CN107557001A - β型赛隆荧光体及其制造方法、以及发光构件及发光装置 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及β型赛隆荧光体及其制造方法、以及发光构件及发光装置,一种β型赛隆荧光体，其以β型赛隆作为基质晶体，含有Eu作为发光中心，其中，将Eu的化学状态分为Eu2+、Eu3+、及它们的中间状态(记为Eum)这三种时，它们的存在比例满足0.1<Eum/(Eu2++Eu3++Eum)<0.4且Eu2+/(Eu2++Eu3+)>0.7的关系。
Description
技术领域
本发明涉及被紫外～蓝色的光有效地激发、发出绿色光的β型赛隆荧光体及其制造方法、以及使用β型赛隆荧光体的发光构件及发光装置。
背景技术
Eu离子存在二价和三价的状态，且分别作为荧光体的活化剂而起作用。尤其对于二价的Eu2+，由于能够由4f-5d容许跃迁的吸收带有效地吸收激发能、且能够发光，因此能得到效率良好的荧光体。在作为基质晶体的正硅酸盐、α型及β型赛隆、M2Si5N8、MAlSiN3(M：碱土元素)等中Eu2+活化了的荧光体，由于能被蓝色光有效地激发、以高效率发出绿～红色的荧光，因此被广泛用作白色发光二极管(白色LED)用的荧光体。
对于上述荧光体中存在的Eu，大多除了目标Eu2+以外还共存有Eu3+，为了获得高的荧光特性，期望提高Eu2+的存在比例。Eu2+与Eu3+的比率的定量例如可以通过对Eu-L3吸收端的XANES光谱进行测定来算出。XANES为X-ray Absorption Near Edge Structure(X射线吸收近边精细结构)的简写，是X射线吸收精细结构(XAFS)测定法中的一种光谱法。已知稀土元素在L3吸收端XANES光谱中出现的强吸收峰能量由稀土的价数决定，Eu的情况下，Eu2+在6970eV附近出现，Eu3+在6980eV附近出现，因此能将两峰分离来进行定量。
对于推定为包含各种价数的Eu的荧光体，通过XAFS测定法算出Eu2+与Eu3+的比例，并讨论荧光特性与Eu2+/Eu3+比的相关性。例如显示出，对于用Eu活化了的β型赛隆荧光体，Eu2+/(Eu2++Eu3+)为0.8以上、且亮度高(专利文献1)。
Eu活化了的β型赛隆荧光体不仅具有耐热性及耐久性优异、伴着温度上升的亮度变化小的特征，而且被由紫外至蓝色光的大范围波长的光激发而发出在520～550nm的波长区域具有峰的绿色光，因此作为对白色LED有用的荧光体而进行了实用化。如前述，虽然通过提高Eu2+/(Eu2++Eu3+)，β型赛隆荧光体的亮度会提高，但对进一步高亮度化的迫切期望是强烈的。但是，状况是仅仅通过提高Eu2+/(Eu2++Eu3+)难以进一步提高β型赛隆荧光体的亮度。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特许第5368557号公报
发明内容
发明要解决的问题
本发明是为了解决上述那样的问题而作出的，其目的在于，提供显示高亮度的β型赛隆荧光体及其制造方法、以及使用了具有该特性的β型赛隆荧光体的发光构件及发光装置。
用于解决问题的方案
本发明人等对于β型赛隆荧光体，着眼于Eu的存在状态反复进行深入研究，结果获得如下见解：对于存在于荧光体中的Eu，其存在与Eu2+及Eu3+不同的中间化学状态，使该中间状态的Eu在固定的范围内存在时，荧光体的亮度会变高，从而完成了本发明。
即，本发明为一种β型赛隆荧光体，其以β型赛隆作为基质晶体，含有Eu作为发光中心，其中，将Eu的化学状态分为Eu2+、Eu3+、及它们的中间状态(以后，记为Eum)这三种时，它们的存在比例满足0.1<Eum/(Eu2++Eu3++Eum)<0.4且Eu2+/(Eu2++Eu3+)>0.7的关系。
另外，本发明为前述β型赛隆荧光体的制造方法，其具备如下工序：第一焙烧工序，将至少包含氮化硅、氮化铝及Eu化合物的混合粉末在氮气气氛中、在1550～2100℃下焙烧，得到焙烧粉；第二焙烧工序，向前述焙烧粉中添加选自氮化硅、氧化硅、氮化铝、氧化铝、氧化铕中的一种以上粉末，在氮气气氛中、在1900～2100℃下进行焙烧，得到焙烧物；退火工序，将前述焙烧物在除纯氮以外的非氧化性气氛中在第二焙烧温度以下进行加热；以及酸处理工序，对退火处理粉进行酸处理。
另外，本发明为一种发光构件，其具有：发光元件；1种以上的β型赛隆荧光体，该β型赛隆荧光体吸收由发光元件发出的光并且发出波长比由发光元件发出的光长的光；以及含有β型赛隆荧光体的密封材料，前述β型赛隆荧光体为本发明的β型赛隆荧光体。
另外，本发明为一种发光装置，其使用前述本发明的发光构件。
发明的效果
根据本发明，能够提供显示高亮度的β型赛隆荧光体及其制造方法、以及使用了具有该特性的β型赛隆荧光体的发光构件及发光装置。
附图说明
图1为示出实施例1中得到的β型赛隆荧光体的XANES光谱的说明图。
图2为示出比较例1中得到的β型赛隆荧光体的XANES光谱的说明图。
具体实施方式
本发明的β型赛隆荧光体为如下的β型赛隆荧光体，其以β型赛隆作为基质晶体，并含有Eu作为发光中心，将该Eu的化学状态分为Eu2+、Eu3+、及它们的中间状态(Eum)这三种时，它们的存在比例满足0.1<Eum/(Eu2++Eu3++Eum)<0.4且Eu2+/(Eu2++Eu3+)>0.7的关系。
以往，Eu的化学状态存在Eu2+和Eu3+这两种，将通过XAFS测定得到的XANES光谱分离为Eu2+和Eu3+这两种的峰，算出其比。在XANES光谱中，由于Eu对应于其价数而在规定的能量位置出现吸收峰，因此Eu2+与Eu3+的吸收峰能量之差应该是固定的。但是，对各种β型赛隆荧光体中的Eu的状态进行测定并进行分析，结果得到如下见解：前述吸收峰能量之差不固定，根据试样而不同。这表示在Eu2+与Eu3+的吸收峰之间存在Eu2+与Eu3+的中间状态(Eum)。在XANES光谱中，利用Eu2+的峰在比Eu3+的峰低约8eV的能量处出现，由此能够算出Eu2+、Eu3+及存在于它们中间的Eum的存在比例。β型赛隆荧光体的绿色发光伴着固溶于β型赛隆晶体内的Eu2+的电子跃迁，Eum不直接对发光有贡献。可以认为Eum存在于晶粒界面或颗粒界面处。Eum是在β型赛隆的晶体生长过程中生成的，Eum的存在量可以被认为是与β型赛隆的结晶性相关高的指标。Eum/(Eu2++Eu3++Eum)为0.1以下时，β型赛隆的结晶性低，因此荧光体的亮度变低，Eum/(Eu2++Eu3++Eum)为0.4以上时，在荧光体中对发光没有贡献的β型赛隆晶体以外的比率变高，因此不优选。
另外，对于以往的Eu2+与Eu3+的峰能量差不固定的分析方法，Eum多作为Eu3+成分来评价，存在Eum的情况下，有Eu2+的比例被过小评价的倾向。通过加入了上述Eum的三成分分析，正确的Eu2+与Eu3+的存在比变明确，本发明的β型赛隆荧光体中，优选对发光完全没有贡献的Eu3+尽可能不存在，具体而言，优选Eu2+/(Eu2++Eu3+)大于0.7。
对于作为本发明的β型赛隆荧光体的基质晶体的β型赛隆，是β型氮化硅(Si3N4)的Si位置部分置换为Al、N位置部分置换为O的固溶体、且由通式Si6-zAlzOzN8-z表示。能够维持β型赛隆的晶体结构的组成参数z值的范围为0～4.2。该z值会影响固溶于β型赛隆晶体的Eu离子的配位环境，给荧光特性带来大的影响。为了得到高亮度的绿色荧光体，优选的z值为0.005～1的范围。
另外，本发明的β型赛隆荧光体中含有的Eu量优选为0.1～2质量％。若Eu含量低于0.1质量％，则与作为β型赛隆而发光相关的Eu离子的数量变少，不能得到足够的亮度，因此不优选。若Eu含量大于2质量％，则会发生浓度淬灭、形成未固溶于β型赛隆晶体内的Eu会吸收可见光的α型赛隆等异相，亮度变低，因此不优选。
以下示出制造本发明的β型赛隆荧光体的方法的一个例子。但是，用于得到本发明的荧光体的方法不仅限定于此，如果能够使β型赛隆荧光体中的Eu的存在状态在本发明的范围，也可以是以往公知的方法或将它们适宜组合。
对于原料，例如使用包含氮化硅(Si3N4)、氮化铝(AlN)、Eu化合物的混合粉末。作为Eu化合物，可以选自Eu的金属、氧化物、碳酸盐、卤化物、氮化物及氮氧化物。这些Eu化合物可以单独使用或组合使用2种以上。焙烧分两次来实施，以在两次焙烧中最终成为β型赛隆荧光体的组成的方式来配混规定的原料。此时，也考虑氮化硅粉末、氮化铝粉末中所含的氧化物量。出于对源自原料的氧量进行调整的目的，也可以混合氧化硅(SiO2)、氧化铝(Al2O3)、金属硅、金属铝。
将前述各原料混合的情况下，可以采用干式混合的方法、在与原料各成分实质上不反应的非活性溶剂中进行了湿式混合后去除溶剂的方法等。作为混合装置，可以适当地使用V型混合机、摇滚式混合机、球磨机、振动磨机等。
将上述原料混合粉末填充到至少接触该原料的面是由氮化硼形成的坩埚等容器中，在氮气气氛中在1550～2100℃的温度下加热，由此进行原料粉末内的反应。该阶段的要点是，目的在于利用反应使Eu在样品内高分散化，在该阶段即使是部分生成β型赛隆即可，其生成率的大小没有关系。对于Eu，通过在原料中所含的氧化物变高温而生成的液相中扩散来进行高分散化。若焙烧的温度低于1550℃，则该液相不存在或过少，从而Eu的扩散变得不充分，不优选。若焙烧温度超过2100℃，则为了抑制β型赛隆的分解而需要非常高的氮压力，在工业上不优选。
对于第一焙烧工序中得到的试样(焙烧粉)，根据原料配方组成、焙烧温度，为粉末状、或为块状。并且，根据需要进行粉碎、破碎，制成例如全部通过开口45μm的筛子的程度的粉末状。
接着，对该焙烧粉，添加选自氮化硅、氧化硅、氮化铝、氧化铝、氧化铕中的一种以上，通过与前述同样的方法，进行混合、填充至容器、在氮气气氛中、在1900～2100℃的温度下实施第二焙烧工序，得到焙烧物。该焙烧物是固溶有Eu的β型赛隆。在第二焙烧中，为了提高β型赛隆的生成率，优选1900℃以上的焙烧温度。由于第二焙烧后的试样(焙烧物)为块状，因此进行粉碎、破碎来制成粉末状。
对通过上述方法合成的含有Eu的β型赛隆(焙烧物)进行在除纯氮以外的非氧化性气氛中在第二焙烧温度以下的温度下进行加热的退火处理，改变为Eu中的Eu2+的比例提高、并且能够通过下一工序中的酸处理将阻碍荧光发光的Eu溶解去除的状态。作为进行退火处理的气氛，优选稀有气体或还原性气体。稀有气体例如为氩气、氦气等第18族元素的气体。还原性气体例如为氨、二氧化碳、一氧化碳、氢气等具有还原能力的气体。还原性气体可以以单质形式使用，也可以为与氮气、稀有气体等中性气体的混合气体。
对于退火处理的温度，根据使用的气氛而适当的范围不同。若温度过低，则Eu的状态变化不会进展，特性不会提高，若温度过高，则β型赛隆将会分解，因此不优选。在氩气、氦气等稀有气体气氛中进行退火处理时的适当的温度范围为1350～1600℃。
接着，对进行了退火处理的粉末(退火处理粉)进行酸处理。作为酸处理中使用的酸，可以使用选自氢氟酸、硫酸、磷酸、盐酸、硝酸中的1种以上的酸，以包含这些酸的水溶液的形式使用。该酸处理的主要目的为，去除在退火工序时产生的阻碍荧光发光的化合物，优选使用氢氟酸与硝酸的混酸。该酸处理工序如下进行：将进行了退火处理的β型赛隆荧光体分散在包含上述酸的水溶液中，通过数分钟～数小时左右(例：10分钟～3小时)的搅拌，使其与上述酸反应。酸的温度可以为室温，但由于温度越高，反应越容易进行，因此优选50～80℃。酸处理后，优选在用过滤器等将荧光体颗粒和酸分离后，进行水洗。
本发明的β型赛隆荧光体被由紫外线至可见光的大范围波长区域激发、以高的荧光发光效率发出绿色光，作为绿色的荧光体是优异的。对于该β型赛隆荧光体，相对于使用环境变化的亮度变化少，可以单独或与其他荧光体组合而用于各种发光元件、特别是以紫外LED或蓝色LED作为光源的白色LED。
本发明的发光构件具有：发光元件；1种以上的β型赛隆荧光体，该β型赛隆荧光体吸收由发光元件发出的光并且发出波长比由发光元件发出的光长的光；以及含有β型赛隆荧光体的密封材料，β型赛隆荧光体为上述β型赛隆荧光体。本发明的发光构件由于使用上述β型赛隆荧光体，因此即使在高温下使用，亮度降低也小、寿命长，亮度高。
进而本发明为使用了该发光构件的发光装置。由于为使用了上述β型赛隆荧光体的发光装置，因此亮度降低及色偏移小、进而寿命长。
[实施例]
以下，举出实施例及比较例，更详细地说明本发明，但本发明不限定于这些。
(实施例1)
将宇部兴产株式会社制α型氮化硅粉末(SN-E10级、氧含量1.0质量％)95.43质量％、Tokuyama Corporation制氮化铝粉末(F级、氧含量0.8质量％)3.04质量％、大明化学工业株式会社制氧化铝粉末(TM-DAR级)0.74质量％、信越化学工业株式会社制氧化铕粉末(RU级)0.79质量％用V型混合机(筒井理化学器械株式会社制S-3)进行混合，进而使全部通过开口250μm的筛子而去除聚集，得到原料混合粉末。对于此处的配混比(第一配方组成(质量％))，以在β型赛隆的通式Si6-zAlzOzN8-z中，不包括氧化铕在内，由Si/Al比算出z＝0.25的方式来设计。
将此处得到的具有前述第一配方组成的原料混合粉末200g填充至内径10cm、高10cm的带盖的圆筒型氮化硼容器(电化株式会社制、N-1级)，用碳加热器的电炉在0.8MPa的加压氮气气氛中、在1800℃下进行4小时的加热处理(第一焙烧工序)。使进行了前述加热处理的粉末通过开口45μm的筛子。需要说明的是，粉末全部通过筛子。实施该第一焙烧工序，将通过了筛子的粉末(也称焙烧粉)与具有前述第一配方组成的原料混合粉末以质量比为1：1的配混比(第二配方组成(质量％))进行配混，通过与前述同样的方法进行混合，将该混合粉末200g填充至内径10cm、高10cm的带盖的圆筒型氮化硼容器，用碳加热器的电炉在0.8MPa的加压氮气气氛中、在2000℃下实施12小时的加热处理(第二焙烧工序)。加热处理后的试样由于成为缓慢聚集而成的块状，因此利用锤将该块粗碎后，用超音速气流粉碎机(Supersonic JetMill)(Nippon Pneumatic Mfg.Co.,Ltd.制、PJM-80SP)粉碎。粉碎条件为，将试样供给速度设为50g/分钟、将粉碎空气压力设为0.3MPa。使该粉碎粉末通过开口45μm的筛子。需要说明的是，筛子的通过率为95％。
实施第二焙烧工序，将通过了开口45μm的筛子的粉碎粉末20g填充至内径5cm、高3.5cm的带盖的圆筒型氮化硼容器，用碳加热器的电炉、在大气压氩气气氛中、在1500℃下进行8小时的退火处理。对进行了退火处理的粉末，在50％氢氟酸与70％硝酸的1：1混酸中，在75℃下进行浸渍30分钟的酸处理。反复进行直接使酸处理后的粉末沉淀并去除上清液和微粉的倾析，直到溶液的pH为5以上且上清液变为透明为止，将最终得到的沉淀物过滤、干燥，得到实施例1的β型赛隆荧光体粉末。进行粉末X射线衍射测定后，结果为，存在的晶相是β型赛隆单相。通过ICP发射光谱分析，测定的Si、Al及Eu含量分别为57.7、2.29、0.62质量％。由Si、Al含量算出的z值为0.24。将实施例1的第一及第二配方组成记载于表1。
(比较例1)
将以与实施例1的第一配方组成相同的组成配混而成的原料混合粉末200g，与实施例1的第一焙烧工序时同样地填充至内径10cm、高10cm的带盖的圆筒型氮化硼容器(电化株式会社制、N-1级)。但是，不实施相当于实施例1的第一焙烧工序的加热处理，在与实施例1的第二焙烧工序相同的条件下进行加热处理。对于通过加热处理得到的试样，通过与实施例1相同的方法、条件，进行粉碎、退火处理、酸处理，得到比较例1的β型赛隆荧光体的粉末。进行粉末X射线衍射测定后，结果为，存在的晶相是β型赛隆单相。通过ICP发射光谱分析，测定的Si、Al及Eu含量分别是57.3、2.23、0.56质量％。由Si、Al含量算出的z值为0.23。需要说明的是，将比较例1的原料混合粉末的配方组成记载于表1的第二配方组成栏。
(荧光特性的评价)
对于β型赛隆荧光体的荧光特性，用通过罗丹明B(Rhodamine B)法及标准光源校正过的分光荧光光度计(Hitachi High-Technologies Corporation.制、F-7000)，将荧光体粉末填充至专用的固体试样保持件中，对照射在波长455nm分光的激发光时的荧光光谱进行测定，求出峰强度及峰波长。需要说明的是，由于峰强度根据测定装置、条件而发生变化，因此单位是任意单位，在同一条件下测定、连续测定实施例1和比较例1的β型赛隆荧光体并进行比较。将比较例1的β型赛隆荧光体的峰强度设为100％时，实施例1的荧光体的峰强度为112％。对于峰波长，实施例1、比较例1均为542nm。
(XAFS测定)
对于β型赛隆荧光体的Eu-L3吸收端的XAFS光谱，在佐贺县立九州同步辐射光研究中心(SAGA-LS)的Beam line BL11或BL15所设置的XAFS测定装置中，使用Si(111)2晶体单色器进行测定。对于X射线的能量校正，在样品测定前实施氧化铕的Eu-L3吸收端XANES测定，其吸收峰能量为6980eV。对于用于测定的试样，使用将荧光体粉末约50mg和作为稀释剂的氮化硼约120mg在玛瑙乳钵中混合直到均匀为止，通过模具成型颗粒化为直径10mm、厚度1mm的物体。对于入射X射线能量，在6800～7100eV的范围进行扫描，特别是Eu-L3吸收端(6980eV)附近以约0.4eV间隔进行扫描。对于入射X射线强度I0、使用流入了He/N2＝50/50的混合气体的电极长17cm的电离箱，对于透过X射线强度、使用流入了N2气体的电极长31cm的电离箱，通过透过法进行测定。
对于所得Eu-L3吸收端的XANES光谱，以扣除比吸收峰低能量侧(前区域)的背景，比吸收峰高能量侧(后边缘区域)的背景强度成为1的方式进行标准化。对标准化的光谱的、与阶梯状的吸收对应的部分以反正切函数、与Eu2+和Eu3+对应的峰以洛伦兹函数、与Eum对应的峰以高斯函数，分别进行模型化。将各成分的峰位置的初始值设为与阶梯状的吸收对应的部分、Eu2+为6971eV、与Eu3+对应的峰为6978eV、与Eum对应的峰为6975eV，进行拟合。这些分析使用以下文献中所示的XAFS数据分析软件“Athena”。
B.Ravel and M.Newville，J.Synchrotoron Rad.(2005)12，p.537-541
定义为：将β赛隆荧光体的Eu-L3吸收端的XANES光谱模型化，作为拟合的结果而得到的与Eu2+对应的洛伦兹函数的面积设为S[Eu2+]、与Eu3+对应的洛伦兹函数的面积设为S[Eu3+]、与Eum对应的高斯函数的面积设为S[Eum]时，S[Eu2+]、S[Eu3+]、S[Eum]的相对的比例与Eu2+、Eu3+、Eum的存在比例分别对应。由图1的实施例1的XANES光谱得到的Eum/(Eu2++Eu3++Eum)为0.34、Eu2+/(Eu2++Eu3+)为0.82，由比较例1的图2得到的Eum/(Eu2++Eu3++Eum)为0.05、Eu2+/(Eu2++Eu3+)为0.86。
(实施例2～4、比较例2、3)
在实施例2～4、比较例2中，使用与实施例1相同的原料，用表1中示出的第一配方组成制作原料混合粉末，将焙烧条件设为在1900℃、4小时，除此以外，通过与实施例1相同的方法，分别实施第一焙烧工序。需要说明的是，加热后的试样由于成为缓慢聚集而成的块状，因此利用锤将该块粗碎后，用超音速气流粉碎机进行粉碎。粉碎条件为，将试样供给速度设为50g/分钟、将粉碎空气压力设为0.3MPa。使粉碎后的粉末通过开口45μm的筛子，结果全部通过。以表1中示出的、使用了这些粉末(焙烧粉)和与实施例1相同的原料的第二配方组成，分别进行混合。需要说明的是，对于第一、第二配方组成，均以在β型赛隆的通式Si6- zAlzOzN8-z中，不包括氧化铕，由Si/Al比算出z＝0.1的方式来设计。
[表1]
对于实施例2～4、比较例2的、由第二配方组成制作的原料混合粉末，分别在与实施例1的第二焙烧工序相同的条件(2000℃×12h、0.8MPa的加压氮气气氛)下进行加热处理。由于加热处理后的试样呈坚硬的块状，因此利用锤将该块粗碎后，反复进行基于辊式压碎机(MAKINO Corporation.制造MRCA-0、氧化铝制辊)的粉碎直到试样全部通过开口150μm的筛子为止。改变该粉碎粉末，利用超音速气流粉碎机进行粉碎(试样供给速度：50g/分钟、粉碎空气压力：0.3MPa)。对该粉碎粉末在与实施例1同样的氩气气氛下进行退火处理及酸处理，得到实施例2～4、比较例2的β型赛隆荧光体。
比较例3中，使用与实施例2的第一配方组成相同的组成的原料混合粉末，进行与实施例2的第二焙烧工序相同的条件下的加热处理及粉碎、退火、酸处理，得到比较例3的β型赛隆荧光体。需要说明的是，比较例3的配方组成与比较例1同样地记载于表1的第二配方组成栏。
对实施例2～4、比较例2、3的β型赛隆荧光体进行粉末X射线衍射测定后，结果为，存在的晶相均是β型赛隆单相。将荧光体的Si、Al、Eu含量、及由Si/Al比算出的z值、波长455nm的光激发时的荧光峰强度(将比较例2设为100时的相对值)和峰波长、及通过XAFS测定而得到的Eum/(Eu2++Eu3++Eum)、Eu2+/(Eu2++Eu3+)示于表2。
[表2]
实施例通过其校正，与比较例相比，为高亮度的β型赛隆荧光体。
产业上的可利用性
本发明的β型赛隆荧光体被由紫外至蓝色光的大范围波长激发、显示高亮度的绿色发光，因此适合用作以蓝色或紫外光作为光源的白色LED的荧光体。
Claims (6)
1.一种β型赛隆荧光体，其以β型赛隆作为基质晶体，含有Eu作为发光中心，其中，将Eu的化学状态分为Eu2+、Eu3+、及它们的中间状态Eum这三种时，它们的存在比例满足0.1<Eum/(Eu2++Eu3++Eum)<0.4且Eu2+/(Eu2++Eu3+)>0.7的关系。
2.根据权利要求1所述的β型赛隆荧光体，其特征在于，作为基质晶体的β型赛隆由通式Si6-zAlzOzN8-z表示，其中z值为0.005以上且1以下。
3.根据权利要求1或2所述的β型赛隆荧光体，其中，Eu含量为0.1～2质量％。
4.权利要求1～3中任一项所述的β型赛隆荧光体的制造方法，其具备如下工序：
第一焙烧工序，将至少包含氮化硅、氮化铝及Eu化合物的混合粉末在氮气气氛中、在1550～2100℃下焙烧，得到焙烧粉；
第二焙烧工序，向所述焙烧粉中添加选自氮化硅、氧化硅、氮化铝、氧化铝、氧化铕中的一种以上粉末，在氮气气氛中、在1900～2100℃下进行焙烧，得到焙烧物；
退火工序，将所述焙烧物在除纯氮以外的非氧化性气氛中在第二焙烧温度以下进行加热；以及
酸处理工序，对退火处理粉进行酸处理。
5.一种发光构件，其具有：发光元件；1种以上的β型赛隆荧光体，该β型赛隆荧光体吸收由发光元件发出的光并且发出波长比由发光元件发出的光长的光；以及含有β型赛隆荧光体的密封材料，
β型赛隆荧光体为权利要求1～3中任一项所述的β型赛隆荧光体。
6.一种发光装置，其使用权利要求5所述的发光构件。
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