CN104991422B - 曝光装置用的gui装置、曝光系统及曝光条件设定方法 - Google Patents

曝光装置用的gui装置、曝光系统及曝光条件设定方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104991422B
CN104991422B CN201410502753.2A CN201410502753A CN104991422B CN 104991422 B CN104991422 B CN 104991422B CN 201410502753 A CN201410502753 A CN 201410502753A CN 104991422 B CN104991422 B CN 104991422B
Authority
CN
China
Prior art keywords
selection
exposure
input
conditions
circle
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201410502753.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104991422A (zh
Inventor
古川至
中井博
中井一博
北村清志
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Publication of CN104991422A publication Critical patent/CN104991422A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104991422B publication Critical patent/CN104991422B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605Workpiece metrology
    • G03F7/70681Metrology strategies
    • G03F7/70683Mark designs
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/38Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
    • G03F1/44Testing or measuring features, e.g. grid patterns, focus monitors, sawtooth scales or notched scales
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/3042Imagewise removal using liquid means from printing plates transported horizontally through the processing stations
    • G03F7/3071Process control means, e.g. for replenishing
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70991Connection with other apparatus, e.g. multiple exposure stations, particular arrangement of exposure apparatus and pre-exposure and/or post-exposure apparatus; Shared apparatus, e.g. having shared radiation source, shared mask or workpiece stage, shared base-plate; Utilities, e.g. cable, pipe or wireless arrangements for data, power, fluids or vacuum

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

本发明提供一种能够操作性良好地选择在圆形的基板上配置为矩阵状的区块,且能够设定曝光条件的曝光装置用的GUI装置、曝光系统以及曝光条件设定方法。在操作者通过操作部,向GUI装置的选择输入区域(210)输入希望的信息时,在包括基板外形(202)和多个区块(203)的初始画面上,以与基板外形(202)呈同心圆状的方式显示选择圆(204),并且突出显示由应该设定曝光条件的多个选择区块(206)构成的选择区域(205)。

Description

曝光装置用的GUI装置、曝光系统及曝光条件设定方法
技术领域
本发明涉及在对形成有光致抗蚀剂膜的基板曝光出布线图案等的曝光装置中使用的图形用户界面(Graphical User Interface)装置(GUI装置)。
背景技术
以往,通过对半导体基板、印刷电路布线基板、玻璃基板等各种基板照射经过掩膜的光,来形成图案。近年来,为了要形成各种图案,利用将被空间调制的光直接照射在基板上来描绘图案由此进行曝光处理的技术,而不使用掩膜。
上述那样进行曝光处理的曝光装置被称为直接描绘装置,例如在专利文献1中记载有应用于直接描绘装置的GUI装置。该GUI装置在以基板上所设定的多个区块为单位设定描绘参数等曝光条件等时使用。该区块是矩形,在基板上沿着行方向以及列方向排列配置。换言之,多个区块呈矩阵状配置在基板上。
以区块为单位进行曝光处理的曝光装置不限于上述直接描绘装置,例如,在利用对形成在掩膜(中间掩模:reticule)上的图案进行缩小投影的分级器(stepper)(缩小投影型曝光装置)时,也以区块为单位进行曝光处理。
专利文献1:JP特开2013-77718号公报(例如第0054段、图3)
要形成在圆形基板上的光致抗蚀剂膜通常采用所谓的旋涂法(旋转式涂敷方法)来形成,所述旋涂法是指,在向基板的中心供给光致抗蚀剂液之后,使基板围绕其中心高速旋转,借助离心力使光致抗蚀剂液涂敷扩散在基板的表面上的方法。采用该旋涂法形成在基板上的光致抗蚀剂膜的膜厚有时会在基板的径向上发生变动,例如从基板的中心越向周边越厚等。对于这样存在膜厚变动的光致抗蚀剂膜来说,在以同一曝光条件分别对多个区块进行曝光处理时,会产生如下的问题。即,例如在光致抗蚀剂膜的膜厚厚的区块,曝光处理后进行显影处理所获得的抗蚀图案的宽度尺寸比希望尺寸细或粗。
为了解决上述问题,以在显影后的抗蚀图案的宽度尺寸比希望尺寸细时使抗蚀图案的宽度尺寸变粗,在比希望尺寸粗时使抗蚀图案的宽度尺寸变细的方式,利用GUI装置,以区块为单位,改变与变细、变粗有关的曝光条件。在改变该曝光条件时,为了应对光致抗蚀剂膜在基板的径向上的膜厚变动,需要以与圆形的基板外形呈同心圆状的方式选择多个区块。
另外,有时对基板的周围所配置的区块曝光出与用于制造半导体芯片的标准图案不同的图案,例如测试图案等。此时,例如需要选择在圆形的基板的外周缘上设定的多个区块(以与基板外形呈同心圆状的方式配置的多个区块),将所选择的区块的曝光条件改变为测试图案用的曝光条件。
作为GUI装置,例如已知操作者拖动鼠标指针来将矩形区域显示在操作画面上的装置。在该装置中,选择在操作画面上显示的多个区块中的上述矩形区域所包括的至少一个区块,来作为曝光条件的变更对象。但是,在使用该装置选择以与基板外形呈同心圆状的方式配置的多个区块时,存在以下的问题,即,不能通过一次选择动作选择希望的区块,需要分多次动作来选择,从而操作性差。
发明内容
本发明是鉴于上述问题而提出的,其目的在于提供能够操作性良好地选择呈矩阵状配置在圆形基板上的区块,且能够设定曝光条件的曝光装置用的GUI装置、曝光系统以及曝光条件设定方法。
技术方案1的第一发明涉及曝光装置用的GUI装置,该曝光装置以区块为单位,对形成在圆形的基板的表面上的光致抗蚀剂膜实施曝光处理,其特征在于,具有:显示部,其具有画面,操作部,其对显示部的画面进行操作,显示控制部,其对显示部的画面显示进行控制;显示控制部具有:初始画面显示部,其在显示部的画面上显示具有选择显示区域和选择输入区域的初始画面,所述选择显示区域包括基板外形以及对基板内进行划分而形成的多个区块,所述选择输入区域用于输入与选择圆相关的选择信息;选择圆显示部,其基于所述选择信息,以与基板外形呈同心圆状的方式,将选择圆显示在显示部的画面上;选择区块显示部,其将基于所述选择信息选择的选择区块突出显示在显示部的画面上;曝光条件输入显示部,其将曝光条件输入区域显示在显示部的画面上,所述曝光条件输入区域用于输入对选择区块实施曝光处理时的曝光条件。
技术方案2的第二发明,在第一发明中,作为与选择圆相关的选择信息,选择输入区域具有:用于输入与选择圆的大小相关的信息的输入区域;用于输入与选择圆的内侧或外侧相关的信息的输入区域。
技术方案3的第三发明,在第二发明中,作为与选择圆相关的选择信息,选择输入区域具有用于输入与距选择圆的选择宽度相关的信息的输入区域。
技术方案4的第四发明,在第一发明中,作为与选择圆相关的选择信息,选择输入区域具有用于输入与是否选择选择圆上的区块相关的信息的输入区域。
技术方案5的第五发明,在第一发明中,曝光条件输入区域是用于输入与曝光图案的尺寸变更相关的曝光条件的输入区域。
技术方案6的第六发明,在第一发明中,曝光条件输入区域是用于输入选择标准曝光动作或测试曝光动作的曝光条件的输入区域。
技术方案7的第七发明(曝光系统)具有:第一发明至第六发明中任一项所述的曝光装置用的GUI装置;以区块为单位,对形成在圆形的基板的表面上的光致抗蚀剂膜实施曝光处理的曝光装置。
技术方案8的第八发明,在第7发明中,曝光装置是使被空间调制的光束在所述光致抗蚀剂膜上扫描,来描绘曝光图案的直接描绘装置。
技术方案9的第九发明(曝光条件设定方法),其特征在于,包括:初始画面显示工序,在GUI装置的显示部的画面上显示初始画面,所述初始画面具有选择显示区域和选择输入区域,所述选择显示区域包括基板外形以及对基板内进行划分而形成的多个区块,所述选择输入区域用于输入与选择圆相关的选择信息;选择信息输入工序,通过GUI装置的操作部,在初始画面的选择输入区域中输入与选择圆相关的选择信息;选择圆显示工序,基于通过选择信息输入工序输入的选择信息,以与基板外形呈同心圆状的方式,在显示部的画面上显示选择圆;选择区块显示工序,将基于所述选择信息选择的选择区块突出显示在显示部的画面上;曝光条件输入显示工序,在显示部的画面上显示曝光条件输入区域,所述曝光条件输入区域用于输入对选择区块实施曝光处理时的曝光条件;曝光条件输入工序,通过操作部向曝光条件输入区域输入曝光条件。
技术方案10的第十发明,在第九发明中,作为与选择圆相关的选择信息,选择信息输入工序包括:用于输入与选择圆的大小相关的信息的工序;用于输入与选择圆的内侧或外侧相关的信息的工序。
技术方案11的第十一发明,在第十发明中,作为与选择圆相关的选择信息,选择信息输入工序还包括用于输入与距选择圆的选择宽度相关的信息的工序。
技术方案12的第十二发明,在第九发明中,作为与选择圆相关的选择信息,选择信息输入工序还包括用于输入与是否选择选择圆上的区块相关的信息的工序。
技术方案13的第十三发明,在第九发明中,在曝光条件输入工序中输入的曝光条件是与曝光图案的尺寸变更相关的曝光条件。
技术方案14的第十四发明,在第九发明中,在曝光条件输入工序中输入的曝光条件是用于选择标准曝光动作或测试曝光动作的曝光条件。
根据技术方案1至技术方案14中的任一项发明,能够提供如下曝光装置用的GUI装置、曝光系统以及曝光条件设定方法,即,能够操作性良好地选择在圆形的基板上配置为矩阵状的区块,且能够设定曝光条件。
附图说明
图1是表示具有曝光系统的描绘系统的图。
图2是表示GUI装置的硬件结构的框图。
图3是表示GUI装置的功能结构的框图。
图4是表示曝光条件变更的全部流程的流程图。
图5是表示曝光条件设定的流程的流程图。
图6A、图6B是用于说明初始画面的图。
图7A、图7B是用于说明GUI画面的第一实施例的图。
图8A、图8B是用于说明曝光条件输入区域的图。
图9A、图9B是用于说明GUI画面的第二实施例的图。
图10A、图10B是用于说明GUI画面的第三实施例的图。
图11A、图11B是用于说明曝光条件输入区域的其它例子的图。
图12A、图12B是用于说明GUI画面的第四实施例的图。
图13是直接描绘装置的侧视图。
图14是直接描绘装置的俯视图。
图15是表示照明光学系统以及投影光学系统的图。
图16是放大示出空间光调制器的图。
图17是表示直接描绘装置的各部分与控制部之间的连接结构的框图。
图18是表示用于控制描绘动作的控制部的框图。
图19是直接描绘装置的动作的流程图。
附图标记说明
2 GUI装置
4 曝光系统
5 计算机
100 直接描绘装置(曝光装置)
200 显示部
201 选择显示区域
202 基板外形
203 区块
204 选择圆
206 选择区块
210 选择输入区域
211 半径输入区域
220 曝光条件输入区域
240 显示控制部
241 初始画面显示部
242 选择圆显示部
243 选择区块显示部
244 曝光条件输入显示部
W 基板
P 程序
具体实施方式
下面,参照附图说明本发明的实施方式。
<系统的整体结构>
图1是表示具有作为本发明的一个实施方式的曝光系统4的图形描绘系统400的图。该图形描绘系统400,例如选择性地对圆形的半导体基板(下面,仅称为“基板”)上的光致抗蚀剂膜进行曝光,从而在光致抗蚀剂膜上直接描绘相当于电路图案的图形。
图形描绘系统400具有经由局域网(LAN)等网络N相互连接的设计数据制作装置1、图像处理装置3以及直接描绘装置100。图像处理装置3具有GUI装置2。
设计数据制作装置1是对记录有应该描绘在描绘对象物上的图案区域的数据进行制作以及编辑的装置。具体地说,就数据而言,通过计算机辅助设计(CAD)制作以矢量形式记录的图形数据。下面,将该数据称为设计数据D0。设计数据制作装置1所制作的设计数据D0经由网络N分别发送至图像处理装置3以及直接描绘装置100。
图像处理装置3对经由网络N接收的设计数据D0进行修正,制作修正设计数据D1。由图像处理装置3制作的修正设计数据D1经由网络N发送至直接描绘装置100。
具体地说,图像处理装置3具有如下的功能,即,按照曝光条件(描绘条件)的变化,对设计数据D0执行使应该曝光(描绘)的电路图案的线宽尺寸变大的处理(变粗处理),或者使线宽尺寸变小的处理(变细处理),来得到修正设计数据D1。上述变粗处理以及变细处理以对基板内进行划分而形成的多个区块为单位来执行。
另外,图像处理装置3对设计数据D0中的各区块的曝光条件进行修正。例如具有如下的功能:在设计数据D0是用于对所有区块曝光出标准图案的数据的情况下,将该设计数据D0修正为用于对特定区块曝光出测试图案的数据来得到修正设计数据D1。在此,“标准图案”是曝光出用于形成半导体元件的电路图案的图案,而“测试图案”与“标准图案”不同,例如是用于曝光出使用于半导体元件的试制、制造工艺的验证中的电路图案的图案。
<GUI装置结构>
GUI装置2设置在图像处理装置3中,发挥针对操作者的图形用户界面(GraphicalUser Interface)的功能。图2是表示GUI装置2的硬件结构的框图。
GUI装置2例如是计算机5,具有CPU(Central Processing Unit,中央处理器)230、ROM(Read Only Memory,只读存储器)231、存储器232、媒体驱动器(media drive)233、显示部200、操作部234等。这些硬件彼此通过总线235电连接。
CPU230基于存储在ROM231中的程序(或者,通过媒体驱动器233读取的程序)P控制上述硬件的各部分,来实现计算机5(GUI装置2)的功能。程序P能够被计算机5读取,使计算机5发挥各功能。
ROM231是预先存储有控制GUI装置2所需程序P、数据的读取专用的存储装置。
存储器232是能够读取和写入的存储装置,暂时存储CPU230进行运算处理时产生的数据等。存储器232由SRAM(static random access memory:静态随机存储器)、DRAM(dynamic random access memory:动态随机存储器)等构成。
媒体驱动器233是具有读取存储介质M中所存储的信息的功能的部分。存储介质M例如是CD-ROM、DVD(Digital Versatile Disk:数字多功能光盘)、软盘等可移动存储介质。
显示部200具有彩色液晶显示器那样的显示器等,在其画面上可变化地显示GUI操作用的图像、各种数据以及动作状态等。
操作部234是具有键盘以及鼠标的输入装置,接受输入命令、各种数据的用户操作。使用该操作部234,操作者向显示部200上所显示的GUI操作画面输入各种信息,来操作显示部200的画面。
图3是表示GUI装置2的功能结构的框图。图3利用框图示出了GUI装置2的硬件结构借助上述图2所示的程序P所发挥的各功能,这些功能区块能够通过硬件、软件的组合,以各种方式实现。
如图3所示,GUI装置2具有显示控制部240。该显示控制部240控制显示部200的画面显示,具有初始画面显示部241、选择圆显示部242、选择区块显示部243以及曝光条件输入显示部244。显示控制部240能够通过操作者对操作部234的操作来实现各部分的功能,详细内容在动作的说明中叙述。
<曝光条件设定的全部流程>
图4是表示曝光条件变更的全部流程的流程图。首先,通过步骤S10的测试描绘工序,确认是否基于设计数据D0进行希望的描绘处理(曝光处理)。在该测试描绘工序中,直接描绘装置100基于设计数据D0在基板的光致抗蚀剂膜上描绘布线图案等。关于直接描绘装置100的结构以及动作在后面叙述。
接着,通过步骤S20,检查如下的特定基板上所残留的抗蚀层,并确认抗蚀层是否变为希望的抗蚀图案,所述的特定基板是指,对通过测试描绘工序进行了曝光处理的基板进行显影处理之后的基板。例如,若如上述那样进行曝光处理之前的基板上的光致抗蚀剂膜的膜厚在基板的径向上发生变动,则有时曝光处理后进行显影处理所得到的抗蚀图案的宽度尺寸比希望尺寸细或者粗。若在该状态下执行之后的蚀刻工序,则存在基板上的布线图案的线宽变细或变粗的问题。为了避免发生这样的问题,在判断为需要变更曝光条件的情况下,进行下一步骤S30(“是”的情况)。在能够获得希望的抗蚀图案的情况下,不需要变更曝光条件,因此进入步骤S50(“否”的情况)。
在步骤S30的曝光条件设定工序中,选择需要变更曝光条件的基板内的区块,设定被选择的区块的曝光条件。利用图5详细说明该曝光条件设定工序的详细内容。
图5是表示曝光条件设定的流程的流程图。首先,在步骤S310的初始画面显示工序中,借助显示控制部240的初始画面显示部241(图3)的功能,在GUI装置2具有的显示部200的画面上显示图6A所示的初始画面。初始画面具有选择显示区域201和选择输入区域210。在选择显示区域201中显示出基板外形202以及对基板内进行划分而形成的多个区块203。基板外形202例如是直径相当于300mm的圆形的基板外形202。多个区块203通过图示虚线所示的行列线而形成为矩阵状。基板外形以及区块的显示形式不限于图6A的显示形式,可以是操作者能够肉眼识别的其它显示形式。
图6B示出了选择输入区域210内的显示内容,在图6A中省略了上述显示内容。选择输入区域210具有半径输入区域211、宽度复选框212、宽度输入区域213、内侧单选钮214、外侧单选钮215、圆上复选框216、选择按钮217。此外,选择输入区域210内的显示内容不限于图6B所示的显示形式,可以为其它显示形式。
半径输入区域211是用于输入与后述的选择圆相关的选择信息,例如与选择圆的大小相关的信息即选择圆的半径尺寸值的区域。与选择圆的大小相关的信息可以不是半径尺寸值,例如也可以是选择圆的直径尺寸值等。宽度复选框212是用于输入是否进行从选择圆选择规定范围的区块作为选择信息的操作的区域。宽度输入区域213是用于在作为选择信息将宽度复选框212打钩时输入选择宽度的尺寸值的区域。内侧单选钮214是用于选择在选择圆的内侧显示的区块的输入区域。外侧单选钮215是用于选择在选择圆的外侧显示的区块的输入区域。圆上复选框216是用于输入是否选择在选择圆上的区块的区域。选择按钮217是用于将被选择进行突出显示的区块决定为将要设定曝光条件的区块的输入部。
返回图5说明下一个步骤S320的选择信息输入工序。选择信息输入工序包括选择圆的半径输入工序(步骤S321)、选择圆的内外输入工序(步骤S322)、选择宽度的输入工序(步骤S323)以及选择圆上的输入工序(步骤S324)。此外,有时选择宽度的输入工序(步骤S323)以及选择圆上的输入工序(步骤S324)不被执行而被省略。参照图7A、图7B说明该选择信息输入工序(步骤S320)和其后的选择圆显示工序(步骤S330)以及选择区块显示工序(步骤S340)。
<第一实施例>
图7A、图7B表示在显示部200的画面上显示的GUI画面的一个实施例即第一实施例。图7B表示第一实施例的选择输入区域210的状态。如图7B所示,在第一实施例中,操作者利用操作部234,通过选择信息输入工序(步骤S320)中的选择圆的半径输入工序(步骤S321),在半径输入区域211中输入“120”。另外,操作者利用操作部234,通过选择圆的内外输入工序(步骤S322),选择内侧单选钮214。
接着,操作者利用操作部234,通过选择宽度的输入工序(步骤S323),将宽度复选框212打钩,在宽度输入区域213中输入“80”。另外,在该第一实施例中,不执行选择圆上的输入工序(步骤S324),不选择圆上复选框216,不将其打钩。
作为这样的操作者输入选择信息的动作的结果,实现了图7A所示的选择显示区域201的显示状态。具体地说,在选择圆显示工序(步骤S330)中,借助选择圆显示部242(图3)的功能,在初始画面上,以与基板外形202呈同心圆状的方式显示半径相当于120mm的选择圆204。另外,在选择区块显示工序(步骤S340)中,借助选择区块显示部243(图3)的功能,突出在相当于从选择圆204到其内侧的80mm的范围内显示的多个选择区块206,且在画面上显示。在附图中,选择区块206被画上平行斜线(阴影线),其整个外框被加粗显示,例如,通过与没有被选择的区块203相区别的黄色或红色等的显眼的颜色进行突出显示。作为突出显示选择区块206的方法可以是其它方法,只要是在视觉上与没有被选择的区块203存在明显差异的显示即可。
根据上述的第一实施例,通过一次的选择信息输入工序S320,能够选择与基板呈同心圆状配置的多个选择区块206(选择区域205),因此操作性良好。在本说明书中,将选择显示区域201中的多个选择区块206的集合所表示的部分区域称为选择区域205。作为与第一实施例不同的方法,例如考虑如下的方法,即,操作者拖动鼠标的指针,使矩形区域显示在操作画面上,选择在操作画面上显示的多个区块203中的上述矩形区域所包括的至少一个区块203作为选择区块206。但是,在通过该方法设定图7A所示的选择区域205时,需要将选择区域205分为至少4个矩形区域,需要进行通过鼠标选择各个矩形区域那样的复杂的操作,从而操作性差。另外,在第一实施例的方法中,由于利用与基板外形202呈同心圆状的选择圆204,所以能够在不通过复杂的思考的情况下简单地设定与基板外形202呈同心圆状的选择区域205。而且,由于突出显示选择区块206,所以能够提高操作者的肉眼识别性,操作者能够容易地判断选择的区块是否为应该设定曝光条件的希望的区块。
在操作者判断为选择区块206为应该设定曝光条件的希望的区块的情况下,操作者利用操作部234,执行按下图7B所示的选择按钮217的动作,转移至图5所示的曝光条件输入显示工序(步骤S350)。在该曝光条件输入显示工序中,借助曝光条件输入显示部244(图3)的功能,例如,在显示部200的画面上显示图8A、图8B所示的曝光条件输入区域220a。此外,在操作者判断为选择区块206不是希望的区块的情况下,直到选择了希望的区块为止,反复执行上述的步骤S321至步骤S340的工序。
曝光条件输入区域220a是用于输入对选择区块206实施曝光处理时的曝光条件的区域,例如是用于输入与应该曝光的曝光图案的尺寸变更相关的曝光条件的输入区域。例如,曝光条件输入区域220a是用于在相互垂直的x方向、y方向上分别输入使布线图案等的线宽变大的尺寸(变粗尺寸)的区域,如图8B所示,具有x尺寸输入区域221以及y尺寸输入区域222。此外,曝光条件输入区域220a也可以是用于输入使应该曝光的布线图案等的线宽变小的尺寸(变细尺寸)的区域。此外,曝光条件输入区域220a的显示形式不限于图8B所示的显示形式,可以是其它显示形式。
返回图5,在曝光条件输入工序(步骤S360)中,操作者利用操作部234,在x尺寸输入区域221中输入例如5至10的范围内的某个数值(例如7),在y尺寸输入区域222中不输入任何值。通过该输入操作,作为x方向上的变粗尺寸例如输入7μm。作为该输入例子,可以相反在y尺寸输入区域222中输入数值,在x尺寸输入区域221不输入数值,或者在两个区域221、222中都输入数值。若该曝光条件输入工序(步骤S360)结束,则图4所示的曝光条件设定工序(步骤S30)结束,转移至下一个曝光条件变更工序(步骤S40)。
返回图4,在曝光条件变更工序(步骤S40)中,在选择区块206内应该描绘的布线图案等的描绘条件(曝光条件)发生变更。具体地说,图像处理装置3(图1),基于在曝光条件输入工序(步骤S360)中输入的例如变粗尺寸值,修正设计数据D0,制作修正设计数据D1。
例如,以使与选择区块206对应的设计数据D0中的线宽数据在x方向上仅变粗7μm的方式制作修正设计数据D1。此外,有时还以在y方向上变粗的方式变更数据,或者以变细的方式变更数据。另外,也可以不变更设计数据D0,而进行使对设计数据进行RIP展开而得到的RIP数据(运行长度数据:run length data)变粗或变细的变更处理。
通过图像处理装置3制作的修正设计数据D1经由网络N发送至直接描绘装置100。直接描绘装置100基于修正设计数据D1执行描绘动作(图4的步骤S50)。在该描绘动作中,在与选择区块206对应的基板内的区域中,例如执行使线宽在x方向仅变粗7μm的描绘动作。结果,能够消除在基于设计数据D0进行的描绘动作中产生的上述那样的在显影处理后抗蚀图案的宽度尺寸变细的问题,能够以希望的宽度尺寸形成抗蚀图案。此外,在修正设计数据D1是进行了变细处理的数据的情况下,通过直接描绘装置执行变细的描绘动作。另外,也可以以不使显影处理后的抗蚀图案的宽度尺寸而使在其后进行蚀刻处理而得到的布线图案的宽度尺寸变粗或者变细的方式制作修正设计数据D1。
<第二实施例>
接着,参照图9A、图9B说明本实施方式的第二实施例。图9A、图9B表示在显示部200的画面上显示的GUI画面的一个实施例即第二实施例。图9B表示第二实施例的选择输入区域210的状态。如图9B所示,在第二实施例中,操作者利用操作部234,通过选择信息输入工序(步骤S320)中的选择圆的半径输入工序(步骤S321),在半径输入区域211中输入“40”。另外,操作者利用操作部234,通过选择圆的内外输入工序(步骤S322),选择外侧单选钮215。
接着,操作者利用操作部234,通过选择宽度的输入工序(步骤S323),将宽度复选框212打钩,在宽度输入区域中输入“100”。此外,在本第二实施例中,不执行选择圆上的输入工序(步骤S324),圆上复选框216没有被选择,没有被打钩。
作为这样的操作者的输入动作的结果,实现了图9A所示的选择显示区域201的显示状态。具体地说,在选择圆显示工序(步骤S330)中,借助选择圆显示部242(图3)的功能,在初始画面上,以与基板外形202呈同心圆状的方式显示半径相当于40mm的选择圆204。另外,在选择区块显示工序(步骤S340)中,借助选择区块显示部243(图3)的功能,在画面上突出显示在相当于从选择圆204到其外侧的100mm的范围内显示的多个选择区块206(选择区域205)。
根据上述的第二实施例,通过一次的选择信息输入工序S320,能够选择与基板呈同心圆状配置的多个选择区块206(选择区域205),因此操作性良好。作为与第二实施例不同的方法,例如还考虑如下的方法,即,操作者拖动鼠标的指针,使矩形区域显示在操作画面上,选择在操作画面上显示的多个区块203中的上述矩形区域所包括的至少一个区块203作为选择区块206。但是,在通过该方法设定图9A所示的选择区域205时,需要将选择区域205分为至少6个矩形区域,需要进行通过鼠标选择各个矩形区域那样的复杂的操作,从而操作性差。另外,在第二实施例的方法中,由于利用与基板外形202呈同心圆状的选择圆204,所以能够在不通过复杂的思考的情况下简单地设定与基板外形202呈同心圆状的选择区域205。而且,由于突出显示选择区块206,所以能够提高操作者的肉眼识别性,操作者能够容易地判断选择的区块是否为应该设定曝光条件的希望的区块。
<第三实施例>
接着,参照图10A、图10B以及图11A、图11B说明本实施方式的第三实施例。图10A、图10B表示在显示部200的画面中显示的GUI画面的一个实施例即第三实施例。图10B表示第三实施例的选择输入区域210的状态。如图10B所示,在第三实施例中,操作者利用操作部23,通过选择信息输入工序(步骤S320)中的选择圆的半径输入工序(步骤S321),在半径输入区域211中输入“150”。另外,操作者利用操作部23,通过选择圆的内外输入工序(步骤S322),选择内侧单选钮214。
在该第三实施例中,不执行选择宽度的输入工序(步骤S323),不将宽度复选框212打钩,不在宽度输入区域213中进行任何输入。另外,不执行选择圆上的输入工序(步骤S324),不将圆上复选框216打钩。
作为这样的操作者的输入动作的结果,实现了图10A所示的选择显示区域201的显示状态。具体地说,在选择圆显示工序(步骤S330)中,借助选择圆显示部242(图3)的功能,在初始画面上,以与基板外形202呈同心圆状的方式显示半径相当于150mm的选择圆204。在该第三实施例中,基板外形202的大小与选择圆204的大小相同,因此基板外形202和选择圆204重叠显示。另外,在选择区块显示工序(步骤S340)中,借助选择区块显示部243(图3)的功能,在画面上突出显示位于选择圆204的内侧的多个选择区块206(选择区域205)。
在该第三实施例中,将完全包含在基板外形202的内侧的区块203作为选择区块206,不将位于基板外形202的线上的区块203以及位于基板外形202的外侧的区块203作为选择区块206。
根据上述的第三实施例,通过一次的选择信息输入工序S320,能够选择与基板呈同心圆状配置的多个选择区块206(选择区域205),因此操作性良好。作为与第三实施例不同的方法,例如,还考虑如下的方法,即,操作者拖动鼠标的指针,使矩形区域显示在操作画面上,选择在操作画面上显示的多个区块203中的上述矩形区域所包括的至少一个区块203作为选择区块206。但是,在通过该方法设定图10A所示的选择区域205时,需要将选择区域205分为至少5个矩形区域,需要进行通过鼠标选择各个矩形区域那样的复杂的操作,从而操作性差。另外,在第三实施例的方法中,由于利用与基板外形202呈同心圆状的选择圆204,所以能够在不通过复杂的思考的情况下简单地设定与基板外形202呈同心圆状的选择区域205。另外,由于突出显示选择区块206,所以能够提高操作者的肉眼识别性,操作者能够容易地判断选择的区块是否为应该设定曝光条件的希望的区块。
在该第三实施例中,能够选择完全包含在基板外形202内侧的区块203作为选择区块206,因此,能够适用于对完全包含在基板内的区块设定曝光条件的情况。
接着,操作者利用操作部234,执行按下图10B所示的选择按钮217的动作,则转移至图5所示的曝光条件输入显示工序(步骤S350)。在该曝光条件输入显示工序中,借助曝光条件输入显示部244(图3)的功能,例如在显示部200上显示图11A、图11B所示的曝光条件输入区域220b。此外,通过未图示的设定部预先设定,将按下选择按钮217而显示的内容如第一实施例那样作为图8A、图8B所示的曝光条件输入区域220a,还是如第三实施例那样作为曝光条件输入区域220b。
图11A、图11B所示的曝光条件输入区域220b是用于选择对选择区块206执行标准曝光动作还是测试曝光动作的区域,如图11B所示,具有标准图案选择用的单选钮223和测试图案选择用的单选钮224。在图11B中示出选择了标准图案选择用的单选钮223的状态。在此,“标准图案”是应该制造的半导体芯片等的原来的布线图案等。另外,“测试图案”是用于检验曝光动作或试做芯片的布线图案等。曝光条件输入区域220b的显示形式不限于图11B所示的显示形式,也可以是其它显示形式。
在该第三实施例中,在图5所示的曝光条件输入工序(步骤S360)中,操作者利用操作部234,选择图11B所示的标准图案选择用的单选钮223。然后,在图4的曝光条件变更工序(步骤S40)中,变更应该在选择区块206内描绘的布线图案等的描绘条件(曝光条件)。具体地说,由于在曝光条件输入工序(步骤S360)中选择了标准图案的曝光动作,所以在曝光条件变更工序(步骤S40)中,通过图像处理装置3(图1),变更设计数据D0来制作修正设计数据D1,来对选择区块206执行标准图案的标准曝光动作。
通过图像处理装置3制作的修正设计数据D1经由网络N发送至直接描绘装置100。直接描绘装置100基于修正设计数据D1执行描绘动作(图4的步骤50)。通过该描绘动作,在与选择区块206对应的基板内的区域中,执行描绘标准图案的标准曝光动作。
<第四实施例>
接着,参照图12A、图12B说明本实施方式的第四实施例。图12A、图12B表示在显示部200的画面上显示的GUI画面的一个实施例即第四实施例。图12B表示第四实施例的选择输入区域210的状态。如图12B所示,在第四实施例中,操作者利用操作部234,通过选择信息输入工序(步骤S320)中的选择圆的半径输入工序(步骤S321),在半径输入区域211中输入“150”。另外,操作者利用操作部23,通过选择圆的内外输入工序(步骤S322),选择外侧单选钮215。
另外,操作者利用操作部234,通过选择圆上的输入工序(步骤S324),选择圆上复选框216并打钩。在该第四实施例中,不执行选择宽度的输入工序(步骤S323),不将宽度复选框212打钩,不在宽度输入区域213中进行任何输入。
作为这样的操作者的输入动作的结果,实现了图12A所示的选择显示区域201的显示状态。具体地说,通过选择圆显示工序(步骤S330),借助选择圆显示部242(图3)的功能,在初始画面上,以与基板外形202呈同心圆状的方式,显示半径相当于150mm的选择圆204。在该第四实施例中,基板外形202的大小与选择圆204的大小相同,因此基板外形202和选择圆204重叠显示。另外,通过选择区块显示工序(步骤S340),借助选择区块显示部243(图3)的功能,在画面上突出显示由位于选择圆204上的多个选择区块206以及位于选择圆204的外侧的多个选择区块206构成的选择区域205。
在该第四实施例中,不将完全包含在基板外形202内侧的区块203作为选择区块206,将被基板外形202切断的区块203(即,基板的外周缘上的区块)以及位于基板外形202外侧的区块203作为选择区块206。
根据上述的第四实施例,通过一次的选择信息输入工序S320,能够选择与基板呈同心圆状配置的多个选择区块206(换而言之,配置在基板的外周缘上的多个选择区块206)以及配置在基板外形202外侧的多个选择区块206(选择区域205),因此操作性良好。作为与第四实施例不同的方法,例如,还考虑如下的方法,即,操作者拖动鼠标的指针,将矩形区域显示在操作画面上,选择在操作画面上显示的多个区块203中的上述矩形区域所包括的至少一个区块203作为选择区块206。但是,在通过该方法设定图12A所示的选择区域205时,需要将选择区域205分为至少8个矩形区域,需要进行通过鼠标选择各个矩形区域那样的复杂的操作,从而操作性差。另外,在第四实施例的方法中,由于利用与基板外形202呈同心圆状的选择圆204,所以能够在不通过复杂的思考的情况下简单地设定与基板外形202呈同心圆状的选择区域205。另外,由于突出显示选择区块206,所以能够提高操作者的肉眼识别性,操作者能够容易地判断选择的区块是否为应该设定曝光条件的希望的区块。
在该第四实施例中,能够不将完全包含在基板外形202内侧的区块203作为选择区块206,而将配置在基板的外周缘上的多个区块203选择为选择区块206,因此,能够适用于对部分包含在基板内的基板外周缘上的区块设定曝光条件的情况。
接着,操作者利用操作部234,执行按下图12B所示的选择按钮217的动作,则转移至图5所示的曝光条件输入显示工序(步骤S350)。在该曝光条件输入显示工序中,借助曝光条件输入显示部244(图3)的功能,例如,在显示部200上显示图11A、图11B所示的曝光条件输入区域220b。
在该第四实施例中,在图5所示的曝光条件输入工序(步骤S360)中,操作者利用操作部234,选择图11B所示的测试图案选择用的单选钮224。然后,在图4的曝光条件变更工序(步骤S40)中,变更应该在选择区块206内描绘的布线图案等的描绘条件(曝光条件)。具体地说,由于在曝光条件输入工序(步骤S360)中选择测试图案的曝光动作,所以在曝光条件变更工序(步骤S40)中,通过图像处理装置3(图1),变更设计数据D0来制作修正设计数据D1,来对选择区块206进行测试图案的测试曝光动作。
通过图像处理装置3制作的修正设计数据D1经由网络N发送至直接描绘装置100。直接描绘装置100基于修正设计数据D1执行描绘动作(图4的步骤50)。通过该描绘动作,在与选择区块206对应的基板内的区域中,执行描绘测试图案的测试曝光动作。还对基板外的选择区块执行测试曝光动作,但是不会出现问题,反而从基板外执行曝光动作则能够稳定基板内的曝光动作。
上述的第一实施例以及第二实施例在图4所示的测试描绘工序(步骤S10)之后执行,但是,第三实施例以及第四实施例有时不在图4所示的测试描绘工序(步骤S10)之后执行。例如,可以在直接描绘装置100的曝光动作的初始设定操作中执行第三实施例或第四实施例。
另外,也可以在执行第三实施例以及第四实施例的曝光条件设定工序(图4的步骤S30)之后,执行第三实施例以及第四实施例的曝光条件变更工序(步骤S40)。此时,在描绘执行工序(步骤S50)中,对完全包含在基板内的区块执行标准曝光动作,对位于基板外缘上而局部包含在基板内的区块执行测试曝光动作。
<直接描绘装置的结构>
接着,参照图13以及图14说明直接描绘装置100的结构。图13是本发明的一个实施方式的直接描绘装置100的侧视图,图14是图13所示的直接描绘装置100的俯视图。
该直接描绘装置100是使被空间调制后的光束在光致抗蚀剂膜(感光性材料)粘附在表面上的半导体基板或玻璃基板等基板W的表面上扫描来描绘曝光图案的装置。具体地说,直接描绘装置100是在多芯片模块的制造工序中,在曝光对象基板即支撑基板(以下,仅称为“基板”)W的表面上形成的具有感光性的光致抗蚀剂膜上,描绘布线图案的装置。基板W为圆形,在其外周缘的一部分上形成有称为切口(notch)的缺口。有时代替切口在基板W的外周缘的一部分上设置定向平面(orientation flat)。另外,直接描绘装置100是以对基板W内进行划分而形成的区块为单位来实施曝光处理的曝光装置。
如图13以及图14所示,直接描绘装置100主要具有保持基板W的工作台10、使工作台10移动的工作台移动机构20、测量与工作台10的位置对应的位置参数的位置参数测量机构30、对基板W的表面照射脉冲光的光学头部50、一个定位相机60和控制部70。
另外,在该直接描绘装置100中,在主体框101上安装防护罩102而形成的主体内部,配置装置的各部分,由此构成主体部,并且在主体部的外侧(在本实施方式中,图13所示的主体部的右手侧),配置基板容置盒110。在该基板容置盒110中,容置应该接受曝光处理的未处理基板W,通过配置在主体内部的搬运机械手120,将未处理基板W装载在主体部上。另外,在对未处理基板W实施曝光处理(图案描绘处理)后,通过搬运机械手120,从主体部搬运卸下该基板W并搬回至基板容置盒110。这样,搬运机械手120发挥搬运部的功能。
如图14所示,在该主体部中,在被防护罩102包围的主体内部的右手端部配置有搬运机械手120。另外,在该搬运机械手120的左手侧配置有基座130。该基座130的一侧区域(图13以及图14的右手侧区域)成为与搬运机械手120之间交接基板W的基板交接区域,另一侧区域(图13以及图14的左手侧区域)成为对基板W描绘图案的图案描绘区域。在该基座130上,在基板交接区域与图案描绘区域之间的交界位置设置有头支撑部140。如图13所示,在该头支撑部140,从基座130向上方立设有2个支脚构件141、142,并且以横跨这些支脚构件141、142的顶部的方式横向设置梁构件143。并且,如图13所示,在梁构件143的图案描绘区域侧的相反侧固定有定位相机(拍摄部)60,如后所述,能够拍摄保持在工作台10上的基板W的表面(被描绘面、被曝光面)上的多个定位标记、下层图案。
在基座130上,通过工作台移动机构20,使支撑基板W的支撑部即工作台10在X方向、Y方向以及θ方向上移动。即,工作台移动机构20使工作台10在水平面内以2维的方式移动,来进行定位,并且使工作台10围绕θ轴(铅垂轴)旋转,调整与后述的光学头部50的相对角度,来进行定位。
另外,光学头部50安装在这样构成的头支撑部140上,并且光学头部50能够在上下方向上自由移动。这样在头支撑部140上安装定位相机60和光学头部50,在XY平面内的两者的位置关系固定。另外,该光学头部50对基板W描绘图案,通过头移动机构(省略图示)在上下方向上移动。并且,通过头移动机构进行动作,使光学头部50在上下方向上移动,从而能够高精度地调整光学头部50与保持在工作台10上的基板W之间的距离。这样,光学头部50发挥描绘头的功能。
另外,在基座130的基板交接侧的相反侧的端部(图13以及图14的左手侧端部)也立设有两个支脚构件141、142。另外,以横跨梁构件143和两个支脚构件141、142的顶部的方式设置容置有光学头部50的光学系统的箱体172,从上方覆盖基座130的图案描绘区域。
工作台10具有圆筒状的外形,是用于在其上表面上以水平姿势载置基板W并进行保持的保持部。在工作台10的上表面形成有多个吸引孔(省略图示)。因此,在工作台10上载置有基板W时,基板W借助多个吸引孔的吸引压而被吸附固定在工作台10的上表面上。此外,在本实施方式中,通过旋涂法(旋转式涂敷方法)等,在成为描绘处理的对象的基板W的表面(主面)上预先形成光致抗蚀剂(感光性材料)膜。
工作台移动机构20是用于使工作台10相对于直接描绘装置100的基座130在主扫描方向(Y轴方向)、副扫描方向(X轴方向)以及旋转方向(围绕Z轴的旋转方向)上移动的机构。工作台移动机构20具有:旋转机构21,其使工作台10旋转;支撑板22,其将工作台10支撑为能够进行旋转;副扫描机构23,其使支撑板22在副扫描方向上移动;基座板24,其经由副扫描机构23支撑支撑板22;主扫描机构25,其使基座板24在主扫描方向上移动。
旋转机构21具有由在工作台10的内部安装的转子构成的马达。另外,在工作台10的中央部下表面侧和支撑板22之间,设置有旋转轴承机构。因此,在使马达动作时,转子在θ方向上移动,工作台10以旋转轴承机构的旋转轴为中心在规定角度的范围内旋转。
副扫描机构23具有线性马达23a,所述线性马达23a通过安装在支撑板22的下表面上的移动件和敷设在基座板24的上表面上的固定件产生副扫描方向上的推动力。另外,副扫描机构23具有一对导轨23b,所述一对导轨23b引导支撑板22,使支撑板22相对于基座板24沿着副扫描方向移动。因此,在使线性马达23a动作时,支撑板22以及工作台10在副扫描方向上沿着基座板24上的导轨23b移动。
主扫描机构25具有线性马达25a,所述线性马达25a通过安装在基座板24的下表面上的移动件和敷设在头支撑部140的上表面上的固定件产生主扫描方向上的推动力。另外,主扫描机构25具有一对导轨25b,所述一对导轨25b引导基座板24,使基座板24相对于头支撑部140沿着主扫描方向移动。因此,在使线性马达25a动作时,使基座板24、支撑板22以及工作台10在主扫描方向上沿着基座130上的导轨25b移动。此外,作为这样的工作台移动机构20能够使用以往大多被使用的X-Y-θ轴移动机构。
位置参数测量机构30是利用激光的干涉对工作台10的位置参数进行测量的机构。位置参数测量机构30主要具有激光射出部31、分光器(beam splitter)32、弯束器(beambender)33、第一干涉仪34以及第二干涉仪35。
激光射出部31是用于使测量用的激光射出的光源装置。激光射出部31设置在固定位置即相对于本装置的基座130和光学头部50固定的位置。从激光射出部31射出的激光首先入射至分光器32,然后分离为从分光器32朝向弯束器33的第一分支光和从分光器32朝向第二干涉仪35的分支光。
第一分支光被弯束器33反射而入射至第一干涉仪34,并且从第一干涉仪34照射工作台10的-Y侧的端边的第一部位(在此为-Y侧的端边的中央部)10a。并且,在第一部位10a反射的第一分支光再次向第一干涉仪34入射。第一干涉仪34基于朝向工作台10的第一分支光和从工作台10反射的第一分支光之间的干涉,测量与工作台10的第一部位10a的位置对应的位置参数。
另一方面,第二分支光入射至第二干涉仪35,并且从第二干涉仪35向工作台10的-Y侧的端边的第二部位(与第一部位10a不同的部位)10b照射。并且,在第二部位10b反射的第二分支光再次向第二干涉仪35入射。第二干涉仪35基于朝向工作台10的第二分支光和从工作台10反射的第二分支光之间的干涉,测量与工作台10的第二部位10b的位置对应的位置参数。第一干涉仪34以及第二干涉仪35将通过各个测量取得的位置参数向控制部70发送。
光学头部50是向保持在工作台10上的基板W的表面照射脉冲光的光照射部。梁构件143以横跨工作台10以及工作台移动机构20的方式架设在基座130上。光学头部50设置在梁构件143上的副扫描方向的大致中央位置。光学头部50经由照明光学系统53与一个激光振荡器54连接。另外,在作为光源的激光振荡器54上,连接有驱动激光振荡器54的激光驱动部55。在使激光驱动部55动作时,从激光振荡器54射出脉冲光,该脉冲光经由照明光学系统53被导入光学头部50的内部。
在光学头部50的内部,通过导入部从照明光学系统53朝向光学头部50的内部,导入脉冲光,被导入的脉冲光作为形成了规定的图案形状的光束,照射基板W的表面,对基板W上的光致抗蚀剂膜(感光层)进行曝光,来在基板W的表面上描绘图案。
在图13的直接描绘装置100中,作为光源的激光振荡器54设置在箱体172内,从激光振荡器54经由照明光学系统53的光向光学头部50的内部导入。在本实施方式的基板W的主面上预先形成因照射紫外线而感光的光致抗蚀剂(感光性材料)膜,激光振荡器54是射出波长λ约为365nm的紫外线(i线)的激光源。当然,激光振荡器54也可以射出基板W的感光性材料所感光的波段所包含的其它波长的光。
图15是表示直接描绘装置100的照明光学系统53以及投影光学系统517的图。来自图13所示的激光振荡器54的光经由图15所示的照明光学系统53以及反光镜516,照射光调制单元512的空间光调制器511。通过空间光调制器511进行了空间调制的光经由投影光学系统517照射在被工作台10支撑的基板W上。
照明光学系统53具有望远镜(telecope)540、聚光透镜(condenser lens)541、衰减器(attenuator)542以及聚焦透镜(focusing lens)543。望远镜540具有使光(激光束)的光束直径(截面形状)在X以及Z方向上扩大的功能,由3个透镜构成。聚光透镜541具有使激光束在X方向上扩大的功能。衰减器542调整通过的激光束的能量(透过量)。聚焦透镜543具有使激光束的截面尺寸在Z方向上缩小的功能。从聚焦透镜543射出的光(激光束)借助反光镜516变为在X方向上延伸且在Y方向上缩小的线状的照明光并照射至空间光调制器511。此外,照明光学系统53不需要一定构成为图15所示的结构,也可以追加其它光学元件。
优选从照明光学系统53照射至空间光调制器511的光为接近平行光的光,以便使从空间光调制器511反射的镜面反射光(0级光)通过后述的投影光学系统的遮挡板521的开口,并且使从空间光调制器511产生的±1级衍射光被遮挡板521遮挡。因此,将照明光学系统53的数值孔径NA1设定为比0(零)大且为0.06以下。此外,若在X方向上延伸的线状的照明光所贯穿的YZ平面上照明光相对于光轴的最大角度为θ1,则通过NA1=n·sinθ1求出数值孔径NA1。其中,n为介质的折射率,在本实施方式的情况下,介质为空气,因此折射率n为1。
投影光学系统517具有4个透镜518、519、520、522、遮挡板(光阑构件)521、变焦透镜(zoom lens)523以及聚焦透镜524。投影光学系统517的透镜518、519、520、522以及遮挡板521构成两侧成为远心光路(telecentric)的纹影(schlieren)光学系统,通过透镜520的光被向具有开口的遮挡板521引导,一部分光(镜面反射光(0级光))通过开口被透镜522引导,其余的光(±1级衍射光)被遮挡板521遮挡。通过透镜522的光被向变焦透镜523引导,然后经由聚焦透镜524,以规定的倍率被向基板W上的光致抗蚀剂膜(感光性材料)引导。此外,投影光学系统517不需要一定形成为如图3所示的结构,也可以追加其它光学元件。
为了使对应于焦点位置(聚焦位置)而照射在基板W上的光的直径(宽度)的变化变小,需要将投影光学系统517的景深设定得长(深)。因此,优选投影光学系统517的数值孔径NA2小,例如设定为0.1。此外,若在X方向上延伸的线状的投影光所贯穿的YZ平面上投影光相对于光轴的最大角度为θ2,则通过NA2=n·sinθ2求出数值孔径NA2。其中,n为介质的折射率,在本实施方式的情况下,介质为空气,因此折射率n为1。
优选照明光学系统53的数值孔径NA1除以投影光学系统517的数值孔径NA2而得到的值(σ值)接近0,以便如上所述使被空间光调制器511反射的镜面反射光以希望的形状照射在基板W上,例如,设定为比0大且为0.6以下。
光调制单元512中的进行调制控制的描绘控制部515与空间光调制器511电连接。描绘控制部515以及投影光学系统517内置在光学头部50中。曝光控制部514和描绘信号处理部513分别与描绘控制部515电连接。描绘信号处理部513和工作台移动机构20与曝光控制部514电连接。曝光控制部514以及描绘信号处理部513设置在图13的控制部70内。
图16是放大表示空间光调制器511的图。利用半导体装置制造技术制造图16所示的空间光调制器511,空间光调制器511为能够改变光栅的深度的衍射光栅。在空间光调制器511中,多个可动条530a以及固定条531b交替平行排列,如后所述,可动条530a能够相对于背后的基准面单独地升降移动,固定条531b固定在基准面上。作为衍射光栅型的空间光调制器,例如,公知有GLV(grating light valve:栅状光阀)(硅光机公司(圣何塞、加利福尼亚)的注册商标)。
在固定条531b的上表面设置固定反射面,在可动条530a的上表面设置可动反射面。在多个可动条530a以及固定条531b上照射光束截面在排列方向上长的线状的光。在空间光调制器511中,若相邻的一个可动条530a以及一个固定条531b形成一个条对,来作为光栅要素,则相邻的3个以上的光栅要素对应被描绘的图案的一个像素。在本实施方式中,将相邻的4个光栅要素的集合作为与一个像素对应的调制元件,在图16中,通过标注有附图标记535的粗线的矩形包围构成一个调制元件的条对的集合。
驱动电路单元536通过对可动条530a与基准面之间赋予电压(电势差),使可动条530a向基准面侧弯曲。结果,可动条530a在从基准面离开的初始位置和与基准面接触的位置之间升降移动,由此设定可动条530a的高度位置。
图13所示的控制部70是用于执行各种运算处理,且控制直接描绘装置100内的各部分的动作的信息处理部。图17是表示直接描绘装置100的上述各部分与控制部70之间的连接结构的框图。如图17所示,控制部70与上述的旋转机构21、线性马达23a、25a、激光射出部31、第一干涉仪34、第二干涉仪35、照明光学系统53、激光驱动部55、投影光学系统517以及定位相机60电连接。控制部70例如由具有CPU和存储器的计算机构成,计算机按照安装在计算机中的程序进行动作,由此控制上述各部分的动作。
另外,上述那样构成的控制部70控制描绘动作,如图18所示,作为控制部70的计算机71具有CPU、存储器72等,与曝光控制部514配置在电气安装架(省略图示)内。图18是表示用于控制描绘动作的控制部的框图。计算机71内的CPU按照规定的程序进行运算处理,由此实现光栅化(rasterize)部73以及数据生成部75。
例如,相当于一个半导体封装件的图案的数据是通过外部的CAD等制作的图案数据,作为布线图案数据76预先存储在存储器72中,基于该布线图案数据76和数据生成部75,如后所述,在基板W上描绘半导体封装的描绘图案。此外,在此,计算机71发挥图15所示的描绘信号处理部513的功能。此外,布线图案数据76相当于上述的设计数据D0或修正设计数据D1。
光栅化部73将通过数据生成部75生成的描绘数据表示的单位区域分割来进行光栅化,生成光栅数据77,且保存在存储器72中。在这样准备光栅数据77后,或者与准备光栅数据77的动作并行地,描绘未处理的基板W。
另一方面,数据生成部75取得来自定位相机60的图像数据,例如,根据已经在基板W上形成的电极垫的检测结果生成与配置偏差对应的电极连接数据。此外,对于该数据生成动作,在生成一个分割区域的数据的动作结束时,将生成后的光栅数据77向曝光控制部514发送。
这样生成的描绘数据从数据生成部75向曝光控制部514发送,曝光控制部514通过控制光调制单元512、工作台移动机构20的各部分,进行一个条纹的描绘动作。此外,如图15所示,经由描绘控制部515来执行曝光控制部514对光调制单元512的控制。另外,在对一个条纹的曝光记录结束时,对下一个分割区域进行同样的处理,按照各个条纹,反复进行描绘。在本实施方式中,本发明的控制部由控制部70、描绘控制部515、曝光控制部514以及驱动电路单元536等实现。
另外,直接描绘装置100在进行每个条纹的描绘动作时,通过由图15所示的描绘控制部515执行的通过曝光控制部514控制光调制单元512的动作,基于针对将基板W划分形成的多个区块203(图6A)而设定的曝光条件,以区块为单位进行曝光动作。该曝光条件例如通过上述的第一实施例、第二实施例、第三实施例或第四实施例等设定。
在本实施方式中,图18所示的计算机71设置在直接描绘装置100中,但是,也可以将该计算机71设置在图1所示的图像处理装置3内。
<工作台的位置控制>
该直接描绘装置100具有基于上述的第一干涉仪34、第二干涉仪35的各测量结果控制工作台10的位置的功能。以下说明这样的工作台10的位置控制动作。
如上所述,第一干涉仪34以及第二干涉仪35分别测量与工作台10的第一部位10a以及第二部位10b的位置对应的位置参数。第一干涉仪34以及第二干涉仪35将分别通过测量取得的位置参数向控制部70发送。如图18所示,控制部70具有作为计算部的计算机71。例如通过计算机71的CPU按照规定的程序进行动作,来实现该计算机71的功能。
另一方面,控制部70基于从第一干涉仪34以及第二干涉仪35接收的位置参数,计算出工作台10的位置(Y轴方向的位置以及围绕Z轴的旋转角度)。接着,控制部70一边参照计算出的工作台10的位置,一边使工作台移动机构20动作,由此正确地控制工作台10的位置和工作台10的移动速度。在此,控制部70也能够通过使工作台10围绕Z轴旋转,修正工作台10因在主扫描方向上移动而产生的倾斜(围绕Z轴的旋转角度的错位)。另外,控制部70一边参照计算出的工作台10的位置,一边使激光驱动部55动作,由此正确地控制脉冲光在基板W的表面上的照射位置。
<直接描绘装置的动作>
接着,参照图19的流程图说明上述的直接描绘装置100的动作的一个例子。
在直接描绘装置100中进行基板W的处理时,首先,进行对从光学头部50照射的脉冲光的位置和光量进行调整的校准处理(步骤S1)。在校准处理中,首先,通过使基座板24移动,将未图示的CCD相机配置在光学头部50的下方。然后,一边使CCD相机在副扫描方向上移动,一边从光学头部50照射脉冲光,通过CCD相机拍摄被照射的脉冲光。控制部70基于取得的图像数据,使光学头部50的照明光学系统53动作,由此,调整从光学头部50照射的脉冲光的位置和光量。
在校准处理结束时,接着,操作者或者搬运机械手120搬入基板W,将其载置在工作台10的上表面上(步骤S2)。
接着,直接描绘装置100进行对载置在工作台10上的基板W与光学头部50之间的相对位置进行调整的定位处理(步骤S3)。在上述的步骤S2中,基板W载置在工作台10上的大致规定的位置,但是,大多不满足用于描绘微细图案的位置精度。因此,通过进行定位处理,对基板W的位置和倾斜进行微调整,从而能够提高后续的描绘处理的精度。
在定位处理中,首先,通过定位相机60分别拍摄在基板W的上表面的四个角上形成的定位标记。控制部70基于定位相机60取得的图像中的各定位标记的位置,计算出从基板W的理想位置偏离的偏离量(X轴方向的位置偏离量、Y轴方向的位置偏离量以及围绕Z轴的倾斜量)。并且,以使计算出的偏离量减小的方式使工作台移动机构20动作,来修正基板W的位置。
接着,直接描绘装置100对定位处理后的基板W进行描绘处理(步骤S4)。即,直接描绘装置100一边使工作台10在主扫描方向以及副扫描方向上移动,一边从光学头部50向基板W的上表面照射脉冲光,由此,按照对基板W内进行划分而形成的多个区块,在基板W的上表面描绘规则图案。
在描绘处理结束时,直接描绘装置100使工作台移动机构20动作,来将工作台10以及基板W移动至搬出位置。然后,操作者或搬运机械手120从工作台10的上表面搬出基板W(步骤S5)。
<变形实施>
在上述实施方式的直接描绘装置100中,基板W相对于光学头部50等移动,但是,也可以使光学头部50等相对于被固定支撑的基板W移动,来实现相对移动。
曝光装置不限于上述直接描绘装置100,只要是以将基板W内进行划分而形成的区块为单位来设定曝光条件的曝光装置,都能够适用本发明,例如,也可以是将形成在中间掩模上的图案缩小投影的分级器(缩小投影型曝光装置)。

Claims (12)

1.一种曝光装置用的GUI装置,该曝光装置以区块为单位,对形成在圆形的基板的表面上的光致抗蚀剂膜实施曝光处理,其特征在于,
具有:
显示部,其具有画面,
操作部,其对显示部的画面进行操作,
显示控制部,其对显示部的画面显示进行控制;
显示控制部具有:
初始画面显示部,其在显示部的画面上显示具有选择显示区域和选择输入区域的初始画面,所述选择显示区域包括基板外形以及对基板内进行划分而形成的多个区块,所述选择输入区域用于输入与选择圆相关的选择信息,
选择圆显示部,其基于所述选择信息,以与基板外形呈同心圆状的方式,将选择圆显示在显示部的画面上,
选择区块显示部,其将基于所述选择信息选择的选择区块突出显示在显示部的画面上,
曝光条件输入显示部,其将曝光条件输入区域显示在显示部的画面上,所述曝光条件输入区域用于输入对选择区块实施曝光处理时的曝光条件;
所述显示控制部利用所述选择圆显示部的功能和所述选择区块显示部的功能,通过一次的所述选择信息的输入,选择出与所述基板外形呈同心圆状配置的多个选择区块;
作为与所述选择圆相关的所述选择信息,所述选择输入区域具有:用于输入与所述选择圆的大小相关的信息的输入区域,和用于输入与所述选择圆的内侧或外侧相关的信息的输入区域。
2.根据权利要求1所述的曝光装置用的GUI装置,其特征在于,
作为与选择圆相关的选择信息,选择输入区域具有用于输入与距选择圆的选择宽度相关的信息的输入区域。
3.根据权利要求1所述的曝光装置用的GUI装置,其特征在于,
作为与选择圆相关的选择信息,选择输入区域具有用于输入与是否选择选择圆上的区块相关的信息的输入区域。
4.根据权利要求1所述的曝光装置用的GUI装置,其特征在于,
曝光条件输入区域是用于输入与曝光图案的尺寸变更相关的曝光条件的输入区域。
5.根据权利要求1所述的曝光装置用的GUI装置,其特征在于,
曝光条件输入区域是用于输入选择标准曝光动作或测试曝光动作的曝光条件的输入区域。
6.一种曝光系统,其特征在于,
具有:
权利要求1至5中任一项所述的曝光装置用的GUI装置;
以区块为单位对形成在圆形的基板的表面上的光致抗蚀剂膜实施曝光处理的曝光装置。
7.根据权利要求6所述的曝光系统,其特征在于,
曝光装置是使被空间调制的光束在所述光致抗蚀剂膜上扫描,来描绘曝光图案的直接描绘装置。
8.一种曝光条件设定方法,其特征在于,
包括:
初始画面显示工序,在GUI装置的显示部的画面上显示初始画面,所述初始画面具有选择显示区域和选择输入区域,所述选择显示区域包括基板外形以及将基板内进行划分而形成的多个区块,所述选择输入区域用于输入与选择圆相关的选择信息,
选择信息输入工序,通过GUI装置的操作部,在初始画面的选择输入区域中输入与选择圆相关的选择信息,
选择圆显示工序,基于通过选择信息输入工序输入的选择信息,以与基板外形呈同心圆状的方式,在显示部的画面上显示选择圆,
选择区块显示工序,将基于所述选择信息选择的选择区块突出显示在显示部的画面上,
曝光条件输入显示工序,在显示部的画面上显示曝光条件输入区域,所述曝光条件输入区域用于输入对选择区块实施曝光处理时的曝光条件,
曝光条件输入工序,通过操作部向曝光条件输入区域输入曝光条件;
利用所述选择圆显示工序和所述选择区块显示显示工序,通过一次的所述选择信息输入工序,选择出与所述基板外形呈同心圆状配置的多个选择区块;
作为与所述选择圆相关的所述选择信息,所述选择信息输入工序包括:用于输入与所述选择圆的大小相关的信息的工序,和用于输入与所述选择圆的内侧或外侧相关的信息的工序。
9.根据权利要求8所述的曝光条件设定方法,其特征在于,
作为与选择圆相关的选择信息,选择信息输入工序还包括用于输入与距选择圆的选择宽度相关的信息的工序。
10.根据权利要求8所述的曝光条件设定方法,其特征在于,
作为与选择圆相关的选择信息,选择信息输入工序还包括用于输入与是否选择选择圆上的区块相关的信息的工序。
11.根据权利要求8所述的曝光条件设定方法,其特征在于,
在曝光条件输入工序中输入的曝光条件是与曝光图案的尺寸变更相关的曝光条件。
12.根据权利要求8所述的曝光条件设定方法,其特征在于,
在曝光条件输入工序中输入的曝光条件是用于选择标准曝光动作或测试曝光动作的曝光条件。
CN201410502753.2A 2013-09-26 2014-09-26 曝光装置用的gui装置、曝光系统及曝光条件设定方法 Active CN104991422B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013-199227 2013-09-26
JP2013199227A JP6200253B2 (ja) 2013-09-26 2013-09-26 露光装置用のgui装置、露光システム、露光条件設定方法およびプログラム

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104991422A CN104991422A (zh) 2015-10-21
CN104991422B true CN104991422B (zh) 2017-07-18

Family

ID=52832987

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410502753.2A Active CN104991422B (zh) 2013-09-26 2014-09-26 曝光装置用的gui装置、曝光系统及曝光条件设定方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6200253B2 (zh)
KR (1) KR101802561B1 (zh)
CN (1) CN104991422B (zh)
TW (1) TWI612392B (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6280392B2 (ja) * 2014-02-27 2018-02-14 株式会社Screenホールディングス 直接描画装置用のgui装置、直接描画システム、描画領域設定方法およびプログラム
US10761430B2 (en) * 2018-09-13 2020-09-01 Applied Materials, Inc. Method to enhance the resolution of maskless lithography while maintaining a high image contrast
WO2022065048A1 (ja) * 2020-09-24 2022-03-31 株式会社ニコン パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及びパターン露光装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005259199A (ja) * 2004-03-09 2005-09-22 Sony Corp レーザー露光装置及びレーザー露光方法
TW201314376A (zh) * 2011-09-30 2013-04-01 Dainippon Screen Mfg 直接描繪裝置用之圖像顯示裝置及記錄媒體

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0927445A (ja) * 1995-07-13 1997-01-28 Nikon Corp ショットマップ作成方法
JPH10256114A (ja) * 1997-03-10 1998-09-25 Sony Corp フォトレジスト膜のパターン形成方法
JP2002287372A (ja) * 2001-03-23 2002-10-03 Sony Corp 情報記録媒体露光装置の露光条件設定装置及び情報記録媒体露光装置の露光条件設定方法
JP2003188089A (ja) * 2001-12-21 2003-07-04 Canon Inc 露光条件算出方法、露光条件算出プログラム、記録媒体、レチクルの製造方法、構造体の製造方法、装置及び露光条件算出サービス提供方法
JP2004193208A (ja) * 2002-12-09 2004-07-08 Canon Inc 情報処理装置
JP4471625B2 (ja) * 2003-10-30 2010-06-02 新光電気工業株式会社 直接露光システムおよびユーザインタフェース
JP5075646B2 (ja) * 2008-01-09 2012-11-21 株式会社日立ハイテクノロジーズ 半導体欠陥検査装置ならびにその方法
JP5752967B2 (ja) * 2011-03-29 2015-07-22 株式会社Screenホールディングス パターン描画方法、パターン描画装置およびコンピュータプログラム
ES2395661B1 (es) * 2011-07-08 2014-02-13 Arraela, S.L. Material para la absorción y atenuacion de neutrones.
JP5946620B2 (ja) * 2011-09-30 2016-07-06 株式会社Screenホールディングス 直接描画装置用の画像表示装置、およびプログラム
JP5801674B2 (ja) * 2011-09-30 2015-10-28 株式会社Screenホールディングス 直接描画装置用の画像表示装置、およびプログラム

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005259199A (ja) * 2004-03-09 2005-09-22 Sony Corp レーザー露光装置及びレーザー露光方法
TW201314376A (zh) * 2011-09-30 2013-04-01 Dainippon Screen Mfg 直接描繪裝置用之圖像顯示裝置及記錄媒體

Also Published As

Publication number Publication date
CN104991422A (zh) 2015-10-21
KR20150034605A (ko) 2015-04-03
TWI612392B (zh) 2018-01-21
JP2015065360A (ja) 2015-04-09
JP6200253B2 (ja) 2017-09-20
KR101802561B1 (ko) 2017-11-28
TW201514636A (zh) 2015-04-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103515267B (zh) 布线数据的生成装置、生成方法及描画装置
CN104991422B (zh) 曝光装置用的gui装置、曝光系统及曝光条件设定方法
JP6321512B2 (ja) 配線データの生成装置、生成方法、および描画システム
US20230359802A1 (en) Wiring data generation apparatus, drawing system, and wiring data generation method
CN106997151B (zh) 光斑布局结构、面形测量方法及曝光视场控制值计算方法
KR101917014B1 (ko) 직접 묘화 장치용의 gui 장치, 직접 묘화 시스템, 묘화 영역 설정 방법 및 프로그램
CN105992997B (zh) 图案描画装置用的gui装置、图案描画系统、作业单更新方法及记录介质
JP2016071135A (ja) 描画方法
JP2020013042A (ja) 描画装置および描画方法
TWI807775B (zh) 描繪裝置以及描繪方法
JP2020046460A (ja) 描画装置、及び描画方法
CN110930316A (zh) 灰度图像的处理曝光方法、装置、系统和设备
JP2015022067A (ja) パターン描画装置およびパターン描画方法
JP2006259204A (ja) パターン描画装置、パターン検査装置、基板、パターン描画方法およびパターン検査方法
CN107710383A (zh) 带电粒子束曝光装置及器件制造方法
JPH10112435A (ja) 露光方法及び露光装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant