积：先用离子清洗源清洗基片，清洗源的工作气体为氩气，通入氩气后真空室的气压为2×10-2Pa，清洗源工作的离子能量为300eV，放电电流为80mA，清洗时间为3min；清洗完成后进行脉冲反应磁控溅射，溅射靶材为单晶硅，工作气体为氩气，反应气体为氧气，氧气含量为80％，脉冲频率15KHz，沉积时间6min，得到所述一种性能稳定的电致变色薄膜。
优选的，当导电电极为ITO时，所用靶材为ITO陶瓷；当导电电极为ZAO时，靶材掺铝氧化锌，ZnO与Al的质量比为99.2:0.8；当导电电极为Ag，靶材为高纯银，纯度为99.9％；当导电电极为Al，靶材为高纯铝，纯度为99.9％。
有益效果：
本发明所述的一种性能稳定的电致变色薄膜，通过在电致变色薄膜膜系的截面沉积保护层阻隔界面与环境，电致变色薄膜在地面环境和空间环境中变色性能稳定，不会发生性能退化，具有良好的循环稳定性和环境稳定性。所述电致变色薄膜通过在着色层与电解质层中加入过渡层，一方面作为电子的阻挡层减少漏电流，提高着色记忆效果，另一方面降低电致变色需要的电压值，提高循环稳定性。
本发明所述电致变色薄膜的保护和阻隔作用，与电致变色薄膜的膜系和基底无关，可制备于柔性基底的电致变色薄膜器件，也可制备于硬质基底，可用于反射式电致变色薄膜，也可用于透射式，具备良好的工艺适应性。本发明所述电致变色薄膜过渡层的作用，与电致变色薄膜的膜系和基底无关，可根据不同的需求场合来确定过渡层的厚度。电致变色薄膜可根据应用需求，做成反射式或透射式两种，基底可以是柔性的聚酰亚胺、PET或F46，也可以是刚性的透明玻璃如石英玻璃或掺铈玻璃。利用磁控溅射技术在基底上沉积一层200nm～300nm厚的金属作为高反射率电极层，一般为Ag或Al，可做成反射式电致变色薄膜，在基底上沉积透明导电层，如ITO或ZAO可做成透射式电致变色薄膜。在导电电极层上依次沉积电致变色薄膜各膜层，最后在薄膜的截面处沉积透明保护层，保护层材料基本要求为不导电且光学透过率高，优选具有良好耐空间辐照性能和耐地面环境性能的SiO2，SiO2是对可见光透明的介质材料，具有较高的光学透过率，起保护和阻隔作用的同时不会对薄膜的光学属性造成影响。
附图说明
图1为本发明所述的一种性能稳定的电致变色薄膜的膜系结构；
图2为本发明所述的一种性能稳定的电致变色薄膜循环试验下反射率变化曲线；
图3为本发明所述的一种性能稳定的电致变色薄膜湿热试验下反射率变化曲线。
具体实施方式
下面结合具体实施方式对本发明进行详细说明。
实施例1
一种性能稳定的电致变色薄膜的制备方法，所述方法步骤如下：
(1)基底采用厚度为125μm的柔性聚酰亚胺薄膜，将基底安装到夹具上装入到干净的真空溅射室中，真空溅射室内本底真空度小于3×10-3Pa，溅射气压为1Pa；
(2)采用卷对卷磁控溅射的方式，在聚酰亚胺薄膜基底上沉积铝膜，厚度为200nm。采用高纯铝(99.9％)靶做靶材，氩气为工作气体，氩气流量100sccm，走带速度0.3m/min，工作功率为10000W。
(3)采用反应溅射方法制备NiOx薄膜：具有磁性的金属镍靶做靶材，溅射功率90W，采用Ar和O2混合气体为工作气体，氧气压强占比30％，溅射气压3Pa，沉积温度室温，沉积速率30nm/min。薄膜厚度为200-300nm。
(4)采用直流反应磁控溅射工艺制备Ta2O5薄膜：纯金属钽为靶材(99.9％)，靶与基片间距为15cm，本底真空度低于1.0×10-6Torr，在薄膜沉积过程中，基片架以10r/min的速率转动，溅射功率150W，采用Ar和O2混合气体为工作气体，氧气压强占比40％，溅射气压0.3Pa，沉积温度300℃，沉积速率20nm/min。Ta2O5薄膜的厚度为200nm。
(5)采用射频溅射制备LiTaO3薄膜，靶材采用单晶LiTaO3靶。采用Ar和O2混合气体为工作气体，氧气压强占比10％，溅射气压为0.5Pa，溅射功率为200W。LiTaO3薄膜厚度为250nm。
(6)采用直流反应磁控溅射工艺制备Ta2O5薄膜，纯金属钽为靶材(99.9％)，靶与基片间距为15cm，本底真空度低于1.0×10-6Torr，在薄膜沉积过程中，基片架以10r/min的速率转动，溅射功率150W，采用Ar和O2混合气体为工作气体，氧气压强占比40％，溅射气压0.3Pa，沉积温度300℃，沉积速率20nm/min。Ta2O5薄膜的厚度为200nm。
(7)采用直流反应溅射的方法制备WO3薄膜：纯钨靶作为溅射靶材，溅射功率200W，采用Ar和O2混合气体为工作气体，氧气压强占比20％，工作压力0.6Pa，沉积温度300℃，沉积速率30nm/min。薄膜厚度为350nm。
(8)采用射频磁控溅射方法制备ITO薄膜：ITO所用靶材为ITO陶瓷靶，溅射功率300W，沉积速率20nm/min。薄膜厚度约为80nm。
(9)薄膜膜系镀制完后，将薄膜膜系的边缘进行切割，露出膜系的截面后，采用固定工装将薄膜膜系覆盖，在膜系的截面边缘进行SiO2的沉积：先用离子清洗源清洗基片，清洗源的工作气体为氩气，通入氩气后真空室的气压为2×10-2Pa，清洗源工作的离子能量为300eV，放电电流为80mA，清洗时间为3min。清洗完成后进行脉冲反应磁控溅射，溅射靶材为单晶硅靶，工作气体为氩气，反应气体为氧气，氧气含量为80％，脉冲频率15KHz，SiO2薄膜覆盖的厚度100nm，沉积时间6min，得到一种性能稳定的电致变色薄膜。
所述薄膜的膜系结构，如图1所示，由下到上依次包括基底、导电电极、离子储存层、过渡层、电解质层、过渡层、电致变色层和透明导电层，膜系的截面为透明保护层。
用SSR-AR太阳光谱反射/透射计测试电致变色薄膜着色态和褪色态在200nm-2500nm光谱范围内的平均反射率，经测试，电致变色薄膜的着/褪色态反射率变化量的值为0.46。
对比例1
一种性能稳定的电致变色薄膜的制备方法，所述方法步骤如下：
(1)基底采用厚度为125μm的柔性聚酰亚胺薄膜，将基底安装到夹具上装入到干净的真空溅射室中，真空溅射室内本底真空度为3×10-3Pa，溅射气压为1Pa；
(2)采用卷对卷磁控溅射的方式，在聚酰亚胺薄膜基底上沉积铝膜，厚度为200nm。采用高纯铝(99.9％)靶做靶材，氩气为工作气体，氩气流量100sccm，走带速度0.3m/min，工作功率为10000W。
(3)采用反应溅射方法制备NiOx薄膜：具有磁性的金属镍靶做靶材，溅射功率90W，采用Ar和O2混合气体为工作气体，氧气压强占比30％，溅射气压3Pa，沉积温度室温，沉积速率30nm/min。薄膜厚度为200-300nm。
(4)采用射频溅射制备LiTaO3薄膜，靶材采用单晶LiTaO3靶。采用Ar和O2混合气体为工作气体，氧气压强占比10％，溅射气压为0.5Pa，溅射功率为200W。LiTaO3薄膜厚度为250nm。
(5)采用直流反应溅射的方法制备WO3薄膜：纯钨靶作为溅射靶材，溅射功率200W，采用Ar和O2混合气体为工作气体，氧气压强占比20％，工作压力0.6Pa，沉积温度300℃，沉积速率30nm/min。薄膜厚度为350nm。
(6)采用射频磁控溅射方法制备ITO薄膜：ITO所用靶材为ITO陶瓷靶，溅射功率300W，沉积速率20nm/min。薄膜厚度为80nm，得到一种电致变色薄膜。
对实施例1和对比例1所述的电致变色薄膜进行变色循环试验和湿热试验(温度40℃，湿度70％RH)，分析电致变色薄膜的循环稳定性和环境稳定性。循环试验结果如图2所示，实施例1所述的电致变色薄膜经过3000次循环后，仍具有较高的反射率变化量(0.44)，比对比例1所述的电致变色薄膜(反射率变化量为0.39)循环稳定性有了较大提高；湿热试验如图3所示，在湿热环境进行加速寿命试验后，实施例1所述的电致变色薄膜在温度40℃，湿度70％RH的环境放置20天后，反射率变化量仍然为0.40，而对比例1所述的电致变色薄膜在湿热环境中放置20天后，电致变色性能下降较大。
综上所述，以上仅为本发明的较佳实施例而已，并非用于限定本发明的保护范围。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种性能稳定的电致变色薄膜，其特征在于：所述薄膜的膜系结构由下到上依次包括基底、导电电极、离子储存层、过渡层、电解质层、过渡层、电致变色层和透明导电层，膜系的截面为透明保护层；
其中，导电电极厚度为200nm～300nm；
离子储存层为镍的氧化物；厚度为200nm～300nm；
电解质层为LiTaO3、LiPO4或LiNbO3；厚度为200nm～300nm；
电致变色层为WO3；厚度为300nm～400nm；
透明导电层为ITO或ZAO；厚度为80nm～100nm；
过渡层为钽的氧化物；厚度为200～250nm。
透明保护层为SiO2；厚度为100nm～300nm。
2.如权利要求1所述的一种性能稳定的电致变色薄膜，其特征在于：所述过渡层为Ta2O5。
3.如权利要求1所述的一种性能稳定的电致变色薄膜，其特征在于：过渡层厚度为200nm。
4.如权利要求1所述的一种性能稳定的电致变色薄膜，其特征在于：所述基底为聚酰亚胺、PET、F46、石英玻璃或掺铈玻璃。
5.如权利要求1所述的一种性能稳定的电致变色薄膜，其特征在于：所述导电电极为ITO、ZAO、Ag或Al。
6.如权利要求1所述的一种性能稳定的电致变色薄膜，其特征在于：所述离子储存层为NiO和Ni2O3的混合物。
7.一种如权利要求1～6任意一项所述的性能稳定的电致变色薄膜的制备方法，其特征在于：所述方法步骤如下：
(1)将基底安装到夹具上装入到干净的真空溅射室中，真空溅射室内本底真空度小于3×10-3Pa，溅射气压为l Pa；
(2)采用卷对卷磁控溅射法制备导电电极：在基底上沉积导电电极，氩气为工作气体，氩气流量100sccm，走带速度0.3m/min，工作功率为10000W；
(3)采用反应溅射法来制备离子储存层：靶材为具有磁性的金属镍，溅射功率90W，采用氩气和氧气混合气体为工作气体，氧气压强占比30％，溅射气压3Pa，沉积温度为室温，沉积速率30nm/min；
(4)采用直流反应磁控溅射法制备过渡层：纯金属钽为靶材，纯度为99.9％，靶与基片间距约15cm，本底真空度低于1.0×10-6Torr，在薄膜沉积过程中，基片架以10r/min的速率转动，溅射功率150W，采用Ar和O2混合气体为工作气体，氧气压强占比40％，溅射气压0.3Pa，沉积温度300℃，沉积速率20nm/min；
(5)采用射频溅射法制备电解质层：靶材采用单晶LiTaO3、LiPO4或LiNbO3，采用氩气和氧气混合气体为工作气体，氧气压强占比10％，溅射气压为0.5Pa，溅射功率为200W；
(6)采用直流反应磁控溅射法制备过渡层：纯金属钽为靶材，纯度为99.9％，靶与基片间距约15cm，本底真空度低于1.0×10-6Torr，在薄膜沉积过程中，基片架以10r/min的速率转动，溅射功率150W，采用氩气和氧气混合气体为工作气体，氧气压强占比40％，溅射气压0.3Pa，沉积温度300℃，沉积速率20nm/min；
(7)采用直流反应溅射法制备电致变色层：纯钨靶作为溅射靶材，溅射功率200W，采用氩气和氧气混合气体为工作气体，氧气压强占比20％，工作压力0.6Pa，沉积温度300℃，沉积速率30nm/min；
(8)采用的是射频磁控溅射方法制备导电电极：当导电电极为ITO时，所用靶材为ITO陶瓷，溅射功率300W，沉积速率30nm/min；当导电电极为ZAO时，采用氩气和氧气混合气体为工作气体，氧气压强占比20％，沉积温度为室温；靶材掺铝氧化锌，ZnO与Al的质量比为99.2:0.8，溅射功率为100W，沉积速率30nm/min；完成薄膜膜系的制备；
(9)薄膜膜系镀制完后，将薄膜膜系的边缘进行切割，露出膜系的截面后，采用固定工装将薄膜膜系覆盖，在膜系的截面边缘进行SiO2的沉积：先用离子清洗源清洗基片，清洗源的工作气体为氩气，通入氩气后真空室的气压为2×10-2Pa，清洗源工作的离子能量为300eV，放电电流为80mA，清洗时间为3min；清洗完成后进行脉冲反应磁控溅射，溅射靶材为单晶硅，工作气体为氩气，反应气体为氧气，氧气含量为80％，脉冲频率15KHz，沉积时间6min，得到所述一种性能稳定的电致变色薄膜。
8.如权利要求7所述的一种性能稳定的电致变色薄膜的制备方法，其特征在于：当导电电极为ITO时，所用靶材为ITO陶瓷；当导电电极为ZAO时，靶材掺铝氧化锌，ZnO与Al的质量比为99.2:0.8；当导电电极为Ag，靶材为高纯银，纯度为99.9％；当导电电极为Al，靶材为高纯铝，纯度为99.9％。
CN201711414721.7A 2017-12-25 2017-12-25 一种性能稳定的电致变色薄膜及其制备方法 Pending CN108037628A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201711414721.7A CN108037628A (zh) 2017-12-25 2017-12-25 一种性能稳定的电致变色薄膜及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201711414721.7A CN108037628A (zh) 2017-12-25 2017-12-25 一种性能稳定的电致变色薄膜及其制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN108037628A true CN108037628A (zh) 2018-05-15

Family

ID=62100754

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201711414721.7A Pending CN108037628A (zh) 2017-12-25 2017-12-25 一种性能稳定的电致变色薄膜及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN108037628A (zh)

Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109031838A (zh) * 2018-07-13 2018-12-18 江西沃格光电股份有限公司 电致变色玻璃及其制备方法
CN109402561A (zh) * 2018-12-13 2019-03-01 厦门大学 一种在非连续导电膜上电沉积wo3薄膜的方法
CN109709737A (zh) * 2019-02-27 2019-05-03 暨南大学 一种新型电致变色薄膜的制作方法
CN110398867A (zh) * 2018-09-06 2019-11-01 南通繁华新材料科技有限公司 一种电致变色器件及其制备方法
CN110646997A (zh) * 2019-09-29 2020-01-03 中北大学 一种全无机固态电致变色器件及其制备方法
CN110658660A (zh) * 2019-10-16 2020-01-07 暨南大学 基于多层功能薄膜的电致变色器件及其制备方法
CN111427212A (zh) * 2020-03-27 2020-07-17 李湘裔 多层电致变色功能薄膜器件及制备方法
CN111624829A (zh) * 2019-02-27 2020-09-04 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 多彩电致变色结构、其制备方法及应用
CN111690905A (zh) * 2020-06-24 2020-09-22 哈尔滨工业大学 一种多刺激响应型瞬时强光防护复合薄膜及其制备方法
CN112210754A (zh) * 2020-08-31 2021-01-12 基迈克材料科技（苏州）有限公司 电致变色膜系的制备方法及电致变色器件的制备方法
CN112285982A (zh) * 2020-11-06 2021-01-29 哈尔滨工业大学 一种以硅酸铝锂为电解质层的全固态电致变色器件及其制备方法
CN112394580A (zh) * 2020-09-16 2021-02-23 江苏繁华玻璃股份有限公司 一种全固态快速响应电致变色器件及其制备方法
CN112596318A (zh) * 2020-12-14 2021-04-02 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司 一种电致变色智能玻璃复合薄膜及其制备方法
CN112764286A (zh) * 2021-01-29 2021-05-07 哈尔滨工业大学 一种智能调控红外发射率的热控器件及其制备方法
CN113219752A (zh) * 2020-01-20 2021-08-06 传奇视界有限公司 变色玻璃及其制备方法
CN113862614A (zh) * 2021-10-08 2021-12-31 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 一种电致变色膜层结构及其制备方法与应用
CN114035389A (zh) * 2021-11-08 2022-02-11 浙江大学 可抑制自褪色/自着色并扩展电位窗口的电致变色薄膜结构、电致变色器件
CN114456551A (zh) * 2021-12-21 2022-05-10 吴国辉 一种复合nio与聚丁二酸丁二醇酯可降解薄膜及其制作方法
CN115718392A (zh) * 2022-11-04 2023-02-28 北京航空材料研究院股份有限公司 一种电致变色器件及其制备方法
CN116430629A (zh) * 2023-03-27 2023-07-14 深圳谱晶科技有限公司 夹层玻璃
CN117192858A (zh) * 2023-09-05 2023-12-08 兰州空间技术物理研究所 一种宽范围光谱可调节器件的膜系结构及其制备方法

Citations (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000017701A2 (en) * 1998-09-22 2000-03-30 Andris Azens Electrochromic device comprising tandem layers of cathodic/anodic materials
US20070076286A1 (en) * 2005-09-23 2007-04-05 Yungeun Sung Electrochromic device comprising protective inorganic solid electrolyte film and manufacturing method thereof
CN101563648A (zh) * 2006-12-19 2009-10-21 皇家飞利浦电子股份有限公司 电致变色设备和包括该电致变色设备的光动力治疗设备
CN201464764U (zh) * 2009-08-06 2010-05-12 魏林 一种碳纳米管、聚苯胺复合材料薄膜的电致变色器件
CN102346343A (zh) * 2010-08-03 2012-02-08 株式会社理光 电致变色显示装置、其制造方法以及其驱动方法
CN105022176A (zh) * 2015-09-02 2015-11-04 福建师范大学 一种电致变色器件
CN105278198A (zh) * 2015-11-17 2016-01-27 崔玉柱 互补型无机全固态电致变色器件及其制备方法
CN105607377A (zh) * 2016-04-01 2016-05-25 京东方科技集团股份有限公司 掩模板及其制作方法、使用方法以及包括该掩模板的设备
CN105633282A (zh) * 2016-03-08 2016-06-01 中国计量学院 一种带有电致变色薄膜的光敏有机场效应晶体管
WO2016134010A1 (en) * 2015-02-19 2016-08-25 Heliotrope Technologies, Inc. Methods of Charging Solid State Plasmonic Electrochromic Smart Window Devices
CN205723635U (zh) * 2016-03-08 2016-11-23 中国计量学院 一种带有电致变色薄膜的光敏有机场效应晶体管
CN106154670A (zh) * 2014-12-16 2016-11-23 明兴光电股份有限公司 触控镜面结构
CN106154671A (zh) * 2014-12-16 2016-11-23 明兴光电股份有限公司 镜面结构
CN106662788A (zh) * 2014-06-17 2017-05-10 Sage电致变色显示有限公司 防潮电致变色装置
CN107390445A (zh) * 2017-06-22 2017-11-24 上海申视汽车新技术有限公司 一种全固体电致变色器件及其制备方法
CN107422565A (zh) * 2017-09-12 2017-12-01 北京亦庄材料基因研究院有限公司 电致变色器件及其制作方法
CN105143316B (zh) * 2013-06-27 2018-03-02 第一毛织株式会社 可光致固化组合物和包括其的封装器件

Patent Citations (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000017701A2 (en) * 1998-09-22 2000-03-30 Andris Azens Electrochromic device comprising tandem layers of cathodic/anodic materials
US20070076286A1 (en) * 2005-09-23 2007-04-05 Yungeun Sung Electrochromic device comprising protective inorganic solid electrolyte film and manufacturing method thereof
CN101563648A (zh) * 2006-12-19 2009-10-21 皇家飞利浦电子股份有限公司 电致变色设备和包括该电致变色设备的光动力治疗设备
CN201464764U (zh) * 2009-08-06 2010-05-12 魏林 一种碳纳米管、聚苯胺复合材料薄膜的电致变色器件
CN102346343A (zh) * 2010-08-03 2012-02-08 株式会社理光 电致变色显示装置、其制造方法以及其驱动方法
CN105143316B (zh) * 2013-06-27 2018-03-02 第一毛织株式会社 可光致固化组合物和包括其的封装器件
CN106662788A (zh) * 2014-06-17 2017-05-10 Sage电致变色显示有限公司 防潮电致变色装置
CN106154671A (zh) * 2014-12-16 2016-11-23 明兴光电股份有限公司 镜面结构
CN106154670A (zh) * 2014-12-16 2016-11-23 明兴光电股份有限公司 触控镜面结构
WO2016134010A1 (en) * 2015-02-19 2016-08-25 Heliotrope Technologies, Inc. Methods of Charging Solid State Plasmonic Electrochromic Smart Window Devices
CN105022176A (zh) * 2015-09-02 2015-11-04 福建师范大学 一种电致变色器件
CN105278198A (zh) * 2015-11-17 2016-01-27 崔玉柱 互补型无机全固态电致变色器件及其制备方法
CN105633282A (zh) * 2016-03-08 2016-06-01 中国计量学院 一种带有电致变色薄膜的光敏有机场效应晶体管
CN205723635U (zh) * 2016-03-08 2016-11-23 中国计量学院 一种带有电致变色薄膜的光敏有机场效应晶体管
CN105607377A (zh) * 2016-04-01 2016-05-25 京东方科技集团股份有限公司 掩模板及其制作方法、使用方法以及包括该掩模板的设备
CN107390445A (zh) * 2017-06-22 2017-11-24 上海申视汽车新技术有限公司 一种全固体电致变色器件及其制备方法
CN107422565A (zh) * 2017-09-12 2017-12-01 北京亦庄材料基因研究院有限公司 电致变色器件及其制作方法

Cited By (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109031838B (zh) * 2018-07-13 2021-11-05 江西沃格光电股份有限公司 电致变色玻璃及其制备方法
CN109031838A (zh) * 2018-07-13 2018-12-18 江西沃格光电股份有限公司 电致变色玻璃及其制备方法
CN110398867A (zh) * 2018-09-06 2019-11-01 南通繁华新材料科技有限公司 一种电致变色器件及其制备方法
CN110398867B (zh) * 2018-09-06 2022-08-12 南通繁华新材料科技有限公司 一种电致变色器件及其制备方法
CN109402561A (zh) * 2018-12-13 2019-03-01 厦门大学 一种在非连续导电膜上电沉积wo3薄膜的方法
CN109709737A (zh) * 2019-02-27 2019-05-03 暨南大学 一种新型电致变色薄膜的制作方法
CN111624829A (zh) * 2019-02-27 2020-09-04 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 多彩电致变色结构、其制备方法及应用
CN111624829B (zh) * 2019-02-27 2022-10-18 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 多彩电致变色结构、其制备方法及应用
CN110646997A (zh) * 2019-09-29 2020-01-03 中北大学 一种全无机固态电致变色器件及其制备方法
CN110646997B (zh) * 2019-09-29 2022-07-08 中北大学 一种全无机固态电致变色器件及其制备方法
CN110658660B (zh) * 2019-10-16 2022-02-18 暨南大学 基于多层功能薄膜的电致变色器件及其制备方法
CN110658660A (zh) * 2019-10-16 2020-01-07 暨南大学 基于多层功能薄膜的电致变色器件及其制备方法
CN113219752A (zh) * 2020-01-20 2021-08-06 传奇视界有限公司 变色玻璃及其制备方法
CN111427212A (zh) * 2020-03-27 2020-07-17 李湘裔 多层电致变色功能薄膜器件及制备方法
CN111427212B (zh) * 2020-03-27 2024-02-20 李湘裔 多层电致变色功能薄膜器件及制备方法
CN111690905A (zh) * 2020-06-24 2020-09-22 哈尔滨工业大学 一种多刺激响应型瞬时强光防护复合薄膜及其制备方法
CN111690905B (zh) * 2020-06-24 2022-04-12 哈尔滨工业大学 一种多刺激响应型瞬时强光防护复合薄膜及其制备方法
CN112210754B (zh) * 2020-08-31 2022-12-06 基迈克材料科技（苏州）有限公司 电致变色膜系的制备方法及电致变色器件的制备方法
CN112210754A (zh) * 2020-08-31 2021-01-12 基迈克材料科技（苏州）有限公司 电致变色膜系的制备方法及电致变色器件的制备方法
CN112394580B (zh) * 2020-09-16 2023-12-01 江苏繁华应材科技股份有限公司 一种全固态快速响应电致变色器件及其制备方法
CN112394580A (zh) * 2020-09-16 2021-02-23 江苏繁华玻璃股份有限公司 一种全固态快速响应电致变色器件及其制备方法
CN112285982A (zh) * 2020-11-06 2021-01-29 哈尔滨工业大学 一种以硅酸铝锂为电解质层的全固态电致变色器件及其制备方法
CN112596318A (zh) * 2020-12-14 2021-04-02 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司 一种电致变色智能玻璃复合薄膜及其制备方法
CN112596318B (zh) * 2020-12-14 2022-09-20 中建材玻璃新材料研究院集团有限公司 一种电致变色智能玻璃复合薄膜及其制备方法
CN112764286A (zh) * 2021-01-29 2021-05-07 哈尔滨工业大学 一种智能调控红外发射率的热控器件及其制备方法
CN113862614A (zh) * 2021-10-08 2021-12-31 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 一种电致变色膜层结构及其制备方法与应用
CN114035389A (zh) * 2021-11-08 2022-02-11 浙江大学 可抑制自褪色/自着色并扩展电位窗口的电致变色薄膜结构、电致变色器件
CN114035389B (zh) * 2021-11-08 2022-11-29 浙江大学 可抑制自褪色/自着色并扩展电位窗口的电致变色薄膜结构、电致变色器件
CN114456551A (zh) * 2021-12-21 2022-05-10 吴国辉 一种复合nio与聚丁二酸丁二醇酯可降解薄膜及其制作方法
CN115718392A (zh) * 2022-11-04 2023-02-28 北京航空材料研究院股份有限公司 一种电致变色器件及其制备方法
CN116430629A (zh) * 2023-03-27 2023-07-14 深圳谱晶科技有限公司 夹层玻璃
CN117192858A (zh) * 2023-09-05 2023-12-08 兰州空间技术物理研究所 一种宽范围光谱可调节器件的膜系结构及其制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108037628A (zh) 一种性能稳定的电致变色薄膜及其制备方法
CN101465172A (zh) 复合结构透明导电膜及其制备方法
CN108254989B (zh) 全固态电致变色窗和固态电致变色镜及其制备方法
CN107632479A (zh) 一种改进型电致变色汽车后视镜镜片
JPH05334924A (ja) 透明導電薄膜の製造法
CN110095911B (zh) 一种电致变色器件的制备方法
CN108803183A (zh) 一种双层全无机电致变色器件及其制备方法
CN101841003B (zh) 双层结构深紫外透明导电膜及其制备方法
CN109461518A (zh) 一种透明导电膜及其制备方法
CN108803184A (zh) 一种夹胶电致变色器件及其制备方法
Al-Kuhaili Transparent-conductive and infrared-shielding WO3/Ag/WO3 multilayer heterostructures
CN201817409U (zh) 可异地加工且可钢化的低辐射玻璃
Skowronski et al. TiO2-based decorative interference coatings produced at industrial conditions
CN109298578A (zh) 一种复合型电致变色玻璃及其加工方法
CN105489270B (zh) 一种夹层结构透明导电薄膜及其制备方法
CN209281907U (zh) 一种透明导电膜
BR112018010447B1 (pt) Processo e planta para obtenção de vidros coloridos
Houska Toward colorless smart windows
TW201812099A (zh) 電致變色元件及其製造方法
CN103818046B (zh) 一种具有高透过率的低辐射玻璃及其制备方法
CN111362588A (zh) 一种具有防紫外线功能的ar玻璃及其生产工艺
CN103177800B (zh) 一种高透过率透明导电薄膜及其制备方法
JPH0668713A (ja) 透明導電膜
KR101145362B1 (ko) 투명전극용 기판의 제조방법
CN110441970A (zh) 一种柔性电致变色器及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20180515

RJ01 Rejection of invention patent application after publication