CN107885003B - 具有修复结构的显示装置 - Google Patents

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Abstract

公开一种在显示面板中具有使有缺陷的像素像正常像素一样操作的修复结构的显示装置。显示装置包括：显示面板，在该显示面板中限定形成数据线和栅极线的多个像素；配置为向数据线供给数据电压的数据驱动单元；和配置为向栅极线供给扫描信号的栅极驱动单元，来自多个像素的像素包括：第一晶体管；第二晶体管；与第一晶体管的源极节点和漏极节点的至少之一间隔开的第一焊接图案；和与第二晶体管的源极节点和漏极节点的至少之一间隔开的第二焊接图案。或显示装置进一步包括焊接图案，第一晶体管的漏极节点耦接至第二晶体管的漏极节点，第一晶体管的源极节点耦接至第二晶体管的源极节点，焊接图案串联地耦接至第二晶体管以使电流不能流经第二晶体管。

Description

具有修复结构的显示装置
本申请是申请日为2014年8月13日申请的申请号为201410398796.0，并且发明名称为“具有修复结构的显示装置”的发明专利申请的分案申请。
相关申请的交叉引用
本申请要求享有于2013年12月02日提交的韩国专利申请第10-2013-0148487号的权益，为了所有目的，通过援引将该专利申请结合在此，如同该专利申请在此被全部阐述一样。
技术领域
本发明涉及一种具有晶体管结构的显示装置。
背景技术
用于图像显示的至少一个晶体管被设置在用于显示装置的显示面板的每一个像素处，所述显示装置诸如是液晶显示器(LCD)、有机发光显示器(OLED)等。
因为在显示面板的每一个像素内的这样的晶体管是通过各种工艺制造的，所以晶体管因这些工艺期间产生的微小的外来物质的缘故而非正常地操作，以致可能出现使相应的像素变亮或变暗的问题。
变亮的或变暗的有缺陷的像素降低制造产量并增加显示面板的制造成本。
因此，在现有技术中，执行将因在工艺期间产生的杂质材料的缘故而变亮的有缺陷的像素变成暗的并且使该有缺陷的像素不像正常像素那样操作以致大概不被从视觉上识别的修复工艺。
然而，当变暗的像素的数量因相关修复工艺的缘故而增加时，可能不会使用显示面板以致该显示面板被丢弃。另外，不能针对变暗的有缺陷的像素现时执行特别有效的修复工艺。
发明内容
在这样的背景下，本发明的一方面提供一种具有使有缺陷的像素像正常像素一样操作的修复结构的显示装置。
另外，本发明的另一方面提供一种显示装置，在该显示装置中在修复工艺之后补偿有缺陷的像素的亮度以使有缺陷的像素像正常像素一样操作。
根据本发明的一方面，提供一种显示装置，该显示装置包括：显示面板，在显示面板中限定多个像素，在所述多个像素中形成数据线和栅极线；数据驱动单元，所述数据驱动单元被配置为向数据线供给数据电压；和栅极驱动单元，所述栅极驱动单元被配置为向栅极线供给扫描信号，其中来自多个像素的像素包括：第一晶体管；第二晶体管；第一焊接图案，所述第一焊接图案与第一晶体管的源极节点和漏极节点的至少一个节点间隔开；和第二焊接图案，所述第二焊接图案与第二晶体管的源极节点和漏极节点的至少一个节点间隔开。
第一晶体管和第二晶体管可彼此串联连接并一起执行开关操作。
像素可包括连接图案，所述连接图案用于连接第一晶体管和第二晶体管的一个晶体管的源极节点和漏极节点。
一方面，通过焊接第一焊接图案和第二焊接图案的一个焊接图案来形成连接图案，且第一晶体管和第二晶体管的一个晶体管执行开关操作。
根据本发明的另一方面，提供一种显示装置，该显示装置包括：显示面板，在显示面板中限定多个像素，在所述多个像素中形成数据线和栅极线；数据驱动单元，所述数据驱动单元被配置为向数据线供给数据电压；和栅极驱动单元，所述栅极驱动单元被配置为向栅极线供给扫描信号，其中来自多个像素的像素包括：第一晶体管；第二晶体管；和焊接图案，且其中第一晶体管的漏极节点耦接至第二晶体管的漏极节点，且第一晶体管的源极节点耦接至第二晶体管的源极节点，且焊接图案串联地耦接至第二晶体管以使电流不能流经第二晶体管。
焊接图案可形成在第二晶体管的漏极节点处或源极节点处。
在一种途径中，至少切断第一晶体管的漏极节点和源极节点，然后在焊接图案上形成连接图案以使第二晶体管能够传导电流。
可通过焊接焊接图案来形成连接图案。
在一个实例中，第二晶体管的尺寸比第一晶体管的尺寸小。
如上所述，根据本发明提供一种具有使有缺陷的像素像正常像素一样操作的修复结构的显示装置。
另外，根据本发明提供一种显示装置，在该显示装置中在修复工艺之后补偿有缺陷的像素的亮度以使有缺陷的像素像正常像素一样操作。
附图说明
本发明的以上及其它目的、特征和优点将由以下结合各附图进行的详细描述而更加显而易见，在附图中：
图1示意性地表示应用实施方式的显示装置的系统；
图2在部分(A)中表示根据实施方式的修复晶体管结构，在部分(B)中表示根据另一实施方式的修复晶体管结构；
图3表示在修复工艺之前(部分(A)中)和在修复工艺之后(部分(B)中)的具有根据实施方式的修复晶体管结构的像素；
图4至图6表示在通过激光焊接工艺执行修复工艺之前和之后的具有根据实施方式的修复晶体管结构的像素；
图7表示在修复工艺之前(部分(A)中)和修复工艺之后(部分(B)中)的具有根据另一实施方式的修复晶体管结构的像素；
图8是当显示装置是OLED时没有修复晶体管结构的像素的等效电路图；
图9至图11是当显示装置是OLED时具有根据实施方式的修复晶体管结构的像素的三个等效电路图；
图12至图14是当显示装置是OLED时具有根据另一实施方式的修复晶体管结构的像素的三个等效电路图；
图15是当显示装置是OLED时在修复工艺之后的具有根据实施方式或另一实施方式的修复晶体管结构的像素的等效电路图；
图16表示当显示装置是OLED时具有根据实施方式或另一实施方式的修复晶体管结构的像素的修复工艺以及经修复工艺的像素的亮度补偿工艺；
图17是当显示装置是OLED时用于具有根据实施方式或另一实施方式的修复晶体管结构的经修复工艺的像素的亮度补偿的电路图；
图18是当显示装置是OLED时用于具有根据实施方式或另一实施方式的修复晶体管结构的经修复工艺的像素的亮度补偿的时序图；
图19至图22是当显示装置是OLED时关于用于具有根据实施方式或另一实施方式的修复晶体管结构的经修复工艺的像素的亮度补偿的感测模式的每一个步骤的操作电路图；
图23表示当显示装置是OLED时根据执行了(部分(B)中)或没有执行(部分(A)中)具有根据实施方式或另一实施方式的修复晶体管结构的经修复工艺的像素的亮度补偿描绘亮度的图；
图24示意性地表示当显示装置是LCD时不具有根据实施方式或另一实施方式的修复晶体管结构的像素的结构。
图25示意性地表示当显示装置是LCD时具有根据实施方式或另一实施方式的修复晶体管结构的像素的结构。
具体实施方式
之后，将参照附图描述本发明的示例性实施方式。在由参考标记表示附图的元件时，将用相同的参考标记表示相同的元件，尽管这些相同的元件示于不同的附图中。另外，在本发明的以下描述中，当并入本申请的已知功能和配置可能使本发明的主题有些不清楚时，将省略这些已知功能和配置的详细描述。
此外，在描述本发明的部件时本申请可能使用诸如第一、第二、A、B、(a)、(b)或类似术语的术语。这些术语只是用于将一个元件与另一元件区分开来，而不会限制相应元件的本性、顺序、次序、数量等。在书写一个部件与另一部件“连接”、“耦接”或“接触”的情况下，应将其理解为第三部件可“介于”该一个部件与该另一部件之间或者该一个部件可通过第三部件与该另一部件“连接”、“耦接”或“接触”，尽管该一个部件可与该另一部件直接连接或直接接触。
图1示意性地表示应用实施方式的显示装置100的系统。
参照图1，应用实施方式的显示装置100包括：显示面板110，在显示面板110中形成多条数据线DL1至DLm和多条栅极线GL1至GLn，以便限定多个像素；用于向多条数据线DL1至DLm供给数据电压的数据驱动单元120；用于向多条栅极线GL1至GLn供给扫描信号的栅极驱动单元130；用于控制数据驱动单元120和栅极驱动单元130的驱动时序的时序控制器140等。
尽管这样的显示装置100可对应于LCD、OLED等，但显示装置100的每一个像素可必然地包括一个或多个晶体管，而与显示装置100的类型无关。
在本实施方式中，每一个像素包括第一晶体管T1，且进一步包括与第一晶体管T1以“串联结构”或以“并联结构”设置的第二晶体管T2。
在本实施方式中，第一晶体管T1与第二晶体管T2以“串联结构”或以“并联结构”设置表明第一晶体管T1与第二晶体管T2在电路上彼此串联或并联连接，或者在某些情况中，表明尽管第一晶体管T1与第二晶体管T2没有完全在电路上彼此串联或并联连接，但当电路的一部分断路或开路时，第一晶体管T1与第二晶体管T2被设置成部分地彼此连接。
在本实施方式中，当每一个像素内的第一晶体管T1和第二晶体管T2二者都处于正常状态时，第一晶体管T1和第二晶体管T2二者都操作或第一晶体管T1和第二晶体管T2之一操作。另外，当在第一晶体管T1和第二晶体管T2之一中出现问题以致相应像素变成有缺陷的像素时，第一晶体管T1和第二晶体管T2的另一个晶体管操作使得相应像素从变亮的或变暗的有缺陷的像素修复成正常像素。
更详细地，在第一晶体管T1与第二晶体管T2以串联结构设置的情况中，当第一晶体管T1和第二晶体管T2二者都作为开关元件来操作然后在第一晶体管T1中出现问题时，仅第二晶体管T2作为开关元件来操作使得相应像素从有缺陷的像素修复成正常像素。
另外，在第一晶体管T1与第二晶体管T2以并联结构设置的情况中，当供给至第一晶体管T1与第二晶体管T2的总电流仅传导至第一晶体管T1然后在第一晶体管T1中出现问题时，总电流仅传导至第二晶体管T2使得相应像素从有缺陷的像素修复成正常像素。
因此，能够看到第一晶体管T1和第二晶体管T2之一代替了第一晶体管T1和第二晶体管T2二者或第一晶体管T1和第二晶体管T2的另一个晶体管。特别地，当第一晶体管T1与第二晶体管T2以并联结构设置时，第二晶体管T2相当于第一晶体管T1的冗余晶体管，第二晶体管T2代替第一晶体管T1完全执行在出现问题之前由第一晶体管T1执行的功能。
之后，将参照图2描述修复晶体管结构，当第一晶体管T1和第二晶体管T2之一中出现问题(电路随由在制造工艺期间产生的杂质材料引起的短路或电路断路而不操作或出现故障的情况等)从而使相应像素成为有缺陷(例如变亮或变暗)的像素时，通过修复晶体管结构将有缺陷的像素修复成正常像素。
本实施方式中的“修复晶体管结构”意指一种“晶体管结构”，能够通过该“晶体管结构”将有缺陷的像素修复成正常像素。
图2在部分(A)中表示根据实施方式的修复晶体管结构，在部分(B)中表示根据另一实施方式的修复晶体管结构。
图2的部分(A)表示根据实施方式的修复晶体管结构，该修复晶体管结构对应于第一晶体管T1与第二晶体管T2以串联结构设置的晶体管结构。
参照图2的部分(A)，在根据实施方式的修复晶体管结构中，第一晶体管T1的栅极节点G1与第二晶体管T2的栅极节点G2整体地彼此连接，并且第一晶体管T1的源极节点S1与第二晶体管T2的漏极节点D2彼此连接，以使第一晶体管T1与第二晶体管T2以串联结构设置。这里，晶体管T1与T2的源极节点和漏极节点可根据晶体管的类型(N型或P型)或电路的特性而被相反地配置。
参照图2的部分(A)，当第一晶体管T1与第二晶体管T2二者由同时施加到第一晶体管T1的栅极节点G1与第二晶体管T2的栅极节点G2的栅极信号导通时，电流Ia从第一晶体管T1的漏极节点D1流到第二晶体管T2的源极节点S2。
参照图2的部分(A)，彼此串联连接的第一晶体管T1与第二晶体管T2可被表示为等效晶体管T。在图2的部分(A)中，G节点、D节点和S节点分别对应于等效晶体管T的栅极节点、漏极节点和源极节点。
图2的部分(B)表示根据另一实施方式的修复晶体管结构，该修复晶体管结构对应于第一晶体管T1与第二晶体管T2以并联结构设置的晶体管结构。
参照图2的部分(B)，在根据另一实施方式的修复晶体管结构中，第一晶体管T1的栅极节点G1与第二晶体管T2的栅极节点G2连接到一个节点G，且第一晶体管T1的源极节点S1与第二晶体管T2的源极节点S2连接到一个节点S。
同时，漏极节点D(这里也称为“供给节点D”)连接到第一晶体管T1的漏极节点D1，并且通过小电容器C连接到第二晶体管T2的漏极节点D2。形成这样的电容器C的点称为焊接点(WP)。
这里，晶体管T1与T2的源极节点和漏极节点可根据晶体管的类型(N型或P型)或电路的特性而被相反地配置。
参照图2的部分(B)，即使当栅极信号同时施加到第一晶体管T1的栅极节点G1和第二晶体管T2的栅极节点G2时，也由于电容器C的缘故而仅第一晶体管T1操作为用于将电流Ib从供给节点D传导至等效晶体管T的源极节点S(这里也称为“输出节点S”)的正常开关元件。
因此，晶体管T1与T2可被表示为第一晶体管T1。
同时，只要仅第一晶体管T1操作为用于从供给节点D传导电流Ib至输出节点S的正常开关元件，可以以防止第二晶体管T2传导电流的任何方式确定小电容器C的位置和数量。例如，小电容器C可形成在第二晶体管T2的漏极节点D2与等效晶体管T的供给节点D之间、第二晶体管T2的源极节点S2与等效晶体管T的输出节点S之间或在这两位置处。
在描述示于图2的部分(B)中的根据另一实施方式的修复晶体管结构中，再次地，第一晶体管T1与第二晶体管T2并联地连接在供给端D与输出端S之间，且形成使第二晶体管T2在供给端D与输出端S之间不传导电流的诸如电容器C之类的焊接图案。
图2表示当相应像素不是有缺陷的像素而是正常像素时第一晶体管T1和第二晶体管T2的连接结构和操作状态。
当相应像素是变亮的或变暗的有缺陷的像素时，执行修复工艺，使得相应像素像正常像素一样操作。用于像素的修复工艺利用以上描述的修复晶体管结构。
之后，将参照图3至图6描述用于具有根据实施方式的修复晶体管结构的像素的修复工艺，并且将参照图7描述用于具有根据另一实施方式的修复晶体管结构的像素的修复工艺。
图3表示修复工艺之前(部分(A)中)和修复工艺之后(部分(B)中)的具有根据实施方式的修复晶体管结构的像素。
图3的部分(A)表示具有根据实施方式的修复晶体管结构的像素处于正常状态中的情况，图3部分(B)表示通过在对确认为有缺陷的像素的相应像素执行修复工艺而获得的结果。
参照图3的部分(A)，在具有根据本公开内容的实施方式的修复晶体管结构的像素中，第一晶体管T1与第二晶体管T2彼此串联连接。
参照图3的部分(A)，因为像素处于正常状态，所以第一晶体管T1和第二晶体管T2被公共地施加到这两晶体管的栅极信号一起导通，使得电流I流经第一晶体管T1和第二晶体管T2。
也就是说，在多个像素中的执行修复工艺之前的像素中，第一晶体管T1和第二晶体管T2彼此串联连接，并且一起作为开关元件操作。
当在制造工艺期间在像素中的第一晶体管T1和第二晶体管T2的一个晶体管中产生杂质材料并使该像素变为有缺陷的像素时，执行修复工艺以使该像素像正常像素一样操作。
像素的修复工艺对应于：在根据实施方式的修复晶体管结构中，在像素中的第一晶体管T1与第二晶体管T2之间产生问题的晶体管的源极节点和漏极节点被彼此短路，以致该晶体管不操作为开关元件而作为电路连接线。
图3的部分(B)表示当问题产生在第一晶体管T1与第二晶体管T2当中的第一晶体管T1中时通过使第一晶体管T1的漏极节点D1和源极节点S1彼此短路来执行修复工艺的状态。
在具有根据实施方式的修复晶体管结构的多个像素中的经修复工艺的像素中，执行修复工艺以使第一晶体管T1与第二晶体管T2之间的有问题的晶体管短路而另一晶体管作为开关元件操作。
参照图3的部分(B)的实例，当在具有根据实施方式的修复晶体管结构的像素中的第一晶体管T1中产生问题以使相应像素变成有缺陷的像素时，通过使第一晶体管T1的漏极节点D1和源极节点S1短路为单导线(single conductor)400来执行修复工艺。
因此，如图3的部分(B)中所示，在修复工艺之后，在具有根据实施方式的修复晶体管结构的像素中的第一晶体管T1和第二晶体管T2能够被表示为第二晶体管T2。
参照图3的部分(B)，在具有根据实施方式的修复晶体管结构的像素的修复工艺之后，仅第二晶体管T2作为开关元件操作且电流I’流经第二晶体管T2。在这种情况中，电流I’可与修复工艺之前的流经第一晶体管T1和第二晶体管T2的电流I不同。
也就是说，在具有根据实施方式的修复晶体管结构的像素的修复工艺之后，所需的电流I不流动而比电流I小的电流I’流动，以致可在经修复工艺的像素中产生亮度降低。
因此，将针对图16至图23更详细地描述对针对经修复工艺的像素的亮度的降低进行补偿的补偿功能和感测功能。
如上所述，在具有根据实施方式的修复晶体管结构的多个像素中的经修复工艺的像素中，第一晶体管T1和第二晶体管T2之一的源极节点和漏极节点被彼此短路，另一晶体管作为开关元件操作。
之后，将参照图4至图6描述能够通过使有问题的第一晶体管T1的漏极节点D1和源极节点S1短路来执行修复工艺的修复工艺方法和修复晶体管结构。
图4至图6表示在通过激光焊接工艺执行修复工艺之前和之后的具有根据实施方式的修复晶体管结构的像素。
图4的部分(A)表示具有根据实施方式的修复晶体管结构的像素经修复工艺之前的晶体管结构。
参照图4的部分(A)，在具有根据实施方式的修复晶体管结构的多个像素中的至少一个像素(即修复工艺之前的像素)中，形成与第一晶体管T1的源极节点S1和漏极节点D1至少之一间隔开的第一焊接图案410，且形成与第二晶体管T2的源极节点S2和漏极节点D2至少之一间隔开的第二焊接图案420。
同时，在具有根据实施方式的修复晶体管结构的多个像素中可有一个或多个其他经修复工艺的像素。另外，在一个或多个经修复工艺的像素中可形成连接图案，该连接图案通过使用发射激光束的激光焊接工艺焊接第一焊接图案410和第二焊接图案420之一来连接第一晶体管T1和第二晶体管T2之一的源极节点和漏极节点。
参照图4部分(B)，图4的部分(B)表示当在第一晶体管T1和第二晶体管T2之间的第一晶体管T1中产生问题时执行修复工艺之后的情况，通过发射激光束的激光焊接工艺焊接第一焊接图案410，使得形成连接第一晶体管T1的源极节点S1和漏极节点D1的连接图案。
参照图4的部分(B)，连接图案可对应于经过激光焊接工艺的第一焊接图案410和形成在第一晶体管T1的源极节点S1与漏极节点D1之间的焊接颗粒411和412，或者包括第一焊接图案410和焊接颗粒411与412的全部的图案。这里，焊接颗粒411和412可对应于通过使用激光焊接工艺改变焊接图案410的一部分而产生的部分，或者可对应于通过使用激光焊接工艺改变第一晶体管T1的源极节点S1和漏极节点D1的一部分而产生的部分。
因此，第一晶体管T1不能作为开关元件操作而变成单导线，仅第二晶体管T2作为开关元件操作。
图5的部分(A)和(B)是表示具有根据实施方式的修复晶体管结构的像素经修复工艺之前的状态(图4的部分(A))的示例性截面图，图6的部分(A)和(B)是表示具有根据实施方式的修复晶体管结构的像素经修复工艺之后的状态(图4的部分(B))的示例性截面图。在图5和图6中，栅极节点、漏极节点和源极节点分别被示为栅极、漏极和源极。
参照图5的部分(B)，图5的部分(B)表示具有图5的部分(A)中所示的修复晶体管结构的像素的示例性截面图。形成第一晶体管T1的栅极节点G1和第二晶体管T2的栅极节点G2，且形成栅极绝缘体510以覆盖第一晶体管T1的栅极节点G1和第二晶体管T2的栅极节点G2。
第一晶体管T1的有源层(active layer)520和第二晶体管T2的有源层530形成在栅极绝缘体510上。
形成第一晶体管T1的有源层520和第二晶体管T2的有源层530之后，第一晶体管T1的漏极D1与源极S1和第二晶体管T2的漏极D2与源极S2形成在有源层520和530上。这里，第一晶体管T1的源极S1和第二晶体管T2的漏极D2形成为一个电极。
为了保护以这种方式形成的第一晶体管T1和第二晶体管T2，钝化层540和涂层(overcoat layer)550形成在第一晶体管T1和第二晶体管T2上。
参照图5的部分(B)，用于使第一晶体管T1短路的第一焊接图案410和用于使第二晶体管T2短路的第二焊接图案420形成在涂层550上。
第一焊接图案410可被形成为与第一晶体管T1的源极S1和漏极D1间隔开，且可被形成为具有对应于源极S1与漏极D1之间的距离的长度，以为了使源极S1和漏极D1短路。
另外，第二焊接图案420可被形成为与第二晶体管T2的源极S2和漏极D2间隔开，且可被形成为具有对应于源极S2与漏极D2之间的距离的长度，以为了使源极S2和漏极D2短路。
这里，第一焊接图案410和第二焊接图案420可以是例如由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡锌(ITZO)等形成的透明电极，或者可由例如金属或金属氧化物形成。
当图5的部分(B)中表示的晶体管结构对应于由两个驱动晶体管配置的OLED的驱动晶体管的结构时，有机发光二极管的阳极可连接到第二晶体管T2的源极S2。这里，阳极与第一焊接图案410和第二焊接图案420一样可以是由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡锌(ITZO)等形成的透明电极，或可由金属或金属氧化物形成，使得阳极可与形成第一焊接图案410和第二焊接图案420的工艺一起形成。
参照图6的部分(B)，图6的部分(B)表示具有图6的部分(A)所示的修复晶体管结构的像素的示例性截面图。通过向第一焊接图案410发射激光束的激光焊接工艺形成用于连接第一晶体管T1的漏极D1与源极S1的连接图案，所述第一焊接图案410用于使工艺期间产生外来物质而具有问题的第一晶体管T1短路。
因此，第一晶体管T1的漏极D1、漏极连接部分411、第一焊接图案410、源极连接部分412以及源极S1像一条信号线一样彼此连接，以致第一晶体管T1的漏极D1和源极S1短路，从而第一晶体管T1不能作为开关元件操作。
这里，漏极连接部分411和源极连接部分412对应于通过激光焊接工艺新产生的焊接颗粒。另外，连接图案对应于这样的焊接颗粒(漏极连接部分411和源极连接部分412)或对应于包括焊接颗粒(漏极连接部分411和源极连接部分412)和第一焊接图案410的图案。在如上所述的执行修复工艺之前的像素中，即在没有任何连接图案的像素中，第一晶体管T1与第二晶体管T2彼此串联连接以便一起执行开关操作。
同时，在经修复工艺的像素中，即在其中通过焊接第一焊接图案410和第二焊接图案420的一个焊接图案来形成连接图案的至少一个像素中，仅第一晶体管T1和第二晶体管T2的一个没有连接图案的晶体管执行开关操作。
同时，具有根据实施方式的修复晶体管结构的显示装置100可对应于OLED或LCD。
当具有根据实施方式的修复晶体管结构的显示装置100对应于OLED时，设置在多个像素的每一个像素处的第一晶体管T1和第二晶体管T2对应于用于针对以下晶体管中的一个晶体管执行修复工艺的冗余晶体管组，所述晶体管是在相应像素处的用于驱动有机发光二极管的驱动晶体管、用于将电压输送到驱动晶体管的栅极节点的开关晶体管、用于将电压输送到驱动晶体管的源极节点或漏极节点的感测晶体管等。
当具有根据实施方式的修复晶体管结构的显示装置100对应于LCD时，第一晶体管T1和第二晶体管T2的栅极节点可被同时连接到栅极线，第一晶体管T1和第二晶体管T2的一个晶体管(例如第一晶体管T1)的源极节点可被连接到数据线，另一个晶体管的漏极节点可被连接到像素电极。
在上述内容中，已经描述了第一晶体管T1和第二晶体管T2以串联结构设置在一个像素中的根据实施方式的修复晶体管结构以及利用该修复晶体管结构的修复工艺。
之后，将参照图7描述第一晶体管T1和第二晶体管T2以并联结构设置在一个像素中的根据另一实施方式的修复晶体管结构以及利用该修复晶体管结构的修复工艺。
图7的部分(A)和部分(B)表示修复工艺之前和修复工艺之后的具有根据另一实施方式的修复晶体管结构的像素。
图7的部分(A)表示具有根据另一实施方式的修复晶体管结构的像素处于正常状态的情况，图7的部分(B)表示通过对被确认为有缺陷的像素的相应像素执行修复工艺而获得的结果。
参照图7的部分(A)和部分(B)，在具有根据另一实施方式的修复晶体管结构的像素中，第一晶体管T1与第二晶体管T2以并联结构设置。参照图7的部分(A)，第一晶体管T1与第二晶体管T2在供给端D与输出端S之间彼此并联连接，并且焊接图案710可被形成为使第二晶体管T2不能在供给端D与输出端S之间传导电流。
尽管图7的部分(A)中表示电容器被应用为焊接图案710，但不仅是电容器，形成在WP处且使电流不能流经第二晶体管T2的任何部件都能被用作焊接图案710。
同时，参照图7的部分(A)，当第一晶体管T1与第二晶体管T2并联设置时，第一晶体管T1和第二晶体管T2可并联地设置在供给端D与输出端S之间，且代替焊接图案710的断开点可形成在第二晶体管T2与供给端D和输出端S的至少一端(图7中，供给端D)之间。在这种情况中，在修复工艺时间，能通过焊接连接断开点。然而，为了描述方便，之后将基于一假设描述本发明，该假设为焊接图案710被连接在第二晶体管T2与供给端D和输出端S的至少一端(图7中，供给端D)之间。
参照图7的部分(A)，在根据另一实施方式执行修复工艺之前的像素中，由于焊接图案710或断开点的缘故，电流I仅通过第一晶体管T1从供给端D传导至输出端S。
当在具有根据另一实施方式的修复晶体管结构的像素中的第一晶体管T1中出现问题时，为了执行用于相应像素的修复工艺，第一晶体管T1与供给端D之间的点701和第一晶体管T1与输出端S之间的点702的至少一个点被切断，并且通过激光焊接工艺焊接焊接图案710或断开点。因此，在焊接图案710或断开点被焊接的点处形成连接图案。
形成焊接图案710或断开点的地方WP可位于第二晶体管T2的漏极节点D2与供给端D之间或第二晶体管T2的源极节点S2与输出端S之间。另外，WP可位于第二晶体管T2的漏极节点D2与供给端D之间和第二晶体管T2的源极节点S2与输出端S之间。
参照图7的部分(B)，如以上描述的，在显示面板110的多个像素中可有至少一个经修复工艺的像素。在所述至少一个像素中，第一晶体管T1与供给端D和输出端S的至少一端之间的点被切断，并且可形成使第二晶体管T2在供给端D与输出端S之间传导电流的连接图案。这里，通过焊接焊接图案710来形成连接图案。
这样，在形成连接图案的像素中，电流I’仅通过第二晶体管T2从供给端D传导至输出端S。
因此，如图7的部分(B)所示，经修复工艺的像素可被表示为第二晶体管。
在根据另一实施方式的修复晶体管结构中，第二晶体管T2对应于第一晶体管T1的冗余晶体管。因此，考虑到显示面板110的孔径比、尺寸等，第二晶体管T2的尺寸可被设计成比第一晶体管T1的尺寸小。这里，晶体管的尺寸与电流驱动能力有关，且可由沟道宽度W、沟道长度L等确定。
同时，在根据另一实施方式的修复晶体管结构中，在修复工艺之后流经第二晶体管的电流I’与在修复工艺之前流经第一晶体管T1的电流I相比可能减小。在这种情况中，在相应像素处可出现亮度的降低。
为此，在修复工艺之后，数据驱动单元120能够向形成连接图案的像素供给根据第一晶体管T1与第二晶体管T2之间的尺寸差补偿的数据电压。
在这方面，当根据实施方式被修复的像素的数量不大时，对电流与所需电流的差的影响和根据电流差的亮度与所需亮度的差可能是微不足道的。然而，当被修复的像素的数量增加或者亮度差变得显著时，应当对亮度差进行补偿。在对具有根据实施方式的修复晶体管结构的像素执行修复工艺之后，可对亮度差进行补偿。下面将参照图16至图23更详细地描述这个操作。
具有根据另一实施方式的修复晶体管结构的显示装置100可对应于OLED或LCD。
当具有根据另一实施方式的修复晶体管结构的显示装置100对应于OLED时，设置在多个像素的每一个像素处的第一晶体管T1和第二晶体管T2对应于用于针对在相应像素处的以下晶体管中的一个晶体管执行修复工艺的冗余晶体管组，所述晶体管是用于驱动有机发光二极管的驱动晶体管、用于将电压输送到驱动晶体管的栅极节点的开关晶体管、用于将电压输送到驱动晶体管的源极节点或漏极节点的感测晶体管等。
当具有根据另一实施方式的修复晶体管结构的显示装置100对应于LCD时，第一晶体管T1和第二晶体管T2的栅极节点可同时连接到栅极线，第一晶体管T1和第二晶体管T2的源极节点可与数据线连接，且第二晶体管T2的漏极节点可通过焊接图案710连接到像素电极，所述像素电极与第一晶体管T1的漏极节点连接。
在上文中，已经描述了对应于每一个像素内的晶体管结构的两种类型的修复晶体管结构，所述两种类型的修复晶体管结构被配置使得可对应于OLED、LCD等的显示装置100的每一个像素能够经过修复工艺。
之后，将描述把根据另一实施方式的修复晶体管结构应用到其像素的OLED和LCD，所述根据另一实施方式的修复晶体管结构与以上描述的根据实施方式的修复晶体管结构不同。
首先，将描述被应用到具有根据实施方式或另一实施方式的修复晶体管结构的OLED中的像素的修复工艺及根据该修复工艺的亮度补偿。
图8是OLED中的没有修复晶体管结构的像素的等效电路图。
例如，没有修复晶体管结构的像素的每一个像素包括：有机发光二极管；用于接收驱动电压EVDD并驱动有机发光二极管的驱动晶体管DT；由通过第一栅极线GL供给的扫描信号SCAN控制并且连接在数据线DL与驱动晶体管DT的栅极节点之间的开关晶体管SWT；由通过第二栅极线GL’供给的感测信号SENSE控制并且连接在向其供给基准电压Vref的基准电压线RVL与驱动晶体管DT的源极节点之间的感测晶体管SENT；连接在驱动晶体管DT的栅极节点与源极节点之间的存储电容器Cstg等。
以上描述的根据实施方式或另一实施方式的修复晶体管结构可被应用到图8所示的OLED的像素内的三个晶体管DT、SWT和SENT的至少一个晶体管。
也就是说，当显示装置100对应于OLED时，第一晶体管T1可以是每一个像素处的用于驱动有机发光二极管的驱动电路内的晶体管(例如DT、SWT、SENT等)之一。因此，第二晶体管T2对应于在修复工艺之后执行与第一晶体管T1的功能相同的功能的晶体管。
图9是表示OLED的像素内的三个晶体管DT、SWT和SENT中的开关晶体管SWT被配置为具有根据实施方式的修复晶体管结构的情况的等效电路图。
参照图9，在修复工艺之前，第一晶体管T1和第二晶体管T2通过经由它们的栅极节点同时接收扫描信号SCAN而被导通。另外，第一晶体管T1接收数据电压以通过第二晶体管T2将该数据电压供给到驱动晶体管DT的栅极节点。也就是说，第一晶体管T1和第二晶体管T2二者通过执行开关操作来用作一个开关晶体管SWT。
在第一晶体管T1中出现问题的情况下，通过使第一晶体管T1短路(即，使第一晶体管T1的漏极节点和源极节点短路)为单导线来对第一晶体管T1执行修复工艺。在修复工艺之后，仅第二晶体管T2通过操作为开关元件来用作一个开关晶体管SWT。
在修复工艺之后的等效电路等同于通过从图8的电路用第二晶体管T2替换开关晶体管SWT而获得的电路。
图10是表示OLED的像素内的三个晶体管DT、SWT和SENT中的驱动晶体管DT被配置为具有根据实施方式的修复晶体管结构的情况的等效电路图。
参照图10，在修复工艺之前，第一晶体管T1和第二晶体管T2通过栅极节点同时从开关晶体管SWT接收数据电压。
参照图10，预定电压被施加到第一晶体管T1的源极节点S1，驱动电压EVDD被施加到第二晶体管T2的漏极节点。
因此，参照图10，第一晶体管T1和第二晶体管T2一起操作以便用作一个驱动晶体管DT。
在图10示出的实例中，第一晶体管T1有缺陷，对第一晶体管T1执行修复工艺，从而使第一晶体管T1短路。
在这样的修复工艺之后，仅第二晶体管T2单独地用作一个驱动晶体管DT。
在修复工艺之后的等效电路能被表示为从图8的电路用第二晶体管T2替换驱动晶体管DT的电路。
图11是表示OLED的像素内的三个晶体管DT、SWT和SENT中的感测晶体管SENT被配置为具有根据实施方式的修复晶体管结构的情况的等效电路图。
参照图11，在修复工艺之前，第一晶体管T1和第二晶体管T2同时接收感测信号SENSE。
另外，第二晶体管T2(或第一晶体管T1)能从基准电压线RVL接收基准电压，并将该基准电压通过第一晶体管T1施加到驱动晶体管DT的源极节点。
因此，第一晶体管T1和第二晶体管T2一起操作以便用作一个感测晶体管SENT。
在图11表示的实例中，第一晶体管T1有缺陷，对第一晶体管T1执行修复工艺，从而使第一晶体管T1短路。
在修复工艺之后，仅第二晶体管T2通过操作为开关元件来用作一个感测晶体管SENT。
修复工艺之后的等效电路能被表示为从图8的电路用第二晶体管T2替换感测晶体管SENT的电路。
在图9至图11中，根据实施方式的修复晶体管结构被应用到驱动晶体管DT、开关晶体管SWT和感测晶体管SENT之一。然而，根据实施方式的修复晶体管结构能够被应用到驱动晶体管DT、开关晶体管SWT和感测晶体管SENT的两个或更多个晶体管。
之后，将参照图12至图14描述根据另一实施方式的修复晶体管结构被应用到图8示出的OLED的像素内的三个晶体管DT、SWT和SENT的至少一个晶体管的情况。
图12是表示在OLED的像素内的三个晶体管DT、SWT和SENT中的驱动晶体管DT被配置为具有根据另一实施方式的修复晶体管结构的情况的等效电路图。
参照图12，在修复工艺之前，第一晶体管T1和第二晶体管T2通过栅极节点同时从开关晶体管SWT接收数据电压Vdata。
然而，因为电容器C，所以第二晶体管T2不能通过接收驱动电压EVDD来传导电流以使电流流经有机发光二极管，仅第一晶体管T1能通过接收驱动电压EVDD来传导电流以使电流流经有机发光二极管。
因此，在修复工艺之前，仅第一晶体管T1用作一个驱动晶体管DT。
在修复工艺之前的等效电路能被表示为从图8的电路用第一晶体管T2替换驱动晶体管DT的电路。
参照图12，当第一晶体管T1有缺陷时，切断第一晶体管T1，并且通过激光焊接工艺焊接形成在焊接点WP中的电容器C。
在这样的修复工艺之后，仅第二晶体管T2接收驱动电压EVDD以传导电流使电流流经有机发光二极管。
在这种情况下，仅第二晶体管T2用作一个驱动晶体管DT。
在这种情况中的等效电路能被表示为从图8的电路用第二晶体管T2替换驱动晶体管DT的电路。
图13是表示在OLED的像素内的三个晶体管DT、SWT和SENT中的开关晶体管SWT被配置为具有根据另一实施方式的修复晶体管结构的情况的等效电路图。
参照图13，在修复工艺之前，第一晶体管T1和第二晶体管T2通过它们的栅极节点同时接收扫描信号SCAN。
然而，因为电容器C，所以第二晶体管T2不能将通过数据线DL供给的数据电压施加到驱动晶体管DT的栅极节点，而仅第一晶体管T1将通过数据线DL供给的数据电压施加到驱动晶体管DT的栅极节点。
因此，在修复工艺之前，仅第一晶体管T1用作一个开关晶体管SWT。
在修复工艺之前的等效电路等同于通过从图8的电路用第一晶体管T1替换开关晶体管SWT而获得的电路。
参照图13，当在第一晶体管T1中出现问题时，执行切断第一晶体管T1并焊接电容器C的修复工艺。
在这样的修复工艺之后，仅第二晶体管T2用作一个开关晶体管SWT，所述开关晶体管SWT将通过数据线DL供给的数据电压施加到驱动晶体管DT的栅极节点。
在修复工艺之后的等效电路能被表示为从图8的电路用第二晶体管T2替换开关晶体管SWT的电路。
图14是表示在OLED的像素内的三个晶体管DT、SWT和SENT中的感测晶体管SENT被配置为具有根据另一实施方式的修复晶体管结构的情况的等效电路图。
参照图14，在修复工艺之前，第一晶体管T1和第二晶体管T2同时接收感测信号SENSE。
然而，因为电容器C，所以第二晶体管T2不能将从基准电压线RVL供给的基准电压施加到驱动晶体管DT的源极节点，仅第一晶体管T1能将从基准电压线RVL供给的基准电压施加到驱动晶体管DT的源极节点。
因此，在修复工艺之前，仅第一晶体管T1用作一个感测晶体管SENT。
在修复工艺之前的等效电路能被表示为从图8的电路用第一晶体管T1替换感测晶体管SENT的电路。
参照图14，当在第一晶体管T1中出现问题时，执行切断第一晶体管T1并焊接电容器C的修复工艺。
在这样的修复工艺之后，仅第二晶体管T2用作将从基准电压线RVL供给的基准电压施加到驱动晶体管DT的源极节点的一个感测晶体管SENT。
在修复工艺之后的等效电路等同于通过从图8的电路用第二晶体管T2替换感测晶体管SENT而获得的电路。
在图9至图11的像素中，根据实施方式的修复晶体管结构被施加到相应像素内的晶体管DT、SWT和SENT的每一个晶体管，且在图12至图14的像素中，根据另一实施方式的修复晶体管结构被施加到相应像素内的晶体管DT、SWT和SENT的每一个晶体管。在执行相应的修复工艺之后，仅第一晶体管T1和第二晶体管T2中的第二晶体管T2正常操作。因此，在修复工艺之后的像素结构可被示于图15中。
在图15中，驱动晶体管DT、开关晶体管SWT和感测晶体管SENT的至少一个晶体管包括正常操作的第二晶体管T2。
图16表示当显示装置是OLED时具有根据实施方式或另一实施方式的修复晶体管结构的像素的修复工艺以及经修复工艺的像素的亮度补偿工艺。
参照图16，在应用根据实施方式或另一实施方式的修复晶体管结构的RGBW像素结构中，当一绿色像素变成有缺陷的像素并且根据依照相应修复晶体管结构的修复工艺将对应于有缺陷的像素的绿色像素修复成正常像素时，因为在修复工艺之后供给到有机发光二极管的电流减小，所以被修复的绿色像素不发射对应于预定颜色的绿光，而发射亮度降低的绿光。
因此，包括限定了具有根据实施方式或另一实施方式的修复晶体管结构的像素的显示面板110的显示装置100可在多个像素中进一步包括用于对经修复工艺的像素的亮度的降低进行补偿的补偿电路单元，使得仅第一晶体管T1和第二晶体管T2中的一个晶体管操作。
图17是在OLED中用于具有根据实施方式或另一实施方式的修复晶体管结构的经修复工艺的像素的亮度补偿的电路图。
参照图17，通过在表示经修复工艺的像素结构的图15的等效电路中进一步包括前述补偿电路单元来获得用于经修复工艺的像素的亮度补偿的电路。
参照图17，补偿电路单元可包括感测单元1710和补偿单元1720，所述感测单元1710用于感测每一个像素的亮度，所述补偿单元1720用于补偿被感测单元1710感测的像素之间的亮度差。
前述补偿单元1720能够通过根据被感测的像素的每一个像素的亮度计算被感测的像素之间的亮度差来确定亮度补偿值，该亮度补偿值指示哪个像素应当被补偿以及应当补偿多少亮度。
之后，补偿单元1720能够将确定的亮度补偿值输出到数据驱动单元120，并且当数据驱动单元120向相应像素供给数据电压时，数据驱动单元120能够供给根据亮度补偿值而被转变的数据电压。按另一种方式，补偿单元1720能够根据确定的亮度补偿值转变要被供给到数据驱动单元120的数据，并且能够将被转变的数据供给到数据驱动单元120。
这样的补偿单元1720可包括在时序控制器140内，并且在某些情况中可包括在数据驱动单元120内或在数据驱动单元120和时序控制器140外面。
另外，被感测单元1710感测的像素的亮度可被存储在存储器中(未图示)并被更新。将参照图18的时序图和图19至图22的针对每一个步骤的操作电路图更详细地描述已经简要描述的对被修复的像素的亮度降低进行补偿的方案。
图18是OLED中用于具有根据实施方式或另一实施方式的修复晶体管结构的经修复工艺的像素的亮度补偿的时序图。
参照图18，用于补偿显示面板中的被修复的像素的亮度降低的感测模式由初始步骤、程序步骤、备用步骤和感测步骤形成。
参照图18，为了执行用于对被修复的像素的亮度降低进行补偿的感测模式，时序控制器140能够控制开关晶体管SWT和感测晶体管SENT的操作，或控制使模拟数字转换器(ADC)与感测节点Ns之间能够连接或不能连接的取样开关SAM以及使Vpre供给端(基准电压供给端)与感测节点Ns之间能够连接或不能连接的开关SPRE。在一种途径中，可以以初始步骤、程序步骤、备用步骤和感测步骤的顺序执行感测模式。
能通过控制传输到开关晶体管SWT的扫描信号SCAN的信号电平来控制开关晶体管SWT的开关操作。另外，能通过控制传输到感测晶体管SENT的感测信号SENSE的信号电平来控制感测晶体管SENT的开关操作。相应地，能通过控制驱动晶体管DT的栅极节点与源极节点之间的电压差Vgs来控制驱动晶体管DT的开关操作。
之后，将参照图19至图22描述用于对被修复的像素的亮度降低进行补偿的感测模式的每一个步骤的操作。
图19至图22是在OLED中关于用于具有根据实施方式或另一实施方式的修复晶体管结构的经修复工艺的像素的亮度补偿的感测模式的每一个步骤的操作电路图。
图19是初始步骤的操作电路图，图20是程序步骤的操作电路图，图21是备用步骤的操作电路图，图22是感测步骤的操作电路图。
参照图19，图19表示初始步骤的操作电路图。用于对被修复的像素的亮度降低进行补偿的感测操作的初始步骤对应于初始化每一个节点的电压的步骤。在这个步骤中，通过供给具有低电平的扫描信号SCAN来断开开关晶体管SWT，并且通过供给具有低电平的感测信号SENSE来断开感测晶体管SENT。
在这样的初始步骤中，为了读取ADC中的取样电压Vsam，用于使ADC与感测节点Ns之间能够连接或不能连接的取样开关SAM被断开。
在这样的初始步骤中，不施加Vdata。
另外，在初始步骤中，用于使提供电压电平Vpre的供给端与感测节点Ns之间能够连接或不能连接的开关SPRE最初被断开然后被导通以将感测节点Ns(Vsam)的电压电平预置为Vpre。
参照对应于程序步骤的操作电路图的图20，程序步骤对应于使连接在驱动晶体管DT的栅极节点与源极节点之间的存储电容器Cstg充电的步骤。
在程序步骤中，为了使存储电容器Cstg充电，在施加数据电压Vdata时，具有低电平的扫描信号SCAN被改变为具有高电平以导通开关晶体管SWT，使得将恒压Vdata施加到驱动晶体管DT的栅极节点。
在这时，因为感测信号SENSE的信号电平被改变为高电平且然后感测晶体管SENT在开关SPRE导通的状态中导通，因此恒压Vpre(也被称为基准电压Vref)被施加到驱动晶体管DT的源极节点。
因此，恒压Vdata和Vpre被施加到连接在驱动晶体管DT的栅极节点与源极节点之间的存储电容器Cstg的相对端，使得存储电容器Cstg被充有对应于与通过从Vdata减去Vpre而获得的值对应的电位差ΔV的电荷量。
存储电容器Cstg被充电后，因为恒压Vpre或偏压EVSS被调整使得偏压EVSS与被施加到驱动晶体管DT的源极节点的恒压Vpre之间的电位差(|Vpre-EVSS|)不高于有机发光二极管的阈值电压，因此电流不流动到有机发光二极管。
在存储电容器Cstg被充电后，具有高电平的扫描信号SCAN被改变为具有低电平以使开关晶体管SWT断开，并且具有高电平的感测信号SENSE被改变为具有低电平以使感测晶体管SENT断开。之后，在程序步骤的最后，开关SPRE被断开使得恒压Vpre不被施加到驱动晶体管DT的源极节点。
参照图21，图21表示备用步骤的操作电路图。备用步骤对应于为亮度感测改变感测节点Ns的电压的步骤。
在备用步骤的起始点，在驱动晶体管DT的栅极节点与源极节点之间形成恒电位差(Vdata-Vpre)，以使驱动晶体管DT导通，且开关晶体管SWT、感测晶体管SENT、开关SPRE和取样开关SAM的全部被断开。另外，在备用步骤的起始点，电流不流动到有机发光二极管。
在备用步骤起始之后，感测信号SENSE被改变为具有高电平，以使感测晶体管SENT在备用步骤期间导通。
因此，电流从驱动电压EVDD的供给端经由导通的驱动晶体管DT和感测晶体管SENT流到一侧接地的感测电容器Csense，使得感测电容器Csense被充电且感测节点Ns的取样电压Vsam连续增加。
这样，当感测节点Ns的取样电压Vsam升高时，驱动晶体管DT的源极电压一起升高。因此，驱动晶体管DT的源极电压足够地增加以驱动有机发光二极管，使得电流开始流到有机发光二极管。
为了感测感测节点Ns的取样电压，感测信号SENSE的信号电平被改变为具有低电平，以使感测晶体管SENT断开。相应地，备用步骤终止且感测步骤开始。
参照图22，图22表示感测步骤的操作电路图。感测单元1710的ADC通过在感测晶体管SENT断开的状态中导通取样开关SAM来读取感测节点Ns中的取样电压Vsam，以完成感测模式。
之后，为了对被修复的像素与未被修复的像素之间的亮度差进行补偿，补偿单元1720能通过根据由每一个像素感测的取样电压Vsam计算每一个像素的亮度并且通过向被修复的像素供给数据电压(补偿数据电压)来执行亮度降低补偿工艺，所述数据电压是通过将对应于亮度差的电压值加到要被供给到被修复的像素的数据电压而获得的。
如以上描述的，图23的图表示如何根据针对被修复的像素的亮度降低补偿工艺和感测工艺来补偿被修复的像素的亮度。
图23的部分(A)和(B)是根据是否执行了具有根据实施方式或另一实施方式的修复晶体管结构的经修复工艺的像素的亮度补偿来描绘OLED中的亮度的图。
图23的部分(A)是在对经修复工艺的像素执行亮度降低补偿工艺之前根据从用于供给数据电压的每一个源IC(S-IC)供给的数据电压和参考亮度(或参考亮度的代表)描绘亮度的图，图23的部分(B)是在对经修复工艺的像素执行亮度降低补偿工艺之后根据从用于供给数据电压的每一个源IC(S-IC)供给的数据电压和参考亮度(或参考亮度的代表)描绘亮度的图。
例如如图23的部分(A)所示，在对经修复工艺的像素执行亮度降低补偿工艺之前，与参考亮度相比亮度降低。
相比之下，参照图23的部分(B)，在对经修复工艺的像素执行亮度降低补偿工艺之后，能够看到根据修复工艺已经降低的亮度增大到与参考亮度实质上类似的水平。因此，经修复工艺的像素与未经修复工艺的像素之间的亮度差也减小了。
在上文中，已经描述当显示装置100是OLED时应用根据实施方式的修复晶体管结构和根据另一实施方式的修复晶体管结构的像素结构。
之后，参照图24和图25描述当显示装置100是LCD时应用根据实施方式的修复晶体管结构和根据另一实施方式的修复晶体管结构的像素结构。
图24示意性地表示当显示装置100是LCD时不具有根据实施方式或另一实施方式的修复晶体管结构的像素的结构。
当显示装置100是LCD时，在LCD的显示面板110中根据多条栅极线GL1至GLn与多条数据线DL1至DLm之间的交叉限定多个像素。
图24表示由第i+1条栅极线GLi+1和第j条数据线DLj限定的且没有根据实施方式或另一实施方式的修复晶体管结构的像素的像素结构。一个晶体管T可被设置在这样的像素中。
参照图24，晶体管T的栅极节点连接到栅极线GLi+1，晶体管T的源极节点连接到数据线DLj，晶体管T的漏极节点连接到像素电极2400。
图25示意性地表示示出当显示装置100是LCD时具有根据实施方式或另一实施方式的修复晶体管的像素的结构。
参照图25，第一晶体管T1和第二晶体管T2代替图24中的一个晶体管T被设置在如图2所示的根据实施方式或另一实施方式的修复晶体管结构中。
图25的部分(A)表示应用根据实施方式的修复晶体管结构的像素的结构，其中第一晶体管T1和第二晶体管T2彼此串联连接。
参照图25的部分(A)，第一晶体管T1和第二晶体管T2的栅极节点都连接到栅极线GLi+1，第一晶体管T1和第二晶体管T2之一(图25的部分(A)中第一晶体管T1)的源极节点连接到数据线DLj，另一个晶体管(图25的部分(A)中第二晶体管T2)的漏极节点连接到像素电极2400。
图25的部分(B)表示应用根据另一实施方式的修复晶体管结构的像素的结构，在图25的部分(B)中第一晶体管T1和第二晶体管T2彼此并联连接。
参照图25的部分(B)，第一晶体管T1和第二晶体管T2的栅极节点都连接到栅极线GLi+1。第一晶体管T1和第二晶体管T2的源极节点都连接到数据线DLj。第二晶体管T2的漏极节点通过电容器C耦接到像素电极2400，并且第一晶体管T1的漏极节点直接耦接到像素电极2400。
类似于前述方案对图25的部分(A)和(B)中例示的像素执行修复工艺。
如上所述，根据本发明，提供具有使有缺陷的像素像正常像素一样操作的修复结构(修复晶体管结构)的显示装置100。
另外，根据本发明，提供在使有缺陷的像素像正常像素一样操作的修复工艺之后补偿有缺陷的像素的亮度的显示装置100。
以上描述和以上附图仅示例性地表示本发明的技术精神，在不背离本发明的基本特征的情况下，本发明从属的领域中的技术人员能够做出各种修改和变型，比如配置的结合、分开、替换以及改变。因此，本发明中公开的实施方式旨在示出本发明的技术想法的范围，且本发明的范围不受实施方式的限制。应该以包括在与权利要求书等同的范围内的全部技术想法属于本发明的方式在所附权利要求书的基础上理解本发明的范围。

Claims (8)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
显示面板，在所述显示面板中限定多个像素，在所述多个像素中形成数据线和栅极线；
数据驱动单元，所述数据驱动单元被配置为向所述数据线供给数据电压；和
栅极驱动单元，所述栅极驱动单元被配置为向所述栅极线供给扫描信号，
其中来自所述多个像素的像素包括：
第一晶体管；
第二晶体管；和
焊接图案，且
其中所述第一晶体管的漏极节点耦接至所述第二晶体管的漏极节点，且所述第一晶体管的源极节点耦接至所述第二晶体管的源极节点，且所述焊接图案串联地耦接至所述第二晶体管以使电流不能流经所述第二晶体管，且
其中所述数据驱动单元向所述像素供给根据所述第一晶体管与所述第二晶体管之间的尺寸差补偿的数据电压。
2.如权利要求1所述的显示装置，其中所述焊接图案形成在所述第二晶体管的所述漏极节点处或所述源极节点处。
3.如权利要求1所述的显示装置，其中所述焊接图案是电容器。
4.如权利要求1所述的显示装置，其中至少所述第一晶体管的所述漏极节点和所述源极节点被切断，且在所述焊接图案上形成连接图案以使所述第二晶体管能够传导电流。
5.如权利要求4所述的显示装置，其中所述连接图案是通过焊接所述焊接图案形成的。
6.如权利要求1所述的显示装置，其中所述第二晶体管的尺寸比所述第一晶体管的尺寸小。
7.如权利要求1所述的显示装置，其中所述显示装置是有机发光显示器，所述像素进一步包括用于驱动有机发光二极管的驱动晶体管和用于向所述驱动晶体管的栅极节点传输电压的开关晶体管，且所述驱动晶体管和所述开关晶体管的至少一个晶体管包括用于修复工艺的所述第一晶体管和所述第二晶体管。
8.如权利要求1所述的显示装置，其中所述显示装置是液晶显示器，所述像素进一步包括像素电极，所述像素电极与所述第一晶体管和所述第二晶体管和所述焊接图案的至少之一串联地耦接至所述数据线，所述第一晶体管和所述第二晶体管并联地耦接，且所述第一晶体管和所述第二晶体管的栅极节点都连接至所述栅极线。
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