CN107622975A - 一种显示面板及其制程 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种显示面板及其制程，显示面板制程包括：提供一基板层；在所述基板层上形成薄膜晶体管；在所述薄膜晶体管上形成一层平坦层；在所述平坦层上形成辅助电极层；在所述辅助电极层上依次沉积多层薄膜，所述多层薄膜中单层薄膜的致密性从下往上逐渐增大；对所述多层薄膜涂敷光阻、曝光、显影形成预设图案，形成预设图案的所述多层薄膜的宽度相等；对所述多层薄膜进行干蚀刻，以使所述多层薄膜中单层薄膜的宽度从下往上逐渐变大；去除所述多层薄膜上的涂覆光阻，形成倒梯形的阴极隔离柱。阴极隔离柱具有制程稳定性好，大板均一性好的特点，并在后续制程中不容易从基板上脱落。简化了制作倒梯形的阴极隔离柱的制程，提高了效率。
Description
【技术领域】
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种显示面板及显示面板栅极信号的控制方法。
【背景技术】
现有的显示面板主要包括有液晶(Liquid Crystal Display，LCD)显示面板和OLED(Organic Light Emitting Diode，OLED)显示面板。其中，OLED显示面板具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示面板。随着OLED显示面板的工艺、制程的提升，以及成本的降低，OLED电视逐渐普及，为更多人所认识和接受。
而且，因OLED具有超越LCD的显示特性与品质：例如轻薄化，短的反应时间，低的驱动电压更好的显示色彩以及显示视角等优点，其受到大家广泛的关注，近些年其发展日新月异，不仅可以制作曲面显示，同时也逐渐向大尺寸发展。但是大尺寸又存在IR DropIssue,甚至目视可见Mura,故在工艺上制作辅助电极以及阴极隔离柱，将阴极隔离开从而达到单独控制阴极，从而减少IR Drop的问题，改善显示问题.
传统的阴极隔离柱制作方式是通过有机光阻涂敷，曝光，显影制作而成，通过控制工艺参数形成倒梯形；稳定性差。
【发明内容】
本发明的一个目的在于提供一种显示面板的制程，其阴极隔离柱稳定性好。
本发明的另一个目的在于提供一种显示面板，其阴极隔离柱稳定性好。
为解决上述问题，本发明的优选实施例提供了一种显示面板的制程，所述显示面板的制程包括：
提供一基板层；
在所述基板层上形成薄膜晶体管；
在所述薄膜晶体管上形成一层平坦层；
在所述平坦层上形成辅助电极层；
在所述辅助电极层上依次沉积多层薄膜，所述多层薄膜中单层薄膜的致密性从下往上逐渐增大；
对所述多层薄膜涂敷光阻、曝光、显影形成预设图案，形成预设图案的所述多层薄膜的宽度相等；
对所述多层薄膜进行干蚀刻，以使所述多层薄膜中单层薄膜的宽度从下往上逐渐变大；
去除所述多层薄膜上的涂覆光阻，形成倒梯形的阴极隔离柱。
在本发明优选实施例的显示面板的制程中，所述多层薄膜中单层薄膜的致密性从下往上逐渐增大，包括：
所述多层薄膜包括至少三层薄膜，所述多层薄膜中相邻薄膜的致密性的差值从下往上逐渐增大或减小。
在本发明优选实施例的显示面板的制程中，在所述辅助电极层上依次沉积多层薄膜，包括：
通过化学气相沉积法在所述辅助电极层上依次沉积多层薄膜。
在本发明优选实施例的显示面板的制程中，在所述辅助电极层上依次沉积多层薄膜的步骤，包括：
多次进入机台，其中每次进入机台在所述辅助电极层上沉积一层薄膜。
在本发明优选实施例的显示面板的制程中，在所述辅助电极层上依次沉积多层薄膜的步骤，包括：
进入一次机台，在所述辅助电极层上多步骤沉积多层薄膜。
在本发明优选实施例的显示面板的制程中，在制程过程中通入SiNx、N2、NH3、TEOS、N2O中一种或多种气体。
在本发明优选实施例的显示面板的制程中，所述辅助电极由ITO、Mo、AL、Ti、Cu及其合金中的一种或多种形成。
在本发明优选实施例的显示面板的制程中，所述平坦化层为化学气相沉积法沉积形成的薄膜。
为解决上述问题，本发明的优选实施例还提供了一种显示面板，所述显示面板包括：
一基板层；
薄膜晶体管，形成在所述基板层上；
一平坦层，形成在所述薄膜晶体管上；
一辅助电极层，形成在所述平坦层上；
一阴极隔离柱，形成在所述辅助电极层上，所述阴极隔离柱包括多层薄膜，所述多层薄膜中单层薄膜的致密性从下往上逐渐增大，所述多层薄膜中单层薄膜的宽度从下往上逐渐增大，所述阴极隔离柱呈倒梯形。
在本发明优选实施例的显示面板中，所述多层薄膜包括至少三层薄膜，所述多层薄膜中相邻薄膜的致密性的差值从下往上逐渐增大或减小。
相对于现有技术，本发明的有益效果是：采用多层致密性不同的薄膜形成阴极隔离柱，多层薄膜的致密性从下往上逐渐变大，最后干蚀刻，由于薄膜的特性形成倒梯形的阴极隔离柱。如此方式形成的阴极隔离柱具有制程稳定性好，大板均一性好的特点，并在后续制程中不容易从基板上脱落。简化了制作倒梯形的阴极隔离柱的制程，提高了效率。
为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：
【附图说明】
图1为传统的阴极隔离柱形成的示意图；
图2为本发明实施例显示面板的制程流程图；
图3为本发明实施例阴极隔离柱形成步骤1-3的示意图；
图4为本发明实施例阴极隔离柱形成步骤4-7的示意图；
图5为本发明实施例显示面板的示意图。
【具体实施方式】
这里所公开的具体结构和功能细节仅仅是代表性的，并且是用于描述本发明的示例性实施例的目的。但是本发明可以通过许多替换形式来具体实现，并且不应当被解释成仅仅受限于这里所阐述的实施例。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“横向”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。另外，术语“包括”及其任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
这里所使用的术语仅仅是为了描述具体实施例而不意图限制示例性实施例。除非上下文明确地另有所指，否则这里所使用的单数形式“一个”、“一项”还意图包括复数。还应当理解的是，这里所使用的术语“包括”和/或“包含”规定所陈述的特征、整数、步骤、操作、单元和/或组件的存在，而不排除存在或添加一个或更多其他特征、整数、步骤、操作、单元、组件和/或其组合。
在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。
下面参考图1至图5描述本发明实施例一种显示面板及其制程。
根据本发明实施例，如图1至图5所示，图1为传统的阴极隔离柱形成的示意图；图2为本发明实施例显示面板的制程流程图；图3为本发明实施例阴极隔离柱形成步骤1-3的示意图；图4为本发明实施例阴极隔离柱形成步骤4-7的示意图；图5为本发明实施例显示面板的示意图。
如图1所示，传统的阴极隔离柱制作过程包括：
在步骤1中，提供基板110，基板110上设有制作好的TFT器件(图中未示出)，基板110上设有辅助电极120。
在步骤2中，辅助电极120上涂覆一层光阻130。
在步骤3中，对涂覆光阻130的基板曝光。
在步骤4中，显影，并形成倒梯形的阴极隔离柱141。
如图2所示，本发明实施例公开了一种显示面板的制程，所述显示面板的制程包括步骤S101-S108。
S101：提供一基板层。其中，基板层可以为低温多晶硅(LTPS，low temperaturepoly-silicon)基板。也可以为玻璃基板、树脂基板等。还可以是Oxide TFT or SPC等任何TFT。
S102：在所述基板层上形成薄膜晶体管。在所述基板层上形成第一金属层，所述第一金属层包括栅极线；在所述第一金属层上形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成第二金属层，所述第二金属层与所述栅极线形成薄膜晶体管。
S103：在所述薄膜晶体管上形成一层平坦层。平坦化层可以是CVD(ChemicalVapor Deposition，化学气相沉积法)方式沉积的薄膜或者PI材料，或者两者的结合。
S104：在所述平坦层上形成辅助电极层。辅助电极可以是Mo、AL、Ti、Cu等金属以及合金，还可以是ITO。
S105：在所述辅助电极层上依次沉积多层薄膜，所述多层薄膜中单层薄膜的致密性从下往上逐渐增大。其中，可以通过化学气相沉积法在所述辅助电极层上依次沉积多层薄膜。
S106：对所述多层薄膜涂敷光阻、曝光、显影形成预设图案，形成预设图案的所述多层薄膜的宽度相等。
S107：对所述多层薄膜进行干蚀刻，以使所述多层薄膜中单层薄膜的宽度从下往上逐渐变大。
S108：去除所述多层薄膜上的涂覆光阻，形成倒梯形的阴极隔离柱。
本发明实施例中，采用多层致密性不同的薄膜形成阴极隔离柱，多层薄膜的致密性从下往上逐渐变大，最后干蚀刻，由于薄膜的特性形成倒梯形的阴极隔离柱。如此方式形成的阴极隔离柱具有制程稳定性好，大板均一性好的特点，并在后续制程中不容易从基板上脱落。简化了制作倒梯形的阴极隔离柱的制程，提高了效率。
可选的，所述多层薄膜中单层薄膜的致密性从下往上逐渐增大，具体包括：
所述多层薄膜包括至少三层薄膜，所述多层薄膜中相邻薄膜的致密性的差值从下往上逐渐增大。
如此设计，多层薄膜从下往上，相邻薄膜的致密性的差值越来越大，后期干蚀刻后，相邻薄膜的宽度的差值也越来越大，即倒梯形的底边和顶边的宽度差越大，阴极隔离柱所占的空间越小，节约空间。
可选的，所述多层薄膜中单层薄膜的致密性从下往上逐渐增大，具体包括：
所述多层薄膜包括至少三层薄膜，所述多层薄膜中相邻薄膜的致密性的差值从下往上逐渐减小
如此设计，多层薄膜从下往上，相邻薄膜的致密性的差值越来越小，后期干蚀刻后，相邻薄膜的宽度的差值也越来越小，即倒梯形的底边和顶边的宽度差越小，阴极隔离柱的稳定性越好，将阴极隔离开从而达到单独控制阴极，从而减少IR Drop的问题，改善显示问题，提高显示效果。
进一步的，在制程过程中通入SiNx、N2、NH3、TEOS、N2O等一种或者几种气体组合；能够保证制程过程中的稳定性，提高制程的成功率。
在一些实施例中，蚀刻过程可以是ICP(Inductively coupled plasma)或ECCP(Enhance Cathode Couple Plasma Mode)或RIE(Reactive Ion Etching)等任何蚀刻腔体。
在一些实施例中，形成倒梯形的阴极隔离柱后，继续执行后续的蒸镀制程。后续的蒸镀制程包含有机材料以及阴极，阴极被阴极隔离柱隔断。
可选的，在所述辅助电极层上依次沉积多层薄膜的步骤，包括：
多次进入机台，其中每次进入机台在所述辅助电极层上沉积一层薄膜。沉积效果更好。
可选的，在所述辅助电极层上依次沉积多层薄膜的步骤，包括：
进入一次机台，在所述辅助电极层上多步骤沉积多层薄膜。简化操作步骤。
在一些实施例中，阴极隔离柱除了设置在辅助电极上，还可以设置在PDL(pixeldefine layer，像素定义层)层或坝(bank)层上。
上述实施方式的显示面板制程可以应用在普通显示面板上，也可以应用于AMOLED或者IJP(喷墨打印)技术上。
如图3和图4所示，在本实施例的阴极隔离柱制作过程包括：
在步骤1中，提供基板111，基板111上设有制作好的TFT器件(图中未示出)，基板111上设有辅助电极121。
在步骤2中，辅助电极121上沉积CVD薄膜140，CVD薄膜140为多次沉积，由下至上薄膜逐渐致密。
在步骤3中，在CVD薄膜140上涂覆光阻131并曝光
在步骤4中，显影，制作图像。
在步骤5中，干蚀刻，将超出光阻的CVD薄膜140去除。
在步骤6中，干蚀刻后，由于CVD薄膜140由上向下逐渐疏松，故形成倒梯形隔离柱131、141。
在步骤7中，剥离光阻后，CVD薄膜形成的阴极隔离柱141形成。
如图5所示，本发明实施例还公开一种显示面板，所述显示面板包括基板层111、薄膜晶体管、平坦层171、辅助电极层121和阴极隔离柱141。
其中，基板层111可以为低温多晶硅(LTPS，low temperature poly-silicon)基板。也可以为玻璃基板、树脂基板等。还可以是Oxide TFT or SPC等任何TFT。薄膜晶体管形成在所述基板层上。
平坦层171形成在所述薄膜晶体管上。平坦化层171可以是CVD(Chemical VaporDeposition，化学气相沉积法)方式沉积的薄膜或者PI材料，或者两者的结合。
辅助电极层121形成在所述平坦层上。辅助电极121可以是Mo、AL、Ti、Cu等金属以及合金，还可以是ITO。
阴极隔离柱141形成在所述辅助电极层121上，所述阴极隔离柱141包括多层薄膜，所述多层薄膜中单层薄膜140的致密性从下往上逐渐增大，所述多层薄膜中单层薄膜140的宽度从下往上逐渐增大，所述阴极隔离柱141呈倒梯形。
本发明实施例中，采用多层致密性不同的薄膜140形成阴极隔离柱141，多层薄膜的致密性从下往上逐渐变大，最后干蚀刻，由于薄膜的特性形成倒梯形的阴极隔离柱。如此方式形成的阴极隔离柱具有制程稳定性好，大板均一性好的特点，并在后续制程中不容易从基板上脱落。简化了制作倒梯形的阴极隔离柱的制程，提高了效率。
可选的，所述多层薄膜包括至少三层薄膜，所述多层薄膜中相邻薄膜的致密性的差值从下往上逐渐增大
如此设计，多层薄膜从下往上，相邻薄膜的致密性的差值越来越大，后期干蚀刻后，相邻薄膜的宽度的差值也越来越大，即倒梯形的底边和顶边的宽度差越大，阴极隔离柱所占的空间越小，节约空间。
可选的，所述多层薄膜包括至少三层薄膜，所述多层薄膜中相邻薄膜的致密性的差值从下往上逐渐减小。
如此设计，多层薄膜从下往上，相邻薄膜的致密性的差值越来越小，后期干蚀刻后，相邻薄膜的宽度的差值也越来越小，即倒梯形的底边和顶边的宽度差越小，阴极隔离柱的稳定性越好，将阴极隔离开从而达到单独控制阴极，从而减少IR Drop的问题，改善显示问题，提高显示效果。
在一些实施例中，阴极隔离柱141除了设置在辅助电极121上，还可以设置在PDL(pixel define layer，像素定义层)层181或坝(bank)层上。
所述显示面板还可以包括第一绝缘层151、第一金属层和第二绝缘层161。
第一绝缘层151设置在基板111上。第一金属层设置在第一绝缘层151上，包括栅极线191、194。第二绝缘层161设置在第一金属层上。
虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。
Claims (10)
1.一种显示面板的制程，其特征在于，包括：
提供一基板层；
在所述基板层上形成薄膜晶体管；
在所述薄膜晶体管上形成一层平坦层；
在所述平坦层上形成辅助电极层；
在所述辅助电极层上依次沉积多层薄膜，所述多层薄膜中单层薄膜的致密性从下往上逐渐增大；
对所述多层薄膜涂敷光阻、曝光、显影形成预设图案，形成预设图案的所述多层薄膜的宽度相等；
对所述多层薄膜进行干蚀刻，以使所述多层薄膜中单层薄膜的宽度从下往上逐渐变大；
去除所述多层薄膜上的涂覆光阻，形成倒梯形的阴极隔离柱。
2.根据权利要求1所述的显示面板的制程，其特征在于，所述多层薄膜中单层薄膜的致密性从下往上逐渐增大，包括：
所述多层薄膜包括至少三层薄膜，所述多层薄膜中相邻薄膜的致密性的差值从下往上逐渐增大或减小。
3.根据权利要求1所述的显示面板的制程，其特征在于，在所述辅助电极层上依次沉积多层薄膜，包括：
通过化学气相沉积法在所述辅助电极层上依次沉积多层薄膜。
4.根据权利要求1所述的显示面板的制程，其特征在于，在所述辅助电极层上依次沉积多层薄膜的步骤，包括：
多次进入机台，其中每次进入机台在所述辅助电极层上沉积一层薄膜。
5.根据权利要求1所述的显示面板的制程，其特征在于，在所述辅助电极层上依次沉积多层薄膜的步骤，包括：
进入一次机台，在所述辅助电极层上多步骤沉积多层薄膜。
6.根据权利要求1所述的显示面板的制程，其特征在于，在制程过程中通入SiNx、N2、NH3、TEOS、N2O中一种或多种气体。
7.根据权利要求1所述的显示面板的制程，其特征在于，所述辅助电极由ITO、Mo、AL、Ti、Cu及其合金中的一种或多种形成。
8.根据权利要求1所述的显示面板的制程，其特征在于，所述平坦化层为化学气相沉积法沉积形成的薄膜。
9.一种显示面板，其特征在于，包括：
一基板层；
薄膜晶体管，形成在所述基板层上；
一平坦层，形成在所述薄膜晶体管上；
一辅助电极层，形成在所述平坦层上；
一阴极隔离柱，形成在所述辅助电极层上，所述阴极隔离柱包括多层薄膜，所述多层薄膜中单层薄膜的致密性从下往上逐渐增大，所述多层薄膜中单层薄膜的宽度从下往上逐渐增大，所述阴极隔离柱呈倒梯形。
10.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述多层薄膜包括至少三层薄膜，所述多层薄膜中相邻薄膜的致密性的差值从下往上逐渐增大或减小。
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