CN107957415A - 一种测定四氟化硅气体中杂质磷、硼、砷含量的方法 - Google Patents
一种测定四氟化硅气体中杂质磷、硼、砷含量的方法 Download PDFInfo
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Abstract
本发明公开了一种测定四氟化硅气体中杂质磷、硼、砷含量的方法,其特征在于:包括如下步骤;配制NaOH吸收液;将经浓硫酸吸收、含有沸石的浓硫酸吸收、浓硫酸吸收、浓硫酸吸收净化后的SiF4通入盛装前述NaOH吸收液的吸收瓶;控制SiF4气体的吸收量得到测试样品,并测定吸收的SiF4气体重量;用电感耦合等离子体原子发射光谱法分析气体中的磷、硼、砷含量。
Description
技术领域
本发明涉及卤化硅,尤其涉及四氟化硅,也涉及磷、硼、砷,具体而言,涉及四氟化硅中杂质磷、硼、砷的测定方法。
背景技术
SiF4是有机硅化合物的合成材料,用于生产硅烷、晶体硅的制造,水泥和人造大理石的硬化剂,它还能用作光导纤维、太阳能电池等电子工业的原料。磷矿石中伴生有3%—4%的氟,主要以氟磷灰石[Ca10F2( PO4)6]的形态存在,也有少许以氟硅酸钙( CaSiF6) 的形态存在。在湿法磷酸的过程中,这些磷矿石中的金属元素随氟( SiF4 和HF) 逸出,用水吸收后,就能得到副产品氟硅酸。在利用氟硅酸和浓硫酸反应生产四氟化硅时,存在部分的磷、硼、砷等杂质。工业上对四氟化硅的纯化方法有物理法和化学法两大类。物理法主要包括吸附法和冷冻法,其中冷冻法可以除去不凝性杂质。
气体中金属杂质的分析方法比较多,有原子吸收光谱法(AAS)、电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP—AES)、电感耦合等离子体质谱法(ICP—MS)、X射线荧光光谱法(XFS)和中子活化分析法。原子吸收光谱法分析速度较快,但测定硼、砷时灵敏度比较低。ICP—MS效率高,能同时检测多种元素,但其适用于测定元素含量较低的样品,且较易受污染,而测定元素含量较高的样品时需要稀释,给测定带来不便,同时它的价格也比较昂贵。X射线荧光光谱法(XFS)用于气体分析时,需要在线体系的支撑,应用受到限制。其中ICP—AES具有多元素同时测定、检出限低、灵敏度高、操作简单、线性范围宽、分析速度快和基体干扰少等优点,被广泛的用于金属杂质的分析检测。
迄今为止,尚无四氟化硅气体中磷、硼、砷杂质的检测技术报道。
发明内容
本发明要解决的技术问题是:提供测定四氟化硅气体中杂质磷、硼、砷含量的方法,为高纯度四氟化硅的生产服务。
本发明的技术方案是:一种测定四氟化硅气体中杂质磷、硼、砷含量的方法,包括如下步骤;配制NaOH吸收液;将经浓硫酸吸收、含有沸石的浓硫酸吸收、浓硫酸吸收、浓硫酸吸收净化后的SiF4通入盛装前述NaOH吸收液的吸收瓶;控制SiF4气体的吸收量得到测试样品,并测定吸收的SiF4气体重量;用电感耦合等离子体原子发射光谱法分析气体中的磷、硼、砷含量。
所述的NaOH吸收液的物质的量为2—3mol/L。
所述的吸收瓶中的SiF4气体吸收量为≤3.05g/100ml。
所述电感耦合等离子体原子发射光谱法的具体操作如下:(1)校准曲线绘制:磷、硼、砷的混合标准使用液,准确吸取各10.00ml配制好的标准储备液于100ml容量瓶中,用水定容,即各元素浓度为100μg/ml,混合标准曲线,分别吸取0.00、0.10、0.50、1.00、2.00ml的标准使用液至100ml容量中,再分别加入4ml硝酸,用水定容,其浓度分别为0.00,0.10、0.50、1.00、2.00µg/ml的标准系列,将仪器调节至最佳工作状态,按由低到高的顺序测定待测元素标准系列溶液的光谱强度,同时测定空白样品的光谱强度,扣除背景修正干扰;(2)取50—100ml的四氟化硅气体吸收液放入聚四氟乙烯烧杯中,在烧杯中加入同浓度、同体积的硝酸,使溶液变成中性或者酸性,加入10ml氟化氢,待混合均匀后再加入10ml氟化氢,把装有溶液的聚四氟乙烯烧杯放入电热板上蒸至尽干,完成以上步骤后往烧杯中加入10ml硝酸和1ml高氯酸,待烟雾冒尽后冷却,然后在烧杯中加入3ml盐酸,加热溶解至烧杯中无固体为止,冷却后,将溶液定容到50ml,即可进行ICP—AES检测,同时,并取50ml的氢氧化钠做空白试验;(3)将测定的光谱强度通过标准曲线查得与之相对应的磷、硼、砷的质量浓度,然后计算四氟化硅气体中磷、硼、砷的含量。
本发明的有益效果:本发明方法用于四氟化硅中杂质磷、硼、砷的分析,可以准确、迅速测定磷、硼、砷杂质的含量,有利于高纯度四氟化硅的生产。适用于生产四氟化硅的企业。
具体实施方式
下面的实施例对本发明做进一步说明:
实施例1
测定四氟化硅中磷、硼、砷含量的方法,包括如下步骤:
第一步:配制100ml的NaOH吸收液;
第二步:四氟化硅生成装置,通过气体管路装置依次与洗气瓶和盛装有上述NaOH吸收液的吸收瓶相连通;
第三步;用氩气或氦气惰性气体吹扫气体管路3个小时,充分置换装置内的空气;
第四步:四氟化硅生成后,依次经过盛装浓硫酸、含有沸石的浓硫酸、浓硫酸、浓硫酸的吸收瓶,吸收净化后的SiF4通入盛装有上述NaOH吸收液的吸收瓶;
第五步:控制SiF4气体的吸收量,所述的吸收瓶中的SiF4气体吸收量为3.05g;
第六步:用电感耦合等离子体原子发射光谱法分析气体中的磷、硼、砷含量。(1)校准曲线绘制:磷、硼、砷的混合标准使用液,准确吸取各10.00ml配制好的标准储备液于100ml容量瓶中,用水定容,即各元素浓度为100μg/ml。混合标准曲线,分别吸取0.00、0.10、0.50、1.00、2.00ml的标准使用液至100ml容量中,再分别加入4ml(1+1)硝酸,用水定容。其浓度分别为0.00,0.10、0.50、1.00、2.00µg/ml的标准系列。将仪器调节至最佳工作状态,按由低到高的顺序测定待测元素标准系列溶液的光谱强度。同时测定空白样品的光谱强度,扣除背景修正干扰;
(2)取50—100ml的样品放入聚四氟乙烯烧杯中,在烧杯中加入同浓度、同体积的硝酸,使溶液变成中性或者酸性。加入10ml氟化氢,待混合均匀后再加入10ml氟化氢。把装有溶液的聚四氟乙烯烧杯放入电热板上蒸至尽干。完成以上步骤后往烧杯中加入10ml硝酸和1ml高氯酸,待烟雾冒尽后冷却。然后在烧杯中加入3ml盐酸,加热溶解至烧杯中无固体为止。冷却后,将溶液定容到50ml。即可进行ICP—AES检测。同时,并取50ml的氢氧化钠做空白试验;
(3)由标准曲线查得与之相对应的磷、硼、砷的质量浓度,从而计算四氟化硅气体中磷、硼、砷的含量分别为:0.972mg/L、0.081mg/L、29.900mg/L。
实施例2
测定四氟化硅中磷、硼、砷含量的方法,包括如下步骤:
第一步:配制100ml的NaOH吸收液;
第二步:四氟化硅气体,通过气体管路装置依次与洗气瓶和盛装有上述NaOH吸收液的吸收瓶相连通;
第三步;用氩气或氦气惰性气体吹扫气体管路3个小时,充分置换装置内的空气;
第四步:四氟化硅气体,依次经过盛装浓硫酸、含有沸石的浓硫酸、浓硫酸、浓硫酸的吸收瓶,吸收净化后的SiF4通入盛装有上述NaOH吸收液的吸收瓶;
第五步:控制SiF4气体的吸收量,所述的吸收瓶中的SiF4气体吸收量为1.5255g;
第六步:用电感耦合等离子体原子发射光谱法分析气体中的磷、硼、砷含量。(1)校准曲线绘制:磷、硼、砷的混合标准使用液,准确吸取各10.00ml配制好的标准储备液于100ml容量瓶中,用水定容,即各元素浓度为100μg/ml。混合标准曲线,分别吸取0.00、0.10、0.50、1.00、2.00ml的标准使用液至100ml容量中,再分别加入4ml(1+1)硝酸,用水定容。其浓度分别为0.00,0.10、0.50、1.00、2.00µg/ml的标准系列。将仪器调节至最佳工作状态,按由低到高的顺序测定待测元素标准系列溶液的光谱强度。同时测定空白样品的光谱强度,扣除背景修正干扰;
(2)取50—100ml的样品放入聚四氟乙烯烧杯中,在烧杯中加入同浓度、同体积的硝酸,使溶液变成中性或者酸性。加入10ml氟化氢,待混合均匀后再加入10ml氟化氢。把装有溶液的聚四氟乙烯烧杯放入电热板上蒸至尽干。完成以上步骤后往烧杯中加入10ml硝酸和1ml高氯酸,待烟雾冒尽后冷却。然后在烧杯中加入3ml盐酸,加热溶解至烧杯中无固体为止。冷却后,将溶液定容到50ml。即可进行ICP—AES检测。同时,并取50ml的氢氧化钠做空白试验;
(3)由标准曲线查得与之相对应的磷、硼、砷的质量浓度,从而计算四氟化硅气体中磷、硼、砷的含量分别为:0.981mg/L、0.167mg/L、32.730mg/L。
实施例3
测定四氟化硅中磷、硼、砷含量的方法,包括如下步骤:
第一步:配制100ml的NaOH吸收液;
第二步:四氟化硅气体,通过气体管路装置依次与洗气瓶和盛装有上述NaOH吸收液的吸收瓶相连通;
第三步;用氩气或氦气惰性气体吹扫气体管路3个小时,充分置换装置内的空气;
第四步:四氟化硅气体,依次经过盛装浓硫酸、含有沸石的浓硫酸、浓硫酸、浓硫酸的吸收瓶,吸收净化后的SiF4通入盛装有上述NaOH吸收液的吸收瓶;
第五步:控制SiF4气体的吸收量,所述的吸收瓶中的SiF4气体吸收量为1.373g;
第六步:用电感耦合等离子体原子发射光谱法分析气体中的磷、硼、砷含量。(1)校准曲线绘制:磷、硼、砷的混合标准使用液,准确吸取各10.00ml配制好的标准储备液于100ml容量瓶中,用水定容,即各元素浓度为100μg/ml。混合标准曲线,分别吸取0.00、0.10、0.50、1.00、2.00ml的标准使用液至100ml容量中,再分别加入4ml(1+1)硝酸,用水定容。其浓度分别为0.00,0.10、0.50、1.00、2.00µg/ml的标准系列。将仪器调节至最佳工作状态,按由低到高的顺序测定待测元素标准系列溶液的光谱强度。同时测定空白样品的光谱强度,扣除背景修正干扰;
(2)取50—100ml的样品放入聚四氟乙烯烧杯中,在烧杯中加入同浓度、同体积的硝酸,使溶液变成中性或者酸性。加入10ml氟化氢,待混合均匀后再加入10ml氟化氢。把装有溶液的聚四氟乙烯烧杯放入电热板上蒸至尽干。完成以上步骤后往烧杯中加入10ml硝酸和1ml高氯酸,待烟雾冒尽后冷却。然后在烧杯中加入3ml盐酸,加热溶解至烧杯中无固体为止。冷却后,将溶液定容到50ml。即可进行ICP—AES检测。同时,并取50ml的氢氧化钠做空白试验;
(3)由标准曲线查得与之相对应的磷、硼、砷的质量浓度,从而计算四氟化硅气体中磷、硼、砷的含量分别为:0.700mg/L、0.099mg/L、36.622mg/L。
Claims (4)
1.一种测定四氟化硅气体中杂质磷、硼、砷含量的方法,其特征在于:包括如下步骤;配制NaOH吸收液;将经浓硫酸吸收、含有沸石的浓硫酸吸收、浓硫酸吸收、浓硫酸吸收净化后的SiF4通入盛装前述NaOH吸收液的吸收瓶;控制SiF4气体的吸收量得到测试样品,并测定吸收的SiF4气体重量;用电感耦合等离子体原子发射光谱法分析气体中的磷、硼、砷含量。
2.根据权利要求1所述的一种测定四氟化硅气体中杂质磷、硼、砷含量的方法,其特征在于:所述的NaOH吸收液的物质的量为2—3mol/L。
3.根据权利要求1所述的一种测定四氟化硅气体中杂质磷、硼、砷含量的方法,其特征在于:所述的吸收瓶中的SiF4气体吸收量为≤3.05g/100ml。
4.根据权利要求1所述的一种测定四氟化硅气体中杂质磷、硼、砷含量的方法,其特征在于:所述电感耦合等离子体原子发射光谱法的具体操作如下:(1)校准曲线绘制:磷、硼、砷的混合标准使用液,准确吸取各10.00ml配制好的标准储备液于100ml容量瓶中,用水定容,即各元素浓度为100μg/ml,混合标准曲线,分别吸取0.00、0.10、0.50、1.00、2.00ml的标准使用液至100ml容量中,再分别加入4ml硝酸,用水定容,其浓度分别为0.00,0.10、0.50、1.00、2.00µg/ml的标准系列,将仪器调节至最佳工作状态,按由低到高的顺序测定待测元素标准系列溶液的光谱强度,同时测定空白样品的光谱强度,扣除背景修正干扰;(2)取50—100ml的四氟化硅气体吸收液放入聚四氟乙烯烧杯中,在烧杯中加入同浓度、同体积的硝酸,使溶液变成中性或者酸性,加入10ml氟化氢,待混合均匀后再加入10ml氟化氢,把装有溶液的聚四氟乙烯烧杯放入电热板上蒸至尽干,完成以上步骤后往烧杯中加入10ml硝酸和1ml高氯酸,待烟雾冒尽后冷却,然后在烧杯中加入3ml盐酸,加热溶解至烧杯中无固体为止,冷却后,将溶液定容到50ml,即可进行ICP—AES检测,同时,并取50ml的氢氧化钠做空白试验;(3)将测定的光谱强度通过标准曲线查得与之相对应的磷、硼、砷的质量浓度,然后计算四氟化硅气体中磷、硼、砷的含量。
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