CN107958782A - 层叠陶瓷电容器及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种即使侧边缘部的厚度薄也能够确保耐湿性的层叠陶瓷电容器及其制造方法。层叠陶瓷电容器包括层叠部和侧边缘部。层叠部具有在第1方向上层叠的多个陶瓷层和配置在多个陶瓷层之间的多个内部电极。侧边缘部从与第1方向正交的第2方向覆盖层叠部，并且孔隙率为1％以下。

Description

层叠陶瓷电容器及其制造方法

技术领域

本发明涉及添加有侧边缘部的层叠陶瓷电容器及其制造方法。

背景技术

近年来，伴随电子设备的小型化和高性能化，对于电子设备中使用的层叠陶瓷电容器的小型化和大电容化等期望逐渐增强。为了响应该期望，将层叠陶瓷电容器的内部电极的交叉面积尽可能增大是有效的。

例如，专利文献1和2中记载了如下方法：在使内部电极露出于侧面的层叠芯片上添加用于确保内部电极的周围的绝缘性的侧边缘部而形成。由此，能够使侧边缘部较薄，能够相对地得到较大的内部电极的交叉面积。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2012-191159号公报

专利文献2：日本特开2014-204116号公报

发明内容

发明要解决的课题

但是，在层叠芯片的侧面添加侧边缘部的方法中，当侧边缘部的厚度薄时，水分等容易经由厚度薄的侧边缘部从外界侵入层叠芯片。因此，层叠陶瓷电容器的耐湿性有可能降低。

鉴于以上那样的情况，本发明的目的在于提供一种即使侧边缘部的厚度薄也能够确保耐湿性的层叠陶瓷电容器及其制造方法。

用于解决课题的方法

为了达成上述目的，本发明的一个方式的层叠陶瓷电容器具备层叠部和侧边缘部。

上述层叠部具有在第1方向上层叠的多个陶瓷层和配置在上述多个陶瓷层之间的多个内部电极。

上述侧边缘部从与上述第1方向正交的第2方向覆盖上述层叠部，并且孔隙率为1％以下。

该结构中，侧边缘部的孔隙率为1％以下。由此，侧边缘部的致密性变高，所以即使侧边缘部的厚度薄，水分等难以经由侧边缘部从外界侵入层叠部。

因此，根据本发明，能够制造即使侧边缘部的厚度薄也能够确保耐湿性的层叠陶瓷电容器。

上述侧边缘部的上述第2方向的尺寸可以为5μm以上。

由此，能够提高层叠陶瓷电容器的耐湿性。

上述多个内部电极可以具有与上述侧边缘部相邻且上述第2方向的尺寸为0.4μm以上的氧化区域。

通过使氧化区域的第2方向的尺寸为0.4μm以上，能够抑制层叠陶瓷电容器的内部电极间的短路不良和IR不良。

上述侧边缘部的上述第2方向的尺寸可以为15μm以下。

由此，能够确保层叠陶瓷电容器的耐湿性。

上述侧边缘部的上述第2方向的尺寸可以为10μm以下。

由此，通过使用光学显微镜等，不破坏层叠陶瓷电容器就能够检测出侧边缘部是否从层叠部剥离。

上述层叠部具有上述第1方向的尺寸为上述侧边缘部的上述第2方向的尺寸以上的覆盖部。

由此，水分等变得难以从外界侵入层叠部，所以能够抑制层叠陶瓷电容器的耐湿性的降低。

本发明的一个方式的层叠陶瓷电容器的制造方法，包括：制作未烧制的层叠芯片的步骤，上述未烧制的层叠芯片包括：电容形成部，其具有在第1方向层叠的多个陶瓷层和配置在上述多个陶瓷层之间的多个内部电极；和覆盖部，其由绝缘性陶瓷构成，从上述第1方向覆盖上述电容形成部，

通过用绝缘性陶瓷构成的侧边缘部从与上述第1方向正交的第2方向覆盖上述层叠芯片，来制作未烧制的主体的步骤，

通过烧制上述未烧制的主体，制作烧制后的上述侧边缘部的孔隙率为1％以下的主体的步骤。

该结构中，烧制后的侧边缘部的孔隙率为1％以下。由此，烧制后的侧边缘部的致密性提高，所以即使侧边缘部的厚度薄，水分等也难以经由侧边缘部从外界侵入电容形成部。因此，根据上述制造方法，能够制造即使侧边缘部的厚度薄也能够确保耐湿性的层叠陶瓷电容器。

上述覆盖部的上述第1方向的尺寸可以为上述侧边缘部的上述第2方向的尺寸以上。

由此，水分等变得难以从外界侵入层叠芯片，能够抑制层叠陶瓷电容器的耐湿性的降低。

上述侧边缘部的上述第2方向的尺寸可以为20μm以下。

由此，在未烧制的主体的烧制时，容易经由侧边缘部向内部电极供给氧，在内部电极的端部良好地形成氧化区域。

因此，即使在制造过程中，在内部电极的端部露出了的层叠芯片的侧面附着了异物等，也能够抑制内部电极彼此经由烧制后的主体的侧面中的异物等的导通。由此，内部电极间的短路不良和IR不良等被有效抑制。

可以通过上述层叠芯片冲裁以绝缘性陶瓷为主成分的侧边缘片，用上述侧边缘部覆盖上述未烧制的主体。

可以对上述未烧制的主体实施流体静压加压。

可以对上述未烧制的主体实施脱粘合剂处理，在实施了脱粘合剂处理的上述侧边缘部沉积陶瓷。

可以在实施了脱粘合剂处理的上述侧边缘部喷涂陶瓷的粉体。

可以在实施了脱粘合剂处理的上述侧边缘部溅射陶瓷。

可以在实施了脱粘合剂处理的上述侧边缘部真空蒸镀陶瓷。

发明效果

能够提供一种即使侧边缘部的厚度薄也能够确保耐湿性的层叠陶瓷电容器及其制造方法。

附图说明

图1是本发明的一个实施方式的层叠陶瓷电容器的立体图。

图2是上述层叠陶瓷电容器的沿图1的A-A'线的截面图。

图3是上述层叠陶瓷电容器的沿图1的B-B'线的截面图。

图4是将上述层叠陶瓷电容器的图3的区域P放大表示的示意图。

图5是表示上述层叠陶瓷电容器的制造方法的流程图。

图6是表示上述层叠陶瓷电容器的制造过程的平面图。

图7是表示上述层叠陶瓷电容器的制造过程的立体图。

图8是表示上述层叠陶瓷电容器的制造过程的平面图。

图9是表示上述层叠陶瓷电容器的制造过程的截面图。

图10是表示上述层叠陶瓷电容器的制造过程的立体图。

图11是表示上述层叠陶瓷电容器的制造过程的示意图。

图12是表示上述层叠陶瓷电容器的制造过程的示意图。

图13是表示上述层叠陶瓷电容器的制造过程的示意图。

图14是表示上述层叠陶瓷电容器的制造过程的立体图。

图15是现有的层叠陶瓷电容器的主体的侧视图。

图16是表示上述层叠陶瓷电容器的制造过程的放大截面图。

图17是表示本发明的实施例的层叠陶瓷电容器的评价结果的曲线图。

图18是表示上述层叠陶瓷电容器的评价结果的曲线图。

附图标记说明

10…层叠陶瓷电容器

11…主体

12…第1内部电极

13…第2内部电极

14…第1外部电极

15…第2外部电极

16…层叠部

17…侧边缘部

18…电容形成部

19…覆盖部

111…未烧制的主体

116…未烧制的层叠芯片

E…氧化区域

具体实施方式

以下参照附图对本发明实施方式进行说明。

在图中，适当地表示彼此正交的X轴、Y轴和Z轴。X轴、Y轴和Z轴在所有图中是共通的。

1.层叠陶瓷电容器10的整体结构

图1～3是表示本发明的一个实施方式的层叠陶瓷电容器10的图。图1是层叠陶瓷电容器10的立体图。图2是层叠陶瓷电容器10的沿图1的A-A’线的截面图。图3是层叠陶瓷电容器10的沿图1的B-B’线的截面图。

层叠陶瓷电容器10具备主体11、第1外部电极14和第2外部电极15。

主体11典型的是具有朝向Y轴方向的2个侧面和朝向Z轴方向的2个主面。连接主体11的各面的棱部被倒角。另外，主体11的形状并不限定于这样的形状。例如，主体11的各面也可以为曲面，主体11还可以作为整体为带圆角的形状。

第1和第2外部电极14、15覆盖主体11的X轴方向两端面，延伸到与X轴方向两端面连接的4个面。由此，在第1和第2外部电极14、15的任一电极中，与X-Z平面平行的截面和与X-Y轴平行的截面的形状均呈U字形。

主体11具有层叠部16和侧边缘部17。

层叠部16具有沿X-Y平面延伸的平板状的多个陶瓷层在Z轴方向上层叠的结构。

层叠部16具有电容形成部18和覆盖部19。

电容形成部18具有多个第1内部电极12和多个第2内部电极13。第1和第2内部电极12、13在多个陶瓷层之间沿Z轴方向交替地配置。第1内部电极12与第1外部电极14连接，与第2外部电极15绝缘。第2内部电极13与第2外部电极15连接，与第1外部电极14绝缘。

第1和第2内部电极12、13分别由导电性材料构成，作为层叠陶瓷电容器10的内部电极发挥作用。作为该导电性材料，能够使用包含例如镍(Ni)、铜(Cu)、钯(Pd)、铂(Pt)、银(Ag)、金(Au)、或者它们的合金的金属材料，典型的是是采用以镍(Ni)为主成分的金属材料。

电容形成部18由陶瓷形成。在电容形成部18，为了使第1内部电极12与第2内部电极13之间的各陶瓷层的电容大，使用高介电常数的材料作为构成陶瓷层的材料。作为构成电容形成部18的材料，例如能够使用钛酸钡(BaTiO₃)类材料的多晶体，即含有钡(Ba)和钛(Ti)的钙钛矿结构的多晶体。

此外，构成电容形成部18的材料除了钛酸钡(BaTiO₃)类以外还可以为钛酸锶(SrTiO₃)类、钛酸钙(CaTiO₃)类、钛酸镁(MgTiO₃)类、锆酸钙(CaZrO₃)类、钛酸锆酸钙(Ca(Zr,Ti)O₃)类、锆酸钡(BaZrO₃)类或氧化钛(TiO₂)类材料等多晶体。

覆盖部19是沿X-Y平面延伸的平板状，分别覆盖电容形成部18的Z轴方向上下表面。在覆盖部19没有设置第1和第2内部电极12、13。

如图3所示，侧边缘部17形成在电容形成部18和覆盖部19的朝向Y轴方向的两侧面S1、S2。

这样，在主体11，电容形成部18的设置有第1和第2外部电极14、15的X轴方向两端面以外的面被侧边缘部17和覆盖部19覆盖。侧边缘部17和覆盖部19主要保护电容形成部18的周围，具有确保第1和第2内部电极12、13的绝缘性的功能。

侧边缘部17和覆盖部19也由陶瓷形成。形成侧边缘部17和覆盖部19的陶瓷，优选为以与电容形成部18同种的组成系为主相的电介质的多晶体。由此，能够抑制主体11的内部应力。

侧边缘部17的孔隙率为1％以下。由此，构成侧边缘部17的陶瓷的致密性变高，所以水分经由侧边缘部17从外界侵入电容形成部18变得困难。由此，能够确保层叠陶瓷电容器10的耐湿性。

而且，侧边缘部17的孔隙率为1％以下，所以侧边缘部17具有对物理冲击的较高的刚性。由此，层叠陶瓷电容器10对从外界施加的物理冲击的刚性也提高。

其中，本实施方式的孔隙率通过例如以下的过程计算。首先，用SEM(ScanningElectron Microscope：扫描电子显微镜)以规定的倍率拍摄侧边缘部17的截面。接着，选择多个拍摄了侧边缘部17的截面而得的图像中拍摄到的孔隙来测量孔隙的截面积，计算其平均值。然后，计算该平均值相对于所拍摄的侧边缘部17的截面积的比例。

本实施方式中，优选减小侧边缘部17的Y轴方向的尺寸D1。通过减小尺寸D1，能够尽可能增大内部电极12、13的交叉面积，能够增大层叠陶瓷电容器10的电容。

但是，出于确保层叠陶瓷电容器10的耐湿性的观点，优选尺寸D1为5μm以上。

另外，本实施方式中，侧边缘部17的尺寸D1优选为10μm以下。由此，在层叠部16与侧边缘部17之间存着间隙的情况下，能够通过用光学显微镜等观察侧边缘部17的表面来检测该间隙。

因此，不用观察层叠陶瓷电容器10的截面就能够检测层叠部16与侧边缘部17之间的间隙。

即，通过使用光学显微镜等，不破坏层叠陶瓷电容器10，就能够检测侧边缘部17是否从层叠部16剥离。

本实施方式的侧边缘部17、电容形成部18和覆盖部19，除了钡(Ba)和钛(Ti)以外，也可以还含有一种或多种例如镁(Mg)、锰(Mn)、铝(Al)、钙(Ca)、钒(V)、铬(Cr)、锆(Zr)、钼(Mo)、钨(W)、钽(Ta)、铌(Nb)、硅(Si)、硼(B)、钇(Y)、铕(Eu)、钆(Gd)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、镱(Yb)、锂(Li)、钾(K)或钠(Na)等金属元素。

根据上述结构，在层叠陶瓷电容器10中，当对第1外部电极14与第2外部电极15之间施加电压时，电压施加到第1内部电极12与第2内部电极13之间的多个陶瓷层。由此，在层叠陶瓷电容器10中蓄积了与第1外部电极14与第2外部电极15之间的电压相应的电荷。

另外，本实施方式的层叠陶瓷电容器10包括层叠部16和侧边缘部17即可，关于其它结构，能够适当地变更。例如，第1和第2内部电极12、13的个数能够根据层叠陶瓷电容器10所要求的尺寸和性能适当地决定。

此外，在图2、图3中，为了容易观察第1和第2内部电极12、13的相对状态，将第1和第2内部电极12、13的个数各保留了4个。但是，实际上，为了确保层叠陶瓷电容器10的电容，设置有更多的第1和第2内部电极12、13。

图4是将图3所示的区域P放大表示的示意图，是将位于第1和第2内部电极12、13的端部放大表示的示意图。

如图4所示，第1和第2内部电极12、13在露出于层叠部16的侧面S2的端部形成有氧化区域E。氧化区域E是因氧化而导电性降低了的区域。另外，氧化区域E如该图所示，以与侧边缘部17相邻(邻接)的方式形成于内部电极12、13的端部。

作为一例，氧化区域E以包含侧边缘部17、覆盖部19和电容形成部18中所含的金属元素和构成内部电极12、13的金属元素的复合氧化物(例如三元氧化物)为主成分构成。

另外，氧化区域E优选在第1和第2内部电极12、13的全部端部形成，但也可以在一部分端部不形成。

氧化区域E的Y轴方向的尺寸D2能够为例如数百～数千nm程度，优选为400nm以上。本实施方式中，通过令氧化区域E的尺寸D2为400nm以上，能够抑制层叠陶瓷电容器10的内部电极12、13间的短路不良和IR(Insulation Resistance：绝缘电阻)不良。

在图4中，为了便于说明，将多个氧化区域E的尺寸D2表示为相等。但是，本实施方式中，也可以各个氧化区域E的尺寸D2不同。在这种情况下，氧化区域E的尺寸D2能够为形成于全部内部电极12、13的端部的氧化区域E的平均值。

2.层叠陶瓷电容器10的制造方法

图5是表示层叠陶瓷电容器10的制造方法的流程图。图6～16是表示层叠陶瓷电容器的制造过程的图。以下，按照图5，适当地参照图6～16对层叠陶瓷电容器的制造方法进行说明。

2.1步骤S01：陶瓷片准备工序

在步骤S01，准备用于形成电容形成部18的第1陶瓷片101和第2陶瓷片102、以及用于形成覆盖部19的第3陶瓷片103。陶瓷片101、102、103以绝缘性陶瓷为主成分，作为未烧制的电介质生片构成。陶瓷片101、102、103例如使用辊式涂敷机或刮刀形成为片状。

图6是陶瓷片101、102、103的平面图。在该阶段，陶瓷片101、102、103没有按每个层叠陶瓷电容器10切开。在图6表示按每个层叠陶瓷电容器10切开时的切断线Lx、Ly。切断线Lx与X轴平行，切断线Ly与Y轴平行。

如图6所示，在第1陶瓷片101形成与第1内部电极12对应的未烧制的第1内部电极112，在第2陶瓷片102形成与第2内部电极13对应的未烧制的第2内部电极113。另外，在与覆盖部19对应的第3陶瓷片103没有形成内部电极。

第1和第2内部电极112、113例如能够使用含有镍(Ni)的导电性膏形成。在利用导电性膏进行第1和第2内部电极112、113的形成时，例如能够使用丝网印刷法或凹版印刷法。

第1和第2内部电极112、113在由切断线Ly分隔的在X轴方向上相邻的2个区域中配置，在Y轴方向上呈带状延伸。关于第1内部电极112和第2内部电极113，按由切断线Ly分隔的每1排区域在X轴方向上错开。即，从第1内部电极112的中央通过的切断线Ly从第2内部电极113之间的区域通过，从第2内部电极113的中央通过的切断线Ly从第1内部电极112之间的区域通过。

2.2步骤S02：层叠工序

在步骤S02中，通过将在步骤S01所准备的陶瓷片101、102、103层叠来制作层叠片104。

图7是在步骤S02得到的层叠片104的分解立体图。在图7中，为了便于说明，将陶瓷片101、102、103分解表示。但是，在实际的层叠片104，陶瓷片101、102、103通过利用流体静压加压、单轴加压等被压接形成为一体。由此得到高密度的层叠片104。

在层叠片104，与电容形成部18对应的第1陶瓷片101和第2陶瓷片102在Z轴方向上交替地层叠。

此外，在层叠片104，在交替地层叠的第1和第2陶瓷片101、102的Z轴方向上下表面层叠与覆盖部19对应的第3陶瓷片103。另外，在图7所示的例子中，第3陶瓷片103分别各层叠3个，但第3陶瓷片103的个数能够适当地变更。

2.3步骤S03：切断工序

在步骤S03，通过利用旋转刀、压切刀(铡刀)等将在步骤S02得到的层叠片104切断来制作未烧制的层叠芯片116。

图8是步骤S03之后的层叠片104的平面图。层叠片104以被固定于保持部件C的状态沿切断线Lx、Ly被切断。由此，层叠片104被单片化，得到层叠芯片116。此时，保持部件C没有被切断，各层叠芯片116通过保持部件C被连接。

图9是表示层叠片104正被切断的状态的图。为了便于说明，在图9中设内部电极112、113的个数合计为4个，设陶瓷片101、102、103的个数合计为5个。

层叠片104在被压切刀等的切割刀F切断时，存在将层叠片104切断过程中的切割刀F牵拉内部电极112、113，内部电极112、113的端部如图9所示那样在Z轴方向上被拉伸的情况。由此，在层叠芯片116的侧面S3、S4，有时内部电极112、113彼此经由被拉伸了的内部电极而接触。

但是，本实施方式的内部电极112、113通过后述的烧制工序，如图4所示那样在端部良好地形成氧化区域E。因此，即使在层叠片104的切断时内部电极112、113被拉伸，内部电极112、113的端部彼此经由被牵引的内部电极而接触，但内部电极112、113间的短路不良也被抑制。

图10是在步骤S03得到的层叠芯片116的立体图。在层叠芯片116形成有未烧制的电容形成部118和覆盖部119。在层叠芯片116中，未烧制的第1和第2内部电极112、113露出在作为切断面的朝向Y轴方向的两侧面S3、S4。

2.4步骤S04：侧边缘部形成工序

在步骤S04中，通过在层叠芯片116的侧面S3、S4设置未烧制的侧边缘部117，制作未烧制的主体111。

在步骤S04中，为了在层叠芯片116的两侧面S3、S4设置侧边缘部117，通过胶带等保持部件的重贴等适当地更改层叠芯片116的朝向。

特别是在步骤S04中，在作为步骤S03中的层叠芯片116的切断面的朝向Y轴方向的两侧面S3、S4设置侧边缘部117。因此，在步骤S04中，优选预先从保持部件C将层叠芯片116剥下，使层叠芯片116的朝向旋转90度。

图11～图13是表示步骤S04的过程的示意图，是表示侧边缘片(side marginsheet)117s被层叠芯片116冲裁的情况的图。以下，依次对步骤S04的过程进行说明。

首先，准备用于形成侧边缘部117的侧边缘片117s。侧边缘片117s与在步骤S01中准备的陶瓷片101、102、103同样，以绝缘性陶瓷为主成分，作为未烧制的电介质生片构成。

侧边缘片117s例如通过使用辊式涂敷机或刮刀形成为片状。另外，侧边缘片117s调整成Y轴方向的厚度较薄。

接着，如图11所示，在平板状的弹性体400上配置侧边缘片117s。然后，以层叠芯片116的侧面S4与侧边缘片117s在Y轴方向上相对的方式配置层叠芯片116。步骤S04中，通过胶带等保持部件的重贴工序适当变更层叠芯片116的朝向，由此，如图11所示，将层叠芯片116的侧面S3保持在胶带T上。

接着，使层叠芯片11 6在Y轴方向上向侧边缘片117s移动，由此将层叠芯片116的侧面S4按压到侧边缘片117s。

此时，如图12所示，层叠芯片116与侧边缘片117s一起陷入弹性体400。随之，因从层叠芯片116施加到弹性体400的Y轴方向的按压力，弹性体400在Y轴方向上隆起而推起侧边缘片117s。

由此，从弹性体400向侧边缘片117s施加剪切力，与侧面S4在Y轴方向上相对的侧边缘片117s被切离。然后，将该侧边缘片117s粘贴到侧面S4。

接着，使层叠芯片116在Y轴方向移动以使得层叠芯片116与弹性体400离开时，如图13所示，仅粘贴于侧面S4的侧边缘片117s与弹性体400分离。由此，在层叠芯片116的侧面S4形成侧边缘部117。

在此，通过调整层叠芯片116的侧面S3、S4冲裁侧边缘片117s时的冲裁条件，能够使后述的烧制工序后的侧边缘部17的陶瓷的致密性提高。

具体来说，通过调整层叠芯片116冲裁侧边缘片117s时的速度、或层叠芯片116施加于侧边缘片117s的冲裁压力，能够使烧制工序后的侧边缘部17的陶瓷的致密性提高。

接着，通过使被保持在胶带T的层叠芯片116被保持在别的胶带，使层叠芯片116的侧面S3露出，使侧面S3与侧边缘片117s在Y轴方向上相对。然后，经过与在侧面S4形成侧边缘部117的上述工序同样的工序，在侧面S3上也形成侧边缘部117。

由此，能够得到在层叠芯片116的两侧面S3、S4形成了侧边缘部117的未烧制的主体111。本实施方式中，通过对未烧制的主体111施加流体静压加压等，能够提高烧制后的侧边缘部17的陶瓷的致密性。

图14是由步骤S04得到的未烧制的主体111的立体图。

未烧制的主体111构成为，在侧面S3、S4露出的内部电极112、113的端部被侧边缘部117覆盖，内部电极112、113的X轴方向的端部露出在X轴方向端面S5。

图15是表示现有的层叠陶瓷电容器的主体的制造过程，是该主体的侧视图。参照图15，对调整侧边缘片117s的厚度产生的作用进行说明。

现有的层叠陶瓷电容器，在制造过程中，当用于形成侧边缘部的侧边缘片较厚时，有时层叠芯片316冲裁侧边缘片时的侧边缘片的切断性变差。

由此，在通过侧边缘片的冲裁形成了侧边缘部317后的层叠芯片316的侧面S7，如图15所示，内部电极312的端部312a会露出。

如果内部电极312的端部312a没有被具有绝缘性的侧边缘部317覆盖而露出于侧面S7，则在制造过程中没有被侧边缘部317覆盖的侧面S7上附着了异物等的情况下，在烧制后的层叠陶瓷电容器中，内部电极312的端部312a彼此通过该异物导通，有可能引起短路不良。

另外，由于侧边缘部317没有覆盖内部电极312的端部312a，所以难以保护端部312a免受水分等的影响，所以有可能烧制后的层叠陶瓷电容器的耐湿性降低。

与此不同，本实施方式的侧边缘片117s调整成厚度较薄。由此，相比现有的侧边缘片，侧边缘片117s被层叠芯片116冲裁时的切断性提高。

由此，因层叠芯片116冲裁侧边缘片117s而形成的未烧制的主体111，如图14所示，内部电极112、113的端部没有露出在侧面S3、S4。

因此，因内部电极112、113的端部露出在侧面S3、S4所导致的层叠陶瓷电容器10的短路不良和耐湿性的下降被抑制。

另外，在层叠芯片116的两侧面S3、S4形成侧边缘部117的方法，并不限定于上述的冲裁侧边缘片117s的方法。

例如，也可以通过将预先切断的侧边缘片117s粘贴到层叠芯片116的两侧面S3、S4来形成侧边缘部117。

或者，也可以通过使层叠芯片116的两侧面S3、S4浸渍于由陶瓷构成的膏材中然后提起的浸渍法，在层叠芯片116的两侧面S3、S4形成侧边缘部117。

2.5步骤S05：滚筒研磨工序

步骤S05中，通过对步骤S04中所得到的未烧制的主体111实施滚筒研磨(抛光)，对主体111进行倒角处理。

在上述步骤S04中，通过在层叠芯片116的两侧面S3、S4形成片状的侧边缘部117，形成未烧制的主体111。因此，如图14所示，在主体111上存在连接主体111的各面的棱部(2个面相交的部位)和角部(3个面相交的部位)。

当在主体111上存着棱部和角部时，制造过程中主体111彼此碰撞，由此会导致在主体111产生破裂或缺陷。因此，为了抑制这种破裂或缺陷，主体111的棱部和角部被实施倒角处理。

作为对主体111的棱部和角部实施倒角处理的加工方法，为了提高制造效率，滚筒研磨是有效的。滚筒研磨能够通过如下方式执行：例如将多个未烧制的主体111和研磨介质以及液体封入到滚筒容器中，使滚筒容器旋转运动或对其施加振动。

图16是滚筒研磨后的未烧制的主体111的放大截面图，是将电容形成部118的棱部R附近放大表示的图。

一般来说，如果包括层叠芯片和侧边缘部的未烧制的主体，通过滚筒研磨等棱部和角部被实施了倒角处理，则电容形成部的棱部附近的侧边缘部的厚度容易过度变薄。

因此，水分等变得容易经由侧边缘部的过度变薄后的部位从外界侵入层叠芯片，所以有可能使层叠陶瓷电容器的耐湿性降低。

于是，本实施方式中，在主体111中，以使得覆盖部119的Z轴方向的尺寸D4成为侧边缘部117的Y轴方向的尺寸D3以上的方式调整侧边缘片117s的厚度。由此，能够抑制在滚筒研磨后的主体111中，电容形成部118的棱部R附近的侧边缘部117的尺寸D5过度变小。

步骤S05中，出于确保层叠陶瓷电容器10的耐湿性的观点，在滚筒研磨后的主体111中，优选侧边缘部117的尺寸D3与棱部R附近的侧边缘部117的尺寸D5为相同程度。具体来说，滚筒研磨后的主体111中，侧边缘部117的尺寸D3、D5优选为10μm以上。

另外，步骤S05中，滚筒研磨后的主体111中，覆盖部119的尺寸D4优选为侧边缘部117的尺寸D3以上。由此，后述的烧制工序后的覆盖部19的Z轴方向的尺寸成为侧边缘部17的Y轴方向的尺寸以上。

由此，水分等变得难以经由电容形成部18的棱部R附近的侧边缘部17从外界侵入层叠芯片16，所以能够抑制层叠陶瓷电容器10的耐湿性的降低。

2.6步骤S06：烧制工序

在步骤S06中，通过对在步骤S05中得到的未烧制的主体111进行烧制，由此制作图1～3所示的层叠陶瓷电容器10的主体11。

即，通过步骤S06，第1和第2内部电极112、113成为第1和第2内部电极12、13，层叠芯片116成为层叠部16，侧边缘部117成为侧边缘部17。

烧制后的侧边缘部17，通过在上述步骤S04中，调整层叠芯片116冲裁侧边缘片117s时的冲裁压力或速度等、或者对主体111实施流体静压加压、或者调整侧边缘片117s中所含的玻璃等的含量，孔隙率成为1％以下。

步骤S05的主体111的烧制温度能够根据层叠芯片116和侧边缘部117的烧结温度来决定。例如，在使用钛酸钡(BaTiO₃)类材料作为陶瓷的情况下，主体111的烧制温度能够为1000～1300℃左右。另外，烧制例如能够在还原气氛下或低氧分压气氛下进行，本实施方式中是在低氧分压气氛下(4.0×10^-9ppm)进行。

在此，本实施方式中，通过使主体111的侧边缘部117的Y轴方向的厚度为20μm以下，在烧制时，氧气变得容易经由侧边缘部117被供给到内部电极112、113，能够在内部电极112、113的端部良好地形成氧化区域E。

因此，即使在制造过程中，在内部电极112、113的端部露出了的层叠芯片116的侧面S3、S4附着了异物等，也能够抑制内部电极12、13彼此经由烧制后的主体11的侧面S1、S2的异物等的导通。由此，内部电极12、13间的短路不良和IR不良被有效抑制。

2.7步骤S07：外部电极形成工序

在步骤S07中，在步骤S06中所得到的主体11形成第1和第2外部电极14、15，由此制作图1～3所示的层叠陶瓷电容器10。

在步骤S07中，首先以覆盖主体11的X轴方向一个端面的方式涂敷未烧制的电极材料，以覆盖主体11的X轴方向另一个端面的方式涂敷未烧制的电极材料。对于所涂敷的未烧制的电极材料，例如在还原气氛下或低氧分压气氛下进行烘烤处理，在主体11形成基底膜。然后，在烘烤在主体11的基底膜上，通过电解电镀等镀覆处理来形成中间膜和表面膜，完成第1和第2外部电极14、15。

另外，也可以在步骤S06之前进行上述的步骤S07的处理中的一部分处理。例如，也可以在步骤S06之前在未烧制的主体111的X轴方向两端面S5涂敷未烧制的电极材料，在步骤S06中，在使未烧制的主体111烧结的同时，对未烧制的电极材料进行烧烤来形成第1和第2外部电极14、15的基底膜。

2.8变形例

层叠陶瓷电容器10的制造方法并不限定于上述的制造方法，可以适当进行制造工序的变更和追加等。

例如，也可以通过对烧制前的主体111实施脱粘合剂处理，从主体111除去粘合剂成分和溶剂成分。

作为对主体111实施脱粘合剂处理的方法，可以举出例如对收纳于氧化铝制的匣钵中的主体111在还原气氛的电炉中以350～600℃的温度进行1小时～8小时的热处理的方法等。在这种情况下，电炉的升温速度能够为例如1～10℃/min。

另外，本实施方式中，也可以在实施了脱粘合剂处理的侧边缘部117沉积陶瓷。由此，在通过脱粘合剂产生的陶瓷颗粒的空隙中填充陶瓷，烧制工序后的侧边缘部17的陶瓷的致密性提高。

作为在实施了脱粘合剂处理的侧边缘部117沉积的陶瓷，典型的是采用与作为侧边缘片117s的主成分的绝缘性陶瓷同样的组成系统的陶瓷。

作为在实施了脱粘合剂处理的侧边缘部117上沉积陶瓷的方法，可以采用例如对侧边缘部117喷涂陶瓷的粉体的喷雾干燥法、使构成陶瓷的颗粒附着到侧边缘部117的溅射法或真空蒸镀法等。

3.实施例

以下，对本发明的实施例进行说明。

3.1未烧制的主体的制作

按照上述制造方法将实施例1～8和比较例1～6的未烧制的主体的样品分别制作了200个。实施例1～8和比较例1～6的样品，侧边缘部的厚度和构成侧边缘部的陶瓷的致密性各不相同，这以外的制造条件相同。

·实施例1

实施例1的样品的侧边缘部117的厚度为2μm。

·实施例2

实施例2的样品的侧边缘部117的厚度为5μm。

·实施例3

实施例3的样品，是通过使用厚度为9μm的侧边缘片117s来形成侧边缘部117的样品。

·实施例4

实施例4的样品的侧边缘部117的厚度为10μm。

·实施例5

实施例5的样品的侧边缘部117的厚度为15μm。

·实施例6

实施例6的样品，是通过使用厚度为19μm的侧边缘片117s来形成侧边缘部117的样品。

·实施例7

实施例7的样品的侧边缘部117的厚度为20μm。

·实施例8

实施例8的样品的侧边缘部117的厚度为25μm。

·比较例1

比较例1的样品的侧边缘部的厚度为2μm。

·比较例2

比较例2的样品的侧边缘部的厚度为5μm。

·比较例3

比较例3的样品的侧边缘部的厚度为10μm。

·比较例4

比较例4的样品的侧边缘部的厚度为15μm。

·比较例5

比较例5的样品的侧边缘部的厚度为20μm。

·比较例6

比较例6的样品的侧边缘部的厚度为25μm。

3.2未烧制的主体的评价

3.2.1侧边缘部剥离了的样品的检测

实施例2、4、5、7、8的200个样品中，使用光学显微镜对能否检测出侧边缘部117从层叠芯片116剥离了的样品进行了评价。表1是将其结果进行汇总表示的表。

表1所示的“剥离长度”是层叠芯片116与侧边缘部117之间的间隙的尺寸。

【表1】

参照表1，在实施例5、7、8中，能够检测出剥离长度为50μm以上的样品，但当小于50μm时就无法检测出。另一方面，实施例2、4中，确认了与剥离长度无关地在任何样品中都能够检测出。

由此实验确认了，通过令未烧制的主体111的侧边缘部的厚度为10μm以下，能够与剥离长度无关地检测出在层叠芯片116与侧边缘部117之间产生了间隙的样品。

3.2.2主体露出宽度的测量

从实施例3、6的200个样品中选择20个，分别测量了所选择的20个样品的主体露出宽度。图17是将其结果进行汇总的表。

其中，图17所示的“端面侧区域的主体露出宽度”是在形成了侧边缘部117的层叠芯片116的侧面S3、S4中，侧边缘部117与X轴方向端面S5之间的区域的X轴方向的尺寸。

另外，“主面侧区域的主体露出宽度”是在形成了侧边缘部117的层叠芯片116的侧面S3、S4中，侧边缘部117与Z轴方向主面S6之间的区域的Z轴方向的尺寸(参照图14)。

参照图17可知，实施例3相比实施例6，端面侧区域和主面侧区域的主体露出宽度平均较小。根据该结果，实验确认了通过使侧边缘片117s的厚度变薄，能够使端面侧区域和主面侧区域的主体露出宽度变小。

3.3层叠陶瓷电容器的制作

使用实施例1、2、4、5、7、8和比较例1～6的未烧制的主体，按照上述制造方法制作了实施例1、2、4、5、7、8和比较例1～6的层叠陶瓷电容器的样品。

3.4层叠陶瓷电容器的评价

3.4.1耐湿性的评价

对实施例1、2、4、5、7、8和比较例1～6的层叠陶瓷电容器的样品进行了耐湿性的评价。

具体来说，对实施例1、2、4、5、7、8和比较例1～6的200个样品进行了以温度45℃、湿度95％、施加了10V额定电压的状态进行保持的吸湿性试验。然后，对吸湿性试验后的各样品测量电阻值，将电阻值小于10MΩ的样品判断为故障。表2是对各样品将侧边缘部的厚度、孔隙率、故障数汇总的表。

【表2】

参照表2，尽管比较例5、6的样品没有确认有故障的样品，但比较例1～4确认了有故障的样品。比较例1～6的样品的孔隙率大于1％。

作为比较例1～4的样品中确认到故障的主要原因，推测为是因为侧边缘部的厚度比较薄且侧边缘部中所含的孔隙的数量较多，水分经由该侧边缘部从外界侵入层叠芯片。

根据该结果确认了，在侧边缘部的孔隙率大于1％的情况下，如果使侧边缘部的厚度为15μm以下，则难以确保层叠陶瓷电容器的耐湿性。

另一方面，在实施例1、2、4、5、7、8的样品中，尽管实施例1的样品确认是有故障的样品，但实施例2、4、5、7、8的样品中没有确认有故障的样品。实施例1、2、4、5、7、8的样品的孔隙率为1％以下。

根据该结果确认了，通过使侧边缘部17的孔隙率为1％以下，即使侧边缘部17的厚度为15μm以下，也能够确保层叠陶瓷电容器10的耐湿性。而且确认了，如果使侧边缘部17的孔隙率为1％以下，且厚度为5μm以上，则能够更加有效地确保层叠陶瓷电容器10的耐湿性。

3.4.2IR不良率的计算

计算了实施例1、2、4、5、7、8的样品的IR不良率。此时，将IR不良率为10％以下的样品判定为合格。

表3和图18是将实施例1、2、4、5、7、8的未烧制的主体111的样品的侧边缘部117的厚度、实施例1、2、4、5、7、8的层叠陶瓷电容器10的样品的氧化区域E的尺寸D2、和IR不良率汇总的表和曲线图。

表3和图18所示的氧化区域的尺寸D2，是实施例1、2、4、5、7、8的200个样品中形成的氧化区域E的尺寸D2的平均值。

另外，表3和图18所示的IR不良率，表示实施例1、2、4、5、7、8的200个样品中发生了IR不良的样品的比例。上述的发生了IR不良的样品，是在施加6V的额定电压的条件下CR积小于1MΩ的样品。

【表3】

参照表3和图18，实施例8的样品的IR不良率大于10％，但实施例1、2、4、5、7的样品的IR不良率为10％以下。

作为实施例8的样品的IR不良率大于10％的主要原因，推测是由于未烧制的主体111的侧边缘部117的厚度比20μm厚，所以内部电极112、113的端部的氧化没有被促进，在内部电极112、113的端部没有充分形成氧化区域E，因此内部电极112、113间的绝缘电阻降低了。

根据该结果，实验确认了在侧边缘部117的厚度为20μm以下的情况下，通过确保氧化区域E的尺寸D2为0.4μm以上，能够抑制层叠陶瓷电容器10的IR不良。

4.其它实施方式

以上，对本发明的实施方式进行了说明，但本发明不限定于上述实施方式，当然也可以进行各种变形。

例如，在层叠陶瓷电容器10，电容形成部18也可以在Z轴方向上分割为多个地设置。在这种情况下，在各电容形成部18中，沿Z轴方向交替地配置第1和第2内部电极12、13即可，也可以在电容形成部18改变的部分连续地配置第1内部电极12或第2内部电极13。

Claims (15)

1.一种层叠陶瓷电容器，其特征在于，包括：

层叠部，其具有在第1方向上层叠的多个陶瓷层和配置在所述多个陶瓷层之间的多个内部电极；和

孔隙率为1％以下的侧边缘部，其从与所述第1方向正交的第2方向覆盖所述层叠部。

2.如权利要求1所述的层叠陶瓷电容器，其特征在于：

所述侧边缘部的所述第2方向的尺寸为5μm以上。

3.如权利要求1或2所述的层叠陶瓷电容器，其特征在于：

所述多个内部电极具有与所述侧边缘部相邻且所述第2方向的尺寸为0.4μm以上的氧化区域。

4.如权利要求1或2所述的层叠陶瓷电容器，其特征在于：

所述侧边缘部的所述第2方向的尺寸为15μm以下。

5.如权利要求4所述的层叠陶瓷电容器，其特征在于：

所述侧边缘部的所述第2方向的尺寸为10μm以下。

6.如权利要求1或2所述的层叠陶瓷电容器，其特征在于：

所述层叠部具有所述第1方向的尺寸为所述侧边缘部的所述第2方向的尺寸以上的覆盖部。

7.一种层叠陶瓷电容器的制造方法，其特征在于，包括：

制作未烧制的层叠芯片的步骤，所述未烧制的层叠芯片包括：电容形成部，其具有在第1方向层叠的多个陶瓷层和配置在所述多个陶瓷层之间的多个内部电极；和覆盖部，其由绝缘性陶瓷构成，从所述第1方向覆盖所述电容形成部，

通过用绝缘性陶瓷构成的侧边缘部从与所述第1方向正交的第2方向覆盖所述层叠芯片，来制作未烧制的主体的步骤，

通过烧制所述未烧制的主体，制作烧制后的所述侧边缘部的孔隙率为1％以下的主体的步骤。

8.如权利要求7所述的层叠陶瓷电容器的制造方法，其特征在于：

所述覆盖部的所述第1方向的尺寸为所述侧边缘部的所述第2方向的尺寸以上。

9.如权利要求7或8所述的层叠陶瓷电容器的制造方法，其特征在于：

所述侧边缘部的所述第2方向的尺寸为20μm以下。

10.如权利要求7或8所述的层叠陶瓷电容器的制造方法，其特征在于：

通过所述层叠芯片冲裁以绝缘性陶瓷为主成分的侧边缘片，来用所述侧边缘部覆盖所述未烧制的主体。

11.如权利要求7或8所述的层叠陶瓷电容器的制造方法，其特征在于：

对所述未烧制的主体实施流体静压加压。

12.如权利要求7或8所述的层叠陶瓷电容器的制造方法，其特征在于：

对所述未烧制的主体实施脱粘合剂处理，

在实施了脱粘合剂处理的所述侧边缘部沉积陶瓷。

13.如权利要求12所述的层叠陶瓷电容器的制造方法，其特征在于：

在实施了脱粘合剂处理后的所述侧边缘部喷涂陶瓷的粉体。

14.如权利要求12所述的层叠陶瓷电容器的制造方法，其特征在于：

在实施了脱粘合剂处理后的所述侧边缘部溅射陶瓷。

15.如权利要求12所述的层叠陶瓷电容器的制造方法，其特征在于：

在实施了脱粘合剂处理后的所述侧边缘部真空蒸镀陶瓷。