CN107604440A - 一种抑制石英容器对磷化铟熔体污染的方法 - Google Patents
一种抑制石英容器对磷化铟熔体污染的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107604440A CN107604440A CN201710819817.5A CN201710819817A CN107604440A CN 107604440 A CN107604440 A CN 107604440A CN 201710819817 A CN201710819817 A CN 201710819817A CN 107604440 A CN107604440 A CN 107604440A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- indium phosphide
- indium
- quartz container
- metal
- melt
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
本发明公开了一种抑制石英容器对磷化铟熔体污染的方法，用扩散法合成磷化铟时，在密封的石英容器中放置磷和金属铟，在2.5小时内将磷蒸汽压力升到27.5大气压，将金属铟加热到1090℃，加快反应速度，可合成致密的磷化铟多晶锭。生成的磷化铟多晶锭载流子浓度均在1015cm‑3范围内。
Description
技术领域
本发明涉及一种抑制对磷化铟熔体污染的方法，尤其涉及抑制石英容器对磷化铟熔体污染的方法。
背景技术
扩散法制取磷化铟是由磷蒸汽和放置于石英容器中的液态铟在高温下合成的。由于石英主要成分是二氧化硅，硅作为四族元素，在高温下会扩散进入三五族化合物的磷化铟，成为污染磷化铟的电活性杂质，将严重影响磷化铟的电性能。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的不足，提供一种抑制石英容器对磷化铟熔体污染的方法。
发明人研究表明，金属铟在高温时，对石英容器内壁有明显的侵蚀，并随温度升高和接触时间延长而侵蚀加剧，在约1100℃时，接触数小时后，可使石英容器内壁变成毛玻璃状；另外，用同样尺寸的热解氮化硼坩埚代替石英坩埚，用在注入法合成磷化铟时，由于反应快，时间短，石英坩埚内壁无明显的侵蚀痕迹，合成的磷化铟载流子浓度相当，未见磷化铟纯度提高。由此可见石英坩埚对磷化铟熔体的污染是微不足道的。
基于上述研究，发明人认为石英容器对磷化铟熔体的污染是由反应前期金属铟在高温下对石英容器内壁侵蚀造成的，一旦反应合成磷化铟，石英容器对磷化铟熔体的污染微乎其微。因此，加快磷化铟合成速度，减少金属铟与石英容器接触时间是抑制石英容器对磷化铟熔体污染的关键。
实现本发明目的的技术方案是：
一种抑制石英容器对磷化铟熔体污染的方法，用扩散法合成磷化铟时，在密封的石英容器中放置磷和金属铟，在2.5小时内将磷蒸汽压力升到27.5大气压， 将金属铟加热到1090℃，反应合成致密的磷化铟多晶锭。生成的磷化铟多晶锭载流子浓度均在1015cm-3范围内。
因为上述反应使熔体中的金属铟的比例迅速下降，减少了金属铟在高温时对石英容器内壁的侵蚀，石英容器对生成的磷化铟熔体的污染也是微乎其微，磷化铟熔体其后在长达16-20小时做定向结晶，最终得到的磷化铟多晶锭也不会和石英容器粘连，石英容器内壁光滑如初，无明显侵蚀痕迹。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明再作进一步详细的说明。
一种抑制石英容器对磷化铟熔体污染的方法，用扩散法合成磷化铟时，在密封的石英容器中放置磷和金属铟，在2.5小时内将磷蒸汽压力升到27.5大气压，将金属铟加热到1090℃，反应合成致密的磷化铟多晶锭。
因为上述反应条件，迅速生成磷化铟熔体，使熔体中的金属铟的比例迅速下降，减少了金属铟在高温时对石英容器内壁的侵蚀，石英容器对生成的磷化铟熔体的污染也是微乎其微，磷化铟熔体其后在长达16-20小时做定向结晶，最终得到的磷化铟多晶锭不会和石英容器粘连，石英容器内壁光滑如初，无明显侵蚀痕迹。上述方法生成的磷化铟多晶锭载流子浓度均在1015cm-3范围内，和注入法制得的磷化铟多晶的载流子浓度相当，而现有技术的扩散法制得的磷化铟多晶的载流子浓度只能维持在3×1016cm-3至6×1015cm-3之间。
除上述实施例外，本发明还可以有其他实施方式，凡采用等同替换或等效变换形成的技术方案，均落在本发明要求的保护范围之内。
Claims (2)
1.一种抑制石英容器对磷化铟熔体污染的方法，其特征在于，用扩散法合成磷化铟时，在密封的石英容器中放置磷和金属铟，在2.5小时内将磷蒸汽压力升到27.5大气压，将金属铟加热到1090℃，反应合成致密的磷化铟多晶锭。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，生成的磷化铟多晶锭载流子浓度均在1015cm-3范围内。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710819817.5A CN107604440A (zh) | 2017-09-13 | 2017-09-13 | 一种抑制石英容器对磷化铟熔体污染的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710819817.5A CN107604440A (zh) | 2017-09-13 | 2017-09-13 | 一种抑制石英容器对磷化铟熔体污染的方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107604440A true CN107604440A (zh) | 2018-01-19 |
Family
ID=61063443
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710819817.5A Pending CN107604440A (zh) | 2017-09-13 | 2017-09-13 | 一种抑制石英容器对磷化铟熔体污染的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN107604440A (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111472047A (zh) * | 2020-05-15 | 2020-07-31 | 广东先导稀材股份有限公司 | 一种磷化铟晶体及其生长方法 |
| CN115537921A (zh) * | 2022-10-24 | 2022-12-30 | 广东先导微电子科技有限公司 | 一种磷化铟的合成方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4783320A (en) * | 1985-11-25 | 1988-11-08 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Rapid synthesis of indium phosphide |
| CN102628180A (zh) * | 2012-04-23 | 2012-08-08 | 南京金美镓业有限公司 | 一种高纯度磷化铟多晶棒的制备方法 |
| CN104911690A (zh) * | 2015-07-01 | 2015-09-16 | 清远先导材料有限公司 | 一种磷化铟单晶的生长方法及生长装置 |
| CN106757360A (zh) * | 2016-12-27 | 2017-05-31 | 珠海鼎泰芯源晶体有限公司 | 磷化铟多晶水平合成装置及压力平衡控制方法 |
-
2017
- 2017-09-13 CN CN201710819817.5A patent/CN107604440A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4783320A (en) * | 1985-11-25 | 1988-11-08 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Rapid synthesis of indium phosphide |
| CN102628180A (zh) * | 2012-04-23 | 2012-08-08 | 南京金美镓业有限公司 | 一种高纯度磷化铟多晶棒的制备方法 |
| CN104911690A (zh) * | 2015-07-01 | 2015-09-16 | 清远先导材料有限公司 | 一种磷化铟单晶的生长方法及生长装置 |
| CN106757360A (zh) * | 2016-12-27 | 2017-05-31 | 珠海鼎泰芯源晶体有限公司 | 磷化铟多晶水平合成装置及压力平衡控制方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 孙聂枫: "InP晶体合成、生长和特性", 《中国博士学位论文全文数据库 信息科技辑》 * |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111472047A (zh) * | 2020-05-15 | 2020-07-31 | 广东先导稀材股份有限公司 | 一种磷化铟晶体及其生长方法 |
| CN111472047B (zh) * | 2020-05-15 | 2021-08-17 | 广东先导稀材股份有限公司 | 一种磷化铟晶体及其生长方法 |
| CN115537921A (zh) * | 2022-10-24 | 2022-12-30 | 广东先导微电子科技有限公司 | 一种磷化铟的合成方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN104045079A (zh) | 在蓝宝石与外延金属界面外延生长石墨烯的方法 | |
| CN102786089B (zh) | 一种生产砷化锌的方法 | |
| CN107604440A (zh) | 一种抑制石英容器对磷化铟熔体污染的方法 | |
| CN109913946A (zh) | 一种气相输运法制备黑砷磷单晶的方法 | |
| CN106587038A (zh) | 一种石墨烯薄膜基底的处理液、处理方法及石墨烯薄膜的制备方法 | |
| JPS55113603A (en) | Manufacture of alpha silicon nitride powder | |
| CA1250131A (en) | Melt consolidation of silicon powder | |
| CN114105157A (zh) | 砷化硼粉体材料的双温区密管合成技术 | |
| JPS6043485A (ja) | アモルフアスシリコン膜の形成方法 | |
| CN108059484A (zh) | 半导体晶体生长用石英坩埚镀氮化硼膜的方法 | |
| CN105908152A (zh) | 一种六方氮化硼薄膜的转移方法 | |
| CN102181924A (zh) | 一种石墨烯的生长方法以及石墨烯 | |
| GB1016578A (en) | Improvements in or relating to processes for the production of high purity monocrystalline silicon | |
| TW200615393A (en) | Raw material liquid for metal organic chemical vapor deposition and method of producing hf-si containing complex oxide film using the raw material liquid | |
| CN108910867A (zh) | 一种mpcvd制备掺杂氮磷石墨烯的方法 | |
| JPS62153189A (ja) | 窒化ホウ素被覆ルツボおよびその製造方法 | |
| CN105347848B (zh) | 一种高温用复合材质石墨加热器的制备方法 | |
| El Jani et al. | In situ etching of GaAs using AsCl3 in MOVPE. I | |
| JPS5271174A (en) | Production of semiconductor device | |
| JPS58181707A (ja) | 窒化ほう素の製造法 | |
| GB832333A (en) | Improvements in methods of producing silane of high purity | |
| CN115537921A (zh) | 一种磷化铟的合成方法 | |
| CN111348680B (zh) | 砷烷的制备方法 | |
| JPS5771127A (en) | Manufacture of semiamorphous semiconductor | |
| Kurashima et al. | High Temperature SiC Reactor Cleaning Using Chlorine Trifluoride Gas Achieved by Purified Pyrolytic Carbon Coating Film |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| TA01 | Transfer of patent application right | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20200103 Address after: Kazuo Economic Development Zone, Chaoyang City, Liaoning Province Applicant after: Chaoyang Jinmei gallium Industry Co., Ltd Address before: 211165 general Avenue, Jiangning Development Zone, Nanjing, Jiangsu Province, No. 718 Nanjing germanium factory Applicant before: Nanjing JinMei Gallium Ltd. |