TW201819597A - β型賽隆螢光體及其製造方法、以及發光構件及發光裝置 - Google Patents

Abstract

本發明係一種β型賽隆螢光體，其以β型賽隆作為基質晶體，含有Eu作為發光中心，其中，在將Eu的化學狀態分類為Eu²⁺、Eu³⁺、及該等的中間狀態(記為Eu_m)之三種時，該等存在比例滿足0.1<Eu_m/(Eu²⁺+Eu³⁺+Eu_m)<0.4且Eu²⁺/(Eu²⁺+Eu³⁺)>0.7的關係。

Description

β型賽隆螢光體及其製造方法、以及發光構件及發光裝置

本發明係關於可被紫外~藍色的光有效激發而發出綠色光的β型賽隆螢光體及其製造方法、以及使用β型賽隆螢光體的發光構件及發光裝置。

Eu離子存在二價和三價的狀態，且分別作為螢光體的活化劑而起到作用。尤其是二價的Eu²⁺，由於能夠藉由4f-5d容許遷移的吸收帶而有效吸收激發能量及發光，因此能得到效率良好的螢光體。在作為基質晶體的正矽酸鹽、α型及β型賽隆、M₂Si₅N₈、MAlSiN₃(M：鹼土類元素)等中活化Eu²⁺的螢光體，由於能被藍色光有效激發、以高效率發出綠~紅色的螢光，因此被廣泛用作白色發光二極體(白色LED)用的螢光體。

於上述螢光體中存在的Eu，大多除了標的物Eu²⁺以外，還共存有Eu³⁺，為了獲得高的螢光特性，期望提高Eu²⁺的存在比例。Eu²⁺與Eu³⁺的比率的定量例如可以透過對Eu-L3吸收端的XANES光譜進行測定來算出。XANES為X-ray Absorption Near Edge Structure(X射線吸收端附近細微結構)的簡寫，是X射線吸收細微結構(XAFS)測定法中的一種分光法。已知稀土類元素在L3 吸收端XANES光譜中出現的強吸收峰能量係由稀土類的價數決定，在Eu的情況下，Eu²⁺在6970eV附近出現峰，Eu³⁺在6980eV附近出現峰，因此能將兩峰分離來進行定量。

對於推定為包含各種價數的Eu的螢光體，透過XAFS測定法算出Eu²⁺與Eu³⁺的比例，並討論螢光特性與Eu²⁺/Eu³⁺比的相關性。例如，顯示出：就用Eu活化了的β型賽隆螢光體來說，Eu²⁺/(Eu²⁺+Eu³⁺)為0.8以上，則亮度會變高(專利文獻1)。

Eu活化了的β型賽隆螢光體不僅具有耐熱性及耐久性優異、因溫度上升所導致的亮度變化小的特徵，而且可被由紫外至藍色光的大範圍波長的光激發而發出在520~550nm的波長區域具有峰的綠色光，所以作為對白色LED有用的螢光體而正在發展實用化。如前述，雖然透過提高Eu²⁺/(Eu²⁺+Eu³⁺)，則β型賽隆螢光體的亮度會提高，但對進一步高亮度化的期望是強烈的。但是，狀況是僅透過提高Eu²⁺/(Eu²⁺+Eu³⁺)是難以進一步提高β型賽隆螢光體的亮度。

先前技術文獻 專利文獻

專利文獻1 日本特許第5368557號公報

本發明是為了解決上述問題而完成者，其目的在於，提供顯示高亮度的β型賽隆螢光體及其製造方法、以及使用了具有該特性的β型賽隆螢光體的發光構件及發光裝置。

本發明人等對於β型賽隆螢光體，著眼於Eu的存在狀態而反覆進行深入研究，結果獲得如下見解：對於存在於螢光體中的Eu，其存在與Eu²⁺及Eu³⁺不同的中間化學狀態，使該中間狀態的Eu在固定的範圍內存在時，螢光體的亮度會變高，從而完成了本發明。

即，本發明為一種β型賽隆螢光體，其以β型賽隆作為基質晶體，含有Eu作為發光中心，其中，在將Eu的化學狀態分類為Eu²⁺、Eu³⁺、及該等的中間狀態(以後，記載為Eu_m)之三種時，該等存在比例滿足0.1<Eu_m/(Eu²⁺+Eu³⁺+Eu_m)<0.4且Eu²⁺/(Eu²⁺+Eu³⁺)>0.7的關係。

另外，本發明為前述β型賽隆螢光體的製造方法，其具備如下步驟：第一燒結步驟，將至少包含氮化矽、氮化鋁及Eu化合物的混合粉末在氮氣環境中、在1550~2100℃下燒結，得到燒結粉；第二燒結步驟，向前述燒結粉中添加選自氮化矽、氧化矽、氮化鋁、氧化鋁、氧化銪中的一種以上之粉末，在氮氣環境中、在1900~2100℃下進行燒結，得到燒結物；退火步驟，將前述燒結物在除純氮以外的非氧化性環境中在第二燒結溫度以下進行加熱；以及酸處理步驟，對退火處理粉進行酸處理。

另外，本發明為一種發光構件，其具有：發光元件；1種以上的β型賽隆螢光體，該β型賽隆螢光體吸收由發光元件發出的光並且發出波長比由發光元件發出的光長的光；以及含有β型賽隆螢光體的密封材料，前述β型賽隆螢光體為本發明的β型賽隆螢光體。

另外，本發明為一種發光裝置，其使用前述本發明的發光構件。

根據本發明，能夠提供顯示高亮度的β型賽隆螢光體及其製造方法、以及使用了具有該特性的β型賽隆螢光體的發光構件及發光裝置。

圖1為示出實施例1中得到的β型賽隆螢光體的XANES光譜的說明圖。

圖2為示出比較例1中得到的β型賽隆螢光體的XANES光譜的說明圖。

本發明的β型賽隆螢光體為如下的β型賽隆螢光體，其以β型賽隆作為基質晶體，並含有Eu作為發光中心，在將該Eu的化學狀態分類為Eu²⁺、Eu³⁺、及該等的中間狀態(Eu_m)之三種時，該等存在比例滿足0.1<Eu_m/(Eu²⁺+Eu³⁺+Eu_m)<0.4且Eu²⁺/(Eu²⁺+Eu³⁺)>0.7的關係。

以往，Eu的化學狀態存在Eu²⁺和Eu³⁺這兩種，將透過XAFS測定得到的XANES光譜分離為Eu²⁺和Eu³⁺這兩種的峰，算出其比。在XANES光譜中，由於Eu對應於其價數而在規定的能量位置出現吸收峰，因此Eu²⁺與Eu³⁺的吸收峰能量之差應該是固定的。但是，對各種β型賽隆螢光體中的Eu的狀態進行測定並進行分析，結果得到如下見解：前述吸收峰能量之差並非固定，會根據試樣而不同。這表示在Eu²⁺與Eu³⁺的吸收峰之間存在Eu²⁺與Eu³⁺的中間狀態(Eu_m)。在XANES光譜中，利用Eu²⁺的峰出現在比Eu³⁺的峰低約8eV的能量處，由此能夠算出Eu²⁺、Eu³⁺及存在於其中間的Eu_m的存在比例。β型賽隆螢光體的綠色發光伴隨著固溶於β型賽隆晶體內的Eu²⁺的電子遷移，Eu_m並非有助於發光。可以認為Eu_m存在於結晶界面或晶粒界面處。Eu_m是在β型賽隆的晶體生長過程中生成的，Eu_m的存在量可以被認為是與β型賽隆的結晶性高相關的指標。於Eu_m/(Eu²⁺+Eu³⁺+Eu_m)為0.1以下時，β型賽隆的結晶性低，因此螢光體的亮度變低，於Eu_m/(Eu²⁺+Eu³⁺+Eu_m)為0.4以上時，在螢光體中無助於發光的β型賽隆晶體以外的比率變高，因此不佳。

另外，對於以往的Eu²⁺與Eu³⁺的峰能量差不固定的分析方法，Eu_m多作為Eu³⁺成分來評價，存在Eu_m的情況下，有Eu²⁺的比例被評價為過小的傾向。透過加入了上述Eu_m的三成分分析，正確的Eu²⁺與Eu³⁺的存在比變明確，本發明的β型賽隆螢光體中，較佳的是 完全無助於發光的Eu³⁺盡可能不存在，具體而言，宜為Eu²⁺/(Eu²⁺+Eu³⁺)大於0.7。

作為本發明的β型賽隆螢光體的基質晶體的β型賽隆，是β型氮化矽(Si₃N₄)的Si位置上部分置換為Al、N位置上部分置換為O的固溶體，且由通式Si_6-zAl_zO_zN_8-z表示。能夠維持β型賽隆的晶體結構的組成參數z值的範圍為0~4.2。該z值會影響固溶於β型賽隆晶體的Eu離子的配位環境，給螢光特性帶來大的影響。為了得到高亮度的綠色螢光體，較佳z值為0.005~1的範圍。

另外，本發明的β型賽隆螢光體中含有的Eu量宜為0.1~2質量%。若Eu含量低於0.1質量%，則與作為β型賽隆而發光有關的Eu離子的數量變少，不能得到足夠的亮度，因此不佳。若Eu含量大於2質量%，則會發生濃度淬滅、形成未固溶於β型賽隆晶體內的Eu會吸收可見光的α型賽隆等異相，亮度變低，因此不佳。

以下示出製造本發明的β型賽隆螢光體的方法的一個例子。但是，用於得到本發明的螢光體的方法不僅限定於此，如果能夠使β型賽隆螢光體中的Eu的存在狀態在本發明的範圍，也可以是以往公知的方法或將它們適宜組合。

原料，例如使用包含氮化矽(Si₃N₄)、氮化鋁(AlN)、Eu化合物的混合粉末。作為Eu化合物，可以選自Eu的金屬、氧化物、碳酸鹽、鹵化物、氮化物及氮氧化物。這些Eu化合物可以單獨使用或組合使用2種以 上。燒結分兩次來實施，以在兩次燒結中最終成為β型賽隆螢光體的組成的方式，來配混規定的原料。此時，也考慮氮化矽粉末、氮化鋁粉末中所含的氧化物量。依對源自原料的氧量進行調整的目的，也可以混合氧化矽(SiO₂)、氧化鋁(Al₂O₃)、金屬矽、金屬鋁。

將前述各原料混合的情況下，可以採用乾式混合的方法、在與原料各成分實質上不反應的非活性溶劑中進行了濕式混合後再去除溶劑的方法等。作為混合裝置，可以適當地使用V型混合機、搖滾式混合機、球磨機、振動磨機等。

將上述原料混合粉末填充到至少接觸該原料的面是由氮化硼形成的坩堝等容器中，在氮氣環境中、在1550~2100℃的溫度下加熱，藉此使原料粉末內的反應進行。該階段的要點是，目的在於利用反應使Eu在樣品內高分散化，在該階段，即使是部分生成β型賽隆即可，其生成率的大小沒有關係。Eu係透過在原料中所含的氧化物變高溫而生成的液相中擴散來進行高分散化。若燒結的溫度低於1550℃，則該液相不存在或過少，從而Eu的擴散變得不充分，不佳。若燒結溫度超過2100℃，則為了抑制β型賽隆的分解而需要非常高的氮壓力，在工業上不佳。

第一燒結步驟中得到的試樣(燒結粉)係根據原料配方組成、燒結溫度，而為粉末狀、或為塊狀。於此，根據需要進行粉碎、破碎，製成例如全部通過網目45μm的篩子的程度的粉末狀。

接著，對該燒結粉，添加選自氮化矽、氧化矽、氮化鋁、氧化鋁、氧化銪中的一種以上，透過與前述同樣的方法，進行混合，填充至容器，在氮氣環境中、在1900~2100℃的溫度下實施第二燒結步驟，得到燒結物。該燒結物是固溶有Eu的β型賽隆。在第二燒結中，為了提高β型賽隆的生成率，較佳為1900℃以上的燒結溫度。由於第二燒結後的試樣(燒結物)為塊狀，因此進行粉碎、破碎來製成粉末狀。

對透過上述方法所合成的含有Eu的β型賽隆(燒結物)進行在除純氮以外的非氧化性環境中、在第二燒結溫度以下的溫度下進行加熱的退火處理，改變為Eu中的Eu²⁺的比例提高、並且能夠透過下一步驟中的酸處理將阻礙螢光發光的Eu溶解去除的狀態。作為進行退火處理的環境，較佳為稀有氣體或還原性氣體。稀有氣體例如為氬氣、氦氣等第18族元素的氣體。還原性氣體例如為氨、二氧化碳、一氧化碳、氫氣等具有還原能力的氣體。還原性氣體可以以單體形式使用，也可以為與氮氣、稀有氣體等中性氣體混合的氣體。

對於退火處理的溫度，根據使用的環境而適當的範圍不同。若溫度過低，則Eu的狀態變化不會進展，特性不會提高，若溫度過高，則β型賽隆將會分解，因此不佳。在氬氣、氦氣等稀有氣體環境中進行退火處理時的適當的溫度範圍為1350~1600℃。

接著，對進行了退火處理的粉末(退火處理粉)進行酸處理。作為酸處理中使用的酸，可以使用選 自氫氟酸、硫酸、磷酸、鹽酸、硝酸中的1種以上的酸，以包含這些酸的水溶液的形式使用。該酸處理的主要目的為，去除在退火步驟時產生的阻礙螢光發光的化合物，較佳為使用氫氟酸與硝酸的混酸。該酸處理步驟如下進行：將進行了退火處理的β型賽隆螢光體分散在包含上述酸的水溶液中，透過數分鐘~數小時左右(例：10分鐘~3小時)的攪拌，使其與上述酸反應。酸的溫度可以為室溫，但由於溫度越高，反應越容易進行，因此較佳為50~80℃。酸處理後，以在利用過濾器等將螢光體顆粒和酸分離後，進行水洗為佳。

本發明的β型賽隆螢光體被由紫外線至可見光的大範圍波長區域激發，以高的螢光發光效率發出綠色光，作為綠色的螢光體是優異的。對於該β型賽隆螢光體，相對於使用環境變化的亮度變化少，可以單獨或與其他螢光體組合而用於各種發光元件，特別是以紫外LED或藍色LED作為光源的白色LED。

本發明的發光構件具有：發光元件；1種以上的β型賽隆螢光體，該β型賽隆螢光體吸收由發光元件發出的光並且發出波長比由發光元件發出的光長的光；以及含有β型賽隆螢光體的密封材料，β型賽隆螢光體為上述β型賽隆螢光體。本發明的發光構件由於使用上述β型賽隆螢光體，因此即使在高溫下使用，亮度降低也小、壽命長、亮度高。

進而本發明為使用了該發光構件的發光裝置。由於為使用了上述β型賽隆螢光體的發光裝置，因此亮度降低及色偏移小、進而壽命長。

[實施例]

以下，舉出實施例及比較例，更詳細地說明本發明，但本發明不限定於這些。

(實施例1)

將宇部興產公司製α型氮化矽粉末(SN-E10級、氧含量1.0質量%)95.43質量%、Tokuyama公司製氮化鋁粉末(F級、氧含量0.8質量%)3.04質量%、大明化學製氧化鋁粉末(TM-DAR級)0.74質量%、信越化學工業公司製氧化銪粉末(RU級)0.79質量%用V型混合機(筒井理化學器械公司製S-3)進行混合，進而使全部通過網目250μm的篩子而去除聚集，得到原料混合粉末。對於此處的配混比(第一配方組成(質量%))，以在β型賽隆的通式Si_6-zAl_zO_zN_8-z中，不包括氧化銪在內，由Si/Al比算出z=0.25的方式來設計。

將此處得到的具有前述第一配方組成的原料混合粉末200g填充至內徑10cm、高10cm的帶蓋的圓筒型氮化硼容器(電化公司製、N-1級)，用碳加熱器的電爐在0.8MPa的加壓氮氣環境中、在1800℃下進行4小時的加熱處理(第一燒結步驟)。使進行了前述加熱處理的粉末通過網目45μm的篩子。另外，粉末全部通過篩子。實施該第一燒結步驟，將通過了篩子的粉末(也稱燒結粉)與具有前述第一配方組成的原料混合粉末以質量比為1：1的配混比(第二配方組成(質量%))進行配混，透過與前述同樣的方法，進行混合，將該混合粉末200g填充至內徑10cm、高10cm的帶蓋的圓筒型氮化硼容 器，用碳加熱器的電爐在0.8MPa的加壓氮氣環境中、在2000℃下實施12小時的加熱處理(第二燒結步驟)。加熱處理後的試樣由於成為緩慢聚集而成的塊狀，因此利用錘將該塊粗略碎解後，用超音速氣流粉碎機(Nippon Pneumatic Mfg.Co.,Ltd.製、PJM-80SP)粉碎。粉碎條件為，將試樣供給速度設為50g/分鐘、將粉碎空氣壓力設為0.3MPa。使該粉碎粉末通過網目45μm的篩子。另外，篩子的通過率為95%。

實施第二燒結步驟，將通過網目45μm的篩子的粉碎粉末20g填充至內徑5cm、高3.5cm的帶蓋的圓筒型氮化硼容器，用碳加熱器的電爐、在大氣壓氬氣環境中、在1500℃下進行8小時的退火處理。對進行了退火處理的粉末，在50%氫氟酸與70%硝酸的1：1混酸中，在75℃下進行浸漬30分鐘的酸處理。反覆進行直接使酸處理後的粉末沉澱並去除上清液和微粉的傾析，直到溶液的pH為5以上且上清液變為透明為止，將最終得到的沉澱物過濾、乾燥，得到實施例1的β型賽隆螢光體粉末。進行粉末X射線繞射測定後，結果為存在的晶相是β型賽隆單相。透過ICP發射光譜分析，測定的Si、Al及Eu含量分別為57.7、2.29、0.62質量%。由Si、Al含量算出的z值為0.24。將實施例1的第一及第二配方組成記載於表1。

(比較例1)

將以與實施例1的第一配方組成相同的組成配混而成的原料混合粉末200g，與實施例1的第一燒 結步驟時同樣地填充至內徑10cm、高10cm的帶蓋的圓筒型氮化硼容器(電化公司製、N-1級)。但是，不實施相當於實施例1的第一燒結步驟的加熱處理，在與實施例1的第二燒結步驟相同的條件下進行加熱處理。對於透過加熱處理所得到的試樣，透過與實施例1相同的方法、條件，進行粉碎、退火處理、酸處理，得到比較例1的β型賽隆螢光體的粉末。進行粉末X射線繞射測定後，結果為存在的晶相是β型賽隆單相。透過ICP發射光譜分析，測定的Si、Al及Eu含量分別是57.3、2.23、0.56質量%。由Si、Al含量算出的z值為0.23。另外，將比較例1的原料混合粉末的配方組成記載於表1的第二配方組成欄。

(螢光特性的評估)

對於β型賽隆螢光體的螢光特性，用透過羅丹明B(Rhodamine B)法及標準光源校正過的分光螢光光度計(Hitachi High-Technologies Corporation.製、F-7000)，將螢光體粉末填充至專用的固體試樣保持件中，對照射在波長455nm分光的激發光時的螢光光譜進行測定，求出峰强度及峰波長。另外，由於峰強度是根據測定裝置、條件而發生變化，因此單位是任意單位，在同一條件下測定、連續測定實施例1和比較例1的β型賽隆螢光體，並進行比較。將比較例1的β型賽隆螢光體的峰強度設為100%時，實施例1的螢光體的峰強度為112%。關於峰波長，實施例1、比較例1均為542nm。

(XAFS測定)

關於β型賽隆螢光體的Eu-L3吸收端的XAFS光譜，在佐賀縣立九州同步輻射光研究中心(SAGA-LS)的Beam line BL11或BL15所設置的XAFS測定装置中，使用Si(111)2晶體分光器進行測定。X射線的能量校正係在樣品測定前實施氧化銪的Eu-L3吸收端XANES測定，其吸收峰能量為6980eV。用於測定的試樣係使用將螢光體粉末約50mg和作為稀釋劑的氮化硼約120mg在瑪瑙乳缽中混合直到均勻為止，透過模具成型顆粒化為直徑10mm、厚度1mm的物體。入射X射線能量係在6800~7100eV的範圍進行掃描，特別是Eu-L3吸收端(6980eV)附近，以約0.4eV間隔進行掃描。入射X射線強度I0係使用流入了He/N2=50/50的混合氣體的電極長17cm的電離箱，穿透X射線強度係使用流入了N₂氣體的電極長31cm的電離箱，藉由穿透法進行測定。

所得Eu-L3吸收端的XANES光譜係以扣除比吸收峰低能量側(前區域)的背景，比吸收峰高能量側(後邊緣區域)的背景強度成為1的方式，進行標準化。已標準化的光譜之與階梯狀的吸收對應的部分以反正切函數進行模型化，與Eu²⁺和Eu³⁺對應的峰以洛倫茲函數進行模型化，而與Eu_m對應的峰以高斯函數進行模型化。將各成分的峰位置的初始值設為與階梯狀的吸收對應的部分、Eu²⁺為6971eV、與Eu³⁺對應的峰為6978eV、與Eu_m對應的峰為6975eV，進行擬合。這些分析使用以下文獻中所示的XAFS資料分析軟體“Athena”。

B.Ravel and M.Newville，J.Synchrotoron Rad.(2005)12，p.537-541

定義為：將β賽隆螢光體的Eu-L3吸收端的XANES光譜模型化，當作為擬合結果而得到的與Eu²⁺對應的洛倫茲函數的面積設為S[Eu²⁺]、與Eu³⁺對應的洛倫茲函數的面積設為S[Eu³⁺]、與Eu_m對應的高斯函數的面積設為S[Eu_m]時，S[Eu²⁺]、S[Eu³⁺]、S[Eu_m]的相對的比例與Eu²⁺、Eu³⁺、Eu_m的存在比例分別對應。由圖1的實施例1的XANES光譜得到的Eu_m/(Eu²⁺+Eu³⁺+Eu_m)為0.34、Eu²⁺/(Eu²⁺+Eu³⁺)為0.82，由比較例1的圖2得到的Eu_m/(Eu²⁺+Eu³⁺+Eu_m)為0.05、Eu²⁺/(Eu²⁺+Eu³⁺)為0.86。

(實施例2~4、比較例2、3)

在實施例2~4、比較例2中，使用與實施例1相同的原料，用表1中示出的第一配方組成製作原料混合粉末，將燒結條件設為在1900℃、4小時，除此以外，透過與實施例1相同的方法，分別實施第一燒結步驟。另外，加熱後的試樣由於成為緩慢聚集而成的塊狀，因此利用錘將該塊粗略碎解後，用超音速氣流粉碎機進行粉碎。粉碎條件為將試樣供給速度設為50g/分鐘、將粉碎空氣壓力設為0.3MPa。使粉碎後的粉末通過網目45μm的篩子，結果全部通過。以表1中示出之使用了這些粉末(燒結粉)和與實施例1相同的原料的第二配方組成，分別進行混合。另外，對於第一、第二配方組成，均以在β型賽隆的通式Si_6-zAl_zO_zN_8-z中，不包括氧化銪，由Si/Al比算出z=0.1的方式來設計。

對於實施例2~4、比較例2之由第二配方組成所製作的原料混合粉末係分別在與實施例1的第二燒結步驟相同的條件(2000℃×12h、0.8MPa的加壓氮氣環境)下進行加熱處理。由於加熱處理後的試樣呈堅硬的塊狀，因此利用錘將該塊粗略碎解後，反覆進行利用輥式壓碎機(MAKINO Corporation.製造MRCA-0、氧化鋁製輥)的粉碎直到試樣全部通過網目150μm的篩子為止。改變該粉碎粉末，利用超音速氣流粉碎機進行粉碎(試樣供給速度：50g/分鐘、粉碎空氣壓力：0.3MPa)。對該粉碎粉末在與實施例1同樣的氬氣環境下進行退火處理及酸處理，得到實施例2~4、比較例2的β型賽隆螢光體。

比較例3中，使用與實施例2的第一配方組成相同的組成的原料混合粉末，進行與實施例2的第二燒結步驟相同的條件下的加熱處理及粉碎、退火、酸處理，得到比較例3的β型賽隆螢光體。另外，比較例3的配方組成與比較例1同樣地記載於表1的第二配方組成欄。

對實施例2~4、比較例2、3的β型賽隆螢光體進行粉末X射線繞射測定後，結果為存在的晶相均是β型賽 隆單相。將螢光體的Si、Al、Eu含量、及由Si/Al比算出的z值、波長455nm的光激發時的螢光峰強度(將比較例2設為100時的相對值)和峰波長、及透過XAFS測定而得到的Eu_m/(Eu²⁺+Eu³⁺+Eu_m)、Eu²⁺/(Eu²⁺+Eu³⁺)示於表2。

實施例係藉由其校正，與比較例相比，為高亮度的β型賽隆螢光體。

產業上的可利用性

本發明的β型賽隆螢光體被由紫外至藍色光的大範圍波長激發，而顯示高亮度的綠色發光，因此適合用作以藍色或紫外光作為光源的白色LED的螢光體。

Claims (6)

1. 一種β型賽隆螢光體，其以β型賽隆作為基質晶體，含有Eu作為發光中心，其中，在將Eu的化學狀態分類為Eu ²⁺、Eu ³⁺、及該等的中間狀態Eu _m之三種時，該等存在比例滿足0.1<Eu _m/(Eu ²⁺+Eu ³⁺+Eu _m)<0.4且Eu ²⁺/(Eu ²⁺+Eu ³⁺)>0.7的關係。
2. 如請求項1之β型賽隆螢光體，其中作為基質晶體的β型賽隆由通式Si _6-zAl _zO _zN _8-z表示，z值為0.005以上且1以下。
3. 如請求項1或2之β型賽隆螢光體，其中Eu含量為0.1~2質量%。
4. 一種如請求項1~3中任一項之β型賽隆螢光體之製造方法，其具備如下步驟：第一燒結步驟，將至少包含氮化矽、氮化鋁及Eu化合物的混合粉末在氮氣環境中、在1550~2100℃下燒結，得到燒結粉；第二燒結步驟，向該燒結粉中添加選自氮化矽、氧化矽、氮化鋁、氧化鋁、氧化銪中的一種以上之粉末，在氮氣環境中、在1900~2100℃下進行燒結，得到燒結物；退火步驟，將該燒結物在除純氮以外的非氧化性環境中、在第二燒結溫度以下進行加熱；以及酸處理步驟，對退火處理粉進行酸處理。
5. 一種發光構件，其具有：發光元件；1種以上的β型賽隆螢光體，該β型賽隆螢光體吸收由發光元件發出的 光並且發出波長比由發光元件發出的光長的光；以及含有β型賽隆螢光體的密封材料，β型賽隆螢光體為如請求項1~3中任一項之β型賽隆螢光體。
6. 一種發光裝置，其使用如請求項5之發光構件。