CN107888801A - 图像读取装置和半导体装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供图像读取装置和半导体装置。图像读取装置包含用于读取图像的图像读取芯片,其中,所述图像读取芯片包含:端子;像素部,其包含接收来自所述图像的光而进行光电转换的受光元件,输出像素信号;输出电路,其能够以包含第1驱动能力和大于所述第1驱动能力的第2驱动能力在内的多个驱动能力中的任意驱动能力来输出基于所述像素信号的信号;以及输出选择部,其根据被输入到所述端子的信号来选择所述输出电路的所述驱动能力。
Description
技术领域
本发明涉及图像读取装置和半导体装置。
背景技术
专利文献1公开有如下的图像读取装置(扫描仪),该图像读取装置利用图像传感器读取原稿图像,由模拟前端(AFE)将读取到的图像信号转换成数字图像数据,将转换后的数字图像数据输出到数字处理部或数据传输部。
【专利文献1】日本特开2006-314039号公报
存在进纸型或平板型等各种扫描仪,图像传感器及模拟前端(AFE)的配置根据扫描仪的种类而不同,因此,传送从图像传感器输出的图像信号的布线的长度(图像信号的负载电容)按照每台扫描仪而不同。为此,以往可应用于各种扫描仪的通用的图像传感器具有驱动假定的最大负载所需的较大的驱动能力。
然而,由于图像传感器与模拟前端(AFE)的配置关系,图像传感器的驱动负载较小,因此,图像传感器的驱动能力有时过量,有可能产生过量的电力消耗,并且产生伴随信号传输的过量的噪声。
发明内容
本发明正是鉴于以上的问题而完成的,根据本发明的几个方式,可提供能够抑制过量的电力消耗以及伴随信号传输的过量的噪声的产生的图像读取装置和半导体装置。
本发明正是为了解决前述课题的至少一部分而完成的,可作为以下的方式或应用例来实现。
[应用例1]
本应用例的图像读取装置包含用于读取图像的图像读取芯片,其中,所述图像读取芯片具有:端子;像素部,其包含接收来自所述图像的光而进行光电转换的受光元件,输出像素信号;输出电路,其能够以包含第1驱动能力和大于所述第1驱动能力的第2驱动能力在内的多个驱动能力中的任意驱动能力来输出基于所述像素信号的信号;以及输出选择部,其从所述多个驱动能力中选择所述输出电路的驱动能力,所述输出选择部根据被输入到所述端子的信号来选择所述输出电路的所述驱动能力。
根据本应用例的图像读取装置,在图像读取芯片中,能够根据被输入到端子的信号,按照输出信号的传输布线的负载的大小以不会过量的方式适当地设定输出电路的驱动能力,因此,能够抑制过量的电力消耗以及伴随信号传输的过量的噪声的产生。
[应用例2]
在所述应用例的图像读取装置中,也可以是,所述输出选择部根据被输入到所述端子的所述信号的电压电平来选择所述驱动能力。
根据本应用例的图像读取装置,在图像读取芯片中,输出选择部能够根据被输入到端子的信号的电压电平来容易地选择输出电路的驱动能力,因此,能够简化输出选择部的结构。
[应用例3]
所述应用例的图像读取装置也可以包含输送部,该输送部输送形成有所述图像的介质,所述输出选择部选择所述第1驱动能力。
在本应用例的图像读取装置中输送形成有图像的介质,因此,图像读取芯片无需移动,因此,能够将图像读取芯片固定在距输出信号的传输目的地较近的位置。因此,根据本应用例的图像读取装置,来自图像读取芯片的输出信号的传输布线缩短,从而布线负载变得较小,因此,图像读取芯片的输出电路被设定成小于第2驱动能力的第1驱动能力(非最大的驱动能力),其结果是,能够抑制过量的电力消耗以及伴随信号传输的过量的噪声的产生。
[应用例4]
在所述应用例的图像读取装置中,也可以是,所述第1驱动能力在所述多个驱动能力中最小。
根据本应用例的图像读取装置,由于图像读取芯片的输出电路被设定成最小的驱动能力,因此,能够减小电力消耗以及伴随来自图像读取芯片的输出信号的传输的噪声。
[应用例5]
所述应用例的图像读取装置也可以包含移动部,该移动部移动所述图像读取芯片,所述输出选择部选择所述第2驱动能力。
在本应用例的图像读取装置中移动图像读取芯片,因此,需要长度与图像读取芯片的移动距离对应的信号传输线缆。因此,根据本应用例的图像读取装置,来自图像读取芯片的输出信号的传输布线变长,从而布线负载变得较大,因此,图像读取芯片的输出电路被设定成大于第1驱动能力的第2驱动能力(非最小的驱动能力),其结果是,能够在抑制过量的电力消耗以及伴随信号传输的过量的噪声的产生的同时可靠地传输来自图像读取芯片的输出信号。
[应用例6]
在所述应用例的图像读取装置中,也可以是,所述第2驱动能力在所述多个驱动能力中最大。
根据本应用例的图像读取装置,由于图像读取芯片的输出电路被设定成最大的驱动能力,因此,能够可靠地传输来自图像读取芯片的输出信号。
[应用例7]
在所述应用例的图像读取装置中,也可以是,所述端子与输出恒定电压的电压源电连接。
根据本应用例的图像读取装置,在组装图像读取装置时,通过将图像读取芯片的端子与规定的电压源连接,能够容易地设定图像读取芯片的输出电路的驱动能力。
[应用例8]
所述应用例的图像读取装置也可以包含控制部,该控制部控制所述图像读取芯片的动作,从所述控制部传输被输入到所述端子的所述信号。
根据本应用例的图像读取装置,由于根据从控制部传输的信号来选择图像读取芯片的输出电路的驱动能力,因此,在组装图像读取装置后,能够与来自图像读取芯片的输出信号的负载的变化对应地变更输出电路的驱动能力,从而能够有效地抑制过量的电力消耗以及伴随信号传输的过量的噪声的产生。
[应用例9]
本应用例的半导体装置包含:端子;像素部,其包含接收光而进行光电转换的受光元件,输出像素信号;输出电路,其能够以包含第1驱动能力和大于所述第1驱动能力的第2驱动能力在内的多个驱动能力中的任意驱动能力来输出基于所述像素信号的信号;以及输出选择部,其从所述多个驱动能力中选择所述输出电路的驱动能力,所述输出选择部根据被输入到所述端子的信号来选择所述输出电路的所述驱动能力。
根据本应用例的半导体装置,能够根据被输入到端子的信号,按照输出信号的传输布线的负载的大小以不会过量的方式适当地设定输出电路的驱动能力,因此,能够抑制过量的电力消耗以及伴随信号传输的过量的噪声的产生。
附图说明
图1是例示第1实施方式的扫描仪的外观的立体图。
图2是例示第1实施方式的扫描仪的截面的图。
图3是示意性地示出图像传感器模块的结构的分解立体图。
图4是示意性地示出图像读取芯片的配置的俯视图。
图5是示出第1实施方式的扫描仪的功能结构例的图。
图6是示出分辨率设定信号的一例的图。
图7是图像读取芯片的功能框图。
图8是示出像素部的结构的图。
图9是图像读取芯片的各信号的时序图。
图10是示出输出电路的结构例的图。
图11是示出输出电路的另一结构例的图。
图12是示出输出选择部的解码逻辑的真值表的一例的图。
图13是示出第2实施方式的扫描仪的功能结构例的图。
图14是例示第3实施方式的扫描仪的外观的立体图。
图15是表示第3实施方式的扫描仪内部的立体图。
标号说明
1:扫描仪;2:处理部;10:外壳;11:送纸口;12:排纸口;13:显示面板;14:操作开关;20:前盖板;21:板状部;22:腿部;30:后盖板;41:图像传感器模块;51:送纸辊;52:排纸辊;53:透射板;60:主基板;62:图像读取单元;64:滑架;65:壳体;66:引导部;67:右上框架;68:左上框架;69:后框架;70:上前框架;71:下前框架;72:原稿台玻璃;72a:原稿载置面;73:操作按钮;78:凸部;80:卡合部件;81:挠性扁平线缆;82:挠性扁平线缆;86:固定位置;87:固定位置;100:控制电路;110:像素部;111:升压电路;112:像素驱动电路;120:CDS电路;130:采样保持电路;140:输出电路;141:电阻;142、143、144:NMOS晶体管;145、146:开关;150:输出选择部;161、162、163、164、165:CMOS反相器元件;166、167:PMOS晶体管;168、169:NMOS晶体管;200:控制部;202:模拟前端(AFE);300:控制信号线;301:输出信号线;311:驱动信号线;411:外壳;412:光源;412R:红色LED;412G:绿色LED;412B:蓝色LED;413:透镜;414:模块基板;415、415-1~415-m:图像读取芯片;IP1、IP2、IP3、IP4、IP5:输入端子;OP1、OP2:输出端子;VDP、VSP:电源端子;VRP:基准电压供给端子;C0、C1、C2、C3、C4:电容;PD1、PD2、PD3、PD4:受光元件;M11、M12、M13、M14:NMOS晶体管;M21、M22、M23、M24:NMOS晶体管;M3、M4、M5:NMOS晶体管;CLK:时钟信号;CDSC:控制信号;CPC:控制信号;DRC:控制信号;Drv:驱动信号;DrvR、DrvG、DrvB:驱动信号;EN1~ENm+1、EN_I、EN_O:芯片使能信号;OE1、OE2:驱动能力选择信号;OEA、OEB:输出控制信号;RES:分辨率设定信号;RST:复位信号;SEL0~SELn:像素选择信号;SMP:采样信号;Tx1:第1传输控制信号;Tx2:第2传输控制信号;Tx2a、Tx2b、Tx2c、Tx2d:信号;Vo:图像信号;SO:图像信号;VA、VB:恒定电压;VDD、VSS:电源电压;VREF:基准电压。
具体实施方式
以下,使用附图详细地说明本发明的优选实施方式。使用的附图是为了便于说明。另外,以下说明的实施方式并非不合理地限定权利要求书中记载的本发明的内容。此外,以下说明的结构并非全是本发明的必要技术特征。
以下,参照附图对作为本发明的图像读取装置的一例的扫描仪1进行说明。
1.第1实施方式
1-1.扫描仪的结构
图1是例示第1实施方式的扫描仪1(图像读取装置)的外观的立体图。第1实施方式的扫描仪1是以光学的方式读取读取对象物并输出图像数据的图像读取装置。
如图1所示,扫描仪1具有外壳10、前盖板20和后盖板30。
前盖板20具有形成为大致矩形的板状部21和腿部22,在板状部21上支承导入到导入口中的原稿(“形成有图像的介质”的一例)。
外壳10具有大致框形,内部收纳有后述的各种装置。外壳10具有送纸口11、排纸口12、显示面板13和操作开关14。送纸口11配置在外壳10的上侧,前盖板20的板状部21上的原稿在腿部22之间穿过而被导入到送纸口11中。排纸口12将从送纸口11导入而由内部装置读取图像后的原稿排出。显示面板13配置在外壳10的上侧,除了显示扫描仪1的动作状況之外,还显示读取精度及读取范围等。操作开关14能够输入扫描仪1的动作及读取精度等。
后盖板30配置在前盖板20的后侧,被设置成在关闭前盖板20时覆盖送纸口11。
图2是例示扫描仪1的截面的图。使用图2对扫描仪1的动作进行说明。扫描仪1在外壳10的内部具有送纸辊51、排纸辊52、透射板53、图像传感器模块41和主基板60。扫描仪1利用送纸辊51将载置于板状部21上的原稿从送纸口11输送到透射板53上。当原稿被输送到透射板53上时,图像传感器模块41经由透射板53向原稿面照射光,接收从原稿反射的光(来自图像的光),生成基于通过光电转换而得到的信号的图像信号,由此读取原稿面的图像。图像传感器模块41例如是CIS(Contact Image Sensor:接触式图像传感器)方式的CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor:互补金属氧化物半导体)行传感器。图像传感器模块41生成的图像信号被传输至主基板60进行处理。然后,逐行读取原稿,每当读取完成时,即利用辊将原稿朝排纸口12方向输送。被读取后的原稿则由排纸辊52输送至排纸口12。
送纸辊51和排纸辊52构成输送原稿的输送部,第1实施方式的扫描仪1是所谓的进纸型扫描仪。
图3是示意性地示出图像传感器模块41的结构的分解立体图。在图3所示的例子中,图像传感器模块41构成为包含外壳411、光源412、透镜413、模块基板414和用于读取图像的图像读取芯片415(半导体装置)。光源412、透镜413和图像读取芯片415被收纳在外壳411与模块基板414之间。外壳411上设有缝。光源412例如具有R、G、B的各发光二极管(LED:Light emitting diode),R、G、B的各发光二极管(红色LED、绿色LED、蓝色LED)一边高速地切换一边依次发光。光源412发出的光经由该缝照射到被读取介质,来自被读取介质的光经由该缝输入到透镜413。透镜413将输入的光引导至图像读取芯片415。
图4是示意性地示出图像读取芯片415的配置的俯视图。如图4所示,多个(m个)图像读取芯片415沿一维方向(图4中为X轴方向)排列配置在模块基板414上。各图像读取芯片415具有配置成一列的许多受光元件(参照图7、图8),能够实现各图像读取芯片415具有的受光元件的密度越高则读取图像的分辨率越高的扫描仪1。此外,能够实现图像读取芯片415的数量越多则越能够读取较大图像的扫描仪1。
1-2.扫描仪的功能结构
图5是示出第1实施方式的扫描仪1的功能结构例的功能框图。在图5所示的例子中,扫描仪1构成为包含控制部200、模拟前端(AFE)202、红色LED412R、绿色LED412G、蓝色LED412B和m个图像读取芯片415(415-1~415-m)。红色LED412R、绿色LED412G、蓝色LED412B和m个图像读取芯片415包含在图像传感器模块41中。如前所述,红色LED412R、绿色LED412G和蓝色LED412B设置在光源412中,多个图像读取芯片415排列配置在模块基板414上。红色LED412R、绿色LED412G和蓝色LED412B也可以分别存在多个。此外,控制部200和模拟前端(AFE)202设置在与模块基板414不同的图2所示的主基板60(控制基板)上。控制部200和模拟前端(AFE)202也可以分别通过集成电路(IC:Integrated Circuit)来实现。
控制部200控制红色LED412R、绿色LED412G和蓝色LED412B的动作。具体而言,控制部200以固定的周期T对红色LED412R提供固定曝光时间Δt的驱动信号DrvR,以使红色LED412R发光。同样,控制部200以周期T对绿色LED412G提供曝光时间Δt的驱动信号DrvG,以使绿色LED412G发光,以周期T对蓝色LED412B提供曝光时间Δt的驱动信号DrvB,以使蓝色LED412B发光。在周期T的期间内,控制部200使红色LED412R、绿色LED412G和蓝色LED412B排他性地逐个依次发光。
此外,控制部200控制m个图像读取芯片415的动作。具体而言,控制部200对m个图像读取芯片415共同提供时钟信号CLK和分辨率设定信号RES。时钟信号CLK是m个图像读取芯片415的动作时钟信号,m个图像读取芯片415分别根据时钟信号CLK进行动作。此外,分辨率设定信号RES是用于设定由扫描仪1读取图像的分辨率的信号。根据分辨率设定信号RES有效(active)(本实施方式中为高电平)的期间内的时钟信号CLK的上升沿的数量来设定分辨率。
如图6所示,在本实施方式中,假定当分辨率设定信号RES有效(高电平)的期间内的时钟信号CLK的上升沿的数量为2、4、8时,分别设定300dpi、600dpi、1200dpi的各分辨率。
在各受光元件接收到来自形成在被读取介质上的图像的光之后,当各图像读取芯片415-j(j=1~m)接收芯片使能信号ENj(本实施方式中为高脉冲信号)时,与时钟信号CLK同步地,根据各受光元件接收到的光,生成并输出具有根据分辨率设定信号RES而设定的分辨率的图像信息的图像信号SO。
在本实施方式中,控制部200在使红色LED412R、绿色LED412G或蓝色LED412B发光之后,生成有效(高电平)固定时间(直到图像读取芯片415-1结束图像信号SO的输出为止的时间)的芯片使能信号EN1并提供给图像读取芯片415-1。此外,图像读取芯片415-j(j=1~m)稍早于结束图像信号SO的输出而生成芯片使能信号ENj+1(高脉冲信号)。然后,将芯片使能信号EN2~ENm分别提供给图像读取芯片415-2~415-m。
由此,在红色LED412R、绿色LED412G或蓝色LED412B发光之后,m个图像读取芯片415依次输出图像信号SO。然后,图像传感器模块41从未图示的端子输出m个图像读取芯片415依次输出的图像信号SO。图像信号SO在未图示的布线中传递而被传输至主基板60,所述布线将图像传感器模块41(m个图像读取芯片415)与安装有模拟前端(AFE)202和控制部200的主基板60电连接。
这里,m个图像读取芯片415向输入端子IP4(参照图7)提供输出控制信号OEA,向输入端子IP5(参照图7)提供输出控制信号OEB,能够以根据输出控制信号OEA、OEB而选择的多个驱动能力中的任意驱动能力来输出图像信号SO。特别是在本实施方式中,在m个图像读取芯片415中,输入端子IP4(参照图7)经由接合线等与输出恒定电压VA的电压源(未图示)电连接,输入端子IP5(参照图7)经由接合线等与输出恒定电压VB的电压源(未图示)电连接。这些电压源可以设置在扫描仪1的内部,也可以设置在扫描仪1的外部。在本实施方式中,m个图像读取芯片415全部是相同种类的芯片(相同结构的IC芯片),图像读取芯片415的详细的电路结构和动作容后再述。
模拟前端(AFE)202接收m个图像读取芯片415依次输出的图像信号SO,对各图像信号SO进行放大处理及A/D转换处理而转换成包含与各受光元件的受光量对应的数字值的数字信号,将各数字信号依次发送到控制部200。
控制部200接收从模拟前端(AFE)202依次发送的各数字信号,生成图像传感器模块41读取到的图像信息。
1-3.图像读取芯片的结构和动作
图7是图像读取芯片415的功能框图。图7所示的图像读取芯片415具有控制电路100、升压电路111、像素驱动电路112、n个像素部110、CDS(Correlated Double Sampling:相关双采样)电路120、采样保持电路130、输出电路140和输出选择部150。图像读取芯片415被从2个电源端子VDP、VSP分别提供电源电压VDD(例如3.3V)和电源电压VSS(例如0V),根据分别从3个输入端子IP1、IP2、IP3输入的芯片使能信号EN_I(图5的芯片使能信号EN1~ENm的任意一个)、分辨率设定信号RES和时钟信号CLK、分别从2个输入端子IP4、IP5输入的输出控制信号OEA、OEB以及从基准电压供给端子VRP提供的基准电压VREF进行动作。
芯片使能信号EN_I、分辨率设定信号RES和时钟信号CLK被输入到控制电路100。控制电路100根据芯片使能信号EN_I、分辨率设定信号RES和时钟信号CLK,控制升压电路111、像素驱动电路112、n个像素部110、CDS电路120和采样保持电路130的动作。具体而言,控制电路100生成控制升压电路111的控制信号CPC、控制像素驱动电路112的控制信号DRC、控制CDS电路120的控制信号CDSC、控制采样保持电路130的采样信号SMP、控制像素部110的像素选择信号SEL0、复位信号RST和第2传输控制信号Tx2(Tx2a、Tx2b、Tx2c、Tx2d)和芯片使能信号EN_O。控制电路100的具体的电路结构和动作容后再述。
升压电路111根据来自控制电路100的控制信号CPC对电源电压VDD进行升压,生成以升压后的电源电压为高电平的第1传输控制信号Tx1。第1传输控制信号Tx1是用于传输在曝光时间Δt的期间根据受光元件的光电转换而生成的电荷(蓄积在受光元件中的电荷)的控制信号,被共同提供给n个像素部110。
像素驱动电路112根据来自控制电路100的控制信号DRC,生成驱动n个像素部110的驱动信号Drv。n个像素部110沿一维方向排列设置,驱动信号Drv由驱动信号线311传输至n个像素部110。并且,当驱动信号Drv有效(高电平)且像素选择信号SELi-1有效(高电平)时,第i个(i为1~n中的任意一个)像素部110使像素选择信号SELi有效(高电平)而输出输出信号(像素信号)。像素选择信号SELi被输出到第i+1个像素部110。
n个像素部110包含受光元件,分别根据第1传输控制信号Tx1、第2传输控制信号Tx2、像素选择信号SEL(SEL0~SELn-1中的任意一个)、复位信号RST和驱动信号Drv,输出与受光元件在曝光时间Δt的期间接收到的光对应的电压的像素信号,其中,所述受光元件接收来自形成在被读取介质上的图像的光而进行光电转换。从n个像素部110输出的输出信号(像素信号)由输出信号线301依次传输至CDS电路120。
n个像素部110全部为相同的结构,图8是示出像素部110(第i个像素部110)的结构的图。如图8所示,像素部110具有4个受光元件PD1、PD2、PD3、PD4。即,像素部110包含4个像素。
受光元件PD1、PD2、PD3、PD4接收光(在本实施方式中为来自形成在被读取介质上的图像的光)而转换成电信号(光电转换)。在本实施方式中,受光元件PD1、PD2、PD3、PD4由光电二极管构成,阳极接地。受光元件PD1的阴极与NMOS晶体管M11的源极连接,受光元件PD2的阴极与NMOS晶体管M12的源极连接,受光元件PD3的阴极与NMOS晶体管M13的源极连接,受光元件PD4的阴极与NMOS晶体管M14的源极连接。
NMOS晶体管M11的漏极与NMOS晶体管M21的源极连接,NMOS晶体管M12的漏极与NMOS晶体管M22的源极连接,NMOS晶体管M13的漏极与NMOS晶体管M23的源极连接,NMOS晶体管M14的漏极与NMOS晶体管M24的源极连接。对4个NMOS晶体管M11、M12、M13、M14的各栅极提供第1传输控制信号Tx1。因此,NMOS晶体管M11、M12、M13、M14作为根据第1传输控制信号Tx1对是否导通进行切换的开关发挥功能。
4个NMOS晶体管M21、M22、M23、M24的各漏极与NMOS晶体管M3的源极、NMOS晶体管M4的栅极和电容C0的一端公共连接。电容C0的另一端接地。对NMOS晶体管M21的栅极提供信号Tx2a,对NMOS晶体管M22的栅极提供信号Tx2b,对NMOS晶体管M23的栅极提供信号Tx2c,对NMOS晶体管M24的栅极提供信号Tx2d。
对NMOS晶体管M3的漏极例如提供电源电压VDD,对NMOS晶体管M3的栅极提供复位信号RST。
对NMOS晶体管M4的漏极例如提供电源电压VDD,NMOS晶体管M4的源极与NMOS晶体管M5的漏极连接。
NMOS晶体管M5的源极与输出信号线301连接,对NMOS晶体管M5的栅极提供触发器(F/F)的输出信号(像素选择信号SELi)。
触发器(F/F)被输入像素选择信号SELi-1和驱动信号Drv,在驱动信号Drv的上升沿取入像素选择信号SELi-1并输出延迟后的像素选择信号SELi。另外,像素选择信号SELi经由未图示的延迟电路成为触发器(F/F)的非同步复位信号。因此,像素选择信号SELi在变成有效(高电平)之后,在经过期望的时间后又返回到无效(低电平)。
这样构成的第i个像素部110如下所述进行动作。首先,在曝光时间Δt内,第1传输控制信号Tx1、第2传输控制信号Tx2(Tx2a、Tx2b、Tx2c、Tx2d)、像素选择信号SELi-1、驱动信号Drv全部为无效(低电平),受光元件PD1、PD2、PD3、PD4蓄积与接收到的光对应的电荷(负电荷)。
接下来,只有第1传输控制信号Tx1变成有效(高电平),4个NMOS晶体管M11、M12、M13、M14全部导通。由此,根据受光元件PD1的光电转换而生成的电荷(蓄积在受光元件PD1中的电荷(负电荷))经由NMOS晶体管M11被传输至形成在NMOS晶体管M11的漏极与NMOS晶体管M21的源极的连接节点的中间蓄积电容C1(未图示)进行蓄积。此外,根据受光元件PD2的光电转换而生成的电荷(蓄积在受光元件PD2中的电荷(负电荷))经由NMOS晶体管M12被传输至形成在NMOS晶体管M12的漏极与NMOS晶体管M22的源极的连接节点的中间蓄积电容C2(未图示)进行蓄积。此外,根据受光元件PD3的光电转换而生成的电荷(蓄积在受光元件PD3中的电荷(负电荷))经由NMOS晶体管M13被传输至形成在NMOS晶体管M13的漏极与NMOS晶体管M23的源极的连接节点的中间蓄积电容C3(未图示)进行蓄积。此外,根据受光元件PD4的光电转换而生成的电荷(蓄积在受光元件PD4中的电荷(负电荷))经由NMOS晶体管M14被传输至形成在NMOS晶体管M14的漏极与NMOS晶体管M24的源极的连接节点的中间蓄积电容C4(未图示)进行蓄积。
接下来,第1传输控制信号Tx1变成无效(低电平),提供给像素部110的驱动信号Drv按照时钟信号CLK的每半个周期反复地有效(高电平)和无效(低电平)。
此外,复位信号RST按照时钟信号CLK的每一个周期有效(高电平)固定时间。由此,NMOS晶体管M3导通而使电容C0初始化,在电容C0中蓄积固定量的电荷(正电荷)。此外,在复位信号RST按照时钟信号CLK的每一个周期返回到无效(低电平)之后,构成第2传输控制信号Tx2的4个信号Tx2a、Tx2b、Tx2c、Tx2d中的至少一个信号有效(高电平)固定时间。
具体而言,当分辨率被设定成1200dpi时,首先,在时钟信号CLK的一个周期内,只有信号Tx2a有效(高电平)固定时间。接下来,在时钟信号CLK的一个周期内,只有信号Tx2b有效(高电平)固定时间。接下来,在时钟信号CLK的一个周期内,只有信号Tx2c有效(高电平)固定时间。接下来,在时钟信号CLK的一个周期内,只有信号Tx2d有效(高电平)固定时间。4个信号Tx2a、Tx2b、Tx2c、Tx2d反复进行该动作。
此外,当分辨率被设定成600dpi时,首先,在时钟信号CLK的一个周期内,只有2个信号Tx2a、Tx2b同时有效(高电平)固定时间。接下来,在时钟信号CLK的一个周期内,只有2个信号Tx2c、Tx2d同时有效(高电平)固定时间,反复进行该动作。
此外,当分辨率被设定成300dpi时,在时钟信号CLK的一个周期内,4个信号Tx2a、Tx2b、Tx2c、Tx2d同时有效(高电平)固定时间,反复进行该动作。
并且,当4个信号Tx2a、Tx2b、Tx2c、Tx2d中的至少一个有效(高电平)固定时间时,4个NMOS晶体管M21、M22、M23、M24中的至少一个导通,蓄积在电容C0中的固定量的电荷(正电荷)减少与蓄积在中间蓄积电容C1、C2、C3、C4中的至少一个中的电荷(负电荷)相应的量。
此外,在作为像素信号读出对象的像素部110中,在像素选择信号SELi-1有效(高电平)固定时间而复位信号RST返回到无效(低电平)之后,像素选择信号SELi有效(高电平)固定时间。
由此,NMOS晶体管M5导通,流过NMOS晶体管M4的电流与蓄积在电容C0中的电荷对应地发生变化。由此,NMOS晶体管M4的源极电位发生变化,从像素部110将电压与NMOS晶体管M4的源极电位对应的像素信号输出到输出信号线301。
另一方面,在不是像素信号读出对象的像素部110中,像素选择信号SELi-1维持无效(低电平),因此,像素选择信号SELi也为低电平。因此,NMOS晶体管M5截止,不从像素部110输出像素信号。
另外,为了在短时间内高效地进行电荷传输,将升压电路111的输出用作4个NMOS晶体管M11、M12、M13、M14的栅极信号。
返回图7,CDS电路120经由输出信号线301被输入依次包含分别从n个像素部110输出的像素信号的图像信号Vo,根据来自控制电路100的控制信号CDSC进行动作。CDS电路120通过以基准电压VREF为基准的相关双采样,去除由于n个像素部110具有的放大晶体管的特性偏差而产生的叠加于图像信号Vo的噪声。即,CDS电路120是降低从n个像素部110输出的输出信号(像素信号)中包含的噪声的降噪电路。
采样保持电路130根据采样信号SMP对由CDS电路120去除噪声后的图像信号进行采样,保持采样得到的信号而输出到输出电路140。
输出电路140对采样保持电路130输出的信号进行放大后生成图像信号SO。如前所述,经由输出端子OP1从图像读取芯片415输出图像信号SO,将其提供给模拟前端(AFE)202(参照图5)。
特别是在本实施方式中,输出电路140能够以包含第1驱动能力和大于第1驱动能力的第2驱动能力在内的多个驱动能力中的任意驱动能力来输出基于像素信号的信号即图像信号SO。具体而言,输出电路140被提供驱动能力选择信号OE1、OE2,以根据驱动能力选择信号OE1、OE2选择的多个驱动能力中的任意驱动能力来输出图像信号SO。
输出选择部150根据分别从输入端子IP4、IP5输入的输出控制信号OEA、OEB,从多个驱动能力中选择输出电路140的驱动能力。具体而言,输出选择部150对分别从输入端子IP4、IP5输入的输出控制信号OEA、OEB进行解码而生成驱动能力选择信号OE1、OE2,将其提供给输出电路140。
控制电路100稍早于从输出电路140输出图像信号SO的结束而生成作为高脉冲信号的芯片使能信号EN_O(图5的芯片使能信号EN2~ENm+1中的任意一个),从输出端子OP2输出到下一级图像读取芯片415。然后,控制电路100使输出电路140停止输出图像信号SO而使输出端子OP1成为高阻抗。
图9是图像读取芯片415的各信号的时序图。另外,图9是由扫描仪1读取图像的分辨率被设定成300dpi时的时序图。
如图9所示,首先,在时钟信号CLK的2个周期的期间内,分辨率设定信号RES成为高电平。然后,当经过曝光时间Δt时,之后对各像素部110提供300dpi的各种信号。
首先,在时钟信号CLK的几个周期的期间内,第1传输控制信号Tx1变成有效(高电平)。
接下来,当被输入芯片使能信号EN_I(高脉冲)时,在时钟信号CLK的一个周期的期间内,像素选择信号SEL0变成有效(高电平)。
接下来,在时钟信号CLK的半个周期的期间内,驱动信号Drv变成有效(高电平),第1传输控制信号Tx1和像素选择信号SEL0都变成无效(低电平)。此外,稍迟使复位信号RST在较短的时间内变成有效(高电平)。
接下来,在复位信号RST返回到无效(低电平)之后,构成第2传输控制信号Tx2的4个信号Tx2a、Tx2b、Tx2c、Tx2d全部变成有效(高电平),直到时钟信号CLK下一次下降为止。此外,像素选择信号SEL1变成有效(高电平),由此,将来自第1个像素部110的像素信号输出到输出信号线301,图像信号Vo成为与该像素信号对应的电压。该图像信号Vo的噪声被CDS电路120去除,图像信号SO与采样信号SMP的下降同步地成为与第1个像素信号对应的电压。
接下来,在时钟信号CLK的半个周期的期间内,驱动信号Drv变成有效(高电平),像素选择信号SEL1变成无效(低电平)。此外,稍迟使复位信号RST在较短的时间内变成有效(高电平)。
接下来,在复位信号RST返回到无效(低电平)之后,4个信号Tx2a、Tx2b、Tx2c、Tx2d全部变成有效(高电平),直到时钟信号CLK下一次下降为止。此外,像素选择信号SEL2变成有效(高电平),由此,将来自第2个像素部110的像素信号输出到输出信号线301,图像信号Vo成为与该像素信号对应的电压。该图像信号Vo的噪声被CDS电路120去除,图像信号SO与采样信号SMP的下降同步地成为与第2个像素信号对应的电压。
接下来,在时钟信号CLK的半个周期的期间内,驱动信号Drv变成有效(高电平),像素选择信号SEL2变成无效(低电平)。此外,稍迟使复位信号RST在较短的时间内变成有效(高电平)。
之后,同样地,图像信号SO与采样信号SMP的下降同步地成为与第3个~第n个像素信号对应的电压。
此外,稍早于图像信号SO的输出(输出与第n个像素信号对应的电压)结束而输出芯片使能信号EN_O(高脉冲),当图像信号SO的输出结束时,输出端子OP1即成为高阻抗。
1-4.输出电路的结构
图10是示出本实施方式的输出电路140的结构的一例的图。图10所示的输出电路140具有电阻141、3个NMOS晶体管142、143、144以及2个开关145、146。
电阻141的一端例如被提供电源电压VDD,另一端与NMOS晶体管142的漏极端子连接。该电阻141的另一端处的信号是来自输出电路140的输出信号OUT,输出信号OUT为图像信号SO(参照图7)。
NMOS晶体管142的漏极端子与电阻141的另一端连接,源极端子接地。此外,NMOS晶体管142的栅极端子被提供输入到输出电路140的输入信号IN。该输入信号IN是采样保持电路130(参照图7)的输出信号。
开关145的第1端子与NMOS晶体管142的栅极端子连接,第2端子例如被提供电源电压VSS,第3端子与NMOS晶体管143的栅极端子连接。此外,对开关145的控制端子提供驱动能力选择信号OE1,当驱动能力选择信号OE1有效(本实施方式中为高电平)时,将开关145的第1端子和第3端子导通,对NMOS晶体管143的栅极端子提供输入信号IN。此外,当驱动能力选择信号OE1无效(本实施方式中为低电平)时,将开关145的第2端子和第3端子导通,对NMOS晶体管143的栅极端子例如提供电源电圧VSS。
NMOS晶体管143的漏极端子与电阻141的另一端连接,源极端子接地,栅极端子与开关145的第3端子连接。
开关146的第1端子与NMOS晶体管142的栅极端子连接,第2端子例如被提供电源电压VSS,第3端子与NMOS晶体管144的栅极端子连接。此外,对开关146的控制端子提供驱动能力选择信号OE2,当驱动能力选择信号OE2有效(本实施方式中为高电平)时,将开关146的第1端子和第3端子导通,对NMOS晶体管144的栅极端子提供输入信号IN。此外,当驱动能力选择信号OE2无效(本实施方式中为低电平)时,将开关146的第2端子和第3端子导通,对NMOS晶体管144的栅极端子例如提供电源电圧VSS。
NMOS晶体管144的漏极端子与电阻141的另一端连接,源极端子接地,栅极端子与开关146的第3端子连接。
例如,3个NMOS晶体管142、143、144的閾值及栅极尺寸(W/L)相同(允许有制造误差)。
这样构成的输出电路140是源极接地电路,当输入信号IN的电压包含在NMOS晶体管142、143、144在线性区域进行动作的规定范围内时,输入信号IN的电压越高,则流过电阻141的电流越大(电阻141中的电压降越大),因此,输出信号OUT的电压降低。因此,只要使采样保持电路130的输出信号(输入信号IN)的电压仅在规定范围内进行变化,则图像信号SO(输出信号OUT)成为对采样保持电路130的输出信号(输入信号IN)进行反相放大而得到的信号。
并且,在输出电路140中,当驱动能力选择信号OE1和驱动能力选择信号OE2都无效(低电平)时,虽然在NMOS晶体管142的漏极-源极间流过电流I1,但是,在NMOS晶体管143、144的漏极-源极间却不流过电流。因此,电流I1流过电阻141,设这时的驱动能力(驱动电流)为α1。
此外,当驱动能力选择信号OE1有效(高电平)且驱动能力选择信号OE2无效(低电平)时,虽然在NMOS晶体管142、143的漏极-源极间分别流过电流I1,但是,在NMOS晶体管144的漏极-源极间却不流过电流。因此,电流I1的2倍电流流过电阻141,这时的驱动能力(驱动电流)α2为α1的2倍。
此外,当驱动能力选择信号OE1和驱动能力选择信号OE2都有效(高电平)时,在NMOS晶体管142、143、144的漏极-源极间分别流过电流I1。因此,电流I1的3倍电流流过电阻141,这时的驱动能力(驱动电流)α3为α1的3倍。
另外,在图10所示的输出电路140中,设驱动能力为α1、α2、α3时的放大率分别为β1、β2、β3时,β2是β1的2倍,β3是β1的3倍,但是,输出电路140也可以是能够在放大率保持固定的状态下选择多个驱动能力的结构的电路。
图11是示出本实施方式的输出电路140的另一结构的一例的图。图11所示的输出电路140具有5个CMOS反相器元件161、162、163、164、165、2个PMOS晶体管166、167以及2个NMOS晶体管168、169。
CMOS反相器元件161的高电源端子例如被提供电源电压VDD,低电源端子例如被提供电源电压VSS。此外,对CMOS反相器元件161的输入端子提供输入到输出电路140的输入信号IN。该输入信号IN是采样保持电路130(参照图7)的输出信号。此外,从CMOS反相器元件161的输出端子输出的信号是来自输出电路140的输出信号OUT,输出信号OUT为图像信号SO(参照图7)。
CMOS反相器元件164的输入端子被提供驱动能力选择信号OE1,输出端子与PMOS晶体管166的栅极端子连接。
PMOS晶体管166的栅极端子与CMOS反相器元件164的输出端子连接,源极端子例如被提供电源电压VDD,漏极端子与CMOS反相器元件162的高电源端子连接。因此,当驱动能力选择信号OE1有效(高电平)时,PMOS晶体管166的源极-漏极间导通,CMOS反相器元件162的高电源端子例如被提供电源电压VDD。
NMOS晶体管168的栅极端子被提供驱动能力选择信号OE1,源极端子例如被提供电源电压VSS,漏极端子与CMOS反相器元件162的低电源端子连接。因此,当驱动能力选择信号OE1有效(高电平)时,NMOS晶体管168的源极-漏极间导通,CMOS反相器元件162的低电源端子例如被提供电源电压VSS。
CMOS反相器元件162的高电源端子与PMOS晶体管166的漏极端子连接,低电源端子与NMOS晶体管168的漏极端子连接。因此,当驱动能力选择信号OE1有效(高电平)时,CMOS反相器元件162的高电源端子和低电源端子分别例如被提供电源电压VDD和电源电压VSS而进行动作。此外,CMOS反相器元件162的输入端子与CMOS反相器元件161的输入端子连接,被提供输入信号IN。此外,CMOS反相器元件162的输出端子与CMOS反相器元件161的输出端子连接。
CMOS反相器元件165的输入端子被提供驱动能力选择信号OE2,输出端子与PMOS晶体管167的栅极端子连接。
PMOS晶体管167的栅极端子与CMOS反相器元件165的输出端子连接,源极端子例如被提供电源电压VDD,漏极端子与CMOS反相器元件163的高电源端子连接。因此,当驱动能力选择信号OE2有效(高电平)时,PMOS晶体管167的源极-漏极间导通,CMOS反相器元件163的高电源端子例如被提供电源电压VDD。
NMOS晶体管169的栅极端子被提供驱动能力选择信号OE2,源极端子例如被提供电源电圧VSS,漏极端子与CMOS反相器元件163的低电源端子连接。因此,当驱动能力选择信号OE2有效(高电平)时,NMOS晶体管169的源极-漏极间导通,CMOS反相器元件163的低电源端子例如被提供电源电压VSS。
CMOS反相器元件163的高电源端子与PMOS晶体管167的漏极端子连接,低电源端子与NMOS晶体管169的漏极端子连接。因此,当驱动能力选择信号OE2有效(高电平)时,CMOS反相器元件163的高电源端子和低电源端子分别例如被提供电源电压VDD和电源电压VSS而进行动作。此外,CMOS反相器元件163的输入端子与CMOS反相器元件161的输入端子连接,被提供输入信号IN。此外,CMOS反相器元件163的输出端子与CMOS反相器元件161的输出端子连接。
例如,3个CMOS反相器元件161、162、163的閾值及栅极尺寸(W/L)相同(允许有制造误差)。
在这样构成的输出电路140中,当输入信号IN的电压包含在CMOS反相器元件161、162、163在线性区域进行动作的规定范围内时,输入信号IN的电压越高,则输出信号OUT的电压越低。因此,只要使采样保持电路130的输出信号(输入信号IN)的电压仅在规定范围内进行变化,则图像信号SO(输出信号OUT)成为对采样保持电路130的输出信号(输入信号IN)进行反相放大而得到的信号。
并且,在输出电路140中,当驱动能力选择信号OE1和驱动能力选择信号OE2都无效(低电平)时,CMOS反相器元件161进行动作,但是,CMOS反相器元件162、163不进行动作。因此,电流I1从CMOS反相器元件161的高电源端子流向输出端子,设这时的驱动能力(驱动电流)为α1。
此外,当驱动能力选择信号OE1有效(高电平)且驱动能力选择信号OE2无效(低电平)时,CMOS反相器元件161、162进行动作,但是,CMOS反相器元件163不进行动作。因此,电流I1分别从CMOS反相器元件161、162的高电源端子流向输出端子,这时的驱动能力(驱动电流)α2为α1的2倍。
此外,当驱动能力选择信号OE1和驱动能力选择信号OE2都有效(高电平)时,CMOS反相器元件161、162、163都进行动作。因此,电流I1分别从CMOS反相器元件161、162、163的高电源端子流向输出端子,这时的驱动能力(驱动电流)α3为α1的3倍。
另外,在图11所示的输出电路140中,设驱动能力为α1、α2、α3时的放大率分别为β1、β2、β3时,β1=β2=β3。
这样,图10或图11所示的输出电路140均能够根据驱动能力选择信号OE1、OE2的电压电平,以驱动能力α1(“第1驱动能力”的一例)、大于驱动能力α1的驱动能力α2(“第1驱动能力”的一例)和大于驱动能力α1、α2的驱动能力α3(“第2驱动能力”的一例)中的任意驱动能力来输出基于像素信号的信号即图像信号SO。驱动能力α1在驱动能力α1、α2、α3中最小,驱动能力α3在驱动能力α1、α2、α3中最大。
如前所述,输出选择部150对分别从输入端子IP4、IP5输入的输出控制信号OEA、OEB进行解码而生成驱动能力选择信号OE1、OE2,将其提供给输出电路140。
图12示出输出选择部150的解码逻辑的真值表的一例。在图12所示的例子中,如果输出控制信号OEA和输出控制信号OEB均为低电平,则驱动能力选择信号OE1、OE2均为低电平。因此,如果分别对输入端子IP4、IP5提供的恒定电压VA、VB均为电源电压VSS(0V),则图10或图11所示的输出电路140的驱动能力为α1。此外,如果输出控制信号OEA为高电平且输出控制信号OEB为低电平,则驱动能力选择信号OE1为高电平,驱动能力选择信号OE2为低电平。因此,如果对输入端子IP4提供的恒定电压VA为电源电压VDD(例如3.3V)且对输入端子IP5提供的恒定电压VB为电源电压VSS(0V),则图10或图11所示的输出电路140的驱动能力为α2。此外,如果输出控制信号OEA为低电平且输出控制信号OEB为高电平,则驱动能力选择信号OE1、OE2均为高电平。因此,如果对输入端子IP4提供的恒定电压VA为电源电压VSS(0V)且对输入端子IP5提供的恒定电压VB为电源电压VDD(例如3.3V),则图10或图11所示的输出电路140的驱动能力为α3。
这样,本实施方式的图像读取芯片415能够以根据分别对输入端子IP4、IP5提供的恒定电压VA、VB选择出的驱动能力来输出图像信号SO,是通用性较高的IC芯片。
如前所述,本实施方式的扫描仪1是输送原稿的进纸型扫描仪,因此,无需移动图像传感器模块41。因此,例如,如图2所示,图像传感器模块41被固定在距安装有模拟前端(AFE)202和控制部200的主基板60较近的位置。
于是,将图像传感器模块41(m个图像读取芯片415)与主基板60电连接的布线,即从图像传感器模块41的m个图像读取芯片415向模拟前端(AFE)202传输图像信号SO的布线(图像信号SO的传输布线)较短。因此,图像信号SO的传输布线的负载较小,可以将m个图像读取芯片415各自的输出电路140的驱动能力设定成α1或α2而不设定成最大的驱动能力α3。即,在m个图像读取芯片415的各个图像读取芯片中,输出选择部150可以选择驱动能力α1或α2作为输出电路140的驱动能力。特别是在进行图像传感器模块41与主基板60之间的距离(图像信号SO的传输布线的长度)非常短的安装的情况下,能够将m个图像读取芯片415各自的输出电路140的驱动能力设定成最小的驱动能力α1。即,在m个图像读取芯片415的各个图像读取芯片中,输出选择部150可以选择最小的驱动能力α1作为输出电路140的驱动能力。
1-5.作用效果
如以上说明的那样,根据第1实施方式的扫描仪1,在图像读取芯片415中,能够根据分别被输入到输入端子IP4、IP5的输出控制信号OEA、OEB的电压VA、VB,按照图像信号SO的传输布线的负载的大小以不会过量的方式适当地设定输出电路140的驱动能力,因此,能够抑制过量的电力消耗以及伴随信号传输的过量的噪声的产生。
特别地,本实施方式的扫描仪1是不移动图像传感器模块41的进纸型扫描仪,因此,能够将图像传感器模块41固定在距主基板60较近的位置。因此,从图像读取芯片415向模拟前端(AFE)202传输图像信号SO的布线较短,布线负载较小。因此,能够将图像读取芯片415的输出电路140的驱动能力设定成较小的α1或α2,其结果是,能够减少电力消耗以及伴随图像信号SO的传输的噪声。
此外,第1实施方式的扫描仪1使用能够以从多个驱动能力中选择出的驱动能力来输出图像信号SO的通用性较高的图像读取芯片415,因此,无需对扫描仪1设计特殊化的图像读取芯片,从而能够实现低成本化。
此外,根据本实施方式的扫描仪1,在组装扫描仪1时,只要将图像读取芯片415的输入端子IP4、IP5分别与输出恒定电压VA、VB的电压源连接即可,因此,能够容易地设定图像读取芯片415的输出电路140的驱动能力。
另外,在本实施方式中,在图像读取芯片415中,输出电路140的驱动能力可以从α1、α2、α3这3种驱动能力中选择,但是,也可以从2种驱动能力中选择,还可以从4种以上的驱动能力中选择。
2.第2实施方式
以下,关于第2实施方式的扫描仪1,对与第1实施方式相同的构成要素标记相同的标号并省略与第1实施方式重复的说明,主要对与第1实施方式不同的内容进行说明。
第2实施方式的扫描仪1的结构与第1实施方式(图1~图4)相同,因此,省略其图示和说明。此外,第2实施方式的图像读取芯片415的功能框图与第1实施方式(图7)相同,因此,省略其图示和说明。
图13是示出第2实施方式的扫描仪1的功能结构例的功能框图。如图13所示,在第2实施方式的扫描仪1中,从控制部200传输被输入到m个图像读取芯片415(415-1~415-m)的输入端子IP4的输出控制信号OEA。同样,从控制部200传输被输入到m个图像读取芯片415的输入端子IP5的输出控制信号OEB。例如,控制部200向m个图像读取芯片415的输入端子IP4提供恒定电压VA作为输出控制信号OEA。同样,控制部200向m个图像读取芯片415的输入端子IP5提供恒定电压VB作为输出控制信号OEB。
与第1实施方式相同,在图像读取芯片415中,输出选择部150例如按照图12所示的解码逻辑对分别从输入端子IP4、IP5输入的输出控制信号OEA、OEB进行解码而生成驱动能力选择信号OE1、OE2,将其提供给输出电路140。然后,与第1实施方式相同,输出电路140例如是图10或图11所示的结构的电路,与驱动能力选择信号OE1、OE2的电压电平对应地,以驱动能力α1、α2、α3中的任意驱动能力来输出图像信号SO。
根据以上说明的第2实施方式的扫描仪1,起到与第1实施方式相同的效果。此外,根据第2实施方式的扫描仪1,根据从控制部200传输的输出控制信号OEA、OEB来选择图像读取芯片415的输出电路140的驱动能力,因此,在组装扫描仪1后,能够与图像信号SO的负载的变化对应地变更输出电路140的驱动能力,从而能够有效地抑制过量的电力消耗以及伴随信号传输的过量的噪声的产生。
3.第3实施方式
图14是例示第3实施方式的扫描仪1(图像读取装置)的外观的立体图。图15是表示扫描仪1的内部的立体图。各图中所示的X-Y-Z坐标系的X方向和Y方向是水平方向,其中,X方向是图像读取单元62的扫描方向,并且是扫描仪1的进深方向。此外,Y方向是图像读取单元62的延伸方向,并且是扫描仪1的宽度方向。Z方向是重力方向,并且是扫描仪1的高度方向。另外,在各图中,设+Z方向为扫描仪1的上表面侧,-Z方向侧为扫描仪1的下表面侧。
如图14所示,第3实施方式的扫描仪1具有原稿台玻璃72,该原稿台玻璃72的上表面形成载置原稿(“形成图像的介质”的一例)的原稿载置面72a。在本实施方式中,原稿台玻璃72是透明的玻璃板。原稿台玻璃72的周围由多个框架构成,由这些框架划设的矩形区域成为可由图像读取单元62(参照图15)进行读取的原稿读取区域(原稿载置面72a)。
另外,扫描仪1具有未图示的可开闭的盖,该盖以对原稿载置面72a进行开闭的方式构成。此外,该盖上设有由弹性材料(例如海绵)形成的原稿按压垫(未图示),在关闭盖时,利用所述原稿按压垫按压载置于原稿载置面72a上的原稿,以使该原稿的被读取面与原稿载置面72a紧密贴合。
划设原稿载置面72a的框架由右上框架67、左上框架68、后框架69和上前框架70构成。对壳体65安装这些框架。另外,在上前框架70的下侧,对壳体65安装下前框架71。标号73是操作扫描仪1的操作按钮。以上各框架和壳体65例如全部由树脂材料形成。
壳体65呈箱形的形状,如图15所示,在该壳体65上设有图像读取单元62。
图像读取单元62由图像传感器模块41和保持图像传感器模块41的滑架64构成。图像传感器模块41以被安装于滑架64上的施力部件(未图示)朝+X方向施力的状态保持在滑架64内。
图像传感器模块41向载置于原稿载置面72a上的原稿照射光,接收来自原稿的反射光(来自图像的光),生成基于通过光电转换而得到的信号的图像信号,由此读取原稿的信息(图像)。与第1实施方式或第2实施方式相同,图像传感器模块41例如是CIS方式的CMOS行传感器,在第1实施方式已对其结构和功能进行了说明,因此省略。
滑架64以能够移动的方式与引导部66卡合,并且,在下表面侧具有作为使滑架64移动的驱动源的未图示的马达,构成为由引导部66引导着借助马达的驱动力沿X轴方向移动。在滑架64上设有卡合部件80,该卡合部件80以能够滑动的方式与引导部66侧的凸部78卡合。
设置于滑架64的下表面侧的马达与挠性扁平线缆81的一端连接。挠性扁平线缆81的另一端与未图示的电力供给源连接,从电力供给源经由挠性扁平线缆81对马达供给电力。挠性扁平线缆81从滑架64的下表面侧引出,固定在滑架64的规定位置例如滑架64的+X方向侧的壁面的位置86后在壳体65内拉绕。并且,挠性扁平线缆81构成为由于具有弯曲的部分,从而能够随着滑架64的移动即图像读取单元62的移动而变形。
此外,图像传感器模块41具有配置有多个(m个)图像读取芯片415的模块基板414(参照图3、图4),模块基板414与挠性扁平线缆82连接。来自包含控制部200和模拟前端(AFE)202(参照图5)的处理部2的各种信号经由挠性扁平线缆82而被传输至图像读取芯片415。此外,来自图像读取芯片415的图像信号SO经由挠性扁平线缆82而被传输至处理部2。挠性扁平线缆82从图像传感器模块41的下表面侧引出后固定在滑架64的+X方向侧的壁面上。用标号87示出挠性扁平线缆82固定在滑架64上的固定位置。挠性扁平线缆82也与挠性扁平线缆81相同地构成为由于具有弯曲的部分,从而能够随着滑架64的移动即图像读取单元62的移动而变形。
滑架64和作为滑架64的驱动源的未图示的马达构成使图像读取单元62(具有图像读取芯片415的图像传感器模块41)移动的移动部,第3实施方式的扫描仪1是所谓的平板型扫描仪。因此,需要长度与图像传感器模块41的移动距离对应的挠性扁平线缆82,因此,传输图像信号SO的挠性扁平线缆82变长,布线负载变得较大。因此,将图像读取芯片415的输出电路140的驱动能力设定成最小的驱动能力α1以外的驱动能力α2或α3。特别是在进行挠性扁平线缆82非常长的安装的情况下,可以将输出电路140的驱动能力设定成最大的驱动能力α3。
第3实施方式的图像传感器模块41的结构与第1实施方式(图3和图4)相同,因此,省略其图示和说明。此外,第3实施方式的扫描仪的结构例与第1实施方式(图5)或第2实施方式(图13)相同,因此,省略其图示和说明。此外,第3实施方式的图像读取芯片415的功能框图与第1实施方式(图7)相同,因此,省略其图示和说明。
根据以上说明的第3实施方式的扫描仪1,起到与第1实施方式相同的效果。此外,在第3实施方式的扫描仪1中,由于是具有图像读取芯片415的图像传感器模块41进行移动的平板型扫描仪,因此,传输图像信号SO的挠性扁平线缆82变长,布线负载变得较大。因此,根据第3实施方式的扫描仪1,图像读取芯片415的输出电路140的驱动能力被设定成较大的α2或α3,其结果是,能够在抑制过量的电力消耗以及伴随信号传输的过量的噪声的产生的同时可靠地进行图像信号SO的传输。
以上,对本实施方式进行了说明,但本发明并不限于这些实施方式,能够在不脱离其宗旨的范围内以各种方式来实施。例如,也可以适当组合上述各实施方式。
本发明包含与在实施方式中说明的结构实质上相同的结构(例如功能、方法和结果相同的结构或目的和效果相同的结构)。此外,本发明包含置换在实施方式中说明的结构的非本质性部分而成的结构。此外,本发明包含起到与在实施方式中说明的结构相同的作用效果的结构或能够达到相同目的的结构。此外,本发明包含在实施方式中说明的结构中添加公知技术而成的结构。
Claims (9)
1.一种图像读取装置,该图像读取装置包含用于读取图像的图像读取芯片,其特征在于,
所述图像读取芯片具有:
端子;
像素部,其包含接收来自所述图像的光而进行光电转换的受光元件,输出像素信号;
输出电路,其被以包含第1驱动能力和大于所述第1驱动能力的第2驱动能力在内的多个驱动能力中的任意驱动能力驱动,输出基于所述像素信号的信号;以及
输出选择部,其根据被输入到所述端子的信号,从所述多个驱动能力中选择所述输出电路的所述驱动能力。
2.根据权利要求1所述的图像读取装置,其特征在于,
所述输出选择部根据被输入到所述端子的所述信号的电压电平来选择所述驱动能力。
3.根据权利要求1或2所述的图像读取装置,其特征在于,
所述图像读取装置包含输送部,该输送部输送形成有所述图像的介质,
所述输出选择部选择所述第1驱动能力。
4.根据权利要求3所述的图像读取装置,其特征在于,
所述第1驱动能力在所述多个驱动能力中最小。
5.根据权利要求1或2所述的图像读取装置,其特征在于,
所述图像读取装置包含移动部,该移动部移动所述图像读取芯片,
所述输出选择部选择所述第2驱动能力。
6.根据权利要求5所述的图像读取装置,其特征在于,
所述第2驱动能力在所述多个驱动能力中最大。
7.根据权利要求1~6中的任意一项所述的图像读取装置,其特征在于,
所述端子与输出恒定电压的电压源电连接。
8.根据权利要求1~6中的任意一项所述的图像读取装置,其特征在于,
所述图像读取装置包含控制部,该控制部控制所述图像读取芯片的动作,
从所述控制部传输被输入到所述端子的所述信号。
9.一种半导体装置,其特征在于,所述半导体装置包含:
端子;
像素部,其包含接收光而进行光电转换的受光元件,输出像素信号;
输出电路,其被以包含第1驱动能力和大于所述第1驱动能力的第2驱动能力在内的多个驱动能力中的任意驱动能力驱动,能够输出基于所述像素信号的信号;以及
输出选择部,其根据被输入到所述端子的信号来选择所述输出电路的所述驱动能力。
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