CN107799443B - 基板清洗装置和基板清洗方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种清洗力较高的基板清洗装置和基板清洗方法。在使基板旋转并且对该基板进行清洗的基板清洗装置中,具有:第一清洗液供给部,该第一清洗液供给部朝向所述基板的中心以第一喷出角度喷出呈喷雾状的清洗液;以及第二清洗液供给部,该第二清洗液供给部朝向所述基板的中心与边缘之间且以比所述第一喷出角度大的第二喷出角度喷出呈喷雾状的清洗液。
Description
技术领域
本发明涉及基板清洗装置和基板清洗方法。
背景技术
公知有如下的清洗装置:一边对半导体晶片等基板供给清洗液一边使其旋转而进行清洗(例如专利文献1)。然而,未必一定能够得到充分的清洗力。
专利文献1:日本专利2015-201627号公报
发明内容
本发明是鉴于这样的问题而完成的,本发明的课题在于,提供一种清洗力较高的基板清洗装置和基板清洗方法。
根据本发明的一个方式,提供一种基板清洗装置,其使基板旋转并且对该基板进行清洗,该基板清洗装置具有:第一清洗液供给部,该第一清洗液供给部朝向所述基板的中心以第一喷出角度喷出呈喷雾状的清洗液;以及第二清洗液供给部,该第二清洗液供给部朝向所述基板的中心与边缘之间以比所述第一喷出角度大的第二喷出角度喷出呈喷雾状的清洗液。
由于基板的中心附近的离心力较小,因此来自第一清洗液供给部的清洗液因基板的旋转而返回到基板上。因此,能够高效地清洗基板的中心附近,清洗力提高。并且,通过喷出呈喷雾状的清洗液,能够抑制对基板的负担。
优选连结所述第一清洗液供给部和从所述第一清洗液供给部喷出的清洗液的到达区域的中心的线与该到达区域的长度方向大致正交,连结所述第二清洗液供给部和从所述第二清洗液供给部喷出的清洗液的到达区域的中心的线与该到达区域的长度方向大致正交。
来自第二清洗液供给部的清洗液在用于清洗之后,因离心力而向基板的外侧飞出,而不滞留在基板上。因此,用于清洗的清洗液不滞留在基板上,清洗力提高。
优选该基板清洗装置具有清洗部,该清洗部与所述基板接触而对所述基板进行清洗。
优选所述第一清洗液供给部和所述第二清洗液供给部与所述清洗部的长度方向大致垂直地喷出清洗液。
来自第二清洗液供给部的清洗液在用于清洗之后,因离心力而向基板的外侧飞出,不滞留在基板上。因此,用于清洗的清洗液不滞留在基板上,清洗力提高。
优选所述第一清洗液供给部和/或所述第二清洗液供给部具有喷出纯水的第一喷嘴和喷出药液的第二喷嘴,从所述第二喷嘴喷出的药液与从所述第一喷嘴喷出的纯水相比,到达更接近所述清洗部的位置。
通过使药液到达清洗部的附近,能够通过清洗部高效地清洗基板。
优选所述第一清洗液供给部和/或所述第二清洗液供给部具有喷出纯水的第一喷嘴和喷出药液的第二喷嘴,所述第一喷嘴与所述第二喷嘴相比,位于更接近包含所述基板W在内的面的位置。
通过像这样配置第一喷嘴和第二喷嘴,由于药液到达清洗部的附近,因此能够通过清洗部高效地清洗基板。
优选所述第一清洗液供给部和所述第二清洗液供给部向所述基板的上表面喷出清洗液,所述第一清洗液供给部的喷出方向与所述第二清洗液供给部的喷出方向相同。
若在基板的上表面上喷出方向是相反方向,则来自第一清洗液供给部的清洗液与来自第二清洗液供给部的清洗液碰撞而扬起,被污染的清洗液很可能落到基板上。通过像上述那样使喷出方向相同,能够防止这样的情况。
优选所述第一清洗液供给部和所述第二清洗液供给部向所述基板的下表面喷出清洗液,所述第一清洗液供给部的喷出方向与所述第二清洗液供给部的喷出方向相反。
通过在基板的下表面上使第一清洗液供给部与第二清洗液供给部的喷出方向相反,能够将两清洗液供给部配置于彼此相对的位置上,实现基板清洗装置的小型化。
优选所述第二清洗液供给部朝向与所述基板的旋转方向相同的方向喷出清洗液。
由于基板与清洗液的相对速度变小,因此清洗液存在于基板上的时间变长,清洗力提高。
优选该基板清洗装置具有辊状的清洗部,该清洗部一边旋转一边与所述基板接触而对所述基板进行清洗,所述第二清洗液供给部朝向所述基板与所述清洗部的接触区域且两者的旋转方向一致的区域,向与该旋转方向相同的方向喷出清洗液。
由于清洗部与清洗液的相对速度也变小,因此清洗液与清洗部接触的时间变长,清洗力提高。
更优选所述第二清洗液供给部的清洗液的喷出量比所述第一清洗液供给部的清洗液的喷出量多。
像上述那样,来自第二清洗液供给部的清洗液与基板的相对速度以及与清洗部的相对速度都较小,用于清洗的时间较长。由此,可以使第二清洗液供给部的清洗液的喷出量变多。
优选所述第一清洗液供给部具有:第一纯水喷嘴,该第一纯水喷嘴喷出从第一纯水供给管供给的纯水;以及第一药液喷嘴,该第一药液喷嘴喷出从第一药液供给管供给的药液,所述第二清洗液供给部具有:第二纯水喷嘴,该第二纯水喷嘴喷出从与所述第一纯水供给管不同的第二纯水供给管供给的纯水;以及第二药液喷嘴,该第二药液喷嘴喷出从与所述第一药液供给管不同的第二药液供给管供给的药液,所述第一纯水供给管与所述第二纯水供给管分别具有彼此不同的流量调节功能,所述第一药液供给管与所述第二药液供给管分别具有彼此不同的流量调节功能。
来自第一纯水喷嘴和第二纯水喷嘴的纯水供给不相互干涉,喷出压力稳定。同样,来自第一药液喷嘴和第二药液喷嘴的药液供给不相互干涉,喷出压力稳定。
优选所述第一清洗液供给部和所述第二清洗液供给部大致均匀地喷出清洗液。
通过均匀地喷出清洗液,即使在清洗液是酸性或者碱性的情况下,也能够抑制在基板上产生pH分布。
根据本发明的其他的方式,提供一种基板清洗方法,朝向旋转的基板的中心以第一喷出角度喷出呈喷雾状的清洗液,并且朝向所述基板的中心与边缘之间以比所述第一喷出角度大的第二喷出角度喷出呈喷雾状的清洗液。
发明效果
清洗力提高。
附图说明
图1是表示具有本实施方式的基板清洗装置100的基板处理装置的整体结构的平面图。
图2是表示本实施方式的基板清洗装置100的立体图。
图3是图2的基板清洗装置100的概略俯视图和概略侧视图。
图4是图2的基板清洗装置100的概略仰视图和概略侧视图。
图5是对清洗液供给部101、102的喷出方向进行说明的示意图。
图6A是在垂直方向上对基板W进行保持并进行清洗的基板清洗装置100a的概略立体图。
图6B是在垂直方向上对基板W进行保持而进行清洗的基板清洗装置100a的概略侧视图。
符号说明
11~14 辊
21、22、21a、22a 辊海绵
31、32 旋转机构
41~44、41a~44a 纯水供给喷嘴
51~54、51a~54a 药液供给喷嘴
61 支承部件
100、100a 基板清洗装置
101~104、101a~104a 清洗液供给部
具体实施方式
以下,关于实施方式,一边参照附图一边具体地进行说明。
图1是表示具有本实施方式的基板清洗装置100的基板处理装置的整体结构的平面图。如图1所示,基板处理装置具有:大致矩形状的壳体1;以及加载台2,该加载台2载置有基板盒,该基板盒存放多个半导体晶片等基板。
加载台2与壳体1相邻地配置。能够在加载台2搭载开盒、SMIF(StandardManufacturing Interface:标准机械界面)盒、或者FOUP(Front Opening Unified Pod:前开式晶圆盒)。SMIF盒、FOUP是通过在内部收纳基板盒且利用分隔壁进行覆盖而能够保持与外部空间独立的环境的密闭容器。
在壳体1的内部收纳有:1个或者多个(在该例中为4个)基板研磨装置3a~3d;对研磨后的基板进行清洗的1个或者多个(在该例中为2个)基板清洗装置100;以及使清洗后的基板干燥的基板干燥装置4。基板研磨装置3a~3d沿着基板处理装置的长度方向排列,基板清洗装置100和基板干燥装置4也沿着基板处理装置的长度方向排列。另外,基板研磨装置3a~3d可以对基板的表面进行研磨,也可以对斜面进行研磨。
在由加载台2、位于该加载台2侧的基板研磨装置3a以及基板干燥装置4包围的区域中配置有搬送单元5,与基板研磨装置3a~3d平行地配置有搬送单元6。搬送单元5从加载台2接收研磨前的基板并交接到搬送单元6,并且从基板干燥装置4接收干燥后的基板。
在基板清洗装置100间配置有搬送单元7,该搬送单元7在基板清洗装置100之间进行基板的交接。并且,在基板干燥装置4侧的基板清洗装置100与基板干燥装置4之间配置有搬送单元8,该搬送单元8在基板清洗装置100与基板干燥装置4之间进行基板的交接。此外,在壳体1的内部配置有控制部9,该控制部9对基板处理装置的各设备的工作进行控制。
图2是表示本实施方式的基板清洗装置100的立体图。基板清洗装置100具有:大致配置于同一水平面上的4个辊11~14;作为清洗部的2个圆柱状的辊海绵21、22;使辊海绵21、22分别旋转的旋转机构31、32;纯水供给喷嘴41~44;以及药液供给喷嘴51~54。
另外,基板清洗装置100彼此由分隔壁等隔离,使得在对基板进行清洗的工序中清洗液等不会向外部泄漏。并且,在该分隔壁中能够设置闸门机构,该闸门机构用于使基板相对于基板清洗装置100出入。
辊11是保持部11a和肩部(支承部)11b的二段结构。肩部11b的直径比保持部11a的直径大,在肩部11b上设置有保持部11a。辊12~14也具有与辊11相同的结构。辊11~14能够通过未图示的驱动机构(例如气缸)而在彼此接近和远离的方向上移动。通过使辊11~14彼此接近,从而保持部11a~14a能够将基板W大致水平地保持。并且,辊11~14中的至少1个是由未图示的旋转机构旋转驱动的结构,由此能够使基板W在水平面内旋转。
辊海绵21在水平面内延伸,与由辊11~14保持的基板W的上表面接触而对该基板W进行清洗。通过旋转机构31使辊海绵21以辊海绵21的长度方向为轴而进行旋转。并且,旋转机构31安装于对其上下方向的工作进行引导的导轨33,并且支承于升降驱动机构34。通过升降驱动机构34使旋转机构31和辊海绵21沿着导轨33在上下方向上移动。
辊海绵22在水平面内延伸,与由辊11~14保持的基板W的下表面接触而对该基板W进行清洗。辊海绵22配置于辊海绵21的下方,通过旋转机构32使辊海绵22以辊海绵22的长度方向为轴进行旋转。省略升降驱动机构等的图示,但与辊海绵21同样,旋转机构32和辊海绵22也在上下方向上移动。
纯水供给喷嘴41、42位于基板W的斜上方,向基板W的上表面供给纯水。药液供给喷嘴51、52位于基板W的斜上方,向基板W的上表面供给药液。另外,以下,将药液和纯水总称为清洗液。不仅使用药液还使用纯水,由此能够提升液量,能够抑制成本。并且,将纯水供给喷嘴41和药液供给喷嘴51一同称为清洗液供给部101,将纯水供给喷嘴42和药液供给喷嘴52一同称为清洗液供给部102。
虽然未被图2表示,但使用图4如后述说明的那样,纯水供给喷嘴43、44位于基板W的斜下方,向基板W的下表面供给纯水。药液供给喷嘴53、54位于基板W的斜下方,向基板W的下表面供给药液。将纯水供给喷嘴43和药液供给喷嘴53一同称为清洗液供给部103,将纯水供给喷嘴44和药液供给喷嘴54一同称为清洗液供给部104。
本实施方式的特征之一是清洗液的供给方法,这点在后面详细地说明。
基板清洗装置100以如下方式进行动作而清洗基板W。在搬入基板W时,辊11~14位于彼此远离的位置。并且,辊海绵21上升,辊海绵22下降。
首先,由未图示的搬送单元搬送来的基板W被载置在辊11~14的肩部11b~14b上。然后,通过使辊11~14在彼此接近的方向、即朝向基板W的方向上移动,而使基板W被保持部11a~14a大致水平地保持。
接着,辊海绵21下降而与基板W的上表面接触,并且辊海绵22上升而与基板W的下表面接触。优选辊海绵22位于辊海绵21的正下方,并且包含基板W的中心在内的区域与辊海绵21、22接触。清洗液供给部101~104向基板W供给清洗液。
并且,通过辊11~14使基板W在水平面内旋转,并且辊海绵21、22绕其轴心旋转并且与基板W的上下表面分别接触,由此对基板W的上下表面进行擦洗。在擦洗后,辊海绵21上升,并且辊海绵22下降,通过未图示的搬送单元将基板W从基板清洗装置100搬出。
另外,也可以在辊海绵21、22未与基板W接触的状态下通过来自清洗液供给部101~104的清洗液对基板W进行清洗。并且,也可以是不设置辊海绵21、22而由清洗液进行清洗的结构。
接着,关于清洗液的供给方式详细地说明。另外,对与清洗液的供给有关的多个特征进行说明,但本实施方式的基板清洗装置100只要具有其中至少1个即可。
图3是图2的基板清洗装置100的概略俯视图和概略侧视图。在该图中,假设基板W从概略俯视图中的纸面近前侧(基板W的上表面侧)观察时顺时针旋转,并且辊海绵21从概略侧视图中的纸面近前侧观察时顺时针旋转。因此,在辊海绵21的纸面下侧与基板W的接触区域中,两者的旋转方向一致。另一方面,在辊海绵21的纸面上侧与基板W的接触区域中,两者的旋转方向相反。
清洗液供给部101、102由与辊海绵21的长度方向大致平行地延伸的支承部件61支承。优选分别从单独的纯水供给管71、72单独地向纯水供给喷嘴41、42供给纯水。即,优选纯水供给喷嘴41具有与纯水供给喷嘴42不同的流量调节功能。这是因为若在纯水供给喷嘴41、42设置有共用的纯水供给管,则喷出压力变得不稳定。出于相同的理由,优选分别从单独的药液供给管81、82单独地向药液供给喷嘴51、52供给药液。即,优选药液供给喷嘴51具有与药液供给喷嘴52不同的流量调节功能。
在纯水供给喷嘴41的上方配置有药液供给喷嘴51。即,纯水供给喷嘴41与药液供给喷嘴51相比,被配置于更接近包含基板W在内的水平面的位置。并且,包含纯水供给喷嘴41和药液供给喷嘴51的清洗液供给部101中的清洗液的喷出方向与辊海绵21的长度方向大致正交,并且朝向基板W的中心。
并且,清洗液供给部101以相对小的喷出角度θ1朝向基板W的中心,并且与辊海绵21的长度方向大致垂直地将清洗液喷出呈喷雾状。喷出的药液到达包含基板W的中心的近前(为了方便,将比辊海绵21更接近清洗液供给部101的一侧称为“近前”,将较远的一侧称为“后方”)的较窄的区域A1,纯水到达比区域A1靠近前的较窄的区域A2。
换言之,清洗液供给部101向基板W上且基板W的中心与清洗液供给部101自身之间的区域喷出清洗液。更具体而言,药液供给喷嘴51向比基板W的中心稍稍靠近前的区域A1喷出药液,纯水供给喷嘴41向比区域A1靠近前的区域A2喷出纯水。
这样,药液到达的区域A1比纯水到达的区域A2更接近辊海绵21。另外,如果区域A1、A2处于这样的位置关系,则也可以不必须在纯水供给喷嘴41的上方配置药液供给喷嘴51。并且,优选药液(纯水)均匀地到达区域A1(A2)。这是因为即使药液是酸性或者碱性的情况下也能够抑制基板W上的pH分布不均匀。
在纯水供给喷嘴42的上方配置有药液供给喷嘴52。即,纯水供给喷嘴42与药液供给喷嘴52相比,被配置于更接近包含基板W在内的水平面的位置。并且,包含纯水供给喷嘴42和药液供给喷嘴52的清洗液供给部102中的清洗液的喷出方向与辊海绵21的长度方向大致正交,并且朝向基板W的中心与边缘之间的中央附近。
并且,清洗液供给部102以相对大的喷出角度θ2朝向基板W的中心与边缘之间,与辊海绵21的长度方向大致垂直地且朝向与基板W的旋转方向相同的方向喷出呈喷雾状的清洗液。喷出的药液到达基板W的中心与边缘之间的近前的较宽的区域A3,纯水到达比区域A3靠近前的较宽的区域A4。
换言之,清洗液供给部102向基板W上且从基板W的中心的稍稍外侧到边缘的范围与清洗液供给部102自身之间的区域喷出清洗液。更具体而言,药液供给喷嘴52向比从基板W的中心的稍稍外侧到边缘的范围稍稍靠近前的区域A3喷出药液,纯水供给喷嘴42向比区域A3靠近前的区域A4喷出纯水。
这样,药液到达的区域A3比纯水到达的区域A4更接近辊海绵21。另外,如果区域A3、A4处于这样的位置关系,则也可以不必须在纯水供给喷嘴42的上方配置药液供给喷嘴52。并且,优选药液(纯水)均匀地到达区域A3(A4)。另外,区域A1~A4可以不完全地分离,也可以一部分重复。
与从单管喷嘴供给清洗液相比,在本实施方式中喷出呈喷雾状的清洗液,因此能够抑制清洗液的势头而减轻对基板W的负载。并且,由于与纯水相比,药液到达更接近辊海绵21的位置,因此辊海绵21的清洗力提高。
在来自清洗液供给部101的清洗液穿过辊海绵21与基板W之间时,对区域A1附近(基板W的上表面中心附近)的基板W与辊海绵21的接触区域进行清洗。然后,清洗液侵入到辊海绵21的后方。由于在基板W的中心附近,离心力并没有那么大,因此清洗液伴随着基板W的旋转而返回到辊海绵21侧(参照图3的箭头F1)。由此,基板W的上表面中的后侧也由辊海绵21清洗。
另一方面,在来自清洗液供给部102的清洗液穿过辊海绵21与基板W之间时,对区域A3附近(基板W的上表面上的从中央的稍稍外侧到边缘的部分)的基板W与辊海绵21的接触区域进行清洗。这里,在区域A3附近,基板W的旋转方向、辊海绵21的旋转方向与来自清洗液供给部102的清洗液喷出方向一致。因此,它们的相对速度变小,清洗液与基板W和辊海绵21接触的时间变长。由此,清洗力变高。
这样,由于来自清洗液供给部102的清洗液与辊海绵21接触的时间变长,因此使来自清洗液供给部102的清洗液喷出量比来自清洗液供给部101的清洗液喷出量多(例如1~2倍左右)是有效的。
然后,清洗液侵入到辊海绵21的后方。清洗液的喷出方向与辊海绵21垂直,且基板W的旋转方向与清洗液的喷出方向一致,因此该清洗液不会因基板W的旋转而被推回到基板W的内侧,因离心力而飞出到基板W的外侧(参照图3的箭头F2)。由此,能够抑制用于长时间的清洗之后的清洗液滞留在基板W上。
这里,优选在基板W的上表面上来自清洗液供给部101的喷出方向与来自清洗液供给部102的喷出方向一致。在图3中,清洗液供给部101、102都配置于辊海绵21的纸面右侧,喷出方向都是从纸面右到左。若喷出方向相反,则在来自清洗液供给部101的清洗液与来自清洗液供给部102的清洗液碰撞的情况下,产生对流而使清洗液扬起。那样的话,有可能因扬起而导致包含空气中的灰尘等在内的清洗液落到基板W上从而会污染基板W。
接着,关于向基板W的下表面供给清洗液的清洗液供给部103、104进行说明。它们除了向基板W的下表面喷出清洗液的点和接下来说明的点之外,与清洗液供给部101、102大致相同。
图4是图2的基板清洗装置100的概略仰视图和概略侧视图。在该图的例子中,在基板W的下表面上,清洗液供给部103配置于辊海绵22的纸面左侧,清洗液供给部104配置于辊海绵22的纸面右侧。这样,优选清洗液供给部103与清洗液供给部104隔着辊海绵22(换言之为基板W的中心)在彼此相对的位置上配置。由此,能够使基板清洗装置100小型化。
在该情况下,来自清洗液供给部103的喷出方向与来自清洗液供给部104的喷出方向相反。更具体而言,来自清洗液供给部103的喷出方向为从纸面左到右,与此相对,来自清洗液供给部104的喷出方向为从纸面右到左。然而,这不会成为问题。这是因为在基板W的下表面上,即使来自清洗液供给部103的清洗液与来自清洗液供给部104的清洗液碰撞,该清洗液因重力而下落因此几乎不会落到基板W上。并且,当然在不在意基板清洗装置100的大小的情况下等,也可以使清洗液供给部103、104相对于辊海绵22配置于相同的一侧。
但是,在设置辊海绵21、22的情况下,像上述那样与辊海绵21、22的长度方向大致垂直地喷出清洗液。另一方面,在未设置辊海绵21、22的情况下,像如下那样喷出清洗液。
图5是对清洗液供给部101、102的喷出方向进行说明的示意图。在该图中,从清洗液供给部101、102喷出的清洗液分别到达基板W的区域P(相当于图3的区域A1、A2)、Q(相当于该区域A3、A4)。在该情况下,清洗液供给部101只要以连结清洗液供给部101和区域P的中心的线L1与区域P的长度方向正交的方式喷出清洗液即可。同样,清洗液供给部102只要以连结清洗液供给部102和区域Q的中心的线L2与区域Q的长度方向正交的方式喷出清洗液即可。
以上说明的基板清洗装置100是将基板W保持在大致水平方向上而进行清洗的,但也可以倾斜地保持基板W,或者在垂直方向上保持基板W而进行清洗。
图6A和图6B分别是在垂直方向上保持基板W而进行清洗的基板清洗装置100a的概略立体图和概略侧视图。在图6A和图6B中,对图2~图4中的对应的各部分的符号末尾标注“a”。
基板清洗装置100a利用2个辊11a、12a在垂直方向上对基板W进行保持并使该基板W旋转。并且,基板W由在同一水平面内彼此相对地延伸的2个辊海绵21a、22a夹持。即,辊海绵21a与基板W的第一面接触而对该基板W的第一面进行清洗,辊海绵22a与基板W的第二面接触而对该基板W的第二面进行清洗。
清洗液供给部101a配置于基板W的中心上方。清洗液供给部101a中的纯水供给喷嘴41a与药液供给喷嘴51a相比,配置于更接近包含基板W在内的铅垂面的位置。清洗液供给部102a与清洗液供给部101a错开地配置。清洗液供给部102a中的纯水供给喷嘴42a与药液供给喷嘴52a相比,配置于更接近包含基板W在内的铅垂面的位置。并且,与在图3中清洗液供给部101、102向基板W的上表面供给清洗液同样,图6中的清洗液供给部101a、102a向基板W的第一面供给清洗液。
并且,虽然未图示,但设置有向基板W的第二面供给清洗液的2个清洗液供给部(相当于图3的清洗液供给部103、104)。其他的与图3相同。
并且,在本实施例中,也可以是,例如在图6A的辊11a、12a设置有与真空源连通的用于吸引清洗排液的未图示的排液端口,在清洗中使清洗排液从该排液端口排出,例如将该排液引导到未图示的气液分离槽。或者,也可以是,在图6A的辊11a、12a之间还配置有辊13a,仅在该辊13a中设置有排液端口,在清洗中使清洗排液从该排液端口排出,例如将该排液引导到未图示的气液分离槽。如果像这样构成,则能够抑制排液中的残渣滞留于辊等的情况,更顺利地将排液中的残渣向外部排出。
这样,在本实施方式中,从清洗液供给部101朝向基板的中心喷出清洗液。由于基板的中心附近的离心力较小,因此在清洗液穿过了辊海绵21的下方之后,通过基板的旋转而返回到基板上。由此,能够高效地清洗基板的中心附近。
上述的实施方式的记载目的为使本领域的技术人员能够实施本发明。本领域技术人员当然能够实施上述实施方式的各种变形例,本发明的技术思想也能够应用于其他的实施方式。因此,本发明不限于所记载的实施方式,应该是基于权利要求的范围所定义的技术思想的最大范围。
Claims (11)
1.一种基板清洗装置,一边使基板旋转,一边对该基板进行清洗,所述基板清洗装置的特征在于,具有:
第一清洗液供给部,该第一清洗液供给部朝向所述基板的上表面的中心以第一喷出角度喷出呈喷雾状的清洗液;
第二清洗液供给部,该第二清洗液供给部朝向所述基板的上表面的中心与边缘之间以比所述第一喷出角度大的第二喷出角度喷出呈喷雾状的清洗液;以及
清洗部,该清洗部与所述基板接触而对所述基板进行清洗,
所述第一清洗液供给部的喷出方向及所述第二清洗液供给部的喷出方向都与所述清洗部的长度方向大致垂直,
进一步,所述第二清洗液供给部构成为,朝向所述基板与所述清洗部彼此接触的区域且向与所述基板的旋转方向相同的方向喷出清洗液。
2.一种基板清洗装置,一边使基板旋转,一边对该基板进行清洗,所述基板清洗装置的特征在于,具有:
第一清洗液供给部,该第一清洗液供给部朝向所述基板的中心以第一喷出角度喷出呈喷雾状的清洗液;
第二清洗液供给部,该第二清洗液供给部朝向所述基板的中心与边缘之间以比所述第一喷出角度大的第二喷出角度喷出呈喷雾状的清洗液;以及
清洗部,该清洗部与所述基板接触而对所述基板进行清洗,
所述第一清洗液供给部和/或所述第二清洗液供给部具有喷出纯水的第一喷嘴和喷出药液的第二喷嘴,
从所述第二喷嘴喷出的药液与从所述第一喷嘴喷出的纯水相比,到达更接近所述清洗部的位置。
3.一种基板清洗装置,一边使基板旋转,一边对该基板进行清洗,所述基板清洗装置的特征在于,具有:
第一清洗液供给部,该第一清洗液供给部朝向所述基板的中心以第一喷出角度喷出呈喷雾状的清洗液;
第二清洗液供给部,该第二清洗液供给部朝向所述基板的中心与边缘之间以比所述第一喷出角度大的第二喷出角度喷出呈喷雾状的清洗液;以及
清洗部,该清洗部与所述基板接触而对所述基板进行清洗,
所述第一清洗液供给部和/或所述第二清洗液供给部具有喷出纯水的第一喷嘴和喷出药液的第二喷嘴,
所述第一喷嘴与所述第二喷嘴相比,位于更接近包含所述基板在内的面的位置。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的基板清洗装置,其特征在于,
连结所述第一清洗液供给部和从所述第一清洗液供给部喷出的清洗液的到达区域的中心的线与该到达区域的长度方向大致正交,
连结所述第二清洗液供给部和从所述第二清洗液供给部喷出的清洗液的到达区域的中心的线与该到达区域的长度方向大致正交。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的基板清洗装置,其特征在于,
所述第一清洗液供给部的喷出方向与所述第二清洗液供给部的喷出方向相同。
6.根据权利要求1-4中任一项所述的基板清洗装置,其特征在于,
所述第一清洗液供给部的喷出方向与所述第二清洗液供给部的喷出方向相反。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的基板清洗装置,其特征在于,
所述清洗部一边旋转一边与所述基板接触而对所述基板进行清洗,
所述第二清洗液供给部朝向所述基板与所述清洗部的接触区域中的所述基板与所述清洗部的旋转方向一致的区域,向与该旋转方向相同的方向喷出清洗液。
8.根据权利要求7所述的基板清洗装置,其特征在于,
所述第二清洗液供给部的清洗液的喷出量比所述第一清洗液供给部的清洗液的喷出量多。
9.根据权利要求1-8中任一项所述的基板清洗装置,其特征在于,
所述第一清洗液供给部具有:
第一纯水喷嘴,该第一纯水喷嘴喷出从第一纯水供给管供给的纯水;以及
第一药液喷嘴,该第一药液喷嘴喷出从第一药液供给管供给的药液,
所述第二清洗液供给部具有:
第二纯水喷嘴,该第二纯水喷嘴喷出从与所述第一纯水供给管不同的第二纯水供给管供给的纯水;以及
第二药液喷嘴,该第二药液喷嘴喷出从与所述第一药液供给管不同的第二药液供给管供给的药液,
所述第一纯水供给管与所述第二纯水供给管分别具有彼此不同的流量调节功能,
所述第一药液供给管与所述第二药液供给管分别具有彼此不同的流量调节功能。
10.根据权利要求1-9中任一项所述的基板清洗装置,其特征在于,
所述第一清洗液供给部和所述第二清洗液供给部大致均匀地喷出清洗液。
11.一种基板清洗方法,其特征在于,
朝向旋转的基板的上表面的中心从第一清洗液供给部以第一喷出角度喷出呈喷雾状的清洗液,并且朝向所述基板的上表面的中心与边缘之间从第二清洗液供给部以比所述第一喷出角度大的第二喷出角度喷出呈喷雾状的清洗液,
在此,所述第一清洗液供给部的喷出方向及所述第二清洗液供给部的喷出方向都与清洗部的长度方向大致垂直,该清洗部与所述基板接触而对所述基板进行清洗,
进一步,所述第二清洗液供给部朝向所述基板与所述清洗部彼此接触的区域且向与所述基板的旋转方向相同的方向喷出清洗液。
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Citations (1)
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