CN107852830A - 电容器内置基板的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种电容器内置基板的制造方法，其特征在于，包括：制作电容器内置芯绝缘膜的工序；以及在电容器内置芯绝缘膜的两主面层叠堆积层的工序，上述电容器内置芯绝缘膜具有第一金属层和第二金属层、绝缘层、以及电容器，第一金属层和第二金属层配置为隔着绝缘层对置，电容器配置为贯通绝缘层，且一个电容器电极与第一金属层电连接，另一个电容器电极与第二金属层电连接。
Description
技术领域
本发明涉及电容器内置基板的制造方法。
背景技术
近年来，伴随着电子设备的高密度安装化，要求电子部件的小型化以及复合化。然而，电子部件向基板的安装一般通过在基板上进行表面安装来进行，在这种安装方法中，由于基板上的面积有限，所以高密度安装存在限度。
对于上述的问题，已知如下技术，即，通过在基板内部内置电子部件，从而在基板安装更多的电子部件。例如，在非专利文献1中，准备上部电路基板以及下部电路基板，在它们的表面对半导体元件等电子部件进行表面安装，将得到的上部电路基板以及下部电路基板的部件安装面作为内侧，在它们之间配置复合材料，并通过热压使它们贴合，由此制造内置基板。
在先技术文献
非专利文献
非专利文献1：白石司等，“部件内置基板的实用化开发”，Matsushita TechnicalJournal，Vol.54，No.1，PP.8-12，2008
发明内容
发明要解决的课题
非专利文献1中的内置基板的制造方法包括：
(1)制作上部电路基板以及下部电路基板的工序；
(2)通过表面安装技术，向上部电路基板以及下部电路基板安装电子部件的工序；以及
(3)将上部以及下部的电子部件安装电路基板与复合材料重叠并进行热压接的工序。
在上述的方法中，为了制作一个内置基板，需要对两片电路基板各自安装电子部件的工序。即，需要将工序(1)和工序(2)重复两次，工序变得繁杂。进而，工序(1)以及工序(3)是基板制造工序，是彼此衔接良好的工序，但是其间的工序(2)是电子部件的安装工序，设备与基板制造工序完全不同，因此作为制造方法整体的衔接变差。因此，在非专利文献1的方法中，制造所需的时间变长，此外，制造所需的成本升高。
本发明的目的在于，提供一种制造工序的衔接良好且简便的电容器内置基板的制造方法。
用于解决课题的技术方案
本发明的发明人们为了解决上述问题而进行了潜心研究，结果发现，通过不在各电路基板上对电容器进行表面安装，而是另外制造内置了电容器的绝缘膜，并将其与电路基板层叠，从而能够简便且制造工序的衔接良好地制作电容器内置基板。
根据本发明的第一要点，提供一种电容器内置基板的制造方法，其特征在于，包括：
制作电容器内置芯绝缘膜的工序；以及
在电容器内置芯绝缘膜的两主面层叠堆积层(buildup layer)的工序，
上述电容器内置芯绝缘膜具有第一金属层和第二金属层、绝缘层、以及电容器，
第一金属层和第二金属层配置为隔着绝缘层对置，
电容器配置为贯通绝缘层，且一个电容器电极与第一金属层电连接，另一个电容器电极与第二金属层电连接。
根据本发明的第二要点，提供一种电容器内置基板的制造方法，其特征在于，包括：
制作电容器内置层间绝缘膜的工序；以及
在芯绝缘膜上，作为堆积层而层叠电容器内置层间绝缘膜的工序，
上述电容器内置层间绝缘膜具有绝缘层以及电容器，
电容器配置为贯通绝缘层，且电容器电极从绝缘层的两主表面露出。
根据本发明的第三要点，提供一种电容器内置芯绝缘膜，其中，
具有第一金属层和第二金属层、绝缘层、以及电容器，
第一金属层和第二金属层配置为隔着绝缘层对置，
电容器配置为贯通绝缘层，且一个电容器电极与第一金属层电连接，另一个电容器电极与第二金属层电连接。
根据本发明的第四要点，提供一种膜产品，其中，
在上述的电容器内置芯绝缘膜的主面的双方或一方具有保护膜或支承膜。
根据本发明的第五要点，提供一种电容器内置层间绝缘膜，其中，
具有绝缘层以及电容器，
电容器配置为贯通绝缘层，且电容器电极从绝缘层的两主表面露出。
根据本发明的第六要点，提供一种膜产品，其中，
在上述的电容器内置层间绝缘膜的主面的双方或一方具有保护膜或支承膜。
发明效果
根据本发明，在电容器内置基板的制造中，通过制作内置了电容器的绝缘膜，并将其与电路基板贴合，从而能够更简便且有效地制造电容器内置基板。
附图说明
图1是本发明的一个实施方式中的电容器内置芯绝缘膜11的概略俯视图。
图2是沿着图1所示的电容器内置芯绝缘膜11的x-x线的概略剖视图。
图3是在本发明中使用的电容器51的概略立体图。
图4是示意性地示出图3的电容器51的高空隙率部的放大图的图。
图5是在本发明中使用的电容器71的概略剖视图。
图6是示意性地示出图5的电容器71的高空隙率部的放大图的图。
图7是用于说明电容器内置芯绝缘膜的制造方法的图。
图8是用于说明电容器内置芯绝缘膜的另一个制造方法的图。
图9是用于说明电容器内置芯绝缘膜的另一个制造方法的图。
图10是用于说明使用电容器内置芯绝缘膜的本发明的电容器内置基板的制造方法的图。
图11是本发明的一个实施方式中的电容器内置层间绝缘膜41的概略俯视图。
图12是沿着图10所示的电容器内置层间绝缘膜41的x-x线的概略剖视图。
图13是用于说明电容器内置层间绝缘膜的制造方法的图。
图14是用于说明使用电容器内置层间绝缘膜的本发明的电容器内置基板的制造方法的图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的电容器内置基板的制造方法进行详细说明。但是，本实施方式的电容器内置基板等的各构成要素的形状以及配置等并不限定于图示的例子。
本发明的第一制造方法的特征在于，包括：
制作电容器内置芯绝缘膜的工序；以及
在电容器内置芯绝缘膜的两主面层叠堆积层的工序，
上述电容器内置芯绝缘膜具有第一金属层和第二金属层、绝缘层、以及电容器，
第一金属层和第二金属层配置为隔着绝缘层对置，
电容器配置为贯通绝缘层，且一个电容器电极与第一金属层电连接，另一个电容器电极与第二金属层电连接。
首先，对电容器内置芯绝缘膜进行说明。
如图1以及图2所示，在本实施方式中使用的电容器内置芯绝缘膜11概略性地具有第一金属层12和第二金属层13、绝缘层14、以及电容器15而构成。第一金属层12和第二金属层13配置为隔着绝缘层14对置。具有电介质层16、第一电容器电极17以及第二电容器电极18的电容器15配置为贯通绝缘层14，且一个电容器电极(即，第一电容器电极17)与第一金属层12电连接，另一个电容器电极(即，第二电容器电极18)与第二金属层13电连接。
上述第一金属层12以及第二金属层13发挥功能，使得将电容器15与贴合到电容器内置芯绝缘膜11的电路基板电连接。第一金属层12以及第二金属层13可以覆盖绝缘层14的整个面而存在，也可以仅存在于一部分，并作为布线而发挥功能。
作为构成第一金属层12以及第二金属层13的材料，没有特别限定，例如可举出Au、Pb、Pd、Ag、Sn、Ni、Cu等。构成第一金属层12以及第二金属层13的材料可以相同，也可以不同。构成第一金属层12以及第二金属层13的材料优选为Cu。
第一金属层12以及第二金属层13的厚度没有特别限定，例如为1μm以上且100μm以下，优选为5μm以上且50μm以下，例如可以为10μm以上且30μm以下。
作为构成上述绝缘层14的材料，只要是绝缘性的就没有特别限定，可举出环氧树脂、聚酰亚胺类树脂、氟类树脂、各种玻璃材料、陶瓷材料等。在以后对电容器内置芯绝缘膜和电路基板进行热压接的情况下，优选具有耐热性的树脂。这些绝缘性材料也可以包含Si填料等填料。
绝缘层14的厚度能够根据内置的电容器的大小而适当地设定。
上述电容器15没有特别限定，能够使用各种类型的电容器。
在优选的方式中，电容器是具有导电性多孔基材、位于导电性多孔基材上的电介质层、以及位于电介质层上的上部电极而构成的电容器。这样的电容器的基材的表面积大，在能够得到大的静电电容的方面是有利的。
在一个方式中，上述电容器可以是图3以及图4所示的电容器51。图3示出电容器51的概略剖视图(其中，为了简单，未图示电介质层55以及上部电极56)，图4示意性地示出电容器51的高空隙率部的放大图。如图3以及图4所示，电容器51具有大致长方体形状，概略性地，构成为具有：在中央部具有高空隙率部52并在侧面部具有低空隙率部53而构成的导电性多孔基材54；形成在导电性多孔基材54上的电介质层55；形成在电介质层55上的上部电极56；形成在它们之上，使得与上部电极56电连接的布线电极57；以及进一步形成在它们之上的保护层58。在导电性多孔基材54的侧面，对置地设置有第一电容器电极59以及第二电容器电极60。第一电容器电极59与导电性多孔基材54电连接，第二电容器电极60经由布线电极57与上部电极56电连接。上部电极56和导电性多孔基材54的高空隙率部52隔着电介质层55而彼此相向。若分别经由第一电容器电极59以及第二电容器电极60对导电性多孔基材54以及上部电极56通电，则能够在电介质层55积蓄电荷。
这样的电容器可以如图4所示地在导电性多孔基材的两主面具有多孔部(高空隙率部)，因此能够得到更大的静电电容。
在另外的方式中，上述电容器可以是图5以及图6所示的电容器71。图5示出电容器71的概略剖视图(其中，为了简单，未图示细孔)，图6示意性地示出电容器71的高空隙率部的放大图。如图5以及图6所示，电容器71具有大致长方体形状，概略性地，具有导电性多孔基材74、形成在导电性多孔基材74上的电介质层75、以及形成在电介质层75上的上部电极76而构成。导电性多孔基材74在一个主面侧具有空隙率相对高的高空隙率部72和空隙率相对低的低空隙率部73。高空隙率部72位于导电性多孔基材74的第一主面(附图上侧的主面)的中央部，低空隙率部73位于其周围。即，低空隙率部73包围高空隙率部72。高空隙率部72具有多孔构造，即，是多孔部。此外，导电性多孔基材74在另一个主面(第二主面；附图下侧的主面)侧具有支承部77。即，高空隙率部72以及低空隙率部73构成导电性多孔基材74的第一主面，支承部77构成导电性多孔基材74的第二主面。在图5中，第一主面是导电性多孔基材74的上表面，第二主面是导电性多孔基材74的下表面。在电容器71的末端部，在电介质层75与上部电极76之间存在绝缘部82。电容器71在上部电极76上具备第一电容器电极79，以及在导电性多孔基材74的支承部77侧的主面上具备第二电容器电极80。在电容器71中，第一电容器电极79与上部电极76电连接，第二电容器电极80与导电性多孔基材74的第二主面电连接。上部电极76与导电性多孔基材74的高空隙率部72隔着电介质层75彼此相向，若对上部电极76和导电性多孔基材74通电，则能够在电介质层75积蓄电荷。
电容器71在电容器的上主面以及下主面具有电容器电极，因此在内置于膜中时，能够配置为与膜同方向(即，使膜的主面与电容器的主面平行)，因此从低高度化的观点出发是有利的。
上述导电性多孔基材只要具有多孔构造且表面为导电性，则其材料以及结构没有限定。例如，作为导电性多孔基材，可举出多孔质金属基材、或者在多孔质二氧化硅材料、多孔质碳材料或多孔质陶瓷烧结体的表面形成了导电性的层的基材等。在优选的方式中，导电性多孔基材是多孔质金属基材。
作为构成上述多孔质金属基材的金属，例如可举出铝、钽、镍、铜、钛、铌和铁的金属、以及不锈钢、硬铝等合金等。优选为，多孔质金属基材为铝多孔基材。
上述导电性多孔基材具有高空隙率部(即，多孔部)，进而也可以具有低空隙率部以及支承部。
在本说明书中，所谓“空隙率”，是指空隙在导电性多孔基材中所占的比例。该空隙率能够像下述那样测定。另外，上述多孔部的空隙在制作电容器的工艺中最终可能被电介质层以及上部电极等填充，但是上述“空隙率”不考虑像这样被填充的物质，被填充的地方也视为空隙而进行计算。
首先，通过FIB(聚焦离子束：Focused Ion Beam)微采样法对多孔金属基材进行加工，从而加工成60nm以下的厚度的薄片试样。通过STEM(扫描透射型电子显微镜：ScanningTransmission Electron Microscope)-EDS(能量分散型X射线分析：Energy dispersiveX-ray spectrometry)映射分析对该薄片试样的给定的区域(3μm×3μm)进行测定。在映射测定视野内，求出多孔金属基材的存在金属的面积。然后，能够根据下述等式来计算空隙率。在任意的3处进行该测定，并将测定值的平均值作为空隙率。
空隙率(％)＝((测定面积-基材的存在金属的面积)/测定面积)×100
在本说明书中，所谓“高空隙率部”，意味着空隙率比导电性多孔基材的支承部以及低空隙率部高的部分。
上述高空隙率部具有多孔构造。具有多孔构造的高空隙率部使导电性多孔基材的比表面积增大，使电容器的静电电容更大。
从使比表面积增大并使电容器的静电电容更大的观点出发，高空隙率部的空隙率可以优选为20％以上，更优选为30％以上，进一步更优选为35％以上。此外，从确保机械强度的观点出发，优选为90％以下，更优选为80％以下。
高空隙率部没有特别限定，优选具有30倍以上且10000倍以下的扩面率，更优选具有50倍以上且5000倍以下的扩面率，例如具有200倍以上且600倍以下的扩面率。在此，所谓扩面率，意味着每单位投影面积的表面积。每单位投影面积的表面积能够使用BET比表面积测定装置根据液氮温度下的氮的吸附量来求出。
此外，扩面率也能够通过以下方法来求出。以宽度X横跨厚度(高度)T方向整体对上述试样的剖面(在厚度方向上切割而得到的剖面)的STEM(扫描透射型电子显微镜)图像进行拍摄(在不能一次拍摄的情况下，也可以连结多个图像)。对得到的宽度为X且高度为T的剖面的细孔表面的总路径长度L(细孔表面的合计的长度)进行测定。在此，将上述宽度为X且高度为T的剖面作为一个侧面，并将多孔基材表面作为一个底面的正四棱柱区域中的细孔表面的总路径长度成为LX。此外，该正四棱柱的底面积成为X2。因此，扩面率能够求出为LX/X2＝L/X。
在本说明书中，所谓“低空隙率部”，意味着与高空隙率部相比较，空隙率低的部分。优选为，低空隙率部的空隙率比高空隙率部的空隙率低，且为支承部的空隙率以上。
低空隙率部的空隙率优选为20％以下，更优选为10％以下。此外，低空隙率部的空隙率也可以为0％。即，低空隙率部可以具有多孔构造，也可以不具有多孔构造。低空隙率部的空隙率越低，电容器的机械强度越提高。
另外，低空隙率部在本发明中并非必需的构成要素，也可以不存在。
在本发明中，导电性多孔基材的高空隙率部以及低空隙率部的存在位置、设置数量、大小、形状、两者的比率等没有特别限定。例如，导电性多孔基材的一个主面也可以仅由高空隙率部构成。此外，通过调整高空隙率部与低空隙率部的比率，从而能够控制电容器的静电电容。
上述高空隙率部的厚度没有特别限定，能够根据目的而适当地选择，例如可以为10μm以上，优选为30μm以上，且优选为1000μm以下，更优选为300μm以下，进一步优选为50μm以下。
为了发挥作为支承体的功能，导电性多孔基材的支承部的空隙率优选为更小，具体地，优选为10％以下，更优选为实质上不存在空隙。
上述支承部的厚度没有特别限定，但是为了提高电容器的机械强度，优选为10μm以上，例如可以为30μm以上、50μm以上或100μm以上。此外，从电容器的低高度化的观点出发，优选为1000μm以下，例如可以为500μm以下或100μm以下。
上述导电性多孔基材的厚度没有特别限定，能够根据目的而适当地选择，例如可以为20μm以上，优选为30μm以上，且例如为1000μm以下，优选为100μm以下，更优选为70μm以下，进一步优选为50μm以下。
导电性多孔基材的制造方法没有特别限定。例如，导电性多孔基材能够通过用如下的方法对适当的金属材料进行处理而制造，该方法是，形成多孔构造的方法，使多孔构造崩溃(被填补)的方法，或除去多孔构造部分的方法，或者将它们进行了组合的方法。
用于制造导电性多孔基材的金属材料可以是多孔质金属材料(例如，蚀刻箔)、或不具有多孔构造的金属材料(例如，金属箔)、或者将这些材料进行了组合的材料。组合的方法没有特别限定，例如，可举出焊接或通过导电性粘接剂等进行贴合的方法。
作为形成多孔构造的方法，没有特别限定，优选为蚀刻处理，例如可举出直流或交流蚀刻处理。
作为使多孔构造崩溃(被填补)的方法，没有特别限定，例如，可举出通过激光照射等使金属熔融而使孔崩溃的方法，或者通过模具加工、冲压加工进行压缩而使孔崩溃的方法。作为上述激光，没有特别限定，可举出CO2激光、YAG激光、受激准分子激光、以及飞秒激光、皮秒激光和纳秒激光等全固体脉冲激光。由于能够更精细地控制形状以及空隙率，所以优选飞秒激光、皮秒激光以及纳秒激光等全固体脉冲激光。
作为除去多孔构造部分的方法，没有特别限定，例如可举出划片加工、烧蚀(ablation)加工。
在一个方法中，导电性多孔基材能够通过如下方式来制造，即，准备多孔质金属材料，并使该多孔质金属基材的与支承部以及低空隙率部对应的地方的孔崩溃(被填补)。
支承部以及低空隙率部无需同时形成，也可以单独形成。例如，也可以首先对多孔金属基材的与支承部对应的地方进行处理，形成支承部，接下来，对与低空隙率部对应的地方进行处理，形成低空隙率部。
在另一个方法中，导电性多孔基材能够通过如下方式来制造，即，对不具有多孔构造的金属基材(例如，金属箔)的与高空隙率部对应的地方进行处理，从而形成多孔构造。
在又一个方法中，不具有低空隙率部的导电性多孔基材能够通过如下方式来制造，即，使多孔质金属材料的与支承部对应的地方的孔崩溃，接下来，除去与低空隙率部对应的地方。
在本发明中使用的电容器中，在高空隙率部上形成有电介质层。
形成上述电介质层的材料只要是绝缘性的，就没有特别限定，优选地，可举出：AlOx(例如，Al2O3)、SiOx(例如，SiO2)、AlTiOx、SiTiOx、HfOx、TaOx、ZrOx、HfSiOx、ZrSiOx、TiZrOx、TiZrWOx、TiOx、SrTiOx、PbTiOx、BaTiOx、BaSrTiOx、BaCaTiOx、SiAlOx等金属氧化物；AlNx、SiNx、AlScNx等金属氮化物；或AlOxNy、SiOxNy、HfSiOxNy、SiCxOyNz等金属氮氧化物，优选AlOx、SiOx、SiOxNy、HfSiOx。另外，上述的式子仅表现材料的构成，并不限定组成。即，对O以及N标注的x、y以及z可以是大于0的任意的值，包含金属元素在内的各元素的存在比率是任意的。
电介质层的厚度没有特别限定，例如优选为5nm以上且100nm以下，更优选为10nm以上且50nm以下。通过将电介质层的厚度设为5nm以上，从而能够提高绝缘性，能够减小漏电流。此外，通过将电介质层的厚度设为100nm以下，从而能够得到更大的静电电容。
上述电介质层优选通过气相法，例如，真空蒸镀法、化学蒸镀(CVD：ChemicalVapor Deposition)法、溅射法、原子层沉积(ALD：Atomic Layer Deposition)法、脉冲激光沉积(PLD：Pulsed Laser Deposition)法等形成。由于连多孔构件的细孔的细微部也能够形成更均质且致密的膜，所以更优选ALD法。
在一个方式中(例如，在电容器71中)，在电介质层的末端部设置有绝缘部。通过设置绝缘部，能够防止设置在其上的上部电极与导电性多孔基材间的短路(short)。
另外，虽然在电容器71中，绝缘部存在于低空隙率部上的整体，但不限定于此，也可以仅存在于低空隙率部的一部分，此外，还可以超出低空隙率部而存在至高空隙率部上。
此外，虽然在电容器71中，绝缘部位于电介质层与上部电极之间，但是不限定于此。绝缘部只要位于导电性多孔基材与上部电极之间即可，例如，也可以位于低空隙率部与电介质层之间。
形成绝缘部的材料只要是绝缘性的就没有特别限定，在以后利用原子层沉积法的情况下，优选具有耐热性的树脂。作为形成绝缘部的绝缘性材料，优选各种玻璃材料、陶瓷材料、聚酰亚胺类树脂、氟类树脂。
绝缘部的厚度没有特别限定，从更可靠地防止端面放电的观点出发，优选为1μm以上，例如可以为5μm以上或10μm以上。此外，从电容器的低高度化的观点出发，优选为100μm以下，例如可以为50μm以下或20μm以下。
另外，在本发明中使用的电容器中，绝缘部并非必需的要素，也可以不存在。
在上述电介质层上，形成有上部电极。
构成上述上部电极的材料只要是导电性的就没有特别限定，可举出Ni、Cu、Al、W、Ti、Ag、Au、Pt、Zn、Sn、Pb、Fe、Cr、Mo、Ru、Pd、Ta和它们的合金，例如，CuNi、AuNi、AuSn，以及TiN、TiAlN、TiON、TiAlON、TaN等金属氮化物、金属氮氧化物、导电性高分子(例如，PEDOT(聚(3，4-乙撑二氧基噻吩))、聚吡咯、聚苯胺)等，优选TiN、TiON。
上部电极的厚度没有特别限定，例如优选为3nm以上，更优选为10nm以上。通过将上部电极的厚度设为3nm以上，从而能够减小上部电极自身的电阻。
上部电极可以通过ALD法形成。通过使用ALD法，从而能够使电容器的静电电容更大。作为其它方法，也可以通过能够对电介质层进行被覆并实质上填补多孔金属基材的细孔的、化学蒸镀(CVD：Chemical Vapor Deposition)法、镀覆、偏置溅射、Sol-Gel(溶胶-凝胶)法、导电性高分子填充等方法来形成上部电极。优选地，可以利用ALD法在电介质层上形成导电性膜，并从其上通过其它方法用导电性材料，优选为电阻更小的物质，填充细孔而形成上部电极。通过采用这样的结构，能够有效地得到更高的静电电容密度以及低的等效串联电阻(ESR：Equivalent Series Resistance)。
另外，在形成上部电极后，在上部电极不具有足以作为电容器电极的导电性的情况下，也可以通过溅射、蒸镀、镀覆等方法在上部电极的表面追加形成由Al、Cu、Ni等构成的引出电极层。
在一个方式中，也可以形成第一电容器电极，使得与上部电极电连接，并形成第二电容器电极，使得与导电性多孔基材电连接。
构成上述电容器电极的材料没有特别限定，例如，可举出Au、Pb、Pd、Ag、Sn、Ni、Cu等金属和合金、以及导电性高分子等。第一电容器电极的形成方法没有特别限定，例如能够使用CVD法、电解镀覆、无电解镀覆、蒸镀、溅射、导电性膏的烧附等，优选电解镀覆、无电解镀覆、蒸镀、溅射等。
另外，上述电容器电极的设置地方、大小等没有特别限定，能够仅在各面的一部分以任意的形状以及大小进行设置。此外，上述第一电容器电极以及第二电容器电极并非必需的要素，也可以不存在。在该情况下，可以是，上部电极还作为第一电容器电极而发挥功能，导电性基材还作为第二电容器电极而发挥功能。即，上部电极和导电性多孔基材也可以作为一对电极而发挥功能。在该情况下，也可以是，上部电极作为阳极而发挥功能，导电性多孔基材作为阴极而发挥功能。或者，也可以是，上部电极作为阴极而发挥功能，导电性多孔基材作为阳极而发挥功能。
虽然上述的电容器51以及电容器71为大致长方体形状，但是在本发明中使用的电容器不限定于此。电容器能够设为任意的形状，例如，平面形状也可以是圆形、椭圆形、或圆角的四边形等。
此外，在本发明中使用的电容器能够进行各种改变。
例如，也可以在各层之间具有用于提高层间的密接性的层、或者用于防止各层间的成分的扩散的缓冲层等。此外，也可以在电容器的侧面等具有保护层。
接着，对电容器内置芯绝缘膜的制造方法进行说明。
在一个方式中，电容器内置芯绝缘膜11能够通过如下方式制造，即，
准备在表面涂敷了粘合材料21的支承膜22，
在粘合材料上配置电容器15，使得第二电容器电极18与粘合材料相接(图7(a))，
对膜上供给绝缘性材料，使得电容器15完全埋入到绝缘性材料(绝缘层14)，接下来使其固化(图7(b))，
对绝缘层14的表面进行研磨，使电容器15的第一电容器电极17从绝缘层14的上表面(图中上方的面)露出(图7(c))，
在绝缘层14的上表面以及第一电容器电极17的露出面上，形成第一金属层12(图7(d))，
除去粘合材料21以及支承膜22(图7(e))，
在绝缘层14的下表面(图中下方的面)形成第二金属层13(图7(f))。
上述粘合材料21只要能够在以后除去就没有特别限定，优选感温性粘合材料(例如，Intelimer(注册商标)胶带)。
上述支承膜22没有特别限定，优选树脂膜，例如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜等。
绝缘层用的绝缘性材料的供给没有特别限定，可使用分配器、丝网印刷、喷墨等进行。
第一金属层12以及第二金属层13的形成方法没有特别限定，例如能够使用电解镀覆、无电解镀覆、CVD法、蒸镀、溅射、导电性膏的烧附等，优选电解镀覆或无电解镀覆。此外，作为其它方法，也可以另外形成金属箔，并使用粘接剂，例如导电性粘接剂或者通过压接等将其贴附于绝缘层。
在另一个方式中，电容器内置芯绝缘膜11能够通过如下方式来制造，即，
准备在表面涂敷了粘合材料21的支承膜22，
在粘合材料21上形成第二金属层13，
在第二金属层13上涂敷焊料23(图8(a))，
在焊料23上配置电容器15，使得第二电容器电极18与焊料23相接，并进行回流焊处理(图8(b))，
对膜上供给绝缘性材料，使得电容器15完全埋入到绝缘性材料(绝缘层14)，接下来使其固化(图8(c))，
对绝缘层14的表面进行研磨，使电容器15的第一电容器电极17从绝缘层14的上表面(图中上方的面)露出(图8(d))，
在绝缘层14的上表面以及第一电容器电极17的露出面上，形成第一金属层12(图8(e))，
除去粘合材料21以及支承膜22(图8(f))。
作为在粘合材料21上形成第二金属层13的方法，没有特别限定，例如能够使用电解镀覆、无电解镀覆、CVD法、蒸镀、溅射、导电性膏的烧附等。此外，作为其它方法，也可以另外形成金属箔，并使用导电性粘接剂或者通过压接等将其贴附于绝缘层。
作为焊料材料，没有特别限定，可举出SnAg类、SnCu类、SnSb类、SnBi类等无Pb焊料或Sn-37Pb等含Pb焊料。
在又一个方式中，电容器内置芯绝缘膜11能够通过如下方式来制造，即，
准备在表面涂敷了粘合材料21的支承膜22，
在粘合材料21上形成第二金属层13，进而在其上形成锡层(Sn层或Sn与Ag、Bi、Cu或者In的合金层)24(图9(a))，
在锡层24上涂敷焊剂25(图9(b))，
在焊剂层25上配置电容器15，使得第二电容器电极18与焊剂层25相接，并进行回流焊处理(图9(c))，
对膜上供给绝缘性材料，使得电容器15完全埋入到绝缘性材料(绝缘层14)，接下来使其固化(图9(d))，
对绝缘层14的表面进行研磨，使电容器15的第一电容器电极17从绝缘层14的上表面(图中上方的面)露出(图9(e))，
在绝缘层14的上表面以及第一电容器电极17的露出面上，形成第一金属层12(图9(f))，
除去粘合材料21以及支承膜22(图9(g))。
焊剂只要是焊接用的焊剂就没有特别限定，优选使用松香类焊剂等。焊剂的涂敷没有特别限定，可使用分配器、丝网印刷、喷墨等来进行。
在本发明的电容器内置基板的制造方法中，在得到了电容器内置芯绝缘膜之后，在电容器内置芯绝缘膜的两主面层叠堆积层。
例如，如图10(a)～图10(b)所示，准备电容器内置芯绝缘膜11和堆积层34。在电容器内置芯绝缘膜11的各主面上层叠堆积层34。接下来，对堆积层34进行热固化，通过激光等形成通孔(via hole)，并在通孔中通过镀覆(电解镀覆或无电解镀覆)等填补通孔而适当地形成过孔(via)35。接下来，在堆积层34上，通过减成法、半加成法等形成布线图案37。通过重复这样的堆积层的层叠工序，从而能够得到如图10(c)所示的本发明的电容器内置基板。
上述所谓堆积层，是指用于层叠于电容器内置芯绝缘膜的层，只要是绝缘性的就没有特别限定，典型地，可举出树脂基板，例如环氧树脂、聚酰亚胺类树脂、氟类树脂等。也可以在堆积层预先具备用于确保向内置电容器的导通的过孔。
所使用的电容器内置芯绝缘膜以及堆积层的数量以及配置不限定于图示的例子，能够根据目的而适当地设定。
作为电容器内置芯绝缘膜与堆积层的粘接方法，没有特别限定，可举出使用粘接剂的方法、利用压接的方法等，典型地，利用热压接。
也可以在层叠了电容器内置芯绝缘膜和堆积层之后，形成用于确保与内置电容器或内部的布线的导通的过孔。
本发明的第二制造方法是电容器内置基板的制造方法，其特征在于，包括：
制作电容器内置层间绝缘膜的工序；以及
在芯绝缘膜上作为堆积层而层叠电容器内置层间绝缘膜的工序，
上述电容器内置层间绝缘膜具有绝缘层以及电容器，
电容器配置为贯通绝缘层，且电容器电极从绝缘层的两主表面露出。
首先，对电容器内置层间绝缘膜进行说明。
如图11以及图12所示，在本实施方式中使用的电容器内置层间绝缘膜41概略性地具有绝缘层42和电容器43而构成。具有电介质层44、第一电容器电极45以及第二电容器电极46的电容器43配置为贯通绝缘层42，且电容器电极(即，第一电容器电极45以及第二电容器电极46)从绝缘层42露出。
绝缘层42以及内置的电容器43能够使用与在上述第一制造方法中说明的绝缘层以及电容器相同的绝缘层以及电容器。
接着，对电容器内置层间绝缘膜的制造方法进行说明。
在一个方式中，电容器内置层间绝缘膜41能够通过如下方式来制造，即，
准备在表面涂敷了粘合材料21的支承膜22，
在粘合材料上配置电容器43，使得第二电容器电极46与粘合材料相接(图13(a))，
对膜上供给绝缘性材料，使得电容器43完全埋入到绝缘性材料(绝缘层42)，接下来使其固化(图13(b))，
对绝缘层42的表面进行研磨，使电容器43的第一电容器电极45从绝缘层42的上表面(图中上方的面)露出(图13(c))。
也可以根据期望，进一步在电容器内置层间绝缘膜41上形成保护膜26。另外，粘合材料21、支承膜22以及保护膜26在使用前被除去。
作为上述粘合材料21以及支承膜22，能够使用在上述第一制造方法中说明的粘合材料以及支承膜。
作为保护膜26，没有特别限定，优选树脂膜，例如聚丙烯膜，具体地，拉伸聚丙烯(OPP)膜等。
在本发明的电容器内置基板的第二制造方法中，在得到了电容器内置层间绝缘膜之后，在芯绝缘膜上层叠电容器内置层间绝缘膜。此时，也可以进一步层叠堆积层。
例如，如图14(a)～图14(c)所示，准备电容器内置层间绝缘膜41、堆积层34、芯绝缘膜36。在芯绝缘膜36之一的两主面上，通过减成法、半加成法等形成布线图案37。接下来，在一个主面上层叠剥掉了支承膜的电容器内置层间绝缘膜41，并在另一个主面上层叠堆积层34。对堆积层进行固化，接下来，通过激光等形成通孔，在通孔中通过镀覆(电解镀覆或无电解镀覆)等填补通孔而适当地形成过孔35。通过重复这样的层叠工序，从而能够得到如图14(d)所示的本发明的电容器内置基板。
所使用的电容器内置层间绝缘膜以及堆积层的数量以及配置不限定于图示的例子，能够根据目的而适当地设定。
作为电容器内置层间绝缘膜、芯绝缘膜以及堆积层的粘接方法，没有特别限定，可举出使用粘接剂的方法、利用压接的方法等，典型地，利用热压接。
也可以在层叠了电容器内置层间绝缘膜、芯绝缘膜以及堆积层之后，形成用于确保与内置电容器或内部的布线的导通的过孔。
根据本发明的方法，没有电容器向基板的表面安装工序，能够连续地进行基板制造工序和基板层叠工序，因此制造整体的工序的衔接良好，此外，制造工序变短。因此，能够实现低成本化以及产品的高品质化。此外，根据使用电容器内置层间绝缘膜的第二制造方法，能够将电容器配置在基板表面附近，因此与安装于电容器内置基板的表面的IC部件的布线长度变短，电子设备的电特性提高。
上述的第一电容器内置基板制造方法以及第二电容器内置基板制造方法分别通过使用电容器内置芯绝缘膜以及电容器内置层间绝缘膜而达成。
因此，本发明还提供一种电容器内置芯绝缘膜，其中，
具有第一金属层和第二金属层、绝缘层、以及电容器，
第一金属层和第二金属层配置为隔着绝缘层对置，
电容器配置为贯通绝缘层，且一个电容器电极与第一金属层电连接，另一个电容器电极与第二金属层电连接。
进而，本发明还提供一种电容器内置层间绝缘膜，其中，
具有绝缘层以及电容器，
电容器配置为贯通绝缘层，且电容器电极从绝缘层的两主表面露出。
上述的电容器内置芯绝缘膜以及电容器内置层间绝缘膜是薄膜状，因此为了操作性的提高以及使耐久性提高，也可以在主面的双方或一方具有保护膜或支承膜。
因此，本发明还提供一种膜产品，其中，
具有电容器内置芯绝缘膜，其中，具有第一金属层和第二金属层、绝缘层、以及电容器，第一金属层和第二金属层配置为隔着绝缘层对置，电容器配置为贯通绝缘层，且一个电容器电极与第一金属层电连接，另一个电容器电极与第二金属层电连接，
在电容器内置芯绝缘膜的主面的双方或一方具有保护膜或支承膜。
进而，本发明还提供一种膜产品，其中，
具有电容器内置层间绝缘膜，其中，具有绝缘层以及电容器，电容器配置为贯通绝缘层，且电容器电极从绝缘层的两主表面露出，
在电容器内置层间绝缘膜的主面的双方或一方具有保护膜或支承膜。
产业上的可利用性
在本发明的电容器内置基板的制造方法中，各工序的衔接良好，且能够以短时间、低成本制造电容器内置基板，因此能够在各种电子设备用的基板的制造中适宜地使用。
附图标记说明
11：电容器内置芯绝缘膜；12：第一金属层；
13：第二金属层；14：绝缘层；15：电容器；
16：电介质层；17：第一电容器电极；18：第二电容器电极；
21：粘合材料；22：支承膜；23：焊料；24：锡层；
25：焊剂；26：保护膜；
31、31’：电容器内置基板；34：堆积层；
35：过孔；36：芯绝缘膜；37：布线图案；
41：电容器内置层间绝缘膜；42：绝缘层；43：电容器；
44：电介质层；45：第一电容器电极；46：第二电容器电极；
51：电容器；52：高空隙率部；53：低空隙率部；
54：导电性多孔基材；55：电介质层；56：上部电极；57：布线电极；
58：保护层；
59：第一电容器电极；60：第二电容器电极；
71：电容器；72：高空隙率部；73：低空隙率部；
74：导电性多孔基材；75：电介质层；76：上部电极；
77：支承部；79：第一电容器电极；80：第二电容器电极。
Claims (8)
1.一种电容器内置基板的制造方法，其特征在于，包括：
制作电容器内置芯绝缘膜的工序；以及
在电容器内置芯绝缘膜的两主面层叠堆积层的工序，
所述电容器内置芯绝缘膜具有第一金属层和第二金属层、绝缘层、以及电容器，
第一金属层和第二金属层配置为隔着绝缘层对置，
电容器配置为贯通绝缘层，且一个电容器电极与第一金属层电连接，另一个电容器电极与第二金属层电连接。
2.一种电容器内置基板的制造方法，其特征在于，包括：
制作电容器内置层间绝缘膜的工序；以及
在芯绝缘膜上作为堆积层而层叠电容器内置层间绝缘膜的工序，
所述电容器内置层间绝缘膜具有绝缘层以及电容器，
电容器配置为贯通绝缘层，且电容器电极从绝缘层的两主表面露出。
3.根据权利要求1或2所述的电容器内置基板的制造方法，其特征在于，
内置的电容器是具有导电性多孔基材、位于导电性多孔基材上的电介质层、以及位于电介质层上的上部电极而构成的电容器。
4.一种电容器内置芯绝缘膜，其特征在于，
具有第一金属层和第二金属层、绝缘层、以及电容器，
第一金属层和第二金属层配置为隔着绝缘层对置，
电容器配置为贯通绝缘层，且一个电容器电极与第一金属层电连接，另一个电容器电极与第二金属层电连接。
5.根据权利要求4所述的电容器内置芯绝缘膜，其特征在于，
内置的电容器是具有导电性多孔基材、位于导电性多孔基材上的电介质层、以及位于电介质层上的上部电极而构成的电容器。
6.一种电容器内置层间绝缘膜，其特征在于，
具有绝缘层以及电容器，
电容器配置为贯通绝缘层，且电容器电极从绝缘层的两主表面露出。
7.根据权利要求6所述的电容器内置层间绝缘膜，其特征在于，
内置的电容器是具有导电性多孔基材、位于导电性多孔基材上的电介质层、以及位于电介质层上的上部电极而构成的电容器。
8.一种膜产品，其特征在于，
在权利要求4或5所述的电容器内置芯绝缘膜、或者权利要求6或7所述的电容器内置层间绝缘膜的主面的双方或一方具有保护膜或支承膜。
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