TWI833035B - β型矽鋁氮氧化物螢光體及發光裝置 - Google Patents

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Abstract

一種β型矽鋁氮氧化物螢光體，係固溶了銪之β型矽鋁氮氧化物螢光體，將藉由X射線光電子能譜測定所獲得之從該螢光體之表面算起8nm之深度之鋁元素之比率設為P8 [at%]，從該螢光體之表面算起80nm之深度之鋁元素之比率設為P80 [at%]時，P8 /P80 ≦0.9。此外，一種發光裝置，包含該β型矽鋁氮氧化物螢光體。

Description

β型矽鋁氮氧化物螢光體及發光裝置
本發明係關於β型矽鋁氮氧化物螢光體及發光裝置。
已知有將發出一次光之發光元件、與吸收一次光且發出二次光之螢光體組合的發光裝置。 近年來，伴隨著發光裝置之高輸出化，對於螢光體之耐熱性及耐久性之要求提高。因此，結晶結構安定之β型矽鋁氮氧化物螢光體受到注目。
於β型矽鋁氮氧化物之結晶結構內固溶了Eu2+ 之螢光體係受到紫外線至藍色之光激發，而展現波長520nm以上550nm以下之綠色發光的螢光體。固溶了Eu2+ 之β型矽鋁氮氧化物亦稱為Eu固溶β型矽鋁氮氧化物。該螢光體係作為白色發光二極體(白色LED(Light Emitting Diode))等之發光裝置的綠色發光成分來使用。Eu固溶β型矽鋁氮氧化物在固溶了Eu2+ 之螢光體之中，發光光譜係非常窄(sharp)。因此，Eu固溶β型矽鋁氮氧化物為特別適合用於要求由藍、綠、紅之光之3原色構成之窄帶發光之液晶顯示面板之背光光源之綠色發光成分的螢光體。
就關於β型矽鋁氮氧化物螢光體之技術而言，可舉例如專利文獻1中記載者。 於專利文獻1中，記載一種β型矽鋁氮氧化物，係以通式：Si6-Z AlZ OZ N8-Z (0＜Z≦0.42)表示，為固溶了Eu的β型矽鋁氮氧化物，且β型矽鋁氮氧化物之一次粒子之50%面積平均直徑為5μm以上。 [先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：國際公開第2012/011444號
[發明所欲解決之課題]
近年來，針對β型矽鋁氮氧化物螢光體及發光裝置，要求更改善亮度。 本發明係有鑑於如此情事而產生者。本發明提供經改善亮度之β型矽鋁氮氧化物螢光體及發光裝置。 [解決課題之手段]
本案發明者們，為了改善亮度進行各種探討。而探討之結果，完成了以下所提供之發明。
根據本發明，提供一種β型矽鋁氮氧化物螢光體，係固溶了銪之β型矽鋁氮氧化物螢光體，將藉由X射線光電子能譜測定所獲得之從該螢光體之表面算起8nm之深度之鋁元素之比率設為P(Al)8 [at%]，並將從該螢光體之表面算起80nm之深度之鋁元素之比率設為P(Al)80 [at%]時，P(Al)8 /P(Al)80 ≦0.9。
此外，根據本發明， 提供一種發光裝置，包含發光光源及波長轉換構件， 該波長轉換構件包含螢光體， 該螢光體包含上述之β型矽鋁氮氧化物螢光體。 [發明之效果]
根據本發明，提供亮度經改善之β型矽鋁氮氧化物螢光體及發光裝置。
以下，針對本發明之實施形態，邊參照圖式邊詳細地進行說明。 在全部的圖式中，相同的組成要素具有相同的符號，且適當地省略說明。 全部的圖式都僅為說明用，圖式中各構件之形狀或尺寸比等，並非一定對應到現實之物品。
本說明書中，「約略」之用語，在無特別明確地說明的情況下，表示包含考慮到了製造上之公差或組裝上之偏差等的範圍。
＜β型矽鋁氮氧化物螢光體＞ 本實施形態之β型矽鋁氮氧化物螢光體，係固溶了銪之β型矽鋁氮氧化物螢光體。 將藉由X射線光電子能譜測定所獲得之從該螢光體之表面算起8nm之深度之鋁元素之比率設為P(Al)8 [at%]，並將從該螢光體之表面算起80nm之深度之鋁元素之比率設為P(Al)80 [at%]時，P(Al)8 /P(Al)80 ≦0.9。
本實施形態之β型矽鋁氮氧化物螢光體例如為由以通式Si6-z Alz Oz N8-z ：Eu2+ (0＜Z≦4.2)表示之固溶了Eu2+ 之β型矽鋁氮氧化物構成之螢光體。以下，也將固溶了銪之β型矽鋁氮氧化物簡稱為β型矽鋁氮氧化物。 在通式Si6-z Alz Oz N8-z ：Eu2+ 中，Z值與銪之含量係沒有特別之限定。Z值係例如為超過0且4.2以下，考慮更改善β型矽鋁氮氧化物螢光體之發光強度之觀點，宜為0.005以上1.0以下。此外，銪之含量宜為0.1質量%以上2.0質量%以下。 β型矽鋁氮氧化物螢光體通常為多個粒子於煅燒步驟中之加熱處理時堅固地成為一體而得者。將多個粒子之各別一粒者稱為一次粒子，多個粒子堅固地成為一體者稱為二次粒子。
在本實施形態之β型矽鋁氮氧化物螢光體中，藉由P(Al)8 /P(Al)80 ≦0.9，而改善亮度。其理由雖並非完全明瞭。而，本案發明者們推測，若含Al之化合物存在於螢光體粒子之表面，則有時有亮度降低的情況，如本實施形態般螢光體粒子之於表面部分的含Al之化合物的量少，則改善亮度。
要得到本實施形態之β型矽鋁氮氧化物螢光體，宜為選擇適當之原始材料，且選擇適當之製法。例如，藉由進行後述之第一煅燒步驟及第二煅燒步驟之2階段之煅燒、於第二煅燒後進行適當地篩分除去粗大粒子、及/或進行作為煅燒後之處理的酸處理等，可獲得為P(Al)8 /P(Al)80 ≦0.9之β型矽鋁氮氧化物螢光體。
以下，針對本實施形態之β型矽鋁氮氧化物螢光體具體地進行說明。
(P(Al)8 、P(Al)80 、P(Al)8 /P(Al)80 之適宜範圍) P(Al)8 宜為0.8[at%]以下，更宜為0.75[at%]以下，進一步宜為0.7[at%]以下。P(Al)8 可為0，考慮現實之設計/製造、觀點，通常為0.1[at%]以上，宜為0.3[at%]以上。 P(Al)80 宜為0.9[at%]以上5[at%]以下，更宜為0.9[at%]以上3[at%]以下，進一步宜為0.9[at%]以上2[at%]以下。 P(Al)8 /P(Al)80 可為0.9以下。宜為0.2以上0.9以下，更宜為0.3以上0.8以下，進一步宜為0.4以上0.8以下。 藉由適當地調整此等數值，可提高亮度。
(於最表面中之鋁元素的比率P(Al)0 ) 此外，將藉由X射線光電子能譜測定獲得之於螢光體之最表面之鋁元素之比率設為P(Al)0 [at%]時，P(Al)0 宜為0.1[at%]以下。藉由螢光體之最表面之鋁元素之量極少，可提高亮度。
(鋁以外之元素之存在量) 本實施形態之β型矽鋁氮氧化物螢光體係「矽鋁氮氧化物」，故在Al之外，通常更含有Si、O及N。此外，本實施形態之β型矽鋁氮氧化物螢光體係含有Eu。關於本實施形態之β型矽鋁氮氧化物螢光體之通式係如同前述。 慎重起見於此記載在從螢光體之表面算起8nm或80nm之深度，或者在螢光體之最表面之Al以外的各元素的適宜比率。據認為藉由此等比率為適當之範圍內，可進一步地改善亮度。 此等比率亦可藉由X射線光電子能譜測定求得。
･於從螢光體之表面算起之8nm之深度之各元素的比率 Si：宜為35[at%]以上45[at%]以下，更宜為38[at%]以上43[at%]以下，進一步宜為40[at%]以上43[at%]以下 Eu：宜為0.05[at%]以上0.5[at%]以下，更宜為0.1[at%]以上0.4[at%]以下 N：宜為42.5[at%]以上52.5[at%]以下，更宜為45[at%]以上50[at%]以下 O：宜為5[at%]以上15[at%]以下，更宜為7.5[at%]以上12.5[at%]以下，進一步宜為8[at%]以上10.5[at%]以下
･於從螢光體之表面算起80nm之深度之各元素的比率 Si：宜為40[at%]以上50[at%]以下，更宜為43[at%]以上49[at%]以下，進一步宜為45[at%]以上49[at%]以下 Eu：宜為0.05[at%]以上0.5[at%]以下，更宜為0.1[at%]以上0.4[at%]以下 N：宜為42[at%]以上50[at%]以下，更宜為42.5[at%]以上47[at%]以下 O：宜為5[at%]以上15[at%]以下，更宜為5[at%]以上12.5[at%]以下，進一步宜為5[at%]以上10[at%]以下
作為本發明者們補充之知識，以在將於從螢光體之表面算起之8nm之深度之矽原子之比率設為P(Si)8 [at%]，於從該螢光體之表面算起之80nm之深度之矽原子之比率設為P(Si)80 [at%]時，P(Si)8 /P(Si)80 ≦0.95的方式來設計螢光體較為理想。藉由如此方式，可更提高亮度。 本案發明者們推測，會產生亮度降低之存在於螢光體粒子之表面的含Al之化合物，具體而言係含Al與Si之化合物。因此，據認為藉由於螢光體粒子之表面部分，不僅Al相較較少，Si亦相較較少，則會進一步地改善亮度。 P(Si)8 /P(Si)80 之值宜為0.5~0.95，更宜為0.7~0.95。
(關於X射線光電子能譜測定之補充) 針對X射線光電子能譜測定進行補充。 要測定P(Al)8 、P(Al)80 及P(Al)0 ，通常藉由離子蝕刻等，將β型矽鋁氮氧化物螢光體削去8nm或80nm，之後照射X射線。離子蝕刻通常可藉由Ar離子進行。 關於離子蝕刻之速度、及將該速度乘上時間求得之蝕刻深度，通常可採用SiO2 換算值。 就X射線源而言，可使用Al-Kα線。 關於X射線光電子能譜測定、離子蝕刻之具體的條件，可參照後述之實施例。
(針對粒徑) 藉由本實施形態之β型矽鋁氮氧化物螢光體粒子為適當的粒徑，可更進一步地提高亮度。 具體而言，本實施形態之β型矽鋁氮氧化物螢光體粒子之於體積基準之累積分率中之50%直徑DV50 (體積基準之中位徑)宜為5μm以上，更宜為10μm以上。此外，DV50 之上限值宜為50μm，更宜為30μm。 DV50 可依據JIS R 1629：1997，藉由雷射繞射散射法來求得。在DV50 之測定時，實施超音波均質機所為之分散處理等使粒子之凝聚盡可能地減少的前處理較為理想。關於前處理之具體的條件、或測定裝置之詳細等，請參照後述之實施例。
本實施形態之β型矽鋁氮氧化物螢光體粒子係藉由從紫外線至可見光之廣範圍波長區域使其激發，以高效率發出以520nm以上550nm以下之範圍內作為主波長的綠色光。因此，適合作為綠色發光之螢光體。 此外，本實施形態之β型矽鋁氮氧化物螢光體粒子可適宜使用來作為發光元件中之螢光體層的材料。發光元件可適用於顯示器之背光光源、照明裝置等發光裝置。就發光元件而言，雖沒有特別之限定，係具備LED、及疊層於LED之發光面側的螢光體層。作為LED，可使用發出300nm以上500nm以下之波長的光的紫外線LED或藍色LED，尤其可使用發出440nm以上480nm以下之波長的光的藍色LED。尤其，藉由後述之製造方法獲得之β型矽鋁氮氧化物螢光體粒子係藉由從紫外線至藍色光之廣範圍波長區域使其激發，展現高亮度的綠色發光，故可適合使用於將藍色或紫外光作為光源的白色LED的螢光體。
(β型矽鋁氮氧化物螢光體之製造方法) 如以上簡要地描述般，本實施形態之β型矽鋁氮氧化物螢光體係藉由選擇適當之原料，且選擇適當的製法來製造。 具體而言，藉由採用進行將為β型矽鋁氮氧化物螢光體之原料之一的銪化合物分成2次以上添加的煅燒步驟、在第二次之煅燒步驟中添加足夠多量的銪化合物進行製造、進行退火步驟、進行煅燒後的酸處理等之製法上的做法，可獲得本實施形態之β型矽鋁氮氧化物螢光體。 惟，本實施形態之β型矽鋁氮氧化物螢光體係以採用此等製法上的做法為前提，關於其他具體的製造條件可採用各種條件。
以下，更具體地說明β型矽鋁氮氧化物螢光體之製造方法。 本實施形態之β型矽鋁氮氧化物螢光體之製造方法宜包含2個煅燒步驟。亦即，本實施形態之β型矽鋁氮氧化物螢光體之製造方法宜為包含： (i)第一煅燒步驟，將含有第一銪化合物之第一原料粉末進行煅燒，獲得包含β型矽鋁氮氧化物粒子之第一煅燒粉、 (ii)第二煅燒步驟，將獲得之第一煅燒粉及含有第二銪化合物的第二原料粉末進行煅燒，獲得本實施形態之β型矽鋁氮氧化物螢光體。 此處，第二煅燒步驟中，將第二銪化合物添加得比以往之基準更多較為理想。具體而言，在第二煅燒步驟中，以相較於在β型矽鋁氮氧化物中可固溶之Eu量，Eu量成為過剩的方式來添加第二銪化合物較為理想。
詳細狀況雖不明瞭，據認為藉由在第二煅燒步驟中，以相較於在β型矽鋁氮氧化物中可固溶之Eu量，Eu量成為過剩的方式來添加第二銪化合物，而在螢光體之粒子之表層部與內部的元素分布變得相異，其結果可容易獲得為P(Al)8 /P(Al)80 ≦0.9之β型矽鋁氮氧化物螢光體。
β型矽鋁氮氧化物螢光體之製造方法亦可更含有一次以上的將第二煅燒粉更進行煅燒而獲得第三之煅燒粉的第三之煅燒步驟。此時，亦可更添加銪化合物。
此處，本實施形態中之「第一煅燒步驟」係指將含有第一銪化合物之原料粉末進行熱處理之第1次的煅燒步驟，「第二煅燒步驟」係指添加第二銪化合物進行熱處理之第2次之煅燒步驟，「第三之煅燒步驟」係指第二煅燒步驟之後進行的煅燒步驟。 此外，本實施形態中之「第一銪化合物」係指於第一煅燒步驟添加之銪化合物，「第二銪化合物」係指於第二煅燒步驟添加之銪化合物。 此外，本實施形態中之「第一原料粉末」係指於第一煅燒步驟使用的原料粉末，「第二原料粉末」係指於第二煅燒步驟使用的原料粉末。使各別之原料粉末係混合較為理想。 此外，本實施形態中之「第一煅燒粉」係指於第一煅燒步驟獲得之生成物，「第二煅燒粉」係指於第二煅燒步驟獲得之生成物，「第三之煅燒粉」係指於第三之煅燒步驟獲得之生成物。
此外，本實施形態中，「步驟」並不僅指獨立之步驟，即使在與其他步驟無法明確區分之情況，只要達成該步驟期望之目的，則包含於本用語中。組成物中之銪之含量在組成物中存在多個對應於銪之物質時，在沒有特別指明的情況，係指於組成物中存在之該多個物質的合計量。
第一原料粉末係在第一銪化合物之外，更含有氮化矽及氮化鋁較為理想。氮化矽及鋁化合物係用以形成β型矽鋁氮氧化物之骨架的材料，銪化合物係用於形成發光中心的材料。 第一原料粉末亦可更含有β型矽鋁氮氧化物。β型矽鋁氮氧化物係成為聚集體(aggregate)或核之材料。 第一原料粉末中含有之上述各成分之形態係沒有特別之限定。宜為皆為粉末狀。
可使用之銪化合物係沒有特別之限定。可舉例如含有銪之氧化物、含有銪之氫氧化物、含有銪之氮化物、含有銪之氮氧化物、含有銪之鹵化物等。此等可單獨使用亦可組合2種以上使用。此等之中，各別單獨使用氧化銪、氮化銪及氟化銪較佳，單獨使用氧化銪更佳。
銪化合物宜各別在多次之煅燒步驟之煅燒前分次添加。具體而言，銪化合物係各別在第一煅燒步驟及第二煅燒步驟之煅燒前添加。
在各別之煅燒步驟中，銪係分為固溶於β型矽鋁氮氧化物中者、揮發者、作為異相成分而殘留者。含有銪之異相成分可藉由酸處理等除去。惟，在產生量實在太多時，有時有於酸處理中產生不溶成分，亮度降低的情況。另一方面，若為不吸收多餘光的異相，則可殘留如此之異相，亦可於該異相中含有銪。此外，於多次之煅燒步驟之煅燒前添加銪化合物時，亦可將銪化合物以外之β型矽鋁氮氧化物螢光體原料與銪化合物一起進行添加。
在β型矽鋁氮氧化物螢光體之製造方法中，將第一煅燒粉及第二銪化合物之合計設為100質量%時，考慮到更有效地除去對於β型矽鋁氮氧化物螢光體之亮度改善不具貢獻的Eu，使獲得之β型矽鋁氮氧化物螢光體之亮度更進一步改善之觀點，第二銪化合物之比例宜為1.0質量%以上，更宜為2.0質量%以上，進一步宜為3.0質量%以上。此外，考慮使於酸處理中不溶之異相成分的產生量降低，獲得之β型矽鋁氮氧化物螢光體之亮度更進一步地改善之觀點，第二銪化合物之比例宜為18.0質量%以下，更宜為17.0質量%以下，進一步宜為15.0質量%以下。 在本實施形態之β型矽鋁氮氧化物螢光體之製造方法中，若第二銪化合物之比例為上述範圍內，則可更有效地除去對於β型矽鋁氮氧化物螢光體之亮度改善不具貢獻的Eu，且可抑制於酸處理中不溶之異相成分的產生。藉此，可簡化除去異相成分之製造步驟等，其結果可縮短β型矽鋁氮氧化物螢光體之製造時間。
第一原料粉末與第二原料粉末中含有之銪的總量係沒有特別之限定，宜為最後獲得之β型矽鋁氮氧化物螢光體中固溶的銪量的3倍以上，更宜為4倍以上。 此外，第一原料粉末及第二原料粉末中含有之銪的總量，宜為最後獲得之β型矽鋁氮氧化物螢光體中固溶的銪量的18倍以下。藉此，可使於酸處理中之不溶的異相成分的產生量降低，且可使獲得之β型矽鋁氮氧化物螢光體之亮度更進一步地改善。
第一原料粉末中含有之銪量係沒有特別之限定。惟，該量宜比最後獲得之β型矽鋁氮氧化物螢光體中固溶之銪量更多。 此外，第一原料粉末中含有之銪量，宜為最後獲得之β型矽鋁氮氧化物螢光體中固溶之銪量的3倍以下。藉此，可使於酸處理中不溶之異相成分的產生量降低，且可使獲得之β型矽鋁氮氧化物螢光體之亮度更進一步地改善。
在各煅燒步驟中，含有銪化合物之原料粉末例如可使用進行乾式混合之方法、於與原料之各成分實質上不反應之惰性溶劑中經濕式混合後將溶劑除去之方法等來獲得。此外，作為混合裝置，係沒有特別之限定，例如可使用V型混合機、搖擺式混合機、球磨機、震動式研磨機等。
各煅燒步驟中之煅燒溫度係沒有特別之限定。宜為1800℃以上2100℃以下之範圍。 藉由煅燒溫度為1800℃以上，可更有效地進行β型矽鋁氮氧化物螢光體之粒子成長。而，可使光吸收率、內部量子效率及外部量子效率更為良好。 藉由煅燒溫度為2100℃以下，可充分地抑制β型矽鋁氮氧化物螢光體之分解。而，可使光吸收率、內部量子效率及外部量子效率更為良好。 各煅燒步驟中之升溫時間、升溫速度、加熱維持時間及壓力等其它條件亦沒有特別之限定。此等條件係因應使用原料等適當地調整即可。典型來說，加熱維持時間為3小時以上30小時以下，壓力為0.6MPa以上10MPa以下。
就在各煅燒步驟中之混合物之煅燒方法而言，例如可使用將混合物填充至由在煅燒中不與混合物反應之材質(例如氮化硼)構成之容器並於氮氣環境中進行加熱之方法。藉由使用如此方法，使結晶成長反應、固溶反應等進行，可獲得β型矽鋁氮氧化物螢光體。
第一煅燒粉及第二煅燒粉係粒狀或塊狀之燒結體。粒狀或塊狀之燒結體可藉由單獨或組合使用碎解、粉碎、分級等處理，製成預定大小之β型矽鋁氮氧化物螢光體。 就具體之處理方法而言，可舉例如將燒結體使用球磨機、震動式研磨機、噴射磨機等一般的粉碎機來粉碎為預定之粒度的方法。惟，過度之粉碎不僅會產生容易散射光的微粒，有時亦有於粒子表面造成結晶缺陷之情事。亦即，過度的粉碎有時有引起β型矽鋁氮氧化物之發光效率之降低的情事故應注意。此外，該處理亦可在後述之酸處理、鹼處理後進行。
β型矽鋁氮氧化物螢光體之製造方法係在第二煅燒步驟後，可更含有退火步驟，該退火步驟係以比第二煅燒步驟之煅燒溫度更低之溫度將第二煅燒粉進行加熱而獲得退火處理物。 退火步驟宜於稀有氣體、氮氣等鈍性氣體、氫氣、一氧化碳氣體、烴氣體、氨氣等還原性氣體、或者是此等的混合氣體、或真空中等之純氮以外之非氧化性環境中進行。尤其宜為在氫氣環境中或氬氣環境中進行。 退火步驟可在大氣壓力下或加壓下之任一者進行。 退火步驟中之熱處理溫度係沒有特別之限定。熱處理溫度宜為1200℃以上1700℃以下，更宜為1300℃以上1600℃以下。 藉由進行退火步驟，可使β型矽鋁氮氧化物螢光體之發光效率更改善。此外，藉由元素之重新排列，除去應變或缺陷，故亦可更改善透明性。 此外，有時有因為退火步驟而產生異相之情況，其可藉由後述之酸處理等除去。
在退火處理之前，亦可添加混合構成β型矽鋁氮氧化物螢光體之元素的化合物。添加之化合物係沒有特別之限定，可列舉各元素之氧化物、氮化物、氮氧化物、氟化物、氯化物等。 尤其，將二氧化矽、氧化鋁、氧化銪、氟化銪等添加至各個熱處理物中，可使β型矽鋁氮氧化物螢光體之亮度更為改善。惟，添加之原料係期望其不固溶之殘留部分可藉由退火步驟後之酸處理、鹼處理等除去。
在β型矽鋁氮氧化物螢光體之製造方法中，將第二煅燒粉或第二煅燒粉之退火處理物，通過適當篩孔之篩子，除去粗大粒子較為理想。就本案發明者們之知識而言，這是因為於粗大粒子中有含有較多之會使亮度降低之含Al之化合物的可能性。篩子之篩孔約為75μm/♯200，宜為比其更細之篩孔。
在β型矽鋁氮氧化物螢光體之製造方法中，亦可更進行將第二煅燒粉或第二煅燒粉之退火處理物進行酸處理、鹼處理及/或氟處理之步驟。 酸處理或鹼處理係例如使酸性或鹼性之液體與第二煅燒粉或第二煅燒粉的退火處理物接觸的處理。氟處理係例如使含有氟之氣體與第二煅燒粉或第二煅燒粉之退火處理物接觸的步驟。 據認為藉由進行如此之步驟，可將於煅燒步驟、退火步驟等中產生之異相成分(發光阻礙因子)溶解除去。藉此，可使β型矽鋁氮氧化物螢光體之光吸收率、內部量子效率及外部量子效率更改善。
作為酸性之液體，例如可使用含有選自氫氟酸、硫酸、磷酸、鹽酸、硝酸中之1種以上的酸的水溶液。作為鹼性之液體，例如可使用含有選自氫氧化鉀、氨水、氫氧化鈉中之1種以上的鹼的水溶液，更宜為酸性之水溶液，尤其宜為氫氟酸與硝酸之混合水溶液。
就使用了酸性或鹼性之液體的處理方法而言，沒有特別之限定，可藉由將第二煅燒粉或第二煅燒粉之退火處理物分散於含有酸或鹼之水溶液中，攪拌約數分鐘至數小時(例如10分鐘至6小時)來進行。該處理後，期望將β型矽鋁氮氧化物螢光體以外之物質藉由過濾來分離，並以水清洗附著於β型矽鋁氮氧化物螢光體之物質。
＜發光裝置＞ 本實施形態之發光裝置係包含發光光源及波長轉換構件的發光裝置。波長轉換構件係含有螢光體。而，該螢光體包含本實施形態之β型矽鋁氮氧化物螢光體(於上述說明之β型矽鋁氮氧化物螢光體)。
圖1係示意性地表示發光裝置10之結構的一例的剖面圖。 圖1中表示之發光裝置10係以作為發光光源12之LED晶片、裝載發光光源12之第1之引線框架13、第2之引線框架14、被覆於發光光源12之波長轉換構件15、將發光光源12與第2之引線框架14電性連接之接合線(Bonding Wire)16、及覆蓋此等之合成樹脂製的罩蓋(cap)19所形成。波長轉換構件15係具有螢光體18、及分散有螢光體18之封裝樹脂17。
於第1之引線框架13之上部13a，形成用以裝載作為發光光源12之發光二極體的凹部13b。凹部13b係具有從該底面向上方之孔徑係逐漸擴大的約略漏斗形狀，且凹部13b之內側面成為反射面。於該反射面之底面黏晶接合(die bonding)有發光光源12之底面側的電極。形成於發光光源12之上方面之其他電極係經介接合線16與第2之引線框架14之表面連接。
作為發光光源12，可使用各種LED晶片。尤其宜為，產生為近紫外線至藍色光之波長之300nm以上500nm以下之光的LED晶片。
於發光裝置10之波長轉換構件15使用的螢光體18係包含本實施形態之β型矽鋁氮氧化物螢光體。此外，考慮控制發光裝置10之光波長控制之觀點，螢光體18在本實施形態之β型矽鋁氮氧化物螢光體之外，可更包含α型矽鋁氮氧化物螢光體、KSF系螢光體、CaAlSiN3 、YAG之單體或混合體等螢光體。就固溶於此等之螢光體中之元素而言，可舉例如銪(Eu)、鈰(Ce)、鍶(Sr)、鈣(Ca)、錳(Mn)等。此等螢光體可單獨使用一種，亦可組合二種以上使用。 此等之中，作為與本實施形態之β型矽鋁氮氧化物螢光體組合使用的螢光體，宜為固溶了錳的KSF系螢光體。藉由組合使用展現綠色之本實施形態之β型矽鋁氮氧化物螢光體、與展現紅色之KSF系螢光體，例如可適合用來作為適用於高演色TV等之背光用LED。 藉由組合發光光源12與波長轉換構件15，可使其發光具有高發光強度的光。 為慎重起見於此記載，固溶了錳的KSF系螢光體可表示為通式：A2 M(1-n) F6 ：Mn4+ n 。該通式中，元素A係含有K之1種以上的鹼金屬元素，元素M係Si單體、Ge單體、或Si及Ge、與選自於由Sn、Ti、Zr及Hf構成之群組中之1種以上的元素的組合，且0＜n≦0.1。
使用了本實施形態之β型矽鋁氮氧化物螢光體的發光裝置10之情況，特別是藉由作為發光光源12，將含有300nm以上500nm以下之波長之近紫外線或可見光作為激發源而進行照射時，具有於波長520nm以上550nm以下之範圍內具有峰部的綠色發光特性。因此，使用作為發光光源12之近紫外線LED晶片或藍色LED晶片、及本實施形態之β型矽鋁氮氧化物螢光體，更與為波長600nm以上700nm以下之紅色發光螢光體、藍色發光螢光體、黃色發光螢光體或橙色發光螢光體之單體或混合體組合，藉此可成為白色光。
發光裝置10因為含有發光強度經改善之β型矽鋁氮氧化物螢光體，故亮度良好。
以上，係針對本發明之實施形態描述，但此等係本發明之例示，亦可採用上述以外之各種構成。此外，本發明係不限定為上述實施形態，在可達成本發明之目的之範圍內的變形、改良等係包含於本發明中。 [實施例]
根據實施例及比較例詳細地說明本發明之實施態樣。慎重起見而在此說明，本發明不僅限定於實施例。
(實施例1) 使用V型混合機(筒井理化學器械公司製S-3)，混合宇部興產公司製之α型氮化矽粉末(SN-E10等級，氧含量1.0質量%)95.80質量%、Tokuyama Corporation製之氮化鋁粉末(F等級，氧含量0.8質量%)2.74質量%、大明化學公司製之氧化鋁粉末(TM-DAR等級)0.56質量%、及信越化學工業公司製之氧化銪粉末(RU等級)0.90質量%，然後，使獲得之混合物通過篩孔250μm的篩而除去凝聚物，獲得第一原料混合粉末。此處之摻合比(稱為第一摻合組成(質量%))係以成為於β型矽鋁氮氧化物之通式：Si6-Z AlZ OZ N8-Z ，且排除氧化銪從Si/Al比算得Z=0.22之方式來設計。
將獲得之具有第一摻合組成的原料粉末200g填充至內徑10cm、高度10cm之附設蓋子的圓筒型氮化硼容器中，以碳加熱器之電爐且於0.8MPa之加壓氮氣環境中，以1950℃進行10小時之加熱處理(第一煅燒步驟)。將進行了上述加熱處理的粉末，藉由超音速噴射研磨器(Nippon Pneumatic Mfg.Co.,Ltd.製，PJM-80SP)進行粉碎，然後，使獲得之粉碎物通過得篩孔45μm之尼龍篩，獲得第一煅燒粉。 以獲得之第一煅燒粉、與信越化學工業公司製之氧化銪粉末(RU等級)成為90：10之摻合比(稱為第二摻合組成(質量%))進行摻合，使用V型混合機(筒井理化學器械公司製S-3)，將第一煅燒粉與氧化銪粉末混合。然後，使獲得之混合物通過篩孔250μm之尼龍篩除去凝聚物，獲得第二原料混合粉末。
將獲得之具有第二摻合組成之原料粉末200g填充至內徑10cm、高度10cm之附設蓋子之圓筒型氮化硼容器中，以碳加熱器之電爐且在0.8MPa之加壓氮氣環境中，以2020℃進行12小時之加熱處理(第二煅燒步驟)。將進行了上述加熱處理的粉末，藉由超音速噴射研磨器(Nippon Pneumatic Mfg.Co.,Ltd.製，PJM-80SP)進行粉碎，然後，使獲得之粉碎物通過篩孔45μm之尼龍篩，獲得第二煅燒粉。篩之通過率為92%。
將獲得之第二煅燒粉20g填充至內徑5cm、高度3.5cm之附設蓋子之圓筒型氮化硼容器中，以碳加熱器之電爐，且在大氣壓氬氣環境中，以1500℃進行8小時之退火處理。對於進行了退火處理的粉末，進行浸漬於75℃之50%氫氟酸與70%硝酸之1：1混酸中30分鐘的酸處理。使酸處理後的粉末沉澱，並傾析來除去上清液與微粉末，重複傾析直到溶液之pH為5以上且上清液變成透明為止，將最後獲得之沉澱物過濾並乾燥，獲得實施例1之螢光體粉末。 進行粉末X射線繞射測定之結果，存在之結晶相係β型矽鋁氮氧化物單相，可知獲得β型矽鋁氮氧化物螢光體。ICP發射光譜分析測定之Eu含量係0.72質量%。 實施例1中之第一摻合組成及第二摻合組成表示於後述之表1中。
＜藉由X射線光電子能譜測定求得之鋁元素等的比率＞ 首先，藉由使用了Ar離子的離子蝕刻，將β型矽鋁氮氧化物螢光體按SiO2 換算值削去了8nm或80nm。 將經削去8nm或80nm的β型矽鋁氮氧化物螢光體藉由以下述之設備、條件進行XPS分析，獲得關於在各深度之元素比率的資訊。 ･裝置：ULVAC-PHI公司製 X-tool ･分析條件：Al-Kα線、15kV、50W ･分析面積：200μmφ
此外，針對未進行使用了Ar離子的離子蝕刻的β型矽鋁氮氧化物螢光體，亦同樣的進行XPS分析。藉此，亦可獲得關於最表面之元素組成的資訊。
於表2中展示元素比率之資訊。
＜DV50 之測定＞ 使用MicrotracMT3300EX II(MicrotracBEL Corp.)，依循JIS R1629：1997藉由雷射繞射散射法來測定實施例1之β型矽鋁氮氧化物螢光體粒子之粒度分布。關於測定樣本之前處理係如下述。 於離子交換水100cc投入β型矽鋁氮氧化物螢光體粒子0.5g，以Ultrasonic Homogenizer US-150E(日本精機製作所(股)公司、尖端尺寸φ20mm、Amplitude100%、震盪頻率19.5KHz、振幅約31μm)進行3分鐘之分散處理。將其作為測定用樣本。 測定用樣本的粒度分布係使用上述裝置來測定。從獲得之粒度分布求得DV50 。 DV50 表示於後述之表1。
＜螢光特性之評價＞ 將β型矽鋁氮氧化物螢光體之螢光特性藉由以下述方法所測得之峰度強度及峰度波長進行評價。 就裝置而言，使用藉由玫瑰紅B法及標準光源經校正後的分光螢光光度計(Hitachi High Technologies Corporation.製，F-7000)。將獲得之螢光體粉末填充至專用的固體樣本容器中，然後使用分光螢光光度計，測定照射分光為波長455nm之激發光時的螢光光譜，從獲得之螢光光譜求得峰部強度及峰部波長。獲得之結果表示於表3。
慎重起見而在此說明，峰部強度係取決於測定裝置或條件而會變化，故其單位為任意單位，在各實施例及比較例中以相同條件進行測定，將各實施例及比較例之β型矽鋁氮氧化物螢光體連續地進行測定並比較。表3中，表示將比較例1之β型矽鋁氮氧化物螢光體之峰部強度設為100%時的螢光體的峰部強度。
＜CIE色度＞ 螢光光譜之CIE(國際照明委員會)色度係藉由瞬間多測光系統(大塚電子公司製，MCPD-7000)，藉由使用積分球之將對於455nm之激發的螢光經集光的全光束之發射光譜測定來求得。
(實施例2) 將第二摻合組成變更為表1所示之摻合比，除此以外，藉由與實施例1同樣的方法各別獲得β型矽鋁氮氧化物螢光體粉末。對於獲得之β型矽鋁氮氧化物螢光體，進行了粉末X射線繞射測定之結果，存在之結晶相皆為β型矽鋁氮氧化物單相。 此外，與實施例1同樣的方式進行評價。將獲得之結果表示於表2及表3。
(比較例1) 不實施相當於實施例1之第二煅燒步驟之步驟，除此以外，以與實施例1相同的方法獲得β型矽鋁氮氧化物螢光體粉末。對於獲得之β型矽鋁氮氧化物螢光體進行了粉末X射線繞射測定的結果，存在之結晶相係β型矽鋁氮氧化物單相。 此外，進行與實施例1相同的評價。將獲得之結果表示於表2及表3。
[表1]
　 第一摻合組成 (質量%) 第二摻合組成 (質量%) 組成 (質量%) DV50 (μm)
Si3 N4 AlN Al2 O3 第一 Eu2 O3 第一煅燒粉 Si3 N4 AlN Al2 O3 第二 Eu2 O3 Eu
實施例1 95.80 2.74 0.56 0.90 90.00 - - - 10.00 0.72 19.1
實施例2 95.80 2.74 0.56 0.90 95.00 - - - 5.00 0.67 19.2
比較例1 95.80 2.74 0.56 0.90 　 　 　 　 　 0.78 18.0
[表2]
　 Si[at%] Al[at%] Eu[at%] N[at%] O[at%] P(Al)8 /P(Al)80 P(Si)8 /P(Si)80
實施例1 深度8nm 41.6 0.7 0.3 47.6 9.8 0.64 0.90
深度80nm 46.1 1.1 0.3 44.3 8.2
實施例2 深度8nm 41.6 0.5 0.2 47.9 9.8 0.50 0.88
深度80nm 47.1 1.0 0.3 45.1 6.5
比較例1 深度8nm 45.7 1.0 0.2 47.1 6.0 1.0 1.0
深度80nm 45.8 1.0 0.3 45.9 7.0
此外，實施例1及2中，P(Al)0 之值係設備之檢測極限的未達0.1[at%]。
[表3]
　 實施例1 實施例2 比較例1
發光峰部強度(%) 113 110 100
發光峰部波長(nm) 543 544 543
色度x 0.367 0.368 0.362
色度y 0.616 0.615 0.619
如表3等所示，為P(Al)8 /P(Al)80 ≦0.9之實施例1及2的β型矽鋁氮氧化物螢光體之發光峰部強度相較於為P(Al)8 /P(Al)80 =1之比較例1的β型矽鋁氮氧化物螢光體之發光峰部強度更大10%以上。亦即，顯示藉由為P(Al)8 /P(Al)80 ≦0.9之β型矽鋁氮氧化物螢光體，可改善亮度。
本申請案係以於2019年8月20日申請之日本申請案特願2019-150289號作為基礎主張優先權，將其揭示之全部內容納入本案中。
10:發光裝置 12:發光光源(LED晶片) 13:第1之引線框架 13a:上部 13b:凹部 14:第2之引線框架 15:波長轉換構件 16:接合線 17:封裝樹脂 18:螢光體(β型矽鋁氮氧化物螢光體) 19:罩蓋
[圖1]示意性地表示裝置之結構之一例的剖面圖。
10:發光裝置
12:發光光源(LED晶片)
13:第1之引線框架
13a:上部
13b:凹部
14:第2之引線框架
15:波長轉換構件
16:接合線
17:封裝樹脂
18:螢光體(β型矽鋁氮氧化物螢光體)
19:罩蓋

Claims (10)

  1. 一種β型矽鋁氮氧化物螢光體，係固溶了銪之β型矽鋁氮氧化物螢光體，將藉由X射線光電子能譜測定所獲得之從該螢光體之表面算起8nm之深度之鋁元素之比率設為P(Al)8 [at%]，並將從該螢光體之表面算起80nm之深度之鋁元素之比率設為P(Al)80 [at%]時，P(Al)8 /P(Al)80 ≦0.9。
  2. 如請求項1之β型矽鋁氮氧化物螢光體，其中，該P(Al)8 為0.8[at%]以下。
  3. 如請求項1或2之β型矽鋁氮氧化物螢光體，其中，該P(Al)80 為0.9[at%]以上且5[at%]以下。
  4. 如請求項1或2之β型矽鋁氮氧化物螢光體，其中，將藉由X射線光電子能譜所獲得之於該螢光體之最表面之鋁元素的比率設為P(Al)0 [at%]時，P(Al)0 為0.1[at%]以下。
  5. 如請求項1或2之β型矽鋁氮氧化物螢光體，其中，體積基準之累積分率中之50%直徑DV50 為5μm以上且50μm以下。
  6. 如請求項1或2之β型矽鋁氮氧化物螢光體，其中，係以通式Si6-z Alz Oz N8-z ：Eu2+ 表示，且0＜Z≦4.2。
  7. 如請求項1或2之β型矽鋁氮氧化物螢光體，其中，將藉由X射線光電子能譜測定所獲得之從該螢光體之表面算起8nm之深度之矽元素之比率設為P(Si)8 [at%]，並將從該螢光體之表面算起80nm之深度之矽元素之比率設為P(Si)80 [at%]時，P(Si)8 /P(Si)80 ≦0.95。
  8. 一種發光裝置，包含發光光源及波長變化構件，該波長變化構件包含螢光體，該螢光體包含如請求項第1至7項中任一項之β型矽鋁氮氧化物螢光體。
  9. 如請求項8之發光裝置，其中，該發光光源包含產生300nm至500nm之波長的光的LED晶片。
  10. 如請求項8或9之發光裝置，其中，該螢光體更包含固溶了錳的KSF系螢光體。
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011058919A1 (ja) * 2009-11-10 2011-05-19 電気化学工業株式会社 β型サイアロン、その製造方法及びそれを用いた発光装置
TWI518169B (zh) * 2010-09-27 2016-01-21 電化股份有限公司 β型矽鋁氮氧化物之製造方法
CN107557001A (zh) * 2016-07-01 2018-01-09 电化株式会社 β型赛隆荧光体及其制造方法、以及发光构件及发光装置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101128564B (zh) * 2005-02-28 2012-07-25 电气化学工业株式会社 荧光体及其制造方法及使用了该荧光体的发光元件
JP4740379B1 (ja) * 2010-02-25 2011-08-03 電気化学工業株式会社 β型サイアロン蛍光体、その用途及びβ型サイアロン蛍光体の製造方法
CN103080270A (zh) * 2010-07-20 2013-05-01 电气化学工业株式会社 β型赛隆、β型赛隆的制备方法和发光装置
JP2013173868A (ja) * 2012-02-27 2013-09-05 Mitsubishi Chemicals Corp βサイアロン蛍光体の製造方法
JPWO2014030637A1 (ja) * 2012-08-22 2016-07-28 デンカ株式会社 βサイアロンの製造方法、βサイアロン及び発光装置
JP6222288B2 (ja) * 2015-08-07 2017-11-01 日亜化学工業株式会社 βサイアロン蛍光体の製造方法
JP6160763B2 (ja) * 2015-12-15 2017-07-12 日亜化学工業株式会社 βサイアロン蛍光体の製造方法
US10894917B2 (en) * 2016-05-30 2021-01-19 Nichia Corporation Method of producing beta-sialon fluorescent material
JP6856940B2 (ja) 2018-03-02 2021-04-14 株式会社ソフイア 遊技機
TWI642206B (zh) * 2018-04-03 2018-11-21 國立清華大學 具反射結構的光轉換材料與具有該光轉換材料的發光二極體元件
JP6730370B2 (ja) * 2018-05-16 2020-07-29 デンカ株式会社 β型サイアロン蛍光体の製造方法
JP6572373B1 (ja) * 2018-11-19 2019-09-11 デンカ株式会社 β型サイアロン蛍光体の製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011058919A1 (ja) * 2009-11-10 2011-05-19 電気化学工業株式会社 β型サイアロン、その製造方法及びそれを用いた発光装置
TWI518169B (zh) * 2010-09-27 2016-01-21 電化股份有限公司 β型矽鋁氮氧化物之製造方法
CN107557001A (zh) * 2016-07-01 2018-01-09 电化株式会社 β型赛隆荧光体及其制造方法、以及发光构件及发光装置

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