CN107710383A - 带电粒子束曝光装置及器件制造方法 - Google Patents

带电粒子束曝光装置及器件制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN107710383A
CN107710383A CN201680033454.6A CN201680033454A CN107710383A CN 107710383 A CN107710383 A CN 107710383A CN 201680033454 A CN201680033454 A CN 201680033454A CN 107710383 A CN107710383 A CN 107710383A
Authority
CN
China
Prior art keywords
charged particle
particle beam
exposure apparatus
electron beam
aperture member
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201680033454.6A
Other languages
English (en)
Inventor
柴崎祐
柴崎祐一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Publication of CN107710383A publication Critical patent/CN107710383A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/3002—Details
    • H01J37/3007—Electron or ion-optical systems
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2051—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
    • G03F7/2059—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a scanning corpuscular radiation beam, e.g. an electron beam
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/20—Masks or mask blanks for imaging by charged particle beam [CPB] radiation, e.g. by electron beam; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70233—Optical aspects of catoptric systems, i.e. comprising only reflective elements, e.g. extreme ultraviolet [EUV] projection systems
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70383—Direct write, i.e. pattern is written directly without the use of a mask by one or multiple beams
    • G03F7/704—Scanned exposure beam, e.g. raster-, rotary- and vector scanning
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70775—Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/305—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating or etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
    • H01L21/76886—Modifying permanently or temporarily the pattern or the conductivity of conductive members, e.g. formation of alloys, reduction of contact resistances
    • H01L21/76892—Modifying permanently or temporarily the pattern or the conductivity of conductive members, e.g. formation of alloys, reduction of contact resistances modifying the pattern
    • H01L21/76894—Modifying permanently or temporarily the pattern or the conductivity of conductive members, e.g. formation of alloys, reduction of contact resistances modifying the pattern using a laser, e.g. laser cutting, laser direct writing, laser repair

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)

Abstract

本发明的以电子束使涂有电子束抗蚀剂的晶圆(W)曝光的电子束曝光装置(100)，具备可保持晶圆(W)移动的载台(22)、将电子束照射于晶圆(W)的电子束光学系统(32)、以及在电子束光学系统的光轴方向的晶圆(W)侧与晶圆(W)透过既定间隙对向配置且形成有来自电子束光学系统(32)的电子束通过的开口的开口构件(16)。

Description

带电粒子束曝光装置及器件制造方法
技术领域
本发明涉及带电粒子束曝光装置及器件制造方法，进一步详言之，涉及以带电粒子束使标的物曝光的带电粒子束曝光装置、及使用带电粒子束曝光装置的器件制造方法。
背景技术
使用在用以制造半导体元件等电子器件(微器件)的光刻工序中，作为曝光光束使用远紫外带到真空紫外带的紫外光的曝光装置(以下，称紫外光曝光装置)，为提高分辨率，进行了曝光波长的短波长化、照明条件的优化及进一步增大投影光学系统的孔径数的液浸法的应用等。
近年来，为了形成较紫外光曝光装置的解析限度更微细的间距的电路图案，提出了一种以电子束形成较紫外光曝光装置的解析限度小的点，将此电子束的点与晶圆加以相对扫描的电子束曝光装置(例如，参照专利文献1)。
然而，在以往的电子束曝光装置中，会因电子束的照射使得晶圆等的标的物被充电(charge up)，由于该表面带电的电荷的影响，而有电子束受到不良影响的情形。
先行技术文献
[专利文献1]美国专利第7,173,263号说明书
发明内容
本发明的第1方式提供一种带电粒子束曝光装置，以带电粒子束使标的物曝光，其具备：可保持该标的物并相对该带电粒子束移动的载台、对该标的物照射该带电粒子束的带电粒子束光学系统、以及在该带电粒子束光学系统的该带电粒子束的射出侧且配置在该带电粒子束的周围供检测该带电粒子束的带电粒子检测装置。
本发明的第2方式提供一种带电粒子束曝光装置，以带电粒子束使标的物曝光，其具备：能保持该标的物并移动的载台、对该标的物照射该带电粒子束的带电粒子束光学系统以及配置在该带电粒子束光学系统的该带电粒子束的射出侧且形成有供该带电粒子束通过的开口的开口构件。
本发明的第3方式提供一种器件制造方法，其包含:使用前述第1或第2方式的带电粒子束曝光装置使基板曝光以及使曝光后的该基板显影。
附图说明
图1是概略显示第1实施方式的电子束曝光装置100的构成的图。
图2是将图1的镜筒的下端部、计量(metrology)框架及开口构件，以部分剖开的方式与载台一起放大显示的图。
图3(A)是从斜上方观察开口构件的立体图，图3(B)是开口构件的俯视图。
图4是放大显示开口构件的图2的圆A内的部分的图。
图5是放大显示图4的圆B内的部分的图。
图6是显示反射电子检测装置的配置的图，并显示来自对准标记的反射电子的检测状态的图。
图7是显示构成电子束曝光装置的控制系统的控制装置的输出入关系的方块图。
图8是显示在求取位于开口16c的+Y侧的反射面上的校准图案的位置时，使用反射电子检测装置38y1检测反射电子RE的状态的图。
图9是用以说明第1实施方式的变形例的图。
图10是用以说明第2实施方式的电子束曝光装置的构成的图。
图11是用以说明第3实施方式的电子束曝光装置的构成的图。
具体实施方式
《第1实施方式》
以下，针对第1实施方式，根据图1～图8加以说明。图1中，概略显示了第1实施方式的电子束曝光装置100的构成。电子束曝光装置100由于具备后述的电子束光学系统，因此，以下，以和电子束光学系统的光轴平行的设定Z轴、在与Z轴垂直的平面内设定彼此正交的Y轴及X轴来进行说明。
在本实施方式中，作为带电粒子束的例子，针对使用电子束的构成进行说明。不过，带电粒子束不限于电子束，亦可以是使用离子束等带电粒子的线束。
电子束曝光装置100具备真空室10、以及收容在利用真空室10区划的曝光室12内部的曝光系统20。
曝光系统20如图1所示，具备可保持晶圆W移动的载台22以及具有对涂有电子束用抗蚀剂(感应剂)的晶圆W照射电子束的电子束光学系统32的电子束照射装置30。
载台22可利用包含线性马达等的载台驱动系统24(图1中未图示，参照图7)在未图示的基座构件上以既定行程驱动于X轴方向及Y轴方向、并被微幅驱动于Z轴方向、绕X轴的旋转方向(θx方向)、绕Y轴的旋转方向(θy方向)及绕Z轴的旋转方向(θz方向)。为尽可能地抑制因线性马达等引起的磁场变动的影响，产生对晶圆W的从电子束照射装置30射出的电子束的照射位置的移动(变位)，对线性马达施有磁屏蔽，以有效抑制或防止磁通从线性马达漏至晶圆侧。
电子束照射装置30如图1所示具有镜筒34。此镜筒34形成为圆筒状。镜筒34具有电子束射出部34a、收容后述电子枪部及电磁透镜的本体部34b以及设在电子束射出部34a与本体部34b之间的段部(凸缘部)。镜筒34被由圆环状板构件构成的计量框架40从下方支承。具体而言，镜筒34的电子束射出部34a以直径较本体部34b小的小径部形成，在该小径部插入计量框架40的圆形开口内、段部底面抵接于计量框架40上表面的状态下，镜筒34被计量框架40从下方支承。
在计量框架40的外周部，以中心角120度的间隔，分别连接有3个作为柔软构造的连结构件的悬吊支承机构50a、50b、50c(不过，悬吊支承机构50c在图1中隐藏在悬吊支承机构50a的内侧)的下端，透过此悬吊支承机构50a、50b、50c，从区划曝光室12的真空室10的顶板(顶板壁)以悬吊状态支承。亦即，采此方式，电子束照射装置30相对真空室10被以3点悬吊支承。
3个悬吊支承机构50a、50b、50c如图1中以悬吊支承机构50b代表性的所示，具有设在各个的上端的被动型防振垫52、以及各个的一端连接在防振垫(防振部)52的下端且另一端连接在计量框架40的由钢材形成的钢索54。防振垫52，固定在真空室10的顶板，分别包含空气阻尼或线圈弹簧。
在本实施方式中，从外部传递至真空室10的地面振动等的振动中，与电子束光学系统32的光轴AX平行的Z轴方向的振动成分的大部分皆被防振垫52吸收，因此，在与电子束光学系统32的光轴AX平行的方向能获得高除振性能。又，悬吊支承机构50a、50b、50c的固有振动数，与电子束光学系统32的光轴AX平行的方向相较，在与光轴AX垂直的方向较低。3个悬吊支承机构50a、50b、50c在与光轴AX垂直的方向如钟摆般振动，因此为使与光轴AX垂直的方向的除振性能(防止从外部传递至真空室10的地面振动等的振动传至电子束照射装置30的能力)充分的高而将3个悬吊支承机构50a、50b、50c的长度(钢索54的长度)设定地充分的长。利用此构造，虽能获得高除振性能并且机构部可大幅的轻量化，但电子束照射装置30与真空室10的相对位置有可能因较低的频率而变化。因此，为将电子束照射装置30与真空室10的相对位置维持于既定状态，在电子束照射装置30与真空室10之间设有非接触方式的定位装置14(图1中未图示，参照图7)。此定位装置14例如国际公开2007/077920等的揭示，可包含6轴的加速度传感器、与6轴的致动器来构成。定位装置14受控制装置60的控制(参照图7)。如此，电子束照射装置30相对真空室10的X轴方向、Y轴方向、Z轴方向的位置以及绕X轴、Y轴、Z轴的旋转角能维持固定状态(既定状态)。
电子束照射装置30如图1所示，至少一部分是设在镜筒34内，包含以产生电子的加速电源(未图示)进行加速来形成电子束EB(参照图2)的电子枪部36、以及由在镜筒34内以既定位置关系配置的用以进行电子束EB的点(spot)的成形、电子束EB对晶圆W的照射位置的调整、照射量的调整等的电磁透镜及孔径(aperture)等的各种电极等构成的电子束光学系统32等。在电磁透镜中包含具有聚焦线圈的电磁透镜(以下，为方便起见，称聚焦透镜)及具有偏向线圈的电磁透镜(以下，为方便起见，称偏向透镜)等。
图1中，代表性的显示构成电子束光学系统32的聚焦透镜32a、偏向透镜32b等。如图7所示，聚焦透镜32a透过聚焦控制部64以控制装置60加以控制，偏向透镜32b则透过电子束偏向控制部66以控制装置60加以控制。
在本实施方式中，电子束光学系统32由可个别的进行开关(on/off)、且照射可偏向的n条(n为例如500)线束的多线束光学系统构成。作为多线束光学系统，可使用与例如特开2011－258842号公报、国际公开第2007/017255号等所揭示的光学系统相同构成者。举一例而言，在使在横方向(X方向)排列成一行的500条多线束全部成on状态(电子束照射于晶圆W的状态)时，在例如10μm×20nm的曝光区域(延伸于X方向的狭缝状区域)内设定为等间隔的500点同时形成电子束的圆形点。亦即，在一个曝光区域形成500点的电子束。又，电子束的圆形点以较紫外光曝光装置的解析限度小的直径(例如直径20nm)形成。
在本实施方式中，电子束光学系统32将上述多数(n＝500)个电子束的点形成为圆形状，将此圆形点配置在曝光区域内，并以相对此曝光区域使晶圆W扫描的方式一边使载台22往既定方向、例如往Y轴方向以既定行程等速移动、且一边使该多数个电子束的圆形点偏向一边进行ON/OFF，据以使晶圆上的一个照射(shot)区域的一部分、亦即宽度10μm的带状区域曝光(扫描曝光)。并通过反复进行将该扫描曝光在+Y方向与－Y方向交互进行的交互扫描动作、与在交互扫描中为进行扫描方向变更的在Y轴方向的晶圆W(载台22)的减速及加速区间使晶圆W(载台22)往X轴方向的一侧移动与曝光区域的X轴方向尺寸相同距离的步进动作，据以在晶圆上的照射区域形成图案。
电子束照射装置30具备检测后述反射电子的反射电子检测装置。电子束照射装置30，由控制装置60加以控制(参照图7)。
控制装置60可利用控制偏向透镜32b以使电子束EB偏向进行扫描。又，透过偏向透镜32b的电子束EB的可扫描范围取决于偏向透镜32b的偏向性能。例如，电子束EB的扫描范围至少可设定为小于镜筒34的半径。
在电子束曝光装置100中，在Z轴方向在电子束照射装置30(电子束光学系统32)的－Z侧且被保持于载台22的晶圆W的+Z侧、亦即在电子束照射装置30的电子束射出侧，配置有开口构件16。开口构件16被配置成与相对电子束光学系统32的光轴交叉的面、例如与XY平面平行配置，透过多个(至少3个)支承构件42以被悬吊的状态支承于计量框架40。开口构件16，具有能在被多个支承构件42支承的状态下维持平面度程度的强度。
图2中，图1的镜筒34的下端部、计量框架40及开口构件16被以部分剖开的状态与载台22一起被放大显示。又，图3(A)及图3(B)中分别显示了从斜上方观察开口构件16的立体图及俯视图。此外，图4放大显示了开口构件16的图2的圆A内的部分，图5中则放大显示了图4的圆B内的部分。
开口构件16，如图3(A)及图3(B)所示由大致正方形的板构件构成，其中心部形成有圆锥状的凹部16a。圆锥状的凹部16a形成为从开口构件16的上表面(电子束光学系统32)侧朝下面(晶圆W)侧开口的大小渐渐变小。作为开口构件16的原材料，使用例如电介质。在本实施方式中，作为开口构件16，使用电介质且为低热膨胀率的原材料、例如零膨胀陶瓷等。
在凹部16a的中心部，如图5所示，形成有例如直径D为100μm～200μm程度的剖面圆形的挖入凹部16b，在该挖入凹部16b的底壁部中心形成有微小的矩形狭缝(或圆形)状的开口16c。开口16c仅些微的大于曝光场，尺寸为30μm程度。
在挖入凹部16b底壁的上表面设有金属反射膜18，在该反射膜18的上表面形成有反射面18a。换言之，反射面18a设在开口16c的周围。又，底壁的上表面设置成与电子束光学系统32对向。在于第1方向(图5中为Y轴方向)的开口16c两侧的反射面18a，形成有由以第1方向为周期方向的线与间隔(line&space)图案构成的校准(calibration)图案，在于第2方向(与第1方向正交的方向，图5中为X轴方向)的开口16c两侧的反射面18a，形成有由以第2方向为周期方向的线与间隔(line&space)图案构成的校准图案CP(图5等中，仅显示以Y轴方向为周期方向的Y用校准图案)。各校准图案CP，在线部与空间部，电子束的反射率是不同的。图5等中，校准图案CP，为便于说明，其厚度尺寸显示得远较实际厚。
形成有反射膜18及校准图案CP的挖入凹部16b的底壁(含反射膜18的厚度)的厚度t，越薄越佳。本实施方式中，挖入凹部16b的底壁厚度，例如设定为10μm～50μm程度。
又，本实施方式中，虽然反射面18a是与XY平面平行的平面，但不限于此，亦可以是在电子束光学系统32的光轴上具有中心的侧面视圆弧状的曲面、或与此对应的倾斜面。此外，反射面18a可以是在第1方向(Y轴方向)及第2方向(X轴方向)分离形成。
说明顺序虽有颠倒，但在镜筒34内部，如图6所示，在电子束光学系统32的偏向透镜32b的下部近旁设有多个反射电子检测装置38。换言之，多个反射电子检测装置38配置在偏向透镜32b的射出侧、且带电粒子束的周围。又，所谓带电粒子束的周围，如前所述指能以偏向透镜32b扫描电子束EB的范围。
多个反射电子检测装置38的各个由例如半导体检测器构成，将对应所检测的反射电子的检测信号送至信号处理装置62(参照图7)。信号处理装置62将多个反射电子检测装置38的检测信号以未图标的增幅器加以增幅后进行信号处理，并将该处理结果送至控制装置60(参照图7)。
多个反射电子检测装置38如图6所示，分别设置在能测量电子束EB透过开口构件16的挖入凹部16b的内部空间及开口16c照射在晶圆W上的对准标记AM时在对准标记AM产生、透过开口16c及挖入凹部16b的内部空间射入镜筒34内的反射电子的位置。形成在晶圆W的对准标记AM以包含以Y轴方向(第1方向)为周期方向的线与空间图案及以X轴方向(第2方向)为周期方向的线与空间图案的2维标记形成。图6中，虽仅显示了检测从晶圆W上的对准标记AM在YZ平面内往相对光轴倾斜的方向产生的反射电子的一对反射电子检测装置38y1、38y2，但实际上，亦设置有检测从对准标记AM在XZ平面内往相对光轴倾斜的方向产生的反射电子的一对反射电子检测装置38x1、38x2(参照图7)。本实施方式中，反射电子检测装置38x1、38x2、38y1、38y2亦用于后述光束位置的校准时。
载台22的位置信息以编码器系统28(参照图7)加以测量。编码器系统28如图2所示，形成在开口构件16下面(－Z侧的面)的凹部16a背面侧部分以外的区域，由以X轴方向及Y轴方向为周期方向的反射型2维格子构成的光栅RG、与和光栅RG对向分别设置在载台22的四角部分的4个读头26(以下，为方便起见，记载为读头261～264)构成。
作为反射型2维格子，使用在各自的周期方向，间距为例如1μm的反射型绕射格子。又，亦可使用例如美国专利申请公开第2011/0053061号说明书等所揭示的作为光栅RG，由4个读头26可个别对向的4个部分构成的光栅。
载台22的二条对角线中、位于一对角在线的二个角部近旁设有以X轴方向及Z轴方向为测量方向的读头261、263、位于另一对角在线的二个角部近旁设有以Y轴方向及Z轴方向为测量方向的读头262、264。4个读头261～264，配置在俯视下同一正方形或长方形的各顶点位置。图2中，仅显示了4个读头中的2个读头261、262。
读头261、263构成分别对光栅RG照射光束以测量载台22的X轴方向及Z轴方向的位置信息的2轴线性编码器281、283。又，读头262、264，则构成分别对光栅RG照射光束以测量载台22的Y轴方向及Z轴方向的位置信息的2轴线性编码器282、284。
读头261～264的各个可使用例如美国专利第7,561,280号说明书所揭示的与变位测量传感器读头相同构成的编码器读头。
利用上述4个2轴线性编码器281～284、亦即利用分别使用光栅RG测量载台22的位置信息的4个读头261～264，构成编码器系统28。以编码器系统28测量的位置信息被供应至控制装置60(参照图7)。
编码器系统28在载台22位于进行对晶圆W的曝光及对准的区域时，由于4个读头261～264中至少3个恒对向于光栅RG，因此，控制装置60可根据以编码器系统28测量的信息，在6自由度方向(X轴、Y轴、Z轴、θx、θy及θz的各方向)测量载台22(晶圆W)的位置。
图7中，以方块图显示了构成电子束曝光装置100的控制系统的控制装置60的输出入关系。控制装置60包含微电脑等，统筹控制包含图7所示各部的电子束曝光装置100的构成各部。
在以上述方式构成的电子束曝光装置100中，控制装置60依据既定图案数据及预先决定的各描绘参数，控制从电子束光学系统32射出的电子束EB及载台22，进行对晶圆W的曝光(图案描绘)。
又，在半导体元件等的微器件完成之前，须将多层的图案于晶圆上重迭形成，底层图案与待描绘的图案的重迭是非常重要的。
因此，本实施方式中，在对晶圆的图案描绘(晶圆的曝光)前，在控制装置60中，利用透过电子束偏向控制部66控制偏向透镜32b，据以对预先形成在晶圆上的2个以上的对准标记AM(参照图6)依序扫描电子束EB，将此时从对准标记AM产生的反射电子以反射电子检测装置38加以检测。在对对准标记AM的扫描时，电子束EB的加速电压设定成与曝光时(图案描绘时)相同的加速电压。
图6中，显示了例如，因沿着与光轴平行的光路(图中的实线光路)对对准标记AM照射电子束EB而从对准标记AM朝向反射电子检测装置38y1、38y2的反射电子RE。控制装置60，根据从电子束偏向控制部66所得的电子束的偏向信息(包含偏向角度、偏向方向等信息)与从信号处理装置62所得的标记的检测信号的处理结果，特定对准标记AM的位置，并根据该位置与从检测时的编码器系统28所得的载台坐标信息，求出对准标记AM在载台坐标系上的位置。可根据以此方式求出的2个以上的对准标记在载台坐标系上的位置，求出用以将晶圆上的照射区域置于曝光位置(在电子束的基准状态下的照射位置、亦即电子束EB沿光轴AX上的图6中实线的光路照射时的电子束EB在晶圆W上的照射位置)的目标位置信息。接着，控制装置60于晶圆的曝光时(对晶圆的图案描绘时)，根据该取得的目标位置信息，一边使晶圆(载台22)移动、一边描绘图案。采此方式以对准标记AM为基准，即能恒将图案描绘于所欲的位置，对已形成在晶圆W的图案良好的重迭新描绘的图案。
然而，在电子束曝光装置100的使用中，例如，因收容电子束光学系统32的镜筒34的热膨胀等，导致电子束EB的位置从基准状态、例如当电子束EB的光路从与电子束光学系统32的光轴AX一致的状态偏移(drift)时，即使如上述般以对准标记AM为基准进行使用电子束EB对晶圆的曝光(图案描绘)，亦将因该偏移而使得无法将图案描绘于所欲的位置。此外，电子束EB的焦点偏移亦为曝光不良的原因。
因此，在本实施方式，控制装置60在曝光开始前的对准测量时，在对准标记AM的标记位置信息的测量前，先进行用以校准电子束EB的偏移(位置及焦点)的初期设定。
控制装置60将晶圆W的Z轴方向的位置设定在与曝光时的同一位置，一边透过聚焦控制部64使前述聚焦透镜32a所具有的聚焦线圈的电流变化以使焦点位置变化、一边扫描对准标记AM，从检测反射电子RE的反射电子检测装置38(38x1、38x2、38y1、38y2中的既定的1个)的检测信号的变化，将变化最尖锐时作为最佳焦点位置加以求出，将对应该最佳焦点位置的电流，之后供应至聚焦线圈。
其次，控制装置60对反射面18a上的4个校准图案CP使电子束EB偏向进行扫描，并使用反射电子检测装置38x1、38x2、38y1、38y2检测来自各个校准图案CP的反射电子，根据从电子束偏向控制部66所得的电子束EB的偏向信息与从信号处理装置62所得的校准图案CP的检测信号处理结果的信息，求出以电子束EB在基准状态的位置为基准的校准图案CP的位置(以下，称校准图案CP的位置信息)、亦即使电子束EB从基准状态往X方向及Y方向分别偏向几度或往哪一个方向偏向的话，电子束EB即能照射到各个校准图案CP的中心位置的信息。图8中，作为一例，显示了在求出位于开口16c的+Y侧的反射面上的校准图案CP的位置信息时，使用反射电子检测装置38y1检测反射电子RE的状态。此处，从上述校准图案CP的位置信息的定义明确可知，之后在校准图案的位置信息从在此初期设定时的位置信息产生变化的情形时，即代表电子束的位置反映该变化量产生了偏移。偏移中，包含偏向角度的偏移、偏向方向的偏移、相对光轴AX的偏移等。又，控制装置60具有作为检测偏移的检测装置的功能。
此时，控制装置60将检测出来自校准图案CP的反射电子的一既定反射电子检测器、例如反射电子检测装置38y1的检测信号的变化状态储存于内部内存。这是为了之后，以此检测信号的变化状态为基准，检测电子束EB的焦点的偏移。当然，亦可将所有反射电子检测装置的检测信号的变化状态储存于内部内存。
据此，为进行电子束EB的偏移(位置及聚焦)的校准的初期设定即结束。
之后，进行前述对准标记AM的标记位置信息的测量(对准测量)。
接着，控制装置60根据此对准测量的结果，如前所述的，求出用以使晶圆上的照射区域位于曝光位置的目标位置信息，在晶圆的曝光时(对晶圆的图案描绘时)根据该取得的目标位置信息，一边移动晶圆(载台22)一边进行图案描绘。如前所述，通过反复进行将晶圆的扫描曝光在以+Y方向与－Y方向交互的为扫描方向进行的交互扫描动作、与在+Y方向的扫描(正(+)扫描)和－Y方向的扫描(负(－)扫描)之间晶圆在Y轴方向的减速及加速中将晶圆在X轴方向的一侧移动曝光区域的X轴方向宽度份的动作(步进动作)，来进行此晶圆的曝光(图案描绘)。
又，由于电子束曝光装置100的曝光区域的非扫描方向(X轴方向)的尺寸，例如为50μm程度，因此为了使一片晶圆或一个曝光区域曝光，必须使交互扫描动作重复多次，所需时间远多于紫外线曝光装置等。因此，在一片晶圆的曝光中，亦须进行电子束EB的偏移(位置、聚焦)的校准。
为此，在电子束曝光装置100中，由控制装置60在每一次进行前述步进动作时，在该步进动作中，与前述为进行校准的初期设定时同样的，对反射面18a上的4个校准图案CP使电子束EB偏向进行扫描，使用反射电子检测装置38x1、38x2、38y1、38y2检测分别产生的反射电子RE。接着，控制装置60根据从电子束偏向控制部66所得的电子束的偏向信息与从信号处理部所得的校准图案CP的检测信号处理结果的信息，求出校准图案CP的位置信息，将该信息储存于内存。
控制装置60，根据N次(N为自然数，例如10次)份的校准图案CP的位置信息，依据预先决定的顺序算出校准图案CP的位置。例如，将10次中、除去与初期设定时相较的变化为最大与最小位置的其余位置信息的平均、与初期设定时相较的变化为最大的位置信息、或10次份的平均，求出作为校准图案CP的位置。接着，控制装置通过比较该算出的位置与在上述初期设定时的校准图案CP的位置信息，据以求出电子束EB的位置的偏移量。又，控制装置60，亦可取代10次份的平均，求出较10次少的次数的移动平均。
接着，控制装置60在每次求取电子束EB的位置的偏移量时，校准该偏移、或仅在偏移量车过阈值的情形时，校准该偏移。
又，控制装置60，以每N次后进行1次的比例，取得来自既定校准图案CP的反射电子RE的检测信号的变化状态，并将取得的变化状态与初期设定时储存在内存的对应的检测信号的变化状态加以比较，以检测电子束的焦点的偏移量。控制装置60，在每一次求取电子束EB的焦点的偏移量时调整供应至聚焦线圈的电流以校准该偏移、或仅在偏移量超过阈值的情形时校准该偏移。
如以上的说明，根据本实施方式的电子束曝光装置100，由于具备在电子束光学系统32的光轴AX方向(Z轴方向)的晶圆W侧透过既定间隙与晶圆W对向配置、形成有来自电子束光学系统32的电子束EB通过的开口16c的板状开口构件16，因此与不具备开口构件16的情形相较，能抑制因电子束EB的照射于晶圆W带电的电荷对电子束EB的照射位置造成的不良影响。此外，特别是本实施方式中，开口构件16由电介质(零膨胀陶瓷)形成，因此能有效的抑制因电子束EB的照射于晶圆W带电的电荷对电子束EB的照射位置造成的不良影响。
又，由图6可知，在将来自晶圆W上的对准标记AM的反射电子以反射电子检测装置38加以检测时，由于仅检测可通过开口构件16的开口16c的取出角度高的反射电子RE，而不检测低能量的反射电子、或散射至曝光室12内的载台22近旁的反射电子，因此，就结果而言，于反射电子的检测时能提升S/N比。
又，在本实施方式的电子束曝光装置100中，对形成在开口构件16的挖入凹部的内部底面形成的反射面18a上的校准图案CP使电子束EB偏向进行扫描，并以反射电子检测装置38检测在校准图案CP产生的反射电子RE，据以检测电子束EB的位置的偏移。因此，可在不使用晶圆上的对准标记等的情形下，检测电子束EB的位置的偏移。此外，于电子束曝光装置100，控制装置60在晶圆的曝光动作中的正扫描与负扫描之间的步进动作中(在扫描方向的减速及加速期间中)检测电子束EB的位置的偏移。因此，能在不降低生产率的情形下，检测电子束EB的位置的偏移，并进行该偏移的校准。
又，在电子束曝光装置100中，能与电子束EB的位置偏移的检测一并根据为进行电子束EB的位置偏移的检测而取得的来自校准图案的反射电子的检测信号的变化，检测电子束的焦点的偏移量，并视需要进行电子束EB的焦点偏移的校准。
又，在本实施方式中，虽针对在为进行电子束EB的偏移(位置及焦点)的校准的初期设定时，以电子束扫描形成在晶圆W上的对准标记的情形做了说明，但不限于此，亦可以是以电子束扫描设在载台22上的基准标记。此场合，不会有受到涂布在晶圆W上的电子束抗蚀剂的影响、及对准标记的形状不良的影响等的顾虑。在此场合，需要用以测量对准标记与基准标记的位置关系的测量装置、例如显微镜等。
《变形例》
其次，说明第1实施方式的电子束曝光装置的变形例。本变形例的电子束曝光装置，如图9所示，在开口构件16的反射面18a上没有形成校准图案的点与前述第1实施方式不同，除此之外的部分的构成与前述第1实施方式相同。
在本变形例的电子束曝光装置中，如图9所示，控制装置60透过电子束偏向控制部66使电子束EB在包含与开口的交界部分(反射面18a的边缘)的范围对反射面18a进行扫描。据此，控制装置60，与前述校准图案CP的位置信息的检测同样的，使用反射电子检测装置38x1、38x2、38y1、38y2检测来自反射面18a的反射电子，根据从电子束偏向控制部66所得的电子束EB的偏向信息与从信号处理装置62所得的反射面18a的检测信号的处理结果信息，即能检测以电子束EB的位置为基准的反射面18a的边缘的位置。
因此，在本变形例中，通过与上述实施方式中的校准图案CP的位置相同操作检测反射面18a的边缘的位置，即能以和上述实施方式相同的手法进行电子束EB的位置偏移的检测及其校准。本变形例，在初期设定及步进动作中的任一者中，皆能如图9所示，利用控制装置60透过电子束偏向控制部66使电子束EB在包含反射面18a边缘的范围对反射面18a进行扫描。
此外，由于可通过对反射面18a扫描电子束EB，获得来自包含边缘的反射面18a的反射电子的检测信号，因此可根据此检测信号的变化检测电子束的焦点的偏移量，并视需要进行电子束EB的焦点偏移的校准。
又，在上述第1实施方式及变形例中，虽在开口构件16的挖入凹部16b的底壁上表面形成有反射面18a，但亦可不形成反射面，而是在凹部16b的底壁上表面形成对电子束EB的反射率与该上表面相异的反射图案。此场合，以和上述实施方式的校准图案同样的操作该反射图案，即能发挥与上述实施方式相同的作用效果。
又，上述实施方式中，开口构件16虽被支承在支承内部具有电子束光学系统32的镜筒34(电子束照射装置30)的计量框架40，但有可能因热的影响或其他影响，使开口构件16与计量框架40的位置关系产生变化。因此，可例如图7中以点线(虚线)的方块所示，进一步设置测量计量框架40与开口构件16的相对位置的测量装置90，根据此测量装置的测量信息，由控制装置60修正电子束EB的位置。
又，在上述实施方式中，虽针对开口构件16被支承于支承内部具有电子束光学系统32的镜筒34(电子束照射装置30)的计量框架40的情形做了说明，但不限于此，开口构件16亦可利用伺服控制，来将与电子束光学系统32(镜筒34)的位置关系维持为固定。此场合，可设置上述测量装置90，由控制装置60或其他控制器控制未图示的致动器，据以相对计量框架40驱动开口构件16，以将被支承于计量框架40的电子束光学系统32(镜筒34)与开口构件16的位置关系维持为固定。
又，上述实施方式，虽以在开口构件16的下面(－Z侧的面)形成有光栅RG、与此对向在载台22的上表面四角设有4个读头26的编码器系统28，测量载台22的位置信息的情形为例做了说明，但不限于此，亦可以在载台22设置格子部(光栅)，并以能与此格子部对向的方式在载台22外部设有读头的编码器系统，测量载台22的位置信息。
又，测量载台22的位置信息的位置测量装置不限于编码器系统，亦可使用激光干涉仪系统等。
《第2实施方式》
其次，依据图10说明第2实施方式。此处，针对与前述第1实施方式的电子束曝光装置100相同或同等的构成部分，使用相同符号并简化或省略其说明。
图10中，放大显示了本第2实施方式的曝光装置所具备的镜筒34的下端部、计量框架40及开口构件16A以及载台22。本第2实施方式的电子束曝光装置，取代前述开口构件16而设有开口构件16A、并取代编码器系统28而设有激光干涉仪系统128，利用激光干涉仪系统128测量保持晶圆W的载台22在XY平面内的3自由度或6自由度方向的位置信息。其他部分的构成，则与前述第1实施方式的电子束曝光装置100相同。
开口构件16A基本上与前述开口构件16同样构成，但具有如下的不同点。亦即，在开口构件16A，在与晶圆W对向的面(下面、－Z侧的面)未形成有光栅RG、并有例如以红外线传感器构成的多个温度传感器70在XY二维方向配置成数组状。多个温度传感器，以其下面与开口构件16A的下面位于几乎同一面的状态，埋在开口构件16A中。
并且，由控制装置60在晶圆W的曝光动作中，根据以多个温度传感器70测量的温度信息，控制电子束EB对晶圆W的照射位置。
依据本第2实施方式的电子束曝光装置，除能获得与前述第1实施方式同等的效果外，控制装置60能在不中断曝光动作的情形下，根据以多个温度传感器测量的晶圆W的温度信息控制电子束EB对晶圆W的照射位置，因此能缩小因电子束EB的照射，在晶圆产生非线性的热膨胀的情形时因该晶圆的非线性热膨胀引起的图案的描绘误差。
《第3实施方式》
其次，依据图11说明第3实施方式。此处，针对与前述第1、第2实施方式的电子束曝光装置相同或同等的构成部分，使用相同符号并简化或省略其说明。
图11中，与图10同样地放大显示了本第3实施方式的电子束曝光装置所具备的镜筒34的下端部、计量框架40及开口构件16B以及载台22。在本第3实施方式的电子束曝光装置中，取代前述开口构件16A而设置开口构件16B，且开口构件16B透过能将该开口构件16B驱动于与光轴AX平行的方向(Z轴方向)的多个驱动装置80被悬吊支承于计量框架40，此点与前述第2实施方式的电子束曝光装置相异。其他部分的构成，则与前述第2实施方式的电子束曝光装置相同。
开口构件16B与开口构件16A同样的构成，并同样的具有多个温度传感器70，除此之外，采用了能冷却开口构件16B本身的构成。例如，可采用在开口构件16B的内部形成液体流路，在此液体流路内流以冷却液以冷却开口构件16B本身的构成等。例如，亦可采用将冷却液以配置在真空室外部的冷却器加以冷却，使该冷却后的冷却液透过配管流至液体流路内，并使流过液体流路内的冷却液透过配管流回到冷却器的循环系统。
真空室的内部由于不存在空气，因此虽不会产生透过空气的热传导(传导、对流)，但可利用开口构件16B，以辐射(放射)方式来冷却与该开口构件16B对向的晶圆W。又，因辐射而承受的受热量，与热源的距离平方成反比。本第3实施方式，晶圆的温度上升率与开口构件16B与晶圆W的距离平方成反比。
因此，在本第3实施方式中，依据上述辐射带来的热传导的性质，由控制装置60根据温度传感器70的检测结果，控制驱动装置80使开口构件16B对晶圆W接近至所欲距离，以将晶圆W冷却至既定温度。此晶圆W的冷却，可由控制装置60在例如晶圆的曝光动作中的每相隔既定次数的步进动作中(在扫描方向的减速及加速期间中)实施。不过，此场合，当实施与前述第1实施方式的电子束曝光装置100相同的电子束EB的偏移检测及校准时，在进行晶圆W的冷却的步进动作时，开口构件16B的Z位置会与初期设定时产生变化，因此即使进行前述来自校准图案CP的反射电子的检测，亦无法将该反射电子的检测结果用于电子束EB的偏移的检测。因此，必须在进行晶圆W的冷却的步进动作时，不进行用来检测电子束EB的偏移的处理，而在不进行晶圆W的冷却的步进动作时，亦即可将开口构件16B的Z位置设定在初期设定时的位置的步进动作时，进行用来检测电子束EB的偏移的处理。
又，上述第3实施方式中，由于因电子束EB的照射造成的晶圆W的温度上升可预先以模拟等方式求出，因此根据此模拟结果，为进行晶圆W的冷却，而在前述步进动作中控制驱动装置80亦是可能的。此场合，不一定需要设置温度传感器。由上述的说明可知，在本第3实施方式中，温度传感器可以是设置1个或多个。
又，在本第3实施方式中不设置温度传感器的情形时，可取代开口构件16B使用前述开口构件16，并取代激光干涉仪系统128采用编码器系统28。
又，上述第2及第3实施方式中，虽使用在挖入凹部16b的内部低壁的上表面设置反射面18a及校准图案CP的开口构件16A、16B，但不限于此，亦可使用在挖入凹部16b的内部低壁的上表面仅具有反射面及校准图案中的一方或两者皆无、仅形成有开口16c的开口构件。亦即，可使用在电子束光学系统32的大致光轴上形成有开口16c、在与晶圆W对向的面具有温度传感器70的开口构件。
此外，上述各实施方式中，可取代开口构件16、16A、16B，将包含凹部16a的中心部、与其余部分分别以不同构件来构成。此场合，例如可将中心部，以上表面的中央形成有前述凹部16a、反射面18a及校准图案CP中的至少一方的挖入凹部16b、以及具有与开口16c相同部分的圆盘状构件来构成。
又，上述各实施方式中，由于开口构件16、16A、16B为进行电子束EB的偏移的校准而使用，因此亦可将此开口构件称为校准构件。此外，由于在开口构件16、16A、16B形成有反射面18a，因此亦可将此等开口构件称为反射构件。再者，由于在开口构件16、16A、16B形成有校准图案CP，因此亦可将此等开口构件称为图案构件。
又，上述各实施方式，虽针对对形成在开口构件16的校准图案CP使电子束EB偏向进行扫描，并以反射电子检测装置38检测在校准图案CP产生的反射电子RE，据以检测电子束EB的位置等的偏移的情形做了说明，但检测电子束EB的位置等的偏移的构成，不限于上述构成。例如，可取代反射电子检测装置38，而使用直接检测电子束EB的带电粒子检测器。此场合，在前述开口构件16中、形成有校准图案CP的位置，取代校准图案CP配置带电粒子检测器即可。
此处，作为带电粒子检测器，可使用例如将电子转换为光的闪烁器(scintillator)部、与将闪烁器部发出的光转换为电气信号的光电转换元件的组合排列多个所构成的第1带电粒子检测器。又，亦可在闪烁器部与光电转换元件之间，设置将闪烁器部发出的光导至光电转换元件的光导。
在第1带电粒子检测器中，闪烁器部具备设置在开口构件16的开口16c周围、以第1方向或第2方向为周期方向排列的多个闪烁器，多个闪烁器的各个连接于光电转换元件。作为光电转换元件，可使用例如光电二极管或光电倍增管等。
再者，作为直接检测电子束EB的另一检测器(第2带电粒子检测器)，可使用具有将硅(Si)薄膜与光电二极管重迭成层状的双层构造的检测器。在Si薄膜，可形成多条以第1方向或第2方向为周期方向的狭缝，与Si薄膜的各狭缝对向设置光电二极管，以检测通过各狭缝的电子束EB。
又，对晶圆W等的标的物照射电子束EB，有可能产生于开口构件16电荷带电的现象。亦即，有来自抗蚀剂等的有机物附着于开口构件16，电荷蓄积在此有机物的情形。当电荷蓄积于开口构件16时，因蓄积的电荷产生的电场影响，照射于晶圆W的电子束EB的位置会产生变动。因此，为防止电荷蓄积于开口构件16，可采用于开口构件16的表面施以导电性涂层，将此涂层与接地线加以连接的构成。导电性的涂层，实施在开口构件16的与晶圆W对向的面(下面)、或与电子束光学系统32对向的面(上表面)。涂层与接地线，为避免对电子束EB的影响，以在离开开口16c的处连接较佳。利用此构成，即使有机物附着于开口构件16，电荷亦不会蓄积于有机物，而会通过涂层流至接地线，因此能减低对电子束EB的影响。
又，亦可取代将导电性涂层设在开口构件16的表面，而将开口构件16做成能在与电子束光学系统32的光轴正交的方向分离成第1部分与第2部分，在将导电性物质夹持在第1部分与第2部分之间的状态下，将第1部分与第2部分加以连结，即能将导电性物质层内建在开口构件16。并通过将导电性物质层连接于接地线，即使电荷附着在开口构件16表面的有机物，亦会通过导电性物质层流至接地线，因此电荷不会蓄积在开口构件16。
为防止电荷蓄积于开口构件16，亦可采用清洁附着在开口构件16的有机物的构成。通过将与附着在开口构件16的有机物反应的臭氧等气体喷吹于开口构件16使臭氧与有机物产生反应，即能清洁开口构件16。例如，将具有在使载台22从开口构件16下方移动(退避)后对开口构件16表面喷吹气体的供气口、与回收喷吹后气体的回收口的清洁装置配置在开口构件16下方即可。
又，为抑制(防止)电子束光学系统32的外部磁场透过开口构件16影响电子束EB，在开口构件16采用可抑制外部磁场的影响的构成较佳。例如，可采用将开口构件16的外周以高导磁合金(permalloy)等的高透磁率材料加以围绕，以做成磁屏蔽的构成。此构成，由于屏蔽材料是透磁率较开口构件16高的材料，因此来自外部的磁气绝大部分皆会通过屏蔽内而绕过开口构件16。从而，开口构件16成遮蔽外部磁场的状态，能防止外部磁场对电子束EB的影响。
上述各实施方式中，虽针对使用单行式(single column type)电子束光学系统32的情形做了例示，但不限于此，亦可使用具有多个由前述多线束光学系统构成的光学系统行的多行式电子束光学系统。又，在开口构件16、16A、16B各个的上表面，将前述凹部16a、挖入凹部16b及开口16c以和多个光学系统行(column)对应的配置形成即可。此外，作为电子束照射装置，可使用使电子束通过若干层被称为成形孔径(aperture)的矩形孔，以将电子束形状改变成矩形的使用可变成形光束(矩形光束)方式的电子束照射装置。
又，上述各实施方式，虽针对在真空室10内部收容曝光系统20整体的情形做了说明，但不限于此，以可使曝光系统20中、除电子束照射装置30的镜筒34的下端部以外的部分，露出至真空室10的外部。
又，上述各实施方式中，电子束照射装置30与计量框架40一体，透过3个悬吊支承机构50a、50b、50c从真空室的顶板(顶板壁)悬吊支承，但不限于此，电子束照射装置30亦可以是被地面放置式的机体支承。此外，亦可采用电子束照射装置30可相对载台22移动的构成。
又，上述各实施方式虽针对标的物是半导体元件制造用的晶圆的情形做了说明，但各实施方式的电子束曝光装置，亦非常适合应用于在玻璃基板上形成微细图案以制造光罩。此外，在上述各实施方式中，虽针对作为带电粒子线使用电子束的电子束曝光装置做了说明，但上述实施方式亦能应用于作为曝光用的带电粒子线使用离子束等的曝光装置。
半导体元件等的电子器件(微器件)经由进行器件功能与性能设计的步骤、从硅材料制作晶圆的步骤、使用前述实施方式或变形例的电子束曝光装置及其曝光方法进行对晶圆的曝光(依据设计图案数据的图案描绘)的光刻步骤、使曝光后晶圆显影的显影步骤、将残存有抗蚀剂的部分以外的部分的露出构件透过蚀刻加以去除的蚀刻步骤、将蚀刻完成后不需的抗蚀剂去除的抗蚀剂除去步骤、器件组装步骤(含切割、结合、封装等工序)、以及检查步骤等加以制造。此场合，由于在光刻步骤中使用上述实施方式的曝光装置实施前述曝光方法，在晶圆上形成器件图案，因此能以良好称产性制造高积体度的微器件。
又，援用与上述实施方式所引用的曝光装置等相关的所有公报、国际公开、美国专利申请公开说明书及美国专利说明书的揭示作为本说明书记载的一部分。
产业上可利用性
如以上的说明，本发明的带电粒子束曝光装置，适合在半导体元件等电子器件的制造中的光刻工序的使用。又，本发明的器件制造方法适合微器件的制造。
(符号说明)
16 开口构件
16c 开口
18a 反射面
22 载台
26 读头
32 电子束光学系统
38 反射电子检测装置
40 计量框架
60 控制装置
70 温度传感器
80 驱动装置
90 测量装置
100 电子束曝光装置
AX 光轴
EB 电子束
CP 校准图案
RG 光栅
W 晶圆

Claims (40)

1.一种带电粒子束曝光装置，以带电粒子束使标的物曝光，所述带电粒子束曝光装置具备：
载台，能够保持所述标的物并相对所述带电粒子束移动；
带电粒子束光学系统，对所述标的物照射所述带电粒子束；以及
带电粒子检测装置，在所述带电粒子束光学系统的所述带电粒子束的射出侧、且配置在所述带电粒子束的周围，供检测所述带电粒子束。
2.如权利要求1所述的带电粒子束曝光装置，其中，所述带电粒子检测装置包含反射所述带电粒子束的反射构件和检测被所述反射构件反射的带电粒子束的反射型带电粒子检测装置。
3.如权利要求2所述的带电粒子束曝光装置，其中，所述反射构件具有反射所述带电粒子束的反射图案。
4.如权利要求2或3所述的带电粒子束曝光装置，其中，所述反射构件是相对所述带电粒子束光学系统的光轴配置在与该光轴交叉的方向分离的位置。
5.如权利要求4所述的带电粒子束曝光装置，具有控制所述带电粒子束光学系统并朝向所述反射构件使所述带电粒子束偏向的控制装置。
6.如权利要求5所述的带电粒子束曝光装置，其中，所述反射型带电粒子检测装置配置在所述带电粒子束光学系统和所述反射构件之间。
7.如权利要求5或6所述的带电粒子束曝光装置，其中，所述控制装置实施使保持所述标的物的所述载台与所述带电粒子束光学系统往第1方向相对移动来以所述带电粒子束使所述标的物曝光的扫描动作、以及使所述载台与所述带电粒子束光学系统往与所述第1方向交叉的方向移动以变更所述标的物的曝光位置的步进动作，并在所述步进动作中朝向所述反射构件使所述带电粒子束偏向。
8.如权利要求2至7中任一项所述的带电粒子束曝光装置，具有配置在所述带电粒子束光学系统的所述带电粒子束的射出侧与所述标的物之间、形成有供所述带电粒子束通过的开口的开口构件，
所述反射构件设于所述开口构件。
9.如权利要求8所述的带电粒子束曝光装置，其中，所述开口构件的至少一部分由电介质构成。
10.如权利要求8或9所述的带电粒子束曝光装置，其中，所述开口构件与所述带电粒子束光学系统的位置关系被维持为固定。
11.如权利要求8至10中任一项所述的带电粒子束曝光装置，其中，所述开口构件被支承在支承所述带电粒子束光学系统的框架。
12.如权利要求8至11中任一项所述的带电粒子束曝光装置，进一步具备测量所述框架与所述开口构件的相对位置的测量装置。
13.如权利要求8至12中任一项所述的带电粒子束曝光装置，进一步具备调整所述开口构件与所述带电粒子束光学系统的位置关系的调整装置。
14.如权利要求1至13中任一项所述的带电粒子束曝光装置，具备根据所述带电粒子检测装置的检测结果检测所述带电粒子束的偏移的检测装置。
15.如权利要求14所述的带电粒子束曝光装置，其中，所述带电粒子束光学系统在修正了所述检测装置检测出的所述偏移后，对所述标的物照射所述带电粒子束。
16.如权利要求14或15所述的带电粒子束曝光装置，其中，所述控制装置根据在连续多次的步进动作中所得的所述带电粒子检测装置的检测结果，求出所述带电粒子束的偏移。
17.如权利要求16所述的带电粒子束曝光装置，其中，所述控制装置根据在连续多次的步进动作中所得的所述带电粒子检测装置的检测结果所得的作为束位置基准的值的平均或移动平均，求出所述带电粒子束的偏移。
18.如权利要求14至17中任一项所述的带电粒子束曝光装置，其中，所述控制装置求出所述带电粒子束的位置或焦点中的至少一方的偏移。
19.一种带电粒子束曝光装置，以带电粒子束使标的物曝光，所述带电粒子束曝光装置具备：
载台，能够保持所述标的物并相对所述带电粒子束移动；
带电粒子束光学系统，对所述标的物照射所述带电粒子束；以及
开口构件，配置在所述带电粒子束光学系统的所述带电粒子束的射出侧，形成有供所述带电粒子束通过的开口。
20.如权利要求19所述的带电粒子束曝光装置，其中，所述开口构件的至少一部分由电介质构成。
21.如权利要求19或20所述的带电粒子束曝光装置，其中，所述开口构件与所述带电粒子束光学系统的位置关系被维持为固定。
22.如权利要求19至21中任一项的带电粒子束曝光装置，其中，所述开口构件被支承于支承所述带电粒子束光学系统的框架。
23.如权利要求22所述的带电粒子束曝光装置，其中，在所述开口构件设有测量所述载台的位置信息的位置测量装置的一部分。
24.如权利要求23所述的带电粒子束曝光装置，其中，所述位置测量装置是编码器系统，该编码器系统具有设在所述载台和所述开口构件中的一方的格子部、以及在所述载台和所述开口构件中的另一方设置成能与所述格子部对向并对所述格子部照射光束且接收来自所述格子部的返回光束的读头部。
25.如权利要求22至24中任一项所述的带电粒子束曝光装置，进一步具备测量所述框架与所述开口构件的相对位置的测量装置。
26.如权利要求19至25中任一项所述的带电粒子束曝光装置，进一步具备调整所述开口构件与所述带电粒子束光学系统的位置关系的调整装置。
27.如权利要求19至26中任一项所述的带电粒子束曝光装置，进一步具备配置在来自所述标的物的反射带电粒子能够透过所述开口构件的所述开口射入的位置的反射带电粒子检测装置。
28.如权利要求27所述的带电粒子束曝光装置，其中，在所述开口构件的与所述标的物相反侧的面，在所述开口周围的至少一部分设有反射被偏向的所述带电粒子束的反射面。
29.如权利要求28所述的带电粒子束曝光装置，其中，所述反射面包含区划所述开口的边缘部，
所述带电粒子束曝光装置进一步具备检测装置，所述检测装置根据以所述带电粒子束扫描所述反射面、并将在所述反射面产生的反射带电粒子使用所述反射带电粒子检测装置加以检测的结果，检测所述带电粒子束的偏移。
30.如权利要求27所述的带电粒子束曝光装置，其中，在所述开口构件的与所述标的物相反侧的面，在所述开口周围的至少一部分设有反射被偏向的所述带电粒子束的反射图案。
31.如权利要求30所述的带电粒子束曝光装置，进一步具备检测装置，该检测装置根据以所述带电粒子束扫描所述反射图案、并将在所述反射面产生的反射带电粒子使用所述反射带电粒子检测装置加以检测的结果，检测所述带电粒子束的偏移。
32.如权利要求29或31所述的带电粒子束曝光装置，其中，实施使保持所述标的物的所述载台与所述带电粒子束光学系统往第1方向相对移动来以所述带电粒子束使所述标的物曝光的扫描动作、以及使所述载台与所述带电粒子束光学系统往与所述第1方向交叉的方向移动以变更所述标的物的曝光位置的步进动作，并在所述步进动作中实施所述带电粒子束的偏移的检测。
33.如权利要求32所述的带电粒子束曝光装置，其中，根据在连续多次的步进动作中所得的所述反射带电粒子的检测结果，求出所述带电粒子束的偏移。
34.如权利要求32所述的带电粒子束曝光装置，其中，根据在连续多次的步进动作中所得的所述反射带电粒子的检测结果所得的作为束位置基准的值的平均或移动平均，求出所述带电粒子束的偏移。
35.如权利要求29至34中任一项所述的带电粒子束曝光装置，其中，求出所述带电粒子束的位置或焦点的至少一方的偏移。
36.如权利要求19至35中任一项所述的带电粒子束曝光装置，进一步具备配置在所述开口构件的与所述标的物对向的面、能够测量所述标的物的面内相异位置的温度的多个温度传感器。
37.如权利要求36所述的带电粒子束曝光装置，进一步具备根据以所述多个温度传感器测量的温度信息，控制所述带电粒子束对所述标的物的照射位置的控制装置。
38.如权利要求19或20所述的带电粒子束曝光装置，其中，所述开口构件兼作为能够通过辐射冷却所述标的物的冷却构件，
所述带电粒子束曝光装置进一步具备：
驱动装置，能够在与所述带电粒子束光学系统的光轴平行的方向驱动所述开口构件；以及
控制装置，控制所述驱动装置。
39.如权利要求38所述的带电粒子束曝光装置，进一步具备能够测量所述标的物的温度的温度传感器，
所述控制装置根据所述温度传感器的检测结果控制所述驱动装置。
40.一种器件制造方法，包含：
使用权利要求1至39中任一项所述的带电粒子束曝光装置使基板曝光；以及
使曝光后的所述基板显影。
CN201680033454.6A 2015-06-08 2016-06-07 带电粒子束曝光装置及器件制造方法 Pending CN107710383A (zh)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015116161 2015-06-08
JP2015-116160 2015-06-08
JP2015-116161 2015-06-08
JP2015116160 2015-06-08
PCT/JP2016/066825 WO2016199738A1 (ja) 2015-06-08 2016-06-07 荷電粒子ビーム露光装置及びデバイス製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN107710383A true CN107710383A (zh) 2018-02-16

Family

ID=57504503

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201680033454.6A Pending CN107710383A (zh) 2015-06-08 2016-06-07 带电粒子束曝光装置及器件制造方法

Country Status (8)

Country Link
US (1) US10593514B2 (zh)
EP (1) EP3306646A4 (zh)
JP (1) JP6973072B2 (zh)
KR (1) KR20180016423A (zh)
CN (1) CN107710383A (zh)
HK (1) HK1243824A1 (zh)
TW (1) TWI712864B (zh)
WO (1) WO2016199738A1 (zh)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61294745A (ja) * 1985-06-24 1986-12-25 Toshiba Corp 荷電ビ−ムの軸合わせ方法
JP2004152505A (ja) * 2002-10-28 2004-05-27 Advantest Corp 電子ビーム照射装置、電子ビーム露光装置、及び不良検出方法
CN101496129A (zh) * 2006-07-25 2009-07-29 迈普尔平版印刷Ip有限公司 多光束带电粒子光学系统
WO2011074649A1 (ja) * 2009-12-18 2011-06-23 株式会社ニコン 基板処理装置のメンテナンス方法および安全装置
CN103348437A (zh) * 2011-01-25 2013-10-09 株式会社日立高新技术 带电粒子束装置

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2236529C3 (de) 1972-07-21 1976-01-02 Max-Planck-Gesellschaft Zur Foerderung Der Wissenschaften E.V., 3400 Goettingen Drehvorrichtung hoher Genauigkeit für optische Geräte, insbesondere Elektronenmikroskope
JPS6133640Y2 (zh) * 1979-09-11 1986-10-01
JPS5746856A (en) * 1980-07-28 1982-03-17 Kasai Kogyo Co Ltd Production of interior part for car
JPS5746856U (zh) * 1980-08-29 1982-03-16
US4550258A (en) 1982-07-27 1985-10-29 Nippon Telegraph & Telephone Public Corporation Aperture structure for charged beam exposure
JPS62287556A (ja) * 1986-06-05 1987-12-14 Toshiba Corp 荷電ビ−ムの軸合せ方法
JPH0821351B2 (ja) * 1987-06-24 1996-03-04 富士通株式会社 電子ビ−ムのアライメント方法
JPH02236939A (ja) * 1989-03-09 1990-09-19 Nikon Corp 走査型電子顕微鏡
JP2642881B2 (ja) * 1994-09-28 1997-08-20 東京大学長 低速多価イオンによる超高感度水素検出法
JP2001077002A (ja) * 1999-09-02 2001-03-23 Nikon Corp 荷電粒子ビーム露光方法、荷電粒子ビーム露光装置及び半導体デバイス製造方法
JP2001319853A (ja) * 2000-05-09 2001-11-16 Advantest Corp 電子ビームドリフト診断方法、電子ビーム露光装置
JP2002075826A (ja) 2000-08-28 2002-03-15 Nikon Corp 荷電粒子線露光装置
JP4205390B2 (ja) 2002-09-12 2009-01-07 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
KR101060557B1 (ko) 2002-10-25 2011-08-31 마퍼 리쏘그라피 아이피 비.브이. 리소그라피 시스템
JP4557682B2 (ja) 2004-11-09 2010-10-06 株式会社東芝 電子ビーム描画装置、偏向アンプ、及び電子ビーム描画方法
EP1753010B1 (en) 2005-08-09 2012-12-05 Carl Zeiss SMS GmbH Particle-optical system
US8953148B2 (en) 2005-12-28 2015-02-10 Nikon Corporation Exposure apparatus and making method thereof
TWI412896B (zh) 2005-12-28 2013-10-21 尼康股份有限公司 Exposure apparatus and manufacturing method thereof
KR101312862B1 (ko) 2006-01-19 2013-09-30 가부시키가이샤 니콘 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 패턴 형성 장치, 노광 방법 및 노광 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
WO2008080625A1 (de) * 2006-12-29 2008-07-10 Yxlon International Feinfocus Gmbh Verfahren und vorrichtung zur ermittlung der ausdehnung des querschnitts eines elektronenstrahles
US7561280B2 (en) 2007-03-15 2009-07-14 Agilent Technologies, Inc. Displacement measurement sensor head and system having measurement sub-beams comprising zeroth order and first order diffraction components
JP5097823B2 (ja) * 2008-06-05 2012-12-12 株式会社日立ハイテクノロジーズ イオンビーム装置
JP5199756B2 (ja) * 2008-07-03 2013-05-15 株式会社ニューフレアテクノロジー 成形ビームのオフセット偏向量取得方法及び描画装置
US8493547B2 (en) 2009-08-25 2013-07-23 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
JP5988537B2 (ja) 2010-06-10 2016-09-07 株式会社ニコン 荷電粒子線露光装置及びデバイス製造方法
JP5320418B2 (ja) 2011-01-31 2013-10-23 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置
JP6293435B2 (ja) * 2013-08-08 2018-03-14 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
JP6294758B2 (ja) * 2014-05-12 2018-03-14 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビームのドーズ量異常検出方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61294745A (ja) * 1985-06-24 1986-12-25 Toshiba Corp 荷電ビ−ムの軸合わせ方法
JP2004152505A (ja) * 2002-10-28 2004-05-27 Advantest Corp 電子ビーム照射装置、電子ビーム露光装置、及び不良検出方法
CN101496129A (zh) * 2006-07-25 2009-07-29 迈普尔平版印刷Ip有限公司 多光束带电粒子光学系统
WO2011074649A1 (ja) * 2009-12-18 2011-06-23 株式会社ニコン 基板処理装置のメンテナンス方法および安全装置
CN103348437A (zh) * 2011-01-25 2013-10-09 株式会社日立高新技术 带电粒子束装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20180016423A (ko) 2018-02-14
EP3306646A1 (en) 2018-04-11
EP3306646A4 (en) 2019-01-23
US20180138011A1 (en) 2018-05-17
JP6973072B2 (ja) 2021-11-24
US10593514B2 (en) 2020-03-17
WO2016199738A1 (ja) 2016-12-15
JPWO2016199738A1 (ja) 2018-03-29
TWI712864B (zh) 2020-12-11
HK1243824A1 (zh) 2018-07-20
TW201721290A (zh) 2017-06-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104838469B (zh) 曝光装置及曝光方法、以及器件制造方法
US8724115B2 (en) Linear stage and metrology architecture for reflective electron beam lithography
KR101902469B1 (ko) 정렬 센서 및 빔 측정 센서를 갖는 하전 입자 리소그래피 시스템
KR101210975B1 (ko) 스테이지 시스템 캘리브레이션 방법, 스테이지 시스템 및 이러한 스테이지 시스템을 포함한 리소그래피 장치
JP6014768B2 (ja) エンコーダスケールの較正方法及びリソグラフィ装置
JPH07270122A (ja) 変位検出装置、該変位検出装置を備えた露光装置およびデバイスの製造方法
JPWO2008038751A1 (ja) 線幅計測方法、像形成状態検出方法、調整方法、露光方法及びデバイス製造方法
JP4269393B2 (ja) アライメントマーク及びアライメント方法
JP2004095862A (ja) 露光装置
JP2018139010A (ja) 移動体装置及び露光装置
US20030048444A1 (en) Position measuring apparatus and exposure apparatus
JP2010231062A (ja) 描画装置および描画方法
JP5861858B2 (ja) 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
CN107710383A (zh) 带电粒子束曝光装置及器件制造方法
JP2009188405A (ja) リソグラフィ装置およびキャリブレーション方法
CN104991422B (zh) 曝光装置用的gui装置、曝光系统及曝光条件设定方法
JP2012004308A (ja) 露光装置およびデバイス製造方法
JP4343293B2 (ja) 荷電粒子線露光方法及び装置、ならびにデバイス製造方法
CN109100920A (zh) 曝光装置以及物品的制造方法
US11276558B2 (en) Exposure apparatus and exposure method, lithography method, and device manufacturing method
JP2005020005A (ja) リソグラフィ装置及び集積回路製造方法
WO2015129341A1 (ja) 直接描画装置用のｇｕｉ装置、直接描画システム、描画領域設定方法およびプログラム
CN106527052A (zh) 光刻装置、图案形成方法和用于制造产品的方法
JP2021182498A (ja) マルチビーム画像生成装置およびマルチビーム画像生成方法
JP2014149392A (ja) パターン形成装置及びパターン形成方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
REG Reference to a national code

Ref country code: HK

Ref legal event code: DE

Ref document number: 1243824

Country of ref document: HK

WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20180216

WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication